JP2001108818A - Color filter substrate, method for manufacturing color filter substrate, liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus - Google Patents
Color filter substrate, method for manufacturing color filter substrate, liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatusInfo
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Abstract
(57)【要約】
暗い環境下において、蛍光管301より発せられた光
は、導光板302により液晶パネルに入射し、偏光板1
14、位相差板113を経た後、半透過反射電極102
を透過し、カラーフィルタ104によって着色して、液
晶層50内に導入される。液晶層50内に導入された光
は、位相差板213、偏光板214を順次介して液晶パ
ネルの観察側に出射される。一方、明るい環境下におい
て、観察側から入射した光は、偏光板214、液晶層5
0を通過後、カラーフィルタ104によって着色して、
半透過反射電極102によって反射され、再び観察側に
出射される。
(57) [Summary] In a dark environment, light emitted from a fluorescent tube 301 is incident on a liquid crystal panel by a light guide plate 302, and the polarizing plate 1
14. After passing through the phase difference plate 113, the transflective electrode 102
, And is introduced into the liquid crystal layer 50 by being colored by the color filter 104. The light introduced into the liquid crystal layer 50 is emitted to the observation side of the liquid crystal panel via the phase difference plate 213 and the polarizing plate 214 in this order. On the other hand, in a bright environment, light incident from the observation side is reflected by the polarizing plate 214 and the liquid crystal layer 5.
After passing through 0, it is colored by the color filter 104,
The light is reflected by the transflective electrode 102 and emitted again to the observation side.
Description
【0001】[0001]
【技術分野】本発明は、金属上に着色層を形成したカラ
ーフィルタ基板およびその製造方法に関し、さらに、こ
れらの基板を用いた液晶装置およびその製造方法並びに
該液晶装置を用いた電子機器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a color filter substrate having a colored layer formed on a metal and a method of manufacturing the same, and further relates to a liquid crystal device using these substrates, a method of manufacturing the same, and an electronic apparatus using the liquid crystal device.
【0002】[0002]
【背景技術】周知のように、液晶装置は、液晶それ自体
が発光するのではなく、単に光の道筋を変えることによ
って表示等を行うものである。このため、液晶装置に
は、パネルに対して必ず何らかの形で光を入射させる構
成が必要となり、この点において、他の方式を用いた表
示装置、例えば、エレクトロルミネッセンス表示装置
や、プラズマディスプレイなどとは大きく相違する。こ
こで、液晶装置において、パネルの裏側に設けられた光
源等から入射した光がパネルを通過して観察側に出射す
るタイプは透過型と呼ばれる一方、観察側から入射した
外光等がパネルによって反射して、観察側に出射される
タイプは反射型と呼ばれている。2. Description of the Related Art As is well known, in a liquid crystal device, a liquid crystal itself does not emit light, but performs display or the like simply by changing a light path. For this reason, the liquid crystal device must have a configuration in which light is always incident on the panel in some form. In this regard, display devices using other methods, such as an electroluminescence display device and a plasma display, are required. Are very different. Here, in a liquid crystal device, a type in which light incident from a light source or the like provided on the back side of the panel passes through the panel and emits to the observation side is called a transmission type, while external light or the like incident from the observation side is transmitted by the panel. The type that is reflected and emitted to the observation side is called a reflection type.
【0003】さて、反射型において観察側から入射する
外光量は、パネルの裏側に配置される光源からの光量と
比較して多くなく、さらに、反射型においては光がパネ
ルに入射して反射するという二重の経路を有するため、
各部での光減衰量が大きく、透過型と比較して、観察側
に出射される光量がそれだけ少なくなる。このため、反
射型では、一般的に透過型と比較して表示画面が暗い、
という欠点がある。In the reflection type, the amount of external light incident from the observation side is not so large as compared with the amount of light from the light source disposed on the back side of the panel. In the reflection type, light is incident on the panel and reflected. Because it has a double route,
The amount of light attenuation in each part is large, and the amount of light emitted to the observation side is smaller than that in the transmission type. For this reason, the reflective screen generally has a darker display screen than the transmissive type,
There is a disadvantage that.
【0004】ただし、反射型は、消費電力の大きい光源
がなくても表示が可能である点や、日光が当たる屋外で
も視認性が高い点など、上記欠点を補って余りある利点
を有する。このため、反射型液晶装置は、携帯型電子機
器などを中心に普及している。[0004] However, the reflection type has many advantages over the above-mentioned disadvantages, such as the fact that display is possible without a light source with large power consumption and that the visibility is high even outdoors where sunlight is applied. For this reason, reflective liquid crystal devices have become widespread mainly in portable electronic devices and the like.
【0005】ところで、単純な反射型では、外光がほと
んどない場合、ユーザは表示を視認できない、という本
質的な問題点を有する。この問題を解決する1つの方策
として、いわゆる半透過反射型の液晶装置が提案されて
いる。この液晶装置は、明るい場所では、通常の反射型
と同様に外光を利用して、反射型をメインとして用いる
一方、暗い場所ではパネルの裏側に設けた光源を点灯さ
せることにより、透過型を補助的に用いて、いずれの場
所でも視認可能とするものである。さらに、近年、携帯
型電子機器やOA機器などでは、カラー表示が要求され
るため、半透過反射型の液晶装置にあっても、カラー化
が必要な場合が多い。[0005] The simple reflection type has an essential problem that the display cannot be visually recognized by the user when there is almost no external light. As one measure for solving this problem, a so-called transflective liquid crystal device has been proposed. In a liquid crystal device, in a bright place, a reflective type is mainly used by using external light in the same manner as in a normal reflective type, while in a dark place, a light source provided on the back side of the panel is turned on to provide a transmissive type. It is used supplementarily to make it visible at any place. Further, in recent years, color display is required for portable electronic devices, OA devices, and the like. Therefore, even in a transflective liquid crystal device, colorization is often required.
【0006】このようにカラー表示が可能な半透過反射
型の液晶装置としては、例えば、特開平7−31891
9号公報に記載されたものがある。この公報に記載され
ている液晶装置は、液晶層の内面に半透過反射膜を兼ね
る画素電極が設けられるとともに、液晶層および位相差
板による複屈折効果と、液晶パネルの観察側および背面
側に設けられた偏光板による検光作用とにより光を着色
してカラー表示を行う構成となっている。そして、この
構成では、半透過反射膜が液晶層の内面に設けられてい
るために、液晶層の外側に設けられた構成と比較して、
視差による二重像や表示のにじみなどが防止されるとと
もに、非常に明るい着色光が得られることとなる。A transflective liquid crystal device capable of color display as described above is disclosed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-31891.
No. 9 discloses this. In the liquid crystal device described in this publication, a pixel electrode serving also as a transflective film is provided on the inner surface of the liquid crystal layer, and the birefringence effect of the liquid crystal layer and the retardation plate and the observation side and the rear side of the liquid crystal panel The color display is performed by coloring the light by the light analyzing action of the provided polarizing plate. In this configuration, since the transflective film is provided on the inner surface of the liquid crystal layer, compared with the configuration provided on the outside of the liquid crystal layer,
A double image due to parallax, blurring of display, and the like are prevented, and very bright colored light is obtained.
【0007】[0007]
【発明の開示】しかしながら、この液晶装置では、複屈
折効果と検光作用とにより光を着色しているため、色再
現性が悪いという問題点を有する。DISCLOSURE OF THE INVENTION However, this liquid crystal device has a problem that the color reproducibility is poor because the light is colored by the birefringence effect and the light analyzing effect.
【0008】本発明は、この問題点に鑑みてなされたも
のであり、その第1の目的は、色再現性を向上させた半
透過反射型または反射型の液晶装置を提供することにあ
る。The present invention has been made in view of the above problems, and a first object of the present invention is to provide a transflective or reflective liquid crystal device having improved color reproducibility.
【0009】ところで、半透過反射膜は、上記公報でも
明らかなように、一般にアルミニウムや、これを主成分
とするアルミニウム合金からなる。このような半透過反
射膜に、カラーフィルタや遮光層などの着色層を直接形
成すると、その形成行程においてアルミニウムの表面が
劣化して、反射特性に悪影響を及ぼす可能性がある。例
えば、着色層をエッチング法により形成する場合にあっ
ては、エッチング液によって、アルミニウムの表面がダ
メージを受けることがある。また、着色層を着色感材法
により形成する場合にあっても、着色感材の現像の際
に、アルミニウムの表面がダメージを受けることがあ
る。The transflective film is generally made of aluminum or an aluminum alloy containing aluminum as a main component, as is clear from the above-mentioned publication. If a colored layer such as a color filter or a light-shielding layer is directly formed on such a semi-transmissive reflective film, the surface of aluminum may be deteriorated during the formation process, and the reflective characteristics may be adversely affected. For example, when a colored layer is formed by an etching method, the surface of aluminum may be damaged by an etchant. Further, even when the colored layer is formed by the colored sensitizing material method, the surface of aluminum may be damaged during the development of the colored sensitized material.
【0010】そこで、本発明の第2の目的は、着色層を
形成する行程において、半透過反射膜や反射電極の金属
膜として用いられるアルミニウムの破壊や劣化を簡易な
プロセスで防止したカラーフィルタ基板および液晶装置
並びにそれらの製造方法を提供することにある。Accordingly, a second object of the present invention is to provide a color filter substrate in which destruction and deterioration of aluminum used as a semi-transmissive reflective film or a metal film of a reflective electrode are prevented by a simple process in the step of forming a colored layer. And a liquid crystal device and a method for manufacturing the same.
【0011】まず、上記第1の目的を達成するための液
晶装置に適用すべく、本発明のカラーフィルタ基板は、
基板と着色層との間に金属膜を有するカラーフィルタ基
板であって、前記金属膜と前記着色層とは、前記金属膜
と前記着色層との間に設けた保護膜によって隔てられて
いることを特徴としている。First, the color filter substrate of the present invention is applied to a liquid crystal device for achieving the first object.
A color filter substrate having a metal film between a substrate and a coloring layer, wherein the metal film and the coloring layer are separated by a protective film provided between the metal film and the coloring layer. It is characterized by.
【0012】本発明によれば、金属膜と着色層とが保護
膜によって隔てられているので、着色層を形成する際に
金属膜表面が劣化しない。そのため金属膜の反射特性が
良好なカラーフィルタ基板が実現する。According to the present invention, since the metal film and the coloring layer are separated by the protective film, the surface of the metal film does not deteriorate when the coloring layer is formed. Therefore, a color filter substrate having a good reflection characteristic of the metal film is realized.
【0013】ここで、保護膜としては金属膜の酸化膜を
用いることができる。その際、金属膜の酸化膜は陽極酸
化膜とすると好ましい。陽極酸化法は、酸化膜の膜厚制
御が容易であり、又、ピンホール等の欠陥の少ない緻密
な酸化膜を形成できるからである。また、膜厚を適宜制
御することによって電着法による着色層の形成も可能と
なる。Here, an oxide film of a metal film can be used as the protective film. At this time, the oxide film of the metal film is preferably an anodic oxide film. This is because the anodic oxidation method can easily control the thickness of the oxide film and can form a dense oxide film with few defects such as pinholes. Further, by appropriately controlling the film thickness, a colored layer can be formed by an electrodeposition method.
【0014】保護膜の他例としては前記金属の酸化物以
外の酸化物、有機絶縁膜又は窒化物を用いることができ
る。前記金属の酸化物以外の酸化物としてはSiO2等
の酸化シリコン、前記有機絶縁膜としてはアクリル樹
脂、窒化物としてはSi3N4に代表される窒化シリコン
が上げられる。金属膜材料の酸化物以外の酸化物を保護
膜として用いた場合にあっては、屈折率が小さいことに
より反射率の低下が抑えられる、有機絶縁膜を用いた場
合には、スピンコート、ロールコート等により容易に保
護膜を形成できる、窒化物を用いる場合には、屈折率が
小さいことにより反射率の低下が抑えられるという利点
がある。As other examples of the protective film, an oxide other than the metal oxide, an organic insulating film, or a nitride can be used. Examples of the oxide other than the metal oxide include silicon oxide such as SiO 2 , the organic insulating film include an acrylic resin, and the nitride includes silicon nitride typified by Si 3 N 4 . In the case where an oxide other than the oxide of the metal film material is used as the protective film, a decrease in the reflectance is suppressed due to the small refractive index.In the case where an organic insulating film is used, spin coating and roll coating are used. In the case of using a nitride in which a protective film can be easily formed by coating or the like, there is an advantage that a decrease in reflectance is suppressed due to a small refractive index.
【0015】また、上記した金属酸化膜、それ以外の酸
化膜、有機絶縁膜及び窒化膜から選ばれる2種以上の膜
を適宜組み合わせて保護膜としてもよい。Further, a protective film may be formed by appropriately combining two or more kinds of films selected from the above-described metal oxide films, other oxide films, organic insulating films and nitride films.
【0016】金属膜としては、アルミニウムや、銀、ク
ロム等を主成分とする金属膜を用いる。アルミニウムを
主成分とする金属膜を用いた場合にあっては、安価な材
料を用いて反射率の高い金属膜が実現する。また、アル
ミニウムは陽極酸化による酸化膜の形成が可能であるの
で、容易に酸化膜による保護膜を形成することができ
る。金属膜におけるアルミニウムの含有割合は85重量
%以上であると好ましい。また、銀を主成分とする金属
膜とすると非常に反射率の高い金属膜が実現する。金属
膜における銀の割合は85重量%以上であると好まし
い。As the metal film, a metal film containing aluminum, silver, chromium or the like as a main component is used. In the case where a metal film containing aluminum as a main component is used, a metal film with high reflectance is realized by using an inexpensive material. In addition, since an oxide film can be formed by anodic oxidation of aluminum, a protective film of an oxide film can be easily formed. The content ratio of aluminum in the metal film is preferably 85% by weight or more. When a metal film containing silver as a main component is used, a metal film having a very high reflectance can be realized. The proportion of silver in the metal film is preferably at least 85% by weight.
【0017】次に、上記第1の目的を達成するための液
晶装置に適用すべく、本発明のカラーフィルタ基板の製
造方法は、基板上と着色層との間に金属膜を有するカラ
ーフィルタ基板の製造方法であって、前記金属膜上に保
護膜を形成する工程と、前記保護膜上に着色層を形成す
る工程とを有することを特徴としている。このようなカ
ラーフィルタ基板の製造方法においても、上記カラーフ
ィルタ基板と同様な理由から、着色層を形成する工程に
おいて金属膜表面が劣化せずに、金属膜の反射特性が良
好なカラーフィルタ基板が実現する。Next, in order to apply the present invention to a liquid crystal device for achieving the first object, a method of manufacturing a color filter substrate according to the present invention is directed to a color filter substrate having a metal film between the substrate and the colored layer. Wherein the method includes a step of forming a protective film on the metal film, and a step of forming a colored layer on the protective film. In such a method of manufacturing a color filter substrate, for the same reason as the above color filter substrate, a color filter substrate having a good reflection characteristic of the metal film without deteriorating the metal film surface in the step of forming the colored layer. Realize.
【0018】ここで、保護膜を形成する工程としては、
前記金属膜を酸化する工程を含む。好ましくは、金属膜
を陽極酸化する。陽極酸化法は、酸化膜の膜厚制御が容
易であり、又、ピンホール等の欠陥の少ない緻密な酸化
膜を形成できるからである。また、膜厚を適宜制御する
ことによって電着法による着色層の形成も可能となる。
他についても、上記カラーフィルタ基板と同様である。Here, the step of forming the protective film includes:
And oxidizing the metal film. Preferably, the metal film is anodized. This is because the anodic oxidation method can easily control the thickness of the oxide film and can form a dense oxide film with few defects such as pinholes. Further, by appropriately controlling the film thickness, a colored layer can be formed by an electrodeposition method.
Other components are the same as those of the color filter substrate.
【0019】また、本発明の液晶装置における要旨は、
第1および第2の基板と、前記第1および第2の基板間
に挟持された液晶層と、前記第2の基板における前記液
晶層側の面に形成されて、前記第1の基板側から入射す
る光を反射する金属膜と、前記金属膜における前記液晶
側に設けた着色層とを有する液晶装置であって、前記金
属膜と前記着色層とは、前記着色層と前記金属膜との間
に設けられた保護膜によって隔てられていることであ
る。この液晶装置によれば、上記カラーフィルタ基板を
備えているので、着色層を形成する際に金属膜表面が劣
化しない。そのため金属膜の反射特性が良好となる。The gist of the liquid crystal device of the present invention is as follows.
First and second substrates, a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, and a liquid crystal layer formed on a surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, from the first substrate side. A liquid crystal device having a metal film that reflects incident light and a coloring layer provided on the liquid crystal side of the metal film, wherein the metal film and the coloring layer are formed of the coloring layer and the metal film. That is, they are separated by a protective film provided therebetween. According to this liquid crystal device, since the color filter substrate is provided, the surface of the metal film does not deteriorate when the colored layer is formed. Therefore, the reflection characteristics of the metal film are improved.
【0020】この液晶装置の態様において、保護膜は、
金属膜の酸化膜を含む。その際、金属膜の酸化膜は陽極
酸化膜とすると好ましい。この態様によれば、陽極酸化
法によって、酸化膜の膜厚制御が容易となり、ピンホー
ル等の欠陥の少ない緻密な酸化膜の形成が可能となる。In this embodiment of the liquid crystal device, the protective film comprises:
Including an oxide film of a metal film. At this time, the oxide film of the metal film is preferably an anodic oxide film. According to this aspect, the thickness of the oxide film can be easily controlled by the anodic oxidation method, and a dense oxide film with few defects such as pinholes can be formed.
【0021】次に、本発明の液晶装置の製造方法におけ
る要旨は、第1および第2の基板と、前記第1および第
2の基板間に挟持された液晶層と、前記第2の基板にお
ける前記液晶層側の面に形成されて、前記第1の基板側
から入射する光を反射する金属膜と、前記金属膜におけ
る前記液晶側に設けた着色層とを有する液晶装置の製造
方法であって、前記金属膜上に保護膜を形成する工程
と、前記保護膜上に着色層を形成する工程とを有するこ
とである。この製造方法によれば、上記カラーフィルタ
基板の製造方法を備えているので、着色層を形成する際
に金属膜表面が劣化しない。そのため金属膜の反射特性
が良好となる。Next, the gist of the method for manufacturing a liquid crystal device of the present invention is as follows. First and second substrates, a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising: a metal film formed on a surface on a side of the liquid crystal layer and reflecting light incident from the first substrate side; and a coloring layer provided on the liquid crystal side of the metal film. A step of forming a protective film on the metal film; and a step of forming a colored layer on the protective film. According to this manufacturing method, since the method for manufacturing the color filter substrate is provided, the surface of the metal film does not deteriorate when the colored layer is formed. Therefore, the reflection characteristics of the metal film are improved.
【0022】この製造方法の態様において、保護膜を形
成する工程は、前記金属膜を酸化する工程を含む。好ま
しくは、金属膜を陽極酸化する。陽極酸化法は、酸化膜
の膜厚制御が容易であり、又、ピンホール等の欠陥の少
ない緻密な酸化膜を形成できるからである。また、膜厚
を適宜制御することによって電着法による着色層の形成
も可能となる。他についても、上記カラーフィルタ基板
や、その製造方法と同様である。In this aspect of the manufacturing method, the step of forming the protective film includes a step of oxidizing the metal film. Preferably, the metal film is anodized. This is because the anodic oxidation method can easily control the thickness of the oxide film and can form a dense oxide film with few defects such as pinholes. Further, by appropriately controlling the film thickness, a colored layer can be formed by an electrodeposition method. Other components are the same as those of the color filter substrate and the method of manufacturing the same.
【0023】また、本発明の電子機器の要旨は、第1お
よび第2の基板と、前記第1および第2の基板間に挟持
された液晶層と、前記第2の基板における前記液晶層側
の面に形成されて、前記第1の基板側から入射する光を
反射する金属膜と、前記金属膜における前記液晶側に設
けた着色層とを有する液晶装置を表示部として備える電
子機器であって、前記金属膜と前記着色層とは、前記着
色層と前記金属膜との間に設けられた保護膜によって隔
てられていることである。この電子機器によれば、上記
液晶装置を備えるので、良好な画像表示が可能な電子機
器を実現することができる。Further, the gist of the electronic device of the present invention is that the first and second substrates, a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, and the liquid crystal layer side of the second substrate An electronic device comprising, as a display unit, a liquid crystal device formed on a surface of the substrate and having a metal film that reflects light incident from the first substrate side and a coloring layer provided on the liquid crystal side of the metal film. The metal film and the colored layer are separated from each other by a protective film provided between the colored layer and the metal film. According to this electronic device, since the liquid crystal device is provided, an electronic device capable of displaying a good image can be realized.
【0024】次に、本発明において、上記第1の目的、
さらには上記第2の目的を達成するための具体的な液晶
装置について説明する。まず、上記第1の目的を達成す
るために、本発明の第1の液晶装置は、透明性を有する
第1および第2の基板と、前記第1および第2の基板間
に挟持された液晶層と、前記第1の基板における前記液
晶層側の面に形成された透明電極と、前記第2の基板に
おける前記液晶層側の面に形成された半透過反射電極
と、前記半透過反射電極の上面に形成された着色層とを
具備することを特徴としている。Next, in the present invention, the first object,
Further, a specific liquid crystal device for achieving the second object will be described. First, in order to achieve the first object, a first liquid crystal device of the present invention comprises first and second transparent substrates and a liquid crystal sandwiched between the first and second substrates. A transparent electrode formed on a surface of the first substrate on the liquid crystal layer side, a transflective electrode formed on a surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, and the transflective electrode And a colored layer formed on the upper surface of the substrate.
【0025】第1の液晶装置によれば、光は、透過型表
示においては、第2の基板側から入射して半透過反射電
極を透過した後、着色層、液晶層を順に経て、第1の基
板側から出射する一方、反射型表示においては、第1の
基板側から入射した後、液晶層、着色層を順に経て半透
過反射電極で反射し、今来た経路を逆に辿って、第1の
基板側から出射する。このため、透過型表示および反射
型表示のいずれにおいても、光が着色層を透過するの
で、色再現性の向上を図る、という上記第1の目的が達
成されることとなる。また、半透過反射電極は、第2の
基板における液晶層側に形成されているので、液晶層と
の距離が小さい。このため、反射型表示において、視差
に起因する二重像や表示のにじみなどが発生しない。According to the first liquid crystal device, in the transmissive display, light is incident from the second substrate side, passes through the transflective electrode, passes through the colored layer and the liquid crystal layer, and then passes through the first liquid crystal layer. On the other hand, in the reflection type display, after being incident from the first substrate side, the light is reflected by the semi-transmissive reflective electrode through the liquid crystal layer and the colored layer in order, and the current path is traced backward. Light is emitted from the first substrate side. For this reason, in both the transmissive display and the reflective display, light transmits through the colored layer, so that the first object of improving color reproducibility is achieved. Further, since the transflective electrode is formed on the liquid crystal layer side of the second substrate, the distance from the liquid crystal layer is small. For this reason, in the reflective display, there is no occurrence of a double image or display bleeding due to parallax.
【0026】また、このような液晶装置にあっては、前
記第2の基板において前記液晶側と反対側にバックライ
トなどの照明装置を備えても良い。このような照明装置
を備えると、当該照明装置による光が半透過反射電極を
透過するので、暗所であっても、透過型表示を併用した
明るい表示が可能となる。In such a liquid crystal device, an illumination device such as a backlight may be provided on the second substrate on the side opposite to the liquid crystal side. With such an illuminating device, light from the illuminating device transmits through the transflective electrode, so that a bright display using a transmissive display can be performed even in a dark place.
【0027】なお、半透過反射電極として、例えば、ア
ルミニウムや、銀、クロムなどを主成分とする金属を、
膜厚15〜20nm程度で形成したものを用いると、反
射率が85%前後であって、透過率が10%前後のもの
が得られる。ここで、特にアルミニウムを主成分とする
金属を用いると、安価で反射率が高い半透過反射電極が
実現できる。アルミニウムを主成分とする金属を用いる
場合には、当該金属におけるアルミニウムの含有割合は
85重量%以上であることが望ましい。As the transflective electrode, for example, a metal mainly composed of aluminum, silver, chromium or the like is used.
When a film having a thickness of about 15 to 20 nm is used, a film having a reflectance of about 85% and a transmittance of about 10% can be obtained. Here, in particular, when a metal mainly containing aluminum is used, an inexpensive transflective electrode having high reflectance can be realized. When a metal containing aluminum as a main component is used, the content ratio of aluminum in the metal is desirably 85% by weight or more.
【0028】さて、第1の液晶装置に係る一の態様で
は、前記着色層と前記半透過反射電極との間に、保護膜
が形成されている。この態様によれば、着色層と半透過
反射電極とは、保護膜によって隔てられるので、着色層
の形成行程において、半透過反射電極として用いられる
アルミニウムの破壊・劣化を簡易なプロセスで未然に防
止する、という上記第2の目的が達成される。In one aspect of the first liquid crystal device, a protective film is formed between the colored layer and the transflective electrode. According to this aspect, since the colored layer and the transflective electrode are separated by the protective film, the destruction and deterioration of aluminum used as the transflective electrode can be prevented by a simple process in the process of forming the colored layer. The second object of the present invention is achieved.
【0029】ここで、保護膜としては、前記半透過反射
電極を構成する金属の陽極酸化膜であることが望まし
い。陽極酸化膜は、膜厚制御が容易であって、さらにピ
ンホールなどの欠陥が少なくて緻密に形成できるからで
ある。また、膜厚を適宜制御することで着色層をいわゆ
る電着法で形成することも可能となる。Here, it is desirable that the protective film is an anodic oxide film of a metal constituting the transflective electrode. This is because the thickness of the anodic oxide film can be easily controlled, and the anodic oxide film can be formed densely with few defects such as pinholes. Further, by appropriately controlling the film thickness, the colored layer can be formed by a so-called electrodeposition method.
【0030】なお、保護膜の他の例としては、半透過反
射電極を構成する金属以外の酸化膜や、窒化膜、有機絶
縁膜を用いても良い。ここで、当該酸化膜としてはSi
O2など酸化シリコンが挙げられ、また、当該窒化膜と
してはSi3N4に代表される窒化シリコンが挙げられ、
いずれも化学気相成長法によって形成可能である。一
方、当該有機絶縁膜としては、アクリル樹脂などが挙げ
られ、スピンコート法や、ロールコート法などによって
形成可能である。As another example of the protective film, an oxide film other than the metal constituting the transflective electrode, a nitride film, or an organic insulating film may be used. Here, the oxide film is Si
A silicon oxide such as O 2, and a silicon nitride typified by Si 3 N 4 as the nitride film;
Any of them can be formed by a chemical vapor deposition method. On the other hand, the organic insulating film includes an acrylic resin and the like, and can be formed by a spin coating method, a roll coating method, or the like.
【0031】さらに、半透過反射電極を構成する金属の
酸化膜や、それ以外の酸化膜、有機絶縁膜および窒化膜
のうち、2種以上の膜を適宜組み合わせて保護膜を形成
しても良い。このようにすると、保護膜の膜厚が小さく
なって、反射率の低下が極力抑えられる。Further, a protective film may be formed by appropriately combining two or more of a metal oxide film constituting the semi-transmissive reflective electrode and other oxide films, organic insulating films and nitride films. . By doing so, the thickness of the protective film becomes small, and a decrease in reflectance is suppressed as much as possible.
【0032】ところで、第1の液晶装置に係る別の態様
では、前記半透過反射電極には、スリット状の開口部が
設けられて、前記着色層は、前記スリットが設けられた
位置に対応して形成されている。この態様によれば、透
過型表示において、光がスリットを透過(通過)すると
ともに、着色層、液晶層を順に経て、第1の基板側から
出射する。この際、着色層は、スリットが設けられた位
置に対応して形成されているので、スリットの通過光
は、着色層によって着色される結果、透過型表示におけ
る色再現性の向上が図られることとなる。In another aspect of the first liquid crystal device, the transflective electrode has a slit-shaped opening, and the colored layer corresponds to a position where the slit is provided. It is formed. According to this aspect, in the transmissive display, light is transmitted (passed) through the slit, and is emitted from the first substrate side through the coloring layer and the liquid crystal layer in this order. At this time, since the colored layer is formed corresponding to the position where the slit is provided, light passing through the slit is colored by the colored layer, so that color reproducibility in a transmissive display is improved. Becomes
【0033】さて、第1の液晶装置の駆動方式として
は、パッシブマトリクス方式のほか、アクティブマトリ
クス方式などの種々のものが適用可能である。このう
ち、アクティブマトリクス方式を適用する場合には、ま
ず、次のような態様が考えられる。すなわち、第1の液
晶装置において、アクティブマトリクス方式を適用した
一の態様では、前記半透過反射電極は画素電極と兼用さ
れるとともに、前記画素電極毎にスイッチング素子が接
続されている。この態様によれば、半透過反射電極は、
画素電極と兼用されるとともに、この画素電極毎にスイ
ッチング素子が接続されているので、オン画素とオフ画
素とをスイッチング素子により電気的に分離できる。こ
のため、コントラストやレスポンスなどが良好であり、
かつ、高精細な表示が容易に達成できる。As a driving method of the first liquid crystal device, various methods such as an active matrix method can be applied in addition to a passive matrix method. When the active matrix method is applied, first, the following mode can be considered. That is, in one aspect of the first liquid crystal device to which the active matrix method is applied, the transflective electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each pixel electrode. According to this aspect, the transflective electrode
Since the switching element is also used as a pixel electrode and a switching element is connected to each pixel electrode, an ON pixel and an OFF pixel can be electrically separated by the switching element. For this reason, contrast and response are good,
In addition, high-definition display can be easily achieved.
【0034】次に、第1の液晶装置において、アクティ
ブマトリクス方式を適用した別の態様では、前記透明電
極は画素電極と兼用されるとともに、前記画素電極毎に
スイッチング素子が接続されている。この態様によれ
ば、透明電極は、画素電極と兼用されるとともに、この
画素電極毎にスイッチング素子が接続されているので、
同様に、オン画素とオフ画素とをスイッチング素子によ
り電気的に分離でき、このため、コントラストやレスポ
ンスなどが良好であり、かつ、高精細な表示が容易に達
成できる。Next, in another aspect of the first liquid crystal device to which the active matrix system is applied, the transparent electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each pixel electrode. According to this aspect, the transparent electrode is also used as the pixel electrode, and the switching element is connected to each pixel electrode.
Similarly, the ON pixel and the OFF pixel can be electrically separated by the switching element, so that the contrast, the response, and the like are good, and a high-definition display can be easily achieved.
【0035】なお、これらの態様におけるスイッチング
素子としては、TFD(Thin FilmDiode)素子やTFT
(Thin Film Transistor)素子などの種々の素子を適用
することができる。The switching elements in these embodiments include a TFD (Thin Film Diode) element and a TFT.
Various elements such as a (Thin Film Transistor) element can be applied.
【0036】さて、上記第1の目的は、上述した第1の
液晶装置を備えた第1の電子機器によっても達成され
る。この第1の電子機器によれば、透過型表示および反
射型表示のいずれにおいても、色再現性の向上が図られ
るとともに、視差に起因する二重像やにじみなどを発生
しない表示を行う液晶装置を備えた各種の電子機器が実
現される。そして、このような電子機器は、明るい場所
でも、暗い場所でも周囲の外光には関係なく高画質の表
示が実現できる。The first object is also achieved by a first electronic device having the above-described first liquid crystal device. According to the first electronic apparatus, in both the transmissive display and the reflective display, the color reproducibility is improved, and the liquid crystal device performs a display that does not generate a double image or a blur due to parallax. Various electronic devices provided with are realized. Such an electronic device can realize high-quality display regardless of ambient light even in a bright place or a dark place.
【0037】次に、上記第1の目的を達成するために、
本発明の第2の液晶装置は、透明性を有する第1および
第2の基板と、前記第1および第2の基板間に挟持され
た液晶層と、前記第1の基板における前記液晶層側の面
に形成された第1の透明電極と、前記第2の基板におけ
る前記液晶層側の面に形成された半透過反射膜と、前記
半透過反射膜の上面に形成された着色層と、前記着色層
の上面に形成された第2の透明電極とを具備することを
特徴としている。Next, in order to achieve the first object,
According to a second liquid crystal device of the present invention, there are provided first and second substrates having transparency, a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, and a liquid crystal layer side of the first substrate. A first transparent electrode formed on a surface of the second substrate, a semi-transmissive reflective film formed on a surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, and a colored layer formed on an upper surface of the semi-transmissive reflective film; A second transparent electrode formed on the upper surface of the coloring layer.
【0038】第2の液晶装置によれば、光は、透過型表
示においては、第2の基板側から入射して半透過反射膜
を透過した後、着色層、第2の透明電極、液晶層を順に
経て、第1の基板側から出射する一方、反射型表示にお
いては、第1の基板側から入射した後、液晶層、第2の
透明電極、着色層を順に経て半透過反射膜で反射し、今
来た経路を逆に辿って、第1の基板側から出射する。こ
のため、透過型表示および反射型表示のいずれにおいて
も、光が着色層を透過するので、色再現性の向上が図ら
れて、第1の液晶装置と同様に、上記第1の目的が達成
されることとなる。また、半透過反射膜は、第2の基板
における液晶層側に形成されているので、液晶層との距
離が小さい。このため、反射型表示において、視差に起
因する二重像や表示のにじみなどが発生しない。According to the second liquid crystal device, in the transmissive display, light enters from the second substrate side and passes through the transflective film, and then the colored layer, the second transparent electrode, and the liquid crystal layer. In the reflection type display, while the light is emitted from the first substrate side, the light is incident from the first substrate side, and then reflected by the semi-transmissive reflection film through the liquid crystal layer, the second transparent electrode, and the colored layer in this order. Then, the light is emitted from the first substrate side by following the path that has just come. For this reason, in both the transmissive display and the reflective display, light passes through the colored layer, so that color reproducibility is improved, and the first object is achieved as in the first liquid crystal device. Will be done. Further, since the transflective film is formed on the liquid crystal layer side of the second substrate, the distance from the liquid crystal layer is small. For this reason, in the reflective display, there is no occurrence of a double image or display bleeding due to parallax.
【0039】また、第2の液晶装置にあっては、上記第
1の液晶装置と同様に、照明装置を、第2の基板におい
て液晶側と反対側に設けても良い。このように照明装置
を備えると、当該照明装置による光が半透過反射膜を透
過するので、暗所であっても、透過型表示を併用した明
るい表示が可能となる。Further, in the second liquid crystal device, similarly to the first liquid crystal device, an illumination device may be provided on the second substrate on the side opposite to the liquid crystal side. When the illumination device is provided in this manner, light from the illumination device transmits through the transflective film, so that a bright display using a transmissive display can be performed even in a dark place.
【0040】さて、第2の液晶装置に係る一の態様で
は、前記着色層と前記半透過反射膜との間に、保護膜が
形成されている。この態様によれば、着色層と半透過反
射膜とは、保護膜によって隔てられる。したがって、こ
の態様においても、着色層の形成行程において、半透過
反射膜として用いられるアルミニウムの破壊・劣化を簡
易なプロセスで未然に防止する、という上記第2の目的
が達成されることとなる。In one aspect of the second liquid crystal device, a protective film is formed between the colored layer and the transflective film. According to this aspect, the coloring layer and the transflective film are separated by the protective film. Therefore, also in this embodiment, the second object of preventing the destruction / deterioration of aluminum used as the transflective film by a simple process in the process of forming the colored layer is achieved.
【0041】ここで、保護膜としては、前記半透過反射
膜を構成する金属の陽極酸化膜であることが望ましい。
陽極酸化膜は、膜厚制御が容易であって、さらにピンホ
ールなどの欠陥が少なくて緻密に形成できるからであ
る。また、膜厚を適宜制御することで着色層をいわゆる
電着法で形成することも可能となる。なお、保護膜の他
の例としては、半透過反射膜を構成する金属の酸化物以
外の酸化膜や、窒化膜、有機絶縁膜を用いても良く、ま
た、これらの膜を、2種以上適宜組み合わせても良い。Here, it is desirable that the protective film is an anodic oxide film of a metal constituting the transflective film.
This is because the thickness of the anodic oxide film can be easily controlled, and the anodic oxide film can be formed densely with few defects such as pinholes. Further, by appropriately controlling the film thickness, the colored layer can be formed by a so-called electrodeposition method. As another example of the protective film, an oxide film other than the metal oxide constituting the semi-transmissive reflective film, a nitride film, or an organic insulating film may be used. They may be appropriately combined.
【0042】ところで、第2の液晶装置に係る別の態様
では、前記半透過反射膜には、スリット状の開口部が設
けられて、前記着色層は、前記スリットが設けられた位
置に対応して形成されている。この態様によれば、透過
型表示において、光がスリットを透過(通過)するとと
もに、着色層、第2の透明電極、液晶層を順に経て、第
1の基板側から出射する。この際、着色層は、スリット
が設けられた位置に対応して形成されているので、スリ
ットの通過光は、着色層によって着色される結果、透過
型表示における色再現性の向上が図られることとなる。In another aspect of the second liquid crystal device, a slit-shaped opening is provided in the transflective film, and the colored layer corresponds to a position where the slit is provided. It is formed. According to this aspect, in the transmissive display, light transmits (passes) through the slit and exits from the first substrate side through the coloring layer, the second transparent electrode, and the liquid crystal layer in this order. At this time, since the colored layer is formed corresponding to the position where the slit is provided, light passing through the slit is colored by the colored layer, so that color reproducibility in a transmissive display is improved. Becomes
【0043】さらに、上記第1の液晶装置のように半透
過反射電極にスリットが設けられた構成と比較すると、
スリットの開口部には第2の透明電極が存在しているの
で、スリットの開口部にも電界が印加される。このた
め、スリット部に位置する液晶分子は、スリット縁部か
らの漏れ電界によることなく配向するので、旋光性を有
しない光がスリットを通過するのが防止され、これによ
り、表示品質が改善されることとなる。さらに、スリッ
トは、画素やドットの形成領域と依存させることなく形
成できる。Further, when compared with the structure in which the transflective electrode is provided with a slit as in the first liquid crystal device,
Since the second transparent electrode exists in the opening of the slit, an electric field is also applied to the opening of the slit. For this reason, the liquid crystal molecules located in the slit portion are aligned without being caused by the leakage electric field from the edge of the slit, so that light having no optical rotation is prevented from passing through the slit, thereby improving the display quality. The Rukoto. Further, the slit can be formed without depending on the pixel or dot formation area.
【0044】さて、第2の液晶装置の駆動方式として
は、第1の液晶装置と同様に、パッシブマトリクス方式
のほか、アクティブマトリクス方式などの種々のものが
適用可能である。このうち、アクティブマトリクス方式
を適用する一の態様では、前記第2の透明電極は画素電
極と兼用されるとともに、前記画素電極毎にスイッチン
グ素子が接続されている。この態様によれば、第2の透
明電極は、画素電極と兼用されるとともに、この画素電
極毎にスイッチング素子が接続されているので、オン画
素とオフ画素とをスイッチング素子により電気的に分離
できる。このため、コントラストやレスポンスなどが良
好であり、かつ、高精細な表示が容易に達成できる。As the driving method of the second liquid crystal device, various methods such as an active matrix method can be applied in addition to the passive matrix method as in the first liquid crystal device. Among these, in one aspect to which the active matrix method is applied, the second transparent electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each pixel electrode. According to this aspect, since the second transparent electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each pixel electrode, the ON pixel and the OFF pixel can be electrically separated by the switching element. . For this reason, the contrast and the response are good, and a high-definition display can be easily achieved.
【0045】次に、第2の液晶装置において、アクティ
ブマトリクス方式を適用した別の態様では、前記第1の
透明電極は画素電極と兼用されるとともに、前記画素電
極毎にスイッチング素子が接続されている。この態様に
よれば、第1の透明電極は、画素電極と兼用されるとと
もに、画素電極毎にスイッチング素子が接続されている
ので、同様に、オン画素とオフ画素とをスイッチング素
子により電気的に分離でき、このため、コントラストや
レスポンスなどが良好であり、かつ、高精細な表示が容
易に達成できる。さらに、スイッチング素子は、第2の
透明電極の下層に着色層が形成された第2の基板側では
なく、第1の透明電極が形成された第1の基板側に設け
られるので、スイッチング素子の製造工程における着色
層の耐熱性などを考慮しないで済む。このため、スイッ
チング素子の製造工程における自由度を高めることがで
きる。なお、これらの態様におけるスイッチング素子と
しては、TFT素子やTFD素子など種々の素子を適用
することができる点についても、第1の液晶装置と同様
である。Next, in another aspect of the second liquid crystal device to which the active matrix system is applied, the first transparent electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each pixel electrode. I have. According to this aspect, the first transparent electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each pixel electrode. Similarly, the ON pixel and the OFF pixel are electrically connected by the switching element. It can be separated, so that the contrast and the response are good, and a high-definition display can be easily achieved. Furthermore, the switching element is provided not on the second substrate side where the coloring layer is formed below the second transparent electrode but on the first substrate side where the first transparent electrode is formed. It is not necessary to consider the heat resistance of the colored layer in the manufacturing process. Therefore, the degree of freedom in the manufacturing process of the switching element can be increased. Note that various elements such as a TFT element and a TFD element can be used as the switching element in these aspects, similarly to the first liquid crystal device.
【0046】さて、上記第1の目的は、上述した第2の
液晶装置を備えた第2の電子機器によっても達成され
る。この第2の電子機器によれば、透過型表示および反
射型表示のいずれにおいても、色再現性の向上が図られ
るとともに、視差に起因する二重像やにじみなどを発生
しない表示を行う液晶装置を備えた各種の電子機器が実
現される。そして、このような電子機器は、明るい場所
でも、暗い場所でも周囲の外光には関係なく高画質の表
示が実現できる。The first object is also achieved by a second electronic device having the above-mentioned second liquid crystal device. According to the second electronic apparatus, in both the transmissive display and the reflective display, the color reproducibility is improved, and the liquid crystal device performs a display without generating a double image or a blur due to parallax. Various electronic devices provided with are realized. Such an electronic device can realize high-quality display regardless of ambient light even in a bright place or a dark place.
【0047】次に、上記第1および第2の目的を同時に
達成するために、本発明の第3の液晶装置は、第1およ
び第2の基板と、前記第1および第2の基板間に挟持さ
れた液晶層と、前記第1の基板における前記液晶層側の
面に形成された透明電極と、前記第2の基板における前
記液晶層側の面に形成された反射電極と、前記反射電極
を保護する保護膜と、前記保護膜の上面に形成された着
色層とを具備することを特徴としている。Next, in order to simultaneously achieve the first and second objects, the third liquid crystal device of the present invention comprises a first liquid crystal device and a second liquid crystal device interposed between the first and second substrates. A sandwiched liquid crystal layer, a transparent electrode formed on the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side, a reflective electrode formed on a surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, and the reflective electrode And a colored layer formed on the upper surface of the protective film.
【0048】第3の液晶装置によれば、光は、第1の基
板側から入射した後、液晶層、着色層、保護膜を順に経
て反射電極で反射し、今来た経路を逆に辿って、第1の
基板側から出射する。この際、反射電極の上面に保護膜
を介して形成された着色層によって光が着色するので、
色再現性の向上を図る、という上記第1の目的が達成さ
れることとなる。同時に、着色層と反射電極とは、その
間に形成された保護膜によって隔てられるので、着色層
の形成行程において、反射電極として用いられるアルミ
ニウムの破壊・劣化を簡易なプロセスで未然に防止す
る、という上記第2の目的が達成されることとなる。さ
らに、反射電極は、第2の基板における液晶層側に形成
されているので、液晶層との距離が小さい。このため、
視差に起因する二重像や表示のにじみなどを防止するこ
とができる。According to the third liquid crystal device, after the light enters from the first substrate side, the light is reflected by the reflection electrode through the liquid crystal layer, the coloring layer, and the protective film in order, and follows the current path in reverse. Then, the light is emitted from the first substrate side. At this time, the light is colored by the colored layer formed on the upper surface of the reflective electrode via the protective film,
The above-mentioned first object of improving color reproducibility is achieved. At the same time, since the colored layer and the reflective electrode are separated by the protective film formed therebetween, in the process of forming the colored layer, destruction / deterioration of aluminum used as the reflective electrode is prevented by a simple process. The second object is achieved. Furthermore, since the reflective electrode is formed on the liquid crystal layer side of the second substrate, the distance between the reflective electrode and the liquid crystal layer is small. For this reason,
It is possible to prevent a double image, display bleeding, and the like due to parallax.
【0049】ここで、保護膜としては、前記反射電極を
構成する金属の陽極酸化膜であることが望ましい。陽極
酸化膜は、膜厚制御が容易であって、さらにピンホール
などの欠陥が少なくて緻密に形成できるからである。ま
た、膜厚を適宜制御することで着色層をいわゆる電着法
で形成することも可能となる。なお、保護膜の他の例と
しては、半透過反射膜を構成する金属以外の酸化膜や、
窒化膜、有機絶縁膜を用いても良く、また、これらの膜
を、2種以上適宜組み合わせても良い。Here, it is desirable that the protective film is an anodic oxide film of a metal constituting the reflective electrode. This is because the thickness of the anodic oxide film can be easily controlled, and the anodic oxide film can be formed densely with few defects such as pinholes. Further, by appropriately controlling the film thickness, the colored layer can be formed by a so-called electrodeposition method. In addition, as another example of the protective film, an oxide film other than the metal constituting the transflective film,
A nitride film or an organic insulating film may be used, or two or more of these films may be appropriately combined.
【0050】さて、第3の液晶装置の駆動方式として
は、上記第1および第2の液晶装置と同様に、パッシブ
マトリクス方式のほか、アクティブマトリクス方式など
の種々のものが適用可能である。このうち、アクティブ
マトリクス方式を適用する一の態様では、前記反射電極
は画素電極と兼用されるとともに、前記画素電極毎にス
イッチング素子が接続されている。この態様によれば、
反射電極は、画素電極と兼用されるとともに、この画素
電極毎にスイッチング素子が接続されているので、オン
画素とオフ画素とをスイッチング素子により電気的に分
離できる。このため、コントラストやレスポンスなどが
良好であり、かつ、高精細な表示が容易に達成できる。As the driving method of the third liquid crystal device, various types such as an active matrix method can be applied in addition to the passive matrix method, similarly to the first and second liquid crystal devices. Among these, in one aspect to which the active matrix method is applied, the reflection electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each of the pixel electrodes. According to this aspect,
Since the reflection electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each pixel electrode, the ON pixel and the OFF pixel can be electrically separated by the switching element. For this reason, the contrast and the response are good, and a high-definition display can be easily achieved.
【0051】次に、第3の液晶装置において、アクティ
ブマトリクス方式を適用した別の態様では、前記透明電
極は画素電極と兼用されるとともに、前記画素電極毎に
スイッチング素子が接続されている。この態様によれ
ば、透明電極は、画素電極と兼用されるとともに、この
画素電極毎にスイッチング素子が接続されているので、
同様に、オン画素とオフ画素とをスイッチング素子によ
り電気的に分離でき、このため、コントラストやレスポ
ンスなどが良好であり、かつ、高精細な表示が容易に達
成できる。なお、これらの態様におけるスイッチング素
子としては、TFT素子やTFD素子など種々の素子を
適用することができる点についても、上記第1および第
2の液晶装置と同様である。Next, in another aspect of the third liquid crystal device to which the active matrix system is applied, the transparent electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each pixel electrode. According to this aspect, the transparent electrode is also used as the pixel electrode, and the switching element is connected to each pixel electrode.
Similarly, the ON pixel and the OFF pixel can be electrically separated by the switching element, so that the contrast, the response, and the like are good, and a high-definition display can be easily achieved. It should be noted that various elements such as a TFT element and a TFD element can be applied as the switching element in these aspects, similarly to the first and second liquid crystal devices.
【0052】さて、上記第1および第2の目的は、上述
した第3の液晶装置を備えた第3の電子機器によっても
達成される。この第3の電子機器によれば、反射型表示
において、色再現性の向上が図られるとともに、視差に
起因する二重像やにじみなどを発生しない表示を行う液
晶装置を備えた各種の電子機器が実現される。The first and second objects are also achieved by a third electronic device having the above-described third liquid crystal device. According to the third electronic apparatus, various types of electronic apparatuses including a liquid crystal device that performs display without increasing double images and bleeding due to parallax while improving color reproducibility in a reflective display. Is realized.
【0053】[0053]
【発明を実施するための最良の形態】以下、本発明を実
施するための最良の形態について、実施例毎に図面を参
照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described for each embodiment with reference to the drawings.
【0054】(第1実施例)まず、本発明の第1実施例
に係る液晶装置について説明する。この液晶装置は、明
るい場所では反射型表示のみを行う一方、暗い場所では
透過型表示を併用する半透過反射型の液晶装置である。
図1は、この液晶装置の構成を示す概略断面図である。(First Embodiment) First, a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention will be described. This liquid crystal device is a transflective liquid crystal device that performs only reflective display in a bright place, and also uses transmissive display in a dark place.
FIG. 1 is a schematic sectional view showing the configuration of the liquid crystal device.
【0055】この図において、液晶装置は、2枚の透明
基板101、201の間に液晶層50が枠状のシール材
52によって封止された構成となっている。また、液晶
層50は、所定のツイスト角を有するネマチック液晶で
ある。ここで、図において上側(観察側)の基板201
の内面上には、ITO(Indium Tin Oxide)などからな
る透明電極207が後述する形状で形成されている。こ
の透明電極207の表面上には、さらに配向膜212が
形成されて、所定の方向にラビング処理が施されてい
る。In this figure, the liquid crystal device has a configuration in which a liquid crystal layer 50 is sealed between two transparent substrates 101 and 201 by a frame-shaped sealing material 52. The liquid crystal layer 50 is a nematic liquid crystal having a predetermined twist angle. Here, the substrate 201 on the upper side (observation side) in FIG.
A transparent electrode 207 made of ITO (Indium Tin Oxide) or the like is formed on the inner surface of the substrate in a shape described later. An alignment film 212 is further formed on the surface of the transparent electrode 207, and rubbing is performed in a predetermined direction.
【0056】一方、図において下側の基板101の内面
上には、例えば、アルミニウムで形成された半透過反射
電極102が、後述する形状で形成されている。ここ
で、本実施例における半透過反射電極102は、その膜
厚が15〜20nmと比較的薄くして形成されているた
めに、反射率が85%前後であって、透過率が10%前
後の半透過反射膜として機能する。すなわち、半透過反
射電極102は、液晶層50側(上側)から入射した光
を反射して液晶層50へ再度導入する一方、基板101
側(下側)から入射した光を透過して液晶層50に導入
する構成となっている。なお、このような半透過反射膜
は、後述するように半透過反射電極102にスリットを
設けて開口させた構成によっても実現される。On the other hand, a semi-transmissive reflective electrode 102 made of, for example, aluminum is formed on the inner surface of the lower substrate 101 in FIG. Here, since the transflective electrode 102 in this embodiment is formed to have a relatively small thickness of 15 to 20 nm, the reflectivity is about 85%, and the transmissivity is about 10%. Function as a transflective film. That is, the transflective electrode 102 reflects the light incident from the liquid crystal layer 50 side (upper side) and re-introduces the light into the liquid crystal layer 50, while the substrate 101
The light incident from the side (lower side) is transmitted and introduced into the liquid crystal layer 50. Note that such a transflective film is also realized by a configuration in which a slit is provided in the transflective electrode 102 and opened as described later.
【0057】次に、このような半透過反射電極102の
上面には、後述するように保護膜103、カラーフィル
タ104が順次形成されている。ここで、カラーフィル
タ104は、例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)の
3色が所定のパターンで配列している。また、カラーフ
ィルタ104の上面には、段差をなくすために有機膜な
どからなる平坦化膜106が形成されている。そして、
平坦化膜106の表面上には、さらに配向膜112が形
成されて、所定の方向にラビング処理が施されている。Next, a protective film 103 and a color filter 104 are sequentially formed on the upper surface of the transflective electrode 102 as described later. Here, in the color filter 104, for example, three colors of R (red), G (green), and B (blue) are arranged in a predetermined pattern. A flattening film 106 made of an organic film or the like is formed on the upper surface of the color filter 104 in order to eliminate a step. And
An alignment film 112 is further formed on the surface of the flattening film 106, and rubbing is performed in a predetermined direction.
【0058】さて、上側の基板201の外面上にあって
は、基板201の側から見て、位相差板213、偏光板
214が順に配置している。一方、液晶パネルの下側、
すなわち、下側基板101の外側には、基板101の側
から見て、位相差板113、偏光板114が順に配置し
ている。さらに、偏光板114の下方には、白色光を発
する蛍光管301と、この蛍光管301に沿った入射端
面を有する導光板302とを備えるバックライトが配置
している。このうち、導光板302は、裏面全体に光散
乱用の粗面が形成され、あるいは、散乱用の印刷層が形
成されたアクリル樹脂板などの透明体であり、光源たる
蛍光管301の白色光を、その入射端面に受けて、その
表面(図において上面)からほぼ均一の光を放出するよ
うになっている。なお、バックライトとしては、LED
(発光ダイオード)やEL(エレクトロルミネッセン
ス)などを用いることができる。On the outer surface of the upper substrate 201, a retardation plate 213 and a polarizing plate 214 are arranged in this order when viewed from the substrate 201 side. On the other hand, under the LCD panel,
That is, the retardation plate 113 and the polarizing plate 114 are sequentially arranged outside the lower substrate 101 when viewed from the substrate 101 side. Further, a backlight including a fluorescent tube 301 that emits white light and a light guide plate 302 having an incident end face along the fluorescent tube 301 is disposed below the polarizing plate 114. Among them, the light guide plate 302 is a transparent body such as an acrylic resin plate having a rough surface for light scattering formed on the entire back surface or a printed layer for scattering, and the white light of the fluorescent tube 301 as a light source. Is received on the incident end face, and substantially uniform light is emitted from the surface (the upper face in the figure). In addition, as the backlight, LED
(Light emitting diode), EL (electroluminescence), or the like can be used.
【0059】次に、このような構成に係る液晶装置の表
示について、まず、反射型表示について説明する。反射
型表示において、外光は、偏光板214、位相差板21
3を順に透過し、液晶層50、カラーフィルタ104を
通過した後、半透過反射電極102によって反射され
て、今来た経路を逆に辿り、再び偏光板214から出射
する。このとき、液晶層50への印加電圧に応じて、偏
光板214の通過(明状態)及び吸収(暗状態)並びに
それら中間の明るさを制御する。Next, with respect to the display of the liquid crystal device having such a configuration, first, the reflection type display will be described. In the reflective display, external light is transmitted through the polarizing plate 214 and the retardation plate 21.
3 sequentially pass through the liquid crystal layer 50 and the color filter 104, are reflected by the transflective electrode 102, follow the current path in reverse, and exit from the polarizing plate 214 again. At this time, passing (bright state) and absorption (dark state) of the polarizing plate 214 and brightness between them are controlled in accordance with the voltage applied to the liquid crystal layer 50.
【0060】次に、この液晶装置における透過型表示に
ついて説明する。透過型表示において、バックライトか
らの光は、偏光板114、位相差板113を順に透過す
ることによって所定の偏光状態となり、半透過反射電極
102を透過して、カラーフィルタ104、液晶層50
に導入された後、位相差板213を経て、偏光板214
から出射する。このとき、液晶層50への印加電圧に応
じて、偏光板214の通過(明状態)及び吸収(暗状
態)並びにそれら中間の明るさを制御する。Next, the transmission type display in this liquid crystal device will be described. In the transmissive display, the light from the backlight enters a predetermined polarization state by sequentially transmitting through a polarizing plate 114 and a phase difference plate 113, passes through a semi-transmissive reflective electrode 102, and passes through a color filter 104 and a liquid crystal layer 50.
After passing through the phase difference plate 213, the polarizing plate 214
Emitted from At this time, passing (bright state) and absorption (dark state) of the polarizing plate 214 and brightness between them are controlled in accordance with the voltage applied to the liquid crystal layer 50.
【0061】このような液晶装置によれば、反射型表示
および透過型表示のいずれにおいても、光がカラーフィ
ルタ104を透過するので、色再現性の向上を図られ
る。さらに、半透過反射電極102は、下側の基板10
1における内面、すなわち、液晶層側に形成されている
ので、液晶層50との距離が小さい。このため、反射型
表示において、視差に起因する二重像や表示のにじみな
どの発生が防止されることとなる。According to such a liquid crystal device, the light is transmitted through the color filter 104 in both the reflection type display and the transmission type display, so that the color reproducibility can be improved. Further, the transflective electrode 102 is connected to the lower substrate 10.
1, that is, on the liquid crystal layer side, the distance from the liquid crystal layer 50 is small. For this reason, in a reflective display, occurrence of a double image, display blur, or the like due to parallax is prevented.
【0062】また、この液晶装置にあっては、バックラ
イトからの光が半透過反射電極を透過するので、暗所で
あっても、透過型表示を併用した明るい表示が可能とな
る一方、明所であれば、反射型表示による明るい表示が
可能になるとともに、バックライトの消灯により、低消
費電力化も図られることになる。In this liquid crystal device, since light from the backlight passes through the transflective electrode, a bright display using a transmissive display can be performed even in a dark place. In some places, bright display by reflective display is possible, and power consumption is reduced by turning off the backlight.
【0063】なお、バックライトではなく、上側の基板
201のさらに上面側に、フロントライトを設けるとと
もに、下型の基板101の下側に、外光を取り入れる機
構を設けても良い。この構成では、明所では、おもに透
過型表示が行われる一方、暗所では、おもに反射型表示
が行われることとなる。A front light may be provided on the upper surface of the upper substrate 201 instead of the backlight, and a mechanism for taking in external light may be provided below the lower substrate 101. In this configuration, in a bright place, a transmissive display is mainly performed, while in a dark place, a reflective display is mainly performed.
【0064】(下側基板の態様や製造プロセスなど)こ
こで、半透過反射電極102、保護膜103およびカラ
ーフィルタ104が順に形成される基板101の態様や
製造プロセスなどについて説明する。図2は、基板10
1の構成例を示す断面図であって、カラーフィルタ10
4までが形成された状態を示す図である。この状態まで
の製造プロセスについて以下簡単に説明する。(Mode of Lower Substrate, Manufacturing Process, etc.) Here, the mode and manufacturing process of the substrate 101 on which the transflective electrode 102, the protective film 103, and the color filter 104 are sequentially formed will be described. FIG.
1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a color filter 10
FIG. 4 is a diagram showing a state where up to 4 are formed. The manufacturing process up to this state will be briefly described below.
【0065】まず、第1に、透明なガラス等からなる基
板101上に、アルミニウムからなる半透過反射電極1
02を形成する。第2に、半透過反射電極102を陽極
酸化して、その表面に酸化膜を形成し、これを保護膜1
03とする。ここで、陽極酸化用化成液は、例えば、サ
リチル酸アンモニウム1〜10重量%と、エチレングリ
コール20〜80%重量%とを含有する溶液を用いる。
この際、化成電圧は5〜250Vの範囲内で、また、電
流密度は0.001〜1mA/cm2の範囲内で、それ
ぞれ所望の膜厚に応じて設定すれば良い。陽極酸化用化
成液は上述した組成以外の物を用いることも可能であ
る。化成電圧や、電流密度の条件は化成液に合わせて適
宜設定される。そして、第3に、R(赤)、G(緑)、
B(青)のカラーフィルタ104を着色感材法により形
成する。ここで、カラーフィルタ104の配列は、用途
に応じて、例えば、ストライプ状や、モザイク状、トラ
イアングル状等の配列を選択して用いる。First, a transflective electrode 1 made of aluminum is placed on a substrate 101 made of transparent glass or the like.
02 is formed. Second, the semi-transmissive reflective electrode 102 is anodized to form an oxide film on its surface,
03. Here, as the anodizing chemical solution, for example, a solution containing 1 to 10% by weight of ammonium salicylate and 20 to 80% by weight of ethylene glycol is used.
At this time, the formation voltage may be set within the range of 5 to 250 V, and the current density may be set within the range of 0.001 mA / cm 2 , depending on the desired film thickness. As the anodizing chemical solution, a substance other than the above-mentioned composition can be used. The conditions of the formation voltage and the current density are appropriately set according to the formation solution. And third, R (red), G (green),
A color filter 104 of B (blue) is formed by a coloring material method. Here, as the arrangement of the color filters 104, for example, an arrangement in a stripe shape, a mosaic shape, a triangle shape, or the like is selected and used depending on the application.
【0066】ここで、基板101は、ガラスに限られ
ず、例えば、プラスティックなど可撓性を有する基板を
用いることもできる。また、保護膜103は、陽極酸化
膜に限定されるものでなく、例えば、化学気相成長法に
より成膜したSiO2や、Si3N4、さらには、スピン
コートやロールコートにより形成した有機絶縁膜などを
用いることが可能である。特に、半透過反射電極102
が画素電極となる場合には、陽極酸化が困難であるの
で、保護膜103として、SiO2や、Si3N4、有機
絶縁膜を用いることは有効である。Here, the substrate 101 is not limited to glass, and for example, a flexible substrate such as plastic can be used. Further, the protective film 103 is not limited to the anodic oxide film, and may be, for example, SiO 2 or Si 3 N 4 formed by a chemical vapor deposition method, or an organic film formed by spin coating or roll coating. An insulating film or the like can be used. In particular, the transflective electrode 102
In the case where is used as a pixel electrode, since anodic oxidation is difficult, it is effective to use SiO 2 , Si 3 N 4 , or an organic insulating film as the protective film 103.
【0067】また、カラーフィルタ104の形成方法
は、着色感材法に限られるものではなく、例えば、染色
法や、転写法、印刷法などによっても形成可能である。
くわえて、陽極酸化により形成された保護膜103の膜
厚を、半透過反射電極102を保護することが可能な範
囲内において十分薄くすることで、電着法によってカラ
ーフィルタ104を形成することも可能である。The method of forming the color filter 104 is not limited to the color sensitive material method, but can be formed by, for example, a dyeing method, a transfer method, a printing method, or the like.
In addition, the color filter 104 may be formed by an electrodeposition method by making the thickness of the protective film 103 formed by anodic oxidation sufficiently thin within a range capable of protecting the transflective electrode 102. It is possible.
【0068】なお、半透過反射電極102としては、ア
ルミニウムに限られず、銀を主成分とする金属を用いて
も良い。ただし、保護膜103としては、化学気相成長
法により成膜したSiO2や、Si3N4、有機絶縁膜を
用いることになる。 さらに、上記基板101におい
て、保護膜103は1層ではなく、次のように多層膜と
して構成しても良い。図3は、この構成にかかる基板断
面図であって、カラーフィルタ104までが形成された
状態を示す図である。この状態までの製造プロセスにつ
いて簡単に説明する。The transflective electrode 102 is not limited to aluminum, but may be a metal containing silver as a main component. However, as the protective film 103, SiO 2 , Si 3 N 4 , or an organic insulating film formed by a chemical vapor deposition method is used. Further, in the substrate 101, the protective film 103 may be configured as a multilayer film as follows, instead of a single layer. FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate according to this configuration, showing a state in which up to the color filter 104 is formed. The manufacturing process up to this state will be briefly described.
【0069】この構成例では、第1に、ガラス等からな
る基板101上に、アルミニウムからなる半透過反射電
極102を形成する。第2に、同様にして半透過反射電
極102を陽極酸化して、その表面に陽極酸化膜103
aを形成する。なお、陽極酸化の条件についても先ほど
述べた条件と同様である。第3に、化学気相成長法を用
いて、SiO2膜103bを形成する。したがって、こ
の構成では、陽極酸化膜103aとSiO2膜103b
とを合わせたものが保護膜103となる。そして、第4
に、カラーフィルタ104を着色感材法により形成す
る。In this configuration example, first, a transflective electrode 102 made of aluminum is formed on a substrate 101 made of glass or the like. Second, the semi-transmissive reflective electrode 102 is similarly anodized to form an anodized film 103 on the surface thereof.
a is formed. The conditions for anodic oxidation are the same as those described above. Third, the SiO 2 film 103b is formed by using a chemical vapor deposition method. Therefore, in this configuration, the anodic oxide film 103a and the SiO 2 film 103b
The combination of the above becomes the protective film 103. And the fourth
Next, a color filter 104 is formed by a coloring material method.
【0070】なお、この構成例では、陽極酸化膜103
aとSiO2膜103bとを合わせたものを保護膜10
3としたが、陽極酸化膜103aの替わりにSiO2膜
を、SiO2膜103bの替わりにSi3N4 を、それぞ
れ組み合わせたものを用いることも可能であり、また、
有機絶縁膜を用いることも可能である。また、3層以上
の組み合わせとすることもできるが、製造プロセスが複
雑化する点や、反射率が低下する点などを考慮すると、
2〜3層を組み合わせる程度にとどめることが好ましい
と考えられる。In this configuration example, the anodic oxide film 103
a and the SiO 2 film 103b are combined into a protective film 10
3, but it is also possible to use a combination of an SiO 2 film instead of the anodic oxide film 103a and Si 3 N 4 instead of the SiO 2 film 103b.
It is also possible to use an organic insulating film. In addition, a combination of three or more layers can be used. However, in view of the fact that the manufacturing process is complicated and the reflectivity is reduced,
It is believed that it is preferable to keep the combination of two or three layers.
【0071】くわえて、保護膜103を多層膜から構成
する場合にあっても、半透過反射電極102について、
銀を主成分とする金属を用いても良い。ただし、陽極酸
化が困難となるので、SiO2や、Si3N4、有機絶縁
膜などを組み合わせたものが用いられることとなる。In addition, even when the protective film 103 is formed of a multilayer film, the transflective electrode
A metal containing silver as a main component may be used. However, since anodic oxidation becomes difficult, a combination of SiO 2 , Si 3 N 4 , an organic insulating film, and the like is used.
【0072】また、上記基板101において、カラーフ
ィルタ104が形成されない部分に遮光層を形成しても
良い。図4は、この構成にかかる基板断面図であって、
カラーフィルタ104および遮光層105までが形成さ
れた状態を示す図である。ここで、遮光層105は、液
晶装置において非表示部からの光漏れをなくして、コン
トラストの低下を防ぐために設けられるものである。さ
らに、画素電極にスイッチング素子が接続されたアクテ
ィブマトリクス方式の液晶装置において、遮光層105
は、光リーク電流によるスイッチング素子の劣化を防止
する役割を併せ持つものである。そして、遮光層105
は、クロムなどの遮光性が高い金属や、黒色顔料を分散
させたカラーレジストなどを用いてカラーフィルタ10
4とは別に形成したり、あるいは、R(赤)、G
(緑)、B(青)のカラーフィルタ104を重ね合わせ
ることによって、カラーフィルタ104自体により形成
することが可能である。Further, a light-shielding layer may be formed on a portion of the substrate 101 where the color filter 104 is not formed. FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate according to this configuration,
FIG. 4 is a diagram illustrating a state where a color filter 104 and a light shielding layer 105 are formed. Here, the light-blocking layer 105 is provided to prevent light leakage from a non-display portion in the liquid crystal device and to prevent a decrease in contrast. Further, in an active matrix type liquid crystal device in which a switching element is connected to a pixel electrode, a light shielding layer 105 is provided.
Has also a role of preventing deterioration of the switching element due to light leakage current. Then, the light shielding layer 105
Is a color filter 10 made of a highly light-shielding metal such as chrome or a color resist in which a black pigment is dispersed.
4 or R (red), G
By overlapping the (green) and B (blue) color filters 104, they can be formed by the color filters 104 themselves.
【0073】さらに、遮光層105を設ける構成例にあ
っては、図5に示されるように、保護膜103を、陽極
酸化膜や、SiO2膜、Si3N4膜、有機絶縁膜を適宜
重ね合わせた膜103a、103bにより構成しても良
い。この点については、すでに述べた通りである。Further, in the configuration example in which the light-shielding layer 105 is provided, as shown in FIG. 5, the protective film 103 is formed by appropriately forming an anodic oxide film, a SiO 2 film, a Si 3 N 4 film, and an organic insulating film. It may be constituted by the films 103a and 103b which are overlapped. This is as described above.
【0074】そして、図2〜図5において、カラーフィ
ルタ104や遮光層105が形成された基板101に、
平坦化膜106および配向膜112が形成されて、液晶
装置に適用されることとなる。In FIG. 2 to FIG. 5, the substrate 101 on which the color filter 104 and the light shielding layer 105 are formed
After the planarizing film 106 and the alignment film 112 are formed, the structure is applied to a liquid crystal device.
【0075】なお、図1において、遮光層105は省略
されているが、高コントラスト化やスイッチング素子の
劣化を防止する面において有効なので、設けた方が望ま
しいのはもちろんである。また、図1において、保護膜
103は一層であるが、上述したように、陽極酸化膜
や、SiO2膜、Si3N4膜、有機絶縁膜を適宜重ね合
わせた多層膜を用いても良い点についても同様である。Although the light-shielding layer 105 is omitted in FIG. 1, it is of course preferable to provide the light-shielding layer 105 because it is effective in terms of increasing contrast and preventing deterioration of the switching element. Although the protective film 103 is a single layer in FIG. 1, as described above, a multi-layer film in which an anodic oxide film, an SiO 2 film, a Si 3 N 4 film, and an organic insulating film are appropriately stacked may be used. The same applies to points.
【0076】くわえて、以上の説明では、カラーフィル
タ104として、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色
を用いたが、これに限られず、例えば、Y(イエロ
ー)、M(マゼンダ)、C(シアン)の3色を用いても
良い。ここで、半透過反射電極102は、特に、パター
ニングしていないものとして説明したが、後述するよう
に、所定の形状にパターニングされる場合もあれば、パ
ターニングされない場合もあるので留意すべきである。In addition, in the above description, three colors of R (red), G (green), and B (blue) are used as the color filters 104. However, the present invention is not limited to this. For example, Y (yellow), Three colors of M (magenta) and C (cyan) may be used. Here, the transflective electrode 102 has been particularly described as being unpatterned. However, it should be noted that, as described later, the transflective electrode 102 may be patterned into a predetermined shape or may not be patterned. .
【0077】このような基板101においては、カラー
フィルタ104や遮光層105は、半透過反射電極10
2に対して保護膜103により隔てられるので、これら
カラーフィルタ104や遮光層105の形成行程におい
て、半透過反射電極102として用いられるアルミニウ
ムの破壊・劣化を簡易なプロセスで未然に防止すること
が可能となる。In such a substrate 101, the color filter 104 and the light shielding layer 105 are
2 is separated by the protective film 103, so that in the process of forming the color filter 104 and the light shielding layer 105, destruction and deterioration of aluminum used as the transflective electrode 102 can be prevented by a simple process. Becomes
【0078】(反射電極にスリットを設ける場合)次
に、上述した半透過反射電極102について、アルミニ
ウムの膜厚を比較的薄く形成するのではなくて、スリッ
トを設けることによって半透過反射膜とする場合の構成
について説明する。図6は、この液晶装置の部分構造を
示す平面図である。ここで、図示の構成例は、パッシブ
マトリクス方式の液晶装置である場合のものであり、上
側の基板内面において、透明電極207が、ストライプ
状であって、図において横方向に延在して複数本形成さ
れる一方、下側の基板内面において、半透過反射電極1
02が、ストライプ状であって、図において縦方向に延
在して複数本形成されている。(In the case where a slit is provided in the reflective electrode) Next, the above-mentioned semi-transmissive reflective electrode 102 is not formed with a relatively thin aluminum film, but is provided with a slit to form a semi-transmissive reflective film. The configuration in that case will be described. FIG. 6 is a plan view showing a partial structure of the liquid crystal device. Here, the illustrated configuration example is a case of a passive matrix type liquid crystal device. On the inner surface of the upper substrate, a transparent electrode 207 has a stripe shape, and a plurality of transparent electrodes 207 extend in the horizontal direction in the drawing. On the other hand, the transflective electrode 1 is formed on the inner surface of the lower substrate.
A plurality of stripes 02 are formed in a stripe shape, extending in the vertical direction in the figure.
【0079】ここで、R(赤)、G(緑)、B(青)用
に割り当てられた半透過反射電極102の1本と、透明
電極207の1本と重なる領域により1ドットが構成さ
れるとともに、相隣接するRGBの3ドットにより、ほ
ぼ正方形の1画素が構成される。また、半透過反射電極
102には、各ドット毎に長方形のスリット1102が
4本設けられて、透過型表示にあっては、このスリット
1102を光が透過する構成となっている。Here, one dot is constituted by an area overlapping one of the transflective electrodes 102 assigned to R (red), G (green), and B (blue) and one of the transparent electrodes 207. In addition, one pixel having a substantially square shape is formed by three adjacent RGB dots. Further, the transflective electrode 102 is provided with four rectangular slits 1102 for each dot, and in a transmissive display, light is transmitted through the slits 1102.
【0080】さて、半透過反射電極102には、長方形
のスリット1102が開口しているので、スリット11
02の短辺1102aによる(基板内成分がスリット1
102の長手方向に平行な)斜め電界は、スリット11
02の長辺1102bの長さに応じて弱められる。つま
り、長辺1102bによる(基板内成分がスリット11
02の長手方向に直交する)斜め電界により、スリット
付近に存在する液晶分子の動きが支配される。このた
め、短辺1102aによる斜め電界が、長辺1102b
による斜め電界と一致していないことによる液晶の配向
不良を低減でき、全体として、スリット1102による
斜め電界に起因した液晶の配向不良を低減でき、さらに
進んで長辺1102bによる斜め電界を積極的に利用す
ることも可能となる。この結果、表示欠陥が低減される
とともに、液晶駆動時におけるしきい値電圧が低下する
ので、低消費電力化を図ることも可能となる。Since the translucent reflective electrode 102 has a rectangular slit 1102, the slit 11
02 due to the short side 1102a (the component in the substrate is slit 1
The oblique electric field (parallel to the longitudinal direction of 102)
02 is weakened according to the length of the long side 1102b. That is, due to the long side 1102b (the component in the substrate is the slit 11
The motion of the liquid crystal molecules existing near the slit is controlled by the oblique electric field (perpendicular to the longitudinal direction of O.2). For this reason, the oblique electric field due to the short side 1102a is generated by the long side 1102b.
And the liquid crystal alignment failure due to the oblique electric field due to the slit 1102 can be reduced as a whole, and further, the oblique electric field due to the long side 1102b can be positively reduced. It can be used. As a result, display defects are reduced, and the threshold voltage at the time of driving the liquid crystal is reduced, so that power consumption can be reduced.
【0081】このような長方形のスリット1102は、
レジストを用いたフォト工程/エッチング工程/剥離工
程により容易に作成可能である。すなわち、半透過反射
電極102を成膜した後に、これを所定の形状にパター
ニングする際に、同時にスリット1102が形成され
る。ここで、スリット1102の幅は、0.01μm以
上20μm以下であることが好ましく、特に、4μm以
下であることが望ましい。このような幅に設定すると、
肉眼ではスリット1102の識別が困難となる上、スリ
ット1102を形成したことによる表示品質の劣化を抑
えつつ、反射型表示と透過型表示とを同時に実現する半
透過反射膜が形成されることになる。また、スリット1
102は、半透過反射電極102に対して5%以上30
%以下の面積比率で形成することが好ましい。このよう
な比率に設定すると、反射型表示における明るさの低下
を抑えることができるとともに、スリット1102を介
した液晶層50(図1参照)への導入光によって透過型
表示が実現されることとなる。Such a rectangular slit 1102 is
It can be easily formed by a photo step / etching step / peeling step using a resist. That is, when the transflective electrode 102 is formed and then patterned into a predetermined shape, the slit 1102 is formed at the same time. Here, the width of the slit 1102 is preferably 0.01 μm or more and 20 μm or less, and particularly preferably 4 μm or less. With such a width,
It is difficult for the naked eye to identify the slit 1102, and a transflective film is formed that simultaneously realizes the reflective display and the transmissive display while suppressing the deterioration of the display quality due to the formation of the slit 1102. . Also, slit 1
102 is 5% or more 30 with respect to the transflective electrode 102
% Is preferable. By setting such a ratio, it is possible to suppress a decrease in brightness in the reflective display, and to realize a transmissive display by light introduced into the liquid crystal layer 50 (see FIG. 1) through the slit 1102. Become.
【0082】また、半透過反射電極102は、所定の間
隔でストライプ状に複数形成されるとともに、スリット
1102は、半透過反射電極102の長手方向(したが
って、図6において縦方向)に沿って形成されている。
このため、スリット1102に起因した斜め電界に対処
すれば、同時に半透過反射電極102の間隙102bに
起因した斜め電界に対処できることとなる。The transflective electrodes 102 are formed in a plurality of stripes at predetermined intervals, and the slits 1102 are formed along the longitudinal direction of the transflective electrode 102 (therefore, the vertical direction in FIG. 6). Have been.
Therefore, if the oblique electric field caused by the slit 1102 is dealt with, the oblique electric field caused by the gap 102b of the transflective electrode 102 can be dealt with at the same time.
【0083】さらに、スリット1102は、透明電極2
07の間隙207bに対向する位置にまで伸長してい
る。したがって、スリット1102の短辺1102a
は、半透過反射電極102と透明電極207との間で電
圧が印加される領域から外れて位置するので、液晶配向
不良の原因となるスリット1102の短辺1102aに
起因する液晶の配向不良が顕著に低減されることとな
る。なお、この観点からすれば、スリット1102は、
複数ドット間にまたがって伸長しても良く、さらには、
表示領域外に伸長しても良い。Further, the slit 1102 is formed in the transparent electrode 2
07 to a position facing the gap 207b. Therefore, the short side 1102a of the slit 1102
Is located out of the region to which a voltage is applied between the transflective electrode 102 and the transparent electrode 207, so that the liquid crystal alignment defect caused by the short side 1102a of the slit 1102, which causes the liquid crystal alignment defect, is remarkable. It will be reduced to. From this point of view, the slit 1102 is
It may extend over multiple dots, and furthermore,
It may extend outside the display area.
【0084】なお、図6においてカラーフィルタ104
や遮光層105は図示が省略されているが、実際には、
カラーフィルタ104は、保護膜103によって隔てら
れた半透過反射電極102の上面であって、少なくとも
透明電極207との交差領域に形成される。このため、
スリット1102を透過する光がカラーフィルタ104
によって着色される構成となる。また、遮光層105
は、基板101において、カラーフィルタ104が形成
されない領域、例えば、半透過反射電極102の間隙1
02bや、透明電極207の間隙207bに対向する領
域などに形成されることとなる。Note that, in FIG.
Although illustration of the light-shielding layer 105 is omitted, in practice,
The color filter 104 is formed on the upper surface of the transflective electrode 102 separated by the protective film 103 and at least in a region where the transparent electrode 207 intersects. For this reason,
The light transmitted through the slit 1102 is reflected by the color filter 104.
Is colored. Further, the light shielding layer 105
Is a region of the substrate 101 where the color filter 104 is not formed, for example, the gap 1 between the transflective electrodes 102.
02b, a region facing the gap 207b of the transparent electrode 207, or the like.
【0085】このように、スリット1102を設けるこ
とによって、半透過反射電極102を半透過反射膜にす
ると、アルミニウムなどの金属膜について、膜厚を薄く
させないで形成することが可能となる。また、スリット
を透過(通過)して光がカラーフィルタによって着色さ
れるので、透過型表示における色再現性の向上も図られ
ることになる。As described above, when the transflective electrode 102 is formed as a transflective film by providing the slit 1102, a metal film such as aluminum can be formed without reducing the film thickness. Further, since the light is transmitted (passed) through the slit and colored by the color filter, the color reproducibility in the transmissive display can be improved.
【0086】(電極の形状とカラーフィルタの形成位置
との関係)ここで、基板101に形成される半透過反射
電極102と、基板201に形成される透明電極207
との形状について、カラーフィルタ104の形成位置と
関連させて説明する。(Relationship Between Electrode Shape and Color Filter Forming Position) Here, the transflective electrode 102 formed on the substrate 101 and the transparent electrode 207 formed on the substrate 201
Will be described in relation to the formation position of the color filter 104.
【0087】まず、この液層装置が、パッシブマトリク
ス方式である場合について説明する。この構成例では、
図7に示されるように、下側基板の内面上に半透過反射
電極102がストライプ状に複数本形成される一方、上
側基板の内面上に透明電極207がストライプ状に複数
本形成されて、両電極は互いに直交するように配列して
いる。そして、カラーフィルタ104は、半透過反射電
極102と透明電極207との各交差位置に対応して形
成される構成となる。このような構成において、両電極
間において電位差が発生すると、この電界強度に応じて
液晶層50(図1参照)が駆動されることとなる。First, the case where the liquid layer device is of a passive matrix type will be described. In this configuration example,
As shown in FIG. 7, a plurality of transflective electrodes 102 are formed in stripes on the inner surface of the lower substrate, and a plurality of transparent electrodes 207 are formed in stripes on the inner surface of the upper substrate. Both electrodes are arranged so as to be orthogonal to each other. The color filter 104 is formed so as to correspond to each intersection of the transflective electrode 102 and the transparent electrode 207. In such a configuration, when a potential difference occurs between the two electrodes, the liquid crystal layer 50 (see FIG. 1) is driven according to the electric field strength.
【0088】次に、この液晶装置がアクティブマトリク
ス方式であれば、スイッチング素子として、TFD素子
で代表される二端子型スイッチング素子や、TFT素子
で代表される三端子型スイッチング素子などを用いるこ
とができる。ここで、スイッチング素子は、上側の基板
101(図1参照)側に設けても良いし、下側の基板2
01(図1参照)側に設けても良い。したがって、スイ
ッチング素子と、このスイッチング素子を形成する基板
との組み合わせが計4通り存在することになるので、以
下、各組み合わせについてそれぞれ説明することとす
る。Next, if the liquid crystal device is an active matrix type, a two-terminal switching element represented by a TFD element, a three-terminal switching element represented by a TFT element, or the like may be used as a switching element. it can. Here, the switching element may be provided on the upper substrate 101 (see FIG. 1), or may be provided on the lower substrate 2.
01 (see FIG. 1). Therefore, there are a total of four combinations of the switching element and the substrate on which the switching element is formed, and each combination will be described below.
【0089】まず、第1の組み合わせとして、スイッチ
ング素子としてTFD素子を用いる場合であって、この
TFD素子を下側基板101に形成する場合について説
明する。この場合の構成例を図8に示す。この構成例に
おいて、下側基板101の内面上の半透過反射電極10
2は、矩形状の画素電極として形成されて、マトリクス
状に配置される。ここで、同一列に属する半透過反射電
極102は、基板101に形成されるTFD素子420
をそれぞれ介して、同じく基板101に形成される1本
のデータ線422に共通接続される。したがって、デー
タ線422は、半透過反射電極102のマトリクス配列
における列数だけ形成されることになる。一方、上側基
板201の内面において透明電極207は、行方向に延
在するストライプ状の走査線として、複数本形成される
とともに、1本の透明電極207は、画素電極たる半透
過反射電極102の1行分と交差するように配置され
る。そして、カラーフィルタ104は、画素電極たる半
透過反射電極102と透明電極207との各交差位置に
対応して、半透過反射電極102の上面に保護膜103
を介して形成される構成となる。First, as a first combination, a case where a TFD element is used as a switching element, and a case where this TFD element is formed on the lower substrate 101 will be described. FIG. 8 shows a configuration example in this case. In this configuration example, the transflective electrode 10 on the inner surface of the lower substrate 101
2 are formed as rectangular pixel electrodes and arranged in a matrix. Here, the transflective electrode 102 belonging to the same column is a TFD element 420 formed on the substrate 101.
, Are commonly connected to one data line 422 also formed on the substrate 101. Therefore, the data lines 422 are formed by the number of columns in the matrix arrangement of the transflective electrodes 102. On the other hand, on the inner surface of the upper substrate 201, a plurality of transparent electrodes 207 are formed as stripe-shaped scanning lines extending in the row direction, and one transparent electrode 207 is formed of the transflective electrode 102 which is a pixel electrode. They are arranged so as to intersect one row. The color filter 104 has a protective film 103 on the upper surface of the transflective electrode 102 corresponding to each intersecting position between the transflective electrode 102 serving as a pixel electrode and the transparent electrode 207.
Is formed through the above.
【0090】次に、第2の組み合わせとして、スイッチ
ング素子としてTFD素子を用いる場合であって、この
TFD素子を上側基板201に形成する場合について説
明する。この場合の構成例は、図8における半透過反射
電極102と透明電極207との関係を入れ替えた関係
になる。すなわち、図8における括弧書で示されるよう
に、上側基板201の内面上において透明電極207
は、矩形状の画素電極として形成されて、マトリクス状
に配列するとともに、同一列に属する透明電極207
は、基板201に形成されるTFD素子420をそれぞ
れ介して、同じく基板201に形成される1本のデータ
線422に共通接続される。一方、下側基板201の内
面において半透過反射電極102は、行方向に延在する
ストライプ状の走査線として、複数本形成されるととも
に、1本の半透過反射電極102は、画素電極たる透明
電極207の1行分と交差するように配置される。そし
て、カラーフィルタ104は、画素電極たる透明電極2
07と半透過反射電極102との各交差位置に対応し
て、半透過反射電極102の上面に保護膜103を介し
て形成される構成となる。Next, as a second combination, a case where a TFD element is used as a switching element, and a case where this TFD element is formed on the upper substrate 201 will be described. In this configuration example, the relationship between the transflective electrode 102 and the transparent electrode 207 in FIG. 8 is replaced. That is, as shown in parentheses in FIG. 8, the transparent electrode 207 is formed on the inner surface of the upper substrate 201.
Are formed as rectangular pixel electrodes, are arranged in a matrix, and belong to the same column.
Are commonly connected to one data line 422 also formed on the substrate 201 via each TFD element 420 formed on the substrate 201. On the other hand, on the inner surface of the lower substrate 201, a plurality of semi-transmissive reflective electrodes 102 are formed as stripe-shaped scanning lines extending in the row direction, and one semi-transmissive reflective electrode 102 is formed as a transparent pixel electrode. The electrodes 207 are arranged so as to intersect one row of the electrodes 207. The color filter 104 includes the transparent electrode 2 serving as a pixel electrode.
A configuration is formed on the upper surface of the transflective electrode 102 via the protective film 103, corresponding to each intersection position between the transflective electrode 07 and the transflective electrode 102.
【0091】続いて、第3の組み合わせとして、スイッ
チング素子としてTFT素子を用いる場合であって、こ
のTFT素子を下側基板101に形成する場合について
説明する。この場合の構成例を図9に示す。この構成例
において、下側基板101の内面上の半透過反射電極1
02は、矩形状の画素電極として形成されて、マトリク
ス状に配置される。また、基板101において列方向に
はデータ線442が、行方向には走査線444がそれぞ
れ形成される。さらに、データ線442と走査線444
との交差に対応して、TFT素子440が設けられる。
詳細には、TFT素子440のソースはデータ線442
に、ドレインは画素電極たる半透過反射電極102に、
ゲートは走査線444に、それぞれ接続される。一方、
上側基板201において透明電極207は、画素電極た
る半透過反射電極102のすべてに対向するように一面
に形成される。そして、カラーフィルタ104は、画素
電極たる半透過反射電極102の形成位置に対応して、
当該半透過反射電極102の上面に保護膜103を介し
て形成される構成となる。Next, as a third combination, a case where a TFT element is used as a switching element, and a case where this TFT element is formed on the lower substrate 101 will be described. FIG. 9 shows a configuration example in this case. In this configuration example, the transflective electrode 1 on the inner surface of the lower substrate 101
02 is formed as a rectangular pixel electrode and arranged in a matrix. On the substrate 101, data lines 442 are formed in the column direction, and scanning lines 444 are formed in the row direction. Further, the data line 442 and the scanning line 444
A TFT element 440 is provided corresponding to the intersection with.
Specifically, the source of the TFT element 440 is the data line 442
The drain is connected to the transflective electrode 102 which is a pixel electrode,
The gates are connected to the scanning lines 444, respectively. on the other hand,
The transparent electrode 207 is formed on one surface of the upper substrate 201 so as to face all of the transflective electrode 102 serving as a pixel electrode. The color filter 104 corresponds to the position where the transflective electrode 102 serving as the pixel electrode is formed.
The structure is formed on the upper surface of the transflective electrode 102 via the protective film 103.
【0092】最後に、第4の組み合わせとして、スイッ
チング素子としてTFT素子を用いる場合であって、こ
のTFT素子を上側基板201に形成する場合について
説明する。この場合の構成例は、図9における半透過反
射電極102と透明電極207との関係を入れ替えた関
係となる。すなわち、図9における括弧書で示されるよ
うに、上側基板201の内面上において透明電極207
は、矩形状の画素電極として形成されてマトリクス状に
配置される一方、基板201において列方向にはデータ
線442が、行方向には走査線444がそれぞれ形成さ
れる。さらに、データ線442と走査線444との交差
に対応して、TFT素子440が設けられる。一方、下
側基板101の内面において半透過反射電極102は、
画素電極たる透明電極207のすべてに対向するように
一面に形成される。そして、カラーフィルタ104は、
画素電極たる透明電極207の形成位置に対応して、半
透過反射電極102の上面に保護膜103を介して形成
される構成となる。Finally, as a fourth combination, a case where a TFT element is used as a switching element, and a case where this TFT element is formed on the upper substrate 201 will be described. In this configuration example, the relationship between the transflective electrode 102 and the transparent electrode 207 in FIG. 9 is replaced. That is, as shown in parentheses in FIG. 9, the transparent electrode 207 is formed on the inner surface of the upper substrate 201.
Are formed as rectangular pixel electrodes and arranged in a matrix. On the substrate 201, data lines 442 are formed in the column direction, and scanning lines 444 are formed in the row direction. Further, a TFT element 440 is provided corresponding to the intersection of the data line 442 and the scanning line 444. On the other hand, on the inner surface of the lower substrate 101, the transflective electrode 102
It is formed on one surface so as to face all of the transparent electrodes 207 as pixel electrodes. Then, the color filter 104
The configuration is such that the transparent electrode 207 is formed on the upper surface of the transflective electrode 102 via the protective film 103 in correspondence with the position where the transparent electrode 207 as the pixel electrode is formed.
【0093】なお、図8および図9は、説明の便宜のた
め簡略化してあるが、実際には次にように構成されてい
る。Although FIGS. 8 and 9 are simplified for convenience of description, they are actually configured as follows.
【0094】(TFD素子)まず、TFD素子420の
詳細について、TFD素子420を下側基板に形成する
場合を例にとって説明する。図10は、TFD素子42
0周辺のレイアウトを示す平面図であり、図11は、図
10のB−B’線に沿って示す断面図である。これらの
図に示されるように、TFD素子420は、基板101
上に形成された絶縁膜430を下地として、その上面に
形成されるものであり、絶縁膜430の側から順番に第
1金属膜432、絶縁膜434、および、第2金属膜4
36から構成されて、金属−絶縁体−金属のサンドイッ
チ構造を採る。この構造によりTFD素子420は、正
負双方向のダイオードスイッチング特性を有することに
なる。また、TFD素子420を構成する第1金属膜4
32は、そのまま走査線422として形成される一方、
第2金属膜436は、半透過反射電極102に接続され
る。なお、図8および図10において、TFD素子42
0はデータ線422に接続される構成としたが、走査線
に接続される構成としても良い。(TFD Element) First, the details of the TFD element 420 will be described by taking a case where the TFD element 420 is formed on the lower substrate as an example. FIG. 10 shows the TFD element 42.
FIG. 11 is a plan view showing a layout around 0, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. As shown in these figures, the TFD element 420
The first metal film 432, the insulating film 434, and the second metal film 4 are sequentially formed from the insulating film 430 side with the insulating film 430 formed thereon as a base.
36, and adopts a metal-insulator-metal sandwich structure. With this structure, the TFD element 420 has positive and negative bidirectional diode switching characteristics. In addition, the first metal film 4 constituting the TFD element 420
32 is formed as a scanning line 422 as it is,
The second metal film 436 is connected to the transflective electrode 102. 8 and 10, the TFD element 42
Although 0 is connected to the data line 422, it may be connected to the scanning line.
【0095】一方、基板101は、上述したように、絶
縁性および透明性を有するものであり、例えば、ガラ
ス、プラスチックなどから構成される。ここで、絶縁膜
430が設けられる理由は、第2金属膜436の堆積後
における熱処理により、第1金属膜432が下地から剥
離しないようにするため、および、第1金属膜432に
不純物が拡散しないようにするためである。したがっ
て、これらが問題とならない場合には、絶縁膜430は
省略可能である。On the other hand, as described above, the substrate 101 has insulating properties and transparency, and is made of, for example, glass or plastic. Here, the reason why the insulating film 430 is provided is to prevent the first metal film 432 from peeling off from the base by heat treatment after the deposition of the second metal film 436, and to diffuse impurities into the first metal film 432. This is to prevent it. Therefore, when these do not cause a problem, the insulating film 430 can be omitted.
【0096】さて、第1金属膜432は導電性の金属薄
膜であり、例えば、タンタル単体あるいはタンタル合金
からなる。絶縁膜434は、例えば、第1金属膜432
の表面を、電解液中で陽極酸化することによって形成さ
れる。第2金属膜434は、導電性の金属薄膜であり、
例えば、クロム単体あるいはクロム合金からなる。The first metal film 432 is a conductive metal thin film and is made of, for example, tantalum alone or a tantalum alloy. The insulating film 434 is, for example, a first metal film 432
Is formed by anodic oxidation of the surface in an electrolytic solution. The second metal film 434 is a conductive metal thin film,
For example, it is composed of chromium alone or a chromium alloy.
【0097】なお、実際に液晶装置を構成する場合に
は、半透過反射電極102の表面に、SiO2や、Si3
N4、有機絶縁膜などからなる保護膜103が形成さ
れ、さらに、半透過反射電極102を覆うようにカラー
フィルタ104などが形成されることとなる。When a liquid crystal device is actually constructed, the surface of the transflective electrode 102 is coated with SiO 2 or Si 3
A protective film 103 made of N 4 , an organic insulating film or the like is formed, and a color filter 104 and the like are formed so as to cover the transflective electrode 102.
【0098】このように半透過反射電極102にTFD
素子420が接続された構成において、走査線たる透明
電極207(図8参照)に走査信号が供給され、データ
線422にデータ信号が供給されると、当該TFD素子
420に接続された半透過反射電極102とこれに対向
するデータ線422とよって挟持される液晶層50に所
定の電荷が蓄積される。電荷蓄積後、非選択電圧を印加
して、当該TFD素子420を非導通状態としても、当
該TFD素子のオフリークが少なく、かつ、液晶層50
の抵抗が十分に高ければ、電荷の蓄積が維持される。こ
のように各TFD素子420を駆動して、液晶層50に
蓄積させる電荷の量を制御すると、画素毎に液晶の配向
状態が変化するので、所定の情報を表示させることが可
能となる。As described above, the TFD is applied to the transflective electrode 102.
In the configuration in which the element 420 is connected, when a scanning signal is supplied to the transparent electrode 207 (see FIG. 8) serving as a scanning line and a data signal is supplied to the data line 422, the transflective reflection connected to the TFD element 420 is performed. Predetermined charges are accumulated in the liquid crystal layer 50 sandwiched between the electrode 102 and the data line 422 opposed thereto. Even after the charge is accumulated, a non-selection voltage is applied to make the TFD element 420 non-conductive.
Is sufficiently high, charge accumulation is maintained. When the amount of charge stored in the liquid crystal layer 50 is controlled by driving each TFD element 420 in this manner, the alignment state of the liquid crystal changes for each pixel, so that predetermined information can be displayed.
【0099】なお、TFD素子420は、二端子型非線
形素子としての一例であり、他にMSI(Metal Semi-I
nsulator)などのようなダイオード素子構造を用いた素
子や、これらの素子を逆向きに直列接続もしくは並列接
続したものなどについても適用可能である。The TFD element 420 is an example of a two-terminal non-linear element.
The present invention is also applicable to devices using a diode device structure, such as an nsulator, or a device in which these devices are connected in series or parallel in the opposite direction.
【0100】以上については、TFD素子420を下側
基板に形成する場合であるが、TFD素子420を上側
基板に形成する場合には、すでに説明したように半透過
反射電極102の替わりに透明電極207が画素電極と
して形成されることとなる(図10および図11におけ
る括弧書参照)。The above is the case where the TFD element 420 is formed on the lower substrate. However, when the TFD element 420 is formed on the upper substrate, the transparent electrode is used instead of the transflective electrode 102 as described above. 207 is formed as a pixel electrode (see parentheses in FIGS. 10 and 11).
【0101】(TFT素子)次に、TFT素子440の
詳細について、TFT素子440を下側基板に形成する
場合を例にとって説明する。図12は、TFT素子44
0周辺のレイアウトを示す平面図であり、図13は、図
12のC−C’線に沿って示す断面図である。(TFT Element) Next, the details of the TFT element 440 will be described by taking as an example the case where the TFT element 440 is formed on the lower substrate. FIG.
FIG. 13 is a plan view showing a layout around 0, and FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line CC ′ of FIG.
【0102】これらの図において、基板101の直上に
位置するポリシリコン層452は、TFT素子440の
能動層(ソース・ドレイン・チャネル領域)を構成する
ものであり、その表面には、ゲート絶縁膜453が、熱
酸化処理により形成されている。さらに、ゲート絶縁膜
453の表面には、ポリシリコン等からなる走査線44
4が形成され、この後、第1の層間絶縁膜454が形成
される。ここで、コンタクトホール455は、TFT素
子440のソース領域に形成され、これにより、第1の
層間絶縁膜454およびゲート絶縁膜453が開口し、
ここに、アルミニウム等からなるデータ線442が形成
されて、ソース領域との接続が図られている。また、デ
ータ線442が形成された後には、さらに第2の層間絶
縁膜456が形成される。ここで、コンタクトホール4
57は、TFT素子440のドレイン領域に形成され、
これにより、第1の層間絶縁膜454、第2の層間絶縁
膜456およびゲート絶縁膜453が開口し、ここに、
アルミニウム等からなる半透過反射電極102が画素電
極として形成されて、ドレイン領域との接続が図られて
いる。In these figures, the polysilicon layer 452 located immediately above the substrate 101 constitutes the active layer (source / drain / channel region) of the TFT element 440, and the surface thereof has a gate insulating film. 453 are formed by a thermal oxidation process. Further, the scanning lines 44 made of polysilicon or the like are formed on the surface of the gate insulating film 453.
4 is formed, and thereafter, a first interlayer insulating film 454 is formed. Here, the contact hole 455 is formed in the source region of the TFT element 440, whereby the first interlayer insulating film 454 and the gate insulating film 453 are opened,
Here, a data line 442 made of aluminum or the like is formed to achieve connection with the source region. After the data lines 442 are formed, a second interlayer insulating film 456 is further formed. Here, contact hole 4
57 is formed in the drain region of the TFT element 440,
As a result, the first interlayer insulating film 454, the second interlayer insulating film 456, and the gate insulating film 453 are opened.
The transflective electrode 102 made of aluminum or the like is formed as a pixel electrode, and is connected to the drain region.
【0103】なお、実際に液晶装置を構成する場合に
は、半透過反射電極102の表面に、SiO2や、Si3
N4、有機絶縁膜などからなる保護膜103が形成さ
れ、さらに、半透過反射電極102の領域を覆うように
カラーフィルタ104などが形成されることとなる。ま
た、液晶層に蓄積された電荷のリークを防止するため
に、蓄積容量が、画素電極たる半透過反射電極102毎
に設けられて、液晶層に対し並列に付加されるが、これ
らの図においては省略している。When an actual liquid crystal device is constructed, SiO 2 or Si 3
A protective film 103 made of N 4 , an organic insulating film or the like is formed, and a color filter 104 and the like are formed so as to cover the region of the transflective electrode 102. In addition, in order to prevent leakage of electric charges accumulated in the liquid crystal layer, a storage capacitor is provided for each transflective electrode 102 serving as a pixel electrode, and is added in parallel to the liquid crystal layer. Is omitted.
【0104】このように半透過反射電極102にTFT
素子440が接続された構成において、走査線444を
介して走査電圧を印加すると、TFT素子440が導通
状態となる。このため、データ線442に印加された画
像信号が、当該TFT素子440を介して、画素電極た
る半透過反射電極102に供給されて、当該半透過反射
電極102とこれに対向する透明電極207とよって挟
持される液晶層50に書き込まれることとなる。そし
て、走査電圧の印加を停止して、TFT素子440が非
導通状態となっても、書き込みが維持されることとな
る。したがって、このような構成によっても、画素毎に
液晶の配向状態が変化するので、所定の情報を表示させ
ることが可能となる。なお、図示のTFT素子440
は、あくまでも一例であり、種々の形態のものが適用可
能である。As described above, the transflective electrode 102 has a TFT
In a structure in which the elements 440 are connected, when a scan voltage is applied through the scan line 444, the TFT element 440 is turned on. For this reason, the image signal applied to the data line 442 is supplied to the transflective electrode 102 serving as a pixel electrode via the TFT element 440, and the transflective electrode 102 and the transparent electrode 207 facing the transflective electrode 102 Therefore, the data is written in the sandwiched liquid crystal layer 50. Then, even if the application of the scanning voltage is stopped and the TFT element 440 is turned off, the writing is maintained. Therefore, even with such a configuration, since the alignment state of the liquid crystal changes for each pixel, predetermined information can be displayed. The illustrated TFT element 440
Is merely an example, and various forms are applicable.
【0105】以上については、TFT素子440を下側
基板に形成する場合であるが、TFT素子440を上側
基板に形成する場合には、すでに説明したように半透過
反射電極102の替わりに透明電極207が画素電極と
して形成されることとなる(図12および図13におけ
る括弧書参照)。In the above description, the TFT element 440 is formed on the lower substrate. However, when the TFT element 440 is formed on the upper substrate, the transparent electrode is used instead of the transflective electrode 102 as described above. 207 is formed as a pixel electrode (see parentheses in FIGS. 12 and 13).
【0106】このように半透過反射電極102を画素電
極として形成するとともに、TFD素子420やTFT
素子440などのスイッチング素子を介して駆動する
と、オン画素とオフ画素とがスイッチング素子により電
気的に分離されるので、コントラストやレスポンスなど
が良好であり、かつ、高精細な表示が可能となる。As described above, while the transflective electrode 102 is formed as a pixel electrode, the TFD element 420 and the TFT
When driven via a switching element such as the element 440, the ON pixel and the OFF pixel are electrically separated by the switching element, so that high-definition display with good contrast and response and the like is possible.
【0107】(第2実施例)次に、本発明の第2実施例
に係る液晶装置について説明する。この液晶装置は、明
るい場所では反射型表示のみを行う一方、暗い場所では
透過型表示を併用する半透過反射型の液晶装置である。
図14は、この液晶装置の構成を示す概略断面図であ
る。(Second Embodiment) Next, a liquid crystal device according to a second embodiment of the present invention will be described. This liquid crystal device is a transflective liquid crystal device that performs only reflective display in a bright place, and also uses transmissive display in a dark place.
FIG. 14 is a schematic sectional view showing the configuration of this liquid crystal device.
【0108】この図に示される液晶装置が、図1に示さ
れる第1実施例と相違する点は、次の通りである。すな
わち、第1実施例における半透過反射電極102は、液
晶装置の電極と半透過反射膜とを兼用するものであった
が、第2実施例においては、これらの機能を分離してい
る点において相違している。このため、図14において
下側の基板101の内面上には、半透過反射膜122が
形成されている。この半透過反射膜122は、液晶装置
の電極としては機能しないので、特にパターニングする
必要はない。なお、この半透過反射膜122は、第1実
施例における半透過反射電極102と同様に、例えば、
アルミニウムなどを、15〜20nmと比較的薄い膜厚
で形成することによっても実現されるし、前述したよう
にスリットを形成することでも実現される。The difference between the liquid crystal device shown in this figure and the first embodiment shown in FIG. 1 is as follows. That is, the transflective electrode 102 in the first embodiment serves both as the electrode of the liquid crystal device and the transflective film, but the second embodiment differs in that these functions are separated. Are different. For this reason, a transflective film 122 is formed on the inner surface of the lower substrate 101 in FIG. Since the transflective film 122 does not function as an electrode of the liquid crystal device, it does not need to be patterned. The semi-transmissive reflective film 122 is, for example, similar to the transflective electrode 102 in the first embodiment, for example,
It is also realized by forming aluminum or the like with a relatively thin film thickness of 15 to 20 nm, or by forming a slit as described above.
【0109】次に、この半透過反射膜122の上面に
は、保護膜103、カラーフィルタ104が前述したよ
うに(図2〜図5で説明したように)形成され、さら
に、カラーフィルタ104の上面には、平坦化膜106
が形成されている。また、この平坦化膜106の表面に
は、ITOなどの透明電極107が所定の形状で形成さ
れている。そして、この透明電極107の表面には、さ
らに配向膜112が形成されて、所定の方向にラビング
処理が施されている。なお、他については、第1実施例
と同様であるので、その説明を省略することとする。Next, the protective film 103 and the color filter 104 are formed on the upper surface of the transflective film 122 as described above (as described with reference to FIGS. 2 to 5). On the upper surface, a planarizing film 106
Are formed. On the surface of the flattening film 106, a transparent electrode 107 such as ITO is formed in a predetermined shape. Then, an alignment film 112 is further formed on the surface of the transparent electrode 107, and rubbing is performed in a predetermined direction. The rest is the same as in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
【0110】次に、この構成に係る液晶装置の表示につ
いて、まず、反射型表示について説明する。反射型表示
において、外光は、偏光板214、位相差板213を順
に透過し、液晶層50、カラーフィルタ104を通過し
た後、半透過反射膜122によって反射して、今来た経
路を逆に辿り、再び偏光板214から出射する。このと
き、液晶層50への印加電圧に応じて、偏光板214の
通過(明状態)及び吸収(暗状態)並びにそれらの中間
の明るさを制御する。Next, the display of the liquid crystal device according to this configuration will be described first with reference to the reflection type display. In the reflective display, external light is transmitted through the polarizing plate 214 and the retardation plate 213 in order, passes through the liquid crystal layer 50 and the color filter 104, is reflected by the transflective film 122, and reverses the current path. The light exits from the polarizing plate 214 again. At this time, passing (bright state) and absorption (dark state) of the polarizing plate 214 and brightness between them are controlled according to the voltage applied to the liquid crystal layer 50.
【0111】次に、この液晶装置における透過型表示に
ついて説明する。透過型表示において、バックライトか
らの光は、偏光板114、位相差板113を順に透過す
ることによって所定の偏光状態となり、半透過反射膜1
22を透過して、カラーフィルタ104、液晶層50に
導入され、液晶層50を通過した後、位相差板213を
経て、偏光板214から出射する。このとき、液晶層5
0への印加電圧に応じて、偏光板214の通過(明状
態)及び吸収(暗状態)並びにそれら中間の明るさを制
御する。Next, the transmission type display in this liquid crystal device will be described. In the transmissive display, the light from the backlight is transmitted through the polarizing plate 114 and the retardation plate 113 in order to be in a predetermined polarization state.
After passing through the liquid crystal layer 22 and being introduced into the color filter 104 and the liquid crystal layer 50, and passing through the liquid crystal layer 50, the light passes through the phase difference plate 213 and exits from the polarizing plate 214. At this time, the liquid crystal layer 5
In accordance with the applied voltage to 0, the light passing through (bright state) and the absorption (dark state) of the polarizing plate 214 and the brightness between them are controlled.
【0112】このような液晶装置によれば、反射型表示
および透過型表示のいずれにおいても、第1実施例と同
様に、光が着色層を透過するので、色再現性の向上を図
られ、さらに、半透過反射膜122は、下側の基板10
1における内面、すなわち、液晶層側に形成されている
ので、液晶層50との距離が小さい。このため、第1実
施例と同様に、反射型表示において、視差に起因する二
重像や表示のにじみなどの発生が防止されることとな
る。また、この液晶装置にあっては、バックライトから
の光が半透過反射電極を透過するので、暗所であって
も、透過型表示を併用した明るい表示が可能となる一
方、明所であれば、反射型表示による明るい表示が可能
になるとともに、バックライトの消灯により、低消費電
力化も図られる点についても第1実施例と同様である。According to such a liquid crystal device, in both the reflection type display and the transmission type display, as in the first embodiment, light passes through the colored layer, so that the color reproducibility can be improved. Further, the transflective film 122 is provided on the lower substrate 10.
1, that is, on the liquid crystal layer side, the distance from the liquid crystal layer 50 is small. For this reason, as in the first embodiment, it is possible to prevent the occurrence of a double image or display bleeding due to parallax in the reflective display. Further, in this liquid crystal device, since light from the backlight is transmitted through the transflective electrode, even in a dark place, a bright display using a transmissive display can be performed, while in a bright place. This is the same as in the first embodiment in that a bright display can be achieved by the reflective display and power consumption can be reduced by turning off the backlight.
【0113】ここで、第1実施例にあっては、半透過反
射電極102(図1参照)との間において、カラーフィ
ルタ104が存在するので、半透過反射電極102によ
り液晶層50に印加される電界が弱められてしまう。こ
のため、第1実施例においては、駆動電圧が比較的大き
くなる、あるいは、しきい値電圧が小さい液晶が必要と
なる、という問題が考えられる。これに対して、第2実
施例にあっては、カラーフィルタ104の上に(平坦化
膜106を介して)透明電極107が形成されて、ここ
に電圧が印加されるので、上述した第1実施例における
問題が解消されることとなる。Here, in the first embodiment, since the color filter 104 exists between the transflective electrode 102 (see FIG. 1) and the transflective electrode 102, the color filter 104 is applied to the liquid crystal layer 50 by the transflective electrode 102. Electric field is weakened. For this reason, in the first embodiment, there is a problem that a driving voltage becomes relatively high or a liquid crystal having a small threshold voltage is required. On the other hand, in the second embodiment, the transparent electrode 107 is formed on the color filter 104 (via the flattening film 106), and a voltage is applied thereto. The problem in the embodiment will be solved.
【0114】また、第1実施例においては、半透過反射
電極102を、駆動方式や用いるスイッチング素子など
に応じた形状にパターニングする必要があるが、この第
2実施例において半透過反射膜122を特定の形状にパ
ターニングする必要はない。その替わりに、透明電極1
07を、駆動方式や用いるスイッチング素子などに応じ
た形状に形成する必要はある。In the first embodiment, it is necessary to pattern the transflective electrode 102 into a shape corresponding to the driving method and the switching element to be used. There is no need to pattern into a specific shape. Instead, the transparent electrode 1
It is necessary to form 07 in a shape corresponding to the driving method and the switching element to be used.
【0115】(下側基板の態様や製造プロセスなど)次
に、半透過反射膜122、保護膜103やカラーフィル
タ104などが形成される基板101の態様や製造プロ
セスなどについて説明する。図15Aは、基板101の
構成例を示す断面図であって、透明電極107までが形
成された状態を示す図である。(Form of Lower Substrate, Manufacturing Process, etc.) Next, the mode, manufacturing process, and the like of the substrate 101 on which the transflective film 122, the protective film 103, the color filter 104, and the like are formed will be described. FIG. 15A is a cross-sectional view illustrating a configuration example of the substrate 101, and is a diagram illustrating a state where the transparent electrode 107 is formed.
【0116】ここで、半透過反射膜122には、第1実
施例における半透過反射電極102と同様に、アルミニ
ウムなどが用いられる。また、保護膜103およびカラ
ーフィルタ104は、第1実施例と同様にして形成され
る。Here, for the transflective film 122, aluminum or the like is used similarly to the transflective electrode 102 in the first embodiment. The protection film 103 and the color filter 104 are formed in the same manner as in the first embodiment.
【0117】次に、平坦化膜106は、有機膜などから
なり、カラーフィルタ104が形成されたことによる段
差を解消して、液晶装置を構成した場合の配向不良をな
くし、画質劣化防止の役割を果たすものである。このよ
うなことが問題とならなければ、平坦化膜106は不要
である。また、透明電極107は、ITOなどからな
り、平坦化膜106によって平坦化された面上に、所定
の形状にパターニングされたものである。Next, the flattening film 106 is made of an organic film or the like, and eliminates a step due to the formation of the color filter 104, eliminates alignment defects in a liquid crystal device, and plays a role in preventing image quality deterioration. It fulfills. If this is not a problem, the flattening film 106 is unnecessary. Further, the transparent electrode 107 is made of ITO or the like, and is patterned into a predetermined shape on the surface flattened by the flattening film 106.
【0118】また、このような基板101にあっては、
図15Bに示されるように、カラーフィルタ104の間
隙に遮光層105が形成されたものであっても良い。こ
の構成例において平坦化膜106は、カラーフィルタ1
04と遮光層105とによる段差を解消するために設け
られることとなる。Further, in such a substrate 101,
As shown in FIG. 15B, a light shielding layer 105 may be formed in a gap between the color filters 104. In this configuration example, the flattening film 106 is a color filter 1
It is provided to eliminate a step due to the light shielding layer 105 and the light shielding layer 105.
【0119】ここで、図15Aおよび図15Bに示され
る構成にあっては、いずれも透明電極107が所定の形
状にパターニングされて、パッシブマトリクス方式や、
前述したTFD素子420などの2端子型スイッチング
素子を用いたアクティブマトリクス方式などの液晶装置
に適用されることとなる。Here, in each of the configurations shown in FIGS. 15A and 15B, the transparent electrode 107 is patterned into a predetermined
The present invention is applied to a liquid crystal device of an active matrix system using a two-terminal switching element such as the TFD element 420 described above.
【0120】なお、図15Aまたは図15Bに示される
構成において、透明電極107をパターニングしない
で、それぞれ図15Cまたは図15Dに示される構成と
しても良い。このような構成は、前述したTFT素子4
40などの3端子型スイッチング素子を上側の基板20
1に形成したアクティブマトリクス方式の液晶装置に適
用されることとなる。In the structure shown in FIG. 15A or FIG. 15B, the structure shown in FIG. 15C or FIG. 15D may be employed without patterning the transparent electrode 107. Such a configuration is similar to the TFT element 4 described above.
A three-terminal switching element such as 40
1 is applied to the active matrix type liquid crystal device.
【0121】さらに、これらの図15A〜図15Dにお
ける保護膜103を、図3や図5において述べたよう
に、陽極酸化膜や、SiO2膜、Si3N4膜、有機絶縁
膜を適宜重ね合わせた膜103a、103bにより構成
しても良い。なお、これらの構成をそれぞれ図16A〜
図16Dに示す。Further, as shown in FIGS. 3 and 5, the protective film 103 in FIGS. 15A to 15D is formed by appropriately stacking an anodic oxide film, a SiO 2 film, a Si 3 N 4 film, and an organic insulating film. It may be constituted by the combined films 103a and 103b. These configurations are shown in FIGS.
It is shown in FIG. 16D.
【0122】そして、図15および図16に示される基
板、すなわち、カラーフィルタ104や、遮光層10
5、平坦化膜106、透明電極107が形成された基板
101に、配向膜112(図14参照)が形成されて、
液晶装置に適用されることとなる。Then, the substrates shown in FIGS. 15 and 16, that is, the color filter 104 and the light shielding layer 10 are formed.
5. An alignment film 112 (see FIG. 14) is formed on the substrate 101 on which the flattening film 106 and the transparent electrode 107 are formed.
It will be applied to a liquid crystal device.
【0123】なお、図14において、遮光層105は省
略されているが、高コントラスト化やスイッチング素子
の劣化を防止する面において有効なので、設けた方が望
ましいのはもちろんである。また、図15において、保
護膜103は、一層であるが上述したように、陽極酸化
膜や、SiO2膜、Si3N4膜、有機絶縁膜を適宜重ね
合わせた多層膜としても良い点も同様である。くわえ
て、以上の説明では、カラーフィルタ104として、R
(赤)、G(緑)、B(青)の3色を用いたが、これに
限られず、例えば、Y(イエロー)、M(マゼンダ)、
C(シアン)の3色を用いても良い点についても同様で
ある。Although the light-shielding layer 105 is omitted in FIG. 14, it is needless to say that the light-shielding layer 105 is preferably provided because it is effective in increasing the contrast and preventing the deterioration of the switching element. Further, in FIG. 15, although the protective film 103 is a single layer, as described above, the protective film 103 may be a multilayer film in which an SiO 2 film, a Si 3 N 4 film, and an organic insulating film are appropriately laminated. The same is true. In addition, in the above description, as the color filter 104, R
(Red), G (Green), and B (Blue) are used, but the present invention is not limited to this. For example, Y (Yellow), M (Magenta),
The same applies to the point that three colors of C (cyan) may be used.
【0124】このように第2実施例においても、カラー
フィルタ104や遮光層105は、半透過反射膜122
とは、保護膜103により隔てられるので、これらカラ
ーフィルタ104や遮光層105の形成行程において、
半透過反射膜122として用いられるアルミニウムの破
壊・劣化を簡易なプロセスで未然に防止することが可能
となる。As described above, also in the second embodiment, the color filter 104 and the light shielding layer 105 are formed by the transflective film 122.
Are separated from each other by the protective film 103. Therefore, in the process of forming the color filter 104 and the light shielding layer 105,
It is possible to prevent the destruction and deterioration of aluminum used as the transflective film 122 by a simple process.
【0125】(半透過反射膜にスリットを設ける場合)
この第2実施例にあっては、半透過反射膜122は、液
晶装置の電極としては機能せず、単に、光を透過・反射
する機能のみを果たすものである。このため、半透過反
射膜122について、スリットを設ける場合には、第1
実施例と比較して、スリットの形状についての制約が少
ない。すなわち、液晶装置の電極機能は、カラーフィル
タ104の上に形成された透明電極107が担うので、
半透過反射膜122におけるスリットの形状をいかなる
ものに設定しても、液晶の配向不良は発生しない。ま
た、スリットを形成する位置についても、画素やドット
などに対応させる必要もない。このため、本実施例にお
いて、半透過反射膜122にスリットを形成する場合に
は、半透過反射膜122に対する面積比率を規定し、肉
眼で識別できない程度の大きさで形成すれば十分と考え
られる。なお、この面積比率や、スリットの大きさなど
については、第1実施例においてすでに述べた通りであ
る。(When a slit is provided in the transflective film)
In the second embodiment, the transflective film 122 does not function as an electrode of a liquid crystal device, but merely functions to transmit and reflect light. For this reason, when a slit is provided in the transflective film 122, the first
There are fewer restrictions on the shape of the slit as compared with the embodiment. That is, the electrode function of the liquid crystal device is performed by the transparent electrode 107 formed on the color filter 104.
Regardless of the shape of the slit in the transflective film 122, any alignment defect of the liquid crystal does not occur. Also, the position where the slit is formed does not need to correspond to a pixel or a dot. For this reason, in the present embodiment, when a slit is formed in the transflective film 122, it is considered sufficient to define the area ratio with respect to the transflective film 122 and to form the slit in a size that cannot be discerned by the naked eye. . The area ratio, the size of the slit, and the like are as described in the first embodiment.
【0126】(電極の形状とカラーフィルタの形成位置
との関係)次に、第2実施例において、下側の基板10
1に形成される透明電極107と、上側の基板201に
形成される透明電極207との形状について、カラーフ
ィルタ104の形成位置と関連付けて言及すると、パッ
シブマトリクス方式にあっても、アクティブマトリクス
方式にあっても、第1実施例における半透過反射電極1
02を、第2実施例における透明電極107に置き換え
れば済む。この置換の考え方は、アクティブマトリクス
方式の液晶装置において、スイッチング素子と、このス
イッチング素子を形成する基板との組み合わせにおいて
も、同様に適用される。(Relationship Between Electrode Shape and Color Filter Forming Position) Next, in the second embodiment, the lower substrate 10
1, the shape of the transparent electrode 107 formed on the upper substrate 201 and the shape of the transparent electrode 207 formed on the upper substrate 201 are related to the formation position of the color filter 104. Even if there is, the transflective electrode 1 in the first embodiment
02 may be replaced with the transparent electrode 107 in the second embodiment. This concept of replacement is similarly applied to a combination of a switching element and a substrate on which the switching element is formed in an active matrix type liquid crystal device.
【0127】ただし、第2実施例では、第1実施例とは
異なり、カラーフィルタ104が形成された後に、液晶
装置の電極と機能する透明電極107が形成される。す
なわち、定められた領域にカラーフィルタ104を形成
した後、この領域に対応して、透明電極107がストラ
イプ状に、あるいは矩形状の画素電極として形成され
る。このため、スイッチング素子を下側の基板101に
形成する場合、その製造プロセスを工夫しないと、カラ
ーフィルタ104を形成した後に、当該カラーフィルタ
104の耐熱性などを考慮して、スイッチング素子を形
成せねばならない場合が生じる。これに対して、スイッ
チング素子を上側の基板201に形成する場合には、こ
のような考慮は不要となるので、スイッチング素子の製
造工程における自由度を高めることができる。なお、ス
イッチング素子として、TFT素子やTFD素子など種
々の素子を適用することができる点については、第1実
施例においてすでに述べた通りである。このようにスイ
ッチング素子を用いて駆動すると、オン画素とオフ画素
とがスイッチング素子により電気的に分離されるので、
コントラストやレスポンスなどが良好であり、かつ、高
精細な表示が可能となる。 他については、第1実施例
と同様であるので、その説明を省略する。However, in the second embodiment, unlike the first embodiment, after the color filter 104 is formed, the transparent electrode 107 functioning as the electrode of the liquid crystal device is formed. That is, after the color filter 104 is formed in the determined region, the transparent electrode 107 is formed in a stripe shape or as a rectangular pixel electrode corresponding to this region. Therefore, when the switching element is formed on the lower substrate 101, if the manufacturing process is not devised, after the color filter 104 is formed, the switching element may be formed in consideration of the heat resistance of the color filter 104 and the like. There is a case that must be done. On the other hand, when the switching element is formed on the upper substrate 201, such consideration is not necessary, and thus the degree of freedom in the manufacturing process of the switching element can be increased. It should be noted that various elements such as a TFT element and a TFD element can be applied as the switching element, as described in the first embodiment. When driven using the switching element in this manner, the ON pixel and the OFF pixel are electrically separated by the switching element,
Good contrast and response, and high-definition display are possible. The rest is the same as in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
【0128】(第3実施例)次に、本発明の第3実施例
に係る液晶装置について説明する。この液晶装置は、反
射型の液晶装置である。(Third Embodiment) Next, a liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention will be described. This liquid crystal device is a reflection type liquid crystal device.
【0129】図17は、この液晶装置の構成を示す概略
断面図である。この図に示される液晶装置が、図1に示
される第1実施例と相違する点は、次の通りである。す
なわち、第1に、この液晶装置は反射型であるので、透
過型表示に用いるバックライトが設けられていない。第
2に、第1及び第2の実施例では下側の基板101に内
面に形成される半透過反射電極102は、半透過反射膜
であったが、この第3実施例における反射電極142
は、文字通り反射膜としての機能のみを果たすものであ
る。FIG. 17 is a schematic sectional view showing the structure of this liquid crystal device. The difference between the liquid crystal device shown in this figure and the first embodiment shown in FIG. 1 is as follows. That is, first, since the liquid crystal device is a reflection type, a backlight used for a transmission type display is not provided. Secondly, in the first and second embodiments, the transflective electrode 102 formed on the inner surface of the lower substrate 101 is a transflective film.
Has only a function as a reflection film literally.
【0130】このような液晶装置において、外光は、偏
光板214、位相差板213を順に透過し、液晶層5
0、カラーフィルタ104を通過した後、反射電極14
2によって反射して、今来た経路を逆に辿り、再び偏光
板214から出射する。このとき、液晶層50への印加
電圧に応じて、偏光板214の通過(明状態)及び吸収
(暗状態)並びにそれら中間の明るさを制御する。In such a liquid crystal device, external light is transmitted through the polarizing plate 214 and the retardation plate 213 in this order, and
0, after passing through the color filter 104, the reflective electrode 14
The light is reflected by 2 and follows the path that has just come back, and exits again from the polarizing plate 214. At this time, passing (bright state) and absorption (dark state) of the polarizing plate 214 and brightness between them are controlled in accordance with the voltage applied to the liquid crystal layer 50.
【0131】このような液晶装置によれば、反射型表示
において、第1、第2実施例と同様に、光が着色層を透
過するので、色再現性の向上が図られ、さらに、反射電
極142は、下側の基板101における内面、すなわ
ち、液晶層側に形成されているので、液晶層50との距
離が小さい。このため、第1実施例と同様に、反射型表
示において、視差に起因する二重像や表示のにじみなど
の発生が防止されることとなる。According to such a liquid crystal device, in the reflective display, as in the first and second embodiments, light passes through the colored layer, so that color reproducibility is improved, and furthermore, the reflective electrode Since 142 is formed on the inner surface of the lower substrate 101, that is, on the liquid crystal layer side, the distance from the liquid crystal layer 50 is small. For this reason, as in the first embodiment, it is possible to prevent the occurrence of a double image or display bleeding due to parallax in the reflective display.
【0132】さて、この第3実施例において、下側基板
の内面に形成される反射電極142としては、アルミニ
ウムや、銀、クロムなど主成分とする金属膜を用いるこ
とができる。アルミニウムを主成分とする金属膜を用い
る場合には、反射電極142を安価に形成することがで
きる。また、この場合には、アルミニウムは陽極酸化に
よる酸化膜を形成することができるので、当該酸化膜を
保護膜103として用いることができる。この場合、金
属膜におけるアルミニウムの含有割合は、85重量%以
上であることが好ましい。In the third embodiment, as the reflection electrode 142 formed on the inner surface of the lower substrate, a metal film containing aluminum, silver, chromium, or the like as a main component can be used. When a metal film containing aluminum as a main component is used, the reflective electrode 142 can be formed at low cost. In this case, aluminum can form an oxide film by anodic oxidation, so that the oxide film can be used as the protective film 103. In this case, the content ratio of aluminum in the metal film is preferably 85% by weight or more.
【0133】また、反射電極142としては、銀を主成
分とする金属膜を用いることができる。銀を主成分とす
る金属膜を用いる場合には、反射電極142の反射率を
非常に高くすることができる。この場合、金属膜におけ
る銀の含有割合は、85重量%以上であることが好まし
い。ただし、この場合、保護膜103として、陽極酸化
膜でなく、SiO2や、Si3N4、有機絶縁膜が用いら
れることとなる。As the reflection electrode 142, a metal film containing silver as a main component can be used. When a metal film containing silver as a main component is used, the reflectance of the reflective electrode 142 can be extremely high. In this case, the content ratio of silver in the metal film is preferably 85% by weight or more. However, in this case, instead of the anodic oxide film, SiO 2 , Si 3 N 4 , or an organic insulating film is used as the protective film 103.
【0134】なお、このような反射電極142について
は、図2〜図5において説明した半透過反射電極102
と同様にして形成される。保護膜103や、カラーフィ
ルタ104などについても同様である。したがって、こ
のような基板101において、カラーフィルタ104
は、反射電極142に対して保護膜103により隔てら
れるので、これらカラーフィルタ104の形成行程にお
いて、反射電極142として用いられるアルミニウムの
破壊・劣化を簡易なプロセスで未然に防止することが可
能となる。It should be noted that such a reflective electrode 142 is the same as the transflective reflective electrode 102 described with reference to FIGS.
It is formed in the same manner as described above. The same applies to the protective film 103, the color filter 104, and the like. Therefore, in such a substrate 101, the color filter 104
Is separated from the reflective electrode 142 by the protective film 103, so that in the process of forming the color filters 104, the destruction and deterioration of aluminum used as the reflective electrode 142 can be prevented by a simple process. .
【0135】なお、この第3実施例の液晶装置は反射型
であるので、下側の基板101に透明性は要求されな
い。このため、基板101としては、ガラスやプラステ
ィックなどのほか、表面に絶縁膜が形成された、例え
ば、シリコン基板などを用いても良い。Since the liquid crystal device of the third embodiment is of a reflection type, the lower substrate 101 does not require transparency. Therefore, as the substrate 101, besides glass or plastic, for example, a silicon substrate or the like having an insulating film formed on the surface may be used.
【0136】また、第3実施例において、下側の基板1
01に形成される反射電極142と、上側の基板201
に形成される透明電極207との形状については、パッ
シブマトリクス方式にあっても、アクティブマトリクス
方式にあっても、第1実施例における半透過反射電極1
02を、本実施例における透明電極142に置き換えれ
ば済む。この置換の考え方は、アクティブマトリクス方
式の液晶装置において、スイッチング素子と、このスイ
ッチング素子を形成する基板との組み合わせにおいて
も、同様である。この際、スイッチング素子として、T
FT素子やTFD素子など種々の素子を適用することが
できる点については、第1実施例においてすでに述べた
通りである。このようにスイッチング素子を用いて駆動
すると、オン画素とオフ画素とがスイッチング素子によ
り電気的に分離されるので、コントラストやレスポンス
などが良好であり、かつ、高精細な表示が可能となる。Also, in the third embodiment, the lower substrate 1
01 and the upper substrate 201
Regarding the shape of the transparent electrode 207 formed in the first embodiment, the semi-transmissive reflective electrode 1 in the first embodiment can be used regardless of whether it is a passive matrix type or an active matrix type.
02 may be replaced with the transparent electrode 142 in this embodiment. The concept of the substitution is the same for a combination of a switching element and a substrate on which the switching element is formed in an active matrix type liquid crystal device. At this time, as the switching element, T
As described in the first embodiment, various elements such as an FT element and a TFD element can be applied. When driving is performed using the switching element in this manner, an ON pixel and an OFF pixel are electrically separated by the switching element, so that a high-definition display with good contrast and response and the like is possible.
【0137】他については、第1実施例と同様であるの
で、その説明を省略する。The other points are the same as in the first embodiment, and the description thereof is omitted.
【0138】(電子機器)次に、第1〜第3実施例のい
ずれか1つに係る液晶装置を備えた電子機器について説
明する。上述した図1、図14または図17に示した液
晶装置は、様々な環境下で用いられ、しかも、低消費電
力化が図られるので、携帯型の電子機器の表示部として
好適である。そこで以下、このような電子機器の例を3
つ示すことにする。(Electronic Apparatus) Next, an electronic apparatus including the liquid crystal device according to any one of the first to third embodiments will be described. The above-described liquid crystal device shown in FIG. 1, FIG. 14, or FIG. 17 is suitable for a display portion of a portable electronic device because it is used in various environments and consumes low power. Therefore, an example of such an electronic device is described below.
I will show you one.
【0139】図18Aは、携帯情報機器を示している。
この携帯情報機器本体の上側には表示部71が、下側に
は入力部73が、それぞれ設けられる。また、表示部7
1の前面には、いわゆるタッチ・パネルが設けられる場
合が多い。通常のタッチ・パネルでは、表面反射が多い
ため、表示が見づらい。したがって、従来では、携帯型
といえども、透過型液晶装置を表示部に用いることが多
かった。ところが、透過型液晶装置は、常時バックライ
トを利用するために消費電力が大きく、このため、電池
寿命が短かった。このような場合でも、上記第1〜第3
実施例に係る液晶装置を携帯情報機器の表示部71とし
て用いると、反射型でも半透過反射型でも表示が明るく
鮮やかであって、かつ、低消費電力化が図ることができ
る。FIG. 18A shows a portable information device.
A display unit 71 is provided above the portable information device main body, and an input unit 73 is provided below the portable information device main body. The display unit 7
In most cases, a so-called touch panel is provided on the front surface of the touch panel 1. With a normal touch panel, the display is difficult to see due to the large surface reflection. Therefore, in the related art, a transmissive liquid crystal device is often used for a display unit, even if it is a portable type. However, the transmissive liquid crystal device consumes a large amount of power because it always uses a backlight, and therefore has a short battery life. Even in such a case, the first to third
When the liquid crystal device according to the embodiment is used as the display unit 71 of the portable information device, the display can be bright and vivid and the power consumption can be reduced in both the reflective type and the transflective type.
【0140】図18Bは、携帯電話を示している。この
携帯電話本体の前面上方部には表示部74が設けられ
る。携帯電話は、屋内屋外を問わず、あらゆる環境で用
いられる。携帯電話は、特に、車内で用いられることが
多いが、夜間の車内は大変暗い。したがって、携帯電話
に用いられる液晶装置は、消費電力が小さい反射型表示
をメインに、必要に応じてバックライトなどの補助光を
利用した透過型表示が可能な半透過型反射型の液晶装置
が望ましい。このため、第1および第2実施例に係る液
晶装置を携帯電話の表示部74として用いると、反射型
表示でも透過型表示でも、従来と比較して明るく、コン
トラスト比が高い表示を得ることができる。FIG. 18B shows a mobile phone. A display unit 74 is provided on the upper front part of the mobile phone body. A mobile phone is used in any environment whether indoor or outdoor. Cellular phones are often used, especially in cars, but are very dark at night. Therefore, a liquid crystal device used in a mobile phone is mainly a reflection type display device with low power consumption and, if necessary, a transflective type liquid crystal device capable of transmission type display using an auxiliary light such as a backlight. desirable. For this reason, when the liquid crystal devices according to the first and second embodiments are used as the display unit 74 of the mobile phone, it is possible to obtain a display that is brighter and has a higher contrast ratio as compared with the related art in both the reflective display and the transmissive display. it can.
【0141】図18Cは、ウォッチを示している。この
ウォッチ本体の中央には表示部76が設けられる。ウォ
ッチ用途における重要な観点は、高級感である。上記第
1〜第3実施例に係る液晶装置をウォッチの表示部76
に用いると、光の波長による特性変化が少ないために色
付きが小さくなる。このため、従来のウォッチと比較し
て、大変に高級感ある表示が得られることとなる。FIG. 18C shows a watch. A display 76 is provided at the center of the watch body. An important aspect in watch applications is luxury. The liquid crystal device according to the first to third embodiments is replaced with a display unit 76 of a watch.
Is used, the color change is small because the characteristic change due to the wavelength of light is small. For this reason, a very high-quality display can be obtained as compared with the conventional watch.
【0142】なお、本発明の実施例に係る液晶装置は、
暗所でも明所でも明るく高品位な表示が可能な各種の表
示装置として利用可能であり、さらに、各種の電子機器
の表示部としても利用可能である。このような液晶装置
が用いられる電子機器としては、例えば、液晶テレビ
や、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテ
ープレコーダ、カーナビゲーション装置、電卓、PDA
(個人向け情報端末)、ページャ、ワードプロセッサ、
ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチ
パネルを備えた機器等などが挙げられる。The liquid crystal device according to the embodiment of the present invention
The present invention can be used as various display devices capable of performing bright and high-quality display in a dark place or a bright place, and further, can be used as a display unit of various electronic devices. Examples of electronic equipment in which such a liquid crystal device is used include a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a calculator, and a PDA.
(Personal information terminals), pagers, word processors,
Examples include a workstation, a videophone, a POS terminal, a device equipped with a touch panel, and the like.
【0143】本発明の液晶装置は、上述した各実施例に
限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体か
ら読み取ることができる発明の要旨または思想に反しな
い範囲で変更可能であり、そのような変更に伴う液晶装
置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。The liquid crystal device of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be modified within the scope not departing from the gist or idea of the invention, which can be read from the claims and the entire specification. A liquid crystal device accompanying such a change is also included in the technical scope of the present invention.
【図1】本発明の第1実施例に係る液晶装置の構成を示
す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a configuration of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】同実施例における基板構成の一例を説明するた
めの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of a substrate configuration according to the embodiment.
【図3】同実施例における基板構成の他の例を説明する
ための断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining another example of the substrate configuration in the embodiment.
【図4】同実施例における基板構成の他の例を説明する
ための断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining another example of the substrate configuration in the embodiment.
【図5】同実施例における基板構成の他の例を説明する
ための断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining another example of the substrate configuration in the embodiment.
【図6】同実施例においてスリットが設けられた反射電
極の一例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing an example of a reflective electrode provided with a slit in the embodiment.
【図7】同実施例において反射電極の具体的構成の一例
を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing an example of a specific configuration of a reflection electrode in the embodiment.
【図8】同実施例において反射電極の具体的構成の他の
例を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing another example of the specific configuration of the reflective electrode in the embodiment.
【図9】同実施例において反射電極の具体的構成の他の
例を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing another example of the specific configuration of the reflective electrode in the embodiment.
【図10】同実施例にTFD素子を用いた場合におい
て、画素電極周辺のレイアウトを示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a layout around a pixel electrode when a TFD element is used in the embodiment.
【図11】図10のB−B’線断面図である。11 is a sectional view taken along line B-B 'of FIG.
【図12】同実施例にTFT素子を用いた場合におい
て、画素電極周辺のレイアウトを示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing a layout around a pixel electrode when a TFT element is used in the example.
【図13】図12のC−C’線断面図である。13 is a sectional view taken along line C-C 'of FIG.
【図14】本発明の第2実施例に係る液晶装置の構成を
示す概略断面図である。FIG. 14 is a schematic sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal device according to a second embodiment of the present invention.
【図15】Aは、同実施例における基板構成の一例を説
明するための断面図である。Bは、同実施例における基
板構成の他の例を説明するための断面図である。Cは、
同実施例における基板構成の他の例を説明するための断
面図である。Dは、同実施例における基板構成の他の例
を説明するための断面図である。FIG. 15A is a cross-sectional view for explaining an example of the substrate configuration in the embodiment. FIG. 2B is a cross-sectional view for explaining another example of the substrate configuration in the embodiment. C is
It is sectional drawing for demonstrating the other example of the board | substrate structure in the example. D is a cross-sectional view for explaining another example of the substrate configuration in the embodiment.
【図16】Aは、同実施例における基板構成の他の例を
説明するための断面図である。Bは、同実施例における
基板構成の他の例を説明するための断面図である。C
は、同実施例における基板構成の他の例を説明するため
の断面図である。Dは、同実施例における基板構成の他
の例を説明するための断面図である。FIG. 16A is a cross-sectional view for explaining another example of the substrate configuration in the embodiment. FIG. 2B is a cross-sectional view for explaining another example of the substrate configuration in the embodiment. C
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining another example of the substrate configuration in the embodiment. D is a cross-sectional view for explaining another example of the substrate configuration in the embodiment.
【図17】本発明の第3実施例に係る液晶装置の構成を
示す概略断面図である。FIG. 17 is a schematic sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention.
【図18】Aは、実施例に係る液晶装置を用いた携帯情
報機器の概略斜視図である。Bは、実施例に係る液晶装
置を用いた携帯電話の概略斜視図である。Cは、実施例
に係る液晶装置を用いたウォッチの概略斜視図である。FIG. 18A is a schematic perspective view of a portable information device using the liquid crystal device according to the embodiment. FIG. 1B is a schematic perspective view of a mobile phone using the liquid crystal device according to the embodiment. FIG. 1C is a schematic perspective view of a watch using the liquid crystal device according to the embodiment.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/00 335 G09F 9/00 335Z 5G435 342 342Z 9/30 349 9/30 349A (72)発明者 瀧澤 圭二 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 Fターム(参考) 2H048 BA62 BB02 BB14 BB28 BB37 BB43 2H090 HA03 HB03X HB06X HB07X HC09 HD06 KA05 LA01 LA04 LA15 2H091 FA02Y FA15Y FA44Z FA45Z FB08 FC06 FD24 GA02 GA07 GA13 GA16 HA07 LA13 2H092 GA13 HA05 JA24 JB05 JB07 JB57 MA24 NA01 PA08 PA12 QA07 5C094 AA08 AA36 BA02 BA12 BA43 CA19 CA24 DA13 EB02 ED03 HA10 5G435 AA04 AA07 BB12 CC12 EE22 EE25 GG12 LL07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09F 9/00 335 G09F 9/00 335Z 5G435 342 342Z 9/30 349 9/30 349A (72) Inventor Takizawa Keiji Suwa-shi, Nagano 3-3-5 Yamato F-term (reference) in Seiko Epson Corporation 2H048 BA62 BB02 BB14 BB28 BB37 BB43 2H090 HA03 HB03X HB06X HB07X HC09 HD06 KA05 LA01 LA04 LA15 2H091 FA02Y FA45 FG07 FC02 FA04 GA13 GA16 HA07 LA13 2H092 GA13 HA05 JA24 JB05 JB07 JB57 MA24 NA01 PA08 PA12 QA07 5C094 AA08 AA36 BA02 BA12 BA43 CA19 CA24 DA13 EB02 ED03 HA10 5G435 AA04 AA07 BB12 CC12 EE22 EE25 GG12 LL07
Claims (28)
ラーフィルタ基板であって、 前記金属膜と前記着色層とは、前記金属膜と前記着色層
との間に設けた保護膜によって隔てられていることを特
徴とするカラーフィルタ基板。1. A color filter substrate having a metal film between a substrate and a coloring layer, wherein the metal film and the coloring layer are formed by a protective film provided between the metal film and the coloring layer. A color filter substrate, which is separated.
むことを特徴とする請求項1に記載のカラーフィルタ基
板。2. The color filter substrate according to claim 1, wherein the protection film includes an oxide film of the metal film.
カラーフィルタ基板の製造方法であって、 前記金属膜上に保護膜を形成する工程と、 前記保護膜上に着色層を形成する工程とを有することを
特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。3. A method for manufacturing a color filter substrate having a metal film between a substrate and a colored layer, comprising: forming a protective film on the metal film; and forming a colored layer on the protective film. And a method of manufacturing a color filter substrate.
膜を酸化する工程を含むことを特徴とする請求項3に記
載のカラーフィルタ基板の製造方法。4. The method of claim 3, wherein forming the protective film includes oxidizing the metal film.
て、前記第1の基板側から入射する光を反射する金属膜
と、 前記金属膜における前記液晶側に設けた着色層とを有す
る液晶装置であって、 前記金属膜と前記着色層とは、前記着色層と前記金属膜
との間に設けられた保護膜によって隔てられていること
を特徴とする液晶装置。5. A liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, and a liquid crystal layer formed on a surface of the second substrate on the liquid crystal layer side. 1. A liquid crystal device comprising: a metal film that reflects light incident from the substrate side of 1; and a coloring layer provided on the liquid crystal side of the metal film, wherein the metal film and the coloring layer include the coloring layer A liquid crystal device, wherein the liquid crystal device is separated by a protective film provided between the liquid crystal device and the metal film.
むことを特徴とする請求項5に記載の液晶装置。6. The liquid crystal device according to claim 5, wherein the protection film includes an oxide film of the metal film.
て、前記第1の基板側から入射する光を反射する金属膜
と、 前記金属膜における前記液晶側に設けた着色層とを有す
る液晶装置の製造方法であって、 前記金属膜上に保護膜を形成する工程と、 前記保護膜上に着色層を形成する工程とを有することを
特徴とする液晶装置の製造方法。7. A liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, and a liquid crystal layer formed on a surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, wherein 1. A method for manufacturing a liquid crystal device, comprising: a metal film that reflects light incident from the substrate side of claim 1; and a colored layer provided on the liquid crystal side of the metal film, wherein a protective film is formed on the metal film. And a step of forming a colored layer on the protective film.
膜を酸化する工程を含むことを特徴とする請求項7に記
載の液晶装置の製造方法。8. The method according to claim 7, wherein forming the protective film includes oxidizing the metal film.
て、前記第1の基板側から入射する光を反射する金属膜
と、 前記金属膜における前記液晶側に設けた着色層とを有す
る液晶装置を表示部として備える電子機器であって、 前記金属膜と前記着色層とは、前記着色層と前記金属膜
との間に設けられた保護膜によって隔てられていること
を特徴とする電子機器。9. A first and second substrate, a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, and a liquid crystal layer formed on a surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, wherein 1. An electronic apparatus comprising, as a display unit, a liquid crystal device having a metal film that reflects light incident from the substrate side of 1 and a coloring layer provided on the liquid crystal side of the metal film, wherein the metal film and the coloring layer Wherein the electronic device is separated by a protective film provided between the coloring layer and the metal film.
と、 前記第1および第2の基板間に挟持された液晶層と、 前記第1の基板における前記液晶層側の面に形成された
透明電極と、 前記第2の基板における前記液晶層側の面に形成された
半透過反射電極と、 前記半透過反射電極の上面に形成された着色層とを具備
することを特徴とする液晶装置。10. A first and second substrate having transparency, a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, and a liquid crystal layer formed on a surface of the first substrate on the liquid crystal layer side. A transparent electrode, a transflective electrode formed on a surface of the second substrate facing the liquid crystal layer, and a colored layer formed on an upper surface of the transflective electrode. apparatus.
間に、保護膜が形成されていることを特徴とする請求項
10に記載の液晶装置。11. The liquid crystal device according to claim 10, wherein a protective film is formed between the coloring layer and the transflective electrode.
構成する金属の陽極酸化膜であることを特徴とする請求
項11に記載の液晶装置。12. The liquid crystal device according to claim 11, wherein the protective film is a metal anodic oxide film forming the transflective electrode.
の開口部が設けられ、前記着色層は、前記開口部が設け
られた位置に対応して形成されていることを特徴とする
請求項10記載の液晶装置。13. The semi-transmissive reflective electrode is provided with a slit-shaped opening, and the coloring layer is formed corresponding to a position where the opening is provided. 11. The liquid crystal device according to 10.
されるとともに、前記画素電極毎にスイッチング素子が
接続されていること特徴とする請求項10に記載の液晶
装置。14. The liquid crystal device according to claim 10, wherein the transflective electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each pixel electrode.
とともに、前記画素電極毎にスイッチング素子が接続さ
れていること特徴とする請求項10に記載の液晶装置。15. The liquid crystal device according to claim 10, wherein the transparent electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each of the pixel electrodes.
ことを特徴とする電子機器。16. An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 10.
と、 前記第1および第2の基板間に挟持された液晶層と、 前記第1の基板における前記液晶層側の面に形成された
第1の透明電極と、 前記第2の基板における前記液晶層側の面に形成された
半透過反射膜と、 前記半透過反射膜の上面に形成された着色層と、 前記着色層の上面に形成された第2の透明電極とを具備
することを特徴とする液晶装置。17. A first and second substrate having transparency, a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, and a liquid crystal layer formed on a surface of the first substrate on the liquid crystal layer side. A first transparent electrode, a semi-transmissive reflective film formed on a surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, a colored layer formed on an upper surface of the semi-transmissive reflective film, and an upper surface of the colored layer And a second transparent electrode formed on the liquid crystal device.
に、保護膜が形成されていることを特徴とする請求項1
7に記載の液晶装置。18. The method according to claim 1, wherein a protective film is formed between the colored layer and the transflective film.
8. The liquid crystal device according to 7.
成する金属の陽極酸化膜であることを特徴とする請求項
18に記載の液晶装置。19. The liquid crystal device according to claim 18, wherein the protective film is an anodic oxide film of a metal constituting the transflective film.
開口部が設けられて、前記着色層は、前記開口部が設け
られた位置に対応して形成されていることを特徴とする
請求項17に記載の液晶装置。20. The transflective film, wherein a slit-shaped opening is provided, and the coloring layer is formed corresponding to a position where the opening is provided. Item 18. The liquid crystal device according to item 17.
されるとともに、前記画素電極毎にスイッチング素子が
接続されていること特徴とする請求項17に記載の液晶
装置。21. The liquid crystal device according to claim 17, wherein the second transparent electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each of the pixel electrodes.
されるとともに、前記画素電極毎にスイッチング素子が
接続されていること特徴とする請求項17に記載の液晶
装置。22. The liquid crystal device according to claim 17, wherein the first transparent electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each of the pixel electrodes.
ことを特徴とする電子機器。23. An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 17.
透明電極と、 前記第2の基板における前記液晶層側の面に形成された
反射電極と、 前記反射電極を保護する保護膜と、 前記保護膜の上面に形成された着色層とを具備すること
を特徴とする液晶装置。24. A first and second substrate, a liquid crystal layer sandwiched between the first and second substrates, and a transparent electrode formed on a surface of the first substrate on the liquid crystal layer side. A reflective electrode formed on a surface of the second substrate on the liquid crystal layer side; a protective film for protecting the reflective electrode; and a colored layer formed on an upper surface of the protective film. Liquid crystal device.
る金属の陽極酸化膜であることを特徴とする請求項24
に記載の液晶装置。25. The protection film according to claim 24, wherein the protection film is an anodic oxide film of a metal constituting the reflection electrode.
3. The liquid crystal device according to claim 1.
とともに、前記画素電極毎にスイッチング素子が接続さ
れていること特徴とする請求項24に記載の液晶装置。26. The liquid crystal device according to claim 24, wherein the reflection electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each of the pixel electrodes.
とともに、前記画素電極毎にスイッチング素子が接続さ
れていること特徴とする請求項24に記載の液晶装置。27. The liquid crystal device according to claim 24, wherein the transparent electrode is also used as a pixel electrode, and a switching element is connected to each of the pixel electrodes.
ことを特徴とする電子機器。28. An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 24.
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JP2005338388A (en) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | Liquid crystal display and its manufacturing method |
CN100386678C (en) * | 2002-10-29 | 2008-05-07 | 卡西欧计算机株式会社 | Liquid crystal display device capable of viewing from both sides and portable device using the same |
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- 2000-04-19 JP JP2000118153A patent/JP2001108818A/en active Pending
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