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JP2001078099A - 撮像装置および撮像システム - Google Patents

撮像装置および撮像システム

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Publication number
JP2001078099A
JP2001078099A JP2000180253A JP2000180253A JP2001078099A JP 2001078099 A JP2001078099 A JP 2001078099A JP 2000180253 A JP2000180253 A JP 2000180253A JP 2000180253 A JP2000180253 A JP 2000180253A JP 2001078099 A JP2001078099 A JP 2001078099A
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JP
Japan
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light
solid
imaging device
state imaging
light guide
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JP2000180253A
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English (en)
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Osamu Hamamoto
修 浜本
Kazuaki Tashiro
和昭 田代
Osamu Yuki
修 結城
Kenji Kajiwara
賢治 梶原
Noriyuki Umibe
紀之 海部
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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    • H04N23/55Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/41Extracting pixel data from a plurality of image sensors simultaneously picking up an image, e.g. for increasing the field of view by combining the outputs of a plurality of sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
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    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40Optical elements or arrangements
    • H10F77/496Luminescent members, e.g. fluorescent sheets
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/04Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings formed by bundles of fibres
    • G02B6/06Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings formed by bundles of fibres the relative position of the fibres being the same at both ends, e.g. for transporting images

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精細、高感度しかも薄型で広いセンサ有効
領域を有する画像入力装置を得る。 【解決手段】 それぞれが複数の光電変換素子を含む受
光領域を含む複数の固体撮像素子1と、複数の固体撮像
素子にそれぞれ光を導く複数の導光部を含む導光手段2
とを有し、複数の導光部のうちの少なくとも一つの導光
部は、光の入力面に垂直な方向に対して斜め方向かつ前
記複数の導光部に入射する光が広がる方向に、光を導び
いてなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、撮像装置および撮
像システムに係わり、特に、解像度を損なうことなく、
X線等の放射線ダメージの低減、小型軽量化、さらには
光電変換装置をつなぎあわせることで入力範囲の拡大を
可能にした放射線撮像装置およびそれを用いた撮像シス
テムに好適に用いられるものである。
【0002】
【従来の技術】医療診断を目的とするX線撮影には、増
感紙とX線写真フィルムを組み合わせたフィルムスクリ
ーンシステムがよく用いられている。
【0003】この方法によれば、被写体を透過したX線
は被写体内部の情報を含み、それが増感紙によってX線
の強度に比例した可視光に変換され、X線フィルム上に
感光される。
【0004】また最近では、X線を蛍光体によってX線
の強度に比例した可視光に変換し、それを光電変換素子
を用いて電気信号に変換し、AD変換器でデジタル信号
に変換するX線デジタル撮影装置が使用されはじめてい
る。
【0005】この例として、ガラスからなる基板上に、
アモルファス半導体を電極で挟んだ素子をマトリックス
状に配列した撮像素子を形成し、さらにX線を可視光変
換する蛍光体を積層したX線デジタル撮影装置や光ファ
イバーの束を熱などにより軟化させ引き延ばしさせたテ
ーパー型の光ファイバーを用いテーパーの絞った側にC
CDなどの光電変換素子を配置し、テーパーの絞った側
とは反対の側に蛍光体を積層させたモジュールを2次元
につなぎ合わせたX線デジタル撮影装置などが提案され
ている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなX線デジ
タル撮影装置は、主に医療診断等に活用されており異状
個所の早期発見や的確な診断を行うためには、高解像
度、低ノイズ、動画画像、広範な撮影面積などがますま
す求められている。
【0007】しかしながら、上記従来例に示したX線デ
ジタル撮影装置では次の様な問題点があった。
【0008】ガラス基板上にアモルファスシリコンなど
からなる半導体を用いた装置では、センサ有効サイズを
大きくとることは可能であるが、画素のサイズを細かく
することはプロセス上、デバイス特性上困難である。
【0009】CCDなどのシリコン基板からなる光電変
換素子を用いた場合は、画素サイズを細かくすることは
可能であり、高感度、高速駆動が可能なことから動画画
像の撮影も容易にできるものの、プロセス制約上センサ
有効面積を大きくとることはできなかった。
【0010】そこで、図18に示すように光電変換素子
の非センサ領域同士が重ならないようにテーパー状に加
工した光ファイバーを用い素子の数を増したことでセン
サ有効面積を拡大したものがある。
【0011】図18において、1は光電変換素子が形成
された基板、2はX線を光電変換素子により検出可能な
波長の可視光等の光に変換するシンチレータ、8はテー
パー状に加工した光ファイバー、10は保護ガラス、1
1はワイヤーボンディング、12はセラミックパッケー
ジである。
【0012】しかし、このテーパー状光ファイバーは高
価な上に、厚みも重量もあるため数個程度のつなぎ合わ
せは可能なものの胸部撮影に必要なセンサ有効面積を得
るには問題がある。
【0013】このような問題点により医療診断用のX線
デジタル撮影装置に求められている、高解像度、動画画
像といった性能と広範なセンサ有効面積、装置の小型
化,低価格化を両立することは困難であった。
【0014】本発明の目的は、医療診断用等のX線デジ
タル撮影装置に求められる高解像度、動画画像といった
性能と広範なセンサ有効面積、装置の小型化、低価格化
を両立し、高精度の医療にたえうるX線等の放射線撮像
装置およびこの放射線撮像装置に好適に用いられる撮像
装置、およびこれらを用いた画像処理システムを提供す
ることにある。
【0015】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の撮像装
置は、それぞれが複数の光電変換素子を含む受光領域を
含む複数の固体撮像素子と、前記複数の固体撮像素子に
それぞれ光を導く複数の導光部を含む導光手段とを有
し、前記複数の導光部のうちの少なくとも一つの導光部
は、光の入力面に垂直な方向に対して斜め方向かつ前記
複数の導光部に入射する光が広がる方向に、光を導びい
てなる撮像装置である。
【0016】なお、本発明の撮像装置は放射線撮像装置
に好適に用いられるものである。ここで、放射線はX線
を含むα線、β線、γ線等をいう。
【0017】本発明の撮像システムは、上記本発明の撮
像装置を用いたものである。
【0018】上記導光体としては、光を分散することな
く光電変換素子に導くためには光ファイバープレート、
エリア状セルフォックレンズ等を用いることが望ましい
が、光の分散を許容できる、あるいは光の分散が少ない
場合にはガラス基板等の透光性基板を用いることができ
る。
【0019】本発明によれば、光ファイバープレート等
の導光体は板状であり装置の従来のテーパー型導光体と
比べ小型化、低価格化が実現できる。
【0020】また、導光体は光電変換素子基板の受光領
域と同じ大きさとすることが望ましい。光電変換素子基
板の光電変換素子駆動回路、処理回路、外部電極等の領
域は、導光体からはみ出しているものの、隣接する光フ
ァイバープレートのファイバー光軸角度が異なっている
ため光電変換素子側の面には、隙間が生まれる。
【0021】その隙間に光電変換素子の非受光部を配置
することで、光電変換素子基板の光電変換素子駆動回
路、処理回路、外部電極等の出っ張り領域が干渉しあう
ことなく、受光領域のみを隣接配置できる。すなわち、
光電変換素子間にある非受光部をなくしつつも受光範囲
の拡大を可能とすることができる。
【0022】さらには、光ファイバー等の導光体を材質
に鉛を含んだ材料から構成して、シンチレータで光に変
換できなかったX線を鉛にて遮蔽することでX線が光電
変換素子に与える影響を低減させ、ノイズの少ないX線
画像を得ることができる。
【0023】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、本発明の撮像装置はX線撮像装置等の放射
線撮像装置に好適に用いることができるが、特にその用
途がX線撮像装置等の放射線撮像装置に限定されるもの
ではない。
【0024】[実施例1]図1は本発明における撮像装
置の断面図、図2はその斜視図である。
【0025】図1、図2において、1は光電変換素子基
板、100は光電変換素子が2次元に配列された受光領
域、101〜104は光電変換素子を駆動するための駆
動処理回路,光電変換素子から得られた信号を処理する
信号処理回路,外部入出力端子等の領域、2aおよび2
bは入出射面に対しファイバー光軸角度の異なる光ファ
イバープレートである。200は光電変換装置全体の受
光領域である。
【0026】なお、今回使用した光ファイバープレート
2a,2bは、直径約5〜6μmの1本の光ファイバー
を複数束ね加熱プレスした後、必要なファイバー光軸角
度になるよう板状に切り出したものである。光ファイバ
ープレート2aは、入出射面に対して90°になるよう
切り出し、光ファイバープレート2bは45°となるよ
うに切り出した。ファイバー径は光電変換素子より十分
細かい解像度を持つ光ファイバーを選択した。
【0027】また、5aは光電変換素子基板1と光ファ
イバープレート2a,2bを接着する透光性接着剤であ
る。5bはモジュール間の接着を行う透光性接着剤であ
る。
【0028】6は光電変換素子の外部入出力端子と画像
処理システムとを電気的に接続するフレキシブルプリン
ト配線板(FPC)である。
【0029】図3は上記光電変換素子基板1を示す平面
図である。100は撮像素子領域であり100μm角の
撮像素子を2次元に配列し、光電変換素子基板の端まで
配置している。
【0030】101は垂直駆動回路(V−SR)、10
2は列走査回路(H−SR)、103はメモリ回路とア
ンプ回路、104は電極端子であり、光電変換素子基板
1の2辺方向に集結した構成である。105は素子周辺
の非受光部である。
【0031】本実施例では、上記光電変換素子基板1の
撮像素子領域100と同じサイズでファイバー光軸角度
90°の光ファイバープレート2aを透光性接着剤5a
にて接着する。光ファイバープレート2aはあらかじめ
光電変換素子基板の撮像素子領域100と同じ面積にな
るようダイサー等で精度よく切断しておき、かつミクロ
ンオーダーの位置あわせが可能なアライナーで貼り合わ
せた。
【0032】また、透光性接着剤5aは光ファイバープ
レートと光電変換素子との間に異物および気泡等が混入
しないよう配慮が求められる。
【0033】光電変換素子基板1の電極端子104にフ
レキシブルプリント配線板(FPC)を異方性導電接着
剤を用いて電気的接続を得、光軸角度90°の光ファイ
バープレートでのモジュールを完成させた。
【0034】同様にファイバー光軸角度45°の光ファ
イバープレート2bを透光性接着剤5aにて光電変換素
子基板1に接着し、光軸角度45°のファイバープレー
トでのモジュールを完成させる。
【0035】最後に、光軸角度90°と45°の光電変
換モジュールの光ファイバープレートの光入射側(光電
変換素子基板接着面と反対の側)が同一の面になるよう
かつモジュール間の隙間が発生しないようにモジュール
間を透光性接着剤5bで接着する。
【0036】図4(a),(b)に示すように、この作
業を続け更に厚い光ファイバーを使用したモジュールを
貼り合わせることによりさらに大きな撮像領域を持った
撮像装置を製作することが可能となる。ただし、光ファ
イバープレート2cは、光ファイバープレート2bの様
にファイバー軸をX方向に45°傾け、さらにY方向に
も45°傾けたものである。なお、図4では中央部に光
軸角度90°の光ファイバープレート2aを1個設け、
周囲に光軸角度45°の光ファイバープレート2bとX
Y方向に光軸角度45°の光ファイバープレート2cを
8個設けているが、本実施例はかかる配置に限定されな
い。例えば、中央部(周囲以外の領域)に光軸角度90
°の光ファイバープレート2aを4個設け、周囲に光軸
角度45°の光ファイバープレート2bとXY方向に光
軸角度45°の光ファイバープレート2cを12個設け
て構成することもできる。また、図8に示すように、中
央部の光軸角度90°の光ファイバープレート2aから
周囲にいくに従って光軸角度を小さくしていき、光軸角
度α1(90°>α1)の光ファイバープレート2b1、光
軸角度α2(α1>α2)の光ファイバープレート2b2
配置することも可能である。
【0037】さらに、図5に示すようにそれぞれのモジ
ュールの光ファイバープレートの厚みを変えることによ
り、光電変換素子基板1の非受光領域を大きく設計する
ことが可能となる、あるいは、光ファイバー光軸角度を
90°に近いものとすることができる。図5において
は、光軸角度90°の光ファイバープレート2aの厚さ
よりも光軸角度45°の光ファイバープレート2bの厚
みを薄くしている。なお、必要に応じて、光軸角度90
°の光ファイバープレート2aの厚さよりも光軸角度4
5°の光ファイバープレート2bの厚みを厚くすること
もできる。
【0038】また、図6に示す様に、上記の撮像装置で
光ファイバープレート2a,2bの光入射側(光電変換
素子基板接着面の反対側)にX線を光電変換素子で検出
可能な波長の光(例えば、可視光)に変換するシンチレ
ータ4を備えることで、X線撮像装置にできる。
【0039】シンチレータの材質としては、よう化セシ
ウム(CsI)や硫化ガドリウム(Gd222)を使
用し、真空蒸着により積層する。積層したままでは触れ
ただけで破壊したり湿度で溶解してしまうおそれもある
ので透湿防止樹脂13などで保護することが望ましい。
【0040】また、図7に示すように硫化ガドリウム粉
体にバインダーを混合しフィルム状に加工した蛍光フィ
ルム14を使用して光ファイバープレートに接着剤5a
を用いて接着しても良い。このようにしてX線撮像装置
を構成する。
【0041】[実施例2]本発明の撮像装置の第2の実
施例を図に基づいて説明する。本実施例の特徴は、光電
変換素子面に対して光ファイバープレートのファイバー
光軸が一方向のみでなくX方向、Y方向に光軸角度を傾
けた光ファイバープレートを用い撮像領域を拡大した例
である。本実施例はX線撮像装置に関するもので、図4
に示した撮像装置をX線撮像装置として用いた場合の例
である。
【0042】図9は本実施例のX線撮像装置の斜視図で
あり、ここでは光ファイバープレートが3×3個X方向
及びY方向に配置されている。簡略化のために3×3個
の光ファイバープレートが配置されている場合を示して
いるが、必要に応じて、これ以上の数を配置してもよい
ことは勿論である。
【0043】四隅に配置された4つの光ファイバープレ
ート2eはX方向、Y方向ともに光軸角度を傾斜させた
光ファイバープレートであり、光ファイバープレート2
eに挟まれた4つの光ファイバープレート2dはX方向
あるいはY方向どちらか一方に傾斜させた光ファイバー
プレートである。光ファイバープレート2e及び2dに
囲まれた中心の1つの光ファイバープレートは光電変換
素子の素子面に対しほぼ垂直の光ファイバープレートで
ある。また、1は光電変換素子基板、4はシンチレー
タ、7は回路基板である。
【0044】図10に上記光電変換素子基板1を示す。
光電変換素子基板1は、シリコンウエハ上に半導体プロ
セスにより、CMOS構造の光電変換素子でほぼ中央部
の領域にフォトダイオードとアンプ回路からなる画素が
2次元配列される画素領域100が形成されている。画
素領域100周辺には、画像データを順次読み取るため
の垂直シフトレジスタ101、水平シフトレジスタ10
2、また、アンプ回路領域103や外部入出力端子(電
極パッド)104が設けられている。
【0045】ここで使用した光電変換素子1の外形サイ
ズはL1=24.5mm、W1=18.1mmで、画像
領域100のサイズはL2=22.2mm、W2=1
4.6mmである。それ以外の領域、すなわち画素領域
の周辺は、光を感ずることはできないようにしている。
なお、光電変換素子1、画素領域100のサイズは必要
に応じて設定してよいことは勿論である。
【0046】図11は、縦方向に3列、横方向に3列合
計9個の光電変換素子基板1を回路基板7上に並べた状
態を示す斜視図である。701は回路基板7のザグリ部
であり、ここに光電変換素子基板1が挿入される。
【0047】図12は、回路基板7上に設けられた電極
部の拡大図である。回路基板7のザグリ部701に光電
変換素子基板1が挿入された状態を示す一部平面図であ
る。回路基板7は、複数のガラスエポキシ層と複数の銅
泊の層からなるプリント回路基板であり、光電変換素子
基板1を実装する面には、光電変換素子基板1の入出力
端子104とワイヤーボンディング11により接続する
ための電極パッド705を形成している。電極パッド7
05にはニッケルメッキを介して軟質金メッキを施し
た。
【0048】図13は、X線撮像装置の断面図であり、
図9のA−A断面に対応する。光電変換素子基板1の入
出力端子104と回路基板7上の電極パッド705とは
ワイヤーボンディング11により電気的な接続を得てい
る。また、ワイヤーボンディング11はシリコーン封止
材5dにて保護している。傾斜角度の異なる光ファイバ
ープレート間の隙間にある、ワイヤーボンディング11
による電気接続エリアは、電気的接続を取る際にできる
ワイヤーボンディング11の高さや封止高さは問題にな
らない。本実施例のワイヤーを含む封止高さは0.6m
mである。
【0049】回路基板7の光電変換素子基板1を実装す
る面には、上記のように光電変換素子基板1を落とし込
むためのザグリ部701を設けているが、その理由は、
複数の光電変換素子基板1の位置関係のばらつきを抑え
る目的と、回路基板1と光電変換素子基板1との段差を
少なくしてワイヤーボンディング11のワイヤー長さを
短くすることにある。また、各々の光電変換素子基板1
間の距離を短くすることで、光軸を傾けた光ファイバー
プレートの光軸角度を浅くすることができ、光ファイバ
ープレートの厚みを薄くすることもできる。
【0050】光ファイバープレートの光軸角度や厚みは
光ファイバープレートの性能やコストに関わることか
ら、ワイヤーボンディング作業の安定性や接続強度を損
なうことなくかつ、光電変換素子基板1間の距離が短く
なるよう設計している。
【0051】また、ザグリ部701の深さは、光電変換
素子基板1の入出力端子104と回路基板7の電極70
5が同じ高さになるよう、ここでは光電変換素子基板1
の厚み0.625mmに接着層0.075mmを加えた
0.7mmの深さになるよう加工している。
【0052】さらに、回路基板7の表面から0.7mm
ザグリを入れたところで、回路基板7の第2層目の銅泊
からなる放熱パターン702が露出するように設計して
おり、この放熱パターン702はスルーホール部704
を除きベタパターンであって筐体GNDに接続されてい
る。回路基板7の第2層目放熱用パターン702に放熱
接着剤5fを介して光電変換素子基板1を接着固定する
ことにより光電変換素子基板1の発熱を逃がしている。
【0053】具体的には、東レダウコーニングシリコー
ン社製SE4420を用い、回路基板7のザグリに放熱
接着剤5fを塗布し光電変換素子基板1を各々のザグリ
部701に落とし込んだあと、剛性の高い厚いガラス板
で各々の光電変換素子基板1を同時に押え込みながら放
熱接着剤5fを硬化させ、各々の光電変換素子基板1の
面が同じ高さになるようにした。このことで、後に組み
立てる光ファイバープレートと光電変換素子基板1との
隙間にばらつきを生じさせることなく解像度ムラの発生
をおさえた。また、筐体に組み立てた際、常にある程度
の荷重を加えられる構成にすれば、光電変換素子基板1
や光ファイバープレートで高さ方向のばらつきが生じて
も、弾性を有する接着剤5fでそのばらつきを吸収する
ことができる。
【0054】光ファイバープレートは、図10に示した
光電変換素子基板1の画素領域100のサイズや各々の
光電変換素子基板1の位置関係により、サイズやファイ
バーの傾き光軸角度を決めている。光ファイバープレー
トの有効サイズは光電変換素子基板1の画素領域100
と光ファイバープレートに位置ずれがあっても、光ファ
イバープレートの入力面の画像情報が常に取り込めるよ
う画素領域100より小さ目に設計している。たとえ
ば、画素領域22.6×15.1mmに対して光ファイ
バープレートの有効サイズは22.2×14.6mmと
し、周囲に約0.2mmのマージンをもたせた。
【0055】したがって、中央部の光ファイバープレー
ト2cは22.2×14.6mmの有効領域すなわち外
形サイズである。また、中央部以外の光ファイバープレ
ート2d,2eは、図14に示すように光軸角度を傾け
ていることから鋭角な角部ができてしまい、その部分
は、精度よく加工することが困難であったり、欠けが発
生しやすいことから鋭角部を面取りしている。図14は
本実施例で用いた光ファイバープレートを示す斜視図で
ある。図14において、201は鋭角部の面取り部を示
す。面取りをした部分だけ有効領域が狭くなり、非光伝
播領域3ができるもののその領域分、光ファイバープレ
ートのサイズを大きくしている。
【0056】図14に示す光ファイバープレートは、隣
接する光電変換素子基板1の画素領域100間の隙間は
5mmに設計しているので、光軸角度の傾きを20°、
光ファイバープレートの厚みを13.7mm(=5mm
/tan20)に設計している。なお、光ファイバープ
レートの入出力面及び面取り部分以外は、光の散乱や外
光による誤動作を避けるため黒色の乱反射防止膜9を施
した。具体的にはセイコーアドバンス社製エポキシイン
キ1620を用いた。なお、光ファイバープレートの製
法は、実施例1に述べたものと同様であるが、ファイバ
ー径15μm、NA(Numerical Aperture;開口数)
0.9のファイバー(日星電気社製FOW)を用いた。
【0057】次に、製造プロセスに従って更に各部材に
ついて説明する。
【0058】上記の各々の光ファイバープレートを所定
の光電変換素子基板1に接着する。接着剤5aは透光性
に優れかつ、光ファイバーのコアの屈折率と光電変換素
子表面のSiN膜との屈折率に近い材料を選択した。具
体的には、協立化学社製ワールドロック8740(透過
率99%;500nm、屈折率1.592)を用いた。
【0059】まず、中央部の光電変換素子基板1に光軸
を傾けていない光ファイバープレート2cを接着固定
し、その光ファイバープレート2cに沿って他の光ファ
イバープレート2d,2eを隙間なく組み立て接着固定
する。接着の方法は、接着剤を光電変換素子基板1の画
素領域100のほぼ中央に滴下し光ファイバープレート
を乗せ、真空脱法して、気泡が画素領域100と光ファ
イバープレート間に残らないようにした後、位置ずれし
ないよう紫外線(3000mJ/cm2 )で仮止めし、
この作業を光ファイバープレート分繰り返し、最後に加
熱(80℃/30分)により接着剤を本硬化した。
【0060】その後、図13のごとく、光ファイバープ
レート2c、2d、2e間にある隙間(実装領域)にX
線遮蔽部材を充填する。具体的には、鉛粉体をシリコー
ン樹脂に混合したX線不透過樹脂5eを充填する。その
目的は、蛍光体や光ファイバープレート2の薄い部分か
ら侵入するX線から光電変換素子基板1を防御すること
にある。
【0061】次に、組み立てられた光ファイバープレー
ト2c,2d,2e上に、ほぼ同等か少し大き目の蛍光
体シート4を接着する。本実施例では、硫化ガドリウム
(Gd22 2 )の粉体を厚み200μmにPETフ
ィルムでラミネートしたフィルムを用いている。接着剤
5cは透光性に優れかつPETの屈折率と光ファイバー
プレートのコア屈折率のほぼ中間値1.6の材料(協立
化学社製ワールドロックXVL−14)を選択し、蛍光
体フィルムと光ファイバープレートに隙間が発生しない
よう均一な荷重を加えながら接着剤5cを硬化させセン
サーモジュールを完成させた。
【0062】図15に完成したX線撮像装置の斜視図お
よび図16にその断面図を示す。完成したX線撮像装置
の回路基板7の光電変換素子基板1の実装面とは反対の
面側に設けられた基板間コネクタ703を介して図16
に示すA/D変換回路基板15に接続する。A/D変換
回路基板15では、光電変換素子基板1から得られたア
ナログ信号を14ビットのデジタル信号に変換、また、
光電変換素子基板1に必要な電源やタイミング信号を供
給する。
【0063】金属からなる筐体16a,16bでX線撮
像装置およびA/D変換回路基板15を外圧や静電気等
から保護し、X線撮像装置の撮像有効領域に相当する部
分には、剛性がありX線透過率の高い炭素繊維含有強化
プラスチック17(CFRP)を用いている。18はビ
ス、19はスペーサービスである。
【0064】以上に説明したようにX線撮像装置ユニッ
トを構成し、完成した。なお、本実施例で説明した各部
材の材料、装置の製造方法は第1の実施例で説明した撮
像装置、X線撮像装置に用いることができることは勿論
である。
【0065】図17は本発明によるX線検出装置のX線
診断システムへの応用例を示したものである。
【0066】X線チューブ6050で発生したX線60
60は患者あるいは被験者6061の胸部6062を透
過し、シンチレーターを上部に実装した光電変換装置6
040に入射する。この入射したX線には患者6061
の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応して
シンチレーターは発光し、これを光電変換して、電気的
情報を得る。この情報はデジタルに変換されイメージプ
ロセッサ6070により画像処理され制御室のディスプ
レイ6080で観察できる。
【0067】また、この情報は電話回線6090等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ6081に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ6
100によりフィルム6110に記録することもでき
る。
【0068】なお、X線検出装置は医療用に限定され
ず、非破壊検査等にも用いることができる。
【0069】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下の効果を得ることができる。
【0070】(1)高精細、高感度しかも薄型で広いセ
ンサ有効領域を有する画像入力装置を提供できることが
できる。
【0071】(2)光電変換素子および素子を駆動する
駆動用回路や信号処理回路を光電変換素子基板上に配置
することで隣接した光電変換素子のゲート線信号線等を
接続する必要がなくなることから構造の簡素化により、
さらなる低価格化を実現することができる。
【0072】(3)光ファイバーの材質を鉛を含んだ材
料から構成すれば、シンチレータで光に変換されなかっ
たX線等の放射線を鉛にて遮蔽することでX線等の放射
線が光電変換素子に与える影響を低減させ、ノイズのな
い画像を得ることができる。
【0073】(4)光ファイバープレート間に隙間がで
きることから、無理なく光電変換素子の入出力電極を接
続することができる。現有の接続技術を採用することが
でき高信頼性、低コストを得ることができる。
【0074】(5)総じて、医療診断用のX線デジタル
撮影装置に求められる高解像度、動画画像といった性能
と広範なセンサ有効面積、装置の小型化,低価格化を両
立し、高精度の医療に耐えうるX線撮像装置を提供する
ことにある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の撮像装置の構造を示す断面図である。
【図2】本発明の撮像装置の斜視図である。
【図3】本発明の光電変換素子基板内の配置を示す平面
図である。
【図4】本発明の撮像装置(モジュール9枚合せ)を示
す平面図及び断面図である。
【図5】本発明の撮像装置(ファイバー厚み段差)を示
す断面図である。
【図6】本発明のX線撮像装置を示す断面図である。
【図7】本発明のX線撮像装置の他の構成を示す断面図
である。
【図8】本発明の撮像装置の他の構成例を示す断面図で
ある。
【図9】本発明の第2実施例のX線撮像装置の斜視図で
ある。
【図10】本発明の第2実施例のX線撮像装置に用いた
光電変換素子の平面図である。
【図11】本発明の第2実施例のX線撮像装置の回路基
板の斜視図である。
【図12】本発明の第2実施例のX線撮像装置の回路基
板、電極部の拡大図である。
【図13】本発明の第2実施例のX線撮像装置の断面図
である。
【図14】本発明の第2実施例のX線撮像装置の光ファ
イバープレートを示す斜視図である。
【図15】本発明の第2実施例のX線撮像装置ユニット
の斜視図である。
【図16】本発明の第2実施例のX線撮像入力装置ユニ
ットの断面図である。
【図17】本発明による撮像装置を用いた画像処理シス
テムを示す構成図である。
【図18】従来のX線撮像装置の構造を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
1 光電変換素子基板 100 光電変換素子 101 垂直駆動回路 102 列走査回路 103 メモリ回路およびアンプ回路 104 電極端子 2 導光部材 2a 薄い光ファイバープレート 2b 厚い光ファイバープレート 2c 光電変換素子面に対しほぼ垂直の光軸角度の光フ
ァイバープレート 2d 光電変換素子面に対しX方向あるいはY方向一方
に光軸角度を傾けた光ファイバープレート 2e 光電変換素子面に対しX方向、Y方向ともに光軸
角度を傾けた光ファイバープレート 200 光電変換装置全体の受光面 201 鋭角部の面取り 3 光ファイバープレートの非光伝播部 4 蛍光体 5 透光性接着剤 5a 光電変換素子基板/導光部材の接着剤 5b 導光部材間の接着剤 5c 導光部材と蛍光体の接着剤 5d ワイヤーボンディング封止材 5e X線不透過樹脂 5f 放熱接着剤 6 フレキシブルプリント配線基板(FPC) 7 実装回路基板 701 ザグリ部 702 放熱用パターン 703 基板間コネクタ 704 スルーホール 705 電極パッド 8 テーパー型ファイバー 9 乱反射防止膜 10 保護ガラス 11 ワイヤーボンディング 12 セラミックパッケージ 13 透湿防止樹脂 14 蛍光フィルム 15 A/D回路基板 16 筐体 16a 上ケース 16b 下ケース 17 炭素繊維強化プラスチック(CFRP) 18 ビス 19 スペーサービス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04N 5/225 H04N 5/225 C D 5/321 5/321 (72)発明者 結城 修 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 梶原 賢治 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 海部 紀之 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 それぞれが複数の光電変換素子を含む受
    光領域を含む複数の固体撮像素子と、前記複数の固体撮
    像素子にそれぞれ光を導く複数の導光部を含む導光手段
    とを有し、 前記複数の導光部のうちの少なくとも一つの導光部は、
    前記導光手段の光の入力面に垂直な方向に対して斜め方
    向かつ前記複数の導光部に入射する光が広がる方向に、
    光を導びいてなる撮像装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の撮像装置において、前
    記複数の固体撮像素子は、第1の固体撮像素子と第2の
    固体撮像素子を含み、 前記第1の固体撮像素子は前記第2の固体撮像素子より
    も前記導光部の入力面が近い撮像装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の撮像装置において、前
    記第1の固体撮像素子は、前記第2の固体撮像素子より
    も前記複数の固体撮像素子の中心方向に配置されている
    撮像装置。
  4. 【請求項4】 請求項2に記載の撮像装置において、前
    記導光手段は、前記第2の固体撮像素子に光を導く前記
    導光部が、前記第1の固体撮像素子に光を導く前記導光
    部よりも厚みを厚く構成している撮像装置。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の撮像装置において、前
    記複数の固体撮像素子にそれぞれ含まれる複数の受光領
    域の面積と、前記導光手段の光の入力面の面積が等しい
    撮像装置。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の撮像装置において、前
    記複数の固体撮像素子は、第1の固体撮像素子と前記第
    1の固体撮像素子よりも周辺方向に配置された第2の固
    体撮像素子を含み、 前記第1の固体撮像素子に光を導く導光部と、前記第2
    の固体撮像素子に光を導く導光部との前記導光手段の光
    の入力面に垂直な方向に対する入射角度が異なる撮像装
    置。
  7. 【請求項7】 請求項1に記載の撮像装置において、隣
    接する前記固体撮像素子間を電気的に接続する接続手段
    を有し、前記接続手段は、前記固体撮像素子と前記導光
    部との隙間に設けられている撮像装置。
  8. 【請求項8】 請求項1に記載の撮像装置において、前
    記複数の固体撮像素子の裏面側に設置された、アナログ
    信号をデジタル信号に変換するためのアナログ・デジタ
    ル変換手段を有する撮像装置。
  9. 【請求項9】 請求項1に記載の撮像装置において、隣
    接する前記固体撮像素子間を電気的に接続する接続手段
    を有し、前記接続手段は、前記固体撮像素子の受光領域
    側で接続を行ってなる撮像装置。
  10. 【請求項10】 請求項1に記載の撮像装置において、
    前記導光手段は、第1の導光部と第2の導光部とを含
    み、前記第1の導光部は、前記導光手段の光の入力面に
    対して垂直方向に光を導き、前記第2の導光部は、前記
    導光手段の光の入力面に垂直な方向に対して斜め方向か
    つ前記複数の導光部に入射する光が広がる方向に光を導
    く構成である撮像装置。
  11. 【請求項11】 請求項10に記載の撮像装置におい
    て、 前記複数の固体撮像素子は、第1の固体撮像素子と第2
    の固体撮像素子を含み、 前記第1の固体撮像素子を前記第2の固体撮像素子より
    も前記入力面に近くなるように配置した撮像装置。
  12. 【請求項12】 請求項11に記載の撮像装置におい
    て、 前記第1の固体撮像素子は、前記第2の固体撮像素子よ
    りも前記複数の固体撮像素子の中心方向に配置されてい
    る撮像装置。
  13. 【請求項13】 請求項10に記載の撮像装置におい
    て、 前記導光部の光の入力面に垂直な方向に対して、光の入
    力面に垂直な方向に対して斜め方向かつ前記複数の導光
    部に入射する光が広がる方向に光を導く構成である前記
    導光部と、前記導光部の光の入力面に垂直な方向に光を
    導く構成である前記導光部の厚みが異なる撮像装置。
  14. 【請求項14】 請求項10に記載の撮像装置におい
    て、 前記複数の固体撮像素子にそれぞれ含まれる複数の受光
    領域の面積と、前記導光手段の前記入力面の面積が等し
    い撮像装置。
  15. 【請求項15】 請求項10に記載の撮像装置におい
    て、 前記複数の固体撮像素子は、第1の固体撮像素子と前記
    第1の固体撮像素子よりも周辺方向に配置された第2の
    固体撮像素子を含み、 前記第1の固体撮像素子に光を導く導光部と、前記第2
    の固体撮像素子に光を導く導光部の入射角度が異なる撮
    像装置。
  16. 【請求項16】 請求項10に記載の撮像装置におい
    て、 隣接する前記固体撮像素子間を電気的に接続する接続手
    段、 前記接続手段は、前記固体撮像素子と前記導光部との隙
    間に設けられている撮像装置。
  17. 【請求項17】 請求項10に記載の撮像装置におい
    て、 前記複数の固体撮像素子の裏面側に設置された、アナロ
    グ信号をデジタル信号に変換するためのアナログ・デジ
    タル変換手段を有する撮像装置。
  18. 【請求項18】 請求項10に記載の撮像装置におい
    て、 隣接する前記固体撮像素子間を電気的に接続する接続手
    段を有し、 前記接続手段は、前記固体撮像素子の前記受光領域側で
    接続を行っている撮像装置。
  19. 【請求項19】 放射線を光に変換する変換手段と、前
    記変換手段からの光が入射される、請求項1から請求項
    18のいずれか一項に記載の撮像装置と、前記放射線を
    放射する放射手段と、前記撮像装置から出力された信号
    を画像処理する画像処理手段と、を有する撮像装置。
  20. 【請求項20】 請求項1から請求項18のいずれか一
    項に記載の撮像装置と、該撮像装置からの信号を画像処
    理する画像処理手段と、該画像処理手段からの信号を記
    録するための記録手段と、該画像処理手段からの信号を
    表示する表示手段と、該画像処理手段からの信号を電送
    するための電送手段とを有する撮像システム。
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