JP2001077455A - 光モジュール及びその接続構造 - Google Patents
光モジュール及びその接続構造Info
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 204
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 28
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 44
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007116 SnPb Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
うことが可能で信頼性にも優れた光モジュールの接続構
造を提供すること。 【解決手段】 一端部に光素子駆動用の接続端子2を備
えた扁平状の基体1に、少なくとも接続端子2に接続さ
れた光素子3と、該光素子3に光結合させる光導波体5
の一端部とを配設して成る光モジュールM1を、電気回
路基板上に実装した光素子駆動用のコネクタ部S1に連
結し、該コネクタ部S1の接続端子12と光モジュール
M1の接続端子2とを接続するようにしたことを特徴と
する。
Description
に使用される光モジュールの接続構造に関する。
にピグテールコードが設けられ、外部の光ファイバコー
ドとコネクタにより接続するピグテール型と、直接モジ
ュール本体のアダプタに外部の光ファイバコードを接続
するレセプタクル型の2種類に大別することができる。
を有する光ファイバコードがモジュール内に存在し、熱
に弱い被覆部が劣化してしまう懸念があるために、電気
回路基板上への実装時にリフロー半田付けによる一括搭
載が困難である。このため、例えば、電気回路基板上へ
熱の影響をあまり受けない部品をリフロー半田付けなど
により一括搭載された後、電気回路基板上で手作業によ
って光モジュールを組み立てるようにしていたので、そ
の組立作業は光モジュールが多数必要な場合には、非常
に煩雑なものとなっていた。
は、光モジュールに接続される外部光ファイバコードを
発光素子に近接させることが困難であるので、レンズな
どの光部品が必要となり、小型化が困難となるといった
問題がある。
示すような光モジュールの接続構造が知られている。こ
こで、光モジュールJ1は、パッケージ61内に収容さ
れた基板62上に、光素子(半導体レーザダイオード)
63とこれに一端部を光結合させる短尺光ファイバ64
とが配設され、さらに短尺光ファイバ64の他端部に装
着された不図示のフェルールを収容したスリーブ65を
パッケージ61の一端部に配設して成るものである。こ
の光モジュールJ1では、そのスリーブ65に、光ファ
イバコードK1の端部に設けられたフェルール67を挿
入することにより、光モジュールJ1側と光ファイバコ
ードK1側との光結合が実現される(例えば、特許第2
654538号公報を参照)。
ば、光モジュールJ1と光ファイバコードK1とは互い
に分離可能に構成されているので、これらを電気回路基
板上へ実装する際には、まず、光ファイバコードK1を
取り外した状態で回路基板をリフロー等に通し、その
後、光ファイバコードK1を回路基板へ実装すれば、熱
に弱い光ファイバコードK1をリフロー炉にさらすこと
なく回路基板上へ実装することが可能となる。
ドスロットの低背化を図るために、図9に示すようなカ
ード型の光データリンクJ2が提案されている(例え
ば、特開平7−225327号公報を参照)。これは、
PCカードの一部に光モジュールが搭載されたものであ
り、光データリンクJ2のコネクタ部71と光ファイバ
が収容されたプラグK2のコネクタ部72とを接続する
ものである。このように構成することにより、接続構造
全体の低背化を実現しようとしている。
ような光モジュールJ1においては、短尺ファイバを内
包するフェルールやスリーブによる光コネクタ構造と
し、高精度で且つ強度を確保するために、フェルールや
スリーブを小さくすることに制限があり、例えば、一般
的に使用されるフェルール径の1.25mm程度に制限
されているのが現状である。
も、細い径のフェルール同士を突き合わせる必要があ
る。その際、互いの端面を傷つけることなく細径のフェ
ルールを微小領域に差し込む必要があり、専用の治具を
使用するなど、光ファイバコードの締結作業がきわめて
困難となる。
ルを9.8N程度の力で押し当てるが、そのためのバネ
構造が必要となり、着脱の際にボード上スペースが余分
に必要とされる。特に、フィジカルコンタクトと称され
る接続をするために、5mm程度の弦巻バネを配置し押
圧力を得ていたが、バネの配置のためにファイバ軸方向
に10〜20mm程度のスペースが不可欠となり小型化
を妨げていた。
の端部にゴミ等が付着することが懸念されるため、保護
カバーなど余分な部材を必要とし、これによる取扱いも
面倒で不要なコストも発生する。
低背化がコネクタ部の厚さで制限されており、光データ
リンクモジュールの低背化を阻んでいる。
sonal Computer)本体内部に収容される
が、その際、発熱量の大きな半導体レーザ素子などがP
Cカード本体に形成されるため、ノート型PC本体内部
で発熱が生じることになる。さらに、ノート型PC本体
で他の電気モジュールにより大量に発生した熱が、熱変
動に弱い半導体レーザ等の光素子へ悪影響を及ぼすこと
が懸念される。
に鑑みてなされたものであり、その目的は、光モジュー
ル構造を改善し、電気回路基板上への実装を確実且つ簡
便に行うことが可能で信頼性にも優れた光モジュールの
接続構造を提供することにある。
明の光モジュールは、一端部に光素子駆動用の接続端子
を備えた基体上に、少なくとも接続端子に接続された光
素子と、該光素子に光結合させる光導波体の一端部とを
配設して成る。また特に、接続端子に、光素子の駆動回
路を備えたコネクタ部を接続したことを特徴とする。
続端子を備えた第1の基体と、少なくとも接続端子に接
続される導体、該導体に接続される光素子、及び該光素
子に光結合させる光導波体の一端部を配設して成る第2
の基体とから成る。
の高い材料で形成したことを特徴とする。
は、一端部に光素子駆動用の接続端子を備えた基体上
に、少なくとも接続端子に接続された光素子と、該光素
子に光結合させる光導波体の一端部とを配設して成る光
モジュールを、光素子の駆動回路が設けられた電気回路
基板に実装されたコネクタ部に連結し、該コネクタ部の
接続端子と前記光モジュールの接続端子とを接続するよ
うにしたことを特徴とする。
有し、該開口は前記電気回路基板に配設する側を切り欠
いており、かつ電気回路基板に対向する内壁面に基体に
設けられた接続端子に接続され電気回路基板側へ付勢す
るバネ状端子が露出していることを特徴とする。
ル及びその接続構造の実施形態について図面に基づき詳
細に説明する。
ールM1及びそれを接続するソケットS1を示す。な
お、図1(a)における光モジュールM1は、内部の様
子を明らかにするために、上面に設けた蓋体を省略して
図示しており、また、図1(b)は光モジュールM1及
びコネクタ部をなすソケットS1の一部破断図を示して
いる。また、ソケットS1は不図示の光素子の駆動回路
を備えた電気回路基板上に実装されているものとする。
成された扁平状の基体であるパッケージ1の一端部1a
に、銅線等から成る接続端子2が設けられ、この接続端
子2に接続された光素子(半導体レーザ等の発光素子
3、及びこの発光素子3のモニター用でフォトダイオー
ド等の受光素子4)と、発光素子3に一端部を光結合さ
せる光ファイバ5等の光導波体などを配設して成るもの
である。また、光ファイバ5の他端部には樹脂で光ファ
イバ5を覆った光ファイバコード10が接続され、少な
くとも光ファイバ5の一端部をパッケージ1に配設した
ものである。
5を搭載するためのV溝が基板6の異方性エッチングに
より高精度に形成されており、このV溝に対して発光素
子3が正確に位置決めされて設けられており、また、光
ファイバ5が移動しないように、その上方に押さえ板7
が配設されている。これにより、発光素子3と光ファイ
バ5の高精度な光結合が得られる。また、基板6の主面
上には、発光素子3及び受光素子4から引き出された電
極パッド8が形成されている。
1の内部に設けられ、基板6に形成され光素子の裏面側
及び表面側に接続された電極パッド8と接続端子2と
が、ボンディングワイヤ9により接続されている。
用する実装用端子11を有するソケットS1は、実装用
端子11に接続されステンレスやリン青銅などの金属等
で板バネ形状に形成された接続端子12を前面側が開放
された開口部13に延出させている。そして、ソケット
S1の開口部13に光モジュールM1の肉薄に形成され
ている一端部1aを挿入することにより、光モジュール
M1の接続端子2とソケットS1の接続端子12とが接
続される。これにより、光モジュールM1の光素子(光
半導体素子)を駆動させることが可能となる。
M1の電気回路基板上への実装方法について説明する。
い、リフロー半田付け等によって電気回路基板上に接続
される。ここで、ソケットS1はリフロー炉において電
気回路基板上に固定するために通常はSnPb半田を用
いるので、200℃〜300℃の高温にさらされること
になる。ところが、光モジュールM1に接続された光フ
ァイバコード10の光ファイバ周囲の被覆部分は、10
0℃を超える温度で劣化してしまうため、光モジュール
M1をソケットS1に接続させた状態でリフロー炉を通
過させることはできない。そこで、本発明においては光
モジュールM1をソケットS1から外しておき、ソケッ
トS1のみを電気回路基板上に実装するようにしてい
る。これにより、光ファイバコード10が高温にさらさ
れることはない。
して電気回路基板上へ実装された後に、このソケットS
1に光モジュールM1の一端部を差し込むことで、電気
回路基板上に光モジュールM1を実装することができ
る。ここで、光モジュールM1をソケットS1に挿入し
た状態では、光モジュールM1はソケットS1と電気回
路基板との間に挟まれ、光モジュールM1のパッケージ
1の下面1bは電気回路基板に当接されることになり、
光モジュールM1は堅固に固定される。
によれば、薄型の光モジュールを電気回路基板上にリフ
ロー実装する際に、熱に弱い光ファイバコードを高温に
さらさなくともよいようになる。
コネクタを使用していたために、フェルール及びスリー
ブ等の構造部材を使用し小型化が困難であったのに対
し、本実施形態では電気的接続によるため省スペース化
がしやすく、光モジュール自体の小型化が可能となる。
の間での押し付けは、電気的接触を得るにあたっては不
要であり、弦巻バネなどスペースを多く必要とする部材
も不要となるので、小型化が容易となる。また、着脱の
際には、従来の光コネクタのように端面の保護を考慮す
る必要がなく、操作性も良好である。また、小さなゴミ
の付着によって著しく性能が劣化する光コネクタを使用
する場合には、リフロー炉を通す際にその端面へのゴミ
の付着を防止するためにカバーの取り付け等が必要であ
るが、本発明の電気的接触による接続構造では全く不要
となる。
れた開口部13を有し、この開口部13は電気回路基板
に実装する側を切り欠いているので、ソケットS1の作
製が容易であるうえに、放熱性が良好となる。
び受光素子4)を駆動するための駆動回路を含ませるよ
うにしてもよい。一般に、駆動回路を含む光モジュール
において使用する駆動素子は発熱が特に大きい。先に述
べたとおり光素子は熱変動の影響を受けやすいため、本
実施形態のように光素子と駆動素子を分離することによ
り、光素子と駆動素子を同一封止筐体内に同梱するもの
に比べ、光モジュールの動作安定性を容易に確保するこ
とが可能となる。
1側を熱伝導率の高い材料で構成する、すなわち、ソケ
ットS1本体(接続端子12を支持する部分)を光モジ
ュールM1の基体(パッケージ1)より熱伝導性に優れ
た材料で形成することによって、駆動素子で発生する熱
の遮断を容易に行うことができる。例えば、光モジュー
ルM1の基体をセラミックス(アルミナ等)や樹脂等で
構成(熱伝導率:50W/mK以下)し、ソケットS1
本体をこれら材料より熱伝導率の高い金属(Cu−Wや
ステンレス等)やセラミックス(窒化アルミニウム等)
で構成(熱伝導率:100〜400W/mK程度)する
ことにより、ソケットS1内部の駆動素子で発生した熱
は光モジュールM1へ伝わる前に、ソケットS1本体を
伝わってソケットS1が搭載される電気回路基板上へ効
率よく放熱させることができ、光モジュールM1内部の
光素子への熱流入を抑えることが可能となる。
る光素子(特に、光半導体素子)及びその駆動素子は、
これらの性能(特に、動作速度(周波数など))は重要
なパラメータであるが、この2要素が最適にマッチング
していない場合が考えられる。例えば、光素子は10G
BPSの性能を有するのに対して、駆動素子の性能がこ
れより低い2.5GBPSである場合がある。この場
合、光モジュールは2.5GBPSの性能を示すものし
か構築することができない。しかし、本実施形態によれ
ば、この2要素がそれぞれ分離した状態で構成するた
め、いったん採用した光モジュールM1、またはソケッ
トS1のいずれかを交換することが可能となる。そのた
め、先の例において、10GBPSの高い性能を示す駆
動素子を用いたソケットが手に入った時点で、ソケット
のみを交換することが可能であり、光モジュール全体の
性能を10GBPSまで引き上げることが可能となる。
つまり、必要な部分のみの性能を適宜に向上させること
により、システム全体の性能を引き上げることが容易に
実現できる。
ールでは、外部の雑音が光素子の駆動に悪影響を与え、
光モジュールの性能を劣化させることが考えられる。例
えば、電気信号を光に変換する発光素子に直接電波が入
ることで、元々無かったはずの信号が伝送され誤作動の
原因となる。ここで、電波の発生要因としては最も考え
られるものとして、光素子の直近で動作している駆動素
子があげられる。本実施形態においては光素子と駆動素
子を別体とするため、光素子と駆動素子を別々にシール
ドすることが可能となり光素子に与える駆動素子からの
雑音電波を除外することが容易となり、光モジュールの
性能を向上させることが可能となる。
いて説明する。なお、以下の図において、図1と同様な
部材については一部説明を省略し符号を付さないものと
する。
の光モジュール本体15は、これを保持,係止するため
のホルダ16に、図示の矢印の方向へ挿入され、光モジ
ュール15は押さえ部材17によって外れないように保
持される。ここで、光モジュール15の接続端子(コネ
クタ電極)18は、ホルダ16の接続側へ露出されてい
る。このように、光ファイバコード19の端部に光モジ
ュール本体15が係止のための押さえ部材17などに内
包され、接続端子18がホルダ16を介して外部装置と
電気的に接続可能に形成されたものを電光コネクタと称
することにする。
シリコン基板などを用い薄型に形成することが可能であ
る。例えば、シリコン基板は1mm足らずでよく、パッ
ケージも含めて光モジュール全体の厚みを約2〜3mm
程度にすることが可能である。また、ホルダ16は樹脂
等により肉厚0.5mm程度とすることが可能であるた
め、電光コネクタの厚みは5mm程度以下にすることが
できる。
ンク用のPCカード20に接続することができる。例え
ば図3に示すように、データリンク用のPCカード20
の接続用開口部21の近傍にソケット(図示しない)が
配置されている。図2で説明した電光コネクタ22のコ
ネクタ用の電極は、PCカード20のソケットに挿入さ
れ電気的接続が実現されるとともに、電光コネクタ22
に形成した係止構造23によりPCカード20の開口部
21において係止され保持される。
Iと称されるものでは5mmの厚みが採用されている。
従来の光コネクタを使用する場合には、フェルールなど
の構造部品により厚みを薄くすることが不可能であり、
図9に示した従来例ではPCカード側の一部を省略する
などの対策によっても5mmが限界であった。しかしな
がら、光コネクタ接続は十分な係止力が無い場合、非常
に不安定な接続となり、図9に示した従来例では係止の
一部が省略された形になっているために十分な光接続を
確実に得るのは難しい。本実施形態の電光コネクタ22
を使用することにより、5mm以下という厚みは十分な
マージンを持って設計することが可能となるため、光フ
ァイバを用いたデータ通信用のPCカード用コネクタと
して必要十分な機能を提供することができる。
よってノート型PC本体内部に収容される。図9に示さ
れる従来例では発熱量の大きな発光素子などがPCカー
ド本体に配設されるため、ノート型PC本体内部で発熱
を生じることになる。また、ノート型PC本体で他の電
気モジュールによって大量に発生した熱が熱変動に弱い
光素子へ影響することが懸念される。
ァイバとともにノート型PC本体外部に配されるため、
発生した熱は外部へ発散され、また、ノート型PC本体
からの熱に影響されることが少なくなるメリットがあ
る。また、PCカードにソケットを実装する際に電気回
路基板と同様にリフロー半田付け等の一括搭載が可能で
あるため、PCカード自体の量産性をも向上することと
なる。
ュールに適用した例について説明する。
送受信モジュールM2に適用したものであり、図4のソ
ケットS2は図1のソケットと同様なものを使用するこ
とが可能である。
された信号が受信用ファイバ25に入力され、受信用フ
ァイバ25に接続されたPLC(Planer Lightwave Cir
cuit) 光回路26へ伝達される。また、PLC光回路2
6からの出力は、これに接続された送信用光ファイバ2
7を介して外部へ出力される。このように、2芯テープ
ファイバ28やPLC回路26等を利用することによ
り、光モジュール送受信処理を一括して行うモジュール
をも小型化することが可能になる。
素子、その他の光部品や電子部品等を集積搭載したもの
である。また、このPLC回路26は、図1に示す基板
6と同様の基板6a(すなわち、第2の基体)に配設さ
れている。また、この基板6aは図1に示すパッケージ
1と同様のパッケージ1a(すなわち、第1の基体)上
に配設されている。このパッケージ1aには、先端に図
1に示す接続端子2と同様の接続端子2aが形成されて
おり、基板6aにはPLC回路26を接続端子2aに接
続するための導体(不図示)が設けられている。
実施形態について説明する。
ュールM3は、平板状の基体30上に、図1で示した光
モジュールと同様な光素子(発光素子32、受光素子3
1)が搭載されている。また、基体30には精密に位置
決めされているV溝(不図示)が形成されており、光フ
ァイバ33をV溝上に配置することで発光素子32と光
ファイバ33の光結合が得られている。さらに、基体3
0上には発光素子32及び受光素子31から引き出され
た電極パッド34が形成されている。基体30における
電極パッド34の端部に斜面35が形成されている。基
体30に搭載した発光素子32及び受光素子31は基体
30上に設けられた透明樹脂36によって保護されてい
る。
トS1と同様な構成であるので符号及びその説明を省略
する。また、斜面35の存在により電極パッド34の先
端がソケットS3に挿入される際にソケットS3側の接
続端子と接触しても、その先端が欠けないようにするこ
とができる。
1を透明樹脂36等で保護し、光モジュール本体にサブ
マウントとして使用する基板自体に形成される電極パッ
ド34を、電気接続用コネクタ端子として利用すること
によって、光モジュール全体を小型化することが可能と
なり、従来、ワイヤボンド等によってパッケージと接続
していた部分が不要となり、作製工程が大幅に簡略化さ
れる。
の実施形態について説明する。
ジュールM4のように構成してもよい。すなわち、セラ
ミックや金属またはプラスチックの第1の基体であるパ
ッケージ37には、その内側37a及び外側37bにわ
たって電極端子38が形成されており、第2の基体であ
るサブマウント39上で発光素子41及び受光素子40
と光ファイバ42が位置決めされ光結合されている。な
お、光ファイバ42は押さえ板43により固定されてい
る。
4が形成されており、発光素子41及び受光素子40と
各々導通が取られている。発光素子47等が載置された
サブマウント39はその電極パッド44がパッケージ側
の電極端子38と不図示の導電性接着剤または半田等を
介して電気的接続が取られている。この際、電気的接続
に従来から用いられているワイヤボンドを利用していな
いため、電気回路の反射や損失を小さくすることが可能
となり、特に高い周波数の信号を利用する光モジュール
を構成する際にその特性が良好となる。また、従来のワ
イヤボンドにくらべ接触面積を大きく取ることが可能と
なるので、その放熱特性も良好となり、光素子に与える
熱の影響を小さくすることが可能となる。
す光モジュールM5のように構成してもよい。すなわ
ち、第2の基体であるサブマウント45には発光素子4
7及び受光素子46,光ファイバ48,押さえ板49等
が各々配設されており、発光素子47及び受光素子46
はサブマウント45上に設けられた透明樹脂50により
保護されている。また、サブマウント45とは別に、コ
ネクタ接続用の接続端子51を有するプラスチック,セ
ラミックス,ガラス,ガラスエポキシ樹脂等の適宜の材
料によって形成された第1の基体である端子基板52が
配設されている。
成されており、この電極パッド53と端子基板52の接
続端子51は、図6と同様にして導電性接着剤または半
田等を用いて接続されている。このようにして形成され
たサブマウント45は、インジェクションモールドさ
れ、これによりサブマウント45の周囲にパッケージ筐
体54が形成される。
52を別体にすることで、この端子基板52をサブマウ
ント45の材料とは異なる、剛性の高い材料(例えば、
セラミックス)や、逆に変形させることで応力を逃がす
構成とするためのやわらかい高分子材料等の可撓性材料
を用いることができ、これにより、端子基板52の強度
を確保することが可能になる。なお、以上はあくまで本
発明の実施の形態の例示であって、例えば、光素子であ
る受光素子に光ファイバ等の光導波体からの光を結合さ
せるようにしてもよく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の変更や改良を加えることは何ら差し支えない。
びその接続構造によれば、コネクタ部(またはソケット)
のみを電気回路基板上にリフロー半田付け等により実装
しておき、光ファイバコードを有する光モジュールまた
はその本体を後工程で取り付けることができ、光ファイ
バコードを高熱にさらす必要がなくなることから、電気
回路基板上への実装を確実且つ簡便に行うことが可能で
信頼性に優れた光モジュールを実現することができる。
いた光コネクタ接続を不要とすることができ、小スペー
スでも十分な信号伝送が可能な電気的接触によるコネク
タ構造が実現され、光モジュールはもとより、電気回路
ボード全体としての小型化低背化が可能となる。
せる場合、塵等の付着により使用不可となる懸念をなく
す光コネクタにカバーをしておく等の余分な手間がかか
るのに比べ、本発明の光モジュール及びその接続構造で
は、リフロー炉中に発生するレベルの塵などでは全く影
響を受けることはないので、電気回路基板への実装時の
取扱が極めて容易となる。
ル端面が研磨加工されており、突き合わせる際に研磨端
面に不要な傷を形成しないように細心の注意を払って連
結させる必要があるが、本発明の光モジュールの接続構
造では、電気的な接触による信号の伝達であり、電気的
接触は接触面に小さな傷があってもコンタクトが可能で
あることから、多少の傷があっても問題なく信号が伝送
され取扱が容易となる。
組立コストを大幅に低減することが可能になるととも
に、外形の小さな基体を用いることによりいっそうの小
型化が可能となり、実装方法がきわめて容易な低背化さ
れた光モジュールを形成することが可能となる。
て、異方性エッチング手法によって高精度にV溝加工が
可能である単結晶シリコン基板を使用することで、V溝
内に光ファイバを埋設することができ、さらなる低背化
が可能となる。すなわち、高精度加工のサブマウントと
してセラミックスまたはガラスの精密加工によるサブマ
ウントが従来から多く用いられており、加工に耐えうる
強度を確保するため、ある一定以上の厚みを持つ基板に
形成する必要があった。これに対し、異方性エッチング
による加工はメカニカルな加工法ではないため、基板に
与える力は小さいことから外形寸法は小さくすることが
可能となる。そのため、異方性エッチングを用いたシリ
コン基板を基体として利用することで、光モジュールの
さらなる低背化が可能となる。
ードに本発明の光モジュールを適用する場合、高さ寸法
を大幅に抑制する必要があるが、本発明では信号の伝達
部に電気的接触による薄型のソケットが利用できるの
で、それが可能となる。
用されるソケットは、その電気端子が回路基板の電気回
路に半田などの手段により接続されるが、この接続の際
には光ファイバコードが存在しないため、リフロー半田
付けなどにより他の電気回路部品と一括搭載が可能とな
る。リフロー炉を通過した後に、光ファイバコードを有
する光モジュール本体がソケットに接続されることで光
モジュールとして機能することになる。これらのことか
ら、電気回路基板上への実装を確実且つ簡便に行うこと
が可能で信頼性にも優れた光モジュール及びその接続構
造が実現される。
形態を模式的に説明する図であり、(a)は光モジュー
ルの蓋体を省略した光モジュール及びソケット部の平面
図、(b)は(a)の一部破断側面図である。
斜視図である。
PCカードに接続する様子を模式的に説明する斜視図で
ある。
式的に説明する一部破断平面図である。
式的に説明する図であり、(a)は平面図、(b)は一
部断面図である。
式的に示す一部断面図である。
式的に示す一部断面図である。
ある。
である。
Claims (6)
- 【請求項1】 一端部に光素子駆動用の接続端子を備え
た基体上に、少なくとも前記接続端子に接続された光素
子と、該光素子に光結合させる光導波体の一端部とを配
設して成る光モジュール。 - 【請求項2】 前記接続端子に、前記光素子の駆動回路
を備えたコネクタ部を接続したことを特徴とする請求項
1に記載の光モジュール。 - 【請求項3】 前記基体は、一端部に光素子駆動用の接
続端子を備えた第1の基体と、少なくとも前記接続端子
に接続される導体、該導体に接続される光素子、及び該
光素子に光結合させる光導波体の一端部を配設して成る
第2の基体とから成ることを特徴とする請求項1に記載
の光モジュール。 - 【請求項4】 前記コネクタ部本体を前記基体より熱伝
導性の高い材料で形成したことを特徴とする請求項3に
記載の光モジュール。 - 【請求項5】 一端部に光素子駆動用の接続端子を備え
た基体上に、少なくとも前記接続端子に接続された光素
子と、該光素子に光結合させる光導波体の一端部とを配
設して成る光モジュールを、前記光素子の駆動回路が設
けられた電気回路基板に配設したソケットに連結し、該
ソケットの接続端子と前記光モジュールの接続端子とを
接続するようにしたことを特徴とする光モジュールの接
続構造。 - 【請求項6】 前記ソケットは前記基体の一端部を挿入
する開口を有するとともに、該開口は前記電気回路基板
に配設する側を切り欠いており、かつ前記電気回路基板
に対向する内壁面に電気回路基板側へ付勢するバネ状の
接続端子を露出させていることを特徴とする請求項5に
記載の光モジュールの接続構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000195094A JP4936581B2 (ja) | 1999-06-29 | 2000-06-28 | 光モジュールの接続構造体 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-183264 | 1999-06-29 | ||
JP1999183264 | 1999-06-29 | ||
JP18326499 | 1999-06-29 | ||
JP2000195094A JP4936581B2 (ja) | 1999-06-29 | 2000-06-28 | 光モジュールの接続構造体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010204510A Division JP5404564B2 (ja) | 1999-06-29 | 2010-09-13 | 光モジュール及びその接続構造体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001077455A true JP2001077455A (ja) | 2001-03-23 |
JP4936581B2 JP4936581B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=26501777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2000195094A Expired - Fee Related JP4936581B2 (ja) | 1999-06-29 | 2000-06-28 | 光モジュールの接続構造体 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4936581B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0244706A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Nec Corp | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JPH03148190A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Nec Eng Ltd | 半導体レーザ送信パッケージ |
JPH04264785A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-21 | Hitachi Cable Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
JPH05175520A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 光電気回路混載モジュール |
-
2000
- 2000-06-28 JP JP2000195094A patent/JP4936581B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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