JP2001077098A - エッチング液、及びこれを用いる薄膜パターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置その他平面表示装置に用いる
アレイ基板等を構成する薄膜パターンの製造方法、及び
そのためのエッチング液において、金属薄膜１０２を多
層構造とせずとも、得られる薄膜パターン１０５のエッ
ジを充分になだらかなテーパー状とすることのできるも
のを提供する。 【解決手段】エッチング液は、容量Ａの８５％リン酸水
溶液、容量Ｂの９０％酢酸水溶液、及び、容量Ｃの７０
％硝酸水溶液を混合したとするならば、下記（１）〜
（２）式を満たす。 ０．２ ≦ Ａ÷（Ｂ＋Ｃ） ≦０．６ （１） ０．０４≦Ｃ÷（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）≦０．２ （２）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェットエッチン
グにより薄膜をパターニングするのに用いるエッチング
液、及びこれを用いた薄膜パターンの製造方法に関す
る。特には、液晶表示装置その他の平面表示装置等に用
いるアレイ基板を得るためのエッチング液及び薄膜パタ
ーンの製造方法に関し、中でも、アレイ基板上に薄膜ト
ランジスタを形成するためのものに関する。

【０００２】

【従来の技術】樹脂等のレジストパターンを用いて基板
上に形成された薄膜をパターニングすることにより薄膜
パターンを形成することが種々の分野で行われている。

【０００３】以下では、薄膜パターンとして、アクティ
ブマトリクス型表示装置のアレイ基板上に薄膜トランジ
スタを形成するためのものを例にとり説明する。

【０００４】アクティブマトリクス型表示装置として
は、光透過型のアクティブマトリクス型液晶表示装置が
最も一般的である。このようなアクティブマトリクス型
表示装置を構成するアレイ基板は、ガラス板等の透明絶
縁基板上に、複数本の信号線（データ線）及び走査線
（ゲート線）が格子状をなすように配列され、各交点に
近接して、画素ごとのスイッチング素子としての薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）が配置されて構成される。

【０００５】アレイ基板上のＴＦＴは、非晶質シリコン
(a-Si:H)等の半導体膜を活性層とするのが一般的である
が、近年では、活性層として、非晶質シリコンよりも高
い電子移動度を確保できる多晶質シリコン(poly-Si)等
を用いる試みが成されている。また、ＴＦＴの積層構造
としては、ゲート電極をなす走査線上にゲート絶縁膜を
設け、その上に半導体膜、ソース・ドレイン電極を設け
た逆スタガ型ＴＦＴを採用する場合が多い。

【０００６】逆スタガ型のＴＦＴにおいては、走査線の
薄膜パターンを形成する際に、薄膜パターンのエッジ
（輪郭）をなす端面が、基板面に対して充分になだらか
な傾斜面をなすようにする必要がある。すなわち、薄膜
パターンのエッジが、基板面に垂直な断面において、充
分に小さいテーパー角（端面と基板面がなす角）をなす
ようにする必要がある。薄膜パターンのエッジがテーパ
ー状でないと、エッジの個所で、ゲート絶縁膜による被
覆が不充分となって絶縁不良を起こしやすいからであ
る。

【０００７】なお、金属薄膜をパターニングする方法に
は、大別してウェットエッチングにより行う方法とドラ
イエッチングによる方法とがあるが、ウェットエッチン
グによりパターニングする場合には、ドライエッチング
により行う場合に比べて、エッチング装置が簡便であ
り、単位時間あたりの処理能力を大きくでき、また、大
面積にわたる均一なエッチングを見込むことができる。
そのため、平面表示装置用のアレイ基板上の薄膜パター
ンの製造に、ウェットエッチングが多用されている。

【０００８】エッジがテーパ状の薄膜パターンを製造す
る方法として、特開平４−３７２９３４号公報及び特開
平９−０６４３６６号公報には、金属薄膜をウェットエ
ッチングによりパターニングする方法にあって、当該金
属薄膜を、エッチングレートが互いに異なる複数の金属
層からなる多層金属薄膜としておく技術が開示されてい
る。

【０００９】詳しくは、基板上にアルミニウム（Ａｌ）
膜及びモリブデン（Ｍｏ）膜をこの順で堆積した後、リ
ン酸、酢酸、硝酸及び水からなる混酸でエッチングを行
うものである。上層にあるＭｏ層のエッチング速度が、
下層のＡｌ層のエッチング速度に比べて大きいので、エ
ッチングの際には、上層がレジストパターンの輪郭から
内側へと引き込まれるのに伴い、端面が基板面に対して
充分になだらかな、テーパー状のエッジが形成されるの
である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術の製造方法であると、金属からなる薄膜パターン
のエッジを充分になだらかなテーパー状とするために
は、２種の金属から成る多層金属膜とする必要がある。
このため、金属膜をスパッタリング等により成膜する場
合には、２種類の金属ターゲットを必要として材料費が
増大する上に、複数の成膜装置が必要となりコスト上昇
及び生産性低下の原因となる。

【００１１】本発明は、上記問題に鑑みなされたもので
あり、液晶表示装置その他平面表示装置に用いるアレイ
基板等を構成する薄膜パターンの製造方法、及びそのた
めのエッチング液において、金属薄膜を多層構造とせず
とも、得られる薄膜パターンのエッジを充分になだらか
なテーパー状とすることのできるエッチング液及び製造
方法を提供するものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明のエッチ
ング液は、基板上に薄膜パターンを製造するのに用い
る、リン酸、酢酸、硝酸及び水からなるエッチング液に
おいて、容量Ａの８５％リン酸水溶液、容量Ｂの９０％
酢酸水溶液、及び、容量Ｃの７０％硝酸水溶液を混合し
たとするならば、下記（１）〜（２）式を満たすことを
特徴とする。

【００１３】 ０．２ ≦ Ａ÷（Ｂ＋Ｃ） ≦０．６ （１） ０．０４≦Ｃ÷（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）≦０．２ （２） この発明によれば、金属薄膜を多層膜とせずとも、得ら
れる薄膜パターンのエッジを充分になだらかなテーパー
状とすることができる。したがって、金属薄膜を多層膜
とする場合に比べて、材料及び装置コストを低減し生産
性を向上することができる。

【００１４】請求項２の発明の薄膜パターンの製造方法
は、リン酸、酢酸、硝酸及び水からなるエッチング液を
用いる、基板上に堆積された薄膜からの、薄膜パターン
の製造方法において、前記エッチング液は、容量Ａの８
５％リン酸水溶液、容量Ｂの９０％酢酸水溶液、及び、
容量Ｃの７０％硝酸水溶液を混合したとするならば、下
記（１）〜（２）式を満たすことを特徴とする。

【００１５】 ０．２ ≦ Ａ÷（Ｂ＋Ｃ） ≦０．６ （１） ０．０４≦Ｃ÷（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）≦０．２ （２）

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の実施例について、ＴＦＴ
をスイッチング素子とするアクティブマトリクス型液晶
表示装置用のアレイ基板における薄膜パターンの製造を
例にとり、図１〜２を参照して説明する。

【００１７】図１は、走査線の薄膜パターンの製造を中
心とした、実施例に係るアレイ基板の製造工程について
説明するための模式的な縦断面図である。図２は、本実
施例で用いるエッチング装置の模式的な縦断面図であ
る。

【００１８】まず、完成したアレイ基板の基本的な構成
について、図２（ｅ）を参照しつつ説明する。

【００１９】アクティブマトリクス型液晶表示装置用の
アレイ基板は、ガラス等の透明絶縁基板１０１上にほぼ
平行に、かつ等間隔に配列された走査線１０５と、この
走査線１０５にほぼ直交し走査線１０５を覆うゲート絶
縁膜により走査線１０５から電気的に絶縁された信号線
１１６と、これら走査線１０５及び信号線１１６がなす
マトリクス状の区画ごとに配置される、ＩＴＯ(Indium
Tin Oxide)からなる画素電極と、走査線１０５及び信号
線１１６がなす交点付近に配置され、信号線１１６から
画素電極への信号入力をスイッチングする逆スタガ型の
ＴＦＴ１１７とからなる。

【００２０】走査線１０５は、ネオジム（Ｎｄ）を２モ
ル％（原子％）含有するＡｌ合金（以下、Ａｌ−Ｎｄ合
金と略称する）からなる。走査線１０５の上には、酸化
シリコン(SiOx)や窒化シリコン(SiNx)等からなるゲート
絶縁膜１０８を介して、非晶質シリコン(a-Si:H)膜等か
らなる半導体膜１０９が形成されている。

【００２１】この半導体膜１０９上、ＴＦＴ１１７のチ
ャネル部に相当する領域にはチャネル保護膜１１３が形
成され、この島状のチャネル保護膜１１３を両側から挟
むように、n⁺型a-Si:H等の半導体薄膜からなるコンタク
ト層１１４が形成される。コンタクト層１１４の上に
は、ソース電極１１１及びドレイン電極１１２が形成さ
れ、このドレイン電極１１２は信号線１１６と電気的に
接続される。これらソース電極１１１及びドレイン電極
１１２と、ＴＦＴ１１７のバックチャネル部とが、保護
絶縁膜１１５により覆われる。

【００２２】また、図示の実施例は、液晶表示装置用の
アレイ基板であるので、ソース電極１１１と電気的に接
続された、ＩＴＯ等からなる画素電極１１０が形成され
る。

【００２３】次に、走査線１０５の薄膜パターンを作成
するのに用いるエッチング装置２００について、図２を
用いて説明する。

【００２４】エッチング装置２００は、第１エッチング
室２１０、第２エッチング室２２０、及び水洗室２３０
が直結されたインライン処理方式のものである。

【００２５】第１エッチング室２１０は、レジストパタ
ーン１０４の輪郭に沿う薄膜のパターンが形成された時
点、すなわちジャストエッチングまでエッチングを行う
ものである。これに対して、第２エッチング室２２０
は、残留した不所望の膜を除去するために、さらにエッ
チングを行うものである。このように、２つのエッチン
グ室２１０，２２０が直結されたインライン処理によ
り、生産性が向上されている。

【００２６】図に示すように、これらエッチング室２１
０，２２０及び水洗室２３０は、略同一の構造を有し、
エッチング液または洗浄水を溜める内槽２０３を備え
る。これらエッチング室２１０，２２０及び水洗室２３
０の略下半部は、内槽２０３を収納する外槽２０４をな
す。

【００２７】内槽２０３中には基板１００を上下から挟
持して水平方向に移動させるための搬送ローラー２０７
が備えられ、内槽２０３の上方には複数のシャワーノズ
ル２０６が備えられる。これらシャワーノズル２０６
は、搬送される製造中のアレイ基板（以降単に基板とい
う）１００に、エッチング液又は洗浄水を基板全体にわ
たり略均一に吹きかけるように配置される。また、搬送
ローラー２０７は、エッチング液等を基板に吹きかける
際、及びこれに続いて基板１００をエッチング液等に浸
漬する際、基板１００全面にわたってエッチング液等を
均一に行き渡らせるために、回転方向の切替（反転）を
繰り返して基板を小刻みに往復運動させるように構成さ
れる。

【００２８】各エッチング室２１０，２２０の基板挿入
口２０１と内槽２０３との間には、基板１００にエッチ
ング液を吹き付ける入り口シャワー２０８が備えられ
る。入り口シャワー２０８の液噴出口の幅は、処理され
る基板１００の幅よりも大きく、基板１００の全面にわ
たってエッチング液が均一に行き渡るように構成されて
いる。このようにして、エッチングの対象であるＡｌ−
Ｎｄ合金と、エッチング液である混酸との反応が、基板
１００面内においてなるべく均一になるようにされる。

【００２９】一方、各エッチング室２１０，２２０の基
板排出口と内槽２０３との間には、基板１００上のエッ
チング液を払い落とすためのエアナイフ２０９が備えら
れる。

【００３０】図には示さないが、本実施例において、第
１エッチング室２１０にはジャストエッチングの時点を
検知するためのＥＰＭ(End point Monitor)が備えられ
る。ＥＰＭは、例えば、金属薄膜のジャストエッチング
を検知する場合、反射光量を連続的にモニターして、薄
膜が除去されて基板の下地が露出した際に反射光量の急
激な変化を捕らえるのである。このような場合、例え
ば、反射光量が所定の光量以下となった時点をジャスト
エッチングと判定するのである。ジャストエッチングの
時点の判定には、反射光量の変化量すなわち微分値をも
って行うのでも良く、また、基板１００が透過型である
場合に透過光量の変化を捕らえて行うのであっても良
い。

【００３１】第２エッチング室２２０及び水洗室の構成
２３０は、ＥＰＭが備えられない他は第１エッチング室
２１０と略同一である。

【００３２】第１及び第２エッチング室２１０，２２０
で用いるエッチング液は、いずれも以下の組成を有する
混酸水溶液（含水混酸）である。

【００３３】容量（体積）Ａの８５％リン酸水溶液、容
量Ｂの９０％酢酸水溶液、及び、容量Ｃの７０％硝酸水
溶液を混合したとするならば、下記（１）〜（２）式を
満たす。

【００３４】 ０．２ ≦ Ａ÷（Ｂ＋Ｃ） ≦０．６ （１） ０．０４≦Ｃ÷（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）≦０．２ （２） 上記においては混合操作の便宜に即した表現としたが、
言うまでもなく、これは、得られる混酸液の組成を特定
するものである。例えば９０％酢酸水溶液に代えて１０
０％酢酸（氷酢酸）を用い、７０％硝酸水溶液に代えて
６０％硝酸水溶液を用いたとしても最終的な組成が上記
により特定される範囲であればよい。

【００３５】エッチング液の組成が上記のようである
と、パターニングを行う際に用いるフォトレジストに収
縮が起こるため、レジストパターン１０４の輪郭に沿っ
た個所で、フォトレジストと、これに覆われる金属薄膜
１０２との間の界面にエッチング液が浸入する。したが
って、パターニングにより得られる薄膜パターンのエッ
ジ部は、上面側が優先的にエッチングされて、テーパー
状の断面を形成する。特には、テーパー角θを４５°以
下、好ましくは３０°以下とすることができる。

【００３６】エッチング液は、本実施例において、いず
れの場合も４０℃に加温して用いた。

【００３７】次に、実施例のアレイ基板の製造工程につ
いて、図１（ａ）〜（ｄ）を順に参照しつつ、説明す
る。

【００３８】図１（ａ）には、走査線１０５の薄膜パタ
ーンを形成するためのエッチングの前の状態、すなわ
ち、透明絶縁基板１０１上に金属薄膜１０２、及びレジ
ストパターン１０４を形成した状態を示す。

【００３９】詳しくは、３６０×４６５ｍｍ寸法のガラ
ス基板の上に、Ａｌ−Ｎｄ合金を、スパッタ成膜により
３００ｎｍの厚さに堆積させ、この後、フォトレジスト
を塗布し、露光及び現像により、所望の形状のレジスト
パターン１０４を形成する。

【００４０】フォトレジストとしては、上記エッチング
液に対して収縮性を有するものならば、いずれも使用可
能であり、一般的なアクリル系の光硬化性樹脂ならば好
適に使用できる。

【００４１】図１（ｂ）には、レジストパターン１０４
の形成後、第１エッチング室２１０でのエッチングの結
果、ジャストエッチングに達した時点の状態を示す。レ
ジストパターン１０４の輪郭に略一致するところまで、
金属薄膜１０２がパターニングされている。

【００４２】まず、基板１００を基板挿入口２０１から
第１エッチング室２１０に投入し、前記組成のエッチン
グ液を吹き付ける入り口シャワー２０８を通過させる。
基板１００は、入り口シャッター２０２を通過して搬送
ローラー２０７により内槽２０３中へと引き込まれ、全
体が内槽２０３中に引き込まれた時点で、内槽２０３上
方に配されたシャワーノズル２０６からのエッチング液
の散布が開始される。この状態で９秒間エッチングを行
う。この後、引き続き散布によるエッチングを行いつ
つ、６秒間かけて内槽２０３をエッチング液で満たし、
基板１００をエッチング液に浸漬させていく。

【００４３】基板１００がエッチング液に完全に浸漬し
た時点でエッチング液の供給を停止し、上記ＥＰＭによ
りジャストエッチングと判定される時点まで浸漬を続け
てエッチングを行う。本実施例においては、完全に浸漬
してからジャストエッチングまでの時間は、１１０〜１
１５秒であった。

【００４４】ジャストエッチングまでのエッチングの終
了後、基板１００を液面上に出し、搬送ローラー２０７
により内槽２０３から排出側へと押し出す。そして、エ
アナイフ２０９を通過させることにより、基板１００に
付着したエッチング液を除去した後、第２エッチング室
２２０へと送り込む。

【００４５】図１（ｃ）には、第２エッチング室２２０
でのさらなるエッチングを終了した際の状態を示す。

【００４６】第１エッチング室２１０と同様に作動する
第２エッチング室２２０で、まず、９秒間エッチング液
の散布によるエッチングを行い、次いで、エッチング液
を散布しつつ６秒間かけて基板をエッチング液に浸す。
基板がエッチング液中に完全に浸漬した時点で、エッチ
ング液の散布を停止し、この浸漬状態でのエッチング
を、第１エッチング室における浸漬時間の５０〜６０％
の時間、すなわち５５〜７０秒間実施する。

【００４７】エッチング液によるフォトレジストの収縮
は、一定以上は進行しないため、ジャストエッチングま
での時間よりもエッチング時間を長くするにつれて、得
られる薄膜パターンのエッジのテーパー角は徐々に大き
くなっていく。実験を繰り返して見たところ、第２エッ
チング室での浸漬エッチングの時間が、第１エッチング
室におけるジャストエッチングまでの浸漬エッチングの
時間の７０％以下であれば、テーパー角を４５°以下と
することができた。

【００４８】第２エッチング室でのエッチングの終了
後、基板を液面上に出し、第１エッチング室から第２エ
ッチング室への移送の場合と同様にして、水洗室へと基
板を移送する。水洗室で純水により洗浄した後、乾燥を
行った。

【００４９】図１（ｄ）には、走査線１０５の薄膜パタ
ーンを覆うフォトレジストを剥離した際の状態を示す。
走査線１０５の薄膜パターンの端面１０５ａは、基板１
００面に垂直の断面において、基板１００面に対して３
０°のテーパー角をなす。

【００５０】図１（ｅ）には、アレイ基板完成後の状態
を示す。以降、この図を参照して、走査線１０５の薄膜
パターンの形成後、アレイ基板の完成までの製造工程に
ついて概略を説明する。

【００５１】まず、得られた走査線１０５の薄膜パター
ンの上に、ＣＶＤ法により、膜厚３５０ｎｍのSiOx及び
膜厚５０ｎｍのSiONxを連続して堆積し、さらに、大気
に曝すことなく同一のＣＶＤ反応室（チャンバー）内
で、半導体膜１０９をなすための膜厚５０ｎｍのa-Si:
H、及び、チャネル保護膜１１３をなすための膜厚３３
０ｎｍのSiNxを連続して堆積する。

【００５２】基板１００をＣＶＤ反応室から取り出した
後、再度フォトレジストを塗布し、走査線１０５の薄膜
パターンをマスクとした裏面露光技術による露光、及
び、ＴＦＴ領域に対応する所定のマスクパターン（フォ
トマスク）を用いる露光の後に現像を行い、フッ酸によ
るウェットエッチング、及びフォトレジストの剥離を経
て、島状のチャネル保護膜１１３を作成する。

【００５３】次いで、良好なオーミックコンタクトが得
られるように、露出する半導体膜１０９の表面を、フッ
酸で処理する。引き続いて、ＣＶＤ法により、不純物と
してリンを含む膜厚５０ｎｍのn⁺a-Si:Hからなる低抵抗
半導体膜１１４を堆積する。そして、所定のマスクパタ
ーンを用いて露光、現像し、四フッ化炭素（ＣＦ_４）及
び酸素（Ｏ_２）の混合ガスを用いたＣＤＥ（ケミカルド
ライエッチング）法によるドライエッチング、及び、フ
ォトレジストの剥離を行うことにより、ＴＦＴのチャネ
ル部となる半導体膜１０９のパターンを作成する。この
上に、ＩＴＯをスパッタリングにより堆積し、フォトレ
ジストの塗布、露光及び現像、エッチング、及び、フォ
トレジストの剥離の一連の工程を経て、画素電極１１０
を作成した。

【００５４】この後、スパッタリングにより、膜厚２５
ｎｍのモリブデン(Mo)層、膜厚３５０ｎｍアルミニウム
(Al)層、及び、膜厚５０ｎｍのモリブデン(Mo)層を、こ
の順に堆積させる。そして、所定のマスクパターンを用
いる露光及び現像により、信号線１１６、ソース電極１
１１及びドレイン電極１１２のためのレジストパターン
を作成した後、リン酸、硝酸、酢酸、及び水からなる混
酸をエッチング液とするウェットエッチングによりＭ
ｏ、Ａｌ及びＭｏの三層金属膜を一括してパターニング
する。

【００５５】さらに、ソース及びドレイン電極をマスク
として、チャネル保護膜上に残存している低抵抗半導体
膜１１４をドライエッチングにより除去する。このドラ
イエッチングは、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、塩化水素
（ＨＣｌ）、酸素（Ｏ_２）及びヘリウム（Ｈｅ）からな
る混合ガスを用いるＰＥ（プラズマエッチング）法によ
り行う。そしてフォトレジストを剥離する。

【００５６】続いて、ＣＶＤ法により窒化シリコン(SiN
x)を堆積した後、所定のマスクパターンを用いる露光、
及び現像と、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、窒素（Ｎ_２）、
ヘリウム（Ｈｅ）及び酸素（Ｏ_２）からなる混合ガスを
用いるＰＥ法によるドライエッチングと、フォトレジス
トの剥離とを経て、保護絶縁膜１１５を作成し、図１
（ｅ）のようなアレイ基板を完成させる。

【００５７】以上に説明したように、本実施例の薄膜パ
ターンの製造方法によれば、走査線１０５を形成するた
めの金属薄膜１０２を複数の金属層からなる積層構造と
せずとも、得られる薄膜パターンの端面１０５ａを、基
板面に対して充分になだらかな傾斜面とすることができ
る。したがって、生産性の向上と材料費の削減を達成し
つつ、走査線１０５を覆う絶縁膜の欠陥による絶縁不良
の発生を充分に抑制することができる。

【００５８】上述した実施例では、走査線１０５を作成
するための導電性薄膜として、Ａｌ−Ｎｄ合金を用いる
例により説明したが、金属アルミニウムあっても、他の
アルミニウム合金であっても良い。また、金属モリブデ
ンや、モリブデン−タングステン合金（Ｍｏ−Ｗ）等の
モリブデン合金であっても良い。

【００５９】また、上述の実施例では、半導体膜として
非晶質シリコン(a-Si:H)からなる膜を用いたが、多結晶
性シリコン(poly-Si)や、微結晶性シリコンからなる膜
であっても良い。

【００６０】

【発明の効果】本発明のエッチング液及びこれを用いる
薄膜パターンの製造方法によれば、薄膜を、エッチング
レートが互いに異なる複数の層からなる積層構造とせず
とも、得られる薄膜パターンのエッジを、充分になだら
かなテーパー状とすることができる。したがって、薄膜
を積層構造とする場合に比べて、生産性の向上と、材料
コストの削減とを図ることができ、製造コストを大幅に
引き下げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係るアレイ基板の製造工程について説
明するための模式的な縦断面図である。図１（ａ）に
は、走査線の薄膜パターンを形成するためのエッチング
の前の状態を示す。図１（ｂ）には、ジャストエッチン
グに達した時点の状態を示す。図１（ｃ）には、このよ
うにして、走査線の薄膜パターンが完成した際の状態を
示す。図１（ｄ）には、薄膜パターン上のフォトレジス
トを剥離した際の状態を示す。また、図１（ｅ）には、
アレイ基板完成後の状態を示す。

【図２】実施例で用いるエッチング装置の模式的な縦断
面図である。

【符号の説明】

１００ 製造中のアレイ基板 １０１ ガラス基板 １０２ 金属薄膜（Ａｌ−Ｎｄ） １０４ レジストパターン １０５ 走査線 １０５ａ 走査線の端面 ２００ エッチング装置 ２０２ 入り口シャッター ２０３ 内槽 ２０６ 内槽上のシャワーノズル ２０７ 搬送ローラー ２０８ 入り口シャワー ２０９ エアナイフ ２１０ 第１エッチング室 ２２０ 第２エッチング室 ２３０ 水洗室

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１７Ｋ Ｆターム(参考） 5F043 AA23 AA24 AA26 BB16 EE07 FF03 GG02 GG04 5F110 BB01 CC07 EE03 EE04 EE06 EE23 EE37 EE44 FF02 FF03 FF09 FF29 GG02 GG13 GG14 GG15 GG25 HK03 HK04 HK09 HK16 HK22 HK33 HM18 NN03 NN12 NN24 NN35 QQ05 QQ09

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に堆積された薄膜から、レジストパ
   ターンに沿って薄膜パターンを製造するのに用いる、リ
   ン酸、酢酸、硝酸及び水からなるエッチング液におい
   て、 容量Ａの８５％リン酸水溶液、容量Ｂの９０％酢酸水溶
   液、及び、容量Ｃの７０％硝酸水溶液を混合したとする
   ならば、下記（１）〜（２）式を満たすことを特徴とす
   るエッチング液。 ０．２ ≦ Ａ÷（Ｂ＋Ｃ） ≦０．６ （１） ０．０４≦Ｃ÷（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）≦０．２ （２）
2. 【請求項２】リン酸、酢酸、硝酸及び水からなるエッチ
   ング液を用い、基板上に堆積された薄膜から、レジスト
   パターンに沿って薄膜パターンを製造する薄膜パターン
   の製造方法において、 前記エッチング液は、容量Ａの８５％リン酸水溶液、容
   量Ｂの９０％酢酸水溶液、及び、容量Ｃの７０％硝酸水
   溶液を混合したとするならば、下記（１）〜（２）式を
   満たすことを特徴とする薄膜パターンの製造方法。 ０．２ ≦ Ａ÷（Ｂ＋Ｃ） ≦０．６ （１） ０．０４≦Ｃ÷（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）≦０．２ （２）
3. 【請求項３】得られる薄膜パターンのエッジが、基板面
   に垂直の断面において、４５°未満のテーパー角をなす
   ことを特徴とする請求項２記載の薄膜パターンの製造方
   法。
4. 【請求項４】前記薄膜が、金属アルミニウム（Ａｌ）、
   またはアルミニウムを主体とする合金であることを特徴
   とする請求項２記載の薄膜パターンの製造方法。
5. 【請求項５】前記薄膜が、金属モリブデン（Ｍｏ）、ま
   たはモリブデンを主体とする合金であることを特徴とす
   る請求項２記載の薄膜パターンの製造方法。
6. 【請求項６】前記薄膜の膜厚が、１００〜５００ｎｍで
   あることを特徴とする請求項２記載の薄膜パターンの製
   造方法。
7. 【請求項７】前記薄膜から、前記レジストパターンと輪
   郭が一致するパターンを得る第１エッチング工程と、さ
   らにオーバーエッチングを行う第２エッチング工程とを
   含み、 これらの工程を同一のエッチング液及びエッチング温度
   にて行った場合に、前記第２エッチング工程の時間が、
   前記第１エッチング工程の時間の７０％以下であること
   を特徴とする請求項２記載の薄膜パターンの製造方法。