JP2001051271A - 表示素子 - Google Patents
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- JP2001051271A JP2001051271A JP11222993A JP22299399A JP2001051271A JP 2001051271 A JP2001051271 A JP 2001051271A JP 11222993 A JP11222993 A JP 11222993A JP 22299399 A JP22299399 A JP 22299399A JP 2001051271 A JP2001051271 A JP 2001051271A
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Abstract
に十分な応答スピードを達成する。 【解決手段】 発光素子と、この発光素子からの光が導
入され中途部から当該導入光を取り出すことが可能な光
導波路と、この光導波路から取り出される光をオン・オ
フする光スイッチと、光導波路から取り出された光によ
り励起されて発光する色変換部材とを有する表示素子で
ある。光導波路としては、少なくとも一部がクラッド層
を有しない光ファイバ、あるいは、少なくとも一部がコ
ア層と同等の屈折率とされたクラッド層を有する光ファ
イバを用いる。光源に青または紫の紫外線を使用し、光
導波路に光ファイバを用い、光スイッチ、例えば液晶の
複屈折により光のオン・オフを制御し、色変換部材(例
えば蛍光体)を励起させることで、自発光カラー表示が
実現される。
Description
発光素子からの光をオン・オフすることにより蛍光体等
を励起発光させる光導波路型で且つ発光型の新規な表示
素子に関する。
ンマシンインターフェースとして益々需要が高まってき
ている。
自発光型と受光型とに分類されており、自発光型の電子
ディスプレイデバイスとしては、CRT(cathode ray
tube)、プラズマディスプレイ(PDP)、エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイ(ELD)、蛍光表示管
(VFD)発光ダイオード(LED)等が知られてい
る。
は、液晶ディスプレイ(LCD)やエレクトロクロミッ
クディスプレイ(ECD)、電気泳動ディスプレイ(E
PID)、分散粒子配向型ディスプレイ(SPD)、着
色粒子回転型ディスプレイ(TBD)等が知られてい
る。
ョン受像機として上記のディスプレイを考えた場合、容
積や消費電力が大きかったり、ハイデフィニション信号
に追従する応答スピードが足りない等、省スペース、省
電力、高画質の面から、十分に完成されているとは言い
難い。
1970年代に、光導波路と光スイッチを組み合わせた
薄型ディスプレイが提案されている(米国特許第383
8908号参照)。
折率を制御し、光導波路の全反射を制御しようというも
のである。
やLED等が実用化されておらず、また光導波路の光伝
送損失が多大であり、光スイッチに用いた液晶の配向制
御等が十分に研究されていなかったため、商品化には至
っていない。
レイの実用化が進み、その低コスト化が図られている。
また、液晶ディスプレイの欠点として、色純度の不十分
さ、明るさの不足が指摘されているが、それを解決する
手段として、液晶のバックライトとして白色光ではなく
紫外光または青色光を用い、液晶パネルをシャッタとし
て使用し、前面に蛍光体を配したディスプレイが考案さ
れている(特開平5−203909号公報、特開平9−
197372号公報参照)。
光ファイバを使用して導波させ、液晶スイッチにてオン
・オフするディスプレイも提案されている(J.Viitane
n, et.Al., VTT,“Fiber optical liquid crystal disp
lays”, SPIE Vol.1976 High-Definition Video, 293,
1993)。
には至っていないのが実情である。
たものであり、省スペース、省電力、高画質を実現で
き、十分な応答スピードを有する新規な表示素子を提供
することを目的とする。
めに、本発明の表示素子は、発光素子と、この発光素子
からの光が導入され中途部から当該導入光を取り出すこ
とが可能な光導波路と、この光導波路から取り出される
光をオン・オフする光スイッチと、光導波路から取り出
された光により励起されて発光する色変換部材とを有す
ることを特徴とするものである。
ッド層を有しない光ファイバ、あるいは、少なくとも一
部がコア層と同等の屈折率とされたクラッド層を有する
光ファイバを用いる。
路、光シャッタ、蛍光体等の色変換部材を組み合わせた
新規な構成を有する表示素子であり、高速スイッチが可
能であること、光源を効率よく使用する自発光型である
ため非常に明るいこと、薄型化、大型化、高精細化が可
能であること、等の長所を有する。
について、図面を参照しながら詳細に説明する。
体レーザまたは発光ダイオードを、光導波路に光ファイ
バ(ワイヤまたはロッド状のもの)を使用し、全反射を
制御する光スイッチに液晶、特に高速スイッチが可能で
あり複屈折差が大きな強誘電性液晶を用い、前面に蛍光
体を配してなるものである。
化、大型化、高精細化が可能であり、光源を効率よく使
用する自発光型であるため非常に明るく、大画面で必要
とされるコントラスト比500:1を実現することがで
きる。
を示すものであり、その断面構造を示すものである。
板1(例えばコーニング7059)の上に低屈折率ポリ
マー2により光ファイバ3が固定されており、さらにそ
の上に光スイッチとなる液晶層4、色変換部材である蛍
光体層5が形成されている。
るための透明電極6,7が例えばXYマトリクス電極と
して形成されており、さらには液晶層4の液晶分子を配
向するための配向膜8,9が形成されている。
あり、上記ガラス基板1と所定の間隔をもってガラス基
板10を対向配置することによりセルを構成し、この中
に液晶材料を充填することにより形成している。したが
って、一方の透明電極7及び配向膜9は、このガラス基
板10上に形成されることになる。
材料あるいは有機材料よりなるワイヤまたはロッド状の
ものであり、基板上に作製する三次元導波路とは異な
り、別の工程であらかじめ作製した導波路層単体のこと
である。そして、導波径と比較して、その長さは十分に
大きい。
り、特に規定はしないが、例えば、円形、多角形等とす
ればよい。強誘電性液晶は、かまぼこ状の形状の上であ
ってもコントラスト良く配向することが可能である。
よって基板に固定して用いる。
は、三次元構造をとるために、予め均一に塗布した後、
エッチング加工をしなければならない。化学エッチング
ではミクロンオーダーの加工精度が得られず、加工精度
を高くするためには反応性イオンエッチング(RIE)
等の方法が考えられるが、その際、導波路表面を荒らす
ことになり、光損失を大きくする。実際に、高分子型三
次元導波路と高分子型光ファイバの光損失を比較する
と、それぞれ0.16dB/cm(波長633nmにお
いて)(K.S.Brown, et. Al.,“Characterization of P
oly(Phenylsilsesquixane)Thin-Film Planar optical
Waveguides”, IEEE Photonics Technology Letters,
Vol. 9,No.6,1997)と0.4dB/m(波長633
nmにおいて)であり、その差は歴然としている。
るが、強誘電性液晶、あるいは反強誘電性液晶が好まし
い。
れているため、2環性分子が大半を占める一般的なネマ
テイック液晶とは異なり、複屈折差が大きいという特徴
がある。屈折率変化を利用した全反射を制御する光スイ
ッチは、複屈折差が大きいほど損失が少ない。特に、強
誘電性液晶は、印加電界に対して液晶分子自体が持つ永
久双極子が作用するため、マイクロ秒オーダの応答速度
が可能であり(ネマティック液晶の応答速度は、ミリ秒
オーダ)、ハイデフィニションに代表される高精細なデ
ィスプレイの駆動に十分対応できる。
のHDTVの場合、アクティブ素子等を使用せずに、単
純マトリクス駆動をすると 1/30Hz/1125ライン=29.6μ秒 プログレッシブ信号のUXGAの場合は、 1/60Hz/1200ライン=14μ秒 となる。
うに、液晶分子長軸と基板面に平行に偏波した光線の入
射方向の成す角をφとすると、下記数1で表され、
(Y.Sadorihara,et.al., Technology Report of the
0saka University, Vol.42,No.2091,pp.137,19
92)、配向方向を制御することによりn⊥<neff <n
//の範囲の値をとる。
⊥:液晶分子短軸方向の屈折率)光スイッチを設計する
上で最も重要な点は液晶の屈折率の制御である。オン・
オフ比を最も良くするためにはオン状態とオフ状態での
neff を次のように選定する。
ると、上述した式は下記数2のように書き換えられ、そ
の際、neff OFF<nf<neff ONが条件である(nf :光
ファイバの屈折率)。ここでθとは、ある液晶組成物と
配向膜を使用した場合のチルト角とする(図2参照)。
際、φを選択するには、光ファイバの屈折率との関係か
ら次のように考える。例として、n⊥を1.493、n
//を1.667、θが20°の液晶材料、屈折率が1.
59の光ファイバを使用したとすると、φと実効屈折率
neff の関係は図3のように計算される。したがって、
φが31°のとき、オン時オフ時ともに、最もnf との
差が大きくなる。したがって、配向処理方向を41°と
すればよいことになる。
路の屈折率によって必要条件は異なるが、短軸方向の屈
折率n⊥が光導波路のクラッド層またはコア層の屈折率
以下で、屈折率異方性△nが0.1以上であることが好
ましい。
カルシャッタ等を利用することも可能である。
いる。蛍光体にはエネルギーの大きな低波長紫外線が有
用であるが、液晶や高分子系の有機物は紫外に吸収を持
つものが多く、劣化が予想されるためである。また紫外
線に対する透明度の問題も回避できる。
て、蛍光体を使用する。
緑色発光素子を使用した場合の変換効率を比較する(蛍
光体の量子効率を1とする。)。
mとすると、発光素子が青色の場合、緑色、赤色両方で
64.8%、発光素子が緑色の場合、青色、赤色両方で
51.9%、発光素子が赤色の場合、青色、緑色両方で
37.2%となる。発光素子よりも低波長側である場合
は、変換効率は低下する。そのため、光源は青色以下の
波長を使用するのがよい。
画素の色変換部材にはレーザ色素有機蛍光体を用いても
よい。これはレーザの特性のひとつであるスペックル効
果を回避するためである。有機蛍光体はストークス効果
分程度の波長のずれの色変換が得意であるため、材料選
択の幅も広い。
な構成であるが、光源に低波長の半導体レーザまたは発
光ダイオ−ドを、光導波路に光ファイバ(ワイヤまたは
ロッド状のもの)を使用し、全反射を制御する光スイッ
チに液晶、特に高速スイッチが可能であり複屈折差が大
きな強誘電性液晶を用い、前面に、蛍光体を配したディ
スプレイの伝送損失の計算結果を示す。
チサイズ(3.1m2)のディスプレイを考えたとき、 π×200nit=628lm/m2(683lm=1W at 550nm) R 612nm 比視感度 0.50 205 lm/m2 0.6 W/m2 1.86W G 530nm 比視感度 0.86 353 lm/m2 0.6 W/m2 1.86W B 470nm 比視感度 0.17 70 lm/m2 0.6 W/m2 1.86W 合計 5.58W となる。理想値ではあるが、かなりの高効率である。強誘
電性液晶を使用した場合は、その最大の特徴であるメモ
り性のため、すなわち双安定であるため、2値しかとる
ことができない。本発明をフルカラーで表示する方法と
しては、時分解法や面積階調法の他に、光源であるレー
ザまたはLEDの光強度変調等が考えられる。
するにあたり、液晶の配向を画面全体にわたって均ーに
行うのが難しい場合は、図4に示すように、配向膜11
上に低屈折率ポリマー層12を形成した後、画素部分の
みに空隙13を残し、この中に液晶材料14を入れ、低
屈折率ポリマーで覆った状態としてもよい。その際、液
晶は注入では行わず、塗布型で行う。画素面積は、10
0インチであっても1mm2 程度であるので、液晶の配
向が容易となる。
の配向を選択してもよい。その場合、単純マトリクスで
は駆動せず、アクティブ素子を各画素に設ける。
詳細に説明するが、本発明がこの実施例によって限定さ
れるものではないことは言うまでもない。
ガラス基板(コーニング社製、商品名7059)上の全
面に、低屈折率ポリマー(旭硝子社製、商品名サイトッ
プ:屈折率1.34)を50μm厚にスキージを用いて
塗布した。
後、ポリカーボネートの光ファイバ(屈折率1.59、
ファイバ径1mm:クラッド層とコア層の屈折率を調整
し、その差は0.01以下)を10ライン分配列し(ポ
リカーボネートの光ファイバは、屈折率を液晶の複屈折
間に持ち、耐熱性がよい。)、120℃で1時間焼成し
た。
素を形成するように、透明電極(ITO)を20nm厚
にOFF AXIS法を用いてRFマグネトロンスパッタした。
VA)薄膜をスピンコートし(重合度5OO、1重量%
水溶液、200rpm 5秒+2000rpm 20秒)、11
0℃で1時間焼成した。焼成後、配向方向を、光導波方
向から(π/2−θ)分傾けた方向に設定して、ラビン
グ処理を行つた(θ:強誘電性液晶のチルト角)。
TO透明電極付きガラス基板上(40mm×25mmx
0.1mm)に同様にPVAラビング配向膜を形成し
た。
ガラス基板に、沈降法を用いて細粒径タイプの無機蛍光
体(ZnS:Cu,Al)を50μm厚に形成した。
み合わせ、3.0μmのスペーサ(触媒化成社製、真し
球)を0.15重量%混合した紫外線硬化樹脂により貼
り合わせた。その間隙に、強誘電性液晶組成物を100
℃で注入した。使用した強誘電性液晶組成物の物性値を
表1に示す。ファイバの断面形状は円状であったが、良
配向が得られた。
に、計算を行った。結果を図5〜8に示す。
定した。
面に平行とした。入射・出射カップリングは、TiO2
ルチルプリズムを用いて行った。
1kHz矩形波±5Vを印加した。
パワーメータ(TQ8210:アドバンテスト社製)を
用い、液晶層を形成しない導波路の効率を100%と
し、液晶層を形成した後の効率を計算した。結果を表2
に示す。
蛍光体の発光が観測された。
明の表示素子は、光ファイバを光導波路とした発光型デ
ィスプレイ構造を有するものであり、光損失が少ないた
めに発光効率が良く、構造が単純であるため大型化が可
能であり、そのサイズに関わらず薄型化することができ
る等、数々の利点を有する。
状の材質を選択することにより、持ち運びに容易な形に
変形(丸めるなど)することも可能となる。
略断面図である。
との関係を示す模式図である。
す模式図である。
率のφ依存性を示す特性図である。
率のφ依存性を示す特性図である。
屈折率のφ依存性を示す特性図である。
屈折率のφ依存性を示す特性図である。
ファイバ、4 液晶層、5 蛍光体層、6,7 透明電
極、8,9 配向膜
Claims (9)
- 【請求項1】 発光素子と、この発光素子からの光が導
入され中途部から当該導入光を取り出すことが可能な光
導波路と、この光導波路から取り出される光をオン・オ
フする光スイッチと、光導波路から取り出された光によ
り励起されて発光する色変換部材とを有することを特徴
とする表示素子。 - 【請求項2】 上記光導波路は、少なくとも一部がクラ
ッド層を有しない光ファイバよりなることを特徴とする
請求項1記載の表示素子。 - 【請求項3】 上記光導波路は、少なくとも一部がコア
層と同等の屈折率とされたクラッド層を有する光ファイ
バよりなることを特徴とする請求項1記載の表示素子。 - 【請求項4】 上記発光素子は、レーザまたは発光ダイ
オードであり、上記光導波路と光学的に接続されている
ことを特徴とする請求項1記載の表示素子。 - 【請求項5】 上記発光素子の主発光ピークの波長が5
00nm以下であることを特徴とする請求項4記載の表
示素子。 - 【請求項6】 上記光導波路は、発光素子波長における
光伝送損失が少なくとも5dB/mであることを特徴と
する請求項1記載の表示素子。 - 【請求項7】 上記光ファイバの径が、(表示素子の縦
方向長さ)/(垂直解像度)又は(表示素子の横方向長
さ)/(水平解像度)の10%以上であることを特徴と
する請求項2又は3記載の表示素子。 - 【請求項8】 上記光スイッチが、電圧の印加により駆
動される液晶層よりなることを特徴とする請求項1記載
の表示素子。 - 【請求項9】 上記液晶層の液晶材料が、強誘電性液晶
又は反強誘電性液晶であることを特徴とする請求項8記
載の表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11222993A JP2001051271A (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | 表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11222993A JP2001051271A (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | 表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001051271A true JP2001051271A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16791137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11222993A Pending JP2001051271A (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | 表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001051271A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1585087A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Display element, image observation system having display element, and image projection system |
US7625138B2 (en) | 2007-07-11 | 2009-12-01 | Fujitsu Component Limited | Optical waveguide holding member and optical transceiver |
US7665911B2 (en) | 2007-07-13 | 2010-02-23 | Fujitsu Component Limited | Optical waveguide holding device and optical transceiver |
CN109116597A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-01 | 深圳市速腾聚创科技有限公司 | 液晶光波导与激光雷达 |
-
1999
- 1999-08-05 JP JP11222993A patent/JP2001051271A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1585087A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Display element, image observation system having display element, and image projection system |
US7039287B2 (en) | 2004-03-30 | 2006-05-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Display element, image observation system having display element, and image projection system |
US7625138B2 (en) | 2007-07-11 | 2009-12-01 | Fujitsu Component Limited | Optical waveguide holding member and optical transceiver |
US7665911B2 (en) | 2007-07-13 | 2010-02-23 | Fujitsu Component Limited | Optical waveguide holding device and optical transceiver |
CN109116597A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-01 | 深圳市速腾聚创科技有限公司 | 液晶光波导与激光雷达 |
CN109116597B (zh) * | 2018-09-21 | 2024-01-16 | 深圳市速腾聚创科技有限公司 | 液晶光波导与激光雷达 |
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