JP2001047549A

JP2001047549A - 透明導電性フィルム

Info

Publication number: JP2001047549A
Application number: JP11223190A
Authority: JP
Inventors: Yukinori Asakawa; 浅川　　幸紀; Masato Koyama; 正人小山; Masaaki Kikkai; 正彰吉開; Akira Suzuki; 彰鈴木; Akiyoshi Nakajima; 明美中島
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1999-08-06
Filing date: 1999-08-06
Publication date: 2001-02-20

Abstract

(57)【要約】【課題】優れた耐久性及び電磁波遮蔽性を有する透明
導電性フィルムを提供する。【解決手段】透明基体（Ａ）の一方の主面上に金属酸
化物または金属硫化物から形成された高屈折率透明薄膜
層（Ｂ）、及び少なくとも銀を含む金属薄膜層（Ｃ）か
ら形成された透明導電層が（Ｂ）／（Ｃ）を繰り返し単
位として３〜５回繰り返し積層され、さらにその上に高
屈折率透明薄膜層（Ｂ）が形成された透明導電性フィル
ムであって、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）中の水素原子と
金属原子の存在比〔水素原子数（Ｈ）／金属原子数
（Ｍ）〕が０．０５〜０．４５であることを特徴とする
透明導電性フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性フィル
ムに関する。詳しくは、プラズマディスプレイ（ＰＤ
Ｐ）、ブラウン管（ＣＲＴ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）
等の表示装置から発生する電磁波を効率良く低減させる
電磁波フィルターとして好適に用い得る透明導電性フィ
ルムに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の社会情勢にみられる高度情報化に
伴い、マン−マシンインタフェイスの役割を担う表示装
置の重要性も高まっている。その中でテレビジョン用、
パーソナルコンピュータ用、駅や空港などの案内表示
用、その他各種の情報提供用に用いられている大画面表
示装置にも高画質化、高効率化、薄型化が要求されてい
る。

【０００３】現在、次世代大画面フラットパネルディス
プレイの代表候補の１つとして、プラズマディスプレイ
パネル（以下、ＰＤＰ）が注目されるようになり、ま
た、すでに一部が市場に出始めている。しかしながら、
ＰＤＰにはその原理上の問題から強度の漏洩電磁界を発
生するという問題点を有している。漏洩電磁界は他の電
気・電子機器等の誤作動、通信障害などを引き起こし、
最近では人体に対する影響も懸念されている。特にＰＤ
Ｐ装置からは、そのプラズマ中の励起原子から発生する
近赤外線光がコードレスフォン、リモコン等の電子機器
に作用してしまう。

【０００４】そのため、一般的にディスプレイ装置、特
にＰＤＰには、漏洩電磁界および近赤外光をシールドす
るためのフィルター（以下、電磁波フィルター）が用い
られている。一般的な電磁波フィルターの構成は、支持
板の片面に電磁波シールド層を形成し、支持板の他の片
面および電磁波シールド層が形成されたフィルム表面に
反射防止層が形成されたものが挙げられる。これらの部
材を貼り合わせ、塗布等の手法で組み合わせてＰＤＰ光
学フィルターとして用いている。

【０００５】電磁波フィルターの近赤外線および電磁界
のシールド材料としては現在のところ大きく分けてア
ースした金属メッシュ、または、合成樹脂または金属繊
維のメッシュに金属を被覆したものと、近赤外線を吸収
する色素とを組み合わせたものと、アースした酸化イ
ンジウム−錫（ＩＴＯ）に代表される透明導電性薄膜と
（場合によっては）近赤外線を吸収する色素とを組み合
わせたものがある。

【０００６】の例としては、特開平９−３３０６６７
号公報には、透明樹脂板上に導電性ペーストをメッシュ
状に塗布乾燥させて作成した電磁波シールド板がある。
の透明導電性薄膜を基体上に形成した例としては、特
開平１０−７３７１９号公報などに記載された、透明高
分子フィルムの一方の主面上に、高屈折率透明薄膜層
（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）が順次、（Ｂ）／（Ｃ）を繰
り返し単位として４回以上繰り返し積層され、さらにそ
の上に高屈折率透明薄膜層（Ｂ）、透明樹脂層が形成さ
れた調光フィルムが貼り合わされたディスプレイ用光学
フィルターが挙げられる。これらの電磁波フィルターを
用いると効率良くＰＤＰ（匡体）から発生する電磁波、
および近赤外線をシールドすることが可能となる。特に
後者の例では、電磁波シールド層として透明導電性薄膜
を使用しており、前者と比較してメッシュによる遮光部
分の発生やモワレの発生がない。これらの電磁波シール
ド層自体は、機械的強度が充分ではないためにガラス板
やプラスチック板などの支持板とともに用いられる。

【０００７】また、この中で、ＩＴＯ等の金属酸化物に
代表される高屈折率薄膜層と銀を主成分とする金属薄膜
層とを積層したものは、透明性が高く、表面抵抗率が低
く、良好な電磁波シールド機能を有するために好ましく
用いることができる。しかしながら、この高屈折率薄膜
層と金属薄膜層とを積層した基体の場合、Ｉ)主に銀層
の劣化による反射性欠陥の発生、および、ＩＩ)表面抵
抗値が金属メッシュと比較して一桁以上高いため、電磁
波シールド能が充分でないなどの問題が発生していた。

【０００８】この問題を解決するためさまざまな検討が
試されてきたが、充分な効果が得られなかった。上記
Ｉ)を解決するため、例えば、特公昭５９−４４９９３
号公報に示されるように、銀薄膜層を銀−金薄膜層とす
ることで銀層の劣化を改善することができた。しかし、
この場合、銀−金合金の抵抗率が銀よりも高いために表
面抵抗率が高くなり、上記Ｉ）ＩＩ）を両立させること
はできなかった。

【０００９】一方、上記ＩＩ)の問題を解決するため、
本発明者らは特開平１０−７３７１８号公報において高
屈折率透明薄膜層と金属薄膜層の積層体からなる透明導
電層において各金属薄膜層を薄くし、積層の繰り返し回
数を増やすことにより透明性を維持したまま、更に抵抗
率を低下させることができることを提案していた。しか
し、金属薄膜層として銀を用いた場合、銀層の劣化の問
題は解決できていないままであった。また、同公報にお
いて、透明導電層の周端部を保護することにより銀層の
劣化を防止できることを提案していたが、周端部を保護
することにより銀層の劣化の大部分を抑えることはでき
たものの充分でなく、周端部以外から発生する劣化の問
題が残った。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、従来の技術では解決することの困難であった、優れ
た耐久性及び電磁波シールド性を有し、電磁波シールド
用フィルターとして好適に使用し得る透明導電性フィル
ムを提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、透明導電層の
銀層の劣化は、外気と接触する表面から起こり、内部へ
向かって進行すること、その進行の度合は高屈折率透明
薄膜層の構造、特に高屈折率透明薄膜層の水素原子の含
有量により大きく異なることを見出し、本発明を完成し
た。

【００１２】すなわち、本発明は、透明基体（Ａ）の一
方の主面上に金属酸化物または金属硫化物から形成され
た高屈折率透明薄膜層（Ｂ）、及び少なくとも銀を含む
金属薄膜層（Ｃ）から形成された透明導電層が（Ｂ）／
（Ｃ）を繰り返し単位として３〜５回繰り返し積層さ
れ、さらにその上に高屈折率透明薄膜層（Ｂ）が形成さ
れた透明導電性フィルムであって、高屈折率透明薄膜層
（Ｂ）中の水素原子と金属原子の存在比〔水素原子数
（Ｈ）／金属原子数（Ｍ）〕が０．０５〜０．４５であ
ることを特徴とする透明導電性フィルムである。

【００１３】本発明に係わる透明導電性フィルムの好ま
しい態様として、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）中の水素原
子と金属原子の存在比〔水素原子数（Ｈ）／金属原子数
（Ｍ）〕が０．１〜０．２である前記透明導電性フィル
ムが挙げられる。また、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）の金
属酸化物が酸化インジウム、酸化インジウムー錫、およ
び酸化錫の中から選ばれた少なくとも１種の酸化物であ
る前記透明導電性フィルムが挙げられる。

【００１４】本発明に係わる透明導電性フィルムは、電
磁波シールド能が高く、しかも耐環境性に優れる。その
ため、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ブラウン管
（ＣＲＴ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のディスプレイ
の電磁波シールド用フィルターとして好適に使用するこ
とができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の透明導電性フィルムは、透明基体（Ａ）
の一方の主面上に、金属酸化物または金属硫化物により
形成される高屈折率透明薄膜層（Ｂ）、及び少なくとも
銀を含む金属薄膜層（Ｃ）から形成された透明導電性薄
膜層を（Ｂ）／（Ｃ）を繰り返し単位として３〜５回繰
り返し積層し、更に、その最上層に高屈折率透明薄膜層
（Ｂ）を積層することにより製造される。

【００１６】本発明に用いる透明基体としては、透明プ
ラスチックフィルムが例示される。透明プラスチックフ
ィルムは、透明であれば特に限定されないが、例えば、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリアリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネ
ート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレン、ポ
リエステル、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド
等のホモポリマー、およびこれらの樹脂のモノマーと共
重合可能なモノマーとのコポリマーからなる高分子フィ
ルムが挙げられる。

【００１７】透明プラスチックフィルムの形成法として
は、溶融押し出し法、キャスト法、カレンダー法等、公
知のプラスチックフィルムの製造法を用いることが可能
である。また、後述するように透明導電性フィルムは透
過色・反射色ともに好ましくない色である場合がある。
その際の色の補正を目的として透明プラスチックフィル
ムを着色することも可能である。着色の方法としては、
前記プラスチックフィルムを形成する際に色素と前もっ
て混合してからフィルム化する方法、樹脂中に色素を分
散させインキ化し、塗布乾燥させる方法、着色したプラ
スチックフィルムを貼り合わせる方法等が挙げられる。

【００１８】透明プラスチックフィルムの全光線透過率
は、７０％以上であることが好ましく、７５％以上であ
ることが更に好ましく、８０％以上であることが最も好
ましい。これらの透明プラスチックフィルムの全光線透
過率は９２％を超えることは一般的にはない。ただし、
反射防止層などを形成して光線透過率を上げることによ
り上記の値を越えることは可能である。また、透明プラ
スチックフィルムの厚みは、ハンドリング性の観点から
２５〜２５０μｍが好ましい。

【００１９】更に、透明導電層との密着性を向上させる
ことを目的として、透明導電層を形成する面に、例え
ば、水性ポリウレタン系、シリコン系コート剤等の密着
性を向上させるための下地層を形成することも可能であ
る。

【００２０】透明導電性フィルムは、メッシュの場合と
異なり、電磁波シールド面全体を覆っており、ディスプ
レイの表示分解能を落とすことがない。また、近赤外線
の反射能も兼ね備えており、更にロール状での加工が可
能であるなど多くの優れた特徴を有しており、本発明の
目的に良く合致する。

【００２１】透明導電層の形成は、透明プラスチックフ
ィルムの片面上に形成することが好ましい。両面上に形
成すると透明導電層のアースが困難となり好ましくな
い。本発明に用いる透明導電層としては、透明性が高
く、電磁波シールド能は表面抵抗に比例するため、低抵
抗率の高屈折率薄膜層（Ｂ）と金属薄膜層（Ｃ）とから
形成することが好ましい。一般的に透明導電性薄膜とし
て知られている酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）や酸化亜
鉛（ＺｎＯ）などの金属酸化物系透明導電性薄膜層単独
の場合、表面抵抗値を下げるためには薄膜層を厚くする
必要があり、その場合、全光線透過率が大幅に低下し好
ましくない。また、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）と金属薄
膜層（Ｃ）とは繰り返し積層することが好ましい。この
場合、最表面層は、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）であるこ
とが好ましい。最表面層が金属薄膜層（Ｃ）である場
合、空気層もしくは樹脂層と金属層との間に直接反射す
る界面ができるため、光の反射が大きくなり、光線透過
率が大幅に低下するために好ましくない。また、金属層
が直接外気にさらされ金属層の劣化が進行し、この観点
からも好ましくない。

【００２２】透明プラスチックフィルムの一方の主面上
に、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）が順
次、（Ｂ）／（Ｃ）を繰り返し単位として３〜５回繰り
返し積層され、さらにその上に高屈折率透明薄膜層
（Ｂ）が形成されていることが好ましい。繰り返し回数
が上記の範囲よりも多い場合には、各層の膜厚の誤差が
全体の光学特性の精度に大きく影響を及ぼすようにな
り、しかも生産性が悪くなるために好ましくない。ま
た、繰り返し積層の回数が少ないと有効に電磁波をシー
ルドするためには各金属薄膜層の厚みを厚くしなくては
ならない。その場合、反射強度が大きくなるため、全光
線透過率が著しく低下し、要求される光学特性を達成す
ることが困難となるため、好ましくない。

【００２３】本発明で用いる透明導電性フィルムの表面
抵抗率は０．５〜８Ω/□であることが好ましい。０．
７〜４Ω/□であることが更に好ましい。表面抵抗率が
上記の範囲内である場合、良好なシールド特性と光学特
性とを両立することが可能となる。表面抵抗率が上記の
範囲よりも低い場合、電磁波シールド特性自身は良好で
あるものの、光線透過率が著しく低下するために好まし
くない。また、表面抵抗率が上記の範囲よりも高い場合
は、光学特性は良好になるものの、電磁波シールド特性
が悪くなるために好ましくない。

【００２４】上記透明導電性フィルムの全光線透過率は
４０％以上であることが好ましい。５０％以上であるこ
とが更に好ましく、５５％以上であることが最も好まし
い。全光線透過率が上記の値よりも低い透明導電性フィ
ルムを用いた電磁波フィルターをディスプレイに組み付
けると画面が暗くなるために好ましくない。

【００２５】本発明では透明導電層として、一部に金属
薄膜層（Ｃ）を用いている。そのため、金属薄膜層
（Ｃ）と透明屈折率薄膜層（Ｂ）との厚みを光学的に最
適化しても金属薄膜層による光の吸収、反射を避けるこ
とはできない。従って、一般的には、本発明で用いる透
明導電層の全光線透過率は８０％を超えることはない。

【００２６】本発明で用いる高屈折率透明薄膜層（Ｂ）
としては、屈折率が１．８以上の材料により形成するこ
とが好ましい。このような高屈折率透明薄膜層（Ｂ）を
形成しうる具体的な材料としては、インジウム、チタ
ン、ジルコニウム、ビスマス、錫、亜鉛、アンチモン、
タンタル、セリウム、ネオジウム、ランタン、トリウ
ム、マグネシウム、ガリウム等の酸化物、これらの酸化
物の混合物、複合酸化物や硫化亜鉛等が挙げられる。こ
れら酸化物あるいは硫化物は、金属と酸素、硫黄との間
の化学量論的な組成にずれがあっても、光学特性を大き
く変えない範囲にあれば差し支えない。これらの材料の
中で、酸化インジウム、酸化インジウム−錫（ＩＴ
Ｏ）、酸化錫は透明性が高く、屈折率が高いことに加え
て、成膜速度が速く、金属薄膜層（Ｃ）との密着性が良
好であることから好ましく用いることができる。

【００２７】高屈折率透明薄膜層（Ｂ）の厚みは、要求
する光学特性から求まるものであり、特に制限されるも
のではないが、各層の厚みは２〜６００ｎｍが好まし
い。５〜２００ｎｍが更に好ましい。また、先にも述べ
たように高屈折率透明薄膜層（Ｂ）は、金属薄膜層
（Ｃ）と繰り返し積層して用いるが、各高屈折率透明薄
膜層（Ｂ）は同じ材料である必要はなく、また、同じ厚
みである必要もない。高屈折率透明薄膜層（Ｂ）の成膜
方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法、イオンビームアシスト法、真空蒸着法、湿式塗工
法など公知の手法を用いることができる。これらの内、
スパッタリング法が最も好ましい。

【００２８】上記の成膜方法によって得られる高屈折率
透明薄膜層（Ｂ）の金属酸化物中の水素原子と金属原子
の存在比〔（水素原子数（Ｈ）／金属原子数（Ｍ）〕が
０．０５〜０．４５であることが好ましい。上記の範囲
内で良好な電磁波シールド能、透明性、耐久性を得るた
めには、金属酸化物または金属硫化物から形成された高
屈折率透明薄膜層（Ｂ）中の水素原子と金属原子の存在
比〔水素原子数（Ｈ）／金属原子数（Ｍ）〕が０．１〜
０．２であることが更に好ましい。上記の範囲で高屈折
率透明薄膜層（Ｂ）の金属酸化物中に適切な量の水素を
含有させることは、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）の外的要
因に対する安定性を上げ、塩素に代表される活性物質に
よる銀層の劣化の進行を防止することになる。また上記
の範囲以上の水素を添加することは、高屈折率透明薄膜
層（Ｂ）の良好な透明度が得られない。

【００２９】上記の成膜方法によって得られる高屈折率
透明薄膜層（Ｂ）の金属酸化物中に水素原子を含有させ
るためには、例えば、スパッタリングガス中に水素ガス
等の水素原子供給源を混合することが好ましい。また、
所望の水素原子と金属原子の存在比を持つ金属酸化物を
得るためには、スパッタリングガス中に水素ガス等の水
素原子供給源を混合する混合比を制御することが好まし
い。銀層の劣化を防止する高屈折率透明薄膜層（Ｂ）を
得るためには、供給源に水素ガスを用いた場合、スパッ
タリング主ガスに対する水素ガスの混合比を３〜２０体
積％に保つことが好ましい。７〜１０体積％が更に好ま
しい。

【００３０】金属薄膜層（Ｃ）の材料としては、銀金属
単体もしくは銀を含む金属層であることが好ましい。銀
はその表面抵抗率の低さ、赤外反射特性が良好なこと、
高屈折率透明薄膜層（Ｂ）と積層した場合の可視光線透
過特性が優れるために好ましく用いることができる。

【００３１】高屈折率透明薄膜層（Ｂ）の場合と同じよ
うに各金属薄膜層（Ｃ）の厚みは、要求する光学特性と
表面抵抗率から求まるものであり、また、各金属層の厚
みは島状構造でないことが好ましいため４ｎｍ以上が好
ましく、透明性の観点から３０ｎｍ以下が好ましい。先
にも述べたように、金属薄膜層（Ｃ）は高屈折率透明薄
膜層（Ｂ）と繰り返し積層して用いるが、各金属薄膜層
（Ｃ）は同じ材質である必要はなく、また、同じ厚みで
ある必要もない。金属薄膜層の成膜方法としては、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム
アシスト法、真空蒸着法、湿式塗工法など公知の手法を
用いることができる。これらの内、スパッタリング法が
最も好ましい。

【００３２】また、透明導電層は特に金属薄膜層（Ｃ）
の劣化防止を目的として透明導電層の周端部を封止する
事も可能である。例えば、トリアジンアミン系化合物、
チオジプロピオン酸エステル系化合物、ベンゾイミダゾ
ール系化合物単独もしくはこれらの化合物を含む透明樹
脂を前記の目的のために使用することが可能である。

【００３３】このようにして得られた透明導電性フィル
ムは、一般的に可視光域に吸収を持つため好ましくない
透過色、反射色を呈する場合がある。その補正を目的と
して前述した透明基体を着色する方法を用いることがで
きる。

【００３４】上記の如くして製造される、本発明に係わ
る透明導電性フィルムは、全光線透過率が４０％以上で
あることが好ましい。５０％以上であることが更に好ま
しく、６０％以上が最も好ましい。全光線透過率が上記
の値よりも低い場合、これを電磁波シールド用フィルタ
ーとして用いたときに、ディスプレイの画面が暗くなり
好ましくない。また、本発明において用いる透明導電性
薄膜には金属薄膜層が用いられているので全光線透過率
が７８％を超えることは一般的にはない。また、全体の
厚みは２５〜２５０μｍ程度、表面抵抗率は０．５〜８
Ω／□程度である。

【００３５】

【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。な
お、評価項目・評価方法に関しては以下のようにして行
なった。

【００３６】（１）全光線透過率（％）分光光度計［(株)日立製、製品名：Ｕ−３５００型］を
用いて、得られた各試料の任意の５点を測定し、その平
均値を算出する。

【００３７】（２）表面抵抗率（Ω／□）４探針式表面抵抗率測定装置［三菱化学（株）製、製品
名：ロレスタＳＰ］を用いて、得られた各試料の任意の
１０点を測定し、その平均値を算出する。

【００３８】（３）耐環境性（ｈｒ）塩水中での反射性の欠陥の発生までの時間を測定する。
塩水は、塩化ナトリウム（和光純薬製）１．８ｇを純水
１０００ｍｌ中に溶解させた溶液を用いた。得られた各
試料を１００ｍｍ×１００ｍｍに切り出し、２３℃の前
述の塩水中に保管し、０．１ｍｍ径の反射性の欠陥が発
生するまでの時間を測定する。

【００３９】（４）水素原子含有量（ａｔ％）標準試料の作製シリコンウエハー上に厚み１．３μｍの酸化インジウム
（ＩＴＯ）膜を成膜する。圧力が０．０１Ｐａとなるよ
うに排気した後、スパッタリングガス流量（容積）比を
アルゴンガス／酸素ガス／水素ガス：９２／５／３と
し、全圧が０．５Ｐａになるまで導入する。この状態で
マグネトロンＤＣスパッタリング法により成膜する。昇温脱離ガス質量分析法（ＴＤＳ−ＭＳ）による標準
試料単位面積当たりの放出水素原子量の計測昇温脱離ガス質量分析装置［電子科学製、製品名：ＥＭ
Ｄ−ＷＡ１００Ｓ型］を用いて測定する。試料ステージ
の昇温速度は６０℃／ｍｉｎ、試料ステージの昇温範囲
は６０〜１１００℃とする。触針式段差計による標準試料膜厚計測触針式段差計［スローン社製、製品名：Ｄｅｃｋｔａｋ
３０３０型］を用いて成膜時にマスクされていた部分と
マスクされていなかった部分の段差を計測する。前記及びの結果より、標準試料ＩＴＯ膜中の水素
平均濃度を算出する。２次イオン質量分析による標準試料のＳＩＭＳ強度測
定４重極型２次イオン質量分析装置［ＣＡＭＥＣＡ／ＲＩ
ＢＥＲ社製、製品名：ＭＩＱ−２５６型］を用いて、次
の条件により測定する。１次イオン種はＣｓ⁺、１次イ
オン加速電圧５ｋＶ、１次イオン電流１００ｎＡ、１次
イオン入射角は垂線に対し６０度とする。２次イオン質量分析による各試料の水素／インジウム
強度比を測定する。前記、及びの結果より水素原子含有量の算出各試料の積層膜分子量、及び密度は、ＩＴＯの分子量：
２７７．６４、密度：７．１８ｇ／ｃｍ³として計算す
る。

【００４０】実施例１厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
フィルム（東洋紡績株式会社製、製品名：Ａ−４１０
０）の一方の主面上にＰＥＴフィルム側から酸化インジ
ウム薄膜／銀薄膜／酸化インジウム薄膜／銀薄膜／酸化
インジウム薄膜／銀薄膜／酸化インジウム薄膜の積層構
造からなり、それぞれの厚みが４０／１０／８０／１０
／８０／１０／４０ｎｍである透明導電性フィルムを得
た。なお、酸化インジウム薄膜の形成は、ターゲットに
酸化インジウムを用い、圧力が０．０１Ｐａとなるよう
に排気した後、スパッタリングガス流量比をアルゴンガ
ス／酸素ガス／水素ガス＝９２／５／３（体積比）と
し、全圧が０．５Ｐａになるまで導入した。この状態で
マグネトロンＤＣスパッタリング法により成膜した。ま
た、銀薄膜の形成は、ターゲットに銀を用い、圧力が
０．０１Ｐａとなるように排気した後、全圧が０．５Ｐ
ａになるまでアルゴンガスを導入した。この状態でマグ
ネトロンＤＣスパッタリング法により成膜した。得られ
た透明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、耐
環境性、及び、酸化インジウム層中の水素原子含有量を
上記方法により測定した。得られた結果を〔表１〕にま
とめた。

【００４１】実施例２酸化インジウム薄膜形成時のスパッタリングガス流量比
をアルゴンガス／酸素ガス／水素ガス＝８８／５／７
（容積比）とした以外は、実施例１と同様にして透明導
電性フィルムを得た。得られた透明導電性フィルムの全
光線透過率、表面抵抗率、耐環境性、及び、酸化インジ
ウム層中の水素原子含有量を実施例１と同様にして測定
した。結果を〔表１〕にあわせて示す。

【００４２】実施例３酸化インジウム薄膜形成時のスパッタリングガス流量比
をアルゴンガス／酸素ガス／水素ガス＝８５／５／１０
（容積比）とした以外は、実施例１と同様にして透明導
電性フィルムを得た。得られた透明導電性フィルムの全
光線透過率、表面抵抗率、耐環境性、及び酸化インジウ
ム層中の水素原子含有量を実施例１と同様にして測定し
た。結果を〔表１〕にあわせて示す。

【００４３】比較例１酸化インジウム薄膜形成時のスパッタリングガス流量比
をアルゴンガス／酸素ガス／水素ガス＝７５／５／２０
（容積比）とした以外は、実施例１と同様にして透明導
電性フィルムを得た。得られた透明導電性フィルムの全
光線透過率、表面抵抗率、耐環境性、及び、酸化インジ
ウム層中の水素原子含有量を実施例１と同様にして測定
した。結果を〔表１〕にあわせて示す。

【００４４】比較例２酸化インジウム薄膜形成時のスパッタリングガス流量比
をアルゴンガス／酸素ガス／水素ガス＝９５／５／０
（容積比）とした以外は、実施例１と同様にして透明導
電性フィルムを得た。得られた透明導電性フィルムの全
光線透過率、表面抵抗率、耐環境性、及び、酸化インジ
ウム層中の水素原子含有量を実施例１と同様にして測定
した。結果を〔表１〕にあわせて示す。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【発明の効果】本発明に係わる透明導電性フィルムは、
優れた耐久性及び電磁波遮蔽性を有する。従って、従来
のものでは不可能であった電磁波シールド能が高く、し
かも耐環境性に優れる電磁波シールド用フィルターとし
て好適に使用することができる。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｖ５Ｊ０２０Ｈ０１Ｑ 17/00 Ｇ０２Ｂ 1/10 ＡＨ０５Ｋ 9/00 Ｚ (72)発明者吉開正彰愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地三井化学株式会社内 (72)発明者鈴木彰愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地三井化学株式会社内 (72)発明者中島明美愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地三井化学株式会社内Ｆターム(参考） 2K009 BB14 BB24 CC03 CC14 DD03 DD04 EE03 4F100 AA09B AA09D AA17B AA17D AA28B AA28D AA33B AA33D AB01C AB01E AB24C AB24E AK01A AK42 AT00A BA05 BA07 BA08 BA10A BA10D EH66 GB41 JA20 JA20A JA20B JA20C JA20D JA20E JD08 JG01 JG04 JL01 JM01E JM02B JM02C JM02D JN01 JN01A JN01B JN01D JN18B JN18D YY00 YY00A YY00B YY00C YY00D YY00E 5E321 AA04 BB23 BB25 GG05 GH01 5G307 FA02 FB01 FB02 FB04 FC02 FC10 5G435 AA14 AA16 FF02 GG33 HH02 HH12 KK07 LL04 LL08 5J020 BD01 EA04 EA05 EA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基体（Ａ）の一方の主面上に金属酸
化物または金属硫化物から形成された高屈折率透明薄膜
層（Ｂ）、及び少なくとも銀を含む金属薄膜層（Ｃ）か
ら形成された透明導電層が（Ｂ）／（Ｃ）を繰り返し単
位として３〜５回繰り返し積層され、さらにその上に高
屈折率透明薄膜層（Ｂ）が形成された透明導電性フィル
ムであって、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）中の水素原子と
金属原子の存在比〔水素原子数（Ｈ）／金属原子数
（Ｍ）〕が０．０５〜０．４５であることを特徴とする
透明導電性フィルム。
【請求項２】透明基体（Ａ）が、厚みが２５〜２５０
μｍ、全光線透過率が少なくとも７０％の透明プラスチ
ックフィルムであることを特徴とする請求項１記載の透
明導電性フィルム。
【請求項３】高屈折率透明薄膜層（Ｂ）の金属酸化物
が酸化インジウム、酸化インジウム−錫、および酸化錫
の中から選ばれた少なくとも１種の酸化物であることを
特徴とする請求項１記載の透明導電性フィルム。
【請求項４】高屈折率透明薄膜層（Ｂ）中の水素原子
と金属原子の存在比〔水素原子数（Ｈ）／金属原子数
（Ｍ）〕が０．１〜０．２であることを特徴とする請求
項１記載の透明導電性フィルム。
【請求項５】高屈折率透明薄膜層（Ｂ）の厚みが５〜
２００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の透明
導電性フィルム。
【請求項６】金属薄膜層（Ｃ）の厚みが４〜３０ｎｍ
であることを特徴とする請求項１記載の透明導電性フィ
ルム。
【請求項７】透明導電性フィルムの厚みが２５〜２５
０μｍ、表面抵抗率が０．５〜８Ω／□であることを特
徴とする請求項１記載の透明導電性フィルム。