JP2001043685A - Microcomputer incorporating eeprom - Google Patents
Microcomputer incorporating eepromInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電気的に書き込
み、消去可能な不揮発性メモリ(以下、EEPROMと
いう)内蔵マイクロコンピュータに関し、とくに、車等
に搭載し、走行距離を表すデータのように単純に+1等
に変化するデータ処理に用いるEEPROM内蔵マイク
ロコンピュータに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microcomputer with built-in electrically erasable and erasable nonvolatile memory (hereinafter referred to as "EEPROM"). The present invention relates to a microcomputer with built-in EEPROM used for data processing that changes to +1 or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、車載されるEEPROM内蔵マイ
クロコンピュータは、ODOやTRIPといった走行距
離をあらわすためのデータなどを処理する為に用いられ
ている。このうち、総走行距離を表すODOデータは、
走行距離が1Kmまたは1マイルといった基本単位距離ご
とに単純に+1変化し、随時EEPROMに書き換えら
れるため、EEPROMへの書き換え回数が極端に多く
なる。2. Description of the Related Art Conventionally, a microcomputer with built-in EEPROM mounted on a vehicle has been used for processing data such as ODO and TRIP for indicating a traveling distance. Of these, the ODO data representing the total mileage is
Since the traveling distance simply changes by +1 for each basic unit distance such as 1 km or 1 mile and is rewritten to the EEPROM at any time, the number of rewriting to the EEPROM becomes extremely large.
【0003】また、マイクロコンピュータ内蔵EEPR
OMへのデータ書き込みは、内蔵ROMの命令もしくは
外部命令にて実行されるが、EEPROMのどのアドレ
スに書き込むかはプログラマーが指定する必要がある。[0003] Also, an EEPROM with a built-in microcomputer
Writing data to the OM is executed by a command in the built-in ROM or an external command, but it is necessary for a programmer to specify which address of the EEPROM to write.
【0004】このため、ODOデータのようにEEPR
OMセル単体の書き換え保証回数以上の書き換えが想定
されるようなデータを扱う場合には、プログラマーが意
識して書き込むアドレスを操作する必要がある。したが
って、EEPROMセルの書き換え回数保証が高い、す
なわちエンデュランス特性に優れたEEPROM内蔵マ
イクロコンピュータが要求されている。[0004] For this reason, EEPR data such as ODO data is used.
When handling data that is expected to be rewritten more than the guaranteed number of rewrites of the OM cell alone, it is necessary for the programmer to consciously manipulate the address to be written. Therefore, there is a demand for a microcomputer with built-in EEPROM that has a high guarantee of the number of times of rewriting of the EEPROM cell, that is, has excellent endurance characteristics.
【0005】不揮発性半導体記憶装置のエンデュランス
特性を向上させるという目的の先行技術として、例え
ば、特開平07−057489号公報に開示されている
ように、フラッシュEEPROMにおいてデータ書き換
え前後でデータに変更のないメモリセルの書き換えを行
わないような制御回路を用いてエンデュランス特性を向
上することが提案されている。As a prior art for the purpose of improving the endurance characteristic of a nonvolatile semiconductor memory device, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 07-057489, there is no change in data before and after rewriting data in a flash EEPROM. It has been proposed to improve the endurance characteristics by using a control circuit that does not rewrite the memory cells.
【0006】この先行技術文献に開示された手法は、メ
モリセルの記憶データと新規書き換えデータとを比較
し、データ書き換え前後でデータに変更の有ったメモリ
セルに対してのみ書き換えを行うものである。しかしな
がら、車等で用いられる走行距離データのような単純増
加変化するデータを随時書き換える場合には、少なくと
も最下位のビットは常に書き換わることになる。The technique disclosed in this prior art document compares stored data of a memory cell with newly rewritten data, and performs rewriting only on a memory cell whose data has changed before and after data rewriting. is there. However, when data that simply increases and changes, such as travel distance data used in a car or the like, is rewritten at any time, at least the least significant bit is always rewritten.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来例
では、走行距離のような常に書き変わるデータをEEP
ROMに書き込むため、このようなデータを書き込むメ
モリセルは、書き換え保証回数にすぐに達してしまう。
従って、装置としての寿命が極めて短く問題点がある。
またこの問題点を解決するためには、走行データを書き
込むメモリセルを変更するためのソフトウエア的処理が
必要となってしまう。In the above-described conventional example, data that is constantly rewritten, such as mileage, is stored in the EEP.
Since the data is written to the ROM, the memory cell to which such data is written immediately reaches the guaranteed number of rewrites.
Therefore, there is a problem that the life of the device is extremely short.
In order to solve this problem, software processing for changing the memory cell in which the travel data is written is required.
【0008】本発明の目的は、内蔵するEEPROMの
書き換え保証回数が向上し、しかもそのための特別なソ
フトウエア処理が必要ない、EEPROM内蔵マイクロ
コンピュータを提供することにある。An object of the present invention is to provide a microcomputer with built-in EEPROM, in which the number of times of rewriting of the built-in EEPROM is assured and special software processing is not required.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明のEEPROM内
蔵マイクロコンピュータは、CPUを介してEEPRO
Mに対して書込を行うEEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータにおいて、前記EEPROMの所定アドレスに対
して書き込むデータを監視し前記データの数に応じた選
択信号を発生する選択制御部と、前記選択信号に応答し
て前記所定アドレスに対応した前記EEPROMの書き
込み領域を決定し前記データを書き込む書き込み手段と
を有することを特徴とする。前記選択制御部は前記デー
タがその設定値以上である場合に検出信号を発生するN
(Nは2以上の整数)個の比較器と、前記N個の比較器
のうちどの比較器が前記検出信号を発生しているかを検
出しその検出結果に応じた前記選択信号を発生するワー
ドデコーダとを有することを特徴とする。前記N個の比
較器は、前記EEPROMを構成するメモリセル単体の
書き換え保証回数に比例した設定値であって、それぞれ
異なる数が設定値として設けられていることを特徴とす
る。前記所定アドレスとは異なる他のアドレスが更に設
定され、前記選択信号に応答して他のデータが前記他の
アドレスに対応したEEPROMの書き込み領域に書き
込まれることを特徴とする。更に本発明はCPUと、前
記CPUに接続した内部バスと、前記内部バスに接続し
前記EEPROMに対してデータの書き込み制御を行う
EEPROM制御部とを有するEEPROM内蔵マイク
ロコンピュータにおいて、前記EEPROM制御部は、
前記EEPROMの所定アドレスに対して書き込むデー
タの数の変化に応じて前記EEPROMの書き込む領域
を変化させる選択制御手段を有することを特徴とする。
前記選択制御部は前記データがその設定値以上である場
合に検出信号を発生するN(Nは2以上の整数)個の比
較器と、前記N個の比較器のうちどの比較器が前記検出
信号を発生しているかを検出しその検出結果に応じ前記
EEPROMの書き込み領域を決定するワードデコーダ
とを有することを特徴とする。更に本発明はCPUを介
してEEPROMに対して書込を行うEEPROM内蔵
マイクロコンピュータにおいて、前記EEPROMの所
定アドレスに対してN(Nは2以上の整数)ワード分の
物理的書き込み領域を前記EEPROMに設定し、前記
所定アドレスに書き込むデータの数に応じて前記Nワー
ド分の領域のうちの所定の1ワード分の領域に前記デー
タを書き込む手段を有することを特徴とする。According to the present invention, a microcomputer with built-in EEPROM is provided with an EEPROM through a CPU.
A microcomputer with built-in EEPROM for writing data to M, a selection control unit for monitoring data to be written to a predetermined address of the EEPROM, and generating a selection signal corresponding to the number of data; Writing means for writing the data by determining a writing area of the EEPROM corresponding to the predetermined address. The selection control unit generates a detection signal when the data is equal to or greater than the set value.
(N is an integer of 2 or more) comparators, and a word that detects which comparator among the N comparators is generating the detection signal and generates the selection signal according to the detection result And a decoder. The N comparators are set values in proportion to the guaranteed number of rewrites of the memory cells constituting the EEPROM, and different numbers are provided as the set values. Another address different from the predetermined address is further set, and in response to the selection signal, other data is written to a write area of the EEPROM corresponding to the other address. The present invention further provides a microcomputer with built-in EEPROM having a CPU, an internal bus connected to the CPU, and an EEPROM control unit connected to the internal bus and controlling writing of data to the EEPROM. ,
The memory device further comprises a selection control means for changing a writing area of the EEPROM in accordance with a change in the number of data to be written to a predetermined address of the EEPROM.
The selection control unit includes N (N is an integer of 2 or more) comparators that generate a detection signal when the data is equal to or greater than the set value, and which comparator among the N comparators detects the detection signal. A word decoder for detecting whether a signal is generated and determining a write area of the EEPROM according to the detection result. Further, the present invention provides a microcomputer with built-in EEPROM for writing data to an EEPROM via a CPU, wherein a physical write area for N (N is an integer of 2 or more) words is stored in the EEPROM for a predetermined address of the EEPROM. Means for setting and writing the data to a predetermined one-word area of the N-word area according to the number of data to be written to the predetermined address.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】次に、本発明の第1の実施例を図
面を参照して説明する。Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0011】図1を参照すると、マイクロコンピュータ
ー1に内蔵されたEEPROM2は、セル単体としての
書き換え保証回数がM回のセルアレイからなるEEPR
OMメモリ部3と、EEPROM制御部4より構成され
る。メモリ部3は、X個のアドレスに対応するメモリ領
域を有している。通常1つのアドレスに対応するメモリ
領域は1ワードであるが、本発明の特徴の一つとして、
メモリ部の所定アドレス、例えばアドレス5にのみ対応
するメモリ領域を複数ワードであるN(Nは2以上の整
数)ワードのEEPROMセルを持った領域を物理的に
備える。Referring to FIG. 1, an EEPROM 2 incorporated in a microcomputer 1 has an EEPROM R composed of a cell array in which the number of times of rewriting as a single cell is M times.
It comprises an OM memory unit 3 and an EEPROM control unit 4. The memory unit 3 has a memory area corresponding to X addresses. Normally, a memory area corresponding to one address is one word. One of the features of the present invention is that
A memory area corresponding to only a predetermined address, for example, address 5, of the memory unit is physically provided with an area having EEPROM cells of N words (N is an integer of 2 or more), which is a plurality of words.
【0012】マイクロコンピュータ1の内部バスとEE
PROMメモリ部3でのデータのやり取りはEEPRO
M制御部4で行うが、EEPROM制御部4には、EE
PROMメモリ部3のアドレス5に対応するNワードの
うちどのワードとデータのやり取りを行うかを選択する
ワード選択制御部6を含んでいる。Internal bus of microcomputer 1 and EE
Data exchange in the PROM memory unit 3 is EEPRO
M control unit 4, but the EEPROM control unit 4
It includes a word selection control unit 6 for selecting which word among N words corresponding to the address 5 of the PROM memory unit 3 to exchange data.
【0013】また、EEPROM2へのデータの書き込
みは、マイクロコンピュータ1内蔵のROM7の命令を
CPU8を介して実行することにより行われる。よっ
て、ROM7の命令で、単純に+1変化しその変化毎に
書き換えを行うデータをアドレス5に書き換えるよう指
定する。次に、NワードのEEPROMセルを持ったア
ドレス5および、ワード選択制御部6について詳細に説
明する。図2は、本発明の実施例におけるアドレス5及
び、ワード選択制御部6の構成例を示すブロック図であ
る。The writing of data to the EEPROM 2 is performed by executing a command from a ROM 7 built in the microcomputer 1 via the CPU 8. Therefore, the instruction of the ROM 7 simply designates that the data to be changed by +1 and the data to be rewritten each time the change is changed to the address 5. Next, the address 5 having the N-word EEPROM cell and the word selection control unit 6 will be described in detail. FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example of the address 5 and the word selection control unit 6 in the embodiment of the present invention.
【0014】図2において、ワード選択制御部6は比較
器101、…、比較器100+NまでのN個の比較器と
ワードデコーダー9を有している。各々の比較器は、比
較器101であれば、設定値401としてEEPROM
セル単体の書き換え保証回数M+1が設定され、比較器
100+Kであれば設定値400+Kは、M×K+1に
設定される。In FIG. 2, the word selection control section 6 has comparators 101,..., N comparators up to a comparator 100 + N and a word decoder 9. If each comparator is the comparator 101, an EEPROM is used as the set value 401.
The guaranteed number of rewrites M + 1 for a single cell is set, and if the comparator is 100 + K, the set value 400 + K is set to M × K + 1.
【0015】各々の比較器は、アドレス5への書き換え
データ、すなわちデータの書き換え回数が設定値以上の
場合に検出信号(501〜500+N)を発生する。ワ
ードデコーダ9は各々の比較器のうちどの比較器が検出
信号を発生しているかを検出し、その検出結果に応じて
アドレス5のワード201、…、ワード200+Nのど
のワードにデータを書き込むかを選択する書き込みワー
ド選択信号10を生成する(選択制御部)。このワード
選択信号10に応答してEEPROM制御部4が対応す
るワードに対して書き込みを行う(書き込み手段)。Each of the comparators generates a detection signal (501 to 500 + N) when the data to be rewritten to the address 5, that is, the number of times of rewriting of the data is equal to or more than a set value. The word decoder 9 detects which comparator among the comparators generates the detection signal, and determines which word of the word 201,..., Word 200 + N of the address 5 is to be written with data according to the detection result. A write word selection signal 10 to be selected is generated (selection control unit). In response to the word selection signal 10, the EEPROM control section 4 performs writing on the corresponding word (writing means).
【0016】また、ワード201、…、ワード200+
Nにはフラグビット301、…、フラグビット300+
Nが付加されており、データ書き込みと同時に、選択さ
れたワードのフラグビットに1を書き込む。したがっ
て、アドレス5のデータを読み出す際には、アドレス5
の各ワードのフラグビットの読み出しワード選択信号1
1をワードデコーダ9で検出することにより、どのワー
ドから読み出すかを判別することができる。次に、図1
の回路動作について、図3を参照して説明する。セル単
体の書き換え保証回数が20000回のEEPROM2
を例に説明すると、アドレス5には、ODOデータ、す
なわち、0から単純に+1変化するデータを変化毎に、
随時書き換え記憶させるようROM7の命令に設定す
る。この場合、アドレス5のワード選択制御部6は比較
器101、比較器102、…、比較器110を備え、各
々の比較器の設定値401、設定値402、…、設定値
410は20001、40001、…、200001と
なる。.., Word 200+
.., Flag bit 300+
N is added, and 1 is written to the flag bit of the selected word at the same time as data writing. Therefore, when reading data at address 5, address 5
Read word select signal 1 for flag bits of each word
By detecting 1 in the word decoder 9, it is possible to determine from which word to read. Next, FIG.
3 will be described with reference to FIG. EEPROM2 whose cell is guaranteed to be rewritten 20,000 times
As an example, at address 5, ODO data, that is, data that simply changes +1 from 0,
The instruction in the ROM 7 is set so as to be rewritten and stored as needed. In this case, the word selection control unit 6 of the address 5 includes the comparators 101, 102,..., And the comparator 110, and the set values 401, 402,. , ..., 200001.
【0017】また、アドレス5は、ワード201、…、
ワード210、かつ、各々のワードにフラグビット30
1、…、フラグビット310を備える。Address 5 is composed of words 201,.
Word 210 and flag bit 30 in each word
1,..., Flag bits 310.
【0018】アドレス5に既に記憶されているデータが
60000で、新規書き換えデータの60001をアド
レス5に書き換えるような場合を仮定する。この時、6
0000というデータはワード203に書き込まれてい
ることになる。アドレス5への書き換えデータ6000
1は比較器101、…、比較器110で設定値401、
…、設定値410と各々比較される。It is assumed that the data already stored at address 5 is 60000, and 60001 of newly rewritten data is rewritten to address 5. At this time, 6
The data of 0000 is written in the word 203. Rewrite data 6000 to address 5
1 is a comparator 101,..., A comparator 110 is a set value 401,
.., Are compared with the set values 410, respectively.
【0019】比較器101、…、比較器103は新規書
き換えデータが設定値以上のため、出力信号501、
…、出力信号503は検出信号となり、比較器104、
…、比較器110は新規書き換えデータが設定値より小
さいため、出力信号504、…、出力信号510は信号
を発生しない。The comparators 101,..., 103 have output signals 501,
.., The output signal 503 becomes a detection signal, and the comparator 104,
.., The output signal 504 of the comparator 110 does not generate any signal because the newly rewritten data is smaller than the set value.
【0020】出力信号501、…、出力信号510をワ
ードデコーダ9で検出し、書き込みワード選択信号10
を生成して、アドレス5のワード204にデータが書き
込まれると同時に、ワード204に付加されたフラグビ
ット304に1が書き込まれることになる。The output signal 501,..., Output signal 510 is detected by the word decoder 9, and the write word selection signal 10
Is generated, data is written to the word 204 at the address 5, and at the same time, 1 is written to the flag bit 304 added to the word 204.
【0021】したがって、アドレス5は、20000*
10=200000回まで書き換え回数が保証され、E
EPROM2としてはエンデュランス特性が向上したこ
とになる。また、アドレス5のデータの読み出しを行う
際には、記憶データが60001の場合、フラグビット
301、…、フラグビット304には1が書き込まれて
おり、フラグビット305、…、フラグビット310に
は0が書き込まれているので、読み出しワード選択信号
11をワードデコーダ9で検出し、ワード204が選択
され、60001のデータが読み出されることになる。Therefore, address 5 is 20,000 *
The number of rewrites is guaranteed up to 10 = 200000 times.
This means that the EPROM 2 has improved endurance characteristics. When reading the data at the address 5, when the storage data is 60001, 1 is written in the flag bits 301,..., 304, and the flag bits 305,. Since 0 has been written, the read word selection signal 11 is detected by the word decoder 9, the word 204 is selected, and the data of 60001 is read.
【0022】この状態で、マイクロコンピュータ1への
電源が断たれたとしても、EEPROM2のデータは保
持されているため、再度マイクロコンピュータ1へ電源
供給してEEPROM2のアドレス5のデータを読み出
す場合にも、ワード204が選択されて60001のデ
ータが読み出される。したがって、アドレス5のデータ
を読み出す際には、読み出しワード選択信号11をワー
ドデコーダ9で検出することにより、随時読み出しが可
能である。次に、本発明の他の実施例について説明す
る。車の総走行距離をあらわすODOデータのEEPR
OMへの書き換えに同期して、区間走行距離をあらわす
TRIPデータもEEPROMに書き換えられるため、
EEPROMへの書き換え回数としてはTRIPデータ
もODOデータと等しく、極端に多いという問題があ
る。また、このTRIPデータは、区間走行距離をあら
わすために途中で0にリセットされてしまうことがり、
単純に+1変化しない。In this state, even if the power supply to the microcomputer 1 is cut off, the data in the EEPROM 2 is retained, so that the power supply to the microcomputer 1 again to read out the data at the address 5 in the EEPROM 2 , Word 204 is selected and 60001 data is read. Therefore, when reading the data at address 5, the word decoder 9 detects the read word selection signal 11 so that the data can be read at any time. Next, another embodiment of the present invention will be described. EEPR of ODO data showing total mileage of car
In synchronization with rewriting to OM, TRIP data representing the section traveling distance is also rewritten to EEPROM,
As for the number of times of rewriting to the EEPROM, TRIP data is equal to ODO data, and there is a problem that it is extremely large. Also, this TRIP data may be reset to 0 in the middle to indicate the section mileage,
Simply does not change +1.
【0023】そこで本実施例においては、図4に示すよ
うに、図1のEEPROM2のEEPROMメモリ部3
のアドレス5とは別のアドレス12に、TRIPデータ
のように単純に+1変化し、変化毎に随時EEPROM
に書き換えられるデータに同期して書き換えられるデー
タを記憶するために、アドレス5と同様にNワードのE
EPROMセルを具備したものである。このアドレス1
2には、TRIPデータのように、途中でリセットさ
れ、書き込まれるデータは単純には増加しない。しか
し、アドレス12内のワードの切換制御は、すべてワー
ド選択制御部6で行うため、結局ワードの切換タイミン
グはアドレス5と同じである。Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 4, the EEPROM memory unit 3 of the EEPROM 2 shown in FIG.
To address 12 different from address 5 simply by +1 like TRIP data.
In order to store data to be rewritten in synchronization with data to be rewritten to
It has an EPROM cell. This address 1
In No. 2, like TRIP data, it is reset on the way and the data to be written does not simply increase. However, since the switching control of the words in the address 12 is all performed by the word selection control unit 6, the word switching timing is the same as that of the address 5.
【0024】すなわち、本実施例はアドレス12を更に
設けただけで、他の制御部は全てアドレス5に付随する
制御部によりコントロールされる。That is, in this embodiment, only the address 12 is further provided, and all other control units are controlled by the control unit associated with the address 5.
【0025】アドレス12においては、アドレス5のデ
ータに同期して書き換えが行われるため、書き換え時の
ワード選択については、アドレス5のワード選択と同じ
でよいので、書き込みワード選択信号10がそのまま使
用できる。また、読み出し時のワード選択についても、
アドレス5と同じで良いので、アドレス5の読み出しワ
ード選択信号11がそのまま使用可能で、かつ、アドレ
ス12にはフラグビットを付加する必要はない。At the address 12, the rewriting is performed in synchronization with the data at the address 5, so that the word selection at the time of rewriting may be the same as the word selection at the address 5, so that the write word selection signal 10 can be used as it is. . Also, for word selection at the time of reading,
Since it may be the same as the address 5, the read word selection signal 11 of the address 5 can be used as it is, and it is not necessary to add a flag bit to the address 12.
【0026】上記実施例では、走行距離を例に、+1変
化する例を説明したが、本発明は+1変化だけではな
く、+2,+3等同じ数だけ変化するデータを記憶する
ものであれば全て適用できるものである。その際、比較
器の設定値をその数値倍すれば他の構成は上述した実施
例と同じでよい。In the above-described embodiment, an example in which the traveling distance is changed by +1 has been described. However, the present invention is not limited to the +1 change, and any data that changes by the same number, such as +2 and +3, can be used. Applicable. At that time, if the set value of the comparator is multiplied by the numerical value, other configurations may be the same as those of the above-described embodiment.
【0027】[0027]
【発明の効果】本発明によれば、第一の効果は、EEP
ROMの書き換え保証回数、すなはち、エンデュランス
特性が向上するということである。その理由は、EEP
ROMのセル単体の書き換え保証回数が決まっていて
も、前記ODOデータのような単純に+1変化し随時書
き換えられるデータを書き込むアドレスに、複数のワー
ドを備えることができるからである。第二の効果は、ユ
ーザーがEEPROMの書き換えのためのプログラム作
成が簡単である。その理由は、通常、セル単体の書き換
え保証回数以上書き換えを行うようなデータをEEPR
OMに記憶させる場合は、保証回数以上同一アドレスで
書き換えを行わないように、アドレスを変更していくな
どのプログラム上に工夫が必要であるが、同一アドレス
に複数のワードを持つ為その必要がない。According to the present invention, the first effect is EEP.
This means that the number of guaranteed rewrites of the ROM, that is, the endurance characteristic is improved. The reason is EEP
This is because a plurality of words can be provided at an address at which data such as the ODO data which simply changes by +1 and is rewritten at any time can be provided even if the guaranteed number of rewrites for a single cell of the ROM is determined. The second effect is that the user can easily create a program for rewriting the EEPROM. The reason for this is that data that is rewritten more than the guaranteed number of times of rewriting of a single cell is usually
When storing the data in the OM, it is necessary to devise a program such as changing the address so that the same address is not rewritten more than the guaranteed number of times. Absent.
【図1】本発明の第1の実施例のEEPROM内蔵のマ
イクロコンピュータのブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of a microcomputer incorporating an EEPROM according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1に示すワード選択制御部の構成を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a word selection control unit shown in FIG.
【図3】図1に示すワード選択制御部の構成を示す図で
ある。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a word selection control unit illustrated in FIG. 1;
【図4】本発明の第2の実施例のEEPROM内蔵のマ
イクロコンピュータのブロック図である。FIG. 4 is a block diagram of a microcomputer with a built-in EEPROM according to a second embodiment of the present invention.
1 マイクロコンピュータ 2 EEPROM 3 EEPROMメモリ部 4 EEPROM制御部 5 アドレス 6 ワード選択制御部 7 ROM 8 CPU DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Microcomputer 2 EEPROM 3 EEPROM memory part 4 EEPROM control part 5 Address 6 Word selection control part 7 ROM 8 CPU
Claims (7)
込を行うEEPROM内蔵マイクロコンピュータにおい
て、 前記EEPROMの所定アドレスに対して書き込むデー
タを監視し前記データの数に応じた選択信号を発生する
選択制御部と、 前記選択信号に応答して前記所定アドレスに対応した前
記EEPROMの書き込み領域を決定し前記データを書
き込む書き込み手段とを有することを特徴とするEEP
ROM内蔵マイクロコンピュータ。1. A microcomputer with built-in EEPROM for writing data to an EEPROM via a CPU, wherein a selection control for monitoring data to be written to a predetermined address of the EEPROM and generating a selection signal corresponding to the number of the data. And a write unit for determining a write area of the EEPROM corresponding to the predetermined address in response to the selection signal and writing the data.
Microcomputer with built-in ROM.
値以上である場合に検出信号を発生するN(Nは2以上
の整数)個の比較器と、前記N個の比較器のうちどの比
較器が前記検出信号を発生しているかを検出しその検出
結果に応じた前記選択信号を発生するワードデコーダと
を有することを特徴とする請求項1記載のEEPROM
内蔵マイクロコンピュータ。2. The method according to claim 1, wherein the selection control unit is configured to generate N (N is an integer of 2 or more) comparators that generate a detection signal when the data is equal to or greater than the set value, and select one of the N comparators. 2. The EEPROM according to claim 1, further comprising a word decoder for detecting whether the comparator generates the detection signal and generating the selection signal according to the detection result.
Built-in microcomputer.
を構成するメモリセル単体の書き換え保証回数に比例し
た設定値であって、それぞれ異なる数が設定値として設
けられていることを特徴とする請求項2記載のEEPR
OM内蔵マイクロコンピュータ。3. The EEPROM according to claim 2, wherein the N comparators include the EEPROM.
3. The EEPROM according to claim 2, wherein the set values are set in proportion to the guaranteed number of times of rewriting of the memory cells constituting the single memory cell, and different numbers are provided as the set values.
OM built-in microcomputer.
スが更に設定され、前記選択信号に応答して他のデータ
が前記他のアドレスに対応したEEPROMの書き込み
領域に書き込まれることを特徴とする請求項1記載のE
EPROM内蔵マイクロコンピュータ。4. The method according to claim 1, wherein another address different from the predetermined address is further set, and another data is written in an EEPROM write area corresponding to the other address in response to the selection signal. E described in item 1
A microcomputer with built-in EPROM.
スと、前記内部バスに接続し前記EEPROMに対して
データの書き込み制御を行うEEPROM制御部とを有
するEEPROM内蔵マイクロコンピュータにおいて、 前記EEPROM制御部は、前記EEPROMの所定ア
ドレスに対して書き込むデータの数の変化に応じて前記
EEPROMの書き込む領域を変化させる選択制御手段
を有することを特徴とするEEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータ。5. A microcomputer with built-in EEPROM, comprising: a CPU; an internal bus connected to the CPU; and an EEPROM control unit connected to the internal bus and controlling writing of data to the EEPROM. A selection control means for changing a writing area of the EEPROM in accordance with a change in the number of data to be written to a predetermined address of the EEPROM.
値以上である場合に検出信号を発生するN(Nは2以上
の整数)個の比較器と、前記N個の比較器のうちどの比
較器が前記検出信号を発生しているかを検出しその検出
結果に応じ前記EEPROMの書き込み領域を決定する
ワードデコーダとを有することを特徴とする請求項5記
載のEEPROM内蔵マイクロコンピュータ。6. The selection control unit includes N (N is an integer of 2 or more) comparators that generate a detection signal when the data is equal to or greater than a set value, and any one of the N comparators. 6. The microcomputer with built-in EEPROM according to claim 5, further comprising: a word decoder for detecting whether the comparator generates the detection signal and determining a write area of the EEPROM according to the detection result.
込を行うEEPROM内蔵マイクロコンピュータにおい
て、 前記EEPROMの所定アドレスに対してN(Nは2以
上の整数)ワード分の物理的書き込み領域を前記EEP
ROMに設定し、 前記所定アドレスに書き込むデータの数に応じて前記N
ワード分の領域のうちの所定の1ワード分の領域に前記
データを書き込む手段を有することを特徴とするEEP
ROM内蔵マイクロコンピュータ。7. A microcomputer with built-in EEPROM for writing data to an EEPROM via a CPU, wherein a physical write area for N (N is an integer of 2 or more) words for a predetermined address of the EEPROM is stored in the EEPROM.
ROM, and according to the number of data to be written to the predetermined address,
EEP, comprising means for writing the data in a predetermined one-word area of the word area.
Microcomputer with built-in ROM.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21419899A JP2001043685A (en) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | Microcomputer incorporating eeprom |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21419899A JP2001043685A (en) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | Microcomputer incorporating eeprom |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001043685A true JP2001043685A (en) | 2001-02-16 |
Family
ID=16651864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21419899A Pending JP2001043685A (en) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | Microcomputer incorporating eeprom |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001043685A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015025837A (en) * | 2013-07-24 | 2015-02-05 | シナプティクス・ディスプレイ・デバイス株式会社 | Display control device and semiconductor integrated circuit |
-
1999
- 1999-07-28 JP JP21419899A patent/JP2001043685A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015025837A (en) * | 2013-07-24 | 2015-02-05 | シナプティクス・ディスプレイ・デバイス株式会社 | Display control device and semiconductor integrated circuit |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030930 |