JP2001006874A - 有機電界発光素子の発光駆動方法 - Google Patents
有機電界発光素子の発光駆動方法Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に積層形成された陽極、有機発光膜及
び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間
に電圧を印加して前記有機電界発光素子を発光駆動する
有機電界発光素子の発光駆動方法であって、素子にかか
る急激な電界変化を防止でき、それにより、素子劣化を
抑制でき、素子発光寿命を向上させることができる有機
電界発光素子の発光駆動方法を提供する。 【解決手段】 基板１０１上に積層形成された陽極１０
２、有機発光膜１０８及び陰極１０５を含む有機電界発
光素子１００（有機エレクトロルミネセンス素子）の陽
極１０２と陰極１０５間に電圧を印加して素子１００を
発光駆動する有機電界発光素子の発光駆動方法は、素子
１００を発光駆動するための駆動電圧又は駆動電流の波
形の立上り及び（又は）立下りを徐々に変化させる。
び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間
に電圧を印加して前記有機電界発光素子を発光駆動する
有機電界発光素子の発光駆動方法であって、素子にかか
る急激な電界変化を防止でき、それにより、素子劣化を
抑制でき、素子発光寿命を向上させることができる有機
電界発光素子の発光駆動方法を提供する。 【解決手段】 基板１０１上に積層形成された陽極１０
２、有機発光膜１０８及び陰極１０５を含む有機電界発
光素子１００（有機エレクトロルミネセンス素子）の陽
極１０２と陰極１０５間に電圧を印加して素子１００を
発光駆動する有機電界発光素子の発光駆動方法は、素子
１００を発光駆動するための駆動電圧又は駆動電流の波
形の立上り及び（又は）立下りを徐々に変化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に積層形成
された陽極、有機発光膜及び陰極を含む有機電界発光素
子の前記陽極と前記陰極間に電圧を印加して前記有機電
界発光素子を発光駆動する有機電界発光素子の発光駆動
方法に関する。
された陽極、有機発光膜及び陰極を含む有機電界発光素
子の前記陽極と前記陰極間に電圧を印加して前記有機電
界発光素子を発光駆動する有機電界発光素子の発光駆動
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機電界発光素子は、通常、その陽極、
陰極間に有機発光膜を有しており、該両電極間へ電圧を
印加することで発光する。有機電界発光素子は、有機物
質や不安定な金属薄膜を構成要素として含んでいるため
劣化し易いので、素子発光特性の安定性の向上が大きな
課題となっている。
陰極間に有機発光膜を有しており、該両電極間へ電圧を
印加することで発光する。有機電界発光素子は、有機物
質や不安定な金属薄膜を構成要素として含んでいるため
劣化し易いので、素子発光特性の安定性の向上が大きな
課題となっている。
【０００３】このような課題に対し、素子発光駆動時の
有機薄膜の酸化や分解或いは金属薄膜の酸化による素子
劣化を抑制するために、発光素子を封止部材等で外部か
ら遮断することが行われている。また、上記の提案とは
別に、素子特性の安定性を向上させるために、次のよう
な提案がなされている。
有機薄膜の酸化や分解或いは金属薄膜の酸化による素子
劣化を抑制するために、発光素子を封止部材等で外部か
ら遮断することが行われている。また、上記の提案とは
別に、素子特性の安定性を向上させるために、次のよう
な提案がなされている。
【０００４】すなわち、特許第２７４７１６８号公報
は、陽極と陰極間に加えられる基本駆動波形によって有
機エレクトロルミネッセンス素子（有機電界発光素子）
を駆動する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆
動方法において、基本駆動波形のピーク値よりも大きな
ピーク値を持つパルス波形列を重ね合わせた発光駆動波
形によって、素子を駆動する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の発光駆動方法を教えている。また、特開平７
−２３０８８０号公報は、陽極及び陰極間に定常的に順
方向直流電圧を印加し、さらに間欠的に順方向電圧を前
記直流電圧に重畳印加し、駆動する有機ＥＬ（エレクト
ロルミネッセンス）表示装置を教えている。
は、陽極と陰極間に加えられる基本駆動波形によって有
機エレクトロルミネッセンス素子（有機電界発光素子）
を駆動する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆
動方法において、基本駆動波形のピーク値よりも大きな
ピーク値を持つパルス波形列を重ね合わせた発光駆動波
形によって、素子を駆動する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の発光駆動方法を教えている。また、特開平７
−２３０８８０号公報は、陽極及び陰極間に定常的に順
方向直流電圧を印加し、さらに間欠的に順方向電圧を前
記直流電圧に重畳印加し、駆動する有機ＥＬ（エレクト
ロルミネッセンス）表示装置を教えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機電界発
光素子では、印加される電圧の波形として、例えば、単
純な矩形波が用いられると、有機電界発光素子にかかる
電界が急激に変化するので、有機電界発光素子における
有機物質や不安定な金属からなる薄膜構造のわずかな不
均質部、薄膜界面の不均質部にストレスがかかり、素子
の劣化をはやめる。
光素子では、印加される電圧の波形として、例えば、単
純な矩形波が用いられると、有機電界発光素子にかかる
電界が急激に変化するので、有機電界発光素子における
有機物質や不安定な金属からなる薄膜構造のわずかな不
均質部、薄膜界面の不均質部にストレスがかかり、素子
の劣化をはやめる。
【０００６】このような問題に対して、既述のように素
子を封止部材で封止することや、特許第２７４７１６８
号公報が教える有機エレクトロルミネセンス素子の発光
駆動方法や特開平７−２３０８８０号公報が教える有機
ＥＬ表示装置のいずれの従来技術においても、有機電界
発光素子にかかる急激な電界変化を基本的に解消するこ
とは困難である。
子を封止部材で封止することや、特許第２７４７１６８
号公報が教える有機エレクトロルミネセンス素子の発光
駆動方法や特開平７−２３０８８０号公報が教える有機
ＥＬ表示装置のいずれの従来技術においても、有機電界
発光素子にかかる急激な電界変化を基本的に解消するこ
とは困難である。
【０００７】そこで本発明は、基板上に積層形成された
陽極、有機発光膜及び陰極を含む有機電界発光素子の前
記陽極と前記陰極間に電圧を印加して前記有機電界発光
素子を発光駆動する有機電界発光素子の発光駆動方法で
あって、素子にかかる急激な電界変化を防止でき、それ
により、素子劣化を抑制でき、素子発光寿命を向上させ
ることができる有機電界発光素子の発光駆動方法を提供
することを課題とする。
陽極、有機発光膜及び陰極を含む有機電界発光素子の前
記陽極と前記陰極間に電圧を印加して前記有機電界発光
素子を発光駆動する有機電界発光素子の発光駆動方法で
あって、素子にかかる急激な電界変化を防止でき、それ
により、素子劣化を抑制でき、素子発光寿命を向上させ
ることができる有機電界発光素子の発光駆動方法を提供
することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するため、基板上に積層形成された陽極、有機発光膜及
び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間
に電圧を印加して前記有機電界発光素子を発光駆動する
有機電界発光素子の発光駆動方法であり、前記有機電界
発光素子を発光駆動するための駆動電圧又は駆動電流の
波形の立上り及び（又は）立下りを徐々に変化させるこ
とを特徴とする有機電界発光素子の発光駆動方法を提供
する。
するため、基板上に積層形成された陽極、有機発光膜及
び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間
に電圧を印加して前記有機電界発光素子を発光駆動する
有機電界発光素子の発光駆動方法であり、前記有機電界
発光素子を発光駆動するための駆動電圧又は駆動電流の
波形の立上り及び（又は）立下りを徐々に変化させるこ
とを特徴とする有機電界発光素子の発光駆動方法を提供
する。
【０００９】本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動
方法では、基板上に積層形成された陽極、有機発光膜及
び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間
に電圧を印加することにより、前記有機発光膜が発光す
る。本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法によ
ると、前記有機電界発光素子を発光駆動するための駆動
電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下りを
徐々に、換言すれば緩やかに変化させるので、該駆動電
圧又は駆動電流の立上り及び（又は）立下りの変化が緩
和され、該有機電界発光素子にかかる急激な電界変化を
防止できる。それにより、素子劣化を抑制でき、素子発
光寿命を向上させることができる。
方法では、基板上に積層形成された陽極、有機発光膜及
び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間
に電圧を印加することにより、前記有機発光膜が発光す
る。本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法によ
ると、前記有機電界発光素子を発光駆動するための駆動
電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下りを
徐々に、換言すれば緩やかに変化させるので、該駆動電
圧又は駆動電流の立上り及び（又は）立下りの変化が緩
和され、該有機電界発光素子にかかる急激な電界変化を
防止できる。それにより、素子劣化を抑制でき、素子発
光寿命を向上させることができる。
【００１０】前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り
時間及び（又は）立下り時間としては、１００μ秒以上
を例示できる。なお、前記駆動電圧又は駆動電流の波形
の立上り時間とは、該駆動電圧又は駆動電流が振幅の１
０％から９０％に達するに要する時間をいい、前記駆動
電圧又は駆動電流の波形の立下り時間とは、該駆動電圧
又は駆動電流が振幅の９０％から１０％に達するに要す
る時間をいう。
時間及び（又は）立下り時間としては、１００μ秒以上
を例示できる。なお、前記駆動電圧又は駆動電流の波形
の立上り時間とは、該駆動電圧又は駆動電流が振幅の１
０％から９０％に達するに要する時間をいい、前記駆動
電圧又は駆動電流の波形の立下り時間とは、該駆動電圧
又は駆動電流が振幅の９０％から１０％に達するに要す
る時間をいう。
【００１１】前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り
時間及び（又は）立下り時間の値が大きい程、その立上
り及び（又は）立下りを緩やかにでき、前記有機電界発
光素子にかかる急激な電界変化を防止し易いが、その上
限としては、表示の用途、形態の観点から、それには限
定されないが、１秒以下を例示できる。いずれにして
も、前記駆動電圧又は駆動電流の立上り及び（又は）立
下りを徐々に、換言すれば緩やかに変化させるための該
駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下
りの変化については、例えば、次の場合を挙げることが
できる。すなわち、 前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又
は）立下りを立上りについては単調増加、換言すれば傾
斜直線的増加により、立下りについては単調減少、換言
すれば傾斜直線的減少により連続的に変化させる場合、 前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又
は）立下りを時定数を有する形で、換言すれば、立上り
については所定の正の時定数による指数関数的増加によ
り、立下りについては所定の負の時定数による指数関数
的減少により連続的に変化させる場合、 前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又
は）立下りを２以上の電圧レベル又は電流レベルからな
る階段状波形で、換言すれば、立上りについては２以上
の電圧レベル又は電流レベルの所定時間毎の段階的増加
により、立下りについては２以上の電圧レベル又は電流
レベルの所定時間毎の段階的減少により変化させる場合
である。
時間及び（又は）立下り時間の値が大きい程、その立上
り及び（又は）立下りを緩やかにでき、前記有機電界発
光素子にかかる急激な電界変化を防止し易いが、その上
限としては、表示の用途、形態の観点から、それには限
定されないが、１秒以下を例示できる。いずれにして
も、前記駆動電圧又は駆動電流の立上り及び（又は）立
下りを徐々に、換言すれば緩やかに変化させるための該
駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下
りの変化については、例えば、次の場合を挙げることが
できる。すなわち、 前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又
は）立下りを立上りについては単調増加、換言すれば傾
斜直線的増加により、立下りについては単調減少、換言
すれば傾斜直線的減少により連続的に変化させる場合、 前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又
は）立下りを時定数を有する形で、換言すれば、立上り
については所定の正の時定数による指数関数的増加によ
り、立下りについては所定の負の時定数による指数関数
的減少により連続的に変化させる場合、 前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又
は）立下りを２以上の電圧レベル又は電流レベルからな
る階段状波形で、換言すれば、立上りについては２以上
の電圧レベル又は電流レベルの所定時間毎の段階的増加
により、立下りについては２以上の電圧レベル又は電流
レベルの所定時間毎の段階的減少により変化させる場合
である。
【００１２】以下に、本発明の有機電界発光素子の発光
駆動方法に用いることができる有機電界発光素子につい
て記述する。前記有機電界発光素子における有機発光膜
としては次のものを例示できる。 陽極側から陰極側へ、正孔移動関連層及び有機発光層
を積層したもの、 陽極側から陰極側へ、正孔移動関連層、有機発光層及
び電子移動関連層を積層したもの、 陽極側から陰極側へ、有機発光層及び電子移動関連層
を積層したもの。
駆動方法に用いることができる有機電界発光素子につい
て記述する。前記有機電界発光素子における有機発光膜
としては次のものを例示できる。 陽極側から陰極側へ、正孔移動関連層及び有機発光層
を積層したもの、 陽極側から陰極側へ、正孔移動関連層、有機発光層及
び電子移動関連層を積層したもの、 陽極側から陰極側へ、有機発光層及び電子移動関連層
を積層したもの。
【００１３】正孔移動関連層や電子移動関連層は、電極
の特性や有機発光層の特性にあわせて必要に応じて設け
るようにすればよい。〜において、正孔移動関連層
としては、ａ）正孔注入層、ｂ）正孔輸送層、ｃ）正孔
注入層及び正孔輸送層、ｄ）正孔注入輸送層からなる群
より選択されるいずれかの層とすることができ、電子移
動関連層としては、ａ）電子注入層、ｂ）電子輸送層、
ｃ）電子注入層及び電子輸送層、ｄ）電子注入輸送層か
らなる群より選択されるいずれかの層とすることができ
る。これらの各層も、電極の特性や有機発光層の特性に
合わせて適当なものを選択して設けるようにすればよ
い。
の特性や有機発光層の特性にあわせて必要に応じて設け
るようにすればよい。〜において、正孔移動関連層
としては、ａ）正孔注入層、ｂ）正孔輸送層、ｃ）正孔
注入層及び正孔輸送層、ｄ）正孔注入輸送層からなる群
より選択されるいずれかの層とすることができ、電子移
動関連層としては、ａ）電子注入層、ｂ）電子輸送層、
ｃ）電子注入層及び電子輸送層、ｄ）電子注入輸送層か
らなる群より選択されるいずれかの層とすることができ
る。これらの各層も、電極の特性や有機発光層の特性に
合わせて適当なものを選択して設けるようにすればよ
い。
【００１４】また〜において、有機発光層について
は、例えば正孔輸送層や正孔注入輸送層の全部若しくは
一部、又は電子輸送層や電子注入輸送層の全部若しくは
一部に、蛍光物質をドープすることで、これらの層の全
部又は一部を発光層とすることもできる。前記有機電界
発光素子の陽極として使用される導電性材料として、４
ｅＶ程度よりも大きい仕事関数を持つ導電性物質を用い
ることが好ましい。かかる物質として、炭素、アルミニ
ウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜
鉛、タングステン、銀、錫、金等及びそれらを含む合金
のような金属のほか、酸化錫、酸化インジウム、酸化ア
ンチモン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム等の金属酸化物
及びそれらの固溶体や混合体などの導電性金属化合物の
ような導電性化合物を例示できる。
は、例えば正孔輸送層や正孔注入輸送層の全部若しくは
一部、又は電子輸送層や電子注入輸送層の全部若しくは
一部に、蛍光物質をドープすることで、これらの層の全
部又は一部を発光層とすることもできる。前記有機電界
発光素子の陽極として使用される導電性材料として、４
ｅＶ程度よりも大きい仕事関数を持つ導電性物質を用い
ることが好ましい。かかる物質として、炭素、アルミニ
ウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜
鉛、タングステン、銀、錫、金等及びそれらを含む合金
のような金属のほか、酸化錫、酸化インジウム、酸化ア
ンチモン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム等の金属酸化物
及びそれらの固溶体や混合体などの導電性金属化合物の
ような導電性化合物を例示できる。
【００１５】前記有機電界発光素子において発光が見ら
れるように、少なくとも陽極或いは陰極は透明電極にす
る必要がある。透明電極を形成する場合、透明基板上
に、前記したような導電性物質を用い、蒸着、スパッタ
リング等の手法やゾルゲル法或いはかかる物質を樹脂等
に分散させて塗布する等の手段を用いて所望の透光性と
導電性が確保されるように形成すればよい。
れるように、少なくとも陽極或いは陰極は透明電極にす
る必要がある。透明電極を形成する場合、透明基板上
に、前記したような導電性物質を用い、蒸着、スパッタ
リング等の手法やゾルゲル法或いはかかる物質を樹脂等
に分散させて塗布する等の手段を用いて所望の透光性と
導電性が確保されるように形成すればよい。
【００１６】透明基板としては、適度の強度を有し、有
機電界発光素子作製時、膜蒸着時等における熱に悪影響
を受けず、透明なものであれば特に限定されないが、そ
のようなものを例示すると、ガラス基板、透明な樹脂、
例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルサ
ルホン、ポリエーテルエーテルケトン等を挙げることが
できる。ガラス基板上に透明電極が形成されたものとし
ては、ガラス基板上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）か
らなる透明電極を設けたもの、ＮＥＳＡガラスと通称さ
れているコーニング社製の、透明電極をガラス基板上に
形成したもの等を使用してもよい。
機電界発光素子作製時、膜蒸着時等における熱に悪影響
を受けず、透明なものであれば特に限定されないが、そ
のようなものを例示すると、ガラス基板、透明な樹脂、
例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルサ
ルホン、ポリエーテルエーテルケトン等を挙げることが
できる。ガラス基板上に透明電極が形成されたものとし
ては、ガラス基板上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）か
らなる透明電極を設けたもの、ＮＥＳＡガラスと通称さ
れているコーニング社製の、透明電極をガラス基板上に
形成したもの等を使用してもよい。
【００１７】陽極は透明電極膜形成後、いろいろな形状
にパターニングできる。陽極は正孔注入が起こりやすく
するために、十分洗浄する必要がある。陽極の洗浄には
必要に応じて、エキシマーランプの光照射による洗浄
法、湿式洗浄法やプラズマ処理による洗浄法、紫外線
（ＵＶ）／オゾン（Ｏ3 ）による洗浄法等の清浄方法を
用いることができる。またこれらの洗浄方法を組み合わ
せることによりさらに効果的な洗浄を行うことができ
る。
にパターニングできる。陽極は正孔注入が起こりやすく
するために、十分洗浄する必要がある。陽極の洗浄には
必要に応じて、エキシマーランプの光照射による洗浄
法、湿式洗浄法やプラズマ処理による洗浄法、紫外線
（ＵＶ）／オゾン（Ｏ3 ）による洗浄法等の清浄方法を
用いることができる。またこれらの洗浄方法を組み合わ
せることによりさらに効果的な洗浄を行うことができ
る。
【００１８】例えば正孔注入輸送層の形成のために用い
ることができる正孔注入輸送材料としては、公知のもの
が使用可能である。例えばＮ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，
Ｎ’―ビス（３―メチルフェニル）―１，１’―ジフェ
ニル―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ’―ビス（４―メチルフェニル）―１，１’―ジ
フェニル―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル
―Ｎ，Ｎ’―ビス（１―ナフチル）―１，１’―ジフェ
ニル―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ’―ビス（２―ナフチル）―１，１’―ジフェニ
ル―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―テトラ（４―メチ
ルフェニル）―１，１’―ビス（３―メチルフェニル）
―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，
Ｎ’―ビス（３―メチルフェニル）―１，１’―ビス
（３―メチルフェニル）―４，４’―ジアミン、Ｎ，
Ｎ’―ビス（Ｎ―カルバゾリル）―１，１’―ジフェニ
ル―４，４’―ジアミン、４，４’，４”―トリス（Ｎ
―カルバゾリル）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”
―トリフェニル―Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリス（３―メチル
フェニル）―１，３，５―トリ（４―アミノフェニル）
ベンゼン、４，４’，４”―トリス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―
トリフェニル―Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリス（３―メチルフ
ェニル）］トリフェニルアミンなどを挙げることができ
る。これらのものは２種以上を混合して使用してもよ
い。
ることができる正孔注入輸送材料としては、公知のもの
が使用可能である。例えばＮ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，
Ｎ’―ビス（３―メチルフェニル）―１，１’―ジフェ
ニル―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ’―ビス（４―メチルフェニル）―１，１’―ジ
フェニル―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル
―Ｎ，Ｎ’―ビス（１―ナフチル）―１，１’―ジフェ
ニル―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ’―ビス（２―ナフチル）―１，１’―ジフェニ
ル―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―テトラ（４―メチ
ルフェニル）―１，１’―ビス（３―メチルフェニル）
―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，
Ｎ’―ビス（３―メチルフェニル）―１，１’―ビス
（３―メチルフェニル）―４，４’―ジアミン、Ｎ，
Ｎ’―ビス（Ｎ―カルバゾリル）―１，１’―ジフェニ
ル―４，４’―ジアミン、４，４’，４”―トリス（Ｎ
―カルバゾリル）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”
―トリフェニル―Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリス（３―メチル
フェニル）―１，３，５―トリ（４―アミノフェニル）
ベンゼン、４，４’，４”―トリス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―
トリフェニル―Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリス（３―メチルフ
ェニル）］トリフェニルアミンなどを挙げることができ
る。これらのものは２種以上を混合して使用してもよ
い。
【００１９】正孔注入輸送層は、前記のような正孔注入
輸送材料を蒸着して形成してもよいし、正孔注入輸送材
料を溶解した溶液や正孔注入輸送材料を適当な樹脂とと
もに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコー
ト法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成す
る場合、その厚さは３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度とし、塗
布法で形成する場合は、その厚さは５０ｎｍ〜２００ｎ
ｍ程度に形成すればよい。
輸送材料を蒸着して形成してもよいし、正孔注入輸送材
料を溶解した溶液や正孔注入輸送材料を適当な樹脂とと
もに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコー
ト法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成す
る場合、その厚さは３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度とし、塗
布法で形成する場合は、その厚さは５０ｎｍ〜２００ｎ
ｍ程度に形成すればよい。
【００２０】正孔注入層や正孔輸送層を採用する場合
も、それらの材料として公知のものを種々採用でき、前
記の正孔注入輸送層と同様に形成できる。有機発光層を
形成するために用いる有機発光材料としては、公知のも
のが使用可能である。例えばエピドリジン、２，５―ビ
ス［５，７―ジ―ｔ―ペンチル―２―ベンゾオキサゾリ
ル］チオフェン、２，２’―（１，４―フェニレンジビ
ニレン）ビスベンゾチアゾール、２，２’―（４，４’
―ビフェニレン）ビスベンゾチアゾール、５―メチル―
２―｛２―［４―（５―メチル―２―ベンゾオキサゾリ
ル）フェニル］ビニル｝ベンゾオキサゾール、２，５―
ビス（５―メチル―２―ベンゾオキサゾリル）チオフェ
ン、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン、ペリノン、１，４―ジフェニ
ルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、
アクリジン、スチルベン、２―（４―ビフェニル）―６
―フェニルベンゾオキサゾール、アルミニウムトリスオ
キシン、マグネシウムビスオキシン、ビス（ベンゾ―８
―キノリノール）亜鉛、ビス（２―メチル―８―キノリ
ノール）アルミニウムオキサイド、インジウムトリスオ
キシン、アルミニウムトリス（５―メチルオキシン）、
リチウムオキシン、ガリウムトリスオキシン、カルシウ
ムビス（５―クロロオキシン）、ポリ亜鉛―ビス（８―
ヒドロキシ―５―キノリノリル）メタン、ジリチウムエ
ピンドリジオン、亜鉛ビスオキシン、１，２―フタロペ
リノン、１，２―ナフタロペリノン、トリス（８―ヒド
ロキシキノリン）アルミニウム錯体などを挙げることが
できる。また、一般的な蛍光染料、例えば蛍光クマリン
染料、蛍光ペリレン染料、蛍光ピラン染料、蛍光チオピ
ラン染料、蛍光ポリメチン染料、蛍光メシアニン染料、
蛍光イミダゾール染料等も使用できる。このうち特に好
ましいものとして、キレート化オキシノイド化合物を挙
げることができる。
も、それらの材料として公知のものを種々採用でき、前
記の正孔注入輸送層と同様に形成できる。有機発光層を
形成するために用いる有機発光材料としては、公知のも
のが使用可能である。例えばエピドリジン、２，５―ビ
ス［５，７―ジ―ｔ―ペンチル―２―ベンゾオキサゾリ
ル］チオフェン、２，２’―（１，４―フェニレンジビ
ニレン）ビスベンゾチアゾール、２，２’―（４，４’
―ビフェニレン）ビスベンゾチアゾール、５―メチル―
２―｛２―［４―（５―メチル―２―ベンゾオキサゾリ
ル）フェニル］ビニル｝ベンゾオキサゾール、２，５―
ビス（５―メチル―２―ベンゾオキサゾリル）チオフェ
ン、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン、ペリノン、１，４―ジフェニ
ルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、
アクリジン、スチルベン、２―（４―ビフェニル）―６
―フェニルベンゾオキサゾール、アルミニウムトリスオ
キシン、マグネシウムビスオキシン、ビス（ベンゾ―８
―キノリノール）亜鉛、ビス（２―メチル―８―キノリ
ノール）アルミニウムオキサイド、インジウムトリスオ
キシン、アルミニウムトリス（５―メチルオキシン）、
リチウムオキシン、ガリウムトリスオキシン、カルシウ
ムビス（５―クロロオキシン）、ポリ亜鉛―ビス（８―
ヒドロキシ―５―キノリノリル）メタン、ジリチウムエ
ピンドリジオン、亜鉛ビスオキシン、１，２―フタロペ
リノン、１，２―ナフタロペリノン、トリス（８―ヒド
ロキシキノリン）アルミニウム錯体などを挙げることが
できる。また、一般的な蛍光染料、例えば蛍光クマリン
染料、蛍光ペリレン染料、蛍光ピラン染料、蛍光チオピ
ラン染料、蛍光ポリメチン染料、蛍光メシアニン染料、
蛍光イミダゾール染料等も使用できる。このうち特に好
ましいものとして、キレート化オキシノイド化合物を挙
げることができる。
【００２１】有機発光層は前記発光物質からなる単層構
成でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を調整す
るために、多層構成としてもよい。また、２種以上の発
光物質を混合して形成したり、発光物質（例えばルブレ
ンやクマリンなどの蛍光色素）をドープしたものでもよ
い。有機発光層は、前記のような有機発光材料を蒸着し
て形成してもよいし、有機発光材料を溶解した溶液や有
機発光材料を適当な樹脂とともに溶解した液を用い、デ
ィップコート法やスピンコート法等の塗布法により形成
してもよい。蒸着法で形成する場合、その厚さは１ｎｍ
〜２００ｎｍ程度とし、塗布法で形成する場合は、その
厚さは５ｎｍ〜５００ｎｍ程度に形成すればよい。
成でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を調整す
るために、多層構成としてもよい。また、２種以上の発
光物質を混合して形成したり、発光物質（例えばルブレ
ンやクマリンなどの蛍光色素）をドープしたものでもよ
い。有機発光層は、前記のような有機発光材料を蒸着し
て形成してもよいし、有機発光材料を溶解した溶液や有
機発光材料を適当な樹脂とともに溶解した液を用い、デ
ィップコート法やスピンコート法等の塗布法により形成
してもよい。蒸着法で形成する場合、その厚さは１ｎｍ
〜２００ｎｍ程度とし、塗布法で形成する場合は、その
厚さは５ｎｍ〜５００ｎｍ程度に形成すればよい。
【００２２】有機発光層は、その膜厚が厚いほど発光さ
せるための印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪
くなり、有機電界発光素子の劣化を招きやすい。また膜
厚が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンし
やすくなり有機電界発光素子の寿命が短くなる。従っ
て、発光効率及び素子の寿命を考慮して前記の膜厚の範
囲で形成すればよい。
せるための印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪
くなり、有機電界発光素子の劣化を招きやすい。また膜
厚が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンし
やすくなり有機電界発光素子の寿命が短くなる。従っ
て、発光効率及び素子の寿命を考慮して前記の膜厚の範
囲で形成すればよい。
【００２３】また、例えば電子注入輸送層を形成するた
めの電子注入輸送材料としては、公知のものが使用可能
である。例えば、２―（４―ビフェニルイル）―５―
（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキ
サジアゾール、２―（１―ナフチル）―５―（４―ｔｅ
ｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾー
ル、１，４―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔブチルフ
ェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼ
ン、１，３―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチル
フェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼ
ン、４，４’―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチ
ルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ビフ
ェニル、２―（４―ビフェニルイル）―５―（４―ｔｅ
ｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―チアジアゾー
ル、２―（１―ナフチル）―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチ
ルフェニル）―１，３，４―チアジアゾール、１，４―
ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、１，３―ビ
ス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、４，４’―
ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―チアジアゾリル］｝ビフェニル、３―（４
―ビフェニルイル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒ
ｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、３
―（１―ナフチル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒ
ｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、
１，４―ビス｛３―［４―フェニル―５―（４―ｔｅｒ
ｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾリル］｝
ベンゼン、１，３―ビス｛２―［１―フェニル―５―
（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―トリ
アゾリル］｝ベンゼン、４，４’―ビス｛２―［１―フ
ェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，
３，４―トリアゾリル］｝ビフェニル、１，３，５―ト
リス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼンなどを挙げ
ることができる。これらのものは、２種以上を混合して
使用してもよい。また、トリス（８―ヒドロキシキノリ
ン）アルミニウム錯体など有機発光材料として用いられ
る物質のうち比較的電子輸送能の高いものを用いること
もできる。
めの電子注入輸送材料としては、公知のものが使用可能
である。例えば、２―（４―ビフェニルイル）―５―
（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキ
サジアゾール、２―（１―ナフチル）―５―（４―ｔｅ
ｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾー
ル、１，４―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔブチルフ
ェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼ
ン、１，３―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチル
フェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼ
ン、４，４’―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチ
ルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ビフ
ェニル、２―（４―ビフェニルイル）―５―（４―ｔｅ
ｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―チアジアゾー
ル、２―（１―ナフチル）―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチ
ルフェニル）―１，３，４―チアジアゾール、１，４―
ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、１，３―ビ
ス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、４，４’―
ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―チアジアゾリル］｝ビフェニル、３―（４
―ビフェニルイル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒ
ｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、３
―（１―ナフチル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒ
ｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、
１，４―ビス｛３―［４―フェニル―５―（４―ｔｅｒ
ｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾリル］｝
ベンゼン、１，３―ビス｛２―［１―フェニル―５―
（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―トリ
アゾリル］｝ベンゼン、４，４’―ビス｛２―［１―フ
ェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，
３，４―トリアゾリル］｝ビフェニル、１，３，５―ト
リス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―
１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼンなどを挙げ
ることができる。これらのものは、２種以上を混合して
使用してもよい。また、トリス（８―ヒドロキシキノリ
ン）アルミニウム錯体など有機発光材料として用いられ
る物質のうち比較的電子輸送能の高いものを用いること
もできる。
【００２４】電子注入輸送層は、前記のような電子注入
輸送材料を蒸着して形成してもよいし、電子注入輸送材
料を溶解した溶液や電子注入輸送材料を適当な樹脂とと
もに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコー
ト法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成す
る場合、その厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とし、塗布
法で形成する場合は、５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に形成
すればよい。
輸送材料を蒸着して形成してもよいし、電子注入輸送材
料を溶解した溶液や電子注入輸送材料を適当な樹脂とと
もに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコー
ト法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成す
る場合、その厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とし、塗布
法で形成する場合は、５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に形成
すればよい。
【００２５】電子注入層や電子輸送層を採用する場合
も、それらの材料として公知のものを種々採用でき、前
記の電子注入輸送層と同様に形成できる。陰極を形成す
る材料としては、４ｅＶよりも小さい仕事関数を持つ金
属を含有するものがよく、マグネシウム、カルシウム、
チタニウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、
イッテルビウム、ルテニウム、マンガン及びそれらを含
有する合金を例示できる。
も、それらの材料として公知のものを種々採用でき、前
記の電子注入輸送層と同様に形成できる。陰極を形成す
る材料としては、４ｅＶよりも小さい仕事関数を持つ金
属を含有するものがよく、マグネシウム、カルシウム、
チタニウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、
イッテルビウム、ルテニウム、マンガン及びそれらを含
有する合金を例示できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１１は本発明に係る有機電界発
光素子の発光駆動方法を実施できる有機電界発光素子の
１例の概略構成を示す断面図である。図１１に示す有機
電界発光素子１００（有機エレクトロルミネッセンス素
子）は、ガラスからなる透明基板１０１上に透明電極で
ある陽極１０２、有機正孔注入輸送層１０３、有機発光
層１０４及び陰極１０５が、この順に積層形成されたも
のである。この素子１００では、正孔注入輸送層１０３
及び有機発光層１０４の２層で有機発光膜１０８を構成
している。
を参照して説明する。図１１は本発明に係る有機電界発
光素子の発光駆動方法を実施できる有機電界発光素子の
１例の概略構成を示す断面図である。図１１に示す有機
電界発光素子１００（有機エレクトロルミネッセンス素
子）は、ガラスからなる透明基板１０１上に透明電極で
ある陽極１０２、有機正孔注入輸送層１０３、有機発光
層１０４及び陰極１０５が、この順に積層形成されたも
のである。この素子１００では、正孔注入輸送層１０３
及び有機発光層１０４の２層で有機発光膜１０８を構成
している。
【００２７】また、素子１００は、封止部材１０９を有
している。封止部材１０９は、ガラスからなる封止用基
板１０６及び封止用樹脂１０７からなっている。さらに
言うと、封止部材１０９は、陰極１０５の前記発光膜１
０８に重ねられた部分の上方に設けた封止用基板１０６
と、封止用基板１０６の周縁部分の下方領域を封止する
封止用樹脂１０７からなり、封止用樹脂１０７は上端が
封止用基板１０６に、下端が陽極１０２及び陰極１０５
の端部をそれぞれ介在させる状態で基板１０１にそれぞ
れ気密に接続されている。そして、有機発光膜１０８の
全体を覆って外気から遮断している。
している。封止部材１０９は、ガラスからなる封止用基
板１０６及び封止用樹脂１０７からなっている。さらに
言うと、封止部材１０９は、陰極１０５の前記発光膜１
０８に重ねられた部分の上方に設けた封止用基板１０６
と、封止用基板１０６の周縁部分の下方領域を封止する
封止用樹脂１０７からなり、封止用樹脂１０７は上端が
封止用基板１０６に、下端が陽極１０２及び陰極１０５
の端部をそれぞれ介在させる状態で基板１０１にそれぞ
れ気密に接続されている。そして、有機発光膜１０８の
全体を覆って外気から遮断している。
【００２８】素子１００において、陽極１０２と陰極１
０５との間に所定の電圧を印加することにより有機発光
層１０４が発光する。次に、本発明に係る有機電界発光
素子の発光駆動方法を実施する発光駆動装置について説
明する。図７から図１０に本発明に係る有機電界発光素
子の発光駆動方法を実施する発光駆動装置における電気
回路例の概略構成のブロック図を示す。また、図１、図
２及び図４にぞれぞれ図７、図８及び図１０に示す電気
回路から出力される駆動電圧の波形のグラフを示し、図
３及び図５に図９に示す電気回路から出力される駆動電
圧の波形のグラフを示す。
０５との間に所定の電圧を印加することにより有機発光
層１０４が発光する。次に、本発明に係る有機電界発光
素子の発光駆動方法を実施する発光駆動装置について説
明する。図７から図１０に本発明に係る有機電界発光素
子の発光駆動方法を実施する発光駆動装置における電気
回路例の概略構成のブロック図を示す。また、図１、図
２及び図４にぞれぞれ図７、図８及び図１０に示す電気
回路から出力される駆動電圧の波形のグラフを示し、図
３及び図５に図９に示す電気回路から出力される駆動電
圧の波形のグラフを示す。
【００２９】図７に示す電気回路Ａは、素子１００に印
加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りを立上りにつ
いては単調増加、換言すれば傾斜直線的増加により、立
下りについては単調減少、換言すれば傾斜直線的減少に
より連続的に変化させるものである。電気回路Ａにおい
て、基準クロック発生回路３は基準クロックを発生させ
ることができる。
加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りを立上りにつ
いては単調増加、換言すれば傾斜直線的増加により、立
下りについては単調減少、換言すれば傾斜直線的減少に
より連続的に変化させるものである。電気回路Ａにおい
て、基準クロック発生回路３は基準クロックを発生させ
ることができる。
【００３０】カウンタ回路２は基準クロック発生回路３
からの基準クロックをカウントし、そのカウント値を定
電流回路１１、２１に送ることができる。定電流回路１
１はカウンタ回路２から送られてくるカウント値に基づ
いて、基準コンデンサ１に定電流を送り、基準コンデン
サ１を充電することができる。コンパレータ１２は基準
電圧Ｖm と基準コンデンサ１の端子電圧とを比較して基
準コンデンサ１の端子電圧が基準電圧Ｖm に達した時
点、換言すれば駆動電圧Ｖt が最大電圧ＶM （本例では
６Ｖ）に達した時点で定電流回路１１をＯＦＦする。こ
れにより定電流回路１１の基準コンデンサ１に対する充
電動作が停止される。
からの基準クロックをカウントし、そのカウント値を定
電流回路１１、２１に送ることができる。定電流回路１
１はカウンタ回路２から送られてくるカウント値に基づ
いて、基準コンデンサ１に定電流を送り、基準コンデン
サ１を充電することができる。コンパレータ１２は基準
電圧Ｖm と基準コンデンサ１の端子電圧とを比較して基
準コンデンサ１の端子電圧が基準電圧Ｖm に達した時
点、換言すれば駆動電圧Ｖt が最大電圧ＶM （本例では
６Ｖ）に達した時点で定電流回路１１をＯＦＦする。こ
れにより定電流回路１１の基準コンデンサ１に対する充
電動作が停止される。
【００３１】定電流回路２１はカウンタ回路２から送ら
れてくるカウント値に基づいて、基準コンデンサ１から
定電流を流し、基準コンデンサ１を放電することができ
る。コンパレータ２２は基準電圧Ｖs と基準コンデンサ
１の端子電圧とを比較して基準コンデンサ１の端子電圧
が基準電圧Ｖs となった時点、換言すれば駆動電圧Ｖt
が最小電圧ＶS （本例では０Ｖ）となった時点で定電流
回路２１をＯＦＦする。これにより定電流回路２１の基
準コンデンサ１に対する放電動作が停止される。
れてくるカウント値に基づいて、基準コンデンサ１から
定電流を流し、基準コンデンサ１を放電することができ
る。コンパレータ２２は基準電圧Ｖs と基準コンデンサ
１の端子電圧とを比較して基準コンデンサ１の端子電圧
が基準電圧Ｖs となった時点、換言すれば駆動電圧Ｖt
が最小電圧ＶS （本例では０Ｖ）となった時点で定電流
回路２１をＯＦＦする。これにより定電流回路２１の基
準コンデンサ１に対する放電動作が停止される。
【００３２】バッファアンプ４は基準コンデンサ１の端
子電圧に基づいた電圧を出力することができる。これに
より、駆動電圧Ｖt を出力できる。電気回路Ａによる
と、基準クロック発生回路３にて発生した基準クロック
がカウンタ回路２にてカウントされる。カウンタ回路２
でカウントされたカウント値は定電流回路１１、２１に
送られる。なお、このとき定電流回路１１、２１はいず
れもＯＦＦの状態である。
子電圧に基づいた電圧を出力することができる。これに
より、駆動電圧Ｖt を出力できる。電気回路Ａによる
と、基準クロック発生回路３にて発生した基準クロック
がカウンタ回路２にてカウントされる。カウンタ回路２
でカウントされたカウント値は定電流回路１１、２１に
送られる。なお、このとき定電流回路１１、２１はいず
れもＯＦＦの状態である。
【００３３】カウンタ回路２が所定のカウント値をカウ
ントしたとき、定電流回路１１はＯＮされ、基準コンデ
ンサ１が充電される。これにより、基準コンデンサ１は
所定の立上り速さで充電され、バッファアンプ４から単
調増加、換言すれば傾斜直線的増加により連続的に変化
する波形が出力される（波形の立上り：図１中ａ参
照）。
ントしたとき、定電流回路１１はＯＮされ、基準コンデ
ンサ１が充電される。これにより、基準コンデンサ１は
所定の立上り速さで充電され、バッファアンプ４から単
調増加、換言すれば傾斜直線的増加により連続的に変化
する波形が出力される（波形の立上り：図１中ａ参
照）。
【００３４】コンパレータ１２にて基準コンデンサ１の
端子電圧と基準電圧Ｖm とが比較され、基準コンデンサ
１の端子電圧が基準電圧Ｖm に達した時点、換言すれば
駆動電圧Ｖt が最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）に達した
時点で定電流回路１１はＯＦＦされ、定電流回路１１の
基準コンデンサ１に対する充電動作が停止される。これ
により、基準コンデンサ１の端子電圧はホールドされ、
バッファアンプ４から一定の最大電圧ＶM が出力される
（図１中ｂ参照）。
端子電圧と基準電圧Ｖm とが比較され、基準コンデンサ
１の端子電圧が基準電圧Ｖm に達した時点、換言すれば
駆動電圧Ｖt が最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）に達した
時点で定電流回路１１はＯＦＦされ、定電流回路１１の
基準コンデンサ１に対する充電動作が停止される。これ
により、基準コンデンサ１の端子電圧はホールドされ、
バッファアンプ４から一定の最大電圧ＶM が出力される
（図１中ｂ参照）。
【００３５】最大電圧ＶM が所定時間出力された後、す
なわちカウンタ回路２が所定のカウント値をカウントし
たとき、定電流回路２１はＯＮされ、基準コンデンサ１
が放電する。これにより、基準コンデンサ１は所定の立
下り速さで放電し、バッファアンプ４から単調減少、換
言すれば傾斜直線的減少により連続的に変化する波形が
出力される（波形の立下り：図１中ｃ参照）。
なわちカウンタ回路２が所定のカウント値をカウントし
たとき、定電流回路２１はＯＮされ、基準コンデンサ１
が放電する。これにより、基準コンデンサ１は所定の立
下り速さで放電し、バッファアンプ４から単調減少、換
言すれば傾斜直線的減少により連続的に変化する波形が
出力される（波形の立下り：図１中ｃ参照）。
【００３６】コンパレータ２２にて基準コンデンサ１の
端子電圧と基準電圧Ｖs とが比較され、基準コンデンサ
１の端子電圧が基準電圧Ｖs となった時点、換言すれば
駆動電圧Ｖt が最小電圧ＶS （本例では０Ｖ）となった
時点で定電流回路２１はＯＦＦされ、定電流回路２１の
基準コンデンサ１に対する放電動作が停止される。所定
時間経過後、すなわちカウンタ回路２が所定のカウント
値をカウントしたとき、定電流回路１１は再びＯＮさ
れ、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆動電圧Ｖ
t がバッファアンプ４から出力される。
端子電圧と基準電圧Ｖs とが比較され、基準コンデンサ
１の端子電圧が基準電圧Ｖs となった時点、換言すれば
駆動電圧Ｖt が最小電圧ＶS （本例では０Ｖ）となった
時点で定電流回路２１はＯＦＦされ、定電流回路２１の
基準コンデンサ１に対する放電動作が停止される。所定
時間経過後、すなわちカウンタ回路２が所定のカウント
値をカウントしたとき、定電流回路１１は再びＯＮさ
れ、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆動電圧Ｖ
t がバッファアンプ４から出力される。
【００３７】電気回路Ａによる発光駆動方法によると、
有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動す
るための駆動電圧の波形の立上り及び立下りを徐々に、
換言すれば緩やかに変化させるので、該駆動電圧の波形
の立上り及び立下りが緩和され、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子１００にかかる急激な電界変化を防止でき
る。それにより、素子劣化を抑制でき、素子発光寿命を
向上させることができる。
有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動す
るための駆動電圧の波形の立上り及び立下りを徐々に、
換言すれば緩やかに変化させるので、該駆動電圧の波形
の立上り及び立下りが緩和され、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子１００にかかる急激な電界変化を防止でき
る。それにより、素子劣化を抑制でき、素子発光寿命を
向上させることができる。
【００３８】図８に示す電気回路Ｂは、素子１００に印
加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りを時定数を有
する形で、換言すれば、立上りについては所定の正の時
定数による指数関数的増加により、立下りについては所
定の負の時定数による指数関数的減少により連続的に変
化させるものである。電気回路Ｂにおいて、基準波形
（基準矩形波）発生回路５は駆動電圧Ｖt の波形の基準
となる所定の電圧値、周波数、Duty ratioの基準矩形波
を発生させることができる。
加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りを時定数を有
する形で、換言すれば、立上りについては所定の正の時
定数による指数関数的増加により、立下りについては所
定の負の時定数による指数関数的減少により連続的に変
化させるものである。電気回路Ｂにおいて、基準波形
（基準矩形波）発生回路５は駆動電圧Ｖt の波形の基準
となる所定の電圧値、周波数、Duty ratioの基準矩形波
を発生させることができる。
【００３９】時定数（ＣＲ時定数）回路６は図示を省略
したコンデンサ及び抵抗器を備えており、基準波形発生
回路５からの基準矩形波形の立上り及び立下りを所望の
時定数を持たせて連続的に変化させることができる。バ
ッファアンプ４は時定数回路６の出力電圧に基づいた電
圧を出力することができる。これにより、駆動電圧Ｖt
を出力できる。
したコンデンサ及び抵抗器を備えており、基準波形発生
回路５からの基準矩形波形の立上り及び立下りを所望の
時定数を持たせて連続的に変化させることができる。バ
ッファアンプ４は時定数回路６の出力電圧に基づいた電
圧を出力することができる。これにより、駆動電圧Ｖt
を出力できる。
【００４０】電気回路Ｂによると、基準波形発生回路５
にて発生した基準矩形波は時定数回路６に通され、バッ
ファアンプ４から駆動電圧Ｖt として出力される。すな
わち、基準波形発生回路５からの基準矩形波形の立上り
が時定数回路６に通されると、所定の時定数を有する形
で、換言すれば所定の正の時定数による指数関数的増加
により連続的に変化し、その出力波形がバッファアンプ
４から出力される（波形の立上り：図２中ａ参照）。
にて発生した基準矩形波は時定数回路６に通され、バッ
ファアンプ４から駆動電圧Ｖt として出力される。すな
わち、基準波形発生回路５からの基準矩形波形の立上り
が時定数回路６に通されると、所定の時定数を有する形
で、換言すれば所定の正の時定数による指数関数的増加
により連続的に変化し、その出力波形がバッファアンプ
４から出力される（波形の立上り：図２中ａ参照）。
【００４１】基準波形発生回路５からの基準矩形波形の
半値幅部分が時定数回路６に通されると、その出力波形
がバッファアンプ４から一定の最大電圧ＶM として出力
される（図２中ｂ参照）。最大電圧ＶM （本例では６
Ｖ）が所定時間出力された後、基準波形発生回路５から
の基準矩形波形の立下りが時定数回路６に通されると、
所定の時定数を有する形で、換言すれば所定の負の時定
数による指数関数的減少により連続的に変化し、その出
力波形がバッファアンプ４から出力される（波形の立下
り：図２中ｃ参照）。そのあと、基準波形発生回路５か
らの基準矩形波形の次の立上りが時定数回路６に通され
ると、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆動電圧
Ｖt がバッファアンプ４から出力される。
半値幅部分が時定数回路６に通されると、その出力波形
がバッファアンプ４から一定の最大電圧ＶM として出力
される（図２中ｂ参照）。最大電圧ＶM （本例では６
Ｖ）が所定時間出力された後、基準波形発生回路５から
の基準矩形波形の立下りが時定数回路６に通されると、
所定の時定数を有する形で、換言すれば所定の負の時定
数による指数関数的減少により連続的に変化し、その出
力波形がバッファアンプ４から出力される（波形の立下
り：図２中ｃ参照）。そのあと、基準波形発生回路５か
らの基準矩形波形の次の立上りが時定数回路６に通され
ると、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆動電圧
Ｖt がバッファアンプ４から出力される。
【００４２】電気回路Ｂによる発光駆動方法によると、
有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動す
るための駆動電圧の波形の立上り及び立下りを徐々に、
換言すれば緩やかに変化させるので、図７に示す電気回
路Ａによる発光駆動方法と同様の利点がある。図９に示
す電気回路Ｃは、素子１００に印加する駆動電圧の波形
の立上り及び立下り、又は立上りのみを２つの電圧レベ
ルからなる階段状波形で、換言すれば、立上りについて
は２つの電圧レベルの所定時間毎の段階的増加により、
立下りについては２つの電圧レベルの所定時間毎の段階
的減少により変化させるものである。
有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動す
るための駆動電圧の波形の立上り及び立下りを徐々に、
換言すれば緩やかに変化させるので、図７に示す電気回
路Ａによる発光駆動方法と同様の利点がある。図９に示
す電気回路Ｃは、素子１００に印加する駆動電圧の波形
の立上り及び立下り、又は立上りのみを２つの電圧レベ
ルからなる階段状波形で、換言すれば、立上りについて
は２つの電圧レベルの所定時間毎の段階的増加により、
立下りについては２つの電圧レベルの所定時間毎の段階
的減少により変化させるものである。
【００４３】電気回路Ｃにおいて、基準クロック発生回
路３は基準クロックを発生させることができる。カウン
タ回路２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄは基準クロック発生回路
３からの基準クロックをカウントし、そのカウント値を
それぞれアナログＳＷ（スイッチ）７ａ、７ｂ、７ｃ、
７ｄに送ることができる。
路３は基準クロックを発生させることができる。カウン
タ回路２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄは基準クロック発生回路
３からの基準クロックをカウントし、そのカウント値を
それぞれアナログＳＷ（スイッチ）７ａ、７ｂ、７ｃ、
７ｄに送ることができる。
【００４４】アナログＳＷ７ａ〜７ｃはそれぞれカウン
タ回路２ａ〜２ｃから送られてくるカウント値に基づい
て、アナログスイッチをＯＮ／ＯＦＦでき、アナログＳ
Ｗ７ａ〜７ｃがＯＮのときにバッファアンプ４に対して
それぞれ基準電圧Ｖa 、Ｖb、Ｖm を入力できる。アナ
ログＳＷ７ｄはカウンタ回路２ｄから送られてくるカウ
ント値に基づいて、スイッチをＯＮ／ＯＦＦでき、アナ
ログＳＷ７ｄがＯＮのときにバッファアンプ４の入力を
ＧＮＤに接地できる。
タ回路２ａ〜２ｃから送られてくるカウント値に基づい
て、アナログスイッチをＯＮ／ＯＦＦでき、アナログＳ
Ｗ７ａ〜７ｃがＯＮのときにバッファアンプ４に対して
それぞれ基準電圧Ｖa 、Ｖb、Ｖm を入力できる。アナ
ログＳＷ７ｄはカウンタ回路２ｄから送られてくるカウ
ント値に基づいて、スイッチをＯＮ／ＯＦＦでき、アナ
ログＳＷ７ｄがＯＮのときにバッファアンプ４の入力を
ＧＮＤに接地できる。
【００４５】バッファアンプ４はアナログＳＷ７ａ〜７
ｄの出力電圧に基づいた電圧を出力することができる。
これにより、駆動電圧Ｖt を出力できる。電気回路Ｃに
よると、基準クロック発生回路３にて発生した基準クロ
ックがカウンタ回路２ａ〜２ｄにてカウントされる。カ
ウンタ回路２ａ〜２ｄでカウントされたカウント値はそ
れぞれアナログＳＷ７ａ〜７ｄに送られる。なお、この
ときアナログＳＷ７ａ〜７ｃはいずれもＯＦＦの状態で
あり、アナログＳＷ７ｄはＯＮの状態である。これによ
り、バッファアンプ４の入力がＧＮＤに接地され、バッ
ファアンプ４から０Ｖが出力される。
ｄの出力電圧に基づいた電圧を出力することができる。
これにより、駆動電圧Ｖt を出力できる。電気回路Ｃに
よると、基準クロック発生回路３にて発生した基準クロ
ックがカウンタ回路２ａ〜２ｄにてカウントされる。カ
ウンタ回路２ａ〜２ｄでカウントされたカウント値はそ
れぞれアナログＳＷ７ａ〜７ｄに送られる。なお、この
ときアナログＳＷ７ａ〜７ｃはいずれもＯＦＦの状態で
あり、アナログＳＷ７ｄはＯＮの状態である。これによ
り、バッファアンプ４の入力がＧＮＤに接地され、バッ
ファアンプ４から０Ｖが出力される。
【００４６】カウンタ回路２ａが所定のカウント値をカ
ウントしたとき、アナログＳＷ７ａはＯＮされ、アナロ
グＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電
圧Ｖ a がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ
４から一定の第１の駆動電圧ＶA （本例では２Ｖ）が出
力される（図３中ａ１参照）。カウンタ回路２ｂが所定
のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｂは
ＯＮされ、アナログＳＷ７ａ、７ｃ、７ｄはＯＦＦされ
る。これにより、基準電圧Ｖb がバッファアンプ４に入
力され、バッファアンプ４から一定の第２の駆動電圧Ｖ
B （本例では４Ｖ）が出力される（図３中ａ２参照）。
ウントしたとき、アナログＳＷ７ａはＯＮされ、アナロ
グＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電
圧Ｖ a がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ
４から一定の第１の駆動電圧ＶA （本例では２Ｖ）が出
力される（図３中ａ１参照）。カウンタ回路２ｂが所定
のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｂは
ＯＮされ、アナログＳＷ７ａ、７ｃ、７ｄはＯＦＦされ
る。これにより、基準電圧Ｖb がバッファアンプ４に入
力され、バッファアンプ４から一定の第２の駆動電圧Ｖ
B （本例では４Ｖ）が出力される（図３中ａ２参照）。
【００４７】このようにして、バッファアンプ４から２
つの電圧レベルからなる階段状波形で、換言すれば２つ
の電圧レベルの所定時間毎の段階的増加により変化する
波形が出力される（波形の立上り：図３中ａ参照）。さ
らに、カウンタ回路２ｃが所定のカウント値をカウント
したとき、アナログＳＷ７ｃはＯＮされ、アナログＳＷ
７ａ、７ｂ、７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電
圧Ｖm がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ
４から一定の最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）が出力され
る（図３中ｂ参照）。
つの電圧レベルからなる階段状波形で、換言すれば２つ
の電圧レベルの所定時間毎の段階的増加により変化する
波形が出力される（波形の立上り：図３中ａ参照）。さ
らに、カウンタ回路２ｃが所定のカウント値をカウント
したとき、アナログＳＷ７ｃはＯＮされ、アナログＳＷ
７ａ、７ｂ、７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電
圧Ｖm がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ
４から一定の最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）が出力され
る（図３中ｂ参照）。
【００４８】最大電圧ＶM が所定時間出力された後、す
なわちカウンタ回路２ｂが所定のカウント値をカウント
したとき、アナログＳＷ７ｂは再びＯＮされ、アナログ
ＳＷ７ａ、７ｃ、７ｄはＯＦＦされる。これにより、基
準電圧Ｖb がバッファアンプ４に入力され、バッファア
ンプ４から一定の第２の駆動電圧ＶB （本例では４Ｖ）
が出力される（図３中ｃ１参照）。
なわちカウンタ回路２ｂが所定のカウント値をカウント
したとき、アナログＳＷ７ｂは再びＯＮされ、アナログ
ＳＷ７ａ、７ｃ、７ｄはＯＦＦされる。これにより、基
準電圧Ｖb がバッファアンプ４に入力され、バッファア
ンプ４から一定の第２の駆動電圧ＶB （本例では４Ｖ）
が出力される（図３中ｃ１参照）。
【００４９】カウンタ回路２ａが所定のカウント値をカ
ウントしたとき、アナログＳＷ７ａは再びＯＮされ、ア
ナログＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦＦされる。これにより、基
準電圧Ｖa がバッファアンプ４に入力され、バッファア
ンプ４から一定の第１の駆動電圧ＶA （本例では２Ｖ）
が出力される（図３中ｃ２参照）。このようにして、バ
ッファアンプ４から２つの電圧レベルからなる階段状波
形で、換言すれば２つの電圧レベルの所定時間毎の段階
的減少により変化する波形が出力される（波形の立下
り：図３中ｃ参照）。
ウントしたとき、アナログＳＷ７ａは再びＯＮされ、ア
ナログＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦＦされる。これにより、基
準電圧Ｖa がバッファアンプ４に入力され、バッファア
ンプ４から一定の第１の駆動電圧ＶA （本例では２Ｖ）
が出力される（図３中ｃ２参照）。このようにして、バ
ッファアンプ４から２つの電圧レベルからなる階段状波
形で、換言すれば２つの電圧レベルの所定時間毎の段階
的減少により変化する波形が出力される（波形の立下
り：図３中ｃ参照）。
【００５０】さらに、カウンタ回路２ｄが所定のカウン
ト値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｄはＯＮさ
れ、アナログＳＷ７ａ〜７ｃはＯＦＦされる。これによ
り、バッファアンプ４がＧＮＤに接地され、バッファア
ンプ４から０Ｖが出力される。所定時間経過後、すなわ
ちカウンタ回路２ａが所定のカウント値をカウントした
とき、アナログＳＷ７ａは再びＯＮされ、アナログＳＷ
７ｂ〜７ｄはＯＦＦされ、前記の動作が繰り返されて所
定周期Ｔの駆動電圧Ｖt がバッファアンプ４から出力さ
れる。
ト値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｄはＯＮさ
れ、アナログＳＷ７ａ〜７ｃはＯＦＦされる。これによ
り、バッファアンプ４がＧＮＤに接地され、バッファア
ンプ４から０Ｖが出力される。所定時間経過後、すなわ
ちカウンタ回路２ａが所定のカウント値をカウントした
とき、アナログＳＷ７ａは再びＯＮされ、アナログＳＷ
７ｂ〜７ｄはＯＦＦされ、前記の動作が繰り返されて所
定周期Ｔの駆動電圧Ｖt がバッファアンプ４から出力さ
れる。
【００５１】また、この電気回路Ｃには次のように動作
させてもよい。すなわち、基準クロック発生回路３にて
発生した基準クロックがカウンタ回路２ａ〜２ｄにてカ
ウントされる。カウンタ回路２ａ〜２ｄでカウントされ
たカウント値はそれぞれアナログＳＷ７ａ〜７ｄに送ら
れる。なお、このときアナログＳＷ７ａ〜７ｃはいずれ
もＯＦＦの状態であり、アナログＳＷ７ｄはＯＮの状態
である。これにより、バッファアンプ４がＧＮＤに接地
され、バッファアンプ４から０Ｖが出力される。
させてもよい。すなわち、基準クロック発生回路３にて
発生した基準クロックがカウンタ回路２ａ〜２ｄにてカ
ウントされる。カウンタ回路２ａ〜２ｄでカウントされ
たカウント値はそれぞれアナログＳＷ７ａ〜７ｄに送ら
れる。なお、このときアナログＳＷ７ａ〜７ｃはいずれ
もＯＦＦの状態であり、アナログＳＷ７ｄはＯＮの状態
である。これにより、バッファアンプ４がＧＮＤに接地
され、バッファアンプ４から０Ｖが出力される。
【００５２】カウンタ回路２ａが所定のカウント値をカ
ウントしたとき、アナログＳＷ７ａはＯＮされ、アナロ
グＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電
圧Ｖ a がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ
４から一定の第１の駆動電圧ＶA （本例では２Ｖ）が出
力される（図５中ａ１参照）。カウンタ回路２ｂが所定
のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｂは
ＯＮされ、アナログＳＷ７ａ、７ｃ、７ｄはＯＦＦされ
る。これにより、基準電圧Ｖb がバッファアンプ４に入
力され、バッファアンプ４から一定の第２の駆動電圧Ｖ
B （本例では４Ｖ）が出力される（図５中ａ２参照）。
ウントしたとき、アナログＳＷ７ａはＯＮされ、アナロ
グＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電
圧Ｖ a がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ
４から一定の第１の駆動電圧ＶA （本例では２Ｖ）が出
力される（図５中ａ１参照）。カウンタ回路２ｂが所定
のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｂは
ＯＮされ、アナログＳＷ７ａ、７ｃ、７ｄはＯＦＦされ
る。これにより、基準電圧Ｖb がバッファアンプ４に入
力され、バッファアンプ４から一定の第２の駆動電圧Ｖ
B （本例では４Ｖ）が出力される（図５中ａ２参照）。
【００５３】このようにして、バッファアンプ４から２
つの電圧レベルからなる階段状波形で、換言すれば２つ
の電圧レベルの所定時間毎の段階的増加により変化する
波形が出力される（波形の立上り：図５中ａ参照）。さ
らに、カウンタ回路２ｃが所定のカウント値をカウント
したとき、アナログＳＷ７ｃはＯＮされ、アナログＳＷ
７ａ、７ｂ、７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電
圧Ｖm がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ
４から一定の最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）が出力され
る（図５中ｂ参照）。
つの電圧レベルからなる階段状波形で、換言すれば２つ
の電圧レベルの所定時間毎の段階的増加により変化する
波形が出力される（波形の立上り：図５中ａ参照）。さ
らに、カウンタ回路２ｃが所定のカウント値をカウント
したとき、アナログＳＷ７ｃはＯＮされ、アナログＳＷ
７ａ、７ｂ、７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電
圧Ｖm がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ
４から一定の最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）が出力され
る（図５中ｂ参照）。
【００５４】最大電圧ＶM が所定時間出力された後、す
なわちカウンタ回路２ｄが所定のカウント値をカウント
したとき、アナログＳＷ７ｄはＯＮされ、アナログＳＷ
７ａ〜７ｃはＯＦＦされる。これにより、バッファアン
プ４がＧＮＤに接地され、バッファアンプ４から０Ｖが
出力される。所定時間経過後、すなわちカウンタ回路２
ａが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳ
Ｗ７ａは再びＯＮされ、アナログＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦ
Ｆされ、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆動電
圧Ｖt がバッファアンプ４から出力される。
なわちカウンタ回路２ｄが所定のカウント値をカウント
したとき、アナログＳＷ７ｄはＯＮされ、アナログＳＷ
７ａ〜７ｃはＯＦＦされる。これにより、バッファアン
プ４がＧＮＤに接地され、バッファアンプ４から０Ｖが
出力される。所定時間経過後、すなわちカウンタ回路２
ａが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳ
Ｗ７ａは再びＯＮされ、アナログＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦ
Ｆされ、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆動電
圧Ｖt がバッファアンプ４から出力される。
【００５５】電気回路Ｃによる発光駆動方法によると、
有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動す
るための駆動電圧の波形の立上り及び立下り、又は立上
りのみを徐々に、換言すれば緩やかに変化させるので、
図７に示す電気回路Ａによる発光駆動方法と同様の利点
がある。図１０に示す電気回路Ｄは、素子１００に印加
する駆動電圧の波形の立上りのみを単調増加、換言すれ
ば傾斜直線的増加により連続的に変化させるものであ
る。
有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動す
るための駆動電圧の波形の立上り及び立下り、又は立上
りのみを徐々に、換言すれば緩やかに変化させるので、
図７に示す電気回路Ａによる発光駆動方法と同様の利点
がある。図１０に示す電気回路Ｄは、素子１００に印加
する駆動電圧の波形の立上りのみを単調増加、換言すれ
ば傾斜直線的増加により連続的に変化させるものであ
る。
【００５６】電気回路Ｄにおいて、基準クロック発生回
路３は基準クロックを発生させることができる。カウン
タ回路２は基準クロック発生回路３からの基準クロック
をカウントし、そのカウント値を定電流回路１１に送る
ことができる。定電流回路１１はカウンタ回路２から送
られてくるカウント値に基づいて、基準コンデンサ１に
定電流を送り、基準コンデンサ１を充電することができ
る。
路３は基準クロックを発生させることができる。カウン
タ回路２は基準クロック発生回路３からの基準クロック
をカウントし、そのカウント値を定電流回路１１に送る
ことができる。定電流回路１１はカウンタ回路２から送
られてくるカウント値に基づいて、基準コンデンサ１に
定電流を送り、基準コンデンサ１を充電することができ
る。
【００５７】コンパレータ１２は基準電圧Ｖm と基準コ
ンデンサ１の端子電圧とを比較して基準コンデンサ１の
端子電圧が基準電圧Ｖm に達した時点、換言すれば駆動
電圧Ｖt が最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）に達した時点
で定電流回路１１をＯＦＦする。これにより定電流回路
１１の基準コンデンサ１に対する充電動作が停止され
る。
ンデンサ１の端子電圧とを比較して基準コンデンサ１の
端子電圧が基準電圧Ｖm に達した時点、換言すれば駆動
電圧Ｖt が最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）に達した時点
で定電流回路１１をＯＦＦする。これにより定電流回路
１１の基準コンデンサ１に対する充電動作が停止され
る。
【００５８】ＳＷ（スイッチ）８はカウンタ回路２から
送られてくるカウント値に基づいて、基準コンデンサ１
から電流を流し、基準コンデンサ１を放電することがで
きる。バッファアンプ４は基準コンデンサ１の端子電圧
に基づいた電圧を出力することができる。これにより、
駆動電圧Ｖt を出力できる。
送られてくるカウント値に基づいて、基準コンデンサ１
から電流を流し、基準コンデンサ１を放電することがで
きる。バッファアンプ４は基準コンデンサ１の端子電圧
に基づいた電圧を出力することができる。これにより、
駆動電圧Ｖt を出力できる。
【００５９】電気回路Ｄによると、基準クロック発生回
路３にて発生した基準クロックがカウンタ回路２にてカ
ウントされる。カウンタ回路２でカウントされたカウン
ト値は定電流回路１１、ＳＷ８に送られる。なお、この
とき定電流回路１１はＯＦＦの状態であり、ＳＷ８はＯ
Ｎの状態である。これにより、バッファアンプ４の入力
がＧＮＤに接地され、バッファアンプ４から０Ｖが出力
される。
路３にて発生した基準クロックがカウンタ回路２にてカ
ウントされる。カウンタ回路２でカウントされたカウン
ト値は定電流回路１１、ＳＷ８に送られる。なお、この
とき定電流回路１１はＯＦＦの状態であり、ＳＷ８はＯ
Ｎの状態である。これにより、バッファアンプ４の入力
がＧＮＤに接地され、バッファアンプ４から０Ｖが出力
される。
【００６０】カウンタ回路２が所定のカウント値をカウ
ントしたとき、定電流回路１１はＯＮ、ＳＷ８はＯＦＦ
され、基準コンデンサ１が充電される。これにより、基
準コンデンサ１は所定の立上り速さで充電され、バッフ
ァアンプ４から単調増加、換言すれば傾斜直線的増加に
より連続的に変化する波形が出力される（波形の立上
り：図４中ａ参照）。
ントしたとき、定電流回路１１はＯＮ、ＳＷ８はＯＦＦ
され、基準コンデンサ１が充電される。これにより、基
準コンデンサ１は所定の立上り速さで充電され、バッフ
ァアンプ４から単調増加、換言すれば傾斜直線的増加に
より連続的に変化する波形が出力される（波形の立上
り：図４中ａ参照）。
【００６１】コンパレータ１２にて基準コンデンサ１の
端子電圧と基準電圧Ｖm とが比較され、基準コンデンサ
１の端子電圧が基準電圧Ｖm に達した時点、換言すれば
駆動電圧Ｖt が最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）に達した
時点で定電流回路１１はＯＦＦされ、定電流回路１１の
基準コンデンサ１に対する充電動作が停止される。これ
により、基準コンデンサ１の端子電圧はホールドされ、
バッファアンプ４から一定の最大電圧ＶM が出力される
（図４中ｂ参照）。
端子電圧と基準電圧Ｖm とが比較され、基準コンデンサ
１の端子電圧が基準電圧Ｖm に達した時点、換言すれば
駆動電圧Ｖt が最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）に達した
時点で定電流回路１１はＯＦＦされ、定電流回路１１の
基準コンデンサ１に対する充電動作が停止される。これ
により、基準コンデンサ１の端子電圧はホールドされ、
バッファアンプ４から一定の最大電圧ＶM が出力される
（図４中ｂ参照）。
【００６２】最大電圧ＶM が所定時間出力された後、す
なわちカウンタ回路２が所定のカウント値をカウントし
たとき、ＳＷ８はＯＮされ、基準コンデンサ１が放電さ
れ、バッファアンプ４からの駆動電圧Ｖt が０Ｖに低下
する。所定時間経過後、すなわちカウンタ回路２が所定
のカウント値をカウントしたとき、定電流回路１１は再
びＯＮされ、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆
動電圧Ｖt がバッファアンプ４から出力される。
なわちカウンタ回路２が所定のカウント値をカウントし
たとき、ＳＷ８はＯＮされ、基準コンデンサ１が放電さ
れ、バッファアンプ４からの駆動電圧Ｖt が０Ｖに低下
する。所定時間経過後、すなわちカウンタ回路２が所定
のカウント値をカウントしたとき、定電流回路１１は再
びＯＮされ、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆
動電圧Ｖt がバッファアンプ４から出力される。
【００６３】電気回路Ｄによる発光駆動方法によると、
有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動す
るための駆動電圧の波形の立上りを徐々に、換言すれば
緩やかに変化させるので、図７に示す電気回路Ａによる
発光駆動方法と同様の利点がある。なお、本例では、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を駆動する駆動
波形として出力電圧を制御する例を示したが、駆動波形
として、出力電流を制御する場合も同様の効果を得るこ
とができる。
有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動す
るための駆動電圧の波形の立上りを徐々に、換言すれば
緩やかに変化させるので、図７に示す電気回路Ａによる
発光駆動方法と同様の利点がある。なお、本例では、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を駆動する駆動
波形として出力電圧を制御する例を示したが、駆動波形
として、出力電流を制御する場合も同様の効果を得るこ
とができる。
【００６４】また、本例においては電圧出力のＯＦＦの
期間の出力値を０Ｖに設定しているが、それに代えて有
機エレクトロルミネッセンス素子に対して逆バイアス
（逆方向電圧）とすることも可能であり、その場合、素
子発光の安定性はさらに向上する。次に、図１１に示す
有機エレクトロルミネッセンス素子１００を用いて、本
発明の有機電界発光素子の発光駆動方法を実施例１から
実施例５として実施したので、比較例とともに以下に説
明する。
期間の出力値を０Ｖに設定しているが、それに代えて有
機エレクトロルミネッセンス素子に対して逆バイアス
（逆方向電圧）とすることも可能であり、その場合、素
子発光の安定性はさらに向上する。次に、図１１に示す
有機エレクトロルミネッセンス素子１００を用いて、本
発明の有機電界発光素子の発光駆動方法を実施例１から
実施例５として実施したので、比較例とともに以下に説
明する。
【００６５】有機エレクトロルミネッセンス素子１００
の封止領域外の陽極部１０２ａ及び陰極部１０５ａにリ
ード線を接続し、後述する実施例１から実施例５及び比
較例のように各種駆動電圧を印加し、素子１００を発光
させて発光輝度の変化及び素子の発光状態を評価、観察
した。先ず、実施例１から実施例５及び比較例に用いた
有機エレクトロルミネッセンス素子１００の作製につい
て説明し、次いで、実施例１から実施例５及び比較例に
ついて説明する。 （有機エレクトロルミネッセンス素子の作製）市販のＩ
ＴＯ（インジウム錫酸化物）膜コート済みのガラス基板
（日本板硝子社製）１０１上のＩＴＯ膜が２ｍｍ幅とな
るようにエッチングにより、該ＩＴＯ膜に対してパター
ニングを行い、ガラス基板１０１上に陽極１０２を形成
した。このパターニング後の基板１０１を界面活性剤水
溶液で１５分間超音波洗浄し、さらに基板１０１に波長
１７２ｎｍのエキシマランプによる光を５分間照射した
後、その表面を酸素プラズマにて１０分間洗浄した。
の封止領域外の陽極部１０２ａ及び陰極部１０５ａにリ
ード線を接続し、後述する実施例１から実施例５及び比
較例のように各種駆動電圧を印加し、素子１００を発光
させて発光輝度の変化及び素子の発光状態を評価、観察
した。先ず、実施例１から実施例５及び比較例に用いた
有機エレクトロルミネッセンス素子１００の作製につい
て説明し、次いで、実施例１から実施例５及び比較例に
ついて説明する。 （有機エレクトロルミネッセンス素子の作製）市販のＩ
ＴＯ（インジウム錫酸化物）膜コート済みのガラス基板
（日本板硝子社製）１０１上のＩＴＯ膜が２ｍｍ幅とな
るようにエッチングにより、該ＩＴＯ膜に対してパター
ニングを行い、ガラス基板１０１上に陽極１０２を形成
した。このパターニング後の基板１０１を界面活性剤水
溶液で１５分間超音波洗浄し、さらに基板１０１に波長
１７２ｎｍのエキシマランプによる光を５分間照射した
後、その表面を酸素プラズマにて１０分間洗浄した。
【００６６】このように洗浄したＩＴＯ基板１０１上に
Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（３―メチルフ
ェニル）―１，１’―ジフェニル―４，４’―ジアミン
を真空蒸着法により、蒸着速度１Å／ｓｅｃで６０ｎｍ
成膜し、正孔注入輸送層１０３を形成した。続いて、ト
リス（８―ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を正
孔注入輸送層１０３と同様に、真空蒸着法により、蒸着
速度１Å／ｓｅｃで６０ｎｍ成膜し、発光層１０４を形
成した。
Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（３―メチルフ
ェニル）―１，１’―ジフェニル―４，４’―ジアミン
を真空蒸着法により、蒸着速度１Å／ｓｅｃで６０ｎｍ
成膜し、正孔注入輸送層１０３を形成した。続いて、ト
リス（８―ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を正
孔注入輸送層１０３と同様に、真空蒸着法により、蒸着
速度１Å／ｓｅｃで６０ｎｍ成膜し、発光層１０４を形
成した。
【００６７】次に陰極１０５として、マグネシウムと銀
を抵抗加熱の共蒸着により蒸着速度比１０：１（マグネ
シウム：銀）にコントロールし、開口部２ｍｍ幅の成膜
マスクを用いて、２００ｎｍの膜厚になるように薄膜を
形成した。以上のように作製した素子を、予め真空引
き、窒素置換したグローブボックス中に持ち込み、素子
上に洗浄済みの封止用ガラス基板１０６を載せ、その周
辺の隙間を覆うように紫外線硬化樹脂１０７を塗布し、
その後、その紫外線硬化樹脂にＵＶ（紫外線）を２００
秒間照射し、該樹脂を硬化させ、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子１００を作製した。 （実施例１）図７に示す電気回路Ａによる発光駆動方法
によって、図１に示す波形、すなわち立上りについては
単調増加により、立下りについては単調減少により連続
的に変化する電圧波形の駆動電圧を以下の条件で有機エ
レクトロルミネッセンス素子１００の陽極１０２及び陰
極１０５間に印加した。 電圧波形の周波数 ：１／Ｔ＝１００Ｈｚ Ｔ＝１０ｍ秒（Ｔは繰り返し周期） 最大電圧 ：ＶM ＝６Ｖ 最大電圧のDuty ratio：τ／Ｔ＝１／６４ τ＝０．１５６２５ｍ秒 （τは最大電圧ＶM の持続する時間） 電圧波形の立上り部（図１中ａ参照） 立上り時間：ｔr ＝０．１ｍ秒 （０Ｖから６Ｖに連続的に単調増加） 電圧波形の立下り部（図１中ｃ参照） 立下り時間：ｔf ＝０．１ｍ秒 （６Ｖから０Ｖに連続的に単調減少） この条件で、図１に示す電圧波形を連続的に印加し、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動した
ところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度
が、初期輝度に対して８９％であった。
を抵抗加熱の共蒸着により蒸着速度比１０：１（マグネ
シウム：銀）にコントロールし、開口部２ｍｍ幅の成膜
マスクを用いて、２００ｎｍの膜厚になるように薄膜を
形成した。以上のように作製した素子を、予め真空引
き、窒素置換したグローブボックス中に持ち込み、素子
上に洗浄済みの封止用ガラス基板１０６を載せ、その周
辺の隙間を覆うように紫外線硬化樹脂１０７を塗布し、
その後、その紫外線硬化樹脂にＵＶ（紫外線）を２００
秒間照射し、該樹脂を硬化させ、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子１００を作製した。 （実施例１）図７に示す電気回路Ａによる発光駆動方法
によって、図１に示す波形、すなわち立上りについては
単調増加により、立下りについては単調減少により連続
的に変化する電圧波形の駆動電圧を以下の条件で有機エ
レクトロルミネッセンス素子１００の陽極１０２及び陰
極１０５間に印加した。 電圧波形の周波数 ：１／Ｔ＝１００Ｈｚ Ｔ＝１０ｍ秒（Ｔは繰り返し周期） 最大電圧 ：ＶM ＝６Ｖ 最大電圧のDuty ratio：τ／Ｔ＝１／６４ τ＝０．１５６２５ｍ秒 （τは最大電圧ＶM の持続する時間） 電圧波形の立上り部（図１中ａ参照） 立上り時間：ｔr ＝０．１ｍ秒 （０Ｖから６Ｖに連続的に単調増加） 電圧波形の立下り部（図１中ｃ参照） 立下り時間：ｔf ＝０．１ｍ秒 （６Ｖから０Ｖに連続的に単調減少） この条件で、図１に示す電圧波形を連続的に印加し、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動した
ところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度
が、初期輝度に対して８９％であった。
【００６８】また、ダークスポットの発生などの発光状
態の変化は認められなかった。 （実施例２）図８に示す電気回路Ｂによる発光駆動方法
によって、図２に示す波形、すなわち立上り及び立下り
が時定数を有する形で連続的に変化する電圧波形の駆動
電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス素子
１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。 電圧波形の周波数 ：１／Ｔ＝５０Ｈｚ Ｔ＝２０ｍ秒（Ｔは繰り返し周期） 最大電圧 ：ＶM ＝６Ｖ 最大電圧のDuty ratio：τ／Ｔ＝１／１０ τ＝２ｍ秒 （τは最大電圧ＶM の持続する時間） 電圧波形の立上り部（図２中ａ参照） 立上り時間：ｔr ＝２ｍ秒 （０Ｖから６Ｖに時定数を持たせて連続的に増加） 電圧波形の立下り部（図２中ｃ参照） 立下り時間：ｔf ＝２ｍ秒 （６Ｖから０Ｖに時定数を持たせて連続的に減少） この条件で、図２に示す電圧波形を連続的に印加し、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動した
ところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度
が、初期輝度に対して８６％であった。
態の変化は認められなかった。 （実施例２）図８に示す電気回路Ｂによる発光駆動方法
によって、図２に示す波形、すなわち立上り及び立下り
が時定数を有する形で連続的に変化する電圧波形の駆動
電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス素子
１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。 電圧波形の周波数 ：１／Ｔ＝５０Ｈｚ Ｔ＝２０ｍ秒（Ｔは繰り返し周期） 最大電圧 ：ＶM ＝６Ｖ 最大電圧のDuty ratio：τ／Ｔ＝１／１０ τ＝２ｍ秒 （τは最大電圧ＶM の持続する時間） 電圧波形の立上り部（図２中ａ参照） 立上り時間：ｔr ＝２ｍ秒 （０Ｖから６Ｖに時定数を持たせて連続的に増加） 電圧波形の立下り部（図２中ｃ参照） 立下り時間：ｔf ＝２ｍ秒 （６Ｖから０Ｖに時定数を持たせて連続的に減少） この条件で、図２に示す電圧波形を連続的に印加し、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動した
ところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度
が、初期輝度に対して８６％であった。
【００６９】また、ダークスポットの発生などの発光状
態の変化は認められなかった。 （実施例３）図９に示す電気回路Ｃによる発光駆動方法
によって、図３に示す波形、すなわち立上り及び立下り
が２つの電圧レベルからなる階段状波形で変化する電圧
波形の駆動電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッ
センス素子１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加
した。 電圧波形の周波数 ：１／Ｔ＝２００Ｈｚ Ｔ＝５ｍ秒（Ｔは繰り返し周期） 最大電圧 ：ＶM ＝６Ｖ 最大電圧のDuty ratio：τ／Ｔ＝１／５ τ＝１ｍ秒 （τは最大電圧ＶM の持続する時間） 電圧波形の立上り部（図３中ａ参照） 立上り時間：ｔr ＝１ｍ秒 ｔr １＝０．５ｍ秒 ＶA ＝２Ｖ（図３中ａ１参照） ｔr ２＝０．５ｍ秒 ＶB ＝４Ｖ（図３中ａ２参照） 電圧波形の立下り部（図３中ｃ参照） 立下り時間：ｔf ＝１ｍ秒 ｔf １＝０．５ｍ秒 ＶB ＝４Ｖ（図３中ｃ１参照） ｔf ２＝０．５ｍ秒 ＶA ＝２Ｖ（図３中ｃ２参照） この条件で、図３に示す電圧波形を連続的に印加し、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動した
ところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度
が、初期輝度に対して８３％であった。
態の変化は認められなかった。 （実施例３）図９に示す電気回路Ｃによる発光駆動方法
によって、図３に示す波形、すなわち立上り及び立下り
が２つの電圧レベルからなる階段状波形で変化する電圧
波形の駆動電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッ
センス素子１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加
した。 電圧波形の周波数 ：１／Ｔ＝２００Ｈｚ Ｔ＝５ｍ秒（Ｔは繰り返し周期） 最大電圧 ：ＶM ＝６Ｖ 最大電圧のDuty ratio：τ／Ｔ＝１／５ τ＝１ｍ秒 （τは最大電圧ＶM の持続する時間） 電圧波形の立上り部（図３中ａ参照） 立上り時間：ｔr ＝１ｍ秒 ｔr １＝０．５ｍ秒 ＶA ＝２Ｖ（図３中ａ１参照） ｔr ２＝０．５ｍ秒 ＶB ＝４Ｖ（図３中ａ２参照） 電圧波形の立下り部（図３中ｃ参照） 立下り時間：ｔf ＝１ｍ秒 ｔf １＝０．５ｍ秒 ＶB ＝４Ｖ（図３中ｃ１参照） ｔf ２＝０．５ｍ秒 ＶA ＝２Ｖ（図３中ｃ２参照） この条件で、図３に示す電圧波形を連続的に印加し、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動した
ところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度
が、初期輝度に対して８３％であった。
【００７０】また、ダークスポットの発生などの発光状
態の変化は認められなかった。 （実施例４）図１０に示す電気回路Ｄによる発光駆動方
法によって、図４に示す波形、すなわち立上りのみにつ
いて単調増加により連続的に変化する電圧波形の駆動電
圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス素子１
００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。 電圧波形の周波数 ：１／Ｔ＝１００Ｈｚ Ｔ＝１０ｍ秒（Ｔは繰り返し周期） 最大電圧 ：ＶM ＝６Ｖ 最大電圧のDuty ratio：τ／Ｔ＝１／６４ τ＝０．１５６２５ｍ秒 （τは最大電圧ＶM の持続する時間） 電圧波形の立上り部（図４中ａ参照） 立上り時間：ｔr ＝０．１５ｍ秒 （０Ｖから６Ｖに連続的に単調増加） この条件で、図４に示す電圧波形を連続的に印加し、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動した
ところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度
が、初期輝度に対して８４％であった。
態の変化は認められなかった。 （実施例４）図１０に示す電気回路Ｄによる発光駆動方
法によって、図４に示す波形、すなわち立上りのみにつ
いて単調増加により連続的に変化する電圧波形の駆動電
圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス素子１
００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。 電圧波形の周波数 ：１／Ｔ＝１００Ｈｚ Ｔ＝１０ｍ秒（Ｔは繰り返し周期） 最大電圧 ：ＶM ＝６Ｖ 最大電圧のDuty ratio：τ／Ｔ＝１／６４ τ＝０．１５６２５ｍ秒 （τは最大電圧ＶM の持続する時間） 電圧波形の立上り部（図４中ａ参照） 立上り時間：ｔr ＝０．１５ｍ秒 （０Ｖから６Ｖに連続的に単調増加） この条件で、図４に示す電圧波形を連続的に印加し、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動した
ところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度
が、初期輝度に対して８４％であった。
【００７１】また、ダークスポットの発生などの発光状
態の変化は認められなかった。 （実施例５）図９に示す電気回路Ｃによる発光駆動方法
によって、図５に示す波形、すなわち立上りのみが２つ
の電圧レベルからなる階段状波形で変化する電圧波形の
駆動電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス
素子１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。 電圧波形の周波数 ：１／Ｔ＝５０Ｈｚ Ｔ＝２０ｍ秒（Ｔは繰り返し周期） 最大電圧 ：ＶM ＝６Ｖ 最大電圧のDuty ratio：τ／Ｔ＝１／２０ τ＝１ｍ秒 （τは最大電圧ＶM の持続する時間） 電圧波形の立上り部（図５中ａ参照） 立上り時間：ｔr ＝０．６ｍ秒 ｔr １＝０．３ｍ秒 ＶA ＝２Ｖ（図５中ａ１参照） ｔr ２＝０．３ｍ秒 ＶB ＝４Ｖ（図５中ａ２参照） この条件で、図５に示す電圧波形を連続的に印加し、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動した
ところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度
が、初期輝度に対して８０％であった。
態の変化は認められなかった。 （実施例５）図９に示す電気回路Ｃによる発光駆動方法
によって、図５に示す波形、すなわち立上りのみが２つ
の電圧レベルからなる階段状波形で変化する電圧波形の
駆動電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス
素子１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。 電圧波形の周波数 ：１／Ｔ＝５０Ｈｚ Ｔ＝２０ｍ秒（Ｔは繰り返し周期） 最大電圧 ：ＶM ＝６Ｖ 最大電圧のDuty ratio：τ／Ｔ＝１／２０ τ＝１ｍ秒 （τは最大電圧ＶM の持続する時間） 電圧波形の立上り部（図５中ａ参照） 立上り時間：ｔr ＝０．６ｍ秒 ｔr １＝０．３ｍ秒 ＶA ＝２Ｖ（図５中ａ１参照） ｔr ２＝０．３ｍ秒 ＶB ＝４Ｖ（図５中ａ２参照） この条件で、図５に示す電圧波形を連続的に印加し、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動した
ところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度
が、初期輝度に対して８０％であった。
【００７２】また、ダークスポットの発生などの発光状
態の変化は認められなかった。 （比較例）図６に示す波形、すなわち単純な矩形波の駆
動電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス素
子１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。 電圧波形の周波数 ：１／Ｔ＝１００Ｈｚ Ｔ＝１０ｍ秒（Ｔは繰り返し周期） 印加電圧 ：ＶM ＝６Ｖ Duty ratio ：τ／Ｔ＝１／６４ τ＝０．１５６２５ｍ秒 （τはパルス幅） この条件で、図６に示す電圧波形を連続的に印加し、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動した
ところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度
が、初期輝度に対して６３％であった。
態の変化は認められなかった。 （比較例）図６に示す波形、すなわち単純な矩形波の駆
動電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス素
子１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。 電圧波形の周波数 ：１／Ｔ＝１００Ｈｚ Ｔ＝１０ｍ秒（Ｔは繰り返し周期） 印加電圧 ：ＶM ＝６Ｖ Duty ratio ：τ／Ｔ＝１／６４ τ＝０．１５６２５ｍ秒 （τはパルス幅） この条件で、図６に示す電圧波形を連続的に印加し、有
機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動した
ところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度
が、初期輝度に対して６３％であった。
【００７３】また、ダークスポットの発生が見られ、初
期の均一な面発光状態が維持できていなかった。このよ
うに実施例１から実施例５では、素子１００にかかる急
激な電界変化を防止でき、それにより、素子劣化を抑制
でき、素子発光寿命を向上させることができることがわ
かった。これに対し、比較例では、単純な電圧矩形波を
素子１００に印加することで短時間で素子劣化を生じ
た。
期の均一な面発光状態が維持できていなかった。このよ
うに実施例１から実施例５では、素子１００にかかる急
激な電界変化を防止でき、それにより、素子劣化を抑制
でき、素子発光寿命を向上させることができることがわ
かった。これに対し、比較例では、単純な電圧矩形波を
素子１００に印加することで短時間で素子劣化を生じ
た。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、基
板上に積層形成された陽極、有機発光膜及び陰極を含む
有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間に電圧を印加
して前記有機電界発光素子を発光駆動する有機電界発光
素子の発光駆動方法であって、素子にかかる急激な電界
変化を防止でき、それにより、素子劣化を抑制でき、素
子発光寿命を向上させることができる有機電界発光素子
の発光駆動方法を提供することができる。
板上に積層形成された陽極、有機発光膜及び陰極を含む
有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間に電圧を印加
して前記有機電界発光素子を発光駆動する有機電界発光
素子の発光駆動方法であって、素子にかかる急激な電界
変化を防止でき、それにより、素子劣化を抑制でき、素
子発光寿命を向上させることができる有機電界発光素子
の発光駆動方法を提供することができる。
【図１】図７に示す電気回路から出力される駆動電圧の
波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素
子に印加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りが立上
りについては単調増加により、立下りについては単調減
少により連続的に変化する波形のグラフである。
波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素
子に印加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りが立上
りについては単調増加により、立下りについては単調減
少により連続的に変化する波形のグラフである。
【図２】図８に示す電気回路から出力される駆動電圧の
波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素
子に印加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りが時定
数を有する形で連続的に変化する波形のグラフである。
波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素
子に印加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りが時定
数を有する形で連続的に変化する波形のグラフである。
【図３】図９に示す電気回路から出力される駆動電圧の
波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素
子に印加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りが２つ
の電圧レベルからなる階段状波形で変化する波形のグラ
フである。
波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素
子に印加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りが２つ
の電圧レベルからなる階段状波形で変化する波形のグラ
フである。
【図４】図１０に示す電気回路から出力される駆動電圧
の波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス
素子に印加する駆動電圧の波形の立上りのみが単調増加
により連続的に変化する波形のグラフである。
の波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス
素子に印加する駆動電圧の波形の立上りのみが単調増加
により連続的に変化する波形のグラフである。
【図５】図９に示す電気回路から出力される駆動電圧の
波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素
子に印加する駆動電圧の波形の立上りのみが２つの電圧
レベルからなる階段状波形で変化する波形のグラフであ
る。
波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素
子に印加する駆動電圧の波形の立上りのみが２つの電圧
レベルからなる階段状波形で変化する波形のグラフであ
る。
【図６】単純な電圧矩形波を示すグラフである。
【図７】本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法
を実施する発光駆動装置における電気回路の１例の概略
構成のブロック図である。
を実施する発光駆動装置における電気回路の１例の概略
構成のブロック図である。
【図８】本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法
を実施する発光駆動装置における電気回路の他の例の概
略構成のブロック図である。
を実施する発光駆動装置における電気回路の他の例の概
略構成のブロック図である。
【図９】本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法
を実施する発光駆動装置における電気回路のさらに他の
例の概略構成のブロック図である。
を実施する発光駆動装置における電気回路のさらに他の
例の概略構成のブロック図である。
【図１０】本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方
法を実施する発光駆動装置における電気回路のさらに他
の例の概略構成のブロック図である。
法を実施する発光駆動装置における電気回路のさらに他
の例の概略構成のブロック図である。
【図１１】本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方
法に用いることができる有機電界発光素子の１例の概略
構成を示す断面図である。
法に用いることができる有機電界発光素子の１例の概略
構成を示す断面図である。
１ 基準コンデンサ ２ カウンタ回路 ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ カウンタ回路 ３ 基準クロック発生回路 ４ バッファアンプ ５ 基準波形（基準矩形波）発生回路 ６ 時定数（ＣＲ時定数）回路 ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ アナログＳＷ（スイッチ） ８ ＳＷ（スイッチ） １１、２１ 定電流回路 １２、２２ コンパレータ １００ 有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセ
ンス素子） １０１ ガラスからなる透明基板 １０２ 透明電極である陽極 １０２ａ 素子１００の封止領域外の陽極部 １０３ 有機正孔注入輸送層 １０４ 有機発光層 １０５ 陰極 １０５ａ 素子１００の封止領域外の陰極部 １０６ ガラスからなる封止用基板 １０７ 封止用樹脂 １０８ 有機発光膜 １０９ 封止部材 Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ 電気回路 ｔr 立上り時間 ｔf 立下り時間 Ｔ 繰り返し周期 τ 最大電圧ＶM の持続する時間 Ｖa 、Ｖb 、Ｖm 、Ｖs 基準電圧 ＶA 第１の駆動電圧 ＶB 第２の駆動電圧 ＶM 最大電圧 ＶS 最小電圧 Ｖt 駆動電圧
ンス素子） １０１ ガラスからなる透明基板 １０２ 透明電極である陽極 １０２ａ 素子１００の封止領域外の陽極部 １０３ 有機正孔注入輸送層 １０４ 有機発光層 １０５ 陰極 １０５ａ 素子１００の封止領域外の陰極部 １０６ ガラスからなる封止用基板 １０７ 封止用樹脂 １０８ 有機発光膜 １０９ 封止部材 Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ 電気回路 ｔr 立上り時間 ｔf 立下り時間 Ｔ 繰り返し周期 τ 最大電圧ＶM の持続する時間 Ｖa 、Ｖb 、Ｖm 、Ｖs 基準電圧 ＶA 第１の駆動電圧 ＶB 第２の駆動電圧 ＶM 最大電圧 ＶS 最小電圧 Ｖt 駆動電圧
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB00 BB01 CA01 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 GA00 GA02 5C080 AA06 BB09 DD29 EE25 FF01 JJ02 JJ04 JJ06
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に積層形成された陽極、有機発光膜
及び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極
間に電圧を印加して前記有機電界発光素子を発光駆動す
る有機電界発光素子の発光駆動方法であり、前記有機電
界発光素子を発光駆動するための駆動電圧又は駆動電流
の波形の立上り及び（又は）立下りを徐々に変化させる
ことを特徴とする有機電界発光素子の発光駆動方法。 - 【請求項２】前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り
時間及び（又は）立下り時間は、１００μ秒以上である
請求項１記載の有機電界発光素子の発光駆動方法。 - 【請求項３】前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り
及び（又は）立下りを立上りについては単調増加によ
り、立下りについては単調減少により連続的に変化させ
る請求項１又は２記載の有機電界発光素子の発光駆動方
法。 - 【請求項４】前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り
及び（又は）立下りを時定数を有する形で連続的に変化
させる請求項１又は２記載の有機電界発光素子の発光駆
動方法。 - 【請求項５】前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り
及び（又は）立下りを２以上の電圧レベル又は電流レベ
ルからなる階段状波形で変化させる請求項１又は２記載
の有機電界発光素子の発光駆動方法。
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|---|---|---|---|
| JP17633999A JP4306026B2 (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 有機電界発光素子の発光駆動方法 |
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| JP17633999A JP4306026B2 (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 有機電界発光素子の発光駆動方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001006874A true JP2001006874A (ja) | 2001-01-12 |
| JP4306026B2 JP4306026B2 (ja) | 2009-07-29 |
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| JP17633999A Expired - Fee Related JP4306026B2 (ja) | 1999-06-23 | 1999-06-23 | 有機電界発光素子の発光駆動方法 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258060A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Denso Corp | Ｅｌ表示装置 |
| EP2510746A1 (en) * | 2009-12-10 | 2012-10-17 | General Electric Company | Electronic driver dimming control using ramped pulsed modulation for large area solid-state oleds |
| WO2013015094A1 (ja) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 有機ｅｌ照明装置 |
| JP2013254941A (ja) * | 2012-05-09 | 2013-12-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、電子機器 |
| JP2015061540A (ja) * | 2013-01-24 | 2015-04-02 | サッポロビール株式会社会社 | 容器入り飲料、容器入り飲料の製造方法、容器入りアルコール飲料、容器入りアルコール飲料の製造方法及び風味付与方法 |
| JP2015082426A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0613181A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-21 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子の発光方法 |
| JPH08180972A (ja) * | 1994-09-23 | 1996-07-12 | Eastman Kodak Co | 有機ｌｅｄ用のａｃ駆動デバイス |
| JPH0997925A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Pioneer Electron Corp | 発光素子の駆動回路 |
| JPH1041068A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Stanley Electric Co Ltd | Ｅｌ素子の駆動方法 |
| JPH118064A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Stanley Electric Co Ltd | 有機ｅｌ駆動回路 |
-
1999
- 1999-06-23 JP JP17633999A patent/JP4306026B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0613181A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-21 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子の発光方法 |
| JPH08180972A (ja) * | 1994-09-23 | 1996-07-12 | Eastman Kodak Co | 有機ｌｅｄ用のａｃ駆動デバイス |
| JPH0997925A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Pioneer Electron Corp | 発光素子の駆動回路 |
| JPH1041068A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Stanley Electric Co Ltd | Ｅｌ素子の駆動方法 |
| JPH118064A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Stanley Electric Co Ltd | 有機ｅｌ駆動回路 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258060A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Denso Corp | Ｅｌ表示装置 |
| EP2510746A1 (en) * | 2009-12-10 | 2012-10-17 | General Electric Company | Electronic driver dimming control using ramped pulsed modulation for large area solid-state oleds |
| WO2013015094A1 (ja) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 有機ｅｌ照明装置 |
| JPWO2013015094A1 (ja) * | 2011-07-28 | 2015-02-23 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 有機ｅｌ照明装置 |
| JP2013254941A (ja) * | 2012-05-09 | 2013-12-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、電子機器 |
| US10042174B2 (en) | 2012-05-09 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US10416466B2 (en) | 2012-05-09 | 2019-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| JP2015061540A (ja) * | 2013-01-24 | 2015-04-02 | サッポロビール株式会社会社 | 容器入り飲料、容器入り飲料の製造方法、容器入りアルコール飲料、容器入りアルコール飲料の製造方法及び風味付与方法 |
| JP2015082426A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
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