JP2000504900A - 温度補償された対数検出器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 バイアストランジスタの面積比に従って生成される絶対温度に比例する（ＰＴＡＴ）電圧を用いてバイアスされる温度補償された対数検出器が開示される。本発明の一つの実現したものに従うと、温度補償された対数検出器は、バイアス回路（１２）および対数検出器セル（１４）を含む。バイアス回路は、入力信号を受けて、この入力信号からＰＴＡＴバイアス電圧を生成する。ＰＴＡＴバイアス電圧のＰＴＡＴ特性は、面積比によって生成される。対数検出器セルは、対数伝達関数に従って、入力信号を対数出力信号に狭域上にわたって変換する。

Description

【発明の詳細な説明】 温度補償された対数検出器関連出願に対する相互参照 本願は、1995年12月29日、発明者としてBrentR.JensenおよびJamesW.H.Marsh 名義で提出された米国特許出願第08/581,033号の一部継続出願であり、本願の譲 受人に譲渡され、米国特許出願は参照することによって本書に採り入られる。発明の背景 １．発明の分野 本発明は、対数回路に関し、より詳細には対数検出器（logarithmic detector ）または対数増幅器に関する。 ２．関連技術の説明 対数検出器または対数増幅器は、大きなダイナミックレンジの信号に遭う場合 において特に有用である。このため、対数検出器または対数増幅器は、例えば広 範囲なアナログ入力データの圧縮、および指数関数的出力を有するトランスコン ダクタンスの線形化を必要とする用途において役立つ。対数検出器または対数増 幅器の対数伝達関数の精度および安定性は重要であって、温度およびプロセスの 変動の両方に影響を受けないようにすべきである。対数伝達関数のバイアス点が 温度変化に敏感でないことが特に重要である。 近年、特別な設計技術が開発されて、対数検出器または対数増幅器の対数伝達 関数が温度およびプロセスの変動に独立しているようなった。図１は、従来の温 度補償された全波（full-wave）検出器２の一例のブロック図である。全波検出 器２は、入力電圧（Ｖ_IN）を受けて、対数出力電流Ｉ_LOG+、Ｉ_LOG-を生成する。 全波検出器２には、第１および第２のエミッタホロワと全波対数検出器セルとが 含まれる。第１のエミッタホロワには、トランジスタＱａ、抵抗器Ｒ、および電 流源Ｉａが含まれ、抵抗器Ｒの両端の第１のバイアス電圧を生成するように作動 する。第２のエミッタホロワには、トランジスタＱｂ、抵抗器Ｒ、および電流源 Ｉｂが含まれ、抵抗器Ｒの両端の第２のバイアス電圧を生成するように作動する 。第１および第２のバイアス電圧は同一であり、なぜなら、トランジスタＱａ及 び Ｑｂが同一であり、両抵抗器Ｒが同一であり、電流源Ｉａ及びＩｂが同一である からである。第１及び第２のバイアス電圧はまた、絶対温度と比例していて（Ｐ ＴＡＴ）、なぜなら、電流源Ｉａ及びＩｂがＰＴＡＴに成されているからである 。結果として生じるＰＴＡＴバイアス電圧Ｖｒ［Ｖｒ＝Ｉ_a,b（Ｒ）］は、次に 全波対数検出器セルに供給される。全波対数検出器セルには、同一のトランジス タＱｃ、Ｑｄ、Ｑｅ、Ｑｆをはじめ、同一の電流源Ｉｃ及びＩｄが含まれる。ト ランジスタＱｃ及びＱｄは第１のトランジスタ対を形成し、トランジスタＱｅ及 びＱｆは第２のトランジスタ対を形成する。バイアス電圧は、第１及び第２のト ランジスタ対を作り上げるトランジスタのベースの両端に現れる。対数出力電流 Ｉ_LOG+は、トランジスタＱｄ及びＱｆの共通に接続されたコレクタから得られる ものとして示され、また対数出力電流Ｉ_L0G-は、トランジスタＱｃ及びＱｅの共 通に接続されたコレクタから得られるものとしてて示される。図１に図示されて いるような従来の温度補償された全波検出器は、例えば、米国特許第４，９９０ ，８０３号に記載されている。 しかしながら、これらの特別な設計技術は、低電力回路の設計に対しては不利 であり、なぜなら、対数検出器セルのトランジスタをバイアスするために使用さ れる抵抗器の製作するために必要とされる大きなダイ領域が相対的に大きいから である。結果として、ダイ領域が、製作された回路の主要なコスト要素であるか ら、製造コストが増加される。また、低電流による作動をすると、これらの大き な値の抵抗器は高周波の性能を劣化させる。高周波の性能を改善するために補正 が成されることができるけれど、このような補正は追加のダイ領域を必要とする 。このため、最小の量のダイ領域を持ち、温度補償および高周波の作動を妨げな ることなく、そして最少の電力消費を使用して、対数検出器セルのトランジスタ をバイアスするための必要性がある。発明の要約 一般的に言うと、本発明は、バイアス（biasing）トランジスタの面積比に従 って生成された絶対温度に比例する（ＰＴＡＴ）電圧を用いてバイアスされる対 数検出器に関する。本発明は、数々の方法で実現されることができる。本発明の いくつかを実現したものが、以下に詳述される。 本発明の実施に従う温度補償された対数検出器には、バイアス回路部分（circ uitry）および対数検出器セルが含まれる。バイアス回路部分は入力信号を受け て、ＰＴＡＴバイアス電圧を生成する。バイアス電圧のＰＴＡＴ特性は、１より 大きい面積比を用いて生成される。対数検出器セルは、入力信号を対数伝達関数 に従って対数出力信号に変換する。対数検出器セルは、半波検出器セルまたは全 波検出器セルのいずれかとして設計されることができる。 本発明の別の実施に従う温度補償された検出器は、差動入力電圧を受ける入力 端子を含み、この入力端子は第１の極性側および第２の極性側を有し、第１の面 積を有する第１トランジスタを含み、第１のトランジスタは第２の極性側に接続 されたベース、第１のポテンシャルに接続されたコレクタ、及びエミッタを有し 、第２の面積を有する第２トランジスタを含み、第２のトランジスタは第１の極 性側に接続されたベース、第１のポテンシャルに接続されたコレクタ、及びエミ ッタを有し、第１のトランジスタのエミッタと第２のポテンシャルとの間に接続 された第１の電流源を含み、第２のトランジスタのエミッタと第２のポテンシャ ルとの間に接続された第２の電流源を含み、第２のトランジスタのエミッタに接 続されたベース、コレクタ、エミッタを有する第３トランジスタを含み、第１の トランジスタのエミッタに接続されたベース、コレクタ、および第３トランジス タのエミッタに接続されたエミッタを有する第４トランジスタを含み、第３及び 第４のトランジスタに共通に接続されたエミッタと第２のポテンシャルとの間に 接続された第５の電流源を含み、対数信号を出力するための出力端子を含み、出 力端子は第３及び第４のトランジスタの少なくとも一方のコレクタに接続されて いる。 第１及び第２の電流源は実質的に同一であり、第３のトランジスタは第３の面 積を有し、第４のトランジスタは第３の面積と異なる第４の面積を有することが 好ましい。同様に、バイアス電圧は、第３及び第４のトランジスタのエミッタ間 に、第３の面積の第４の面積に対する面積比に従って生成され、かつ第１及び第 ２のトランジスタのエミッタ間に第１の面積の第２の面積に対する面積比に従っ て生成されることが好ましい。加えて、対数検出器は、第１及び第３のトランジ スタのエミッタの両端に、または差動入力電圧の両端に接続された差動入力を有 する差動増幅器を含むことができる。 少なくともバイアス回路部分および対数検出器セルを有する対数検出器を温度 補償するための方法として、本発明を実施したものは、トランジスタのベースー エミッタ電圧間の差を用いて対数検出器セルのバイアスするためのバイアス電圧 を生成する操作、対数検出器セル内の一定の（certain）トランジスタをバイア ス電圧に従っバイアスする操作、対数変換するために入力信号を受ける操作、バ イアス回路部分と対数検出器セルを用いて入力信号を対数出力信号に対数的に変 換する操作、を含む。バイアス電圧は、ベース−エミッタ電圧のＰＴＡＴ特性に よって絶対温度に比例する（ＰＴＡＴ）。 本発明は有用であり、なぜなら、より小さいダイ領域が低電流において作動す る対数検出器を製作するために必要とされるからであり、主として、対数検出器 セルのトランジスタをバイアスするために従来必要とされていた抵抗値（ダイ領 域の相対的に大きな量をとる）がもはや必要がないからである。結果として、製 造費用が低減され、なぜなら、より少ないダイ領域が必要とされるからである。 また、異なる面積比の使用すると、複雑なバイアス回路部分がなくても、非常に 高精度のＰＴＡＴ電圧が、本来的に提供される。従って、本発明に従うと、対数 検出器セルのトランジスタは、最小限のダイ領域を用いてバイアスされることが でき、それでも、温度補償および高周波の作動が妨げられることない。本発明は また、電池駆動式といった低電力の設計のために本発明を好適にする最小限の電 力を使用することができる。 本発明の利点および他の局面は、本発明の原則を例示として図示する添付図面 と関連して、以下の詳細な記述から明らかにされよう。図面の簡単な説明 本発明は、添付図面と関連した以下の詳細な説明により容易に理解されよう。 図面において、同様な参照番号は同じ構成要素を指示する。 図１は、従来の温度補償された全波検出器の例示的な概略図である。 図２Ａは、本発明の第１の実施態様に従う温度補償された対数検出器のブロッ ク図である。 図２Ｂは、本発明の第２の実施態様に従う温度補償された対数検出器のブロッ ク図である。 図３は、本発明に従う温度補償された全波検出器の概略図である。 図４は、本発明に従う利得増幅器を有する温度補償された全波検出器の概略図 である。 図５は、全波検出器セルを用いた６段の対数増幅器・リミッタのブロック図で ある。 図６は、本発明に従う温度補償された半波検出器の概略図である。 図７〜図１０は、本発明に従う全波検出器の特定モデルの特性を示すプロット 図である。発明の詳細な説明 本発明の実施態様は、図２Ａ〜図１０を参照して以下に議論される。しかしな がら、当業者は、本発明がこれらの限定された実施の形態を越えて広がるので、 図面に関連してここに与えられた詳細な記述は、典型的な例示目的のためである ことを容易に理解するであろう。 図２Ａは、本発明の第１の実施の形態に従う温度補償された対数検出器１０の ブロック図である。対数検出器１０は、バッファ（緩衝増幅器）およびバイアス 発生器１２、並びに対数検出器セル１４を含む。対数検出器セル１４は、単一の 差動トランジスタ対を含む半波検出器セル、または２対の差動トランジスタ対を 含む全波検出器セルのいずれかであり得る。バッフア及びバイアス発生器１２は 、入力電圧を緩衝増幅し（buffer、バッファし）、また対数検出器１０内の差動 トランジスタ対（pair(s)）をバイアスするためのバイアス電圧を生成するよう に作動する。バイアス電圧は、検出器セル１４を作り上げるトランジスタの固有 の温度依存性を相殺する（cancel）ためにＰＴＡＴであるように設計される。故 に、対数検出器１０のバイアス状態は、温度変動に本質的に影響を受けない。 図２Ｂは、本発明の第２の実施の形態に従う温度補償された対数検出器１６の ブロック図である。対数検出器１６は、バッファ及びバイアス発生器１２をはじ め、第１の実施の形態と同じ対数検出器セル１４を含む。加えて、対数検出器１ ６には、利得増幅器１８が含まれる。利得増幅器１８は、入力電圧を増幅するよ うに作動する。利得増幅器１８は、好ましくは差動増幅器から形成され、また同 様にバッファ及びバイアス発生器１２によってバイアスされる。加えて、利得増 幅器１８は、また温度補償された増幅のためにＰＴＡＴ電流源を使用する。した がって、利得増幅器１８は、温度変化にもかかわらず一定の利得を用いて入力電 圧を増幅する。本発明の第２の実施の形態は、例えば、図５に示すような縦続接 続された（cascaded）検出器段から構築される広範なダイナミックレンジの高速 な対数増幅器の設計に使用される。 図３は、本発明に従う温度補償された全波検出器２０の概略図である。図３に 図示された全波検出器２０は、本発明の第１の実施の形態（図２Ａ）に従う全波 検出器１０の例示的な詳細図である。 全波検出器２０は、入力電圧（Ｖ_IN）を受けて、対数電流（ＩＲ）を出力する 。この全波検出器２０は、第１及び第２のバイポーラトランジスタ２２、２４（ Ｑ１およびＱ２）を含む。第１及び第２のバイポーラトランジスタ２２、２４（ Ｑ１およびＱ２）のベースは、入力電圧（Ｖ_IN）の負側に結合され、コレクタは ＶＣＣに結合され、エミッタは電流源２６及び２８（１１及び１２）を介してそ れぞれ接地（ＧＮＤ）に結合される。全波検出器２０は、また、第３及び第４の バイポーラトランジスタ３０、３２（Ｑ３およびＱ４）を含む。第３及び第４の バイポーラトランジスタ３０、３２（Ｑ３およびＱ４）のベースは、入力電圧（ Ｖ_IN）の正側に結合され、コレクタはＶＣＣに結合され、エミッタは電流源３４ 及び３６（１３及び１４）を介してそれぞれ接地（ＧＮＤ）に結合される。トラ ンジスタ２２，２４，３０および３２は、電流源２６，２８，３４および３６と ともに、図２Ａ及び図２Ｂのバッファ及びバイアス発生器１２に関連づけされて いる。トランジスタ２２，２４，３０および３２の各々は、その対応する電流源 ２６，２８，３４および３６とともに、エミッタホロワを形成する。 全波検出器２０は、第５及び第６のトランジスタ３８、４０（Ｑ５及びＱ６） と、第７及び第８のトランジスタ４２、４４（Ｑ７及びＱ８）とを含む。第５及 び第６のトランジスタ３８、４０（Ｑ５及びＱ６）は、入力電圧（Ｖ_IN）の正の 入力遷移を調整し（rectify）、また第７及び第８のトランジスタ４２、４４（ Ｑ７及びＱ８）は、入力電圧（Ｖ_IN）の負の入力遷移を調整する（rectify）。 第５及び第６のトランジスタ３８、４０（Ｑ５及びＱ６）は、第１のトランジス タ対 を形成し、第７及び第８のトランジスタ４２、４４（Ｑ７及びＱ８）は、第２の トランジスタ対を形成する。第５トランジスタ３８（Ｑ５）のベースは、第４の トランジスタ３２（Ｑ４）のエミッタに結合される。第６のトランジスタ４０（ Ｑ６）のベースは、第１のトランジスタ２２（Ｑ１）のエミッタに結合される。 第５及び第６のトランジスタ３８、４０（Ｑ５及びＱ６）のエミッタは、一緒に 接続されている。第７のトランジスタ４２（Ｑ７）のベースは、第２のトランジ スタ２４（Ｑ２）のエミッタに結合される。第８のトランジスタ４４（Ｑ８）の ベースは、第３のトランジスタ３０（Ｑ３）のエミッタに結合される。第７及び 第８トランジスタ４２、４４（Ｑ７及びＱ８）のエミッタは、一緒に接続される 。第６のトランジスタ４０（Ｑ６）及び第８トランジスタ４４（Ｑ８）のコレク タは、一緒に接続され、かつＶＣＣにも接続される。第５のトランジスタ（Ｑ５ ）３８および第７のトランジスタ（Ｑ７）４２のコレクタは、一緒に接続される 。全波検出器２０、対数電流（ＩＲ）、の出力は、第５及び第７のトランジスタ （Ｑ５及びＱ７）３８、４２の共通に接続されたコレクタから得ることができる 。トランジスタ３８，４０，４２および４４、ならびに電流源４６および４８は 、図２Ａおよび２Ｂの対数検出器セル１４に関連付けられている。 ＰＴＡＴバイアス電圧を設けるための従来技術の取り組みは、ＰＴＡＴ電流源 を用いて抵抗器の両端に電圧を発生することである。例えば、図１および米国特 許第４，９９０，８０３号を参照されたい。対照的に、従来行われたようにＰＴ ＡＴバイアス電圧を提供するために抵抗器を使用する代わりに、本発明に従う全 波検出器２０は、全波検出器２０（少なくともバッファおよびバイアス発生器１ ２に対応する部分）内のトランジスタに関する相対的な面積を改変し、ＰＴＡＴ バイアス電圧を提供する。相対的な面積比によって結果として得られるＰＴＡＴ 電圧は、以下に詳述されるように、全波検出器２０をバイアスすることが温度に 依存しないことを引き起こす。 温度補償された検出器セル１４として適切に作動するためには、トランジスタ Ｑ５〜Ｑ８は、差動トランジスタ対Ｑ５及びＱ６とＱ７及びＱ８との間のコレク タ電流の比率が、Ｖ_IN＝０のときに利用可能な全電流の固定分数のままであるよ うにバイアスされなければならない。利用可能な全電流は、Ｉｋ（電流源１５及 び１６）である。したがって、差動トランジスタ対Ｑ５、Ｑ６に対して、全電流 Ｉｋの第１の部分（ＩＣ５）は、トランジスタＱ５を通って流れ、全電流Ｉｋの 第２の部分（ＩＣ６）は、トランジスタＱ６を通って流れる。第１の部分及び第 ２の部分の総和が、全電流Ｉｋになる。これらの割合は、典型的には、１０：１ 〜３０：１に設定され、これは検出器の出力電流の適切な範囲を提供する。 Ｖ_IN＝０の場合、差動トランジスタ対のＱ５及びＱ６とＱ７及びＱ８とを通る 電流を温度に対して一定比率であるように設定することは、最も重要なことであ る。コレクタ電流の比率を一定に保つためには、検出器セル１４のトランジスタ Ｑ５〜Ｑ８のためのバイアス電圧が、バイポーラトランジスタＱ５〜Ｑ８の固有 の温度依存性を相殺するために、絶対温度に比例して（ＰＴＡＴ）いなければな らない。差動トランジスタ対間、Ｑ５及びＱ６、Ｑ７及びＱ８、のコレクタ電流 の比率は、以下に示される式１によって数学的に表わされる。 ＩＣ６/ＩＣ５＝ＩＣ８/ＩＣ７＝Ｍｅｘｐ（Ｖ_p／Ｖ_t）（Ｖ_IN＝０）（式１） ここで、Ｖ_pはトランジスタ対、Ｑ５及びＱ６、Ｑ７及びＱ８のバイアス電圧で あり、ＩＣ５，ＩＣ６，ＩＣ７，およびＩＣ８は、それぞれのトランジスタＱ５ ，Ｑ６，Ｑ７，Ｑ８を通してのコレクタ電流であり、Ｖ_tは熱電圧である。熱電 圧Ｖ_t＝ＫＴ／ｑであり、ここでＫはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電子 の素電荷、Ｍはトランジスタ対Ｑ５及びＱ６と、Ｑ７及びＱ８の面積比である。 このため、コレクタ電流の比率は、温度とともに変化する指数関数である。例え ば、仮にバイアス電流に対して１０：１の比率が望ましいとすると、その時、適 当なバイアス電圧は、Ｍ＝１であれば室温（３００Ｋ）において６０ｍＶであり 、またはＭ＝３であれば、適当なバイアス電圧は、室温（３００Ｋ）において３ １．３ｍＶとなろう。 それゆえに、温度にわたって固定されたバイアス電流の比率を維持するために は、バイアス電圧（Ｖ_p）が絶対温度に比例する（ＰＴＡＴ）ように成される。 本発明は、エミッタホロア間の面積比を用いてＰＴＡＴバイアス電圧を生成する 新規な取り組み法を提供する。面積比それ自体は、本質的にＰＴＡＴであるバイ アス電圧に至る。 図３に関して、特に、面積比が議論される。トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３， およびＱ４は、各々、全波検出器２０においてエミッタホロアとして接続され、 入力電圧（Ｖ_IN）を緩衝増幅する（buffer）ように作動する。トランジスタＱ１ ，Ｑ２，Ｑ３，およびＱ４は、それぞれに電流源Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，およびＩ４ によってバイアスされ、これらの電流源は、各々等量の電流Ｉｐを供給する。ト ランジスタＱ１およびＱ２はＮ：１の相対面積比を有すること、トランジスタＱ ３およびＱ４はＮ：１の相対面積比を有すること、に留意することは重要である 。Ｎの値は、対数全波検出器の特定のアプリケーションに従って変わる。典型的 には、このＮ値は２〜５の間であるように選択される。Ｎ値は、通常、整数であ るが、非整数値であることもできる。例えば、Ｎ＝３であれば、トランジスタＱ １の面積は、トランジスタＱ２の面積の３倍の大きさであり、結果的に、トラン ジスタＱ１を通るコレクタ電流密度は、トランジスタＱ２を通るコレクタ電流密 度より３倍低い。Ｎ＝３とすると、並列に接続されたトランジスタＱ２の３個分 の大きさのトランジスタからトランジスタＱ１を形成することによって、トラン ジスタＱ２の３倍の面積を有するトランジスタＱ１を容易に得ることができ、そ れによって卓越したトランジスタの整合性が与えられる。 一般に、Ｖｂｅ＝ＶｔＩｎ［ＩＣ／（Ａ（Ｉｓ））］であり、Ａはトランジス タの面積を表わす。したがって、本発明に従うと、エミッタホロワによって生成 されるバイアス電圧Ｖｐは、以下の式２によって表示され、 Ｖｐ＝Ｖｂｅ２−Ｖｂｅ１ ＝ＶｔＩｎ［Ｉｐ／Ｉｓ］−ＶｔＩｎ［Ｉｐ／（Ｎ（Ｉｓ））］ Ｖｐ＝ΔＶｂｅ＝ＶｔＩｎ（Ｎ） （式２） ここで、ΔＶｂｅは、ベース電圧−エミッタ電圧の差を示す。図３に関して、ベ ース−エミッタ電圧は、トランジスタ２２および２４（Ｑ１およびＱ２）のエミ ッタ、またはトランジスタ３０および３２（Ｑ３およびＱ４）のエミッタ、から 由来する。式２に示されるように、バイアス電圧Ｖｐは、熱電圧Ｖｔに比例して いて、この熱電圧Ｖｔは絶対温度に比例している（ＰＴＡＴ）。したがって、エ ミッタホロアによって発生されるバイアス電圧Ｖｐは、対数全波検出器２０の差 動トランジスタ対、Ｑ５およびＱ６、Ｑ７およびＱ８を温度補償するために必要 であるように、絶対温度に比例している（ＰＴＡＴ）。バイアス電圧Ｖｐは、電 流源Ｉ１〜Ｉ４によって供給されるバイアス電流Ｉｐには影響を受けない。 Ｖ_IN＝０であるとき、ＰＴＡＴバイアス電圧Ｖｐは、Ｑ１、Ｑ４とのエミッタ の間、およびＱ３、Ｑ２とのエミッタ間に現れる。これらのバイアス電圧は、対 数検出器１４を形成するために相補性交差結合式でトランジスタＱ５〜Ｑ８をバ イアスするように使用される。重要なこととして、トランジスタＱ５およびＱ６ が１：Ｍの相対面積比を有すること、また、トランジスタＱ７およびＱ８が１： Ｍの相対面積比を有することが留意すべきことがある。これらの差動対Ｑ５，Ｑ ６，およびＱ７，Ｑ８は、それぞれ電流源１５および１６によってバイアスされ 、各々は電流Ｉｋを供給する。正確な対数動作のために、電流源１５および１６ によって供給される電流Ｉｋは、温度に関して一定であるべきである。Ｍの値は 、対数検出器の特定のアプリケーションと共に変わる。典型的には、M値は、２ 〜５の間であるように選択される。例えば、Ｍ＝３であると、トランジスタＱ６ の面積は、トランジスタＱ５の面積の３倍の大きさになる。Ｍ値は、通常は、ト ランジスタの整合性を単純化するため整数であるが、整数値でなくてもよい。 Ｖ_IN＝０であって、エミッタホロアによって供給されるＰＴＡＴ電圧Ｖｐを差 動トランジスタの対、Ｑ５，Ｑ６，およびＱ７，Ｑ８の両端に課した状態である とき、（ベース電流は無視し）全波対数検出器２０によって生成される対数電流 （ＩＲ）は、以下の式３によって表現される。 ＩＲ＝ＩＣ５＋ＩＣ７ （式３） Ｉｋ＝ＩＣ５＋ＩＣ６およびＩｋ＝ＩＣ７＋ＩＣ８という関係とともに式１を 用いると、以下の式４は、式３から導出されることができる。 ＩＲ＝２（Ｉｋ）／（Ｍｅｘｐ（Ｖｐ／Ｖｔ）＋１） （式４） 式２を式４に代入して単純にすると、 ＩＲ＝２（Ｉｋ）／（ＭＮ＋１） （Ｖ_IN＝０の場合） （式５） が与えられる。 このように、本発明に従うと、（同等の電流源を用いてバイアスされる面積の 等しくないトランジスタから導出される）ＰＴＡＴバイアス電圧Ｖｐは、全波対 数検出器セル１４の温度依存性のバイアスを補償する。式５は、対数全波検出器 ２０からの結果として生じるゼロ入力バイアス電流出力（ＩＲ）は、温度に影響 受けないことを示す。本発明は、また、回路の設計者にアプリケーションに依存 するＭ値とＮ値の選択に際して多大の柔軟性を与える。バイアス比率が正確に１ ０：１であるので、典型的には、Ｎ＝Ｍ＝３が好適な選択である。Ｍ、Ｎ値が大 きいと、より大きな電流比率を生じるが、しかし、トランジスタＱ５およびＱ７ が極めて小さい電流によりバイアスされるので、高速動作は不利を被る。 より一般的には、解析にＶ_INが含まれると、対数全波検出器２０から出力され 生じる対数電流（ＩＲ）は、式６によって以下に与えられるが、最初は以下のよ うに導出される。 図３に示されるように全波検出器２０から２つのループ方程式が書き表される 。これらの２つのループ方程式は、どのように対数出力電流が入力電圧Ｖ_INに関 連しているかを決定するために役立つ。 第１のループ方程式は Ｖ_IN＝Ｖｂｅ４＋Ｖｂｅ５−Ｖｂｅ６−Ｖｂｅ１ 上記は、Ｖｂｅ＝ＶｔＩｎ（ＩＣ／Ｉｓ）と仮定すると、以下のように書き表 される。 Ｖ_IN＝ＶｔＩｎ（Ｉｐ／Ｉｓ）＋ＶｔＩｎ（ＩＣ５／Ｉｓ） −ＶｔＩｎ（ＩＣ６／Ｉｓ）−ＶｔＩｎ（Ｉｐ／Ｉｓ） それから、 Ｖ_IN／Ｖｔ＝Ｉｎ（Ｎ）＋Ｉｎ（ＭＩＣ５／ＩＣ６） 上記は以下のように書き直すことができる。 Ｖ_IN／Ｖｔ＝Ｉｎ（ＮＭＩＣ５／ＩＣ６） ベータ利得を無視する一方でＩｋ＝ＩＣ５＋ＩＣ６に注目し、また上式のＩＣ ５に関する式を解くと、以下の式 ＩＣ５＝Ｉｋ／（１＋ＭＮ ｅｘｐ（−Ｖ_IN／Ｖｔ）） になる。 第２のループ方程式は、以下の式 Ｖ_IN＝Ｖｂｅ３＋Ｖｂｅ８−Ｖｂｅ７−Ｖｂｅ２ になる。 Ｉｋ＝ＩＣ７＋ＩＣ８であるので、ＩＣ７に関して上記の式を解くと以下の式 ＩＣ７＝Ｉｋ／（１＋ＭＮｅｘｐ（Ｖ_IN／Ｖｔ） になる。 それから、ＩＲ＝ＩＣ５＋ＩＣ７であるので、ＩＲは、以下に続く式６によっ て表わされる。 ＩＲ（Ｖ_in）＝Ｉｋ／（１＋ＭＮｅｘｐ（−Ｖ_IN／Ｖｔ） ＋Ｉｋ／（１＋ＭＮｅｘｐ（Ｖ_IN／Ｖｔ） （式６） 式６の第１項は、Ｖ_INが負の場合、生じた対数電流（ＩＲ）を支配すること、そ して式６の第２項は、Ｖ_INが正の場合、生じる対数電流（ＩＲ）を支配すること に留意されたい。また、熱電圧Ｖｔ依存性があるためＶ_INがゼロでない場合、生 じた対数電流（ＩＲ）は温度の関数である、ことに留意されたい。生じる対数電 流（ＩＲ）の温度依存性によって、検出動作後に補償されることができ、対数電 流（ＩＲ）の水平方向のシフトが引き起こされる。 Ｖ_IN＞Ｖｔと仮定することによって、ＭＮｅｘｐ（ＶＩＮ／Ｖｔ）項は１より 遥かに大きく、ＭＮｅｘｐ（−Ｖ_IN／Ｖｔ）項はゼロに近くなり、このため、式 ６は、 のように簡素化されて、Ｖ_IN＞Ｖｔ（すなわち、正の入力極性）の場合に正しい 。同様に、Ｖ_IN＜−Ｖｔの場合、式６は、 のように簡素化される。 式６ａ、６ｂは、Ｖｔの大きさ（magnitude）よりも大きい入力電圧について 全波検出器２０が入力信号（Ｖ_IN）の対数に比例する電流（ＩＲ）を出力するこ とを示す。この全波検出器２０が正及び負の両方の入力極性を検出することが、 検出器２０が全波対数検出器２０として記述されることの理由である。 図４は、本発明に従う温度補償された全波検出器５０の概略図である。図４に 示す全波検出器５０は、本発明の第２の実施態様（図２ｂ）に従う対数検出器１ ６の例示的な概略図である。 全波検出器５０には、利得増幅器だけでなく、図３に示す全波検出器２０の全 回路も包含される。利得増幅器には、差動トランジスタ対５２及び５４（Ｑ９及 びＱ１０）、負荷抵抗５６及び５８（Ｒ１及びＲ２）、並びにＰＴＡＴ電流源６ ０（１７）が含まれる。トランジスタ５２及び５４（Ｑ９及びＱ１０）は、より 大きな領域（Ｎ）（すなわち、トランジスタＱ１及びＱ３）を有するエミッタホ ロアによって好適に駆動され、寄生ベース抵抗によって発生される入力関連雑音 を低減する（大型トランジスタにすると、より小さなベース抵抗になり、このた めより少なな熱雑音になる）。 全波検出器５０の利得増幅器は、入力電圧Ｖ_INを線形的に増幅し出力電圧Ｖ_{OU T} を生成する。１つの全波検出器セルは、その出力において、大体２ないし１の 入力電圧の範囲にわたり入力電力（すなわちＶ_IN ²に比例する入力電力）の関数 としてほぼ一定の傾斜を有する。したがって、検出器セルからの対数電流（ＩＲ ）の出力は、約１オクターブの範囲にわたって対数的に直線である。このため、 対数−直線のダイナミックレンジを広げるためには、増幅器１６を持ついくつか の全波検出器をいっしよに縦続（カスケード）接続することができる。このよう な場合に、前段の出力電圧が次段の入力電圧であり、いくつかの検出器セルの対 数電流（ＩＲ）の出力が一緒に総和される。このような設計にすると、広ダイナ ミックレンジ、高速の受信信号強度指示器（ＲＳＳＩ）の機能を含む高利得、広 帯域の制限増幅器になる。ＲＳＳＩ出力電圧は、入力電力に関して直線的である 。１段当たりの利得は、通常、１０〜１６ｄＢあたりに設定されている。低利得 は、ＲＳＳＩ直線性に対して最良であり（低リップル）、また、高利得が、ＲＳ ＳＩ出力電圧におけるリップルエラーの増大を犠牲にして低雑音のために選択さ れる。 図５は、６段の全波検出器セルを用いた縦続接続された対数増幅器／リミッタ ６１のブロック図である。対数増幅器／リミッタ６１は、逐次検出方式を使用し 広ダイナミックレンジ電力検出器（ＲＳＳＩ）とともに高利得増幅器／リミッタ を提供する。第１の段６２は、入力電圧Ｖ_INを受けて、出力電圧および対数出力 電流（ＩＲ₁）を出力する。第２の段６４は、第１の段６２からの出力電圧を受 けて、出力電圧および対数出力電流（ＩＲ₂）を出力する。第３の段６６は、第 ２の段６４からの出力電圧を受けて、出力電圧および対数出力電流（ＩＲ₃）を 出力す る。第４の段６８は、第３の段６６からの出力電圧を受けて、出力電圧および対 数出力電流（ＩＲ₄）を出力する。第５の段７０は、第４の段６８からの出力電 圧を受けて、出力電圧および対数出力電流（ＩＲ₅）を出力する。第６の段７２ は、第５の段７０からの出力電圧を受けて、出力電圧および対数出力電流（ＩＲ₆ ）を出力する。第６の段７２の出力電圧は、第６の段の対数増幅器・リミッタ ６１の出力電圧（Ｖ_OUT）である。対数出力電流ＩＲＩ〜ＩＲ６は、ノード７４ において抵抗器７６に総和され、合成（combined）対数電流ＩＲ_TOTALを提供す る。合成対数電流ＩＲ_TOTALは、その後に、キャパシタ７８によつて濾過される （filtered）。次いで、合成対数電流は、ログ（LOG）電流補償回路８０によっ て調整され、出力電流ＩＲ_TOTALにおける温度に起因する水平方向のシフトを補 償する。これ故、ログ電流補償回路８０は、式６において予測された温度依存性 を補償する。このような温度補償は、ＰＴＡＴ電流をノード７４に総和すること によって実行される。ＰＴＡＴ温度補償された電流は、次いで増幅器８２によっ て倍率変更され（scaled）最終出力電流Ｉ_OUT(またはＶ_OUT）を生成して、それ によって、この最終出力電流Ｉ_OUT（またはＶ_OUT）の切片（intercept）がログ −線形のダイナミックレンジにわたって温度に関して一定に保たれることを確実 にする。また、直流オフセット補正回路８４は、オフセット補正ループの実施態 様に設けられている。このようなオフセット補正は、入力オフセットが適切な直 流バイアス状態に悪影響することを防止するために、直流結合の高利得設計にお いて、しばしば要求される。 検出器（ＲＳＳＩ）の傾きの精度は、上述の温度に影響受けないバイアス方式 によって、かつ定電流源Ｉｋが温度にわたってどの程度の正確に維持されるかに よって設定される。ＲＳＳＩ出力特性は、（単位ｄＢ、線形の）受けた入力電力 に関して線形に変化して、単一の集積回路上において８０ｄＢもの高ダイナミッ クレンジをおおうように設計されることができる。極めて高周波の操作に関して は、有限なパッケージ分離の都合のため、実際のダイナミックレンジが、約４０ 〜５０ｄＢに制限されなければならない。 したがって、本発明は、全波検出器セルを簡単かつ効率的な方法でバイアスす ことを可能にする。このバイアスは、同類の（similar）トランジスタの面積比 が 等しくないことを用いてＰＴＡＴバイアス電圧を発生させることによって達成さ れる。これによる利点は、従来技術では低電流の場合に高い値の抵抗体を必要と するのに対して、エミッタホロアが全波検出器トランジスタを直接に駆動するの で、高周波の性能を劣化させないで低電流が使用されることができるということ である。しかしながら、従来技術で必要とした大きな値の抵抗は、高周波の性能 を劣化させる。従来技術の高周波性能は、抵抗器の両端の分流路にハイパス・バ イパス・キャパシタを追加することによって改善されることができるが、しかし 、チップ領域の追加という代償を伴う。 図６は、本発明に従う温度補償された半波検出器８６の概略図である。半波検 出器８６の設計は、図３に示す全波検出器２０の設計に類似している。相違は、 入力信号の半分のみを調整する（rectify）半波検出器８６では必要とされない 、全波検出器２０内の回路構成部分に関連する。この相違を除いて、半波検出器 ８６の動作は、全波検出器２０の動作と同じである。バイアス電圧Ｖｐは、ＰＴ ＡＴであって、上述した本発明に従う適切な面積比によって発生される。 図７〜図１０は、本発明に従う全波検出器の特定モデルの特性のプロット図で ある。このプロットは、標準型ガメル・プーン（Ｇｕｍｍｅｌ−Ｐｏｏｎ）バイ ポーラ・トランジスタモデルを採り入れたＳＰＩＣＥシミュレータを用いて作成 した。 図７は、温度２５℃において種々のＭ，Ｎ値について、入力電圧（Ｖ_IN）の振 幅に対する規格化された出力電流（ＩＲ）のプロット図である。図７は、種々の Ｍ，Ｎ値について、全波対数検出器の入力電圧に対する正負の極性出力応答を示 す。 図８は、対数目盛上にＭ＝Ｎ＝３を用いて入力電圧（Ｖ_IN）および温度に対す る規格化された出力電流（ＩＲ）のプロットである。図８は、式６にて予測した ように、規格化出力電流ＩＲにおける水平方向のシフトを温度の関数として示す 。５ｍＶ未満（プロット上においては５ｍ）の入力電圧（Ｖ_IN）に対しては、式 ５によって予測されるように、バイアス点は正確に温度に無関係であることに留 意されたい。 図９は、温度２５℃において種々のＭ，Ｎ値について、対数目盛上にプロット された入力電圧（Ｖ_IN）の振幅に対する規格化された出力電流（ＩＲ）のプロッ トである。図９は、全波対数検出器が対数−線形である線形領域と、種々のＭ， Ｎ値についてこの領域に生じる規格化出力電流（ＩＲ）の全範囲（span）と、を 示す。 図１０は、温度２５℃において種々のＭ，Ｎ値について、入力電力（Ｖ_IN ²に 比例する入力電力）に対する規格化された出力電流（ＩＲ）のプロットである。 図１０は、全波対数検出器がｄＢにおいて線形である線形入力電力範囲と、種々 のＭ，Ｎ値についてこの範囲にわたって生じる規格化出力電流（ＩＲ）の全範囲 と、を示す。この入力電力は、５０オーム基準のｄＢｍの単位である。 上述の実施態様においては、対数出力電流（Ｉ_L0G）は、対数検出器セル内の あるトランジスタのコレクタから取り入れられる。図３において、対数出力電流 （Ｉ_L0G）は、トランジスタＱ５およびＱ７の共通接続コレクタから得られる。 これとは別に、対数出力電流（Ｉ_L0G’）を、トランジスタＱ６およびＱ８の共 通接続されたコレクタから取ることができるでしよう。なおも他の代替は、対数 出力電流（Ｉ_L0G）と（Ｉ_L0G’）の双方を使用することである。 上述の実施態様においてバッファおよびバイアス発生器１２（例えば、図３の Ｎ：１）に面積比（第１の面積比）が使用され、かつ対数検出器セル１４（例え ば図３のＭ：１）に面積比（第２の面積比）が使用されるけれど、第１の面積比 が１に等しくでき、または、第２の面積比が１に等しくできるが、しかし、対数 検出に有用であるその回路については、第１および第２の面積比の両方は１に等 しくできないことを理解されたい。また、Ｎ＝Ｍ＝３またはＮ＝９およびＭ＝１ のとき、対数検出器の同じ基本動作は生じるが、しかしながら、後者の場合に、 検出器の高速性能が不利になる（suffer）ことに留意すべきである。 本発明の多くの特徴と有利な点は、これまでに書かれた記述から明らかであり 、それ故、本発明のこのような特徴や利点を対象に含めるように添付のクレーム によって意図されている。さらに、数多くの修正と変更が当業者によって容易に 行われるので、図示され記述されるような正確な構成および動作に本発明を限定 することは望ましくない。したがって、本発明の範囲内に収まるようにすべての 適切な修正ないし同等物を頼る（resorted）ことがある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．入力信号を受けて、該入力信号からＰＴＡＴバイアス電圧を生成するための バイアス回路部分を備え、該ＰＴＡＴバイアス電圧のＰＴＡＴ特性は、第１の面 積比を用いて生成され、 前記バイアス回路に動作するように接続され、対数伝達関数に従って該入力信 号を対数出力信号に変換するための対数検出器セルを備える、 温度補償された対数検出器。 ２．該第１の面積比は前記バイアス回路内に存する、請求項１に記載の温度補償 された対数検出器。 ３．該第１面積比は前記対数検出器セル内に存する、請求項１に記載の温度補償 された対数検出器。 ４．前記対数検出器セルは半波検出器セルである、請求項１に記載の温度補償さ れた対数検出器。 ５．前記対数検出器セルは全波検出器セルである、請求項１に記載の温度補償形 対数検出器。 ６．該第１面積比は１を超える整数である、請求項１に記載の温度補償された対 数検出器。 ７．該入力信号は第１の極性および第２の極性を有する入力電圧であって、 前記バイアス回路部分は、 第１の面積を持つ第１のトランジスタを有し、この第１のトランジスタのベ ースは該入力電圧の第１の極性に結合され、 第２の面積を持つ第２のトランジスタを有し、この第２のトランジスタのベ ースは該入力電圧の第２の極性に結合され、 該第２の面積に対する該第１の面積の比率は該第１の面積比である、 請求項１に記載の温度補償された対数検出器。 ８．前記バイアス回路部分は、更に、 第１および第２の電流源を備え、該第１および第２の電流源は実質的に同一で あり、かつ該第１および第２トランジスタのそれぞれのエミッタと接地との間に それぞれ結合され、並びに該第１および第２トランジスタのコレクタは供給電圧 に結合される、請求項７に記載の温度補償された対数検出器。 ９．前記バイアス回路部分は、更に、 第２の面積を持つ第３のトランジスタを備え、この第３トランジスタのベース は該入力電圧の第１の極性に結合され、 第１の面積を持つ第４のトランジスタを備え、この第４トランジスタのベース は該入力電圧の第２の極性に結合され、 該第１および第３のトランジスタ間の面積比は、該第２および第４のトランジ スタ間の面積比に実質的に等しい、 請求項７に記載の温度補償された対数検出器。 １０．前記バイアス電圧は該第１および第２のトランジスタのエミッタ間に生成 される、請求項８に記載の温度補償された対数検出器。 １１．前記対数検出器セルが、 該第１および第２のトランジスタのエミッタにそれぞれ接続されたベース、共 通接続されたエミッタ、並びに第１および第２のコレクタ、を有する第１のトラ ンジスタ対を備え、 該対数出力信号は、該第１のトランジスタ対の第１および第２のコレクタの少 なくとも一方から得られる、 請求項１０に記載の温度補償された対数検出器。 １２．前記対数検出器セルは、該第１のトランジスタ対の共通に接続されたエミ ッタと接地との間に結合された第３の電流源を、更に備える請求項１１に記載の 温度補償された対数検出器。 １３．該第１のトランジスタ対の第１のトランジスタは第３の面積を有し、該第 １のトランジスタ対の第２のトランジスタは第４の面積を有し、該第３の面積に 対する該第４の面積の比率は第２の面積比である、請求項１１に記載の温度補償 された対数検出器。 １４．該入力信号のための該対数伝達関数は該第１及び第２の面積比に反比例す る、請求項１１に記載の温度補償された対数検出器。 １５．前記バイアス回路部分は、異なる大きさにされたトランジスタのベースー エミッタの接合電圧の差を使用して該ＰＴＡＴバイアス電圧を生成する、請求項 １に記載の温度補償された対数検出器。 １６．前記バイアス回路部分は、ベース−エミッタの接合電圧の差を使用して該 ＰＴＡＴバイアス電圧を生成して、それによって、抵抗器の両端のＰＴＡＴバイ アス電圧の生成を不要とした、請求項１に記載の温度補償された対数検出器。 １７．入力電圧を受けるための入力端子を備え、この入力端子は第１の極性側と 第２の極性側とを有し、 第１の面積を持つ第１のトランジスタを備え、前記第１のトランジスタは該第 ２の極性側に接続されたベース、第１のポテンシャルに接続されたコレクタ、お よびエミッタ、を有し、 第２の面積を持つ第２のトランジスタを備え、前記第２のトランジスタは該第 １極性側に接続されたベース、該第１のポテンシャルに接続されたコレクタ、お よびエミッタ、を有し、 前記第１のトランジスタのエミッタと第２のポテンシャルとの間に接続された 第１の電流源を備え、 前記第２のトランジスタのエミッタと該第２のポテンシャルとの間に接続され た第２の電流源を備え、 前記第２のトランジスタのエミッタに接続されたベース、コレクタ、及びエミ ッタ、を有する第３のトランジスタを備え、 前記第１のトランジスタのエミッタに接続されたベース、コレクタ、及び前記 第３のトランジスタのエミッタに接続されたエミッタ、を有する第４のトランジ スタを備え、 前記第３および第４のトランジスタの共通に接続されたエミッタと該第２のポ テンシャルとの間に接続された第３の電流源を備え、 出力対数信号を出力するための出力端子を備え、前記出力端子は前記第３およ び第４トランジスタのコレクタの少なくとも１つに接続される、 温度補償された対数検出器。 １８．前記第１および第２の電流源は実質的に同一であり、かつ前記第３のトラ ンジスタは第３の面積を有し、前記第４のトランジスタは該第３の面積と異なる 第４の面積を有する、請求項１７に記載の温度補償された対数検出器。 １９．前記第３及び第４のトランジスタのベース間、並びに前記第１及び第２の トランジスタのエミッタ間のバイアス電圧は、該第２の面積に対する該第１の面 積の比率に従って決定される、請求項１７に記載の温度補償された対数検出器。 ２０．入力電圧を受ける入力端子を備え、前記入力端子は第１の極性側および第 ２の極性側を有し、 第１の面積を有する第１のトランジスタを備え、前記第１のトランジスタは該 第２の極性側に接続されたベース、第１のポテンシャルに接続されたコレクタ、 及びエミッタ、を有し、 該第１の面積と異なる第２の面積を持つ第２のトランジスタを備え、前記第２ のトランジスタは該第２の極性側に接続されたベース、該第１のポテンシャルに 接続されたコレクタ、エミッタ、を有し、 該第１の面積を持つ第３のトランジスタを備え、前記第３のトランジスタは該 第１の極性側に接続されたベース、第１のポテンシャルに接続されたコレクタ、 およびエミッタ、を有し、 該第２の面積を持つ第４のトランジスタを備え、前記第４のトランジスタは該 第１の極性側に接続されたベース、該第１のポテンシャルに接続されたコレクタ 、およびエミッタ、を有し、 前記第１のトランジスタのエミッタと第２のポテンシャルとの間に接続された 第１の電流源を備え、 前記第２のトランジスタのエミッタと該第２のポテンシャルとの間に接続され た第２の電流源を備え、 前記第３のトランジスタのエミッタと該第２のポテンシャルとの間に接続され た第３の電流源を備え、 前記第４のトランジスタのエミッタと該第２のポテンシャルとの間に接続され た第４の電流源を備え、 前記第４のトランジスタのエミッタに接続されたベース、コレクタ、およびエ ミッタを有する第５のトランジスタを備え、 前記第１のトランジスタのエミッタに接続されたベース、コレクタ、および前 記第５のトランジスタのエミッタに接続されたエミッタ、を有する第６のトラン ジスタを備え、 前記第５及び第６のトランジスタの共通に接続されたエミッタと該第２のポテ ンシャルとの間に接続された第５の電流源を備え、 前記第２のトランジスタのエミッタに接続されたベース、前記第５のトランジ スタのコレクタに接続されたコレクタ、およびエミッタ、を有する第７のトラン ジスタを備え、 前記第３のトランジスタのエミッタに接続されたベース、前記第６のトランジ スタのコレクタに接続されたコレクタ、および前記第７のトランジスタのエミッ タに接続されたエミッタ、を有する第８のトランジスタを備え、 前記第７および第８のトランジスタの共通に接続されたエミッタと該第２のポ テンシャルとの間に接続された第６の電流源を備え、 出力対数信号を出力するための出力端子を備え、前記出力端子は前記第５およ び第７のトランジスタの共通に接続されたコレクタ、または前記第６および第８ のトランジスタの共通に接続されたコレクタに接続される、 温度補償された対数検出器。 ２１．前記第１〜第４の電流源は実質的に同一であり、前記第１および第３のト ランジスタは実質的に同一であり、かつ前記第２および第４のトランジスタは実 質的に同一である、請求項２０に記載の温度補償された対数検出器。 ２２．前記第５および第７のトランジスタは第３の面積を有し、前記第６および 第８のトランジスタは該第３の面積と異なる第４の面積を有する、請求項２０に 記載の温度補償された対数検出器。 ２３．前記第５および第６のトランジスタのベース間、並びに前記第７および第 ８のトランジスタのベース間、のバイアス電圧は、該第２の面積に対する該第１ の面積の比率に従って決定される、請求項２０に記載の温度補償された対数検出 器。 ２４．前記対数検出器は、前記第１および第３のトランジスタのエミッタ間に接 続された差動入力を有する差動増幅回路を、更に備える請求項２０に記載の温度 補償された対数検出器。 ２５．対数検出器を温度補償するための方法であって、該対数検出器は少なくと もバイアス回路部分と対数検出器セルとを備え、該バイアス回路部分および対数 検出器セルは各々、少なくともトランジスタを有し、 （ａ）トランジスタのベース−エミッタ電圧の間の差を使用してバイアス電圧 を生成するステップと、 （ｂ）バイアス電圧に従って対数検出器セル内の所定のトランジスタをバイア スするステップと、 （ｃ）対数変換のための入力信号を受けるステップと、 （ｄ）該バイアス回路部分および対数検出器セルを用いて該入力信号を対数出 力信号に対数的に変換するステップと、 を備える対数検出器を温度補償するための方法。 ２６．該バイアス電圧は、ベース−エミッタ電圧のＰＴＡＴ特性により、絶対温 度に比例する（ＰＴＡＴ）、請求項２５に記載の方法。 ２７．該対数検出器セル内の所定のトランジスタをバイアスするステップ（ｂ） は温度に影響されない、請求項２５に記載の方法。