JP2000346875A - プローブカードおよびこれを用いたic試験装置 - Google Patents
プローブカードおよびこれを用いたic試験装置Info
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- JP2000346875A JP2000346875A JP11158891A JP15889199A JP2000346875A JP 2000346875 A JP2000346875 A JP 2000346875A JP 11158891 A JP11158891 A JP 11158891A JP 15889199 A JP15889199 A JP 15889199A JP 2000346875 A JP2000346875 A JP 2000346875A
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 11
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000011111 cardboard Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プローブカードの熱変形による接触信頼性の低
下を防止するとともにスループットを高めることができ
るIC試験装置用プローブカードを提供する。 【解決手段】IC試験装置のテストヘッド1の基板に電
気的に接続され、ウェハWに電気的に接触する複数のニ
ードル211が一主面に設けられたプローブカード2で
あり、プローブカードの基板20に発熱パターン26が
設けられている。
下を防止するとともにスループットを高めることができ
るIC試験装置用プローブカードを提供する。 【解決手段】IC試験装置のテストヘッド1の基板に電
気的に接続され、ウェハWに電気的に接触する複数のニ
ードル211が一主面に設けられたプローブカード2で
あり、プローブカードの基板20に発熱パターン26が
設けられている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路素
子などの各種電子部品(以下、代表的にICと称す
る。)をテストするためのIC試験装置に関し、特にテ
ストヘッドと被試験物とを接続するために用いられるプ
ローブカードに関する。
子などの各種電子部品(以下、代表的にICと称す
る。)をテストするためのIC試験装置に関し、特にテ
ストヘッドと被試験物とを接続するために用いられるプ
ローブカードに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路素子は、シリコンウェハ
などに多数個造り込まれたのち、ダイシング、ワイヤボ
ンディングおよびパッケージングなどの諸工程を経て電
子部品として完成する。こうしたICにあっては、出荷
前に動作テストが行われ、このICのテストは、完成品
の状態でもウェハ状態でも行われる。
などに多数個造り込まれたのち、ダイシング、ワイヤボ
ンディングおよびパッケージングなどの諸工程を経て電
子部品として完成する。こうしたICにあっては、出荷
前に動作テストが行われ、このICのテストは、完成品
の状態でもウェハ状態でも行われる。
【0003】ウェハ状態の被試験ICをテストするIC
試験装置としては、たとえば実開平5−15431号公
報に開示されたものが知られている。この種のウェハI
C試験装置では、ウェハチャックに被試験物であるウェ
ハを真空吸着し、プローブカードに設けられたニードル
(針状接点)をウェハに造り込まれた接点に接触させる
ことで試験が行われる。
試験装置としては、たとえば実開平5−15431号公
報に開示されたものが知られている。この種のウェハI
C試験装置では、ウェハチャックに被試験物であるウェ
ハを真空吸着し、プローブカードに設けられたニードル
(針状接点)をウェハに造り込まれた接点に接触させる
ことで試験が行われる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
のウェハIC試験装置にあっては、ウェハチャックに埋
め込まれたヒータによりウェハに高温の熱ストレスを印
加して高温試験を行うので、ウェハの熱が主にニードル
を介してプローブカードにも伝わり、試験中においてニ
ードルおよびプローブカード基板が昇温することにな
る。
のウェハIC試験装置にあっては、ウェハチャックに埋
め込まれたヒータによりウェハに高温の熱ストレスを印
加して高温試験を行うので、ウェハの熱が主にニードル
を介してプローブカードにも伝わり、試験中においてニ
ードルおよびプローブカード基板が昇温することにな
る。
【0005】これにより、試験中にプローブカード全体
が熱変形し、こうしたニードルの熱変形とプローブカー
ド基板の熱変形とによって、ウェハの接点とニードルと
の相対位置も変動する。このような状態でニードルをウ
ェハに繰り返し接触させると、ニードルがウェハに接触
する際の押圧力が変化して接触信頼性が低下するといっ
た問題があった。このため、従来のウェハIC試験装置
では、プローブカードが充分に昇温してニードルの熱変
形が安定するまで試験の開始を遅らせる必要があり、た
とえば100℃の高温試験においては1枚のウェハを測
定する度に30分前後のロスタイムが生じていた。
が熱変形し、こうしたニードルの熱変形とプローブカー
ド基板の熱変形とによって、ウェハの接点とニードルと
の相対位置も変動する。このような状態でニードルをウ
ェハに繰り返し接触させると、ニードルがウェハに接触
する際の押圧力が変化して接触信頼性が低下するといっ
た問題があった。このため、従来のウェハIC試験装置
では、プローブカードが充分に昇温してニードルの熱変
形が安定するまで試験の開始を遅らせる必要があり、た
とえば100℃の高温試験においては1枚のウェハを測
定する度に30分前後のロスタイムが生じていた。
【0006】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、プローブカードの熱変形に
よる接触信頼性の低下を防止するとともにスループット
を高めることができるIC試験装置用プローブカードを
提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであり、プローブカードの熱変形に
よる接触信頼性の低下を防止するとともにスループット
を高めることができるIC試験装置用プローブカードを
提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】(1) 上記目的を達成
するために、本発明のIC試験装置用プローブカード
は、IC試験装置のテストヘッド基板に電気的に接続さ
れ、被試験物に電気的に接触する複数の針状接点が一主
面に設けられたIC試験装置用プローブカードにおい
て、前記プローブカードの基板に発熱体が設けられてい
ることを特徴とする。
するために、本発明のIC試験装置用プローブカード
は、IC試験装置のテストヘッド基板に電気的に接続さ
れ、被試験物に電気的に接触する複数の針状接点が一主
面に設けられたIC試験装置用プローブカードにおい
て、前記プローブカードの基板に発熱体が設けられてい
ることを特徴とする。
【0008】本発明のIC試験装置用プローブカードで
は、プローブカードの基板に発熱体が設けられているの
で、被試験物に高温熱ストレスを印加する際に発熱体に
よりプローブカードをも加熱すれば、プローブカード基
板は即座に熱変形し、その変形を維持したまま安定す
る。したがって、この状態で試験を行えば、試験中にお
いて針状接点と被試験物との相対位置が変動するのを防
止でき、接触信頼性が向上する。またこのとき、プロー
ブカード基板は短時間で昇温するので、IC試験装置の
スループットも向上する。
は、プローブカードの基板に発熱体が設けられているの
で、被試験物に高温熱ストレスを印加する際に発熱体に
よりプローブカードをも加熱すれば、プローブカード基
板は即座に熱変形し、その変形を維持したまま安定す
る。したがって、この状態で試験を行えば、試験中にお
いて針状接点と被試験物との相対位置が変動するのを防
止でき、接触信頼性が向上する。またこのとき、プロー
ブカード基板は短時間で昇温するので、IC試験装置の
スループットも向上する。
【0009】しかも、発熱体がプローブカード基板に設
けられているので、IC試験装置に装着することなくプ
ローブカードの状態でプローブカード自体の熱変形を検
査することができる。すなわち、たとえば針状接点をプ
ローブカードに装着したのちに当該針状接点の針位置を
確認する検査をプローブカードの状態で行うことがで
き、著しく便利である。
けられているので、IC試験装置に装着することなくプ
ローブカードの状態でプローブカード自体の熱変形を検
査することができる。すなわち、たとえば針状接点をプ
ローブカードに装着したのちに当該針状接点の針位置を
確認する検査をプローブカードの状態で行うことがで
き、著しく便利である。
【0010】(2)上記発明において、発熱体はプロー
ブカードの基板に設けられるが、特に好ましくは、請求
項2記載のように、前記発熱体は、前記プローブカード
の基板の前記針状接点の近傍に設けられる。
ブカードの基板に設けられるが、特に好ましくは、請求
項2記載のように、前記発熱体は、前記プローブカード
の基板の前記針状接点の近傍に設けられる。
【0011】被試験物に対して印加された高温の熱スト
レスは、針状接点を介してプローブカード基板に伝熱す
ることから、発熱体により針状接点の近傍を加熱するこ
とで、試験中における伝熱が防止でき、これにより試験
中におけるプローブカード基板の熱変形を防止すること
ができる。
レスは、針状接点を介してプローブカード基板に伝熱す
ることから、発熱体により針状接点の近傍を加熱するこ
とで、試験中における伝熱が防止でき、これにより試験
中におけるプローブカード基板の熱変形を防止すること
ができる。
【0012】この場合、特に限定はされないが、プロー
ブカード基板が積層基板で構成されているときは、針状
接点の装着位置に近接した内層、特に針状接点が装着さ
れた主面側の表面近傍層に発熱体をプリントパターンな
どで形成することが好ましい。また、プローブカード基
板の内層以外にも、たとえば針状接点が装着された主面
側の表面にシート状ヒータ等を貼り付けても良い。
ブカード基板が積層基板で構成されているときは、針状
接点の装着位置に近接した内層、特に針状接点が装着さ
れた主面側の表面近傍層に発熱体をプリントパターンな
どで形成することが好ましい。また、プローブカード基
板の内層以外にも、たとえば針状接点が装着された主面
側の表面にシート状ヒータ等を貼り付けても良い。
【0013】さらに、上記発明においては特に限定され
ないが、プローブカードの基板の温度を検出するセンサ
と、前記センサからの検出温度に基づいて前記発熱体の
温度を制御するコントローラとをさらに備えることがよ
り好ましい。
ないが、プローブカードの基板の温度を検出するセンサ
と、前記センサからの検出温度に基づいて前記発熱体の
温度を制御するコントローラとをさらに備えることがよ
り好ましい。
【0014】こうすることで、プローブカード基板の温
度を被試験物と同じ温度にコントロールすることができ
るので、試験中において温度勾配がなくなり熱変形が防
止できる。
度を被試験物と同じ温度にコントロールすることができ
るので、試験中において温度勾配がなくなり熱変形が防
止できる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図1は本発明のプローブカードが適
用されるIC試験装置のテストヘッドを示す要部分解斜
視図、図2は図1のプローブカードがテストヘッドに組
み付けられた状態を示す断面図、図3は図1のプローブ
カードを示す平面図、図4は本発明のプローブカードの
実施形態を示す要部断面図、図5は本発明のプローブカ
ードの他の実施形態を示す要部断面図である。
基づいて説明する。図1は本発明のプローブカードが適
用されるIC試験装置のテストヘッドを示す要部分解斜
視図、図2は図1のプローブカードがテストヘッドに組
み付けられた状態を示す断面図、図3は図1のプローブ
カードを示す平面図、図4は本発明のプローブカードの
実施形態を示す要部断面図、図5は本発明のプローブカ
ードの他の実施形態を示す要部断面図である。
【0016】図1に示すように、被試験物であるウェハ
IC(以下、単にウェハWともいう。)は、1枚のウェ
ハに多数の半導体回路が集積されたものであり、テスト
を行う場合にはウェハチャック3に真空吸着され、高精
度に位置出しされた状態で保持される。図示は省略する
が、ウェハWに所定の温度を印加して高温テストを実行
する場合には、ウェハチャック3に内装されたヒータを
介してウェハWが加熱されるようになっている。
IC(以下、単にウェハWともいう。)は、1枚のウェ
ハに多数の半導体回路が集積されたものであり、テスト
を行う場合にはウェハチャック3に真空吸着され、高精
度に位置出しされた状態で保持される。図示は省略する
が、ウェハWに所定の温度を印加して高温テストを実行
する場合には、ウェハチャック3に内装されたヒータを
介してウェハWが加熱されるようになっている。
【0017】ウェハチャック3の上部に位置するカード
ホルダ4は、中央に円形状通孔41が形成され、この通
孔41の周縁にプローブカード2を保持するための段部
42が形成されている。このカードホルダ4は、図2に
示すようにリングキャリア43に固定されており、後述
するトッププレート11に対する位置出しは、リングキ
ャリア43側に設けられたガイドピン44をトッププレ
ート11側に設けられたガイドブッシュ13に挿入する
ことにより行われる。
ホルダ4は、中央に円形状通孔41が形成され、この通
孔41の周縁にプローブカード2を保持するための段部
42が形成されている。このカードホルダ4は、図2に
示すようにリングキャリア43に固定されており、後述
するトッププレート11に対する位置出しは、リングキ
ャリア43側に設けられたガイドピン44をトッププレ
ート11側に設けられたガイドブッシュ13に挿入する
ことにより行われる。
【0018】本実施形態のプローブカード2は、円形状
に形成された基板20を有し、その一主面(図1,2,
4および図5において下面)の略中央に、2個のICを
同時測定可能なように2対のニードル群21(本発明の
針状接点に相当する。)が設けられている。この2対の
ニードル群21は、図3に示すようにウェハICに集積
されたICの形状に応じた形状(図示する例では一つの
ものが正方形)のものが2個千鳥状(互い違い)に配置
されてなる。
に形成された基板20を有し、その一主面(図1,2,
4および図5において下面)の略中央に、2個のICを
同時測定可能なように2対のニードル群21(本発明の
針状接点に相当する。)が設けられている。この2対の
ニードル群21は、図3に示すようにウェハICに集積
されたICの形状に応じた形状(図示する例では一つの
ものが正方形)のものが2個千鳥状(互い違い)に配置
されてなる。
【0019】このうちの一つのニードル群21は、ウェ
ハIC上に集積形成された1個のICの端子(ワイヤボ
ンディングする前の状態の接点)のそれぞれに接触する
数だけのニードル211が設けられてなり、図2および
図4,5に示すように、このニードル211の先端がウ
ェハIC側に向かうとともに、他端はプローブカード2
の基板20に固定されている。
ハIC上に集積形成された1個のICの端子(ワイヤボ
ンディングする前の状態の接点)のそれぞれに接触する
数だけのニードル211が設けられてなり、図2および
図4,5に示すように、このニードル211の先端がウ
ェハIC側に向かうとともに、他端はプローブカード2
の基板20に固定されている。
【0020】ちなみに、2つのニードル群21を図示す
るように千鳥状に配置するのは、それぞれのニードル2
11が互いに干渉するのを回避するためである。また、
本実施形態では2個同時測定する例を挙げたが、本発明
のプローブカード2は同時測定個数には何ら限定され
ず、単数測定または3個以上の同時測定を行うタイプの
ものであっても良い。
るように千鳥状に配置するのは、それぞれのニードル2
11が互いに干渉するのを回避するためである。また、
本実施形態では2個同時測定する例を挙げたが、本発明
のプローブカード2は同時測定個数には何ら限定され
ず、単数測定または3個以上の同時測定を行うタイプの
ものであっても良い。
【0021】また、本実施形態のプローブカード2で
は、基板20の反対側の主面(図1および図2では上
面)の外周縁に、ゼロ挿抜力コネクタの一方22aがほ
ぼ等しい間隔で実装されている。
は、基板20の反対側の主面(図1および図2では上
面)の外周縁に、ゼロ挿抜力コネクタの一方22aがほ
ぼ等しい間隔で実装されている。
【0022】このゼロ挿抜力コネクタ(Zero Insersion
Force Connector)とは、後述するコンタクトリング1
2に設けられた他方のゼロ挿抜力コネクタ22bと互い
に挿抜する際に、挿抜方向(本例では上下方向)に力を
加える必要がないタイプのコネクタをいい、たとえばコ
ネクタ内に長手方向に組み込まれているレールをシリン
ダにより前後に駆動させて、レールと係合しているカム
を上下させ、そのカムの上下によりピンコンタクトを挟
むソケットコンタクトの間隔を狭めたり広げたりする方
式、あるいはその他の方式のものを用いることができ
る。
Force Connector)とは、後述するコンタクトリング1
2に設けられた他方のゼロ挿抜力コネクタ22bと互い
に挿抜する際に、挿抜方向(本例では上下方向)に力を
加える必要がないタイプのコネクタをいい、たとえばコ
ネクタ内に長手方向に組み込まれているレールをシリン
ダにより前後に駆動させて、レールと係合しているカム
を上下させ、そのカムの上下によりピンコンタクトを挟
むソケットコンタクトの間隔を狭めたり広げたりする方
式、あるいはその他の方式のものを用いることができ
る。
【0023】各ニードル211とゼロ挿抜力コネクタ2
2aの各接点とは、プローブカード2の基板20に形成
された配線パターン24やスルーホール25(図4、5
参照)により電気的に接続されている。
2aの各接点とは、プローブカード2の基板20に形成
された配線パターン24やスルーホール25(図4、5
参照)により電気的に接続されている。
【0024】なお、本発明のIC試験装置では、プロー
ブカード2とテストヘッド1とを電気的に接続する手段
は上述したゼロ挿抜力コネクタ22a,22bにのみ限
定されることはなく、他の種類のコネクタや接続端子で
あっても何ら問題はない。
ブカード2とテストヘッド1とを電気的に接続する手段
は上述したゼロ挿抜力コネクタ22a,22bにのみ限
定されることはなく、他の種類のコネクタや接続端子で
あっても何ら問題はない。
【0025】一方、ウェハチャック3の上部には、IC
試験装置のテストヘッド1が位置し、図示は省略するが
ここにパフォーマンスボードなどの各種基板が設けられ
ている。このテストヘッド1の最下面には、図1および
図2に示すようにトップパネル11が固定されており、
さらにこのトップパネル11の下面にコンタクトリング
12が固定されている。
試験装置のテストヘッド1が位置し、図示は省略するが
ここにパフォーマンスボードなどの各種基板が設けられ
ている。このテストヘッド1の最下面には、図1および
図2に示すようにトップパネル11が固定されており、
さらにこのトップパネル11の下面にコンタクトリング
12が固定されている。
【0026】本実施形態のコンタクトリング12は、図
1に示すようにリング状に形成されてなり、外周に形成
された断片的な扇形の通孔121に、上述したゼロ挿抜
力コネクタの他方22bが固定されている。図2の断面
図にこのゼロ挿抜力コネクタ22bの取り付け状態を示
す。
1に示すようにリング状に形成されてなり、外周に形成
された断片的な扇形の通孔121に、上述したゼロ挿抜
力コネクタの他方22bが固定されている。図2の断面
図にこのゼロ挿抜力コネクタ22bの取り付け状態を示
す。
【0027】また、上述したプローブカード2とコンタ
クトリング12との位置出しは、プローブカード2側に
設けられたガイドピン23を、コンタクトリング12側
に設けられたガイドブッシュ122に係合させることに
より行われる。
クトリング12との位置出しは、プローブカード2側に
設けられたガイドピン23を、コンタクトリング12側
に設けられたガイドブッシュ122に係合させることに
より行われる。
【0028】ちなみに、図示は省略するが、コンタクト
リング12側に取り付けられたゼロ挿抜力コネクタ22
bと、テストヘッド1内のパフォーマンスボードとは多
数の配線あるいはドータボードにより電気的に接続され
る。
リング12側に取り付けられたゼロ挿抜力コネクタ22
bと、テストヘッド1内のパフォーマンスボードとは多
数の配線あるいはドータボードにより電気的に接続され
る。
【0029】特に本実施形態のプローブカード2は、図
4に示すようにゼロ挿抜力コネクタ22aとニードル2
11とを電気的に接続するための配線パターン24およ
びスルーホール25が積層基板構造で形成されている
が、さらにニードル211が装着された主面(同図にお
いてプローブカード基板20の下面)の表面近傍に発熱
パターン26(本発明の発熱体に相当する。)が造り込
まれている。この発熱パターン26は、たとえば面状発
熱体等のように電流を流すことで発熱する抵抗体から構
成され、配線パターン24を印刷する際に同時に印刷法
等により形成される。発熱パターン26は、好ましくは
ニードル211の装着基部の周囲であって、プローブカ
ード基板20の下面に近い層内に形成されている。
4に示すようにゼロ挿抜力コネクタ22aとニードル2
11とを電気的に接続するための配線パターン24およ
びスルーホール25が積層基板構造で形成されている
が、さらにニードル211が装着された主面(同図にお
いてプローブカード基板20の下面)の表面近傍に発熱
パターン26(本発明の発熱体に相当する。)が造り込
まれている。この発熱パターン26は、たとえば面状発
熱体等のように電流を流すことで発熱する抵抗体から構
成され、配線パターン24を印刷する際に同時に印刷法
等により形成される。発熱パターン26は、好ましくは
ニードル211の装着基部の周囲であって、プローブカ
ード基板20の下面に近い層内に形成されている。
【0030】なお、本発明の発熱体は、積層基板の層内
に発熱パターン26として形成する以外にも、図5に示
すように面状発熱体などのシート状ヒータ26aをプロ
ーブカード基板20の表面に貼り付けることで構成する
こともできる。この場合も、シート状ヒータ26aは、
好ましくはニードル211の装着基部の周囲であって、
プローブカード基板20の表面に貼り付けられる。
に発熱パターン26として形成する以外にも、図5に示
すように面状発熱体などのシート状ヒータ26aをプロ
ーブカード基板20の表面に貼り付けることで構成する
こともできる。この場合も、シート状ヒータ26aは、
好ましくはニードル211の装着基部の周囲であって、
プローブカード基板20の表面に貼り付けられる。
【0031】また、図4に示すようにプローブカード基
板20の温度を検出するための温度センサ27をプロー
ブカード基板20自体に設け、この温度センサ27によ
り検出された温度に基づいてコントローラ28から発熱
パターン26に流す電力を制御するように構成しても良
い。
板20の温度を検出するための温度センサ27をプロー
ブカード基板20自体に設け、この温度センサ27によ
り検出された温度に基づいてコントローラ28から発熱
パターン26に流す電力を制御するように構成しても良
い。
【0032】次に作用を説明する。ウェハICをテスト
する場合には、まずそのウェハWをウェハチャック3に
位置決めしながら吸着保持した状態で、目的とする2個
のICの接点にプローブカード2のニードル211が接
触するように、ウェハチャック3をX−Y平面において
位置出ししながら上昇させる。これにより、最初の2個
のICのテストが実行されるが、このテストを終了する
と、ウェハチャック3を僅かに下降させ、次の2個のI
Cの接点にプローブカード2のニードル211が接触す
るように、ウェハチャック3をX−Y平面において位置
出ししながら再び上昇させる。順次この動作を繰り返
し、全ての領域におけるウェハICのテストを行う。こ
のウェハWに対して高温テスト行う場合には、ウェハチ
ャック3に内装されたヒータを作動させてウェハWをた
とえば100℃まで加熱昇温させる。
する場合には、まずそのウェハWをウェハチャック3に
位置決めしながら吸着保持した状態で、目的とする2個
のICの接点にプローブカード2のニードル211が接
触するように、ウェハチャック3をX−Y平面において
位置出ししながら上昇させる。これにより、最初の2個
のICのテストが実行されるが、このテストを終了する
と、ウェハチャック3を僅かに下降させ、次の2個のI
Cの接点にプローブカード2のニードル211が接触す
るように、ウェハチャック3をX−Y平面において位置
出ししながら再び上昇させる。順次この動作を繰り返
し、全ての領域におけるウェハICのテストを行う。こ
のウェハWに対して高温テスト行う場合には、ウェハチ
ャック3に内装されたヒータを作動させてウェハWをた
とえば100℃まで加熱昇温させる。
【0033】特に本実施形態のプローブカード2では、
高温テストを行う場合、発熱パターン26に電流を流す
ことでプローブカード基板20をウェハWの昇温値まで
加熱する。これにより、ウェハチャック3に内装された
ヒータによるウェハWの昇温と並行して、プローブカー
ド基板20もニードル211の装着基部の周囲から昇温
することになる。プローブカード基板20は、所定量の
熱量を吸収すると熱変形するが、熱変形が安定したとこ
ろでニードル211とウェハWの接点との相対位置を位
置出しし、この初期値に基づいてテストを実行する。こ
れにより、テスト中におけるプローブカード基板20の
熱変形による相対位置の変動が抑制され、ニードル21
1とウェハ接点との接触力が著しく安定することにな
る。すなわち本実施形態では、プローブカード2を試験
される温度に素早く昇温させ、熱変形させた状態でニー
ドル211とウェハWとの位置出しを行ったのち試験を
行うので、試験中にプローブカード基板20が変形する
ことがなくなりニードル211の接触力を均一に維持す
ることができるものである。
高温テストを行う場合、発熱パターン26に電流を流す
ことでプローブカード基板20をウェハWの昇温値まで
加熱する。これにより、ウェハチャック3に内装された
ヒータによるウェハWの昇温と並行して、プローブカー
ド基板20もニードル211の装着基部の周囲から昇温
することになる。プローブカード基板20は、所定量の
熱量を吸収すると熱変形するが、熱変形が安定したとこ
ろでニードル211とウェハWの接点との相対位置を位
置出しし、この初期値に基づいてテストを実行する。こ
れにより、テスト中におけるプローブカード基板20の
熱変形による相対位置の変動が抑制され、ニードル21
1とウェハ接点との接触力が著しく安定することにな
る。すなわち本実施形態では、プローブカード2を試験
される温度に素早く昇温させ、熱変形させた状態でニー
ドル211とウェハWとの位置出しを行ったのち試験を
行うので、試験中にプローブカード基板20が変形する
ことがなくなりニードル211の接触力を均一に維持す
ることができるものである。
【0034】なかでも、温度センサ27によりプローブ
カード基板20の温度を検出しながらコントローラ28
により発熱パターンへの供給電力を制御すると、プロー
ブカード基板20をウェハWと同じ温度に正確に維持す
ることができ、ウェハWとの温度勾配がなくなるので、
試験中にニードル211を介して熱が伝導することが防
止される。
カード基板20の温度を検出しながらコントローラ28
により発熱パターンへの供給電力を制御すると、プロー
ブカード基板20をウェハWと同じ温度に正確に維持す
ることができ、ウェハWとの温度勾配がなくなるので、
試験中にニードル211を介して熱が伝導することが防
止される。
【0035】また、プローブカード基板20に発熱パタ
ーン26やシート状ヒータ26aを設けておけば、プロ
ーブカード基板20にニードル211を装着したのち、
当該プローブカード2単体で熱変形によるニードル位置
精度を検査することができ、IC試験装置に使用する前
にプローブカード2の良否を判断することができる。
ーン26やシート状ヒータ26aを設けておけば、プロ
ーブカード基板20にニードル211を装着したのち、
当該プローブカード2単体で熱変形によるニードル位置
精度を検査することができ、IC試験装置に使用する前
にプローブカード2の良否を判断することができる。
【0036】なお、以上説明した実施形態は、本発明の
理解を容易にするために記載されたものであって、本発
明を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技
術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨
である。
理解を容易にするために記載されたものであって、本発
明を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技
術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨
である。
【0037】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、試験
中において針状接点と被試験物との相対位置が変動する
ことが防止でき、接触信頼性が向上する。またこのと
き、プローブカード基板は短時間で昇温するので、IC
試験装置のスループットも向上する。
中において針状接点と被試験物との相対位置が変動する
ことが防止でき、接触信頼性が向上する。またこのと
き、プローブカード基板は短時間で昇温するので、IC
試験装置のスループットも向上する。
【図1】本発明のプローブカードが適用されるIC試験
装置のテストヘッドを示す要部分解斜視図である。
装置のテストヘッドを示す要部分解斜視図である。
【図2】図1のプローブカードがテストヘッドに組み付
けられた状態を示す断面図である。
けられた状態を示す断面図である。
【図3】図1のプローブカードを示す平面図である。
【図4】本発明のプローブカードの実施形態を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図5】本発明のプローブカードの他の実施形態を示す
要部断面図である。
要部断面図である。
1…テストヘッド 11…トッププレート 12…コンタクトリング 121…通孔 122…ガイドブッシュ 13…ガイドブッシュ 2…プローブカード 20…プローブカード基板 21…ニードル群 211…ニードル(針状接点) 22a…ゼロ挿抜力コネクタ(プローブカード側) 22b…ゼロ挿抜力コネクタ(コンタクトリング側) 23…ガイドピン 24…配線パターン 25…スルーホール 26…発熱パターン(発熱体) 26a…シート状ヒータ(発熱体) 3…ウェハチャック 4…カードホルダ 41…円形状通孔 42…段部 43…リングキャリア 44…ガイドピン
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/66 G01R 31/28 K Fターム(参考) 2G003 AA07 AA10 AB01 AC03 AD03 AG04 AG10 AG12 AG16 AG20 AH04 2G011 AA02 AA17 AB10 AC06 AC14 AC21 AE03 AF06 2G032 AB01 AB13 AE03 AE11 AF02 AK03 AL03 AL11 4M106 AA01 AA02 BA01 BA14 CA60 DD03 DD04 DD10 DD13 DD16 DD30 DJ02
Claims (6)
- 【請求項1】IC試験装置のテストヘッド基板に電気的
に接続され、被試験物に電気的に接触する複数の針状接
点が一主面に設けられたIC試験装置用プローブカード
において、前記プローブカードの基板に発熱体が設けら
れていることを特徴とするIC試験装置用プローブカー
ド。 - 【請求項2】前記発熱体は、前記プローブカードの基板
の前記針状接点の近傍に設けられていることを特徴とす
る請求項1記載のIC試験装置用プローブカード。 - 【請求項3】前記発熱体は、前記プローブカードの基板
の前記一主面の表面近傍に埋設されていることを特徴と
する請求項1または2記載のIC試験装置用プローブカ
ード。 - 【請求項4】前記発熱体は、前記プローブカードの基板
の前記一主面の表面に設けられていることを特徴とする
請求項1または2記載のIC試験装置用プローブカー
ド。 - 【請求項5】前記プローブカードの基板の温度を検出す
るセンサと、前記センサからの検出温度に基づいて前記
発熱体の温度を制御するコントローラとをさらに備えた
ことを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のIC試
験装置用プローブカード。 - 【請求項6】請求項1〜5の何れかに記載のプローブカ
ードを備えたことを特徴とするIC試験装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11158891A JP2000346875A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | プローブカードおよびこれを用いたic試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11158891A JP2000346875A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | プローブカードおよびこれを用いたic試験装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000346875A true JP2000346875A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15681648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11158891A Pending JP2000346875A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | プローブカードおよびこれを用いたic試験装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000346875A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR100634552B1 (ko) | 2005-11-24 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 분리된 센서를 구비한 전계감지 프로브 및 그를 구비한정보 저장장치 |
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-
1999
- 1999-06-07 JP JP11158891A patent/JP2000346875A/ja active Pending
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