JP2000332638A - 帯域阻止フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 - Google Patents
帯域阻止フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機Info
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 50
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 50
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 46
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 101001139126 Homo sapiens Krueppel-like factor 6 Proteins 0.000 abstract description 7
- 101000822407 Bacillus phage SPP1 Capsid assembly scaffolding protein Proteins 0.000 abstract description 5
- 101000762148 Escherichia phage T7 Tail tubular protein gp11 Proteins 0.000 abstract description 5
- 101000897780 Saccharolobus solfataricus rod-shaped virus 1 Major capsid protein Proteins 0.000 abstract description 5
- 101710202199 Endolysin B Proteins 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 101100059678 Mus musculus Cfdp1 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 101150049731 Cp16 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 101150069153 Cp15 gene Proteins 0.000 description 3
- 101710171049 Gene 21 protein Proteins 0.000 description 3
- 101710115335 Gene 22 protein Proteins 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 101100321445 Arabidopsis thaliana ZHD3 gene Proteins 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 部品点数が少なく、低コスト化、小型化が可
能である帯域阻止フィルタ、受信モジュール及び携帯無
線機を提供する。 【解決手段】 帯域阻止フィルタ１０は、第１〜第８の
誘電体層１１１〜１１８からなる多層基板１１を備え
る。第２及び第８の誘電体層１１２，１１８の上面には
グランド電極Ｇｐ１１，Ｇｐ１２が形成される。また、
第３の誘電体層１１３の上面にはストリップライン電極
ＳＴ１１，ＳＴ１２が形成される。さらに、第４〜第７
の誘電体層１１４〜１１７の上面にはコンデンサ電極Ｃ
ｐ１１〜Ｃｐ１７が形成される。また、第２及び第３の
誘電体層１１２，１１３には、各誘電体層１１２，１１
３を貫通するようにビアホール電極Ｖｈ１が形成され
る。
能である帯域阻止フィルタ、受信モジュール及び携帯無
線機を提供する。 【解決手段】 帯域阻止フィルタ１０は、第１〜第８の
誘電体層１１１〜１１８からなる多層基板１１を備え
る。第２及び第８の誘電体層１１２，１１８の上面には
グランド電極Ｇｐ１１，Ｇｐ１２が形成される。また、
第３の誘電体層１１３の上面にはストリップライン電極
ＳＴ１１，ＳＴ１２が形成される。さらに、第４〜第７
の誘電体層１１４〜１１７の上面にはコンデンサ電極Ｃ
ｐ１１〜Ｃｐ１７が形成される。また、第２及び第３の
誘電体層１１２，１１３には、各誘電体層１１２，１１
３を貫通するようにビアホール電極Ｖｈ１が形成され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、帯域阻止フィル
タ、受信モジュール及び携帯無線機に関し、特に、携帯
電話、ページャなどにおいて電波の受信を行う高周波回
路部に使用される帯域阻止フィルタ、受信モジュール及
び携帯無線機に関する。
タ、受信モジュール及び携帯無線機に関し、特に、携帯
電話、ページャなどにおいて電波の受信を行う高周波回
路部に使用される帯域阻止フィルタ、受信モジュール及
び携帯無線機に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種の携帯無線機においては、損
失を小さくするために各種のフィルタが使用されてい
る。そして、そのようなフィルタの一つとして、特定の
周波数帯域の高周波信号を積極的に取り除く特性を持っ
た帯域阻止フィルタが知られている。
失を小さくするために各種のフィルタが使用されてい
る。そして、そのようなフィルタの一つとして、特定の
周波数帯域の高周波信号を積極的に取り除く特性を持っ
た帯域阻止フィルタが知られている。
【０００３】図１２は、従来の帯域阻止フィルタの分解
斜視図である。帯域阻止フィルタ５０は入出力端子５
１，５２、誘電体同軸共振器５３，５４、コンデンサ５
５〜５７、シールドカバー５８、実装基板５９を備え
る。そして、コンデンサ５５，５６は誘電体同軸共振器
５３，５４に直列接続され、コンデンサ５７は入出力端
子５１，５２の間に接続される。これらが実装された実
装基板５９には、外部回路との電磁干渉を防ぐためシー
ルドカバー５８が被せられる。シールドカバー５８は天
面と３方向の側面とを有し、誘電体同軸共振器５３，５
４の短絡端部分を除く領域全体を覆う。シールドカバー
５８の各側面は下縁を実装基板５９のグランドパターン
６０にはんだ付けで固定し、誘電体同軸共振器５３，５
４とは天面と側面とをはんだ付けして固定する。これに
より、誘電体同軸共振器５３，５４の外部導体（図示せ
ず）はグランドとなる。なお、シールドカバー５８には
矩形状の調整用窓６１が設けられ、そこから調整棒を差
し込んで誘電体同軸共振器の５３，５４の共振周波数な
どを調整する。
斜視図である。帯域阻止フィルタ５０は入出力端子５
１，５２、誘電体同軸共振器５３，５４、コンデンサ５
５〜５７、シールドカバー５８、実装基板５９を備え
る。そして、コンデンサ５５，５６は誘電体同軸共振器
５３，５４に直列接続され、コンデンサ５７は入出力端
子５１，５２の間に接続される。これらが実装された実
装基板５９には、外部回路との電磁干渉を防ぐためシー
ルドカバー５８が被せられる。シールドカバー５８は天
面と３方向の側面とを有し、誘電体同軸共振器５３，５
４の短絡端部分を除く領域全体を覆う。シールドカバー
５８の各側面は下縁を実装基板５９のグランドパターン
６０にはんだ付けで固定し、誘電体同軸共振器５３，５
４とは天面と側面とをはんだ付けして固定する。これに
より、誘電体同軸共振器５３，５４の外部導体（図示せ
ず）はグランドとなる。なお、シールドカバー５８には
矩形状の調整用窓６１が設けられ、そこから調整棒を差
し込んで誘電体同軸共振器の５３，５４の共振周波数な
どを調整する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
の帯域阻止フィルタにおいては、例えば２段フィルタを
構成するためには、２個の誘電体共振器と３個のコンデ
ンサとが必要となるため、部品点数が多くなり、そのた
め、コストが高く、形状が大きくなるという問題があっ
た。
の帯域阻止フィルタにおいては、例えば２段フィルタを
構成するためには、２個の誘電体共振器と３個のコンデ
ンサとが必要となるため、部品点数が多くなり、そのた
め、コストが高く、形状が大きくなるという問題があっ
た。
【０００５】また、ほぼ全体をシールドカバーで覆うた
め、部品としての高さは、実装基板の厚み、誘電体共振
器の厚み、シールドカバーの厚み、固定のためのはんだ
の厚みの合計となり、帯域阻止フィルタの高さが高くな
ってしまうという問題もあった。
め、部品としての高さは、実装基板の厚み、誘電体共振
器の厚み、シールドカバーの厚み、固定のためのはんだ
の厚みの合計となり、帯域阻止フィルタの高さが高くな
ってしまうという問題もあった。
【０００６】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、部品点数が少なく、低コスト
化、小型化が可能である帯域阻止フィルタ、受信モジュ
ール及び携帯無線機を提供することを目的とする。
めになされたものであり、部品点数が少なく、低コスト
化、小型化が可能である帯域阻止フィルタ、受信モジュ
ール及び携帯無線機を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の帯域阻止フィルタは、少なくとも１つの
段間結合コンデンサ、並びに前記段間結合コンデンサを
介して縦続接続するインダクタ及び直列結合コンデンサ
からなる複数のノッチ回路を複数の誘電体層を積層して
なる多層基板に一体化することを特徴とする。
るため本発明の帯域阻止フィルタは、少なくとも１つの
段間結合コンデンサ、並びに前記段間結合コンデンサを
介して縦続接続するインダクタ及び直列結合コンデンサ
からなる複数のノッチ回路を複数の誘電体層を積層して
なる多層基板に一体化することを特徴とする。
【０００８】また、前記ノッチ回路のインダクタを前記
多層基板の内部に設けたストリップライン電極で構成
し、前記ノッチ回路の直列結合コンデンサ、及び前記段
間結合コンデンサを前記多層基板の内部に前記誘電体層
を挟んで互いに対向して設けた複数のコンデンサ電極で
構成することを特徴とする。
多層基板の内部に設けたストリップライン電極で構成
し、前記ノッチ回路の直列結合コンデンサ、及び前記段
間結合コンデンサを前記多層基板の内部に前記誘電体層
を挟んで互いに対向して設けた複数のコンデンサ電極で
構成することを特徴とする。
【０００９】本発明の受信モジュールは、少なくとも１
つの段間結合コンデンサ、並びに前記段間結合コンデン
サを介して縦続接続するインダクタ及び直列結合コンデ
ンサからなる複数のノッチ回路を備える帯域阻止フィル
タと、該帯域阻止フィルタに接続される低雑音増幅器と
を複数の誘電体層を積層してなる多層基板に一体化する
ことを特徴とする。
つの段間結合コンデンサ、並びに前記段間結合コンデン
サを介して縦続接続するインダクタ及び直列結合コンデ
ンサからなる複数のノッチ回路を備える帯域阻止フィル
タと、該帯域阻止フィルタに接続される低雑音増幅器と
を複数の誘電体層を積層してなる多層基板に一体化する
ことを特徴とする。
【００１０】また、前記低雑音増幅器を前記多層基板に
搭載するとともに、前記帯域阻止フィルタのノッチ回路
のインダクタを前記多層基板の内部に設けたストリップ
ライン電極で構成し、前記帯域阻止フィルタのノッチ回
路の直列結合コンデンサ、及び前記帯域阻止フィルタの
段間結合コンデンサを前記多層基板の内部に前記誘電体
層を挟んで互いに対向して設けた複数のコンデンサ電極
で構成することを特徴とする。
搭載するとともに、前記帯域阻止フィルタのノッチ回路
のインダクタを前記多層基板の内部に設けたストリップ
ライン電極で構成し、前記帯域阻止フィルタのノッチ回
路の直列結合コンデンサ、及び前記帯域阻止フィルタの
段間結合コンデンサを前記多層基板の内部に前記誘電体
層を挟んで互いに対向して設けた複数のコンデンサ電極
で構成することを特徴とする。
【００１１】また、前記低雑音増幅器を前記多層基板に
設けたキャビティ内に搭載することを特徴とする。
設けたキャビティ内に搭載することを特徴とする。
【００１２】本発明の携帯無線機は、上述の帯域阻止フ
ィルタを用いることを特徴とする。
ィルタを用いることを特徴とする。
【００１３】また、上述の受信モジュールを用いること
を特徴とする。
を特徴とする。
【００１４】本発明の帯域阻止フィルタによれば、段間
結合コンデンサ及びノッチ回路を複数の誘電体層を積層
してなる多層基板に一体化するため、段間結合コンデン
サ及びノッチ回路の各配線を積層体の内部に設けること
ができ、その結果、各配線での損失を低減できる。
結合コンデンサ及びノッチ回路を複数の誘電体層を積層
してなる多層基板に一体化するため、段間結合コンデン
サ及びノッチ回路の各配線を積層体の内部に設けること
ができ、その結果、各配線での損失を低減できる。
【００１５】本発明の受信モジュールによれば、段間結
合コンデンサ及びノッチ回路からなる帯域阻止フィルタ
と、低雑音増幅器とを複数の誘電体層を積層してなる多
層基板に一体化するため、段間結合コンデンサ、ノッチ
回路及び低雑音増幅器の各配線を積層体の内部に設ける
ことができ、その結果、各配線での損失を低減できる。
合コンデンサ及びノッチ回路からなる帯域阻止フィルタ
と、低雑音増幅器とを複数の誘電体層を積層してなる多
層基板に一体化するため、段間結合コンデンサ、ノッチ
回路及び低雑音増幅器の各配線を積層体の内部に設ける
ことができ、その結果、各配線での損失を低減できる。
【００１６】本発明の携帯無線機によれば、良好な通過
特性を備えた帯域阻止フィルタや良好な送信特性を備え
た受信モジュールを用いるため、携帯無線機の送信特性
の劣化を防止することができる。
特性を備えた帯域阻止フィルタや良好な送信特性を備え
た受信モジュールを用いるため、携帯無線機の送信特性
の劣化を防止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、一般的な帯域阻止フィルタの
等価回路図である。図１において、１，２は入出力端
子、３，４はインダクタ、５，６は直列結合コンデン
サ、７は段間結合コンデンサを示す。
施例を説明する。図１は、一般的な帯域阻止フィルタの
等価回路図である。図１において、１，２は入出力端
子、３，４はインダクタ、５，６は直列結合コンデン
サ、７は段間結合コンデンサを示す。
【００１８】以下、この帯域阻止フィルタの動作につい
て説明する。インダクタ３，４と直列結合コンデンサ
５，６とはそれぞれ直列接続され、直列共振特性を備え
る１段のノッチ回路８，９を構成する。ノッチ回路８，
９は段間結合コンデンサ７で縦続接続されており、ノッ
チ回路８，９の直列共振周波数で伝達特性に大きな減衰
量を示す。また、ノッチ回路８，９の並列共振周波数で
はノッチ回路８，９のインピーダンスが無限大になるた
め、段間結合コンデンサ７で縦続接続されて帯域通過特
性を示す。
て説明する。インダクタ３，４と直列結合コンデンサ
５，６とはそれぞれ直列接続され、直列共振特性を備え
る１段のノッチ回路８，９を構成する。ノッチ回路８，
９は段間結合コンデンサ７で縦続接続されており、ノッ
チ回路８，９の直列共振周波数で伝達特性に大きな減衰
量を示す。また、ノッチ回路８，９の並列共振周波数で
はノッチ回路８，９のインピーダンスが無限大になるた
め、段間結合コンデンサ７で縦続接続されて帯域通過特
性を示す。
【００１９】図２及び図３は、本発明の帯域阻止フィル
タに係る一実施例の分解斜視図及び断面図である。帯域
阻止フィルタ１０は、第１〜第８の誘電体層１１１〜１
１８からなる多層基板１１を備える。
タに係る一実施例の分解斜視図及び断面図である。帯域
阻止フィルタ１０は、第１〜第８の誘電体層１１１〜１
１８からなる多層基板１１を備える。
【００２０】第２及び第８の誘電体層１１２，１１８の
上面にはグランド電極Ｇｐ１１，Ｇｐ１２が形成され
る。また、第３の誘電体層１１３の上面にはストリップ
ライン電極ＳＴ１１，ＳＴ１２が形成される。
上面にはグランド電極Ｇｐ１１，Ｇｐ１２が形成され
る。また、第３の誘電体層１１３の上面にはストリップ
ライン電極ＳＴ１１，ＳＴ１２が形成される。
【００２１】さらに、第４の誘電体層１１４の上面には
コンデンサ電極Ｃｐ１１，Ｃｐ１２が形成される。ま
た、第５の誘電体層１１５の上面にはコンデンサ電極Ｃ
ｐ１３，Ｃｐ１４が形成される。
コンデンサ電極Ｃｐ１１，Ｃｐ１２が形成される。ま
た、第５の誘電体層１１５の上面にはコンデンサ電極Ｃ
ｐ１３，Ｃｐ１４が形成される。
【００２２】さらに、第６の誘電体層１１６の上面には
コンデンサ電極Ｃｐ１５が形成される。また、第７の誘
電体層１１７の上面にはコンデンサ電極Ｃｐ１６，Ｃｐ
１７が形成される。さらに、第２及び第３の誘電体層１
１２，１１３には、各誘電体層１１２，１１３を貫通す
るようにビアホール電極Ｖｈ１が形成される。
コンデンサ電極Ｃｐ１５が形成される。また、第７の誘
電体層１１７の上面にはコンデンサ電極Ｃｐ１６，Ｃｐ
１７が形成される。さらに、第２及び第３の誘電体層１
１２，１１３には、各誘電体層１１２，１１３を貫通す
るようにビアホール電極Ｖｈ１が形成される。
【００２３】なお、第１〜第８の誘電体層１１１〜１１
８は、例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能
な酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分と
する誘電体セラミックスを結合剤等とともに混練したも
のをシート状にしたものである。
８は、例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能
な酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分と
する誘電体セラミックスを結合剤等とともに混練したも
のをシート状にしたものである。
【００２４】また、ストリップライン電極ＳＴ１１，Ｓ
Ｔ１２、コンデンサ電極Ｃｐ１１〜Ｃｐ１７及びグラン
ド電極Ｇｐ１１，Ｇｐ１２は、Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ｃｕ等からなり、第２〜第８の誘電体層１１２〜１
１８の表面に、周知の印刷法、スパッタリング法、真空
蒸着法等の方法によって形成される。
Ｔ１２、コンデンサ電極Ｃｐ１１〜Ｃｐ１７及びグラン
ド電極Ｇｐ１１，Ｇｐ１２は、Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ｃｕ等からなり、第２〜第８の誘電体層１１２〜１
１８の表面に、周知の印刷法、スパッタリング法、真空
蒸着法等の方法によって形成される。
【００２５】これらの第１〜第８の誘電体層１１１〜１
１８が積み重ねられ、一体的に焼結されることにより、
多層基板１１となる。そして、グランド電極Ｇｐ１１と
ストリップライン電極ＳＴ１１，ＳＴ１２、及びストリ
ップライン電極ＳＴ１１，ＳＴ１２とコンデンサ電極Ｃ
ｐ１１，Ｃｐ１２とはそれぞれ多層基板１１の内部にて
ビアホール電極Ｖｈ１で接続される。
１８が積み重ねられ、一体的に焼結されることにより、
多層基板１１となる。そして、グランド電極Ｇｐ１１と
ストリップライン電極ＳＴ１１，ＳＴ１２、及びストリ
ップライン電極ＳＴ１１，ＳＴ１２とコンデンサ電極Ｃ
ｐ１１，Ｃｐ１２とはそれぞれ多層基板１１の内部にて
ビアホール電極Ｖｈ１で接続される。
【００２６】また、多層基板１１の側面及び表裏面に
は、コンデンサ電極Ｃｐ１３，Ｃｐ１６に電気的に接続
され、入力端子１（図１）となる外部端子Ｔ１１と、コ
ンデンサ電極Ｃｐ１４，Ｃｐ１７に電気的に接続され、
出力端子２（図１）となる外部端子Ｔ１２と、グランド
電極Ｇｐ１１，Ｇｐ１２に電気的に接続され、グランド
端子となる外部端子Ｔ１３，Ｔ１４が形成される。な
お、これらの端子Ｔ１１〜Ｔ１４は、スパッタリング
法、真空蒸着法、塗布焼付等の方法によって形成され
る。
は、コンデンサ電極Ｃｐ１３，Ｃｐ１６に電気的に接続
され、入力端子１（図１）となる外部端子Ｔ１１と、コ
ンデンサ電極Ｃｐ１４，Ｃｐ１７に電気的に接続され、
出力端子２（図１）となる外部端子Ｔ１２と、グランド
電極Ｇｐ１１，Ｇｐ１２に電気的に接続され、グランド
端子となる外部端子Ｔ１３，Ｔ１４が形成される。な
お、これらの端子Ｔ１１〜Ｔ１４は、スパッタリング
法、真空蒸着法、塗布焼付等の方法によって形成され
る。
【００２７】以上の構成を備えた帯域阻止フィルタ１０
において、ストリップライン電極ＳＴ１１，ＳＴ１２で
インダクタ３，４（図１）を形成する。また、第４の誘
電体層１１４を挟んで互いに対向するコンデンサ電極Ｃ
ｐ１１，Ｃｐ１３、コンデンサ電極Ｃｐ１２，Ｃｐ１４
で直列結合コンデンサ５，６（図１）を形成する。
において、ストリップライン電極ＳＴ１１，ＳＴ１２で
インダクタ３，４（図１）を形成する。また、第４の誘
電体層１１４を挟んで互いに対向するコンデンサ電極Ｃ
ｐ１１，Ｃｐ１３、コンデンサ電極Ｃｐ１２，Ｃｐ１４
で直列結合コンデンサ５，６（図１）を形成する。
【００２８】さらに、第５及び第６の誘電体層１１５，
１１６を挟んで互いに対向するコンデンサ電極Ｃｐ１
３，Ｃｐ１５，Ｃｐ１６、及びコンデンサ電極Ｃｐ１
４，Ｃｐ１５，Ｃｐ１７で段間結合コンデンサ７（図
１）を形成する。また、外部端子Ｔ１１は入力端子１
（図１）となり、外部端子Ｔ１２は出力端子２（図１）
となる。
１１６を挟んで互いに対向するコンデンサ電極Ｃｐ１
３，Ｃｐ１５，Ｃｐ１６、及びコンデンサ電極Ｃｐ１
４，Ｃｐ１５，Ｃｐ１７で段間結合コンデンサ７（図
１）を形成する。また、外部端子Ｔ１１は入力端子１
（図１）となり、外部端子Ｔ１２は出力端子２（図１）
となる。
【００２９】図４は、図２の帯域阻止フィルタの通過特
性を示す図である。この図から、１．８ＧＨｚ付近に減
衰極が発生し、−２０（ｄＢ）以下を示す帯域幅は約３
００（ＭＨｚ）であることが解る。
性を示す図である。この図から、１．８ＧＨｚ付近に減
衰極が発生し、−２０（ｄＢ）以下を示す帯域幅は約３
００（ＭＨｚ）であることが解る。
【００３０】図５は、図２の帯域阻止フィルタの変形例
の断面図である。帯域阻止フィルタ１０ａは、図２の実
施例の帯域阻止フィルタ１０と比較して、インダクタ
３，４（図１）をチップインダクタＬ１，Ｌ２で構成
し、多層基板１１ａの表面に搭載する点で異なる。な
お、チップインダクタＬ１，Ｌ２と多層基板１１ａの内
部のコンデンサ電極Ｃｐ１１，Ｃｐ１２とは多層基板１
１ａの内部にてビアホール電極Ｖｈ１ａで接続される。
の断面図である。帯域阻止フィルタ１０ａは、図２の実
施例の帯域阻止フィルタ１０と比較して、インダクタ
３，４（図１）をチップインダクタＬ１，Ｌ２で構成
し、多層基板１１ａの表面に搭載する点で異なる。な
お、チップインダクタＬ１，Ｌ２と多層基板１１ａの内
部のコンデンサ電極Ｃｐ１１，Ｃｐ１２とは多層基板１
１ａの内部にてビアホール電極Ｖｈ１ａで接続される。
【００３１】図６は、図２の帯域阻止フィルタの別の変
形例の断面図である。帯域阻止フィルタ１０ｂは、図２
の実施例の帯域阻止フィルタ１０と比較して、直列結合
コンデンサ５，６（図１）をチップコンデンサＣ１，Ｃ
２で構成し、多層基板１１ｂの表面に搭載する点で異な
る。なお、多層基板１１ｂ上のチップコンデンサＣ１，
Ｃ２と多層基板１１ａの内部のストリップライン電極Ｓ
Ｔ１１，ＳＴ１２とは多層基板１１ｂの内部にてビアホ
ール電極Ｖｈ１ｂで接続される。
形例の断面図である。帯域阻止フィルタ１０ｂは、図２
の実施例の帯域阻止フィルタ１０と比較して、直列結合
コンデンサ５，６（図１）をチップコンデンサＣ１，Ｃ
２で構成し、多層基板１１ｂの表面に搭載する点で異な
る。なお、多層基板１１ｂ上のチップコンデンサＣ１，
Ｃ２と多層基板１１ａの内部のストリップライン電極Ｓ
Ｔ１１，ＳＴ１２とは多層基板１１ｂの内部にてビアホ
ール電極Ｖｈ１ｂで接続される。
【００３２】上述の実施例の帯域阻止フィルタによれ
ば、段間結合コンデンサとノッチ回路とを第１〜第８の
誘電体層を積層してなる多層基板に一体化しているた
め、段間結合コンデンサ及びノッチ回路の各配線を積層
体の内部に設けることができる。したがって、各配線で
の損失を低減できるため、良好な通過特性の帯域阻止フ
ィルタを得ることができる。
ば、段間結合コンデンサとノッチ回路とを第１〜第８の
誘電体層を積層してなる多層基板に一体化しているた
め、段間結合コンデンサ及びノッチ回路の各配線を積層
体の内部に設けることができる。したがって、各配線で
の損失を低減できるため、良好な通過特性の帯域阻止フ
ィルタを得ることができる。
【００３３】また、ノッチ回路のインダクタを多層基板
の内部に設けたストリップライン電極で構成し、ノッチ
回路の直列結合コンデンサ、及び段間結合コンデンサを
多層基板の内部に誘電体層を挟んで互いに対向して設け
たコンデンサ電極で構成するため、帯域阻止フィルタの
部品点数を低減することができる。したがって、帯域阻
止フィルタの低コスト化、小型化が可能である。
の内部に設けたストリップライン電極で構成し、ノッチ
回路の直列結合コンデンサ、及び段間結合コンデンサを
多層基板の内部に誘電体層を挟んで互いに対向して設け
たコンデンサ電極で構成するため、帯域阻止フィルタの
部品点数を低減することができる。したがって、帯域阻
止フィルタの低コスト化、小型化が可能である。
【００３４】さらに、図５の変形例では、ノッチ回路を
構成するインダクタを高Ｑのチップインダクタで構成
し、それらを多層基板上に搭載するため、減衰特性に優
れ、かつ低挿入損失の帯域阻止フィルタを得ることが可
能となる。
構成するインダクタを高Ｑのチップインダクタで構成
し、それらを多層基板上に搭載するため、減衰特性に優
れ、かつ低挿入損失の帯域阻止フィルタを得ることが可
能となる。
【００３５】また、図６の変形例では、ノッチ回路を構
成する直列結合コンデンサをチップコンデンサで構成
し、それらを多層基板上に搭載するため、多層基板の内
部にコンデンサ電極を形成する必要がなくなる。その結
果、多層基板の高さを高くすることなくストリップライ
ン電極の上下の誘電体層の厚みを厚くすることができ、
ストリップライン電極を高Ｑのインダクタにできるた
め、減衰特性に優れ、かつ低挿入損失の帯域阻止フィル
タを得ることが可能となる。
成する直列結合コンデンサをチップコンデンサで構成
し、それらを多層基板上に搭載するため、多層基板の内
部にコンデンサ電極を形成する必要がなくなる。その結
果、多層基板の高さを高くすることなくストリップライ
ン電極の上下の誘電体層の厚みを厚くすることができ、
ストリップライン電極を高Ｑのインダクタにできるた
め、減衰特性に優れ、かつ低挿入損失の帯域阻止フィル
タを得ることが可能となる。
【００３６】図７は、一般的な受信モジュールのブロッ
ク図である。図７において、Ｐｉ，Ｐｏは入出力端子、
２１は低雑音増幅器、２２は帯域阻止フィルタを示し、
低雑音増幅器２１の後段に帯域阻止フィルタ２２が接続
される。
ク図である。図７において、Ｐｉ，Ｐｏは入出力端子、
２１は低雑音増幅器、２２は帯域阻止フィルタを示し、
低雑音増幅器２１の後段に帯域阻止フィルタ２２が接続
される。
【００３７】図８及び図９は、本発明の受信モジュール
に係る一実施例の分解斜視図及び断面図である。受信モ
ジュール２０は、第１〜第９の誘電体層２３１〜２３９
からなる多層基板２３を備え、その多層基板２３に帯域
阻止フィルタ２２（図７）が内蔵され、その多層基板２
３上に低雑音増幅器２１が搭載される。
に係る一実施例の分解斜視図及び断面図である。受信モ
ジュール２０は、第１〜第９の誘電体層２３１〜２３９
からなる多層基板２３を備え、その多層基板２３に帯域
阻止フィルタ２２（図７）が内蔵され、その多層基板２
３上に低雑音増幅器２１が搭載される。
【００３８】第１の誘電体層２３１の上面には低雑音増
幅器２１を多層基板２３上に搭載するためのランドＬａ
が形成される。また、第２の誘電体層２３２の上面には
配線ラインＬｉが形成される。
幅器２１を多層基板２３上に搭載するためのランドＬａ
が形成される。また、第２の誘電体層２３２の上面には
配線ラインＬｉが形成される。
【００３９】さらに、第３及び第９の誘電体層２３３，
２３９の上面にはグランド電極Ｇｐ２１，Ｇｐ２２が形
成される。また、第４の誘電体層２３４の上面にはスト
リップライン電極ＳＴ２１，ＳＴ２２が形成される。さ
らに、第５の誘電体層２３５の上面にはコンデンサ電極
Ｃｐ２１，Ｃｐ２２が形成される。
２３９の上面にはグランド電極Ｇｐ２１，Ｇｐ２２が形
成される。また、第４の誘電体層２３４の上面にはスト
リップライン電極ＳＴ２１，ＳＴ２２が形成される。さ
らに、第５の誘電体層２３５の上面にはコンデンサ電極
Ｃｐ２１，Ｃｐ２２が形成される。
【００４０】また、第６の誘電体層２３６の上面にはコ
ンデンサ電極Ｃｐ２３，Ｃｐ２４が形成される。さら
に、第７の誘電体層２３７の上面にはコンデンサ電極Ｃ
ｐ２５が形成される。また、第８の誘電体層２３８の上
面にはコンデンサ電極Ｃｐ２６，Ｃｐ２７が形成され
る。さらに、第１〜第７の誘電体層２３１〜２３７には
各誘電体層２３１〜２３７を貫通するようにビアホール
電極Ｖｈ２が形成される。
ンデンサ電極Ｃｐ２３，Ｃｐ２４が形成される。さら
に、第７の誘電体層２３７の上面にはコンデンサ電極Ｃ
ｐ２５が形成される。また、第８の誘電体層２３８の上
面にはコンデンサ電極Ｃｐ２６，Ｃｐ２７が形成され
る。さらに、第１〜第７の誘電体層２３１〜２３７には
各誘電体層２３１〜２３７を貫通するようにビアホール
電極Ｖｈ２が形成される。
【００４１】なお、第１〜第９の誘電体層２３１〜２３
９は、例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能
な酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分と
する誘電体セラミックスを結合剤等とともに混練したも
のをシート状にしたものである。
９は、例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能
な酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分と
する誘電体セラミックスを結合剤等とともに混練したも
のをシート状にしたものである。
【００４２】また、ストリップライン電極ＳＴ２１，Ｓ
Ｔ２２、コンデンサ電極Ｃｐ２１〜Ｃｐ２７、グランド
電極Ｇｐ２１，Ｇｐ２２、ランドＬａ及び配線ラインＬ
ｉは、Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等からなり、第１
〜第９の誘電体層２３１〜２３９の表面に、周知の印刷
法、スパッタリング法、真空蒸着法等の方法によって形
成される。
Ｔ２２、コンデンサ電極Ｃｐ２１〜Ｃｐ２７、グランド
電極Ｇｐ２１，Ｇｐ２２、ランドＬａ及び配線ラインＬ
ｉは、Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等からなり、第１
〜第９の誘電体層２３１〜２３９の表面に、周知の印刷
法、スパッタリング法、真空蒸着法等の方法によって形
成される。
【００４３】これらの第１〜第９の誘電体層２３１〜２
３９が積み重ねられ、一体的に焼結されることにより、
多層基板２３となる。そして、グランド電極Ｇｐ２１と
ストリップライン電極ＳＴ２１，ＳＴ２２、及びストリ
ップライン電極ＳＴ２１，ＳＴ２２とコンデンサ電極Ｃ
ｐ２１，Ｃｐ２２とはそれぞれ多層基板２３の内部にて
ビアホール電極Ｖｈ２で接続される。
３９が積み重ねられ、一体的に焼結されることにより、
多層基板２３となる。そして、グランド電極Ｇｐ２１と
ストリップライン電極ＳＴ２１，ＳＴ２２、及びストリ
ップライン電極ＳＴ２１，ＳＴ２２とコンデンサ電極Ｃ
ｐ２１，Ｃｐ２２とはそれぞれ多層基板２３の内部にて
ビアホール電極Ｖｈ２で接続される。
【００４４】また、コンデンサ電極Ｃｐ２３，Ｃｐ２６
とランドＬａとは多層基板２３の内部にてビアホール電
極Ｖｈ２及び配線ラインＬｉで接続される。
とランドＬａとは多層基板２３の内部にてビアホール電
極Ｖｈ２及び配線ラインＬｉで接続される。
【００４５】さらに、多層基板２３の側面及び表裏面に
は、低雑音増幅器２１に電気的に接続され、入力端子Ｐ
ｉ（図７）となる外部電極Ｔ２１と、コンデンサ電極Ｃ
ｐ２４，Ｃｐ２７に電気的に接続され、出力端子Ｐｏ
（図７）となる外部端子Ｔ２２と、グランド電極Ｇｐ２
１，Ｇｐ２２に電気的に接続され、グランド端子となる
外部端子Ｔ２３，Ｔ２４が形成される。なお、これらの
端子Ｔ２１〜Ｔ２４は、スパッタリング法、真空蒸着
法、塗布焼付等の方法によって形成される。
は、低雑音増幅器２１に電気的に接続され、入力端子Ｐ
ｉ（図７）となる外部電極Ｔ２１と、コンデンサ電極Ｃ
ｐ２４，Ｃｐ２７に電気的に接続され、出力端子Ｐｏ
（図７）となる外部端子Ｔ２２と、グランド電極Ｇｐ２
１，Ｇｐ２２に電気的に接続され、グランド端子となる
外部端子Ｔ２３，Ｔ２４が形成される。なお、これらの
端子Ｔ２１〜Ｔ２４は、スパッタリング法、真空蒸着
法、塗布焼付等の方法によって形成される。
【００４６】以上の構成により、受信モジュール２０は
多層基板２３に図１に示した等価回路を備えた帯域阻止
フィルタ２２を内蔵した構造となる。そして、ストリッ
プライン電極ＳＴ２１，ＳＴ２２で帯域阻止フィルタ２
２のインダクタ３，４（図１）を形成する。
多層基板２３に図１に示した等価回路を備えた帯域阻止
フィルタ２２を内蔵した構造となる。そして、ストリッ
プライン電極ＳＴ２１，ＳＴ２２で帯域阻止フィルタ２
２のインダクタ３，４（図１）を形成する。
【００４７】また、第５の誘電体層２３５を挟んで互い
に対向するコンデンサ電極Ｃｐ２１，Ｃｐ２３、コンデ
ンサ電極Ｃｐ２２，Ｃｐ２４で帯域阻止フィルタ２２の
直列結合コンデンサ５，６（図１）を形成する。
に対向するコンデンサ電極Ｃｐ２１，Ｃｐ２３、コンデ
ンサ電極Ｃｐ２２，Ｃｐ２４で帯域阻止フィルタ２２の
直列結合コンデンサ５，６（図１）を形成する。
【００４８】さらに、第６及び第７の誘電体層２３６，
２３７を挟んで互いに対向するコンデンサ電極Ｃｐ２
３，Ｃｐ２５，Ｃｐ２６、及びコンデンサ電極Ｃｐ２
４，Ｃｐ２５，Ｃｐ２７で帯域阻止フィルタ２２の段間
結合コンデンサ７（図１）を形成する。
２３７を挟んで互いに対向するコンデンサ電極Ｃｐ２
３，Ｃｐ２５，Ｃｐ２６、及びコンデンサ電極Ｃｐ２
４，Ｃｐ２５，Ｃｐ２７で帯域阻止フィルタ２２の段間
結合コンデンサ７（図１）を形成する。
【００４９】図１０は、図９の受信モジュールの変形例
の断面図である。受信モジュール２０ａは、図９の実施
例の受信モジュール２０と比較して、低雑音増幅器２１
を多層基板２３ａの表面に設けたキャビティ２４に搭載
する点で異なる。
の断面図である。受信モジュール２０ａは、図９の実施
例の受信モジュール２０と比較して、低雑音増幅器２１
を多層基板２３ａの表面に設けたキャビティ２４に搭載
する点で異なる。
【００５０】なお、キャビティ２４は、図８の第１の誘
電体層２３１上にキャビティ２４が形成される箇所に開
口部を設けた誘電体層（図示せず）をさらに積層するこ
とにより形成される。また、キャビティ２４は、低雑音
増幅器２１が搭載された後、樹脂２５を充填することで
封止される。
電体層２３１上にキャビティ２４が形成される箇所に開
口部を設けた誘電体層（図示せず）をさらに積層するこ
とにより形成される。また、キャビティ２４は、低雑音
増幅器２１が搭載された後、樹脂２５を充填することで
封止される。
【００５１】上述の実施例の受信モジュールによれば、
帯域阻止フィルタと低雑音増幅器とを第１〜第９の誘電
体層からなる多層基板に一体化しているため、帯域阻止
フィルタと低雑音増幅器と間の各配線を積層体の内部に
設けることができる。したがって、各配線での損失を低
減できるため、良好な送信特性を備えた受信モジュール
を得ることができる。
帯域阻止フィルタと低雑音増幅器とを第１〜第９の誘電
体層からなる多層基板に一体化しているため、帯域阻止
フィルタと低雑音増幅器と間の各配線を積層体の内部に
設けることができる。したがって、各配線での損失を低
減できるため、良好な送信特性を備えた受信モジュール
を得ることができる。
【００５２】また、帯域阻止フィルタのインダクタを多
層基板の内部に設けたストリップライン電極で構成し、
帯域阻止フィルタの直列結合コンデンサ及び段間結合コ
ンデンサを多層基板の内部に誘電体層を挟んで互いに対
向して設けたコンデンサ電極で構成するため、帯域阻止
フィルタの部品点数を低減することができる。したがっ
て、帯域阻止フィルタと低雑音増幅器とからなる受信モ
ジュールの低コスト化、小型化が可能である。
層基板の内部に設けたストリップライン電極で構成し、
帯域阻止フィルタの直列結合コンデンサ及び段間結合コ
ンデンサを多層基板の内部に誘電体層を挟んで互いに対
向して設けたコンデンサ電極で構成するため、帯域阻止
フィルタの部品点数を低減することができる。したがっ
て、帯域阻止フィルタと低雑音増幅器とからなる受信モ
ジュールの低コスト化、小型化が可能である。
【００５３】さらに、図１０の変形例では、低雑音増幅
器を帯域阻止フィルタが内蔵された多層基板に設けられ
たキャビティに搭載するため、多層基板の表面に低雑音
増幅器が飛び出すことがなくなる。したがって、低雑音
増幅器が多層基板から剥がれる恐れが少なくなり、受信
モジュールの信頼性が向上する。
器を帯域阻止フィルタが内蔵された多層基板に設けられ
たキャビティに搭載するため、多層基板の表面に低雑音
増幅器が飛び出すことがなくなる。したがって、低雑音
増幅器が多層基板から剥がれる恐れが少なくなり、受信
モジュールの信頼性が向上する。
【００５４】図１１は、一般的な携帯無線機である携帯
電話のＲＦブロック図である。図１１において、ＡＮＴ
はアンテナ、Ｒｘ，ＴｘはスイッチＳＷを介してアンテ
ナＡＮＴに接続される受信回路及び送信回路、３１はス
イッチＳＷ、受信回路Ｒｘ及び送信回路Ｔｘをカバーす
る筐体を示す。
電話のＲＦブロック図である。図１１において、ＡＮＴ
はアンテナ、Ｒｘ，ＴｘはスイッチＳＷを介してアンテ
ナＡＮＴに接続される受信回路及び送信回路、３１はス
イッチＳＷ、受信回路Ｒｘ及び送信回路Ｔｘをカバーす
る筐体を示す。
【００５５】この際、受信回路Ｒｘは、低雑音増幅器Ｌ
ＮＡ、帯域阻止フィルタＢＥＦ及びミキサＭＩＸを備
え、送信回路Ｔｘは、高出力増幅器ＰＡ、帯域通過フィ
ルタＢＰＦ及びミキサＭＩＸで構成される。また、受信
回路ＲｘのミキサＭＩＸ及び送信回路ＴｘのミキサＭＩ
Ｘの一方の入力には局部信号を発生するシンセサイザＳ
ＹＮが接続される。
ＮＡ、帯域阻止フィルタＢＥＦ及びミキサＭＩＸを備
え、送信回路Ｔｘは、高出力増幅器ＰＡ、帯域通過フィ
ルタＢＰＦ及びミキサＭＩＸで構成される。また、受信
回路ＲｘのミキサＭＩＸ及び送信回路ＴｘのミキサＭＩ
Ｘの一方の入力には局部信号を発生するシンセサイザＳ
ＹＮが接続される。
【００５６】そして、携帯電話の高周波回路部である受
信回路Ｒｘの帯域阻止フィルタＢＥＦに図２の帯域阻止
フィルタ１０、低雑音増幅器ＬＮＡ及び帯域阻止フィル
タＢＰＦに図８に示す受信モジュール２０を用いるもの
である。
信回路Ｒｘの帯域阻止フィルタＢＥＦに図２の帯域阻止
フィルタ１０、低雑音増幅器ＬＮＡ及び帯域阻止フィル
タＢＰＦに図８に示す受信モジュール２０を用いるもの
である。
【００５７】上述の実施例の携帯無線機によれば、良好
な通過特性を備えた小型の帯域阻止フィルタや良好な送
信特性を備えた小型の受信モジュールを用いるため、携
帯無線機の送信特性の劣化を防止することができる。し
たがって、携帯無線器の小型化が実現するとともに、信
頼性の向上が可能となる。
な通過特性を備えた小型の帯域阻止フィルタや良好な送
信特性を備えた小型の受信モジュールを用いるため、携
帯無線機の送信特性の劣化を防止することができる。し
たがって、携帯無線器の小型化が実現するとともに、信
頼性の向上が可能となる。
【００５８】なお、上述の帯域阻止フィルタ及び受信モ
ジュールの実施例では、誘電体層が酸化バリウム、酸化
アルミニウム、シリカを主成分とするセラミックの場合
について説明したが、比誘電率（εｒ）が１以上であれ
ば何れの材料でもよく、例えば酸化マグネシウム、シリ
カを主成分とするセラミックあるいはフッ素系樹脂等で
も同様の効果が得られる。
ジュールの実施例では、誘電体層が酸化バリウム、酸化
アルミニウム、シリカを主成分とするセラミックの場合
について説明したが、比誘電率（εｒ）が１以上であれ
ば何れの材料でもよく、例えば酸化マグネシウム、シリ
カを主成分とするセラミックあるいはフッ素系樹脂等で
も同様の効果が得られる。
【００５９】また、インダクタを構成するストリップラ
イン電極、直列結合コンデンサ及び段間結合コンデンサ
を構成するコンデンサ電極が、２つのグランド電極で挟
まれる場合について説明したが、少なくとも一方のグラ
ンド電極があれば同様の効果が得られる。
イン電極、直列結合コンデンサ及び段間結合コンデンサ
を構成するコンデンサ電極が、２つのグランド電極で挟
まれる場合について説明したが、少なくとも一方のグラ
ンド電極があれば同様の効果が得られる。
【００６０】さらに、上述の帯域阻止フィルタの実施例
では、図１のような等価回路の場合について説明した
が、少なくとも段間結合コンデンサとノッチ回路とを備
えていればよく、段間結合コンデンサと並列にインダク
タが接続されたり、入出力端子と段間結合コンデンサと
の間にコンデンサが接続された等価回路であってもよ
い。
では、図１のような等価回路の場合について説明した
が、少なくとも段間結合コンデンサとノッチ回路とを備
えていればよく、段間結合コンデンサと並列にインダク
タが接続されたり、入出力端子と段間結合コンデンサと
の間にコンデンサが接続された等価回路であってもよ
い。
【００６１】また、上述の受信モジュールの変形例で
は、樹脂を充填することによりキャビティを封入する場
合について説明したが、金属あるいはセラミックスから
なるキャップによりキャビティを封入してもよい。この
場合には、低雑音増幅器をベアチップの状態で搭載する
ことやキャップ上に他の電子部品を搭載することが可能
となり、その結果、受信モジュールのより低コスト化や
受信モジュールのより小型化が達成できる。
は、樹脂を充填することによりキャビティを封入する場
合について説明したが、金属あるいはセラミックスから
なるキャップによりキャビティを封入してもよい。この
場合には、低雑音増幅器をベアチップの状態で搭載する
ことやキャップ上に他の電子部品を搭載することが可能
となり、その結果、受信モジュールのより低コスト化や
受信モジュールのより小型化が達成できる。
【００６２】
【発明の効果】請求項１の帯域阻止フィルタによれば、
段間結合コンデンサとノッチ回路とを複数の誘電体層を
積層してなる多層基板に一体化しているため、段間結合
コンデンサ及びノッチ回路の各配線を積層体の内部に設
けることができる。したがって、各配線での損失を低減
できるため、良好な通過特性の帯域阻止フィルタを得る
ことができる。
段間結合コンデンサとノッチ回路とを複数の誘電体層を
積層してなる多層基板に一体化しているため、段間結合
コンデンサ及びノッチ回路の各配線を積層体の内部に設
けることができる。したがって、各配線での損失を低減
できるため、良好な通過特性の帯域阻止フィルタを得る
ことができる。
【００６３】請求項２の帯域阻止フィルタによれば、ノ
ッチ回路のインダクタを多層基板の内部に設けたストリ
ップライン電極で構成し、ノッチ回路の直列結合コンデ
ンサ、及び段間結合コンデンサを多層基板の内部に誘電
体層を挟んで互いに対向して設けたコンデンサ電極で構
成するため、帯域阻止フィルタの部品点数を低減するこ
とができる。したがって、帯域阻止フィルタの低コスト
化、小型化が可能である。
ッチ回路のインダクタを多層基板の内部に設けたストリ
ップライン電極で構成し、ノッチ回路の直列結合コンデ
ンサ、及び段間結合コンデンサを多層基板の内部に誘電
体層を挟んで互いに対向して設けたコンデンサ電極で構
成するため、帯域阻止フィルタの部品点数を低減するこ
とができる。したがって、帯域阻止フィルタの低コスト
化、小型化が可能である。
【００６４】請求項３の受信モジュールによれば、帯域
阻止フィルタと低雑音増幅器とを複数の誘電体層からな
る多層基板に一体化しているため、帯域阻止フィルタと
低雑音増幅器との間の各配線を積層体の内部に設けるこ
とができる。したがって、各配線での損失を低減できる
ため、良好な送信特性を備えた受信モジュールを得るこ
とができる。
阻止フィルタと低雑音増幅器とを複数の誘電体層からな
る多層基板に一体化しているため、帯域阻止フィルタと
低雑音増幅器との間の各配線を積層体の内部に設けるこ
とができる。したがって、各配線での損失を低減できる
ため、良好な送信特性を備えた受信モジュールを得るこ
とができる。
【００６５】請求項４の受信モジュールによれば、帯域
阻止フィルタのインダクタを多層基板の内部に設けたス
トリップライン電極で構成し、帯域阻止フィルタの直列
結合コンデンサ及び段間結合コンデンサを多層基板の内
部に誘電体層を挟んで互いに対向して設けたコンデンサ
電極で構成するため、帯域阻止フィルタの部品点数を低
減することができる。したがって、帯域阻止フィルタと
低雑音増幅器とからなる受信モジュールの低コスト化、
小型化が可能である。
阻止フィルタのインダクタを多層基板の内部に設けたス
トリップライン電極で構成し、帯域阻止フィルタの直列
結合コンデンサ及び段間結合コンデンサを多層基板の内
部に誘電体層を挟んで互いに対向して設けたコンデンサ
電極で構成するため、帯域阻止フィルタの部品点数を低
減することができる。したがって、帯域阻止フィルタと
低雑音増幅器とからなる受信モジュールの低コスト化、
小型化が可能である。
【００６６】請求項５の受信モジュールによれば、低雑
音増幅器を帯域阻止フィルタが内蔵された多層基板に設
けられたキャビティに搭載するため、多層基板の表面に
低雑音増幅器が飛び出すことがなくなる。したがって、
低雑音増幅器が多層基板から剥がれる恐れが少なくな
り、受信モジュールの信頼性が向上する。
音増幅器を帯域阻止フィルタが内蔵された多層基板に設
けられたキャビティに搭載するため、多層基板の表面に
低雑音増幅器が飛び出すことがなくなる。したがって、
低雑音増幅器が多層基板から剥がれる恐れが少なくな
り、受信モジュールの信頼性が向上する。
【００６７】請求項６の携帯無線機によれば、良好な通
過特性を備えた小型の帯域阻止フィルタを用いるため、
携帯無線機の送信特性の劣化を防止することができる。
したがって、携帯無線器の小型化が実現するとともに、
信頼性の向上が可能となる。
過特性を備えた小型の帯域阻止フィルタを用いるため、
携帯無線機の送信特性の劣化を防止することができる。
したがって、携帯無線器の小型化が実現するとともに、
信頼性の向上が可能となる。
【００６８】請求項７の携帯無線機によれば、良好な送
信特性を備えた小型の受信モジュールを用いるため、携
帯無線機の送信特性の劣化を防止することができる。し
たがって、携帯無線器の小型化が実現するとともに、信
頼性の向上が可能となる。
信特性を備えた小型の受信モジュールを用いるため、携
帯無線機の送信特性の劣化を防止することができる。し
たがって、携帯無線器の小型化が実現するとともに、信
頼性の向上が可能となる。
【図１】一般的な帯域阻止フィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図２】本発明の帯域阻止フィルタに係る一実施例の分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図３】図２の帯域阻止フィルタの断面図である。
【図４】図２の帯域阻止フィルタの通過特性を示す図で
ある。
ある。
【図５】図２の帯域阻止フィルタの変形例の断面図であ
る。
る。
【図６】図２の帯域阻止フィルタの別の変形例の断面図
である。
である。
【図７】一般的な受信モジュールのブロック図である。
【図８】本発明の受信モジュールに係る一実施例の分解
斜視図である。
斜視図である。
【図９】図８の受信モジュールの断面図である。
【図１０】図８の受信モジュールの変形例の断面図であ
る。
る。
【図１１】一般的な携帯電話機のＲＦブロック図であ
る。
る。
【図１２】従来の帯域阻止フィルタの分解斜視図であ
る。
る。
１０，１０ａ，１０ｂ，２２ 帯域阻止フィルタ １１，１１ａ，１１ｂ，２３，２３ａ 多層基板 １１１〜１１８，２３１〜２３９ 誘電体層 ３，４ インダクタ ５，６ 直列結合コンデンサ ７ 段間結合コンデンサ ８，９ ノッチ回路 ２０ 受信モジュール ２１ 低雑音増幅器 ２４ キャビティ Ｃｐ１１〜Ｃｐ１７，Ｃｐ２１〜Ｃｐ２７ コンデ
ンサ電極 ＳＴ１１，ＳＴ１２，ＳＴ２１，ＳＴ２２ ストリ
ップライン電極
ンサ電極 ＳＴ１１，ＳＴ１２，ＳＴ２１，ＳＴ２２ ストリ
ップライン電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J006 HB05 HB13 HB21 HB22 JA02 LA21 LA24 NA04 NB07 NC03 5K011 AA16 DA27 JA01 KA00 KA18 5K062 AB00 BB03 BB09 BC05 BF07
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも１つの段間結合コンデンサ、
並びに前記段間結合コンデンサを介して縦続接続するイ
ンダクタ及び直列結合コンデンサからなる複数のノッチ
回路を複数の誘電体層を積層してなる多層基板に一体化
することを特徴とする帯域阻止フィルタ。 - 【請求項２】 前記ノッチ回路のインダクタを前記多層
基板の内部に設けたストリップライン電極で構成し、前
記ノッチ回路の直列結合コンデンサ、及び前記段間結合
コンデンサを前記多層基板の内部に前記誘電体層を挟ん
で互いに対向して設けた複数のコンデンサ電極で構成す
ることを特徴とする請求項１に記載の帯域阻止フィル
タ。 - 【請求項３】 少なくとも１つの段間結合コンデンサ、
並びに前記段間結合コンデンサを介して縦続接続するイ
ンダクタ及び直列結合コンデンサからなる複数のノッチ
回路を備える帯域阻止フィルタと、該帯域阻止フィルタ
に接続される低雑音増幅器とを複数の誘電体層を積層し
てなる多層基板に一体化することを特徴とする受信モジ
ュール。 - 【請求項４】 前記低雑音増幅器を前記多層基板に搭載
するとともに、前記帯域阻止フィルタのノッチ回路のイ
ンダクタを前記多層基板の内部に設けたストリップライ
ン電極で構成し、前記帯域阻止フィルタのノッチ回路の
直列結合コンデンサ、及び前記帯域阻止フィルタの段間
結合コンデンサを前記多層基板の内部に前記誘電体層を
挟んで互いに対向して設けた複数のコンデンサ電極で構
成することを特徴とする請求項３に記載の受信モジュー
ル。 - 【請求項５】 前記低雑音増幅器を前記多層基板に設け
たキャビティ内に搭載することを特徴とする請求項３あ
るいは請求項４に記載の受信モジュール。 - 【請求項６】 請求項１あるいは請求項２に記載の帯域
阻止フィルタを用いることを特徴とする携帯無線機。 - 【請求項７】 請求項３乃至請求項５のいずれかに記載
の受信モジュールを用いることを特徴とする携帯無線
機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14018099A JP4329158B2 (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 帯域阻止フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14018099A JP4329158B2 (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 帯域阻止フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332638A true JP2000332638A (ja) | 2000-11-30 |
| JP4329158B2 JP4329158B2 (ja) | 2009-09-09 |
Family
ID=15262767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14018099A Expired - Lifetime JP4329158B2 (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 帯域阻止フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4329158B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1999
- 1999-05-20 JP JP14018099A patent/JP4329158B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP4329158B2 (ja) | 2009-09-09 |
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