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JP2000307452A - 高周波複合部品及びそれを用いた携帯無線機 - Google Patents

高周波複合部品及びそれを用いた携帯無線機

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JP2000307452A
JP2000307452A JP11168843A JP16884399A JP2000307452A JP 2000307452 A JP2000307452 A JP 2000307452A JP 11168843 A JP11168843 A JP 11168843A JP 16884399 A JP16884399 A JP 16884399A JP 2000307452 A JP2000307452 A JP 2000307452A
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Japan
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composite component
section
frequency composite
multilayer substrate
frequency
Prior art date
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Pending
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JP11168843A
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Tomoya Bando
知哉 坂東
Ken Tonegawa
謙 利根川
Norihiro Shimada
規広 島田
Yoshihiro Yoshimoto
義弘 吉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
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Priority to US09/505,258 priority patent/US6700792B1/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型化、軽量化を図ることができるととも
に、高性能化が可能な高周波複合部品及びそれを用いた
携帯無線機を提供する。 【解決手段】 高周波複合部品１０は、高周波回路部の
一部を構成する低雑音増幅器ＬＮＡと帯域通過フィルタ
ＢＰＦとからなり、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、制
御端子Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２を備える。低雑音増幅器ＬＮ
ＡはトランジスタＱ１，Ｑ２、インダクタＬ１、コンデ
ンサＣ１〜Ｃ３、抵抗Ｒ１〜Ｒ４で構成され、帯域通過
フィルタＢＰＦはストリップラインＳＴ１〜ＳＴ３、イ
ンダクタＬ２、コンデンサＣ４〜Ｃ８で構成される。な
お、低雑音増幅器ＬＮＡと帯域通過フィルタＢＰＦと
は、マッチング用コンデンサＣ９を介して接続されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話、ページ
ャなどにおいて電波の送信あるいは受信を行う高周波回
路部に使用される高周波複合部品及びそれを用いた携帯
無線機に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＰＨＳ(Personal Handy-phon
e System)方式、ＰＤＣ(Personal Digital Cellular)方
式などの携帯電話に代表される携帯無線機の高周波回路
部では、小型化、高性能化、低価格化などを満足する高
周波複合部品が要求され、例えば、特開平７−５８５８
６号公報のような高周波複合部品が提案されている。
【０００３】図１１は、従来の高周波複合部品の上面図
である。高周波複合部品５０は、アンテナ５１で受信し
た微弱な電波を増幅する低雑音増幅器５２と、不要な周
波数成分を取り除く高周波フィルタ５３と、それらが実
装される実装基板５４とを備える。低雑音増幅器５２
は、電界効果トランジスタＱ５１、コンデンサＣ５１〜
Ｃ５３、インダクタＬ５１、抵抗Ｒ５１で構成される。
また、高周波フィルタ５３は、弾性表面波共振器Ｓ５
１，Ｓ５２、コンデンサＣ５４で構成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高周波複合部品においては、低雑音増幅器と高周波フィ
ルタとを実装基板に実装しているため、さらなる小型
化、軽量化は困難であるという問題があった。
【０００５】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたものであり、小型化、軽量化を図ることが
できるとともに、高性能化が可能な高周波複合部品及び
それを用いた携帯無線機を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の高周波複合部品は、高周波回路部を構成
する増幅器部及びフィルタ部を複数の誘電体層を積層し
てなる多層基板に一体化し、前記増幅器部のグランドと
前記フィルタ部のグランドとをそれぞれ別々に設けると
ともに、前記各グランドを前記多層基板に形成された別
々の外部端子から引き出すことを特徴とする。
【０００７】また、本発明の高周波複合部品は、前記増
幅器部を前記多層基板の上部に設け、前記フィルタ部を
前記多層基板の下部に設けることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の高周波複合部品は、前記増
幅器部を構成する能動素子及び受動素子をチップ部品と
して前記多層基板に搭載するとともに、前記フィルタ部
を構成する受動素子をストリップライン電極あるいはコ
ンデンサ電極として前記多層基板に内蔵することを特徴
とする。
【０００９】また、本発明の高周波複合部品は、高周波
回路部を構成するミキサ部及びフィルタ部を複数の誘電
体層を積層してなる多層基板に一体化し、前記ミキサ部
のグランドと前記フィルタ部のグランドとをそれぞれ別
々に設けるとともに、前記各グランドを前記多層基板に
形成された別々の外部端子から引き出すことを特徴とす
る高周波複合部品。
【００１０】また、本発明の高周波複合部品は、前記ミ
キサ部を構成する能動素子及び受動素子を前記多層基板
に搭載するとともに、前記フィルタ部を構成する受動素
子をストリップライン電極あるいはコンデンサ電極とし
て前記多層基板に内蔵することを特徴とする。
【００１１】本発明の携帯無線機は、上記の高周波複合
部品を用いることを特徴とする。
【００１２】本発明の高周波複合部品によれば、多層基
板に一体化した高周波回路部を構成する増幅器部及びフ
ィルタ部のグランドをそれぞれ別々に設けるとともに、
各グランドを多層基板に形成された別々の外部端子から
引き出すため、増幅器部のグランドのポテンシャルとフ
ィルタ部のグランドのポテンシャルとの間に差を付ける
ことができる。
【００１３】また、多層基板に一体化した高周波回路部
を構成するミキサ部のグランドとフィルタ部のグランド
とをそれぞれ別々に設けるとともに、各グランドを多層
基板に形成された別々のグランド端子から引き出すた
め、ミキサ部とフィルタ部との間での高周波信号の漏れ
を抑えることができる。
【００１４】本発明の携帯無線機によれば、発振を抑え
ることができる高周波複合部品やアイソレーションを確
保することができるを用いているため、携帯無線機の特
性の劣化を防止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１に、本発明に係る高周波複合部品
の第１の実施例の等価回路図を示す。高周波複合部品１
０は、ＰＨＳ方式、ＰＤＣ方式の携帯電話やページャの
高周波回路部の一部を構成する増幅器部である低雑音増
幅器ＬＮＡとフィルタ部である帯域通過フィルタＢＰＦ
とからなり、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、制御端子
Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２を備える。
【００１６】低雑音増幅器ＬＮＡはトランジスタＱ１，
Ｑ２、インダクタＬ１、コンデンサＣ１〜Ｃ３、抵抗Ｒ
１〜Ｒ４で構成され、入力端子ＩＮから入力されるアン
テナＡＮＴで受信された受信信号を増幅させ、帯域通過
フィルタＢＰＦに送る役割を果たす。
【００１７】帯域通過フィルタＢＰＦはストリップライ
ンＳＴ１〜ＳＴ３、インダクタＬ２、コンデンサＣ４〜
Ｃ８で構成され、低雑音増幅器ＬＮＡで増幅された受信
信号に含まれる不必要な信号を取り除くために用いられ
る。
【００１８】なお、低雑音増幅器ＬＮＡと帯域通過フィ
ルタＢＰＦとは、マッチング用コンデンサＣ９を介して
接続されている。
【００１９】図２は、図１の高周波複合部品の斜視図で
ある。高周波複合部品１０は、帯域通過フィルタＢＰＦ
を構成するストリップラインＳＴ１〜ＳＴ３、インダク
タＬ２、コンデンサＣ４〜Ｃ８をなすストリップライン
電極及びコンデンサ電極（図示せず）を内蔵した多層基
板１１を備える。
【００２０】多層基板１１の上面には、低雑音増幅器Ｌ
ＮＡを構成するトランジスタＱ１，Ｑ２、インダクタＬ
１、コンデンサＣ１〜Ｃ３、抵抗Ｒ１〜Ｒ４が搭載され
る。また、多層基板１１の側面から下面に架けて外部端
子Ｔ１〜Ｔ１２が設けられる。
【００２１】なお、外部端子Ｔ１，Ｔ１１は高周波複合
部品１０の入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、外部端子Ｔ
５，Ｔ７は高周波複合部品１０の制御端子Ｖｃｃ１，Ｖ
ｃｃ２、外部端子Ｔ２，Ｔ１０，Ｔ１２は低雑音増幅器
ＬＮＡ側のグランドを引き出すグランド端子、外部端子
Ｔ３，Ｔ４，Ｔ６，Ｔ８，Ｔ９は帯域通過フィルタＢＰ
Ｆ側のグランドを引き出すグランド端子となる。
【００２２】図３（ａ）〜図３（ｆ）及び図４（ａ）〜
図４（ｆ）は、図２の高周波複合部品の多層基板を構成
する各誘電体層の上面図及び下面図である。多層基板１
１は例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能な
酸化バリウム。酸化アルミニウム、シリカを主成分とす
る低温焼成セラミックからなる第１〜第１１の誘電体層
ａ〜ｋを順次積層することによって形成される。
【００２３】第１の誘電体層ａの上面には低雑音増幅器
ＬＮＡを構成するトランジスタＱ１，Ｑ２、インダクタ
Ｌ１、コンデンサＣ１〜Ｃ３、抵抗Ｒ１〜Ｒ４を実装す
るためのランドＬａが形成される。また、第２の誘電体
層ｂの上面には配線パターンＷｐが形成される。
【００２４】さらに、第３の誘電体層ｃの上面には低雑
音増幅器ＬＮＡ側のグランドとなるグランド電極Ｇｐ
１、第６の誘電体層ｆの上面には帯域通過フィルタＢＰ
Ｆ側のグランドとなるグランド電極Ｇｐ２がそれぞれ形
成される。また、第４、第５、第９〜第１１の誘電体層
ｄ，ｅ，ｉ〜ｋの上面にはコンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ
１０がそれぞれ形成される。
【００２５】さらに、第７及び第８の誘電体層ｇ，ｈの
上面にはストリップライン電極Ｓｐ１〜Ｓｐ４がそれぞ
れ形成される。また、第１１の誘電体層ｋの下面（図４
（ｆ）中において、ｋｕと符号を付す）には外部端子Ｔ
１〜Ｔ１２が形成される。さらに、第１〜第１０の誘電
体層ａ〜ｊには各誘電体層ａ〜ｊを貫通するようにビア
ホール電極Ｖｈが形成される。
【００２６】この際、コンデンサ電極Ｃｐ３とコンデン
サ電極Ｃｐ５、コンデンサ電極Ｃｐ４とコンデンサ電極
Ｃｐ７、コンデンサ電極Ｃｐ５とコンデンサ電極Ｃｐ
８、コンデンサ電極Ｃｐ７とコンデンサ電極Ｃｐ１０、
コンデンサ電極Ｃｐ６とコンデンサ電極Ｃｐ９とで帯域
通過フィルタＢＰＦのコンデンサＣ４〜Ｃ８をそれぞれ
構成する。また、コンデンサ電極Ｃｐ１とコンデンサ電
極Ｃｐ２とでマッチング用コンデンサＣ９を構成する。
【００２７】さらに、ストリップライン電極Ｓｐ１で帯
域通過フィルタＢＰＦのインダクタＬ２を、ストリップ
ライン電極Ｓｐ２〜Ｓｐ４で帯域通過フィルタＢＰＦの
ストリップラインＳＴ１〜ＳＴ３をそれぞれ構成する。
【００２８】また、低雑音増幅器ＬＮＡを構成するトラ
ンジスタＱ１，Ｑ２、インダクタＬ１、コンデンサＣ１
〜Ｃ３、抵抗Ｒ１〜Ｒ４、帯域通過フィルタＢＰＦを構
成するストリップラインＳＴ１〜ＳＴ３、インダクタＬ
２、コンデンサＣ４〜Ｃ８、及びマッチング用コンデン
サＣ９は、多層基板１１の内部で配線パターンＷｐやビ
アホールＶｈにより接続される。
【００２９】以上のような構成で、図２の高周波複合部
品１０の帯域通過フィルタＢＰＦを構成するストリップ
ラインＳＴ１〜ＳＴ３、インダクタＬ２、コンデンサＣ
４〜Ｃ８、及びマッチング用コンデンサＣ９を内蔵する
多層基板１１が形成される。
【００３０】そして、低雑音増幅器ＬＮＡを構成するト
ランジスタＱ１，Ｑ２、インダクタＬ１、コンデンサＣ
１〜Ｃ３、抵抗Ｒ１〜Ｒ４をランドＬａを用いて多層基
板１１の上面に実装し、搭載することにより高周波複合
部品１０が形成される。
【００３１】上述の第１の実施例の高周波複合部品によ
れば、低雑音増幅器側のグランドと帯域通過フィルタ側
のグランドとをそれぞれ別々に設けるとともに、各グラ
ンドを多層基板に形成された別々のグランド端子から引
き出すため、低雑音増幅器側のグランドのポテンシャル
と帯域通過フィルタ側のグランドのポテンシャルとの間
に差を付けることができる。したがって、帯域通過フィ
ルタから低雑音増幅器への帰還により発生する発振を抑
えることができる。
【００３２】また、低雑音増幅器を多層基板の上部に、
帯域通過フィルタを多層基板の下部に、それぞれ設けて
いるため、低雑音増幅器及び帯域通過フィルタの特性を
劣化させることなく高周波複合部品の実装面積を小さく
することができる。
【００３３】さらに、複数の誘電体層を積層してなる多
層基板に、低雑音増幅器を構成するトランジスタ、イン
ダクタ、コンデンサ、抵抗を搭載し、帯域通過フィルタ
を構成するストリップライン、インダクタ、コンデンサ
をストリップライン電極、コンデンサ電極として内蔵
し、一体化するため、従来のディスクリートの低雑音増
幅器及び帯域通過フィルタをプリント配線基板上に実装
して、接続したものに比べて、プリント配線基板内での
低雑音増幅器及び帯域通過フィルタの実装面積が削減で
き、小型化及び軽量化が実現できる。また、製造コスト
の低減も実現できる。
【００３４】また、低雑音増幅器と帯域通過フィルタと
を同時設計することができ、低雑音増幅器及び帯域通過
フィルタのインピーダンス整合を施した設計を行うこと
ができる。その結果、整合回路が不要となり、小型化及
び軽量化が実現できる。
【００３５】さらに、低雑音増幅器と帯域通過フィルタ
とを多層基板に一体化して設けるため、低雑音増幅器と
帯域通過フィルタとの間を接続する線路の長さが短縮さ
れ、接続線路による損失や消費電流が小さくなる。した
がって、高周波複合部品の損失も小さくすることができ
る。
【００３６】また、多層基板に低温焼成セラミック基板
を用いているため、複数の誘電体層と、その複数の誘電
体層上のストリップライン及びコンデンサを形成する電
極とを一体焼成することができる。従って、製造工程の
短縮化が可能となり、コストダウンを図ることができ
る。
【００３７】図５に、本発明に係る高周波複合部品の第
２の実施例の等価回路図を示す。高周波複合部品２０
は、ＰＨＳ方式、ＰＤＣ方式の携帯電話やページャの高
周波回路部の一部を構成するミキサ部である高周波ミキ
サＭＩＸとフィルタ部である高域通過フィルタＨＰＦと
からなり、入力端子ＩＮ１，ＩＮ２、出力端子ＯＵＴ、
制御端子Ｖｃｃを備える。
【００３８】高域通過フィルタＨＰＦはインダクタＬ２
１〜Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２３で構成され、入
力端子ＩＮ１から入力されるアンテナＡＮＴで受信され
た受信信号に含まれる不必要な信号を取り除くために用
いられる。
【００３９】高周波ミキサＭＩＸはトランジスタＱ２
１，Ｑ２２、コンデンサＣ２４、抵抗Ｒ２１〜Ｒ２３で
構成され、高域通過フィルタＨＰＦを通過した受信信号
と入力端子ＩＮ２から入力される局部発振信号とを混合
させ、中間周波信号を出力する役割を果たす。
【００４０】図６は、図５の高周波複合部品の斜視図で
ある。高周波複合部品２０は、高域通過フィルタＨＰＦ
を構成するインダクタＬ２１〜Ｌ２３、コンデンサＣ２
１〜Ｃ２３をなすストリップライン電極及びコンデンサ
電極（図示せず）を内蔵した多層基板２１を備える。
【００４１】多層基板２１の上面には、ＭＭＩＣからな
る高周波ミキサＭＩＸが搭載される。また、多層基板２
１の側面から下面に架けて外部端子Ｔ２１〜Ｔ２８が設
けられる。
【００４２】なお、外部端子Ｔ２１，Ｔ２３は高周波複
合部品２０の入力端子ＩＮ１，ＩＮ２、外部端子Ｔ２７
は高周波複合部品２０の出力端子ＯＵＴ、外部端子Ｔ２
５は高周波複合部品２０の制御端子Ｖｃｃ、外部端子Ｔ
２２，Ｔ２６は高周波ミキサＭＩＸ側のグランドを引き
出すグランド端子、外部端子Ｔ２４，Ｔ２８は高域通過
フィルタＨＰＦ側のグランドを引き出すグランド端子と
なる。
【００４３】図７（ａ）〜図７（ｈ）は、図６の高周波
複合部品の多層基板を構成する各誘電体層の上面図及び
下面図である。多層基板２１は例えば、８５０℃〜１０
００℃の温度で焼成可能な酸化バリウム。酸化アルミニ
ウム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックからな
る第１〜第７の誘電体層ａ２〜ｇ２を順次積層すること
によって形成される。
【００４４】第１の誘電体層ａ２の上面にはＭＭＩＣか
らなる高周波ミキサＭＩＸを実装するためのランドＬａ
２が形成される。また、第２の誘電体層ｂ２の上面には
高周波ミキサＭＩＸ側のグランドとなるグランド電極Ｇ
ｐ２１、第４の誘電体層ｄ２の上面には高域通過フィル
タＨＰＦ側のグランドとなるグランド電極Ｇｐ２２がそ
れぞれ形成される。
【００４５】さらに、第３、第６、第７の誘電体層ｃ
２，ｆ２，ｇ２の上面にはコンデンサ電極Ｃｐ２１〜Ｃ
ｐ２５がそれぞれ形成される。また、第５の誘電体層ｅ
２の上面にはストリップライン電極Ｓｐ２１〜Ｓｐ２３
がそれぞれ形成される。
【００４６】さらに、第７の誘電体層ｇ２の下面（図７
（ｈ）中において、ｇ２ｕと符号を付す）には外部端子
Ｔ２１〜Ｔ２８が形成される。また、第１〜第６の誘電
体層ａ２〜ｆ２には各誘電体層ａ２〜ｆ２を貫通するよ
うにビアホール電極Ｖｈ２が形成される。
【００４７】この際、コンデンサ電極Ｃｐ２２とコンデ
ンサ電極Ｃｐ２４、コンデンサ電極Ｃｐ２３とコンデン
サ電極Ｃｐ２５、コンデンサ電極Ｃｐ２１とグランド電
極Ｇｐ２とで高域通過フィルタＨＰＦのコンデンサＣ２
１〜Ｃ２３をそれぞれ構成する。また、ストリップライ
ン電極Ｓｐ２１〜Ｓｐ２３で高域通過フィルタＨＰＦの
インダクタＬ２１〜Ｌ２３ををそれぞれ構成する。
【００４８】さらに、ＭＭＩＣからなる高周波フィルタ
ＭＩＸ、高域通過フィルタＨＰＦを構成するインダクタ
Ｌ２１〜Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２３は、多層基
板２１の内部でビアホールＶｈ２により接続される。
【００４９】以上のような構成で、図６の高周波複合部
品２０の高域通過フィルタＨＰＦを構成するインダクタ
Ｌ２１〜Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２３を内蔵する
多層基板２１が形成される。
【００５０】そして、ＭＭＩＣからなる高周波ミキサＭ
ＩＸをランドＬａ２を用いて多層基板２１の上面に実装
し、搭載することにより高周波複合部品２０が形成され
る。
【００５１】上述の第２の実施例の高周波複合部品によ
れば、高周波ミキサ側のグランドと高域通過フィルタ側
のグランドとをそれぞれ別々に設けるとともに、各グラ
ンドを多層基板に形成された別々のグランド端子から引
き出すため、高周波ミキサと高域通過フィルタとの間で
の高周波信号の漏れを抑えることができる。したがっ
て、高周波ミキサと高域通過フィルタとの間のアイソレ
ーションを確保することができる。
【００５２】また、複数の誘電体層を積層してなる多層
基板に、ＭＭＩＣからなる高周波ミキサを搭載し、高域
通過フィルタを構成するインダクタ、コンデンサをスト
リップライン電極、コンデンサ電極として内蔵し、一体
化するため、従来のディスクリートの高周波ミキサ及び
高域通過フィルタをプリント配線基板上に実装して、接
続したものに比べて、プリント配線基板内での高周波ミ
キサ及び高域通過フィルタの実装面積が削減でき、小型
化及び軽量化が実現できる。また、製造コストの低減も
実現できる。
【００５３】さらに、高周波ミキサと高域通過フィルタ
とを同時設計することができ、高周波ミキサ及び高域通
過フィルタのインピーダンス整合を施した設計を行うこ
とができる。その結果、整合回路が不要となり、小型化
及び軽量化が実現できる。
【００５４】さらに、高周波ミキサと高域通過フィルタ
とを多層基板に一体化して設けるため、高周波ミキサと
高域通過フィルタとの間を接続する線路の長さが短縮さ
れ、接続線路による損失や消費電流が小さくなる。した
がって、高周波複合部品の損失も小さくすることができ
る。
【００５５】また、多層基板に低温焼成セラミック基板
を用いているため、複数の誘電体層と、その複数の誘電
体層上のストリップライン及びコンデンサを形成する電
極とを一体焼成することができる。従って、製造工程の
短縮化が可能となり、コストダウンを図ることができ
る。
【００５６】図８は、一般的な携帯無線機であるページ
ャのＲＦブロック図である。ページャ３０ａは、アンテ
ナＡＮＴと、アンテナＡＮＴに接続される受信回路Ｒｘ
と、受信回路Ｒｘをカバーする筐体ＣＯＶとを含む。
【００５７】なお、受信回路Ｒｘは、低雑音増幅器ＬＮ
Ａ、帯域通過フィルタＢＰＦ及びミキサＭＩＸで構成さ
れる。また、受信回路ＲｘのミキサＭＩＸの一方の入力
には局部信号を発生するシンセサイザＳＹＮが接続され
る。
【００５８】そして、ページャ３０ａの高周波回路部で
ある受信回路Ｒｘの低雑音増幅器ＬＮＡ及び帯域通過フ
ィルタＢＰＦに、図２に示す高周波複合部品１０を用い
るものである。
【００５９】図９は、一般的な携帯無線機である携帯電
話のＲＦブロック図である。携帯電話３０ｂは、アンテ
ナＡＮＴと、スイッチＳＷを介してアンテナＡＮＴに接
続される受信回路Ｒｘ及び送信回路Ｔｘと、スイッチＳ
Ｗ、受信回路Ｒｘ及び送信回路Ｔｘをカバーする筐体Ｃ
ＯＶとを含む。
【００６０】なお、受信回路Ｒｘは、低雑音増幅器ＬＮ
Ａ、高域通過フィルタＨＰＦ及びミキサＭＩＸを備え、
送信回路Ｔｘは、高出力増幅器ＰＡ、帯域通過フィルタ
ＢＰＦ及びミキサＭＩＸで構成される。また、受信回路
ＲｘのミキサＭＩＸ及び送信回路ＴｘのミキサＭＩＸの
一方の入力には局部信号を発生するシンセサイザＳＹＮ
が接続される。
【００６１】そして、携帯電話３０ｂの高周波回路部で
ある受信回路ＲｘのミキサＭＩＸ及び高域通過フィルタ
ＨＰＦに、図６に示す高周波複合部品２０を用いるもの
である。
【００６２】上述の実施例の携帯無線機によれば、発振
を抑えることができる高周波複合部品やアイソレーショ
ンを確保することができる高周波複合部品を用いている
ため、携帯無線機の特性の劣化を防止することができ
る。
【００６３】また、小型化した高周波複合部品を携帯無
線機における受信回路に使用するため、携帯無線機を小
型化することができる。
【００６４】なお、上記の実施例では、高周波回路部を
構成する増幅器部として低雑音増幅器、ミキサ部として
シングルの高周波ミキサ、フィルタ部として帯域通過フ
ィルタ、高域通過フィルタを例にして説明したが、増幅
器部としては高出力増幅器など、ミキサ部としてダブル
バランスミキサなど、フィルタ部としては低域通過フィ
ルタ、帯域阻止フィルタなど、にしても同様の効果が得
られる。
【００６５】また、増幅器部、ミキサ部及びフィルタ部
がそれぞれ１つの場合について説明したが、図１０のよ
うに、増幅器部、ミキサ部及びフィルタ部を複数備えた
高周波複合部品４０であってもよい。図１０において、
ＬＮＡ１，ＬＮＡ２は増幅器部、ＭＩＸ１，ＭＩＸ２は
ミキサ部、ＨＰＦ１，ＨＰＦ２はフィルタ部を示す。こ
の場合には、それらのグランドは同一であっても別々で
あってもよいが、別々に設け、その各グランドを多層基
板に形成された別々の外部端子から引き出せばより大き
な効果が得られる。
【００６６】さらに、増幅器部がディスクリートで、ミ
キサ部がＭＭＩＣからなる場合について説明したが、増
幅器部がＭＭＩＣで、ミキサ部がディスクリートで構成
され、多層基板上に搭載されていてもよい。
【００６７】また、増幅器部及びミキサ部を構成する能
動部品及び受動部品を多層基板に搭載する場合について
説明したが、多層基板に設けたキャビティの内部に搭載
してもよい。この場合には、多層基板の表面に増幅器部
やミキサ部が飛び出すことがなくなるため、増幅器部や
ミキサ部が多層基板から剥がれる恐れが少なくなり、高
周波複合部品の信頼性が向上する。特に、多層基板に設
けたキャビティを金属あるいはセラミックスからなるキ
ャップにより封止する場合には、そのキャップ上に他の
電子部品を搭載することが可能となり、その結果、高周
波複合部品のより小型化が達成できる。
【００６８】さらに、増幅器部及びフィルタ部、ミキサ
部及びフィルタ部が多層基板に一体化される場合につい
て説明したが、増幅器部、ミキサ部及びフィルタ部が多
層基板に一体化されていてもよい。この場合には、高周
波複合部品をさらに小型化することができる。
【００６９】また、多層基板に、酸化バリウム、酸化ア
ルミニウム、シリカを主成分とする材料を用いる場合に
ついて説明したが、その他に、酸化バリウム、シリカ、
酸化ストロンチウム、酸化ジルコニウムを主成分とする
材料、酸化カルシウム、酸化ジルコニウム、ガラスを主
成分とする材料等がある。
【００７０】
【発明の効果】請求項１の高周波複合部品によれば、増
幅器部のグランドとフィルタ部のグランドとをそれぞれ
別々に設けるとともに、各グランドを多層基板に形成さ
れた別々のグランド端子から引き出すため、増幅器部の
グランドのポテンシャルとフィルタ部のグランドのポテ
ンシャルとの間に差を付けることができる。したがっ
て、フィルタ部から増幅器部への帰還により発生する発
振を抑えることができる。
【００７１】また、増幅器部とフィルタ部とを多層基板
に一体化して設けるため、増幅器部とフィルタ部との間
を接続する線路の長さが短縮され、接続線路による損失
や消費電流が小さくなる。したがって、高周波複合部品
の損失も小さくすることができる。
【００７２】加えて、増幅器部とフィルタ部とを同時設
計することができ、増幅器部及びフィルタ部のインピー
ダンス整合を施した設計を行うことができるため、整合
回路が不要となり、高周波複合部品の小型化及び軽量化
が実現できる。
【００７３】請求項２の高周波複合部品によれば、増幅
器部を多層基板の上部に、フィルタ部を多層基板の下部
に、それぞれ設けているため、増幅器部及びフィルタ部
の特性を劣化させることなく高周波複合部品の実装面積
を小さくすることができる。
【００７４】請求項３の高周波複合部品によれば、複数
の誘電体層を積層してなる多層基板に、増幅器部を構成
する能動素子及び受動素子を搭載し、フィルタ部を構成
する受動素子をストリップライン電極、コンデンサ電極
として内蔵し、一体化するため、従来のディスクリート
の増幅器部及びフィルタ部をプリント配線基板上に実装
して、接続したものに比べて、プリント配線基板内での
増幅器部及びフィルタ部の実装面積が削減でき、小型化
及び軽量化が実現できる。また、製造コストの低減も実
現できる。
【００７５】請求項４の高周波複合部品によれば、ミキ
サ部のグランドとフィルタ部のグランドとをそれぞれ別
々に設けるとともに、各グランドを多層基板に形成され
た別々のグランド端子から引き出すため、ミキサ部とフ
ィルタ部との間での高周波信号の漏れを抑えることがで
きる。したがって、ミキサ部とフィルタ部との間のアイ
ソレーションを確保することができる。
【００７６】また、ミキサ部とフィルタ部とを多層基板
に一体化して設けるため、ミキサ部とフィルタ部との間
を接続する線路の長さが短縮され、接続線路による損失
や消費電流が小さくなる。したがって、高周波複合部品
の損失も小さくすることができる。
【００７７】加えて、ミキサ部とフィルタ部とを同時設
計することができ、ミキサ部及びフィルタ部のインピー
ダンス整合を施した設計を行うことができるため、整合
回路が不要となり、高周波複合部品の小型化及び軽量化
が実現できる。
【００７８】請求項５の高周波複合部品によれば、複数
の誘電体層を積層してなる多層基板に、ミキサ部を構成
する能動素子及び受動素子を搭載し、フィルタ部を構成
する受動素子をストリップライン電極、コンデンサ電極
として内蔵し、一体化するため、従来のディスクリート
のミキサ部及びフィルタ部をプリント配線基板上に実装
して、接続したものに比べて、プリント配線基板内での
ミキサ部及びフィルタ部の実装面積が削減でき、小型化
及び軽量化が実現できる。また、製造コストの低減も実
現できる。
【００７９】請求項６の携帯無線機によれば、発振を抑
えることができる高周波複合部品やアイソレーションを
確保することができる高周波複合部品を用いているた
め、携帯無線機の特性の劣化を防止することができる。
【００８０】また、小型化した高周波複合部品を携帯無
線機における高周波回路部に使用するため、携帯無線機
を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波複合部品の第１の実施例の
等価回路図である。
【図２】図１の高周波複合部品の斜視図である。
【図３】図１の高周波複合部品の多層基板を構成する
（ａ）第１の誘電体層〜（ｆ）第６の誘電体層の上面図
である。
【図４】図１の高周波複合部品の多層基板を構成する
（ａ）第７の誘電体層〜（ｅ）第１１の誘電体層の上面
図及び（ｆ）第１１の誘電体層の下面図である。
【図５】本発明に係る高周波複合部品の第２の実施例の
等価回路図である。
【図６】図５の高周波複合部品の斜視図である。
【図７】図５の高周波複合部品の多層基板を構成する
（ａ）第１の誘電体層〜（ｇ）第７の誘電体層の上面図
及び（ｈ）第７の誘電体層の下面図である。
【図８】一般的な携帯無線機であるページャのＲＦブロ
ック図である。
【図９】一般的な携帯無線機である携帯電話のＲＦブロ
ック図である。
【図１０】本発明に係る高周波複合部品の第３の実施例
のブロック図である。
【図１１】従来の高周波複合部品の上面図である。
【符号の説明】
１０，２０，４０ 高周波複合部品 １１，２１ 多層基板 ３０ａ，３０ｂ 携帯無線機 ａ〜ｋ，ａ２〜ｇ２ 誘電体層 ＢＰＦ，ＨＰＦ，ＨＰＦ１，ＨＰＦ２ フィルタ部 Ｃ１〜Ｃ９，Ｃ２１〜Ｃ２４ コンデンサ（受動素
子） Ｃｐ１〜Ｃｐ１０，Ｃｐ２１〜Ｃｐ２５ コンデン
サ電極 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ２１〜Ｌ２３ インダクタ（受動素
子） ＬＮＡ，ＬＮＡ１，ＬＮＡ２ 増幅器部 ＭＩＸ，ＭＩＸ１，ＭＩＸ２ ミキサ部 Ｑ１，Ｑ２，Ｑ２１，Ｑ２２ トランジスタ（能動
素子） Ｒ１〜Ｒ４，Ｒ２１〜Ｒ２３ 抵抗（受動素子） Ｓｐ１〜Ｓｐ４，Ｓｐ２１〜Ｓｐ２３ ストリップ
ライン電極 ＳＴ１〜ＳＴ３ ストリップライン（受動素子） Ｔ１〜Ｔ１２，Ｔ２１〜Ｔ２８ 外部端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉本 義弘 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J012 BA02 5K062 AB00 AB01 AD04 BC03 BE08 BF05 BF07

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高周波回路部を構成する増幅器部及びフ
    ィルタ部を複数の誘電体層を積層してなる多層基板に一
    体化し、前記増幅器部のグランドと前記フィルタ部のグ
    ランドとをそれぞれ別々に設けるとともに、前記各グラ
    ンドを前記多層基板に形成された別々の外部端子から引
    き出すことを特徴とする高周波複合部品。
  2. 【請求項２】 前記増幅器部を前記多層基板の上部に設
    け、前記フィルタ部を前記多層基板の下部に設けること
    を特徴とする請求項１に記載の高周波複合部品。
  3. 【請求項３】 前記増幅器部を構成する能動素子及び受
    動素子をチップ部品として前記多層基板に搭載するとと
    もに、前記フィルタ部を構成する受動素子をストリップ
    ライン電極あるいはコンデンサ電極として前記多層基板
    に内蔵することを特徴とする請求項２に記載の高周波複
    合部品。
  4. 【請求項４】 高周波回路部を構成するミキサ部及びフ
    ィルタ部を複数の誘電体層を積層してなる多層基板に一
    体化し、 前記ミキサ部のグランドと前記フィルタ部のグランドと
    をそれぞれ別々に設けるとともに、前記各グランドを前
    記多層基板に形成された別々の外部端子から引き出すこ
    とを特徴とする高周波複合部品。
  5. 【請求項５】 前記ミキサ部を構成する能動素子及び受
    動素子を前記多層基板に搭載するとともに、前記フィル
    タ部を構成する受動素子をストリップライン電極あるい
    はコンデンサ電極として前記多層基板に内蔵することを
    特徴とする請求項４に記載の高周波複合部品。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項５にいずれかに記載
    の高周波複合部品を用いることを特徴とする携帯無線
    機。
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