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JP2000310751A - 投写型表示装置及びそれに用いる照明装置 - Google Patents

投写型表示装置及びそれに用いる照明装置

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Publication number
JP2000310751A
JP2000310751A JP11121673A JP12167399A JP2000310751A JP 2000310751 A JP2000310751 A JP 2000310751A JP 11121673 A JP11121673 A JP 11121673A JP 12167399 A JP12167399 A JP 12167399A JP 2000310751 A JP2000310751 A JP 2000310751A
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JP
Japan
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light
display device
projection
phase modulation
reflection type
Prior art date
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Granted
Application number
JP11121673A
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English (en)
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JP3711785B2 (ja
Inventor
Shoichi Uchiyama
正一 内山
Atsushi Amako
淳 尼子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JP2000310751A publication Critical patent/JP2000310751A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的安価でコントラスト比が高く、高い画
質を有する、反射型位相変調素子を用いた投射型表示装
置を提供する。 【解決手段】 略直交する直線偏光のそれぞれに対して
異なる屈折もしくは回折作用を及ぼす偏光分離素子10
7により、照明光束と投射光束を分離する。偏光分離素
子107は一軸性プリズムと等方性プリズムの組み合わ
せ、使用光波波長より短い周期を有する表面レリーフ回
折格子、体積型ホログラムで構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、投写型表示装置に
関し、特に反射型液晶ライトバルブをはじめとする反射
型位相変調素子を利用した電気光学装置の画像を拡大投
写する投写型表示装置に好適なものである。
【0002】
【従来の技術】最近、液晶をはじめとする位相変調素子
を利用したこの種の投写型表示装置(液晶プロジェク
タ)において、反射型液晶ライトバルブをはじめとする
反射型位相変調素子の利用に注目が集まっている。その
理由として、表示装置全体の小型軽量化に好適な対角1
インチ程度のライトバルブ使用を前提とした場合、透過
型液晶ライトバルブをはじめとする透過型ライトバルブ
では、高解像度化に限界が生じる事があげられる。一例
として、透過型液晶ライトバルブにおいては、光束を透
過させるための画素開口部を確保しなければならず、そ
のため、高解像度化にともなって必然的にスイッチング
素子であるトランジスタの小型化が要求され、その結果
充分なトランジスタの書き込み特性が得られなくなるた
めである。現在では、1インチ程度の透過型液晶ライト
バルブにおいてはSXGA程度の解像度が限界であるといわ
れている。
【0003】一方、反射型液晶ライトバルブをはじめと
する反射型位相変調素子においては画素に反射電極を設
け、その電極の下側にスイッチング素子を形成する事が
可能なため、UVGA以上の高解像度化がはかれるという特
徴がある。
【0004】このような理由から、今後、市場からの画
像の高精細化が要求される中で、投射型表示装置のライ
トバルブとしては、反射型液晶ライトバルブをはじめと
する反射型位相変調素子が最も有力な候補と目されてい
る。
【0005】反射型位相変調素子を用いた投射型表示装
置の光学構成の例としては大きく分けて、SPIE Vol. 32
96 P100に見られるような偏光ビームスプリッターを用
いた構成、SPIE(to be published)文献や特開平8−1
71078、特開平8−94975に見られるような偏
光ビームスプリッターを用いない構成に2分される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】前述した偏向ビームス
プリッターを用いた光学系の構成を図16を用いて説明
する。ランプ101からの出射光は、照度比を向上させ
るためのロッド104などを透過し、偏光ビームスプリ
ッター1601に入射する。偏光ビームスプリッター1
601においてはP偏光は透過され、S偏光は反射され
るものとする(偏光分離膜の構成によってはこの逆の関
係も実現できる。)。また、反射型液晶ライトバルブ1
08は、液晶層の液晶材料の複屈折、配向状態、液晶セ
ル厚を調整する事によりON状態で液晶層通過光線に対
してλ/4の位相差を付与し、OFF状態で0の位相差
を付与するように構成する。この構成については先述の
文献SPIE Vol. 3296 P100やP19等に詳しく述べられてい
る。
【0007】偏向ビームスプリッター1601を透過し
たP偏光は反射型液晶ライトバルブに入射し、反射電極
で反射される。すると、光線は入射・反射の光路で2回
液晶層を通過するため、反射型液晶ライトバルブがON
状態では反射後の光線はλ/2の位相差を受けS偏光に
変換され、引き続き入射する偏光ビームスプリッター1
601で反射された後、投射レンズ110によりスクリ
ーン111上に投影され、明表示となる。一方で、OF
F時は、反射後の光線は何ら位相差を受けないため再び
偏光ビームスプリッター1601を透過して照明光学系
側に逆戻りし、スクリーン111には光線は到達せず暗
表示となる。
【0008】この偏光ビームスプリッターを用いた光学
系の欠点として、光学系全体の構成が複雑化し、部品コ
ストが高くなることがあげられる。偏光ビームスプリッ
ターの偏光分離機能を有する誘電体多層膜は限定された
波長帯域と光線入射角度にあわせて設計されているため
に、投射型表示装置で使われる可視全域にわたる波長帯
域と広い光線入射角度を有する照明光に対しては十分な
消光比を得ることはできず、高いコントラストを有する
投射画像を得るためには、R,G,B3原色のそれぞれ
に専用の偏光ビームスプリッターを用いる必要が生じ
る。すると最低でも3個の偏光ビームスプリッターを使
用せざるを得ず、装置の複雑化とコストアップにつなが
る。そのような欠点を補うために1つの偏光ビームスプ
リッターで全帯域をカバーするような誘電体多層膜設計
を行っても、十分な消光比を得ることは極めて困難であ
る。
【0009】次に偏光ビームスプリッターを用いない光
学系について説明する。 偏光ビームスプリッターを用
いない光学系における重要なポイントは、照明光束と投
射光束を空間的に分離するための構成にある。
【0010】その第1の例を図17を用いて説明する。
ランプ101からの出射光は、集光レンズ103により
集光され、照度分布の均一化機能を有するロッド10
4、結像レンズ105a、105b、偏光板106を経
由して反射型液晶ライトバルブ108に入射する。な
お、反射型液晶ライトバルブ108の構成、機能は先述
したものと同様である。反射型液晶ライトバルブ108
を反射した光線は偏光板109を経由して投射レンズ1
10に導かれる。ここで、入射側の偏光板106と出射
側の偏光板109をクロスニコル配置にすることによ
り、ON状態では光線はλ/2の位相差を受け入射偏光
とは直交する偏光に変換されて出射側の偏光板109を
透過し、投射レンズ110によりスクリーン111上に
投影され、明表示となる。一方で、OFF時は、反射後
の光線は何ら位相差を受けないため出射側の偏光板10
9で吸収され、スクリーン111に光線は到達せず暗表
示となる。
【0011】本光学系の欠点は投射画像の画質の劣化と
コストアップが避けられないことにある。本構成におい
ては、照明光は反射型液晶ライトバルブ108に斜めに
入射するために、当然反射光も斜めに反射する。この反
射光をスクリーン111上に投影するためには、一般的
には投射レンズ110を反射光の光軸に垂直に配置する
ことが好ましいが、すると投射レンズ110から見て反
射型ライトバルブ108は光軸に対して傾いて配置され
ていることと等価となり、スクリーン投影画像は必然的
に台形歪みや各種偏心収差を有することとなり、画質が
大きく劣化する。このような欠点を回避するために投射
レンズ110を偏心レンズなどで構成し収差改善を図る
ことも可能であるが、そのような投射レンズはきわめて
高価なものとなりコストアップを招く。
【0012】このような欠点を補うために、図18に示
すように、照明光束と投射光束の角度分離を極力少なく
するための構成も提案されている。
【0013】本構成においては、ランプ101からの出
射光は、集光レンズ103aにより集光され、偏光板1
06、ミラー803、集光レンズ103bを経由して反
射型液晶ライトバルブ108に入射する。なお、反射型
液晶ライトバルブ108の構成、機能は先述したものと
同様である。反射型液晶ライトバルブ108を反射した
光線は集光レンズ103bによりアパーチャーストップ
804で形成されるアパーチャーに集光された後、偏光
板109を経由して投射レンズ110に導かれる。
【0014】本構成においては照明光束と照明光束とを
空間的に近接した位置でそれぞれ絞り込む事および集光
レンズ103bを両光学系で共有する事により、照明光
学系の光軸と投射光学系の光軸の分離角度を前述の例に
比べて小さくできるため、投射光学系の偏心収差量が小
さくなるという特徴がある。
【0015】本光学系の欠点として、照度比の高い投射
画像を得られないことがあげられる。現在照度比の高い
画像を得るためには、一般的にフライアイレンズなどを
用い、2次元的に分布した複数の2次光源像形成し、それ
らを反射型液晶ライトバルブ108上で重畳する手法が
用いられている。このような手法を用いる場合、照明光
学系における光束の幅は必然的にある太さを有するもの
となる。ところが本光学系においては、照明光と投射光
が互いに干渉しないように、狭い空間領域に照明光を集
光せざるを得ない。この空間領域は、照度比向上光学系
で必要とされる光束を全て利用するためには充分な広さ
とはいえず、その結果、投射画像の照度ムラが顕著なも
のとなってしまう。この課題を解決するために投射光束
と照明光束の分離角度を大きくすると、図17の構成と
同様に、投射光学系の偏心収差量が大きくならざるを得
ず、投射画像の画質の劣化や投射レンズの高コスト化を
招く。
【0016】本発明は上記課題を解決するものであり、
その目的とするところは、偏光の分離能力が高く、かつ
入射光と出射光の空間的な分離を可能とする偏光分離素
子を用いて、高いコントラストを有する高精細な画像を
投写できる反射型位相変調素子を用いた投写型表示装置
を実現することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の投射型表示装置は、光源手段と、該光源手
段からの光束を反射型位相変調素子に導く照明光学手段
と、該反射型位相変調素子の像を結像する結像光学手段
と、該光源手段から該反射型位相変調素子までの光路と
該反射型位相変調素子から該結像光学手段までの光路を
略分離する偏光分離手段を備える投射型表示装置におい
て、前記、偏光分離手段は略直交する直線偏光のそれぞ
れに対して異なる屈折もしくは回折作用を及ぼすことを
特徴とする。
【0018】本構成によれば、略直交する直線偏光のそ
れぞれに対して異なる屈折もしくは回折作用を及ぼす偏
光分炉異手段を用いるために、偏光ビームスプリッター
を用いずに投射型表示装置を構成することが可能とな
り、装置の低コスト化および表示画像の高画質化をはか
ることができる。
【0019】また、前記投射型表示装置において、該光
源手段からの光束が、前記偏光分離手段により略垂直に
前記反射型位相変調素子に入射することを特徴とする。
【0020】本構成によれば、投射レンズの光軸を反射
型位相変調素子に略垂直に配置することができため、投
射レンズには偏心にともなう収差は一切生じず、非常に
高い画質を有する画像を投影することが可能である。更
には、通常の軸回転対称レンズを使用できるため、コス
ト的にも有利である。
【0021】また前記投射型表示装置において、前記偏
光分離手段は、一軸性結晶から構成されるプリズム素子
と光学的等方性媒質からなるプリズムの組み合せで構成
され、該一軸性結晶の常光に対する屈折率をno、異常
光に対する屈折率をneとしたときに、該光学的等方性
媒質の屈折率が略noもしくは略neであることを特徴
とする。
【0022】本構成により、略直交する直線偏光のそれ
ぞれに対して異なる屈折作用を及ぼす偏光分離手段を容
易に構成することが可能となり、低コストで高画質な画
像を表示することができる投射型表示装置を実現するこ
とができる。
【0023】さらには、前記偏光分離手段は、一軸性結
晶から構成されるプリズム素子と光学的等方性媒質から
なるプリズムの組み合せをアレイ状に配列したことを特
徴とする。
【0024】本構成によれば、偏光分離素子の薄型化が
可能になる。
【0025】また、前記投射型表示装置において、前記
偏光分離素子は、表面に凹凸の周期構造を形成した一軸
性結晶と該周期構造の凹部を光学的等方性媒質層により
充填した構造からなり、該一軸性結晶の常光に対する屈
折率をno、異常光に対する屈折率をneとしたとき
に、該光学的等方性媒質の屈折率が略noもしくは略n
eであり、該周期構造は入射光を回折作用する機能を有
することを特徴とする。
【0026】本構成により、略直交する直線偏光のそれ
ぞれに対して異なる回折作用を及ぼす偏光分離手段を容
易に構成することが可能となり、低コストで高画質な画
像を表示することができる投射型表示装置を実現するこ
とができる。
【0027】また、前記投射型表示装置において、前記
偏光分離素子は、表面レリーフ型回折格子であり、その
格子ピッチPは入射光波長をλとしたときにP<λの関
係を満たし、該格子の深さは、略直交する直線偏光のそ
れぞれの特定回折次数に対する回折効率が異なるように
調整されていることを特徴とする。
【0028】本構成により、略直交する直線偏光のそれ
ぞれに対して異なる回折作用を及ぼす偏光分離手段を一
軸性結晶を用いるなく、略直交する直線偏光のそれぞれ
に対して異なる回折作用を及ぼす偏光分離手段を比較的
安価に製造できる。
【0029】また、前記投射型表示装置において、前記
偏光分離素子は、体積ホログラムであり、その格子ピッ
チPは入射光波長をλとしたときにP<λの関係を満た
し、その格子ベクトルは前記反射型位相変調素子に対し
て傾いていることを特徴とする。
【0030】本構成によれば、略直交する直線偏光のそ
れぞれに対して異なる回折作用を及ぼす偏光分離手段を
機械的な加工をすること無く、略直交する直線偏光のそ
れぞれに対して異なる回折作用を及ぼす偏光分離手段を
比較的安価に製造でき、かつ格子ベクトルの方向を容易
に調整できるので、前記反射型位相変調素子への照明光
の入射角の調節が容易になる。
【0031】さらには前記、回折作用を有する偏光分離
素子が、前記反射型位相変調素子に対して傾いているこ
とを特徴とする。
【0032】本構成によれば前記反射型位相変調素子へ
の照明光の入射角の調節が容易になるため、偏光分離素
子の設計が容易になる。
【0033】また、前記投射型表示装置において、前記
照明光学手段は前記光源手段からの光束を内面反射によ
って複数の光束に分割して射出し複数の二次光源像を形
成する光束分割手段と、該光束分割手段の出射面の照明
情報を前記反射型位相変調素子に結像する集光手段を備
え、前記光束分割手段の出射面の形状が反射型位相変調
素子の平面形状と非相似であることを特徴とする。
【0034】本構成によれば、前記反射型位相変調素子
へ照明光を斜めに効率よく入射させることが可能にな
る。
【0035】また、前記投射型表示装置において、前記
照明光学手段は前記光源手段からの光束を複数の光束に
分割して射出し複数の二次光源像を形成する光束分割手
段と、前記光束分割手段の出射面の照明情報を前記反射
型位相変調素子に結像する集光手段を備え、該光束分割
手段の出射面と該集光手段と前記反射型位相変調素子の
配置がシャインプルフの法則を満足することを特徴とす
る。
【0036】本構成によれば、前記反射型位相変調素子
へ照明光を斜めに効率よく入射させることが可能にな
る。
【0037】また、前記投射型表示装置において、前記
照明光学手段は前記光源手段からの光束を複数の光束に
分割して射出し複数の二次光源像を形成する光束分割手
段と、前記光束分割手段の出射面の照明情報を前記反射
型位相変調素子に結像する集光手段を備え、該集光手段
は一つもしくは複数の偏心した光学素子を含み、該集光
手段による該出射面情報の結像位置が該光源手段からの
光束内において暫時変化することを特徴とする。
【0038】本構成によれば、前記反射型位相変調素子
へ照明光を斜めに効率よく入射させることが可能にな
る。
【0039】また、前記投射型表示装置において、前記
照明光学手段は前記光源手段からの光束を複数の光束に
分割して射出し複数の二次光源像を形成する光束分割手
段と、前記光束分割手段の出射面の照明情報を前記反射
型位相変調素子に結像する集光手段を備え、該光束分割
手段の出射面と反射型位相変調素子は該集光手段に対し
て直角かつ反対方向にずれていることを特徴とする。
【0040】本構成によれば、前記反射型位相変調素子
へ照明光を斜めに効率よく入射させることが可能にな
る。
【0041】また、前記投射型表示装置において、照明
光学系の光軸の延長線と前記反射型位相変調素子が配置
されている平面の交点と、前記反射型位相変調素子の略
中心の距離をLとし、該照明光学系の光軸と前記反射型
位相変調素子の法線が含まれる平面における前記反射型
位相変調素子の幅をWとしたときにL>Wの関係が成り
立つことを特徴とする。
【0042】本構成によれば、照明手段から出射される
略直交する直線偏光のうち、前記反射型位相変調素子の
変調に不要な成分が、前記反射型位相変調素子に入射す
ることを防ぐことができるため、直線偏光板の枚数を低
減することが可能となり、より明るい投射画像を得るこ
とが可能となる。
【0043】
【発明の実施の形態】以下、図面などを参照しながら、
本発明の実施の形態をあげて、さらに詳細に説明する。
なお、以下の説明においては、反射型位相変調素子とし
て反射型液晶ライトバルブを使用する場合を例にとって
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない事
は言うまでもない。
【0044】(投射型表示装置および偏光分離素子の第
1の実施形態)図1は、本発明による投射型表示装置の
第1の実施形態を示す図である。
【0045】本実施形態の投射型表示装置は、光源手段
であるランプ101と、反射手段であるリフレクタ10
2と、第1の集光手段である集光レンズ103と、光束
混合手段であるロッド104と、第2の集光手段(結像
手段)であり、レンズ105aと105bから構成され
る結像レンズ(集光レンズ)105と、第1の直線偏光
素子106と、偏光分離手段である偏光分離素子107
と、画像形成手段である反射型液晶ライトバルブ108
と、第2の直線偏光素子109と、投射レンズ110を
備え、反射型液晶ライトバルブ108の像をスクリーン
110上に表示するものである。また、第2の集光手段
105は、ロッド104の出射端面の像を反射型液晶ラ
イトバルブ107上に結像する機能を有している。
【0046】また、第1の直線偏光素子106と第2の
直線偏光素子109はそれぞれある方向に振動面を持つ
直線偏光を透過し、それと直交する方向に振動面を持つ
直線偏光を吸収もしくは反射する機能を有しており、そ
れらは互いにクロスニコルの配置もしくは平行の配置の
置かれている。この配置関係については、反射型液晶ラ
イトバルブの駆動条件で決定されるものである。すなわ
ち、反射型液晶ライトバルブをOFF状態で黒表示をす
るノーマリー黒条件で駆動する場合はクロスニコル配置
にする必要がある。その逆の、反射型液晶ライトバルブ
をOFF状態で白表示をするノーマリー白条件で駆動す
る場合は平行に配置にする必要がある。以下の実施形態
の説明においては説明を分かりやすくする目的でクロス
ニコルの配置に置かれている事を前提として説明をすす
める。
【0047】ランプ101から出射された光束は、パラ
ボラ形状のリフレクタ102によって反射され略平行光
束となって集光レンズ103に入射する。集光レンズ1
03は、光束をロッド104に入射するように射出す
る。
【0048】ロッド104は、柱状のガラス製の中実ロ
ッドや、複数平板ミラーを柱上に組み合わせた中空ロッ
ドで構成される。ロッド104に入射された光束は、ロ
ッド104内で内面反射を繰り返し、その出射面上には
ロッド内からの様々な方向からの光束が重畳されるた
め、明るさのムラが低減され照度比が高められた輝度分
布が形成されることになる。そしてこのロッド104の
出射面の輝度分布は結像レンズ105により、直線偏光
素子106、偏光分離素子107を経由して被照射面で
ある反射型液晶ライトバルブ108に照射される。直線
偏光素子106は紙面内に振動する偏光(以後P偏光)
を透過し、紙面に垂直に振動する偏光(以後S偏光)を
吸収する作用を有している。
【0049】図2は、本発明による偏光分離素子の第1
の実施形態を示す図である。
【0050】なお、図2(a)は反射型液晶ライトバル
ブがON状態の光線の経路を示し、図2(b)はOFF
状態の光線の経路を示している。
【0051】偏光分離素子107は一軸性結晶プリズム
201と等方性プリズム202の組み合せで構成されて
いる。一軸性結晶プリズム201としては方解石、水
晶、液晶プリズム、構造性複屈折媒体等があげられるが
それらに限定されるものではない。以後の説明において
は方解石などの負結晶を用いた場合を前提として説明を
すすめる。
【0052】一軸性結晶プリズム201の光学軸203
は紙面内にあり、常光に対する屈折率はno、異常光対
する屈折率はneである。また、等方性プリズム202
の屈折率はnoに調整されている。
【0053】図1の直線偏光板106を透過したP偏光
204は一軸性プリズム201にスネルの法則に従って
屈折をして入射する。この偏光は一軸性結晶プリズム2
01中では異常光であるのでneの屈折率を感じる。す
ると、さらに一軸性プリズム201と等方性プリズム2
02の界面で屈折をして反射型液晶ライトバルブ108
の液晶層207に入射する。
【0054】このとき、入射P偏光204の液晶層20
7への入射角度が0°になるように、プリズム頂角20
5,206が調整されている。例えば、一軸性結晶とし
て方解石を使用した場合、no=1.658、ne=
1.486である事から、P偏光204の一軸性結晶プ
リズム201への入射角度を略9°としたときに、頂角
205および206を略47°に形成すれば、 P偏光
204を略垂直に液晶層207へ入射させる事ができ
る。
【0055】図2(a)において反射型液晶ライトバル
ブ108はON状態で、液晶層207を通過した光線に
対してλ/4の位相差を与える作用を有する。従って、
液晶セル207に入射したP偏光204は画素電極20
8で反射され再び液晶セル207を出射する際には計λ
/2の位相差を受けS偏光209に変換されている。こ
のS偏光209は一軸性結晶プリズム201と等方性プ
リズム202の界面で屈折作用は受けない。なぜなら
ば、一軸性プリズム201のS偏光(=常光)に対する
屈折率はnoであり、それは等方性プリズム202のそ
れに等しいからである。従って、S偏光209はそのま
ま垂直に偏光分離素子107を出射する。
【0056】一方、図2(b)では反射型液晶ライトバ
ルブ108はOFF状態で、液晶層207を通過する光
線に対して位相差は与えるない。したがって、入射P偏
光204が画素電極208で反射後も偏光状態はP偏光
のままのため、入射したときとまったく同一の経路を経
て照明光学系側に戻っていく。
【0057】ここで明らかなように、本実施例において
は、反射型液晶セルライトバルブ108がON状態のと
きのS偏光出射光と、OFF状態の時のP偏光出射光を
空間的に完全に分離できるために非常に高い消光比を得
ることができ、これにより高いコントラストを有する投
射画像を表示する事が可能になる。
【0058】再び図1にもどると偏光分離素子107か
ら出射したS偏光は直線偏光子106とはクロスニコル
の配置にある直線偏光子109を透過し、投射レンズ1
10によりスクリーン111上に結像される。ここで、
スクリーン到達光は反射型液晶ライトバルブ108に対
して略垂直に出射するために投射レンズ110の光軸を
反射型液晶ライトバルブ108に略垂直に配置すること
ができる。従って、投射レンズには偏心にともなう収差
は一切生じないために、非常に高い画質を有する画像を
投影することが可能である。更には、通常の軸回転対称
レンズを使用できるため、コスト的にも有利である。
【0059】なお、図1の構成において、照明光学系の
光軸112の延長線113と、反射型液晶ライトバルブ
108の延長線114の交点を115とし、反射型液晶
ライトバルブ108の中心点116と交点115の距離
をLとする。また、反射型液晶ライトバルブ108の紙
面内における幅をWとする。このとき、L>Wの関係に
なるように偏光分離素子107と反射型液晶ライトバル
ブ108の距離Dや、照明光学系の光軸112と偏光分
離素子の法線のなす角度θiを調整することにより、直
線偏光板106を省くことが可能になる。なぜなら、直
線偏光板106は反射型液晶ライトバルブの変調に不要
なS偏光を除去するために設置されているが、L>Wの
関係にすることにより、直線偏光板106でS偏光を除
去せずとも偏光分離素子107でほとんど屈折作用を受
けないS偏光はそのまま略直進し、反射型液晶ライトバ
ルブ108にはほとんど入射しないからである。
【0060】本構成によれば、直線偏光板の枚数を低減
できるため、その分透過率が向上し、より明るい投射画
像を得ることができる。なお、以後説明する実施形態に
おいても本構成を適用できることは言うまでもない。
【0061】(偏光分離素子の第2の実施形態)図3は
偏光分離素子の第2の実施形態を示す図である。
【0062】本実施形態において、偏光分離素子は偏光
分離素子の第1の実施形態で説明した構造を有する一軸
性結晶プリズム201と等方性プリズム202の組み合
わせ単位301が反射型位相変調器108と平行な平面
内にアレイ上に配列された構造となっている。本構成に
よれば偏光分離素子107を薄型化する事が可能とな
り、投射型表示装置全体の小型薄型化を実現できる。
【0063】(偏光分離素子の第3の実施形態)図4は
偏光分離素子の第3の実施形態を示す図である。
【0064】なお、図4(a)は反射型液晶ライトバル
ブ108がON状態の光線の経路を示し、図4(b)は
OFF状態の光線の経路を示している。
【0065】本実施形態において偏光分離素子107は
表面にその断面が鋸歯形状で、繰り返しピッチがPであ
る周期格子402が形成された一軸性結晶401と、格
子402の空隙に充填された等方性媒質403で構成さ
れている。一軸性結晶401としては方解石、水晶、液
晶プリズム、構造性複屈折媒体等があげられるがそれら
に限定されるものではない。またその光学軸404は紙
面内にあり、常光に対する屈折率はno、異常光に対す
る屈折率はneであり、等方性媒質403の屈折率はn
oに調整されている。
【0066】偏光分離素子107に入射するP偏光20
4は一軸性結晶401においては異常光であるために屈
折率neを感じる。したがって、等方性媒質403と一
軸性結晶402の界面構造の影響を受ける。この界面構
造はくり返しピッチがPの周期格子であるため入射P偏
光204は回折作用を受ける。P偏光204の回折角度
は次式であらわされる。
【0067】n sinθ - n' sinθ'= mλ/P ここで、n、n'は回折面に対する入射側、出射側の媒質
の屈折率、θは回折面に対する光線入射角、θ‘は出射
角、mは回折光の次数、λは光波長、Pは格子のピッチで
ある。
【0068】従って、一軸性結晶401として方解石を
使用し、入射光線波長を赤色光の0.633μmとし、
入射角を30°とした場合に、1次回折光(m=1)を
液晶層207に略垂直に入射させるためには格子ピッチ
Pを略1.3μmに調整すればよい。また、格子402
の断面形状が鋸歯形状であるために、1次の方向に選択
的に回折を生ぜしめる事が可能であり、入射P偏光20
4のほとんどのエネルギーを、液晶層207に垂直に入
射させることができる。
【0069】実施形態1で述べたように、反射型液晶ラ
イトバルブ108がON状態のときは、反射光はS偏光
209に変換されて再び一軸性結晶401に入射し、周
期格子402に至る。ここで、S偏光209は一軸性結
晶401において常光であるため、屈折率noを感じ
る。この屈折率は等方性媒質403のそれと同じため、
S偏光209は界面構造を感じることなく、回折作用を
受けずにそのまま偏光分離素子107を出射する。
【0070】一方、図3(b)では反射型液晶ライトバ
ルブ108はOFF状態で、液晶層207を通過する光
線に対して位相差は与えるない。したがって、反射後も
偏光状態はP偏光のままのため、入射したときとまった
く同一の経路を経て照明光学系側に戻っていく。
【0071】従って、実施形態1で述べたことと同様
に、非常にコントラストが高い高画質映像を投射するこ
とが可能となる。本実施形態は、回折現象を利用してい
ることから、実施例1のような屈折現象を利用する偏光
分離素子に比べて入射P偏光と出射S偏光の分離角度を
大きく取れるという特徴を有する。
【0072】(偏光分離素子の第4の実施形態)図5、
図6および図7は第3の実施形態の偏光分離素子と同様
に回折現象を利用した偏光分離素子の実施形態を示す図
である。
【0073】なお、図5(a)、図6、図7(a)は反
射型液晶ライトバルブ108がON状態の光線の経路を
示し、図5(b)、図7(b)はOFF状態の光線の経
路を示している。
【0074】これらの実施形態の偏光分離素子の機能
は、実施例3の偏光分離素子と基本的に同じため、その
機能について説明が重複する部分は割愛し、偏光分離素
子の構造の相違についてのみ説明することとする。
【0075】図5の偏光分離素子107はその表面にレ
リーフ型の回折格子501が形成されており、その格子
ベクトル502は紙面内にある。また、その格子ピッチ
Pは使用波長をλとしたときにλ > Pの関係を満た
している。このように格子ピッチが波長より短い表面レ
リーフ型回折格子に光波が入射した際に、その回折角お
よび回折効率に大きな偏光依存性があることが知られて
いる。また、回折効率については格子の深さdが大きな
影響を与えることが知られている。(第33回応用物理
関連講演会、4a−ZC−1、第46回応物秋季講演
会、2p−H−6、第47回応物秋季講演会、30p−
V−6)一例として図6のように反射型液晶ライトバル
ブに対してθo傾けられた偏光分離素107にP偏光2
04が入射する場合を考える。
【0076】偏光分離素子107を屈折率1.66の透
明板で形成する場合に、P偏光204の偏光分子素子1
07に対する入射角度θiを略30°、波長を0.63
3μm、格子ピッチP=0.588μm、格子深さd=
1.47μmとすると、P偏光204の一次回折効率は
90%以上に達する一方で、S偏光209の回折効率は
ほぼ0%でほとんど回折作用を受けずに透過する。ま
た、一次回折光の回折角度θdは略35°であるので偏
光分離素子107を反射型液晶ライトバルブに対してθ
o=35°傾けることにより、入射P偏光204を略垂
直に液晶層207に入射させることができる。画素電極
208で反射され位相変調を受けたS偏光209は前述
のごとくほとんど回折作用を受けないため、そのまま偏
光分離素子107を透過する。
【0077】従って、これらの諸パラメータを調整して
入射P偏光204を液晶層207に略垂直に入射せしめ
る特定次数に選択的に回折させ、一方、反射S偏光20
9は0次(直進透過光)に選択的に回折させるさせるよ
うにすれば、偏光分離機能を発揮させることが可能とな
る。
【0078】なお、実施形態4やこれ以降に説明する実
施形態において偏光分離素子107を液晶層に略平行に
配置する場合を中心に説明してあるが、図6に示すごと
く、偏光分離素子107を液晶層207に対して傾斜を
つけて配置してもかまわない。このような構成をとるこ
とにより、入出射偏光の特定次数光への回折効率を向上
させたり、設計の自由度を向上させることが可能にな
る。
【0079】本実施形態は、実施例3のように一軸性結
晶を用いる必要がないため比較的安価に偏光分離素子を
製造できるという特徴を有する。更には屈折現象を利用
する偏光分離素子に比べて入射P偏光と出射S偏光の分
離角度を大きく取れるという特徴を有する。
【0080】図7の偏光分離素子107は、その内部に
屈折率分布の周期構造701を有する体積ホログラムで
あり、その格子ピッチPは使用波長をλとしたときにλ
> Pの関係を満たしている。このように格子ピッチ
が波長より短い体積型ホログラムに光波が入射した際に
も図5、6の偏光分離素子同様に、その回折角および回
折効率に大きな偏光依存性があることが知られている。
従って、P偏光204を液晶セルに略垂直に入射せしめ
る特定次数に選択的に回折させ、一方、反射S偏光20
9は0次(直進透過光)に選択的に回折させるさせるよ
うに周期構造ピッチP等の体積型ホログラムの諸パラメ
ーターを調整すれば、偏光分離機能を発揮させることが
可能となる。
【0081】本実施形態は、一軸性結晶を用いる必要が
なく、かつレリーフ構造を加工する必要が無いいため比
較的安価に偏光分離素子を製造できるという特徴を有す
る。
【0082】また、体積型ホログラムの内部に形成する
屈折率分布の周期構造をサイン波で近似できるような分
布とする事により、特定次数への回折効率を極めて高め
る事が可能となる。
【0083】さらには、格子ベクトル方向Φを調整する
ことにより、容易に回折角度を調節することが可能とな
り、偏光分離素子107を反射型液晶ライトバルブに対
して傾けずとも、入射偏光204を略垂直に容易に入射
させることが可能になる。
【0084】は屈折現象を利用する偏光分離素子に比べ
て入射P偏光と出射S偏光の分離角度を大きく取れると
いう特徴を有する。
【0085】(投射型表示装置の第2の実施形態)8
は、本発明による投写型表示装置の第2の実施形態の全
体の構成を示す図である。
【0086】実施形態の投射型表示装置は、光源手段で
あるランプ101と、反射手段であるリフレクタ102
と、第1の集光手段である集光レンズ103と、光束混
合手段であるロッド104と、第2の集光手段(結像手
段)である結像レンズ(集光レンズ)801、802
と、第1の直線偏光素子106と、反射手段であるミラ
ー803と、偏光分離手段である偏光分離素子107
と、画像形成手段である反射型液晶ライトバルブ108
と、光束制御手段であるアパチャーストップ804と、
第2の直線偏光素子109と、投射レンズ805を備
え、反射型液晶ライトバルブ108の像をスクリーン1
10上に表示するものである。また、第2の集光手段で
ある結像レンズ801、802は、ロッド104の出射
端面の像を反射型液晶ライトバルブ107上に結像する
機能を有している。
【0087】実施形態の基本構成は図18を用いて説明
をした従来の技術と同様、照明光束の幅の狭い部分に近
接した空間領域に、投射光束を絞り込むことにより比較
的狭い角度で投射光束と照明光束を空間的に分離するも
のである。
【0088】図の従来技術における課題は、投射光束と
照明光束の分離角度θbを大きくできず、照度比向上光
学系で生成される光束が通過する空間を充分に確保でき
ない事にあった。しかし、本構成においては実施形態1
〜4で説明してきた機能を有する偏光分離素子107を
挿入しているために、投射光束と照明光束の分離角度θ
aを従来技術に比べて大きく取れるため、照度比向上光
学系で生成される光束が通過する空間を充分に確保する
事が可能になる。従って、照度比の高い投射画像を得ら
れる。
【0089】(投写型表示装置の第3の実施形態)ここ
までに説明した実施形態においては、照明光束(もしく
は照明光学系光軸)が反射型液晶ライトバルブに略垂直
入射する条件を前提に説明をしてきた。しかし、本発明
はこの条件に制限されるものではなく、この条件をはず
れる条件においても様々な特徴を発揮する事が可能であ
る。
【0090】図9は反射型ライトバルブへの照明光束の
入射角度と照明光束と投射光束の角度分離の関係を示す
図である。図9(a)は、ここまでに説明した実施形態
と同様に照明光束901が偏光分離素子107にて偏向
されて、反射型ライトバルブの液晶層207に略垂直に
入射する場合を示し、図9(b)は、照明光束901が
偏光分離素子107にて偏向されて、反射型ライトバル
ブの液晶層207にある角度θcで入射する場合を示
し、図9(c)は、従来技術と同様に、照明光束901
が偏光分離素子を介する事なく、反射型ライトバルブの
液晶層207に角度θdで入射する場合を示してある。
また、図9の中で示されているθaは照明光束901と
投射光束2の分離角を示し、θbは液晶層207の法線
に対して投射光束がなす角を示している。
【0091】図10を用いて図9における角度θaとθ
bが投射型表示装置の性能にどのような影響を及ぼすか
を説明する。
【0092】図9におけるθaは図10においては照明
光学系の光軸1001と投射光学系の光軸1002の為
す角度である。照明光学系における各素子は、投射光学
系の光束1004に光学的な作用を及ぼさない位置に配
置しなければならず、同様に投射光学系における各素子
は、照明光学系の光束1003に光学的な作用を及ぼさ
ない位置に配置しなければならない。従って、θaが大
きければ大きいほど投射レンズ110を反射型液晶ライ
トバルブに近い位置に配置できる。投射レンズ110の
口径を同一で考えた場合、投射レンズ110を反射型液
晶ライトバルブ108に近づければ近づけるほどより大
きな立体角の反射型液晶ライトバルブ108からの反射
光を投射レンズ110に取り込める。すなわち、投射レ
ンズ110のFナンバーを小さくする事ができ、より明
るい投射画像を得る事ができる。
【0093】以上をまとめると、θaを大きくすればす
るほど明るい投射画像を得る事ができる。
【0094】次に図9におけるθbは図10においては
反射型液晶ライトバルブ108の法線1005と投射光
学系の光軸1002の為す角度である。この角度が大き
くなればなるほど投射レンズ110の反射型液晶ライト
バルブ108に対する偏心量は大きくなり、投射画像の
画質の劣化を招く事になる。逆にこの角度を小さくすれ
ばするほどより高い画質の投射画像を得る事ができる。
以上をまとめると、θbを小さくすればするほど高い画
質の投射画像を得る事ができる。
【0095】再び図9を用いて、照明光束(もしくは照
明光学系光軸)が反射型液晶ライトバルブに非垂直に入
射する構成の特徴を説明する。
【0096】図9(a)は、ここまでに説明した実施形
態と同様に照明光束901が偏光分離素子107にて偏
向されて、反射型ライトバルブの液晶層207に略垂直
に入射する場合を示している。その時の照明光束901
の偏光分離素子107への入射角をθcとする。図9
(b)は、照明光束901が図9(a)と全く同じ構造
を有する偏光分離素子107にθcより大きなθdで入
射する場合を示してある。その場合、スネルの法則や回
折角の法則から考えて、照明光束901は反射型ライト
バルブの液晶層207に0°より大きな角度θeで入射
する。ここで、(a)における入射光束901と投射光
束902の分離角θaをAとするとA=θcとなり、
(b)における分離角θaをBとするとB=θd+θe
となる。
【0097】θc<θdの関係があるので明らかにA<
Bである。従って、先述の理由により(b)の構成、す
なわち照明光束(もしくは照明光学系光軸)が反射型液
晶ライトバルブに非垂直に入射する構成はより明るい投
射画像を得ることができるといえる。
【0098】次に、図9(b)の構成と偏光分離素子を
用いない図9(c)の構成が全く同一の分離角度θaを
有する場合を考える。このとき(b)における液晶層2
07の法線に対して投射光束902がなす角θbをCと
すると、C=θeであり、(c)におけるそれをDとす
ると、D=θfである。また、図から明らかなように
(b)においては、θa=θg+2θe、(c)におい
ては、θa=2θfであるので明らかに、θe<θf、
すなわち、C<Dである。従って、同じ明るさの投射画
像を得る場合は、先述の理由により(b)の構成、すな
わち照明光束(もしくは照明光学系光軸)が反射型液晶
ライトバルブに非垂直に入射する構成はより高い画質を
有する投射画像を得ることができるといえる。
【0099】(投写型表示装置の第4の実施形態)図1
1は投射型表示装置の第1の実施形態における照明光学
系の構成を示す図である。
【0100】ロッド104の結像素子105a側の端面
1101は結像レンズ105aおよび105bにより反
射型液晶ライトバルブ108上に結像される。照明光を
無駄無く反射型ライトバルブ108に伝達するためには
端面1101の像の形状が反射型ライトバルブ108の
平面形状に略一致している必要がある。なぜなら、それ
が略一致せず、前者が後者より大きい場合は、照明光の
一部がスクリーンに導かれず照明効率の低下を招き、逆
に小さい場合は反射型ライトバルブに照明光が照射され
ていない領域が生じ、その領域は全く投射されなくなっ
てしまうからである。
【0101】ところで、図から明らかなように端面11
01は反射型液晶ライトバルブ108に対して非平行で
あるため、その像形状を反射型ライトバルブ108の平
面形状と略一致させるためには、端面1101の形状
は、反射型ライトバルブ108の平面形状を端面110
1と平行な面に射影した形状と相似でなければならな
い。また、この時の相似比は結像素子105の横倍率β
の逆数でなければならない。
【0102】この関係を図12に示す。図12において
矢印xは照明光学系の光軸と反射型液晶ライトバルブの
法線を含む面に垂直な方向を示している。また、反射型
ライトバルブの平面形状1201およびロッド端面の形
状1202はそれぞれを垂直方向から見たときの形状を
示してある。
【0103】反射型ライトバルブの平面形状1201の
横方向とロッドの端面の横方向は互いに略平行の関係に
あるので、前者の長さをAとしたときに、後者の長さa
は、略下式であらわされる。
【0104】a=A/β ここでβは結像素子105
の横倍率。
【0105】反射型ライトバルブの平面形状1201の
縦方向とロッドの端面の縦方向は非平行の関係にあるの
で、前者を後者に平行な面に射影をして考えなければな
らない。前者の長さをBとしたときに、後者の長さb
は、略下式であらわされる。
【0106】b=B/(β・sin θi) ここでβ
は結像素子105の横倍率また、θiは照明光学系の光
軸と反射型液晶ライトバルブの法線のなす角度。
【0107】(投写型表示装置の第5の実施形態)図1
1に示す照明光学系の構成において、ロッド端面110
1の上端から出射する光線1103の反射型位相変調機
108までの光路長と、ロッド端面1101の下端から
出射する光線1104の反射型液晶ライトバルブ108
までの光路長は図から明らかなように異なる。したがっ
て、ロッド端面4の像1105は反射型液晶ライトバル
ブに対して傾いて形成されるため、反射型液晶ライトバ
ルブ108における照明光強度分布はロッド端面110
1におけるそれを忠実に反映したものとはならず、その
結果、投射画像に照度むらが生じる。この現象を回避す
るためには、ロッド端面1101の像が反射型液晶ライ
トバルブ平面上に略平面状に結像する必要がある。
【0108】図13はシャインプルフの法則を利用し
て、前記現象を回避した構成である。
【0109】シャインプルフの法則に基づけば、結像レ
ンズ105に対して傾いた平面上に像を結像させるため
には、物体を傾ければよい。その傾け方は、ロッド端面
1101の延長線1301と結像素子105の入射側主
平面1302の交点1305の照明光学系の光軸130
7からの高さをh1とし、偏光分離素子107の延長線
1304と結像素子105の出射側主平面1303の交
点1306の照明光学系の光軸1307からの高さをh
2とした場合、h1=h2となるようにすればよい。
【0110】図14は偏心光学素子を利用して、前記現
象を回避した構成である。本構成において結像素子10
5を構成する全てもしくは一部の素子は偏心をした素子
である。図14においては、一例として結像素子105
を2枚のレンズで構成し、そのうちの1枚1401が偏
心光学素子である場合を示してある。偏心光学素子14
01は偏光分離素子107側の面が偏心しており、図の
下方から上方に向うに連れて曲率半径が徐々に大きくな
る非球面形状をしている。このように面内にパワー分布
を持っているためにパワーの強い下方を通過した光束は
より近い位置で結像をし、パワーの弱い上方を通過した
光束はより遠い位置で結像する。
【0111】ロッド端面1101からみて反射型液晶ラ
イトバルブは下方ほど近い距離にあり上方ほど遠い距離
にある。従って上記偏心光学素子1401の結像関係に
より、ロッド端面1101の像を反射型液晶ライトバル
ブ平面上に略平面状に結像する事が可能となる。
【0112】図15はシフト光学系を利用して、前記現
象を回避した構成である。本構成においては、ロッド端
面1101と偏光分離素子107は結像素子105の回
転対称軸1501に対して直角かつ反対方向にずれてい
る。なお、照明光を有効に反射型液晶ライトバルブ10
8に導くためにはロッド端面1101の中心点150
3、結像素子105の主点、偏光分離素子107の中心
1506はランプ101、リフレクター102および集
光素子103の回転対称軸1502上に略配置されてい
る必要がある。
【0113】(変形形態)以上説明した実施形態に限定
されることなく、本発明の趣旨を変更しない範囲で種々
の変形や変更が可能である。
【0114】例えば、反射型位相変調素子の一例として
反射型液晶ライトバルブを例にとって実施形態を説明し
てきたが、他の位相変調素子を使用しても構わない。
【0115】また、表示素子の明表示のモードとして、
書き込み(照明)光と読み出し(投射)光の偏光状態が
異なる場合を説明してきたが、それらが同じ偏光状態で
明表示となるモードを使用してもかまわない。
【0116】また、グラスロッドは中実のものについて
説明したが、中空(外枠が硝子で中心が空洞の円柱。こ
の場合は硝子内面で光反射する。)のライトパイプでも
構わない。
【0117】また、照度比向上機能を有する素子として
ロッドを例に上げて説明したが、他の素子、例えば2枚
のフライアイレンズを用いても構わない。
【0118】また、各図で説明したS偏光とP偏光は、
逆であっても構わない。
【0119】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明の投
射型表示装置によれば、屈折もしくは回折作用に偏光依
存性を有する偏光分離素子を用いる事により、高いコン
トラストを有する高精細な画像投写の可能な反射型位相
変調器を用いた投写型表示装置を実現することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による投射型表示装置の第1の実施形
態を示す図。
【図2】 本発明による偏光分離素子の第1の実施形態
を示す図。
【図3】 本発明による偏光分離素子の第2の実施形態
を示す図。
【図4】 本発明による偏光分離素子の第3の実施形態
を示す図。
【図5】 本発明による偏光分離素子の第4の実施形態
を示す図。
【図6】 本発明による偏光分離素子の第4の実施形態
の具体的な数値例の説明図。
【図7】 本発明による偏光分離素子の第4の実施形態
を示す図。
【図8】 本発明による投射型表示装置の第2の実施形
態を示す図。
【図9】 本発明による投射型表示装置の第3の実施形
態の効果の説明図。
【図10】 本発明による投射型表示装置の第3の実施
形態を示す図。
【図11】 本発明による投写型表示装置の第4の実施
形態を示す図。
【図12】 本発明による投写型表示装置の第4の実施
形態の具体例の説明図。
【図13】 本発明による投写型表示装置の第5の実施
形態を示す図。
【図14】 本発明による投写型表示装置の第5の実施
形態を示す図。
【図15】 本発明による投写型表示装置の第5の実施
形態を示す図。
【図16】 従来の投写型表示装置の説明図。
【図17】 従来の投写型表示装置の説明図。
【図18】 従来の投写型表示装置の説明図。
【符号の説明】
101 ランプ 102 リフレクタ 103 集光レンズ 104 ロッド 105 結像素子 105a 結像素子 105b 結像素子 106 直線偏光板 107 偏光分離素子 108 反射型液晶ライトバルブ 109 直線偏光板 110 投射レンズ 111 スクリーン 112 照明光学系光軸 113 照明光学系の延長線 114 反射型液晶ライトバルブの延長線 115 交点 116 反射型液晶ライトバルブの中心点 201 一軸性結晶プリズム 202 等方性プリズム 203 光学軸 204 入射P偏光 205 頂角 206 頂角 207 液晶層 208 反射電極 301 偏光分離素子 401 一軸性結晶 402 周期格子 403 等方性媒質 404 光学軸 501 回折格子 502 格子ベクトル 701 屈折率分布の周期構造 702 格子ベクトル 801 結像レンズ 802 結像レンズ 803 ミラー 804 アパーチャーストップ 805 投射レンズ 901 照明光束 902 投射光束 1001 照明光学系光軸 1002 投射光学系光軸 1003 照明光束 1004 投射光束 1005 反射型液晶ライトバルブの法線 1101 ロッドの端面 1102 上側光線 1103 下側光線 1104 反射型液晶ライトバルブの法線 1105 ロッド端面の像 1201 反射型液晶ライトバルブの平面形状 1202 ロッド端面の平面形状 1301 ロッド端面の延長線 1302 結像素子の入射側主平面 1303 結像素子の出射側主平面 1304 偏光分離素子の延長線 1305 交点 1306 交点 1307 照明光学系の光軸 1401 偏心光学素子 1501 結像光学系の中心軸 1502 照明光学系の光軸 1503 ロッド端面の中心 1504 結像光学系の中心 1505 偏光分離素子の中心 1601 偏光ビームスプリッター
フロントページの続き Fターム(参考) 2H088 EA13 EA16 HA18 HA20 HA24 HA28 HA30 MA02 MA03 2H091 FA08X FA08Z FA19X FA19Z FA23Z FA26X FA26Z FA41Z LA17 MA07 2H099 AA12 BA09 CA17 5G435 AA00 BB12 BB16 BB17 DD02 DD04 FF03 FF05 FF07 GG01 GG02 GG03 GG08 GG28 GG46

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源手段と、該光源手段からの光束を反
    射型位相変調素子に導く照明光学手段と、該反射型位相
    変調素子の像を結像する結像光学手段と、該光源手段か
    ら該反射型位相変調素子までの光路と該反射型位相変調
    素子から該結像光学手段までの光路を略分離する偏光分
    離手段を備える投射型表示装置において、前記、偏光分
    離手段は略直交する直線偏光のそれぞれに対して異なる
    屈折もしくは回折作用を及ぼすことを特徴とする投射型
    表示装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の投射型表示装置におい
    て、該光源手段からの光束が、前記偏光分離手段により
    略垂直に前記反射型位相変調素子に入射することを特徴
    とする投射型表示装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の投射型表示装置におい
    て、前記偏光分離手段は、一軸性結晶から構成されるプ
    リズム素子と光学的等方性媒質からなるプリズムの組み
    合せで構成され、該一軸性結晶の常光に対する屈折率を
    no、異常光に対する屈折率をneとしたときに、該光
    学的等方性媒質の屈折率が略noもしくは略neである
    ことを特徴とする投射型表示装置。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の投射型表示装置におい
    て、前記偏光分離手段は、一軸性結晶から構成されるプ
    リズム素子と光学的等方性媒質からなるプリズムの組み
    合せをアレイ状に配列したことを特徴とする投射型表示
    装置に用いる照明装置。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の投射型表示装置におい
    て、前記偏光分離素子は、表面に凹凸の周期構造を形成
    した一軸性結晶と該周期構造の凹部を光学的等方性媒質
    層により充填した構造からなり、該一軸性結晶の常光に
    対する屈折率をno、異常光に対する屈折率をneとし
    たときに、該光学的等方性媒質の屈折率がnoもしくは
    neであり、該周期構造は入射光を回折作用する機能を
    有することを特徴とする投射型表示装置。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の投射型表示装置におい
    て、前記偏光分離素子は、表面レリーフ型回折格子であ
    り、その格子ピッチPは入射光波長をλとしたときにP
    <λの関係を満たし、該格子の深さは、略直交する直線
    偏光のそれぞれの特定回折次数に対する回折効率が異な
    るように調整されていることを特徴とする投射型表示装
    置に用いる照明装置。
  7. 【請求項7】 請求項1に記載の投射型表示装置におい
    て、前記偏光分離素子は、体積ホログラムであり、その
    格子ピッチPは入射光波長をλとしたときにP<λの関
    係を満たし、その格子ベクトルは前記反射型位相変調素
    子に対して傾いていることを特徴とする投射型表示装
    置。
  8. 【請求項8】 請求項5ないし6ないし7に記載の偏光
    分離素子が、前記反射型位相変調素子に対して傾いてい
    ることを特徴とする投射型表示装置。
  9. 【請求項9】 請求項1に記載の投射型表示装置におい
    て、前記照明光学手段は前記光源手段からの光束を内面
    反射によって複数の光束に分割して射出し複数の二次光
    源像を形成する光束分割手段と、該光束分割手段の出射
    面の照明情報を前記反射型位相変調素子に結像する集光
    手段を備え、前記光束分割手段の出射面の形状が反射型
    位相変調素子の平面形状と非相似であることを特徴とす
    る投射型表示装置。
  10. 【請求項10】 請求項1に記載の投射型表示装置にお
    いて、前記照明光学手段は前記光源手段からの光束を複
    数の光束に分割して射出し複数の二次光源像を形成する
    光束分割手段と、前記光束分割手段の出射面の照明情報
    を前記反射型位相変調素子に結像する集光手段を備え、
    該光束分割手段の出射面と該集光手段と前記反射型位相
    変調素子の配置がシャインプルフの法則を満足すること
    を特徴とする投射型表示装置に用いる照明装置。
  11. 【請求項11】 請求項1に記載の投射型表示装置にお
    いて、前記照明光学手段は前記光源手段からの光束を複
    数の光束に分割して射出し複数の二次光源像を形成する
    光束分割手段と、前記光束分割手段の出射面の照明情報
    を前記反射型位相変調素子に結像する集光手段を備え、
    該集光手段は一つもしくは複数の偏心した光学素子を含
    み、該集光手段による該出射面情報の結像位置が該光源
    手段からの光束内において暫時変化することを特徴とす
    る投射型表示装置。
  12. 【請求項12】 請求項1に記載の投射型表示装置にお
    いて、前記照明光学手段は前記光源手段からの光束を複
    数の光束に分割して射出し複数の二次光源像を形成する
    光束分割手段と、前記光束分割手段の出射面の照明情報
    を前記反射型位相変調素子に結像する集光手段を備え、
    該光束分割手段の出射面と反射型位相変調素子は該集光
    手段に対して直角かつ反対方向にずれていることを特徴
    とする投射型表示装置。
  13. 【請求項13】 請求項1に記載の投射型表示装置にお
    いて、照明光学系の光軸の延長線と前記反射型位相変調
    素子が配置されている平面の交点と、前記反射型位相変
    調素子の略中心の距離をLとし、該照明光学系の光軸と
    前記反射型位相変調素子の法線が含まれる平面における
    前記反射型位相変調器の幅をWとしたときにL>Wの関
    係が成り立つことを特徴とする投射型表示装置。
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