JP2000269182A

JP2000269182A - 半導体デバイスの製造方法及び製造装置

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Publication number: JP2000269182A
Application number: JP11070506A
Authority: JP
Inventors: Hiroki Kawada; 洋揮川田; Hiroyuki Kitsunai; 浩之橘内; Miyuki Yamane; 未有希山根; Shinichi Suzuki; 慎一鈴木; Masanori Katsuyama; 雅則勝山
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1999-03-16
Filing date: 1999-03-16
Publication date: 2000-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】ドライエッチング装置内の表面に吸着している
ガスの状態を大気開放することなく分析し、大気解放前
に吸着物質を除去することとが可能な半導体デバイスの
製造装置を実現する。【解決手段】処理室１０１の側面に入射ガス分析装置１
０２を取付けガス等をサンプリングする。処理室１０１
内にガス吸着状態を調べる試料１０３を設置し赤外光導
入窓１０４からの赤外光を試料１０３に照射して反射吸
収スペクトルを測定し処理室１０１内の吸着残留ガスの
状態をモニタする。マイクロ波導入管１０７からのマイ
クロ波でプラズマを発生しウエハ１０５表面をエッチン
グする。試料１０３で反射した赤外光を検出器で検出し
分析装置１０２はガス分子等の質量分析等を行う。詳細
な情報をプロセス中に処理室を大気開放せず得られ大気
開放後の有毒ガス発生の防止方法を余分な試行錯誤無し
で容易に見つけられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、ドライエッチング装置内に残留する有毒ガ
スを効果的に除去する方法を用いた半導体デバイスの製
造方法及び製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造にて用い
られるドライエッチング装置などにおいては、塩素ガス
などのプロセスガスを処理室内に導入し、プラズマを発
生させることによって、ウエハにエッチング処理を行っ
ている。ある一定量のウエハを処理していくと、処理室
内に堆積した付着異物の清掃や、部品交換あるいは不測
のトラブルなどにより、処理室を大気開放して作業者が
処理室内のメンテナンスを行う必要がある。

【０００３】ところが、エッチング処理を行った直後に
処理室を大気開放すると、処理室内に残留しているプロ
セスガスの成分が徐々に放出されて、周辺の空気を汚染
する問題が生じている。

【０００４】一般に、プロセスガスには人体に有害なも
のが多く、例えば塩素ガスが含まれており、この塩素ガ
スは許容濃度が０．５ｐｐｍ以下とされている。これ以
上の濃度の塩素ガスを吸入し続けると呼吸器系の粘膜の
炎症などの障害を引き起こす恐れがある。このため、大
気開放後の数時間放置して、有毒ガス放出が収まってか
ら作業を開始するなどの対策が行われていた。しかしな
がら、放置時間が数時間にも及ぶことがあり、生産効率
上問題がある。

【０００５】そこで、大気開放前に、特定のプラズマを
発生させて、残留する有毒ガスを除去する試みが行われ
ている。例えば、処理室内に付着している堆積膜を除去
するためにクリーニングプロセスと呼ばれるプラズマ処
理が知られており、ＳＦ₆ガスのプラズマを処理室で発
生させるなどして、このとき同時に吸着ガスも除去して
しまおうとするものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術においては、大気開放前に、特定のプラズマを発生
させて、残留する有毒ガスを除去する試みも、その効果
は充分ではなかった。つまり、大気開放前に特定のプラ
ズマを発生させることによって吸着残留している有毒ガ
ス成分を除去する方法が最も効率的と考えられるが、ど
のようなプラズマを発生させれば、有効に吸着ガスを除
去できるのか検討が必要である。ところが、従来の技術
における分析、検査方法では、処理室内に吸着したガス
成分を大気開放前に検出することは極めて困難であった
ため、有効な対策が見いだされていなかった。

【０００７】いったん大気開放してしまうと、大気の影
響で吸着状態が変化してしまうので、大気開放前に行う
べきであるはずの有効な対策を見いだすのは困難であっ
た。

【０００８】また、有毒ガス放出対策のための工程が長
時間となると、生産効率上好ましくないことであり、製
造装置の非生産時間が長くなることにより、装置の生産
性低下の原因となる。また、その影響で生産される半導
体デバイスのコスト高の原因ともなる。

【０００９】また、今後の０．１３μｍ以下の微細加工
プロセスでは臭化水素（ＨＢｒ）ガスの使用が必要にな
ってくると考えられているが、これを使用すると大気開
放後の有毒ガス放出に、さらに長時間必要であり、稼働
率が著しく低下することが懸念される。

【００１０】本発明の目的は、ドライエッチング装置内
の表面に吸着しているガスの状態を、大気開放すること
なく分析し、大気解放前に吸着物質を除去することとが
可能な半導体デバイスの製造方法及び製造装置を実現す
ることである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は次のように構成される。（１）大気から密閉された処理室にプロセスガスを供給
し、上記処理室にて半導体デバイスを処理する半導体デ
バイスの製造方法において、上記処理室を大気開放する
直前に、Ｈ₂Ｏ、ＣＨ₃ＯＨ、Ｈ₂またはＣＨ₄のいずれか
を混入させたパージガスを上記処理室内に導入し、所定
の一定時間放置する、またはプラズマを発生させること
によって、処理室内部に吸着しているプロセスガスの成
分を除去する。

【００１２】（２）また、大気から密閉された処理室
と、この処理室にプロセスガスを供給する手段とを有す
る半導体デバイスの製造装置において、上記処理室を大
気開放する直前に、Ｈ₂Ｏ、ＣＨ₃ＯＨ、Ｈ₂またはＣＨ₄
のいずれかを混入させたパージガスを上記処理室内に導
入する手段を備え、上記パージガスを上記処理室内に導
入してから所定の一定時間放置する、またはプラズマを
発生させることによって、処理室内部に吸着しているプ
ロセスガスの成分を除去する。

【００１３】（３）好ましくは、上記（２）において、
加熱されたパージガスを導入する手段を備える。

【００１４】（４）また、好ましくは、上記（２）にお
いて、パージガスを加熱するための手段を備える。

【００１５】（５）また、大気から密閉された処理室
と、この処理室にプロセスガスを供給する手段とを有す
る半導体デバイスの製造装置において、上記処理室を大
気開放する直前に、処理室内のガスをサンプリングし
て、処理室内に残留する有毒ガス成分を計測し、処理室
が大気開放された後に発生する有毒ガス量を予測する手
段を備える。

【００１６】（６）また、大気から密閉された処理室
と、この処理室にプロセスガスを供給する手段とを有す
る半導体デバイスの製造装置において、上記処理室を大
気開放する直前に、処理室内にパージガスを導入してか
ら排気して、排気されるガス中に含まれる有毒ガス成分
を計測し、処理室が大気開放された後に発生する有毒ガ
ス量を予測する手段を備える。

【００１７】（７）また、大気から密閉された処理室
と、この処理室にプロセスガスを供給する手段とを有す
る半導体デバイスの製造装置において、上記処理室内の
表面に残留または吸着するガス成分を、特定波長の光の
吸収量を測定し、処理室が大気開放された直後に発生す
る有毒ガス量を予測する手段を備える。

【００１８】（８）また、大気から密閉された処理室
と、この処理室にプロセスガスを供給する手段とを有す
る半導体デバイスの製造装置において、上記処理室内の
表面に残留または吸着するガス成分を、上記処理室の壁
面に入射してくる物質を測定し、処理室が大気開放され
た直後に発生する有毒ガス量を予測する手段を備える。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面を参照して説明する。まず、ドライエッチング装置の
処理室を大気開放する際に、処理室内におけるガス吸着
状態をモニタする方法について説明する。この方法によ
り、吸着しているガスをプロセス中にモニタし、大気開
放前にどのような処理を行えば、吸着ガスを低減するこ
とができるかを、明確に判断することができるようにな
った。

【００２０】図１は、本発明による実施形態であるガス
吸着状態モニタ装置の概略構成図である。図１におい
て、処理室１０１の側面に、入射ガス分析装置１０２を
取り付け、処理室１０１の壁面に、プロセスガス入射手
段（図示せず）から入射するガスやイオンなどをサンプ
リングできるようにしてある。

【００２１】また、処理室１０１内には、ガス吸着状態
を調べるための試料１０３が設置されており、赤外光導
入窓１０４から導入した赤外光を試料１０３に照射し
て、その反射吸収スペクトルを測定することによって、
処理室１０１内の吸着残留ガスの状態をモニタできるよ
うにしてある。

【００２２】処理室１０１内には、プロセスガスとして
塩素ガスを分圧にして約１．８Ｐａ、酸素ガスを約０．
２Ｔｏｒｒ導入する。マイクロ波導入管１０７から周波
数が約２．５６ＧＨｚのマイクロ波を導入することによ
ってプラズマを処理室１０１内に発生させ、被処理物で
あるところのウエハ１０５の表面をエッチングする。プ
ラズマはコイル１０６が生成する磁場によって、その発
生状態が制御されている。

【００２３】赤外光の反射吸収スペクトルによる処理室
１０１内の表面状態のモニタリングについては、特開平
７−８６２５４号公報に記載されているが、本発明の一
実施形態においては、図２に示す平断面図のようなモニ
タ装置の構造としている。

【００２４】図２において、赤外光２０１は、赤外光導
入窓１０４から入射させる。この窓１０４には、ＫＲＳ
−５と呼ばれる赤外光の透過性の高い材質を用いてい
る。

【００２５】また、窓の曇りによる測定値のばらつきを
抑えるため、上記特開平７−８６２５４号公報に記載さ
れているように、赤外光２０１を偏光子２０２によって
偏光させて偏光変調をかけ、赤外光２０１を分光するこ
とによって、吸収スペクトルを得ることができる。試料
１０３上で反射した赤外光２０１は検出器２０３により
検出される。処理室１０１の内面は石英内筒２０４によ
り覆われているので、処理室１０１内に吸着するガスの
状態は、石英上の挙動を調べればよい。

【００２６】そこで、試料１０３は、反射効率の高いア
ルミ蒸着ミラーなどを用いているが、その表面には厚さ
約０．６μｍ程度の石英膜を付けてある。試料１０３の
表面の吸着ガス原子の結合状態によって、ある特定波長
の赤外光が吸収されるので、検出器２０３で検出された
赤外光の吸収スペクトルを調べることによって、ガスの
吸着状態をモニタすることが可能となる。

【００２７】処理室１０１の側面に取り付けた入射ガス
分析装置１０２は、石英内筒２０４に空けた直径が約
０．４ｍｍの穴を通じて、そこへ入射してくるガス分子
やイオンなどをサンプリングして、それらの質量分析や
入射エネルギー分析を行っている。磁気遮蔽管２０５に
よって、プラズマを制御するためのコイル１０６から発
生する磁場が、入射ガス分析装置１０２に影響を及ぼさ
ないようにしてある。

【００２８】また、入射ガス分析装置１０２は、試料１
０３と鉛直方向に対して同じ高さに配置されており、ウ
エハ１０５からの距離もほぼ等しい位置に取り付けてあ
る。処理室１０１の形状はウエハ１０５の円周方向に対
して対称形であるため、その中で発生するプラズマも円
周方向に対しては、ほぼ対称となり、試料１０３に入射
するガス分子やイオン等とほぼ同じものを、入射ガス分
析装置１０２によってサンプリングすることができる。

【００２９】次に、本発明の方法によるガス吸着状態の
モニタリング値の例を図３にグラフで示す。このような
モニタリングは、本発明の方法により初めて可能となっ
たものである。

【００３０】なお、図３の縦軸はガス吸着量の変化量を
示し、横軸は波長を示す。また、図３に示した結果が得
られたプロセスでは、塩素ガスを分圧にして約１．８Ｐ
ａ、酸素ガスを約０．２Ｔｏｒｒ導入し、μ波を３５０
Ｗ印加してプラズマを発生させた。ウエハにはシリコン
ウエハを用い、シリコンウエハの下部に周波数が２ＭＨ
ｚの高周波を６０Ｗ印加した。

【００３１】また、上記プロセスの前後に、試料１０３
上の赤外吸収スペクトルを測定した。そして、その差分
を取ることによって、プロセス中に起きた試料上の変化
をスペクトルから読み取った。

【００３２】図３の測定スペクトル３０１は、上記プロ
セスを約７００ｓ行った前後の差分をとったもので、上
向きのピークは試料上の吸着物が増加したことを、下向
きのピークは減少したことを示している。図３におい
て、約６３０ｃｍ^-1前後と７００ｃｍ^-1付近に正の向き
のピークが見られ、プロセス中に何かが試料上に吸着し
ていることがわかった。

【００３３】この約６３０ｃｍ^-1前後と７００ｃｍ^-1付
近部分の吸収ピークは、石英表面のＳｉ原子に対してＣ
ｌ原子が結合している場合に、生じるものであること
が、Ｓ．Ｊ．ＬａｎｇらによってＪｏｕｎａｌｏｆ
ＰｈｙｓｉｃａｌＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，９８巻（１９
９４年）の１３３１４ページに報告されている。

【００３４】すなわち、Ｓｉ−Ｃｌ₃、Ｓｉ−Ｃｌ₂及び
Ｓｉ−Ｃｌのそれぞれの結合状態が存在すると、６２５
ｃｍ^-1、６３５ｃｍ^-1及び７１０ｃｍ^-1に吸収ピークが
生じることが確認されている。よって、差分スペクトル
上のピークは、試料表面の吸着塩素原子のピーク３０２
であり、本発明による方法でガスの吸着状態をモニタで
きることを示している。

【００３５】また、図２の入射ガス分析装置１０２によ
って処理室１０１の壁面への入射イオンもサンプリング
されており、その結果を図４に示す。なお、図４の縦軸
は＋イオンの信号強度を示し、横軸は質量数／荷電数を
示す。図４において、ＳｉＣｌ⁺の信号４０１、ＳｉＣ
ｌ₂ ⁺の信号４０２及びＳｉＣｌ₃ ⁺の信号４０３が非常に
大きく、これらが壁面に入射していることがわかった。
また、これらの入射エネルギーを入射ガス分析装置１０
２にて測定してみると、約４ｅＶあることもわかった。

【００３６】以上のことから、本発明によるガス吸着モ
ニタ装置によって、初めて以下のことが明らかになっ
た。すなわち、プロセス中には、石英表面と反応を起こ
すのに充分なエネルギーをもった塩素原子が、石英表面
に多量に供給されており、その結果、石英表面にＳｉと
Ｃｌ原子とが結合するかたちで、Ｃｌ原子が吸着してい
ることが、本発明による方法によってモニタリングでき
た。このような詳細な情報をプロセス中に、処理室を大
気開放せずに得ることができるようになったため、大気
開放後の有毒ガス発生の防止方法を、余分な試行錯誤を
せずに容易に見つけることが可能になった。

【００３７】以下に、大気開放後の有毒ガス発生の防止
方法を示す。先に引用したＳ．Ｊ．Ｌａｎｇらの報告で
は、これら塩素原子の結合は、水蒸気（Ｈ₂Ｏ）やメタ
ノール（ＣＨ₃ＯＨ）などに摂氏１００度から１５０度
の温度で曝されると、塩酸（ＨＣｌ）となって気化し、
消滅してしまうことが報告されている。これは、処理室
１０１を大気開放したときに、有毒なＨＣｌガスが発生
し続ける原因に該当するものである。

【００３８】この原因も、本発明によるガス吸着モニタ
装置のデータから、明らかになったことである。このこ
とから、水蒸気やメタノールなどを処理室１０１内に導
入してプラズマを発生させれば、これら石英上に結合し
た塩素原子は、容易に除去することが可能である。なぜ
なら、水蒸気やメタノールガスをプラズマ化すると、摂
氏数百度以上のエネルギーを持つため、結合している塩
素原子を容易にＨＣｌとして気化させ、ガスとして処理
室１０１外に排気することが可能だからである。

【００３９】また、プラズマ化せずとも、単に水蒸気を
含んだ大気に曝すだけでも、石英上に吸着した塩素原子
を除去することが可能である。

【００４０】図５は、処理室１０１を大気に曝したとき
のモニタ装置により検出された例を示す。なお、図５の
縦軸はガス吸着量の変化量を示し、横軸は波長を示す。
この図５に示す結果は、図３のスペクトルがモニタされ
た後、そのまま処理室１０１を大気開放し、同様な方法
で得られた測定スペクトル５０１である。

【００４１】図５において、６２０ｃｍ^-1から６３０ｃ
ｍ^-1前後、及び７１０ｃｍ^-1付近に負の向きのピークが
現れている。差分スペクトルで負の向きは減少を表して
おり、石英表面の吸着塩素原子が除去されたことを示す
ピーク５０２であることがわかる。図５に示したもの
は、実際のエッチング装置において、装置内に残留する
吸着ガスの除去効果を本発明により初めてモニタリング
できた例である。

【００４２】実際の半導体デバイスの生産プロセスにお
いては、これら吸着した塩素原子をさらに多く、かつ短
時間で除去するためには、大気開放前に水蒸気やメタノ
ールなどを含んだプラズマを処理室１０１内で発生さ
せ、その後、大気を導入しては排気するサイクルを繰り
返す手順が必要である。

【００４３】図６は、本発明の実施形態である吸着残留
ガスの除去方法の手順を示すフローチャートである。図
６において、通常のエッチングプロセス６０１が行われ
る。このエッチングプロセス６０１は、例えば、上述し
た実施形態にて説明したようなプロセスである。

【００４４】次に、吸着残留ガスのプラズマクリーニン
グプロセス６０２を行う。このプロセス６０２では、例
えば希釈ガスであるＨｅガス中に、混入ガスとしてＨ₂
Ｏを２００ｐｐｍ程度混入させた混合ガスを、処理室１
０１内の圧力が２Ｐａ程度になるように導入する。そし
て、約５００Ｗのマイクロ波を印加してプラズマを発生
させ、約５分程度保持する。このとき、ウエハは生産物
となるウエハである必要はなく、酸化膜をコーティング
したダミーウエハでよい。また、ウエハに高周波を印加
する必要もない。

【００４５】混合ガスは、他にも効果的なものがあり、
例えば希釈ガスをＡｒガスやチッソがすなどにしても良
い。混入ガスは、メタノール、水素やメタンガス等にし
ても良い。濃度はなるべく高くするほうが、処理時間が
短くて済むが、Ｈ₂Ｏは配管や処理室１０１内に結露す
る恐れがあり、メタノールや水素ガスなどは爆発や燃焼
の恐れがあるので、それぞれ安全な濃度以下で使用しな
ければならない。

【００４６】次に、吸着量判定６０５を行う。これは、
上述した本発明の実施形態のようなガス吸着状態のモニ
タリング方法により、処理室１０１内の吸着残留ガスの
モニタリング方法を用いる。特定の吸着ガスまたは原子
の吸収ピーク高さをあらかじめ測定しておき、それと比
較することで判定する。もし、判定基準を満たしていな
かったら、吸着残留ガスのプラズマクリーニングプロセ
ス６０２に戻り、プロセス６０２を繰り返す。プロセス
６０３で判定基準を満たしていたら、次のステップ６０
４に進む。

【００４７】次に、吸着残留ガス置換ガスを処理室１０
１に導入する手順６０４を行う。この手順６０４におい
ては、例えば、Ｈ₂Ｏを摂氏約８０度程度に加熱したも
のを導入しても良い。置換ガスは高温であるほど、吸着
残留ガスの除去が早く進行するが、処理室１０１内の部
品を損傷させる恐れも考慮して、その上限温度を決め
る。また、ガス導入管に加熱用ヒータを取り付けても良
い。

【００４８】そこで、図１に示したように、パージガス
供給ライン１０９に加熱装置１１０を入れて、パージガ
スを加熱しても良い。例えば、ガス供給ライン１０９の
チューブのまわりに温度調節可能なヒータを取り付けて
も良い。

【００４９】次に、処理室１０１内を排気する手順６０
５を行い、次に、排気ガス判定６０６を行う。この判定
６０６においては、処理室１０１内から排気されたガス
中の有毒ガス成分を、センサなどで測定し、この後に大
気開放をした場合に有毒ガスが安全値以下、つまり、所
定の判定基準以下となるかを推定する。

【００５０】判定６０６において、所定の判定基準が満
たされなければ、手順６０４に戻り、吸着残留ガス置換
ガスを処理室１０１に導入する手順６０４を繰り返す。
判定６０６において、所定の判定基準が満たされれば、
次の大気またはパージガスを導入する手順６０７に進
む。そして、この手順６０７において、処理室１０１内
の圧力が処理室１０１の外圧とほぼ等しくなったら、処
理室１０１を開ける手順６０８へ進む。

【００５１】図６に示した手順を行うために、図１に示
すように、処理室１０１の排気ライン１１１の途中に、
有毒ガスセンサ１１２を設けたり、あるいは処理室１０
１の中に直接センサを設置するなどする。

【００５２】以上のように、本発明の実施形態によれ
ば、ドライエッチング装置内の表面に吸着しているガス
の状態を、大気開放することなく分析し、大気解放前に
吸着物質を除去することとが可能な半導体デバイスの製
造方法及び製造装置を実現することができる。

【００５３】なお、上記に示したような、吸着残留ガス
の除去手順を経て大気開放を始めるための一連の作業
を、半導体デバイスの製造装置の作業者が簡便に行うこ
とができるように、作業開始のためのスイッチを、例え
ば装置の制御部分に設けてもよい。

【００５４】また、上記パージガスは、Ｈ₂Ｏ、ＣＨ₃Ｏ
Ｈ、Ｈ₂またはＣＨ₄のいずれかを混入させたガスであれ
ばよい。

【００５５】さらに、処理室１０１を大気開放後に発生
する有毒ガスを予測し、予測した有毒ガスの発生を警告
する手段を設けることもできる。

【００５６】

【発明の効果】ドライエッチング装置内の表面に吸着し
ているガスの状態を、大気開放することなく分析し、大
気解放前に吸着物質を除去することとが可能な半導体デ
バイスの製造方法及び製造装置を実現することができ
る。

【００５７】つまり、本発明によれば、処理室を開けた
後でも、処理室から発生する有毒ガスの濃度は、安全基
準値を下回っており、作業者は安全に処理室内のメンテ
ナンス作業などを始めることができる。

【００５８】また、本発明による手順の全てまたは一部
の手順を行わずに大気開放していた従来の方法に比べ
て、本発明においては、大気開放後の処理室から発生す
る有毒ガスが安全基準を下回るまでの時間は、大幅に短
縮され、装置が生産稼働をしていない休止時間が短縮さ
れるため、装置の稼働率が向上し、半導体デバイスの生
産コストを削減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による実施形態であるガス吸着状態モニ
タ装置の概略構成図である。

【図２】本発明によるガス吸着状態のモニタ装置の概略
平断面図である。

【図３】本発明によるガス吸着状態をモニタした例を示
すグラフである。

【図４】処理室壁面へ入射したイオンをモニタした例を
示すグラフである。

【図５】処理室を大気に曝したときのモニタ装置により
検出された例を示すグラフである。

【図６】本発明による吸着残留ガスの除去手順を示すフ
ローチャートである。

【符号の説明】

１０１処理室１０２入射ガス分析装置１０３試料１０４赤外光導入窓１０５ウエハ１０６コイル１０７マイクロ波導入管１０９パージガス供給ライン１１０加熱装置１１１排気ライン１１２有毒ガスセンサ２０１赤外光２０２偏光子２０３検出器２０４石英内筒２０５磁気遮蔽管

フロントページの続き (72)発明者山根未有希茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (72)発明者鈴木慎一東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者勝山雅則東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内Ｆターム(参考） 5F004 AA00 BA14 BA16 BB11 BB18 CA01 CB02 CB03 CB04 DA00 DA04 DA18 DA22 DA23 DA24 DA25 DB01 DB03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】大気から密閉された処理室にプロセスガス
を供給し、上記処理室にて半導体デバイスを処理する半
導体デバイスの製造方法において、上記処理室を大気開放する直前に、Ｈ₂Ｏ、ＣＨ₃ＯＨ、
Ｈ₂またはＣＨ₄のいずれかを混入させたパージガスを上
記処理室内に導入し、所定の一定時間放置する、または
プラズマを発生させることによって、処理室内部に吸着
しているプロセスガスの成分を除去することを特徴とす
る半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】大気から密閉された処理室と、この処理室
にプロセスガスを供給する手段とを有する半導体デバイ
スの製造装置において、上記処理室を大気開放する直前に、Ｈ₂Ｏ、ＣＨ₃ＯＨ、
Ｈ₂またはＣＨ₄のいずれかを混入させたパージガスを上
記処理室内に導入する手段を備え、上記パージガスを上
記処理室内に導入してから所定の一定時間放置する、ま
たはプラズマを発生させることによって、処理室内部に
吸着しているプロセスガスの成分を除去することを特徴
とする半導体デバイスの製造装置。
【請求項３】請求項２記載の半導体デバイスの製造装置
において、加熱されたパージガスを導入する手段を備え
ることを特徴とする半導体デバイスの製造装置。
【請求項４】請求項２記載の半導体デバイスの製造装置
において、パージガスを加熱するための手段を備えるこ
とを特徴とする半導体デバイスの製造装置。
【請求項５】大気から密閉された処理室と、この処理室
にプロセスガスを供給する手段とを有する半導体デバイ
スの製造装置において、上記処理室を大気開放する直前に、処理室内のガスをサ
ンプリングして、処理室内に残留する有毒ガス成分を計
測し、処理室が大気開放された後に発生する有毒ガス量
を予測する手段を備えることを特徴とする半導体デバイ
スの製造装置。
【請求項６】大気から密閉された処理室と、この処理室
にプロセスガスを供給する手段とを有する半導体デバイ
スの製造装置において、上記処理室を大気開放する直前に、処理室内にパージガ
スを導入してから排気して、排気されるガス中に含まれ
る有毒ガス成分を計測し、処理室が大気開放された後に
発生する有毒ガス量を予測する手段を備えることを特徴
とする半導体デバイスの製造装置。
【請求項７】大気から密閉された処理室と、この処理室
にプロセスガスを供給する手段とを有する半導体デバイ
スの製造装置において、上記処理室内の表面に残留または吸着するガス成分を、
特定波長の光の吸収量を測定し、処理室が大気開放され
た直後に発生する有毒ガス量を予測する手段を備えるこ
とを特徴とする半導体デバイスの製造装置。
【請求項８】大気から密閉された処理室と、この処理室
にプロセスガスを供給する手段とを有する半導体デバイ
スの製造装置において、上記処理室内の表面に残留または吸着するガス成分を、
上記処理室の壁面に入射してくる物質を測定し、処理室
が大気開放された直後に発生する有毒ガス量を予測する
手段を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造装
置。