JP2000267141A - 液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 開口率が高く、明るい画像を表示することが
できるＩＰＳ型液晶表示装置及びその駆動方法、クロス
トークを防止し、表示品質が良好な液晶表示装置、焼付
きが発生しにくいＩＰＳ型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 ＴＦＴ１９のゲート電極１１ｂは画素領
域の上側のゲートバスライン１１ａに接続されており、
表示電極１６ａはＴＦＴ１９のソース電極１６ｃに接続
されている。また、コモン電極１１ｃ，１１ｄは、画素
領域の下側のゲートバスライン１１ａに接続されてお
り、表示電極１６ａと平行に配置されている。表示電極
１６ａに表示データを書き込むときは、上側のゲートバ
スライン１１ａに例えば＋１５Ｖを印加し、下側のゲー
トバスライン１１ａに例えば０Ｖを印加する。また、デ
ータを書き込まない画素領域のゲートバスライン１１ａ
には−１０Ｖを印加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
液晶表示装置の駆動方法に関し、特にＩＰＳ（In-Plane
Switchig ）型液晶表示装置の開口率の向上、ＩＰＳ型
液晶表示装置及びＴＮ（Twisted Nematic ）型液晶表示
装置におけるクロストークの防止、並びにＩＰＳ型液晶
表示装置の焼付き防止に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置に対する需要が多様
化している。当初、液晶表示装置は主にノート型パーソ
ナルコンピュータのディスプレイ装置として使用されて
いたが、ディスクトップ型パーソナルコンピュータやワ
ークステーション及びテレビ（ＴＶ）等にも使用される
ようになった。

【０００３】一般的なＴＮ型液晶表示装置では、２枚の
透明基板の間に液晶を封入した構造を有している。それ
らの透明基板の相互に対向する２つの面のうち、一方の
面側には対向電極、カラーフィルタ及び配向膜等が形成
され、他方の面側にはＴＦＴ（Thin Film Transistor：
薄膜トランジスタ）、画素電極及び配向膜等が形成され
ている。各透明基板の対向面と反対側の面には、それぞ
れ偏光板が貼り付けられている。これらの２枚の偏光板
は、例えば偏光軸が互いに直交するように配置されてお
り、画素電極と対向電極との間に電圧をかけない状態で
は光が透過して明表示となり、電圧を印加した状態では
遮光して暗表示となる。また、２枚の偏光板の偏光軸を
互いに平行に配置した場合は、画素電極と対向電極との
間に電圧をかけない状態では暗表示となり、電圧を印加
した状態では明表示となる。

【０００４】しかしながら、上記のＴＮ型液晶表示装置
では、一般的に視角特性が十分でないという欠点があ
る。すなわち、液晶表示装置に表示された画像を正面か
ら見たときは良好なコントラストが得られるものの、斜
め方向から見たときにコントラストが低下したり、極端
な場合には明暗が反転してしまう。視角特性が良好な液
晶表示装置として、ＩＰＳ型表示装置が開発されている
（特開平６−１６０８７８号公報、特開平９−２３０３
６１号公報等）。

【０００５】図１７（ａ）は、従来のＩＰＳ型液晶表示
装置を示す平面図、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のＥ−
Ｅ線による断面図である。ＩＰＳ型液晶表示装置は、対
向して配置されたガラス基板１１０及びガラス基板１２
０と、これらのガラス基板１１０，１２０間に封入され
た液晶１２９と、ガラス基板１１０の下側及びガラス基
板１２０の上側にそれぞれ配置された偏光板（図示せ
ず）とにより構成されている。

【０００６】ガラス基板１１０の上には、相互に配向に
配置された複数本のゲートバスライン１１１ａと、ゲー
トバスライン１１１ａに平行に配置されたコモン配線１
１１ｂと、ゲートバスライン１１１ａに直角に交差する
複数本のデータバスライン１１６ａとが形成されてい
る。ゲートバスライン１１１ａ及びデータバスライン１
１６ａにより区画された複数の矩形状の領域がそれぞれ
画素領域である。

【０００７】各画素領域にはＴＦＴ１１９と、縦方向に
配置された複数本の表示電極１１６ｄと、表示電極１１
６ｄに平行に配置されたコモン電極１１１ｄとが設けら
れている。ゲートバスライン１１１ａ、コモン配線１１
１ｂ、コモン電極１１１ｄ及びＴＦＴ１１９のゲート電
極はいずれもアルミニウム等の金属からなり、下層導電
層として同一の工程で形成される。そして、ＴＦＴ１１
９のゲート電極はゲートバスライン１１１ａに接続され
ており、コモン電極１１１ｄはコモン配線ｌ１１ｂに接
続されている。

【０００８】下層導電層の上には層間絶縁膜１１２が形
成されており、この層間絶縁膜１１２の上にはデータバ
スライン１１６ａ、ＴＦＴ１１９のドレイン電極及びソ
ース電極並びに表示電極１１６ｄが形成されている。こ
れらのデータバスライン１１６ａ、ＴＦＴ１１９のドレ
イン電極及びソース電極並びに表示電極１１６ｄもアル
ミニウム等の金属からなり、上層導電層として同一の工
程で形成される。上層導電層の上には保護膜（絶縁膜）
１１７が形成されており、この保護膜の上にはポリイミ
ド等からなる配向膜１１８が形成されている。

【０００９】一方、ガラス基板１２０の下面側には、ク
ロム等の金属又は金属化合物からなるブラックマトリク
ス１２１及びカラーフィルタ１２２が形成されている。
ブラックマトリクス１２１はデータバスライン１１６ａ
の上方を覆うように形成されている。また、各画素領域
毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）又は青（Ｂ）のいずれか１色の
カラーフィルタ１２２が配置されている。ブラックマト
リクス１２１及びカラーフィルタ１２２の下側には、ポ
リイミド等からなる配向膜１２３が形成されている。

【００１０】このように構成されたＩＰＳ型液晶表示装
置において、表示電極１１６ｄとコモン電極１１１ｄと
の間に電圧を印加しない状態では、図１８（ａ）に示す
ように、液晶分子１２９ａは配向膜１１８，１２３の配
向処理方向に配向する。ガラス基板１１０の下側から偏
光板を透過して液晶層に入射した光は、偏光状態を変え
ずに液晶層を通過して基板１２０側に出射される。そし
て、他方の偏光板で遮断されて、黒表示となる。一方、
表示電極１１６ｄとコモン電極１１１ｄとの間に電圧を
印加すると、図１８（ｂ）に示すように、液晶分子１２
９ａは電界の方向に沿って配向方向を変える。このた
め、ガラス基板１１０の下側から偏光板を透過して液晶
層に入射した光は液晶層で偏光状態を変化させられて他
方の偏光板を通過し、白表示となる。このようにして、
表示電極１１６ｄに印加する電圧を制御することによ
り、各画素毎の光の透過率を制御し、所望の画像を表示
することができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本願発
明者は、上述した従来のＩＰＳ型液晶表示装置には以下
に示す問題点があると考える。 ＩＰＳ型液晶表示装置においては、液晶分子の配向方
向を制御するための２つの電極（表示電極１１６ｄ及び
コモン電極１１１ｄ）がいずれもガラス基板１１０側に
あり、これらの電極はアルミニウム等の金属により形成
されている。また、ＩＰＳ型液晶表示装置では、コモン
電極１１１ｄを一定の電位に維持するために、コモン配
線１１１ｂがゲートバスライン１１１ａに平行配置され
ている。このため、表示に寄与する部分の面積が少なく
なり、明るくコントラストが高い画像を表示することが
困難である。

【００１２】ＩＰＳ型液晶表示装置では、縦方向にク
ロストークが生じることが知られている。例えば、黒地
に白い四角を表示する場合、図１９（ａ）に示すように
白い四角の上下の部分（図中斜線で示す部分）に白い帯
が生じる。この現象は、特に斜め方向から画像を見たと
きに目立つ。これは、図１９（ｂ）に示すように、コモ
ン電極１１１ｄとデータバスライン１１０ａとの間の隙
間を通った光が液晶表示装置を透過するために発生す
る。

【００１３】画面の全面に黒を表示する場合には、デー
タバスライン１１６ａの電圧はコモン電極１１１ｄの電
圧とほぼ同じであり、コモン電極１１１ｄとデータバス
ライン１１６ａとの間の液晶には電界が印加されず、漏
れ光は生じない。これに対して、黒地に白い四角を表示
する場合は、白い四角を表示する部分の上下の領域で
は、データバスライン１１６ａに電圧が印加されるた
め、コモン電極１１１ｄとデータバスライン１１６ａと
の間に電界が発生し、この電界に沿って液晶分子が配向
する。従って、図１９（ｂ）に示すように、基板１１０
の下側から液晶層に入射した偏光光は、ブラックマトリ
クス１２１の表面で反射され、更にコモン電極１１１ｄ
の表面で反射されて、カラーフィルタ１１２及びガラス
基板１２０を透過する。この漏れ光のために、本来は黒
に表示される部分が白っぽくなる。この現象をクロスト
ークという。

【００１４】このクロストークを防ぐために、黒い色素
が混合された樹脂を使用してブラックマトリクスを形成
することもある。しかし、樹脂製のブラックマトリクス
は光吸収率が低いため、漏れ光を防止する効果が十分で
はなく、コントラストが全体的に低くなるという問題が
生じている。また、金属製のブラックマトリクスの上に
樹脂製のブラックマトリクスを重ねることも考えられる
が、そうすると工程数が多くなって煩雑であるととも
に、製造コストの増大を招く。

【００１５】ＩＰＳ型液晶表示装置に限らず、ＴＮ型
液晶表示装置においても、焼付きという現象が発生す
る。これは、例えば図２０に示すように、黒地に白い四
角を長時間表示した後に、全面を中間調（灰色）表示に
切換えたときに、それまで黒を表示していた部分と白を
表示していた部分とで輝度が異なってしまう現象であ
る。

【００１６】以上から本発明の目的は、開口率が高く、
明るい画像を表示することができるＩＰＳ型液晶表示装
置及びその駆動方法を提供することである。また、本発
明の他の目的は、漏れ光によるクロストークを防止し、
表示品質が良好な液晶表示装置を提供することである。
更に本発明の他の目的は、焼付きが発生しにくく、表示
品質が良好な液晶表示装置を提供することである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記したの課題は、図
１に例示するように、第１の基板１０及び第２の基板２
０間に液晶２９を封入して構成された液晶表示装置にお
いて、前記第１の基板１０の前記第２の基板２０側の面
に形成された複数本のゲートバスライン１１ａと、前記
第１の基板１０の前記第２の基板２０側の面に形成され
て前記ゲートバスライン１１ａに交差する複数本のデー
タバスライン１６ａと、ｎ番目（ｎは１，２，…）の前
記ゲートバスライン１１ａ、ｎ＋１番目の前記ゲートバ
スライン１１ａ、ｍ番目（ｍは１，２，…）の前記デー
タバスライン１６ａ及びｍ＋１番目の前記データバスラ
イン１６ａにより区画される画素領域内に配置された１
又は複数本の表示電極１６ｄと、ゲート電極が前記ｎ番
目のゲートバスライン１６ａに電気的に接続され、ドレ
イン電極が前記ｍ番目のデータバスライン１６ａに電気
的に接続され、ソース電極が前記表示電極１６ｄに電気
的に接続された薄膜トランジスタ１９と、前記表示電極
１６ｄから離間して配置され、かつ前記ｎ＋１番目のゲ
ートバスライン１１ａに電気的に接続された１又は複数
本のコモン電極１１ｃ，１１ｄとを有する液晶表示装置
により解決する。

【００１８】上記のように構成された液晶表示装置にお
いては、従来必要とされていたコモン配線がなく、画素
領域の開口率が向上する。これにより、明るくコントラ
ストが良好な画像を表示することができる。この場合、
表示電極とコモン電極とをいずれも上層導電層に形成す
ることが好ましい。表示電極とコモン電極とをいずれも
上層導電層に形成した場合、これらの電極の上に絶縁層
がないので、絶縁膜に電界が蓄積されて表示品質が低下
することを回避できる。但し、コモン電極を上層配線に
形成すると、コモン電極とゲート配線とを接続するため
の配線が必要になり、その分開口率が低下する。従っ
て、開口率を優先する場合は、コモン電極を下層導電層
に形成してもよい。

【００１９】また、コモン電極を下層導電層に形成する
場合、コモン電極とデータバスラインとが一部重なるよ
うに形成することが好ましい。これにより、コモン電極
とデータバスラインとの間の隙間から光が漏れることが
回避される。また、上記したの課題は、図４に例示す
るように、第１の基板及び第２の基板間に液晶を封入し
た液晶表示装置において、前記第１の基板３０の前記第
２の基板側の面に形成された複数本のゲートバスライン
３１ａと、前記第１の基板３０の前記第２の基板側の面
に形成されて前記ゲートバスライン３１ａに交差する複
数本のデータバスライン３６ａと、ｎ番目（ｎは１，
２，…）の前記ゲートバスライン３１ａ、ｎ＋１番目の
前記ゲートバスライン３１ａ、ｍ番目（ｍは１，２，
…）の前記データバスライン３６ａ及びｍ＋１番目の前
記データバスライン３６ａにより区画される画素領域内
に配置された１又は複数本の表示電極３６ｄと、ゲート
電極が前記ｎ番目のゲートバスライン３１ａと電気的に
接続され、ドレイン電極が前記ｍ番目のデータバスライ
ン３６ａと電気的に接続され、ソース電極が前記表示電
極３６ｄと電気的に接続された第１の薄膜トランジスタ
３９ａと、前記表示電極３６ｄから離間して配置された
１又は複数本のコモン電極３１ｃ，３１ｄと、ゲート電
極が前記ｎ番目のゲートバスライン３１ａと電気的に接
続され、ドレイン電極が前記ｎ＋１番目のゲートバスラ
イン３１ａと電気的に接続され、ソース電極が前記コモ
ン電極３１ｃ，３１ｄと電気的に接続された第２の薄膜
トランジスタ３９ｂとを有することを特徴とする液晶表
示装置により解決する。

【００２０】このように構成された液晶表示装置では、
コモン電極とゲートバスラインとの間に薄膜トランジス
タが接続されているので、データ書込み時とデータ保持
時とのコモン電極の電圧の変化が回避される。また、こ
の液晶表示装置では、通常コモン電極を第２の薄膜トラ
ンジスタのソース電極と同一層、すなわち上層導電層に
形成することになるが、その場合は下層導電層にゲート
バスラインと第２の薄膜トランジスタのドレイン電極と
の間を接続するコモン配線が必要となる。このコモン配
線をデータバスライン及びコモン電極と一部が重なるよ
うに形成することにより、データバスラインとコモン電
極との間の隙間からの漏れ光を遮断することができる。

【００２１】上記したの課題は、図３に例示するよう
に、対向して配置された２枚の基板のうちの一方の基板
に、複数本のゲートバスライン（Ｇ1 ，Ｇ2 ，…）と、
前記ゲートバスライン（Ｇ1 ，Ｇ2 ，…）に交差する複
数本のデータバスライン（Ｄ1 ，Ｄ2 ，…）と、ｎ番目
（ｎは１，２，…）の前記ゲートバスライン（Ｇ1 ，Ｇ
2 ，…）、ｎ＋１番目の前記ゲートバスライン（Ｇ1 ，
Ｇ2 ，…）、ｍ番目（ｍは１，２，…）の前記データバ
スライン（Ｄ1 ，Ｄ2 ，…）及びｍ＋１番目の前記デー
タバスライン（Ｄ1 ，Ｄ2 ，…）により区画される画素
領域内に配置された１又は複数本の表示電極（Ｓ1 ，Ｓ
2 …）と、ゲート電極が前記ｎ番目のゲートバスライン
（Ｇ1 ，Ｇ2 ，…）に電気的に接続され、ドレイン電極
が前記ｍ番目のデータバスライン（Ｄ1 ）に電気的に接
続され、ソース電極が前記表示電極（Ｓ1 ，Ｓ2 ，…）
に電気的に接続された薄膜トランジスタＴＦＴ1 ，ＴＦ
Ｔ2 ，…と、前記表示電極（Ｓ1 ，Ｓ2 ，…）から離間
して配置され、かつ前記ｎ＋１番目のゲートバスライン
（Ｇ1 ，Ｇ2 ，…）に電気的に接続された１又は複数本
のコモン電極（Ｃ1 ，Ｃ2 ，…）とが形成された液晶表
示装置の駆動方法において、前記ゲートバスライン（Ｇ
1 ，Ｇ2 ，…）に、表示データ書込み時の前記コモン電
極の電位を決定する基準電圧（例えば、０Ｖ）、前記薄
膜トランジスタをオンにする第１の電圧（例えば、＋１
５Ｖ）及び前記薄膜トランジスタをオフにする第２の電
圧（例えば、−１０Ｖ）を経時的に供給することを特徴
とする液晶表示装置の駆動方法により解決する。

【００２２】上記の液晶表示装置の駆動方法によれば、
薄膜トランジスタのゲート電極に第１の電圧が印加され
ている画素領域の表示電極には、薄膜トランジスタがオ
ン状態となるので表示データが書き込まれる。また、薄
膜トランジスタのゲート電極に第２の電圧が印加されて
る画素領域には、薄膜トランジスタがオフ状態となるの
で、表示データの書込みは行われない。薄膜トランジス
タのゲート電極に基準電圧が印加されている画素領域で
は、表示データの電圧によっては表示データの誤書込み
が行われてしまう。しかし、そのような画素は次の垂直
同期期間でデータの書込みが行われるので、誤書き込み
による表示品質の劣化は実質的に無視することができ
る。

【００２３】このような駆動方法により、コモン配線を
省略して開口率を向上させた液晶表示装置を駆動するこ
とができる。また、上記したの課題は、図５に例示す
るように、対向して配置された２枚の基板のうちに一方
の基板に、複数本のゲートバスライン（Ｇ1 ，Ｇ2 ，
…）と、前記ゲートバスライン（Ｇ1 ，Ｇ2 ，…）に交
差する複数本のデータバスライン（Ｄ1 ，Ｄ2 ，…）
と、ｎ番目（ｎは１，２，…）の前記ゲートバスライン
（Ｇ1 ，Ｇ2 ，…）、ｎ＋１番目の前記ゲートバスライ
ン（Ｇ1 ，Ｇ2 ，…）、ｍ番目（ｍは１，２，…）の前
記データバスライン（Ｄ1 ，Ｄ2 ，…）及びｍ＋１番目
の前記データバスライン（Ｄ1 ，Ｄ2 ，…）により区画
される画素領域内に配置された１又は複数本の表示電極
（Ｓ1 ，Ｓ2 ，…）と、ゲート電極が前記ｎ番目のゲー
トバスライン（Ｇ1 ，Ｇ2 ，…）に接続され、ドレイン
電極が前記ｍ番目のデータバスライン（Ｄ1 ，Ｄ2 ，
…）に接続され、ソース電極が前記表示電極（Ｓ1 ，Ｓ
2 ，…）と接続された第１の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ
11，ＴＦＴ21，…）と、前記表示電極（Ｓ1 ，Ｓ2 ，
…）から離間して配置された１又は複数本のコモン電極
（Ｃ1 ，Ｃ2 ，…）と、ゲート電極が前記ｎ番目のゲー
トバスライン（Ｇ1 ，Ｇ2 ，…）に電気的に接続され、
ドレイン電極が前記ｎ＋１番目のゲートバスライン（Ｇ
1 ，Ｇ2 ，…）に電気的に接続され、ソース電極が前記
コモン電極に電気的に接続された第２の薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ12，ＴＦＴ22，…）とが形成された液晶表示
装置の駆動方法において、前記ゲートバスライン（Ｇ1
，Ｇ2 ，…）に、表示データ書込み時の前記コモン電
極の電位を決定する基準電圧（例えば、０Ｖ）、前記第
１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタをオ
ンにする第１の電圧（例えば、＋１５Ｖ）及び前記第１
の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタをオフ
にする第２の電圧（例えば、−１０Ｖ）が経時的に供給
されることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法により
解決する。

【００２４】上記駆動方法はｎ番目のデータバスライン
と表示電極との間を接続する第１の薄膜トランジスタ
と、ｎ＋１番目のデータバスラインとコモン電極との間
を接続する第２の薄膜トランジスタとを有する液晶表示
装置の駆動方法である。この駆動方法により、ゲート配
線に沿って水平方向に延びるコモン配線を省略して開口
率を向上させた液晶表示装置を駆動することができる。

【００２５】上記したの課題は、図７〜図９に例示す
るように、第１の基板４０及び第２の基板間５０間に液
晶を封入して構成され、複数の画素領域の光透過率を個
別に制御して画像を表示する液晶表示装置において、前
記第１の基板４０には、前記画素領域を画定する複数本
のデータバスライン４６ａ及び複数本のゲートバスライ
ン４１ａを有し、前記第２の基板５０には、前記画素領
域間を遮光する金属又は金属化合物からなるブラックマ
トリクス５１と、各画素領域毎に透過光の色を決めるカ
ラーフィルタ５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂとを有し、前記カ
ラーフィルタ５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂが画素領域から前
記ブラックマトリクス５１上を通って隣の画素領域まで
延在し、前記ブラックマトリクス５１の上には少なくと
も２色のカラーフィルタに覆われ、その２色のカラーフ
ィルタの重なり部分の幅Ｗ3 が前記ブラックマトリクス
Ｗ2 の幅よりも広いことを特徴とする液晶表示装置によ
り解決する。

【００２６】上記構成の液晶表示装置においては、ブラ
ックマトリクスの上に少なくとも２色のカラーフィルタ
を重ねて、ブラックマトリクスで反射される光を低減す
る。液晶表示装置のバックライトとして一般的に使用さ
れている冷陰極管では、赤色、緑色及び青に対応する波
長のピークが高く、赤色のカラーフィルタを透過する光
は緑色又は青色のカラーフィルタを透過することが困難
であり、緑色のカラーフィルタを透過する光は赤色又は
青色のカラーフィルタを透過することが困難であり、青
色のカラーフィルタを透過する光は赤色又は緑色のカラ
ーフィルタを透過することが困難である。従って、２色
以上のカラーフィルタを重ねることにより、ブラックマ
トリクスで反射される光の光量を著しく低減することが
できる。

【００２７】このように、本発明では、カラーフィルタ
の重なり部分をブラックマトリクスの一部として使用す
るので、製造工程の増加を回避しつつ、ブラックマトリ
クスでの反射に起因するクロストークを防止することが
できる。なお、この発明は、ＩＰＳ型液晶表示装置だけ
でなく、金属製の補助容量電極を有するＴＮ型液晶表示
装置にも適用することができる。

【００２８】垂直方向に同じ色のカラーフィルタを有す
る画素が並ぶ液晶表示装置では、カラーフィルタはＲＧ
Ｂのストライプ状となり、カラーフィルタの重なり部分
がデータバスラインに平行となる。また、ＩＰＳ型液晶
表示装置の場合、カラーフィルタの重なり部分をコモン
電極の上方まで延在させることにより、ブラックマトリ
クスでの反射に起因するクロストークをより確実に防止
することができる。

【００２９】上記したの課題は、図１５に例示するよ
うに、第１の基板８０及び第２の基板９０間に液晶９９
を封入して構成された液晶表示装置において、前記第１
の基板８０の第２の基板９０側の面に形成された複数本
のゲートバスライン８１ａと、前記第１の基板８０の前
記第２の基板９０側の面に形成されて前記ゲートバスラ
イン８１ａに交差する複数本のデータバスライン８６ａ
と、前記ゲートバスライン８１ａ及び前記データバスラ
イン８６ａにより区画された画素領域内に配置された１
又は複数本の表示電極８６ｄと、前記画素領域内に前記
表示電極８６ｄと離間して配置された１又は複数本のコ
モン電極８１ｄと、前記第１の基板８０に前記表示電極
８６ｄ及び前記コモン電極８１ｄを覆うようにして形成
された第１の配向膜８８と、前記第２の基板９０の前記
第１の基板８０側の面に形成され、前記第１の配向膜８
８と電気的性質が異なる第２の配向膜９１とを有するこ
とを特徴とする液晶表示装置により解決する。

【００３０】本願発明者らの研究から、焼付きは配向膜
と液晶との界面に蓄積される電荷により発生することが
判明している。従って、電荷が蓄積されにくい配向膜を
使用することにより、焼付きを防止することができる。
例えば、配向膜として体積抵抗が１０¹⁰Ωｃｍのものを
使用すると、配向膜と液晶との界面への電荷の蓄積が防
止される。しかし、両方の配向膜をいずれも体積抵抗が
小さいものとすると、電圧保持率が低下して表示性能が
劣化する。

【００３１】本願発明者らの研究により、液晶表示装置
の焼付き現象は、駆動電極が形成された基板側の配向膜
に依存することが判明した。駆動電極が形成された基板
側の配向膜として体積抵抗が低いものを使用すると、配
向膜に蓄積される電荷が少なくなり、焼付きが防止され
る。一方、電圧保持特性は、第１基板側の配向膜と第２
の基板側の配向膜のうち、電圧保持特性が高い配向膜に
依存することが判明した。従って、本発明においては、
表示電極及びコモン電極が形成された第１の基板側の配
向膜として、体積抵抗が低い配向膜、例えばポリアミッ
ク酸により形成された配向膜を使用し、第２の基板側の
配向膜として、体積抵抗が高い配向膜、例えばポリイミ
ドからなる配向膜を使用する。

【００３２】なお、ＴＮ型液晶表示装置では、駆動電極
（画素電極及び対向電極）が異なる基板にあるので、一
方の側の配向膜と他方の側の配向膜との電気的特性が異
なる場合、いずれか一方の配向膜に電荷が蓄積されてゆ
き、表示品質が著しく劣化する。しかし、ＩＰＳ型液晶
表示装置では、一方の基板側に駆動電極（表示電極及び
コモン電極）があるので、前述したように一方の基板側
の配向膜と他方の基板側の配向膜とで電気的特性が異な
るものを使用しても、配向膜への電荷の蓄積が回避さ
れ、表示品質が劣化することはない。

【００３３】また、従来、ＩＰＳ型液晶表示装置には、
液晶分子の動きが遅い、印加電圧が高いという問題点が
ある。これらの問題点を解決するための手段として、シ
アノ系の液晶が使用されている。しかし、このような場
合、配向膜に蓄積される電荷に起因する非対称な電圧に
よってシアノ系液晶が分解されることが知られている。
このため、配向膜に電荷が蓄積されることを防ぐために
は、配向膜として抵抗が比較的小さいものを使用する必
要がある。しかしながら、前述したように、第１の基板
側の配向膜と第２の基板側の配向膜の両方に抵抗が小さ
いものを使用すると、電圧保持率が低下して、表示が劣
化する。本発明においては、駆動電極が形成されている
基板側の配向膜として体積抵抗が小さいものを使用し、
駆動電極が形成されてない基板側の配向膜に体積抵抗が
大きいものを使用することにより、シアノ系液晶の使用
を可能としている。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１（ａ）は本発明の第１の実施
の形態の液晶表示装置を示す平面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ線による断面図である。また、図２は同
じくその液晶表示装置の導電層のパターンを示す図であ
り、実線は上層導電層のパターンを示し、破線は下層導
電層のパターンを示す。なお、図１（ａ）及び図２はい
ずれも液晶表示装置の１つの画素領域を示す。

【００３５】本実施の形態の液晶表示装置は、対向して
配置されたガラス基板１０及びガラス基板２０と、これ
らのガラス基板１０，２０の間に封入された液晶２９
と、ガラス基板１０の下側及びガラス基板２０の上側に
それぞれ配置された偏光板（図示せず）とにより構成さ
れている。ガラス基板１０上には、相互に平行に配置さ
れた複数本のゲートバスライン１１ａと、ゲートバスラ
イン１１ａに直角に交差する複数本のデータバスライン
１６ａとが形成されている。これらのゲートバスライン
１１ａとデータバスライン１６ａとにより区画された複
数の矩形状の領域がそれぞれ画素領域である。ガラス基
板１０上には、例えば水平方向に２４００個（８００×
Ｒ・Ｇ・Ｂ）、垂直方向に６００個の画素領域が並んで
いる。

【００３６】各画素領域には、ＴＦＴ１９と、画素領域
の中央に縦方向に配置された１本の表示電極１６ｄと、
画素領域の横方向の両端側にそれぞれ配置された２本の
コモン電極１１ｃ，１１ｄと、ゲートバスライン１１ａ
の上に重なるように配置された補助容量電極１６ｅとが
設けられている。補助容量電極１６ｅは、その下方のゲ
ートバスライン１１ａとともに補助容量を構成する。

【００３７】図２に示すように、ゲートバスライン１１
ａ、ＴＦＴ１９のゲート電極１１ｂ、コモン電極１１ｃ
は下層導電層に形成されている。ゲート電極１１ｂは画
素領域の上側のゲートバスライン１１ａと接続されてお
り、コモン電極１１ｃ，１１ｄは下側のゲートバスライ
ン１１ａと接続されている。これらのゲートバスライン
１１ａ、ＴＦＴ１９のゲート電極１１ｂ及びコモン電極
１１ｃの上には、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＮから
なる層間絶縁膜１２が形成されている。層間絶縁膜１２
の上には、ＴＦＴ１９を構成するアモルファスシリコン
膜１３、チャネル保護膜１４、不純物が導入されたアモ
ルファスシリコン膜１５、ドレイン電極１６ｂ及びソー
ス電極１６ｃが形成されている。

【００３８】ドレイン電極１６ｂは画素領域の左側のデ
ータバスライン１６ａと接続されている。また、ソース
電極１６ｃは、ゲートバスライン１１ａと平行に延在し
て表示電極１６ｄの上端部に接続されている。これらの
データバスライン１６ａ、ドレイン電極１６ｂ、ソース
電極１６ｃ、表示電極１６ｄ及び補助容量電極１６ｅが
形成された上層導電層の上にはＳｉＮからなる保護膜１
７が形成されており、その保護膜１７の上には配向膜１
８が形成されている。この配向膜１８の表面には、表示
電極１６ｄにほぼ直交する方向にラビング処理が施され
ている。

【００３９】また、ガラス基板２０の下側にも配向膜２
１が形成されている。この配向膜２１の表面も、配向膜
１８のラビング方向と同じ方向にラビング処理が施され
ている。なお、ガラス基板１０，２０の間には、両者の
間の間隔が一定になるように、球形又は円柱形のスペー
サ（図示せず）が配置されている。また、カラー液晶表
示装置の場合、ガラス基板２０側にカラーフィルタ及び
ブラックマトリクスが形成されているが、図２ではそれ
らの図示を省略している。

【００４０】図３は、本実施の形態の液晶表示装置の駆
動方法を示す模式図である。ここでは、縦方向に並んだ
４つの画素を示している。画素Ａはデータが書き込まれ
た直後の画素、画素Ｂはデータ書込み中の画素、画素Ｃ
は次にデータが書き込まれる画素、画素Ｄは画素Ｃの次
にデータが書き込まれる画素であるとする。なお、図３
のゲートバスラインＧ１〜Ｇ５、データバスラインＤ
１，Ｄ２、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４、表示電極Ｓ１〜Ｓ４及
びコモン電極Ｃ１〜Ｃ４は、図１のゲートバスライン１
１ａ、データバスライン１６ａ、ＴＦＴ１９、表示電極
１６ｄ及びコモン電極１１ｃ，１１ｄにそれぞれ対応し
ている。

【００４１】液晶表示装置では、縦方向に並んだ複数本
のゲートバスラインＧ１，Ｇ２，…に対し、垂直同期信
号に同期したタイミングで走査信号を上から順番に供給
する。そして、走査信号が供給されている画素にデータ
バスラインＤ１，Ｄ２，…を介してデータ信号を供給す
ることにより、特定の画素に特定の表示データを書き込
む。

【００４２】画素Ｂにデータを書き込むためには、ゲー
トバスラインＧ２に電圧が＋１５Ｖのパルス信号（走査
信号）を供給してＴＦＴ２を一定時間だけオンにする。
また、データバスラインＤ１には、ＴＦＴ２がオンの間
に、表示データとして−５Ｖから＋５Ｖまでの範囲の電
圧を供給する。このとき、ゲートバスラインＧ１、Ｇ
４、Ｇ５には−１０Ｖの電圧を印加して、画素Ａ及び画
素ＤのＴＦＴ１，ＴＦＴ４をオフにする。また、画素Ｂ
のコモン電極Ｃ２を０Ｖとする。すなわち、ゲートバス
ラインＧ３の電圧を０Ｖとする。

【００４３】図３のように各ゲートバスラインＧ１〜Ｇ
５及びデータバスラインＤ１に電圧を印加したとき、Ｔ
ＦＴ２がオンになって表示電極Ｓ２に表示データ（±５
Ｖの範囲の信号）が書き込まれる。このとき、画素Ａ及
び画素Ｄでは、ゲートバスラインＧ１，Ｇ４がいずれも
−１０Ｖであるので、ＴＦＴ１，ＴＦＴ４はいずれもオ
フ状態となっている。従って、データバスラインＤ１に
供給された表示データは画素Ａ及び画素Ｄに書込みされ
ない。

【００４４】画素Ｃでは、ＴＦＴ３のゲート電圧が０Ｖ
であるので、データバスラインＤ１に供給された表示デ
ータの電圧が負のときはＴＦＴ３がオンになり、表示電
極Ｓ３に表示データが書き込まれてしまう。しかし、次
の垂直同期期間では画素Ｃに対して表示データの書込み
が行われるので、画素Ｂに表示データを書込む際に同時
に画素Ｃに表示データが書き込まれる誤書き込みが発生
したとしても、次の垂直同期期間で画素Ｃに正しい表示
データが書き込まれるので、誤書き込みによる影響は実
質的に無視できる。

【００４５】画素Ｂへの表示データの書込みが終了する
と、次の垂直同期期間ではゲートバスラインＧ２に−１
０Ｖの電圧が供給され、ゲートバスラインＧ３に＋１５
Ｖの電圧が供給され、ゲートバスラインＧ４に０Ｖの電
圧が供給される。これにより、画素ＢのＴＦＴ２はオフ
状態になり、表示電極Ｓ２がいわゆるフロート状態とな
る。このとき、コモン電極Ｃ２の電圧が０Ｖから−１０
Ｖに変化するものの、表示電極Ｓ２とコモン電極Ｃ２と
の間には表示電極Ｓ２に書き込まれた表示データに応じ
た強度の電界が発生し、表示電極Ｓ２がフロート状態の
ため、そのまま保持される。従って、画素Ｂの液晶分子
は電界の方向及び強度に応じた方向に配向し、画素Ｂの
光透過率が決まる。この表示電極Ｓ２とコモン電極Ｃ２
との間の電界強度は、次にゲートバスラインＧ２が０Ｖ
になるまで保持される。

【００４６】本実施の形態においては、表示電極１６ｄ
（Ｓ１，Ｓ２，…）とコモン電極１１ｃ，１１ｄ（Ｃ
１，Ｃ２，…）との電圧差が、データ書込み時とデータ
保持時とで異なる。しかし、例えばゲートバスラインの
数が６００本であるとすると、１フレーム期間のうちの
５９８／６００の時間は同じ電圧差が保持されるので、
表示電極１６ｄ（Ｓ１，Ｓ２，…）とコモン電極１１
ｃ，１１ｄ（Ｃ１，Ｃ２，…）との電位差の変化による
表示の劣化は実質的に無視することができる。

【００４７】本実施の形態の液晶表示装置は、コモン電
極１６ｄがゲートバスライン１１ａに接続されており、
従来必要とされていたコモン電極を一定電位にするため
の配線が不要であるので、画素領域のうち表示に寄与す
る部分の面積が多く、開口率が高い。従って、明るくコ
ントラストが高い画像の表示が可能である。また、本実
施の形態においては、コモン電極１１ｃ，１１ｄがデー
タバスライン１６ａに一部重なるように形成しているの
で、コモン電極１１ｃ，１１ｄとデータバスライン１６
ａとの間から光が漏れるおそれがないという利点もあ
る。

【００４８】（第２の実施の形態）図４（ａ）は本発明
の第２の実施の形態の液晶表示装置の１つの画素領域を
示す平面図、図４（ｂ）は同じくその液晶表示装置の導
電層のパターンを示す図であり、実線は上層導電層のパ
ターンを示し、破線は下層導電層のパターンを示す。な
お、ＴＦＴ部分における断面図及び上側ガラス基板の構
成は基本的に第１の実施の形態と同様であるので、ここ
では断面図及び上側ガラス基板の図示を省略している。

【００４９】ガラス基板３０上には、相互に平行に配置
された複数本のゲートバスライン３１ａと、ゲートバス
ライン３１ａに直角に交差する複数本のデータバスライ
ン３６ａとが形成されている。これらのゲートバスライ
ン３１ａとデータバスライン３６ａとにより区画された
矩形の領域がそれぞれ画素領域である。各画素領域に
は、それぞれ２つのＴＦＴ３９ａ，３９ｂと、画素領域
の中央に縦方向に配置された１本の表示電極３６ｄと、
画素領域の横方向の両側にそれぞれ配置された２本のコ
モン電極３６ｅ，３６ｆと、画素領域の下側のゲートバ
スライン３１ａに沿って配置されてコモン電極３６ｅ，
３６ｆ間を電気的に接続する補助容量電極３６ｇと、ゲ
ートバスライン３１ａに接続されたコモン配線３１ｃ，
３１ｄとが形成されている。

【００５０】本実施の形態においては、下層導電層にゲ
ートバスライン３１ａ、ＴＦＴ３９ａ，３９ｂの共通ゲ
ート電極３１ｂ、コモン配線３１ｃ，３１ｄが形成され
ており、上層導電層にデータバスライン３６ａ、ＴＦＴ
３９ａのドレイン電極３６ｂ及びソース電極３６ｃ、表
示電極３６ｄ、コモン電極３６ｅ，３６ｆ、補助容量電
極３６ｇ、ＴＦＴ３９ｂのドレイン電極３６ｈ及びソー
ス電極３６ｉが形成されている。そして、ソース電極３
６ｃは画素領域の上側のゲートバスライン３１ａと一部
重なっており、コモン配線３１ｃは左側のデータバスラ
イン３６ａ及びコモン電極３６ｅと一部重なっており、
コモン配線３１ｄは右側のデータバスライン３６ａ及び
コモン電極３６ｆと一部重なっており、補助容量電極３
６ｇは下側のデータバスライン３１ａと一部重なってい
る。

【００５１】ＴＦＴ３９ａは、ゲート電極３１ｂ、ドレ
イン電極３６ｂ及びソース電極３６ｃにより構成されて
おり、ＴＦＴ３９ｂは、ゲート電極３１ｂ、ドレイン電
極３６ｈ及びソース電極３６ｉにより構成されている。
この例では、２つのＴＦＴ３９ａ，３９ｂがいずれも画
素領域内の左上の部分に形成されている。図５は、本実
施の形態の液晶表示装置の駆動方法を示す模式図であ
る。ここでは、縦方向に並んだ４つの画素を示してい
る。画素Ａはデータが書き込まれた直後の画素、画素Ｂ
がデータ書込み中の画素、画素Ｃは次にデータが書き込
まれる画素、画素Ｄは画素Ｃの次にデータが書き込まれ
る画素であるとする。なお、図５のゲートバスラインＧ
１〜Ｇ５、データバスラインＤ１，Ｄ２、ＴＦＴ11，Ｔ
ＦＴ21，…，ＴＦＴ41、ＴＦＴ12，ＴＦＴ21，…，ＴＦ
Ｔ42、表示電極Ｓ１〜Ｓ４及びコモン電極Ｃ１〜Ｃ４
は、図４のゲートバスライン３１ａ、データバスライン
３６ａ、ＴＦＴ３９ａ、ＴＦＴ３９ｂ、表示電極３６ｄ
及びコモン電極３６ｅ，３６ｆにそれぞれ対応してい
る。

【００５２】画素Ｂにデータを書き込むためには、ゲー
トバスラインＧ２に＋１５Ｖのパルス信号（走査信号）
電圧を印加してＴＦＴ21，ＴＦＴ22を一定時間だけオン
にする。また、データバスラインＤ１には、ＴＦＴ21，
ＴＦＴ22がオンの間に、表示データとして−５Ｖから＋
５Ｖまでの範囲の電圧を供給する。このとき、画素Ａ及
び画素ＤのＴＦＴ11，ＴＦＴ12，ＴＦＴ41，ＴＦＴ42を
オフにするため、ゲートバスラインＧ１、Ｇ４には−１
０Ｖの電圧を印加する。また、画素Ｂのコモン電極Ｃ２
を０Ｖとするために、ゲートバスラインＧ３の電圧は０
Ｖとする。

【００５３】図５のように各ゲートバスラインＧ１〜Ｇ
５及びデータバスラインＤ１に電圧を印加したとき、Ｔ
ＦＴ21，ＴＦＴ22がオンになって表示電極Ｓ２に表示デ
ータ（±５Ｖの範囲の信号）が供給され、コモン電極Ｃ
２に０Ｖが供給される。これにより、表示電極Ｓ２とコ
モン電極Ｃ２との間に基板に平行な電界が発生し、画素
Ｂの液晶分子の配向方向が変化して、画素Ｂの光透過率
が表示電極Ｓ２とコモン電極Ｃ２との間の電界強度に応
じて変化する。

【００５４】このとき、画素Ａ及び画素Ｄでは、ゲート
バスラインＧ１，Ｇ４がいずれも−１０Ｖであるので、
ＴＦＴ11，ＴＦＴ12，ＴＦＴ41，ＴＦＴ42はいずれもオ
フ状態となっている。従って、データバスラインＤ１に
供給された表示データは画素Ａ及び画素Ｄに書込みされ
ない。画素Ｃでは、ＴＦＴ31，ＴＦＴ32のゲート電圧が
０Ｖであるので、データバスラインＤ１に供給された表
示データの電圧が負のときはこれらのＴＦＴ31，ＴＦＴ
32がオンになり、表示電極Ｓ３に表示データが書き込ま
れてしまう。しかし、次の垂直同期期間では画素Ｃに対
して表示データの書込みが行われるので、画素Ｂに表示
データ書込む際に同時に画素Ｃに表示データが書き込ま
れる誤書き込みが発生したとしても、次の垂直同期期間
で画素Ｃに正しい表示データが書き込まれるので、誤書
き込みによる影響は実質的に無視できる。

【００５５】画素Ｂへの表示データの書込みが終了する
と、次の垂直同期期間ではゲートバスラインＧ２に−１
０Ｖの電圧が供給され、ゲートバスラインＧ３に＋１５
Ｖの電圧が供給され、ゲートバスラインＧ４に０Ｖの電
圧が供給される。これにより、画素ＢのＴＦＴ21，ＴＦ
Ｔ22はオフ状態になり、表示電極Ｓ２及びコモン電極Ｃ
２がフロート状態となる。従って、これらの電極Ｓ２，
Ｃ２にはデータ書込み時の電荷が保持される。

【００５６】本実施の形態においては、データ書込み時
のみＴＦＴ３９ｂ（ＴＦＴ12，ＴＦＴ22，…）をオンに
してコモン電極３６ｅ，３６ｆの電圧を０Ｖとし、デー
タ書込みが終了するとＴＦＴ３９ｂをオフにして、コモ
ン電極３６ｅ，３６ｆをゲートバスライン３１ａから電
気的に切り離す。このため、第１の実施の形態と同様の
効果が得られるのに加えて、データ書込み時とデータ保
持時とで電位の変動が回避されるという利点がある。

【００５７】また、本実施の形態においては、ソース電
極３６ｃが画素領域の上側のゲートバスライン３１ａに
一部重なり、コモン配線３１ｃが左側のデータバスライ
ン３６ａ及びコモン電極３６ｅに一部重なり、コモン配
線３１ｄが右側のデータバスライン３６ａ及びコモン電
極３６ｆに一部重なり、補助容量電極３６ｇが下側ゲー
トバスライン３１ａに一部重なっているので、データバ
スライン３６ａ及びゲートバスライン３１ａの近傍の領
域からの光漏れをより確実に回避することができる。

【００５８】更に、本実施の形態においては、表示電極
３６ｄ及びコモン電極３６ｅ，３６ｆの上には配向膜し
かないので、コモン電極と配向膜との間に保護膜（絶縁
膜）が存在する第１の実施の形態に比べて液晶に電界が
かかりやすく、また電極上の絶縁膜と配向膜との界面に
電荷が蓄積されることによる表示の劣化が回避されると
いう利点もある。

【００５９】（第２の実施の形態の変形例）図６は第２
の実施の形態の液晶表示装置の変形例を示す模式図であ
る。この例では、データバスライン（Ｄ１）と表示電極
（Ｓ１，Ｓ２，…）との間に介在するＴＦＴ（ＴＦＴ1
1，ＴＦＴ21，ＴＦＴ31，ＴＦＴ41）を画素領域の左上
側に配置し、ゲートバスライン（Ｇ１，Ｇ２，…）とコ
モン電極（Ｃ１，Ｃ２，…）との間に介在するＴＦＴ
（ＴＦＴ12，ＴＦＴ22，ＴＦＴ32，ＴＦＴ42）を画素領
域の左下に配置している。

【００６０】この液晶表示装置の動作は上記第２の実施
の形態と同じであるので、ここでは説明を省略する。 （第３の実施の形態）図７は本発明の第３の実施の形態
の液晶表示装置を示す平面図、図８は下側ガラス基板の
導電層パターンを示す平面図、図９は図７のＢ−Ｂ線に
よる断面図である。

【００６１】本実施の形態の液晶表示装置は、対向して
配置されたガラス基板４０及びガラス基板５０と、これ
らのガラス基板４０，５０間に封入された液晶５９と、
ガラス基板４０の下側及びガラス基板５０の上側にそれ
ぞれ配置された偏光板（図示せず）により構成されてい
る。ガラス基板４０の上には、相互に平行に配置された
複数本のゲートバスライン４１ａと、これらのゲートバ
スライン４１ａに平行に配置されたコモン配線４１ｂ
と、ゲートバスライン４１ａに直角に交差する複数本の
データバスライン４６ａとが形成されている。ゲートバ
スライン４１ａとデータバスライン４６ａとにより区画
された複数の矩形状の領域がそれぞれ画素領域となる。
画素領域は、例えば横方向に１００μｍのピッチで配置
され、縦方向に３００μｍのピッチで配置されている。

【００６２】各画素領域には、ＴＦＴ４９と、画素領域
の中央部に縦方向に配置された１本の表示電極４６ｅ
と、画素領域の横方向の両側に配置された２本のコモン
電極４１ｄ，４１ｅと、画素領域の上側に配置された補
助容量電極４１ｆと、画素領域の下側に配置された補助
容量電極４６ｆとが設けられている。ゲートバスライン
４１ａ、コモン配線４１ｂ、ＴＦＴ４９のゲート電極４
１ｃ、コモン電極４１ｄ，４１ｅ及び補助容量電極４１
ｆはいずれも下層導電層に形成されている。そして、Ｔ
ＦＴ４９のゲート電極４１ｃはゲートバスライン４１ａ
に接続されており、コモン電極４１ｄ，４１ｅはいずれ
もコモン配線４１ｂに接続されており、補助容量電極４
１ｆはコモン電極４１ｅの上端部に接続されている。

【００６３】一方、データバスライン４６ａ、ＴＦＴ４
９のドレイン電極４６ｂ及びソース電極４６ｃ、表示電
極４６ｅ及び補助容量電極４６ｆは、いずれも上層導電
層に形成されている。ドレイン電極４６ｂはデータバス
ライン４６ａに接続されており、ソース電極４６ｃは水
平方向に延びて表示電極４６ｄに接続されており、補助
容量電極４６ｆは表示電極４６ｅの下端部に接続されて
いる。

【００６４】下層導電層と上層導電層との間は層間絶縁
膜（図示せず）が形成されており、上層導電層の上には
配向膜（図示せず）が形成されている。補助容量電極４
１ｆとその上方のソース電極４６ｃ、及び補助容量電極
４６ｆとその下方のコモン配線４１ｂとにより、それぞ
れ補助容量が構成される。また、ガラス基板５０の下面
側には、データバスライン４６ａと平行に、反射率が低
い酸化クロム等の金属又は金属化合物からなるブラック
マトリクス５１が形成されている。この例では、データ
バスライン４６ａの幅Ｗ1 が４μｍであり、ブラックマ
トリクス５１の幅Ｗ2 が８μｍに設定されている。ま
た、ガラス基板５０の下面側には、青のカラーフィルタ
５２Ｂ、赤のカラーフィルタ５２Ｒ及び緑のカラーフィ
ルタ５２Ｇが形成されている。この例では、例えば３ｎ
（ｎは１，２，…）列目の画素領域には青のカラーフィ
ルタ５２Ｂが形成されており、３ｎ＋１列目の画素領域
には赤のカラーフィルタ５２Ｒが形成されており、３ｎ
＋２列目の画素領域には緑のカラーフィルタ５２Ｇが形
成されている。カラーフィルタ５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂ
の幅Ｗ4 は１１０μｍである。

【００６５】図９に示すように、各カラーフィルタ５２
Ｂ，５２Ｒ，５２Ｇは、ブラックマトリクス５１の下側
を通って隣の画素まで若干延び出している。言い換えれ
ば、ブラックマトリクス５１の下には、青と緑のカラー
フィルタ５２Ｂ，５２Ｇ、青と赤のカラーフィルタ５２
Ｂ，５２Ｒ又は緑と赤のカラーフィルタ５２Ｇ，５２Ｒ
が重ね合わさっている。２つのカラーフィルタの重なり
部分の幅Ｗ3 は１０μｍであり、ブラックマトリクス５
１の幅Ｗ2 よりも太く設定されている。なお、カラーフ
ィルタ５２Ｂ，５２Ｒ，５２Ｇの厚さは、０．１〜２μ
ｍである。ここでは、カラーフィルタ５２Ｂ，５２Ｒ，
５２Ｇの厚さは１μｍとする。

【００６６】図１０を参照して、本実施の形態の液晶表
示装置の効果について説明する。本実施の形態のように
ＩＰＳ型液晶表示装置の場合は、表示電極４６ｅとコモ
ン電極４１ｄ，４１ｅとの間の電界により液晶分子の配
向方向を制御する。しかし、コモン電極４１ｄとその左
側のデータバスライン４６ａとの間、及びコモン電極４
１ｅとその右側のデータバスライン４６ａとの間に存在
する液晶分子の配向方向は表示電極４６ｅとコモン電極
４１ｄ，４１ｅとの間の電界により制御することができ
ないため、これらの間の隙間（約２μｍの幅）から液晶
層に入射した光が反対側に透過して漏れ光となるおそれ
がある。

【００６７】本実施の形態においては、ブラックマトリ
クス５１の下側に色が異なる２種類のカラーフィルタ
（図１０ではカラーフィルタ５２Ｒ，５２Ｇ）が重なっ
ているので、ガラス基板４０の下側から入射した光がガ
ラス基板５０の上側に漏れるとすると、その漏れ光は図
１０に矢印で示す経路をたどることになる。すなわち、
コモン電極４１ｄとデータバスライン４６ａとの間から
液晶層に入射した光は、カラーフィルタ５２Ｒ，５２Ｇ
の重なり部分を透過してブラックマトリクス５１の表面
で反射され、その反射光はカラーフィルタ５２Ｒ，５２
Ｇの重なり部分を透過してコモン電極４１ｄで反射さ
れ、その反射光がカラーフィルタ５２Ｒ，５２Ｇを透過
してガラス基板５０側に出射される。この場合、漏れ光
はカラーフィルタ５２Ｒ，５２Ｇの重なり部分を３回通
過することになる。

【００６８】液晶表示装置のバックライトとして一般的
に使用されている冷陰極管は、赤色、緑色及び青色に対
応する波長のピークが高く、赤色のカラーフィルタ５２
Ｒを透過する光は緑色又は青色のカラーフィルタ５２
Ｇ，５２Ｂで吸収されやすい。同様に、緑色のカラーフ
ィルタ５２Ｇを透過する光は、赤色又は青色のカラーフ
ィルタ５２Ｒ，５２Ｂで吸収されやすく、青色のカラー
フィルタ５２Ｂを透過する光は赤色又は緑色のカラーフ
ィルタ５２Ｒ，５２Ｇに吸収されやすい。従って、本実
施の形態の液晶表示装置は、漏れ光の強度が著しく低減
され、表示品質の低下が回避される。

【００６９】図１１は本実施の形態の液晶表示装置と、
ブラックマトリクスを金属膜により形成した従来の液晶
表示装置及びブラックマトリクスを樹脂で形成した従来
の液晶表示装置のクロストークによる光の漏れ量を測定
した結果を示す図である。但し、白表示の部分の輝度を
１００としている。この図１０に示すように、金属製ブ
ラックマトリクス（ＢＭ）のみのときは輝度が約が４．
３、樹脂製のブラックマトリクス（ＢＭ）のみのときは
輝度が約１．６であるのに対し、本実施の形態において
は、輝度が０．１以下と極めて低いものであった。この
ことから、本実施の形態はクロストークの低減に極めて
有効であることが確認された。

【００７０】（第４の実施の形態）図１２は本発明の第
４の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図、図１３は
同じくその液晶表示装置の下側基板の導電層のパターン
を示す平面図、図１４は図１２のＣ−Ｃ線による断面図
である。但し、図１２には、１本のブラックマトリクス
７１のみを図示しており、両側のデータバスライン６６
ａ上のブラックマトリクスの図示を省略している。

【００７１】本実施の形態の液晶表示装置は、対向して
配置されたガラス基板６０及びガラス基板７０と、これ
らのガラス基板６０，７０間に封入された液晶７９と、
ガラス基板６０の下側及びガラス基板７０の上側にそれ
ぞれ配置された偏光板（図示せず）とにより構成されて
いる。ガラス基板６０の上には、相互に平行な複数本の
ゲートバスライン６１ａと、これらのゲートバスライン
６１ａに直角に交差する複数本のデータバスライン６６
ａが形成されている。これらのゲートバスライン６１ａ
及びデータバスライン６６ａにより区画された複数の矩
形の領域が画素領域である。本実施の形態においては。
画素領域の水平方向のピッチは１００μｍ、垂直方向の
ピッチは３００μｍである。

【００７２】各画素領域には、ＴＦＴ６９と、補助容量
電極６１ｃと、画素電極６７とが形成されている。ゲー
トバスライン６１ａ、ＴＦＴ６９のゲート電極６１ｂ及
び補助容量電極６１ｃはいずれも下層導電層に形成され
ている。図１４に示すように、これらのゲートバスライ
ン６１ａ、ゲート電極６１ｂ及び補助容量電極６１ｃの
上には層間絶縁膜６２が形成されており、層間絶縁膜６
２の上の上層導電層には、データバスライン６６ａ、Ｔ
ＦＴ６９のドレイン電極６６ｂ及びソース電極６６ｃが
形成されている。これらのデータバスライン６６ａ、ド
レイン電極６６ｂ及びソース電極６６ｃの上には保護膜
６３が形成されており、保護膜６３の上にはＩＴＯ（in
dium-tin oxide：インジウム酸化スズ）からなる画素電
極６７が形成されている。そして、画素電極６７の上に
は配向膜６８が形成されている。

【００７３】ＴＦＴ６９のゲート電極６１ｂはゲートバ
スライン６１ａに接続されており、ドレイン電極６６ｂ
はデータバスライン６６ａに接続されている。また、Ｔ
ＦＴ６９のソース電極６６ｃは、コンタクトホール（図
示せず）を介して画素電極６７に電気的に接続されてい
る。補助容量電極６１ｃは「Ｈ」の形状を有し、水平部
分の幅が１５μｍ、垂直部分の幅が４μｍに形成されて
いる。また、補助容量電極６１ｃの垂直部分とデータバ
スライン６６ａとの間隔は例えば２μｍである。

【００７４】一方、ガラス基板７０の下側には、ブラッ
クマトリクス７１が形成されている。このブラックマト
リクス７１は、データバスライン６６ａの上方に、デー
タバスライン６６ａの幅よりも太い幅で形成されてい
る。また、ガラス基板７０の下側には、赤のカラーフィ
ルタ７２Ｒ、緑のカラーフィルタ７２Ｇ及び青のカラー
フィルタ７２Ｂが形成されている。本実施の形態におい
ては、３ｎ（ｎは１，２，…）列目の画素領域には赤の
カラーフィルタ７２Ｒ、３ｎ＋１列目の画素領域には緑
のカラーフィルタ７２Ｇ、３ｎ＋２列目の画素には青の
カラーフィルタ７２Ｂが配置されている。そして、各カ
ラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂはブラックマトリ
クス７１の下を通って隣の画素領域まで延在している。
すなわち、ブラックマトリクス７１の下側には、色が異
なる２種類のカラーフィルタが重なっている。また、カ
ラーフィルタ７１Ｒ，７１Ｇ，７２Ｂの下にはＩＴＯか
らなる対向電極７３が形成されており、対向電極７３の
下には配向膜７４が形成されている。

【００７５】このように構成された本実施の形態の液晶
表示装置においては、画素電極６７と対向電極７３との
間に印加する電圧により液晶分子の配向方向を制御する
ことにより、各画素領域における光透過率を制御する。
本実施の形態においては、データバスライン６６ａの幅
Ｗ1 が４μｍ、ブラックマトリクスの幅Ｗ2 が８μｍ、
各カラーフィルタ７２Ｒ，７２Ｇ，７２Ｂの幅Ｗ4 が１
３０μｍ、カラーフィルタの重なり部分の幅Ｗ3 が１５
μｍである。そして、このカラーフィルタの重なり部分
により、ＴＦＴ６９が形成されている領域や、補助容量
電極６１ｃの垂直部分とデータバスライン６６ａとの間
の領域を覆っている。

【００７６】本実施の形態においても、カラーフィルタ
の重なり部分でＴＦＴ６９が形成された領域や、補助容
量電極６１ｃとデータバスライン６６ａとの間の領域を
覆っているので、第４の実施の形態と同様に光の漏れを
低減し、コントラストの高い良好な表示を実現すること
ができる。 （第５の実施の形態）図１５（ａ）は本発明の第５の実
施の形態の液晶表示装置を示す平面図、図１５（ｂ）は
図１５（ａ）のＤ−Ｄ線による断面図である。

【００７７】本実施の形態の液晶表示装置は、対向して
配置されたガラス基板８０及びガラス基板９０と、これ
らのガラス基板８０，９０間に封入された液晶９９と、
ガラス基板８０の下側及びガラス基板９０の上側にそれ
ぞれ配置された偏光板（図示せず）とにより構成されて
いる。ガラス基板８０の上には、相互に平行に配置され
た複数本のゲートバスライン８１ａ及び複数本のコモン
電極８１ｂと、ゲートバスライン８１ａに直角に交差す
るデータバスライン８６ａとが形成されている。これら
のゲートバスライン８１ａ及びデータバスライン８６ａ
により区画された複数の矩形の領域がそれぞれ画素領域
である。

【００７８】各画素領域には、ＴＦＴ８９と、縦方向に
配置された２本の表示電極８６ｄと、表示電極８６ｄか
ら一定の距離だけ離れて表示電極８６ｄに平行に配置さ
れた３本のコモン電極８１ｄと、２本の表示電極８６ｄ
の下端側を電気的に接続する容量電極８６ｅと、３本の
コモン電極８１ｄの上端側を電気的に接続する補助容量
電極８１ｅとが形成されている。

【００７９】ゲートバスライン８１ａ、コモン配線８１
ｂ、ＴＦＴ８９のゲート電極８１ｃ及びコモン電極８１
ｄはいずれも下層配線層に形成されている。ゲート電極
８１ｃはゲートバスライン８１ａに接続されており、コ
モン電極８１ｄはコモン配線８１ｂに接続されている。
これらのゲートバスライン８１ａ、コモン配線８１ｂ、
ゲート電極８１ｃ及びコモン電極８１ｄの上には図１５
（ｂ）に示すように、層間絶縁膜８２が形成されてい
る。層間絶縁膜８２の上には、ＴＦＴ８９を構成するア
モルファスシリコン膜８３、チャネル保護膜８４、アモ
ルファスシリコン膜８５、ドレイン電極８６ｂ及びソー
ス電極８６ｃが形成されている。ドレイン電極８６ｂは
画素領域の左側のデータバスライン８６ａに接続されて
いる。また、ソース電極８６ｃは、ゲートバスライン８
１ａに平行に延びて２本の表示電極８６ｄに接続してい
る。

【００８０】これらのデータバスライン８６ａ、ドレイ
ン電極８６ｂ、ソース電極８６ｃ、表示電極８６ｄ及び
補助容量電極８６ｅが形成された上層配線層の上にはＳ
ｉＮからなる保護膜（絶縁膜）８７が形成されており、
その保護膜８７の上には配向膜８８が５００Åの厚さに
形成されている。この配向膜８８の表面には、表示電極
８６ｄにほぼ直交する方向又はほぼ平行な方向（例え
ば、７５°あるいは１５°の角度をなす方向）にラビン
グ処理が施されている。本実施の形態においては、配向
膜８８として、体積抵抗が１０¹⁰〜１０¹¹Ωｃｍ程度の
ものを使用する。このような配向膜としては、例えばポ
リアミック酸系の配向膜を使用することができる。

【００８１】また、ガラス基板９０の下側にも配向膜９
１が５００Åの厚さに形成されている。この配向膜９１
の表面も、配向膜８８のラビング方向と同じ方向にラビ
ング処理が施されている。但し、配向膜９１は、配向膜
８８よりも体積抵抗が高い材料により形成されているこ
とが必要である。本実施の形態では配向膜９１の体積抵
抗は１０¹³Ωｃｍ程度とする。このような配向膜として
は、例えば可溶性ポリイミドにより形成した配向膜を使
用することができる。可溶性ポリイミドとしては、例え
ばＪＳＲ社から提案されている５員環をもつポリイミド
などがある。また、ポリアミック酸系の配向膜でも、焼
成温度を高く設定して電圧保持特性をより高めることも
可能である。更に、電圧保持特性の高い配向膜として無
機系の配向膜、例えば日産化学製のシリコン系の無機配
向膜であるシランカップリング剤（ＯＡ−００３など）
を用いることによっても、良好な特性を実現することが
できる。

【００８２】更にまた、本実施の形態においては、体積
抵抗が配向膜８８の体積抵抗に近い液晶を使用する。例
えば、体積抵抗が１０¹⁰Ωｃｍ程度の液晶としてはＣＮ
（シアノ）系の液晶がある。このように構成された本実
施の形態の液晶表示装置においては、基板８０側に体積
抵抗が小さい配向膜８８を用いており、液晶９９と配向
膜８８の体積抵抗が近いので、配向膜８８と液晶９９と
の間に電荷が溜まることを防ぐことができる。このよう
に、体積抵抗の近い１つの層の界面に電荷が蓄積されに
くいことは電磁気学で一般に知られていることである。

【００８３】また、基板９０側の配向膜９１は、体積抵
抗が大きいので電圧保持率が高い。このため、表示電極
８６ｄとコモン電極８１ｄとの間に書き込まれた表示デ
ータが長時間保持され、表示品質の劣化が回避される。
以下、本実施の形態の液晶表示装置を実際に製造して焼
付きの有無を調べた結果について、比較例と比較して説
明する。

【００８４】実施例及び比較例として、下記表１に体積
抵抗を示す配向膜及び液晶を使用して、図１５に示す構
造のＩＰＳ型液晶表示装置を製造した。そして、これら
の実施例及び比較例の液晶表示装置に、黒地に白い四角
形の映像を４８時間表示した。その後、画面全体に灰色
（６４階調のうちの１６階調表示）を表示した。焼付き
が発生している場合、白表示の部分の明るさが黒表示し
ていた部分の明るさよりも明るくなる。この白表示部分
の明るさと黒表示部分の明るさとの差を、下記表１に百
分率で示した。

【００８５】

【表１】

【００８６】この表１からわかるように、実施例１，２
では焼付きが低く、特に体積抵抗が配向膜８８と同じ液
晶を用いた場合は３％と極めて低い値となった。一方、
従来の液晶表示装置と基本的に同じ構成である比較例１
では、焼付きが２０％と高いものであった。

【００８７】一般的に、ＴＮ型液晶表示装置では、配向
膜として体積抵抗が高いものを使用している。これは、
電圧保持率を高くするためである。しかし、電圧保持率
を高くしても、配向膜と液晶との界面に電荷が溜まって
焼付きが発生しては表示品質が著しく低下する。そこ
で、本実施の形態では、上述の如く、表示電極８６ｄ及
びコモン電極８１ｄが形成されたガラス基板８０側の配
向膜８８の体積抵抗を低くしている。この場合、ガラス
基板９０側の配向膜９１として体積抵抗が高いものを使
用しているので、電圧保持率の低下による表示品質の劣
化は回避することができる。以下に、電圧保持率を調べ
た結果について説明する。

【００８８】図１６に示すように、駆動用電極１０１
ａ，１０１ｂが形成された２枚のガラス基板を用意し、
各電極１０１ａ，１０１ｂの上に配向膜１０２ａ，１０
２ｂを塗布した、そして、電極１０１ａ，１０１ｂが対
向するように２枚のガラス基板を平行に配置し、両者の
間に液晶１０３を封入した。なお、配向膜１０２ａ，１
０２として、下記表２に示す体積抵抗の配向膜を使用し
た。

【００８９】電極１０１ａ，１０１ｂ間に電圧を印加
し、電圧保持率を測定した。電圧保持率は、電極１０１
ａ，１０１ｂ間に５Ｖの電圧を印加し、１フレーム時間
（１６ｍ秒）後の電圧を測定して百分率で示した。

【００９０】

【表２】

【００９１】その結果、表２に示すように、配向膜１０
２ａ，１０２ｂとして体積抵抗が１０¹⁰Ωｃｍの配向膜
を使用した場合の電圧保持率は約７０％であり、従来の
液晶表示装置で一般的に使用されている体積抵抗が１０
¹³Ωｃｍの配向膜を使用した場合の電圧保持率は約９
８．５％であった。本発明においては、電圧保持率が低
い配向膜を表示電極及びコモン電極が形成された基板
（ガラス基板１１０）側の配向膜として使用し、電圧保
持率が高い配向膜を対向基板（ガラス基板１２０）側の
配向膜として使用する。これにより、液晶表示装置の焼
付きが回避される。

【００９２】

【発明の効果】以上説明したように、本願請求項１〜請
求項４の発明によれば、コモン電極をゲートバスライン
に接続した構造とすることにより、開口率が向上し、明
るくコントラストが高い画像を表示することができる。
また、本願請求項５〜請求項８の発明によれば、ゲート
バスラインに、表示データ書込み時の前記コモン電極の
電位を決定する基準電圧、前記薄膜トランジスタをオン
にする第１の電圧及び前記薄膜トランジスタをオフにす
る第２の電圧が経時的に供給するとことにより、コモン
電極がゲートバスラインに接続された液晶表示装置を駆
動することができる。

【００９３】本願請求項９〜請求項１２の発明によれ
ば、金属又は金属化合物からなるブラックマトリクスの
上に少なくとも２色以上のカラーフィルタが重なって形
成されており、カラーフィルタの重なり部分の幅がブラ
ックマトリクスの幅よりも広く設定されているので、光
の漏れを防止し、クロストークによる表示品質の劣化が
回避される。

【００９４】本願請求項１３〜請求項１５の発明によれ
ば、第１の基板に形成された第１の配向膜と第２の基板
に形成された第２の配向膜との電気的特性が異なるの
で、配向膜への電荷の蓄積に起因する焼付きが回避され
るとともに、電圧保持特性が良好であり、品質の高い画
像の表示が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態の液晶
表示装置を示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−
Ａ線による断面図である。

【図２】図２は第１の実施の形態の液晶表示装置の導電
層のパターンを示す図である。

【図３】図３は、第１の実施の形態の液晶表示装置の駆
動方法を示す模式図である。

【図４】図４（ａ）は本発明の第２の実施の形態の液晶
表示装置を示す平面図、図４（ｂ）は同じくその液晶表
示装置の導電層のパターンを示す図である。

【図５】図５は、第２の実施の形態の液晶表示装置の駆
動方法を示す模式図である。

【図６】図６は第２の実施の形態の液晶表示装置の変形
例を示す模式図である。

【図７】図７は本発明の第３の実施の形態の液晶表示装
置を示す平面図である。

【図８】図８は第３の実施の形態の液晶表示装置の下側
ガラス基板の導電層パターンを示す平面図である。

【図９】図９は図７のＢ−Ｂ線による断面図である。

【図１０】図１０は、第３の実施の形態の効果を示す模
式図である。

【図１１】図１１は第３の実施の形態の液晶表示装置
と、ブラックマトリクスを金属膜により形成した従来の
液晶表示装置及びブラックマトリクスを樹脂で形成した
従来の液晶表示装置のクロストークにより光の漏れ量を
測定した結果を示す図である。

【図１２】図１２は本発明の第４の実施の形態の液晶表
示装置を示す平面図である。

【図１３】図１３は第４の実施の形態の液晶表示装置の
下側基板の導電層のパターンを示す平面図である。

【図１４】図１４は図１２のＣ−Ｃ線による断面図であ
る。

【図１５】図１５（ａ）は本発明の第５の実施の形態の
液晶表示装置を示す平面図、図１５（ｂ）は図１５
（ａ）のＤ−Ｄ線による断面図である。

【図１６】図１６は配向膜の電圧保持率を測定する装置
を示す模式図である。

【図１７】図１７（ａ）は、従来のＩＰＳ型液晶表示装
置を示す平面図、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のＥ−Ｅ
線による断面図である。

【図１８】図１８（ａ），（ｂ）はＩＰＳ型液晶表示装
置の動作を示す模式図である。

【図１９】図１９（ａ），（ｂ）はクロストークの発生
を示す模式図である。

【図２０】図２０は焼付きが顕著に発生する表示パター
ンの例を示す平面図である。

【符号の説明】

１０，２０，３０，４０，５０，８０，９０，１１０，
１２０ ガラス基板、 １１ａ，３１ａ，４１ａ，６１ａ，８１ａ，１１１ａ
ゲートバスライン、 １１ｂ，４１ｃ，６１ｂ ゲート電極、 １１ｃ，１１ｄ，３６ｅ，３６ｆ，４１ｄ，４１ｅ，８
１ｄ，１１１ｄ コモン電極、 １６ａ，３６ａ，４６ａ，８６ａ，１１６ａ データバ
スライン、 １６ｂ，３６ｂ，４６ｂ ドレイン電極、 １６ｃ，３６ｃ，４６ｃ ソース電極、 １６ｄ，３６ｄ，４６ｅ，８６ｄ，１１６ｄ 表示電
極、 １８，２１，６８，７４，８８，９１，１１８，１２３
配向膜、 １９，３９ａ，３９ｂ，４９，６９，８９，１１９ Ｔ
ＦＴ、 ２９，４９，７９，９９，１２９ 液晶、 ３１ｃ，３１ｄ，４１ｂ，８１ｂ，１１１ｂ コモン配
線、 ５１，７１ ブラックマトリクス、 ５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂ，７２Ｒ，７２Ｇ，１２２ カ
ラーフィルタ、 ６１ｃ 補助容量電極、 ６７ 画素電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６１１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６１１Ｄ ５Ｃ０８０ ６４２ ６４２Ｄ 3/36 3/36 (72)発明者 笹林 貴 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富 士通株式会社内 (72)発明者 仲西 洋平 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富 士通株式会社内 (72)発明者 山口 久 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富 士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HA08 HB03Y HB08Y HB13Y HD12 KA04 LA01 LA04 LA15 LA18 MA02 2H091 FA03Y FA35Y FA42Z FB08 FD06 GA03 GA06 GA11 GA13 HA06 LA03 LA17 LA30 2H092 GA14 GA17 GA25 JA24 JB02 JB16 JB22 KB23 NA07 PA02 PA06 PA08 PA13 QA06 2H093 NA16 NA43 NB23 NC34 ND04 ND08 ND12 ND15 NE03 NE04 NE06 NF04 5C006 AA22 BB16 BC06 FA34 FA36 FA54 FA56 GA03 5C080 AA10 BB05 DD03 DD10 DD29 FF11 JJ02 JJ05 JJ06

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板及び第２の基板間に液晶を封
   入して構成された液晶表示装置において、 前記第１の基板の前記第２の基板側の面に形成された複
   数本のゲートバスラインと、 前記第１の基板の前記第２の基板側の面に形成されて前
   記ゲートバスラインに交差する複数本のデータバスライ
   ンと、 ｎ番目（ｎは１，２，…）の前記ゲートバスライン、ｎ
   ＋１番目の前記ゲートバスライン、ｍ番目（ｍは１，
   ２，…）の前記データバスライン及びｍ＋１番目の前記
   データバスラインにより区画される画素領域内に配置さ
   れた表示電極と、 ゲート電極が前記ｎ番目のゲートバスラインに電気的に
   接続され、ドレイン電極が前記ｍ番目のデータバスライ
   ンに電気的に接続され、ソース電極が前記表示電極に電
   気的に接続された薄膜トランジスタと、 前記表示電極から離間して配置され、前記ｎ＋１番目の
   ゲートバスラインに電気的に接続されたコモン電極と、 を有することを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記表示電極及び前記コモン電極はいず
   れも前記データバスラインに平行に配置され、前記コモ
   ン電極は前記データバスラインと一部重なっていること
   を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 第１の基板及び第２の基板間に液晶を封
   入した液晶表示装置において、 前記第１の基板の前記第２の基板側の面に形成された複
   数本のゲートバスラインと、 前記第１の基板の前記第２の基板側の面に形成されて前
   記ゲートバスラインに交差する複数本のデータバスライ
   ンと、 ｎ番目（ｎは１，２，…）の前記ゲートバスライン、ｎ
   ＋１番目の前記ゲートバスライン、ｍ番目（ｍは１，
   ２，…）の前記データバスライン及びｍ＋１番目の前記
   データバスラインにより区画される画素領域内に配置さ
   れた表示電極と、 ゲート電極が前記ｎ番目のゲートバスラインと電気的に
   接続され、ドレイン電極が前記ｍ番目のデータバスライ
   ンと電気的に接続され、ソース電極が前記表示電極と電
   気的に接続された第１の薄膜トランジスタと、 前記表示電極から離間して配置されたコモン電極と、 ゲート電極が前記ｎ番目のゲートバスラインと電気的に
   接続され、ドレイン電極が前記ｎ＋１番目のゲートバス
   ラインと電気的に接続され、ソース電極が前記コモン電
   極と電気的に接続された第２の薄膜トランジスタとを有
   することを特徴とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記第１の薄膜トランジスタと前記第２
   の薄膜トランジスタとのゲート電極が共通の電極からな
   っていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装
   置。
5. 【請求項５】 対向して配置された２枚の基板のうちの
   一方の基板に、複数本のゲートバスラインと、前記ゲー
   トバスラインに交差する複数本のデータバスラインと、
   ｎ番目（ｎは１，２，…）の前記ゲートバスライン、ｎ
   ＋１番目の前記ゲートバスライン、ｍ番目（ｍは１，
   ２，…）の前記データバスライン及びｍ＋１番目の前記
   データバスラインにより区画される画素領域内に配置さ
   れた表示電極と、ゲート電極が前記ｎ番目のゲートバス
   ラインに電気的に接続され、ドレイン電極が前記ｍ番目
   のデータバスラインに電気的に接続され、ソース電極が
   前記表示電極に電気的に接続された薄膜トランジスタ
   と、前記表示電極から離間して配置され、前記ｎ＋１番
   目のゲートバスラインに電気的に接続されたコモン電極
   とが形成された液晶表示装置の駆動方法において、 前記ゲートバスラインに、表示データ書込み時の前記コ
   モン電極の電位を決定する基準電圧、前記薄膜トランジ
   スタをオンにする第１の電圧及び前記薄膜トランジスタ
   をオフにする第２の電圧を経時的に供給することを特徴
   とする液晶表示装置の駆動方法。
6. 【請求項６】 前記ｎ番目のゲートバスラインに接続さ
   れた画素に対して表示データを書き込むときに、前記ｎ
   番目のゲートバスラインを前記第１の電圧とし、前記ｎ
   ＋１番目のゲートバスラインを前記基準電位とし、その
   他のゲートバスラインを前記第２の電圧とすることを特
   徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の駆動方法。
7. 【請求項７】 対向して配置された２枚の基板のうちに
   一方の基板に、複数本のゲートバスラインと、前記ゲー
   トバスラインに交差する複数本のデータバスラインと、
   ｎ番目（ｎは１，２，…）の前記ゲートバスライン、ｎ
   ＋１番目の前記ゲートバスライン、ｍ番目（ｍは１，
   ２，…）の前記データバスライン及びｍ＋１番目の前記
   データバスラインにより区画される画素領域内に配置さ
   れた表示電極と、ゲート電極が前記ｎ番目のゲートバス
   ラインと電気的に接続され、ドレイン電極が前記ｍ番目
   のデータバスラインと電気的に接続され、ソース電極が
   前記表示電極と電気的に接続された第１の薄膜トランジ
   スタと、前記表示電極から離間して配置されたコモン電
   極と、ゲート電極が前記ｎ番目のゲートバスラインと電
   気的に接続され、ドレイン電極が前記ｍ＋１番目のデー
   タバスラインと電気的に接続され、ソース電極が前記コ
   モン電極と電気的に接続された第２の薄膜トランジスタ
   とが形成された液晶表示装置の駆動方法において、 前記ゲートバスラインに、表示データ書込み時の前記コ
   モン電極の電位を決定する基準電圧、前記第１の薄膜ト
   ランジスタ及び第２の薄膜トランジスタをオンにする第
   １の電圧及び前記第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄
   膜トランジスタをオフにする第２の電圧を経時的に供給
   することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
8. 【請求項８】 前記ｎ番目のゲートバスラインに接続さ
   れた画素に対して表示データを書き込むときに、前記ｎ
   番目のゲートバスラインを前記第１の電圧とし、前記ｎ
   ＋１番目のゲートバスラインを前記基準電位とし、その
   他のゲートバスラインを前記第２の電圧とすることを特
   徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の駆動方法。
9. 【請求項９】 第１の基板及び第２の基板間に液晶を封
   入して構成され、複数の画素領域の光透過率を個別に制
   御して画像を表示する液晶表示装置において、 前記第１の基板には、前記画素領域を画定する複数本の
   データバスライン及び複数本のゲートバスラインを有
   し、 前記第２の基板には、前記画素領域間を遮光するブラッ
   クマトリクスと、各画素領域毎に透過光の色を決めるカ
   ラーフィルタとを有し、 前記カラーフィルタが画素領域から前記ブラックマトリ
   クス上を通って隣の画素領域まで延在し、前記ブラック
   マトリクスの上には少なくとも２色のカラーフィルタに
   覆われ、その２色のカラーフィルタの重なり部分の幅が
   前記ブラックマトリクスの幅よりも広いことを特徴とす
   る液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 前記第１の基板には、各画素領域毎に
    前記第１の基板に平行な方向に電界を発生する表示電極
    及びコモン電極を有することを特徴とする請求項９に記
    載の液晶表示装置。
11. 【請求項１１】 前記第１の基板には、金属製補助容量
    電極と、画素電極とを有し、前記第２の基板には対向電
    極を有することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示
    装置。
12. 【請求項１２】 前記カラーフィルタは赤（Ｒ）のカラ
    ーフィルタ、緑（Ｇ）のカラーフィルタ及び青（Ｂ）の
    カラーフィルタがそれぞれストライプ状に形成され、前
    記カラーフィルタの重なり部分が前記データバスライン
    に平行であることを特徴と請求項９に記載の液晶表示装
    置。
13. 【請求項１３】 第１の基板及び第２の基板間に液晶を
    封入して構成された液晶表示装置において、 前記第１の基板の前記第２の基板側の面に形成された複
    数本のゲートバスラインと、 前記第１の基板の前記第２の基板側の面に形成されて前
    記ゲートバスラインに交差する複数本のデータバスライ
    ンと、 前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより
    区画された画素領域内に配置された表示電極と、 前記画素領域内に前記表示電極と離間して配置されたコ
    モン電極と、 前記第１の基板に前記表示電極及び前記コモン電極を覆
    うようにして形成された第１の配向膜と、 前記第２の基板の前記第１の基板側の面に形成され、前
    記第１の配向膜と電気的性質が異なる第２の配向膜とを
    有することを特徴とする液晶表示装置。
14. 【請求項１４】 前記第１の配向膜の体積抵抗が前記第
    ２の配向膜の体積抵抗よりも小さいことを特徴とする請
    求項１３に記載の液晶表示装置。
15. 【請求項１５】 前記液晶の体積抵抗が、前記第２の配
    向膜の体積抵抗よりも前記第１の配向膜の体積抵抗に近
    いことを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。