JP2000267141A - Liquid crystal display device and driving method of liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display device and driving method of liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 開口率が高く、明るい画像を表示することが
できるIPS型液晶表示装置及びその駆動方法、クロス
トークを防止し、表示品質が良好な液晶表示装置、焼付
きが発生しにくいIPS型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 TFT19のゲート電極11bは画素領
域の上側のゲートバスライン11aに接続されており、
表示電極16aはTFT19のソース電極16cに接続
されている。また、コモン電極11c,11dは、画素
領域の下側のゲートバスライン11aに接続されてお
り、表示電極16aと平行に配置されている。表示電極
16aに表示データを書き込むときは、上側のゲートバ
スライン11aに例えば+15Vを印加し、下側のゲー
トバスライン11aに例えば0Vを印加する。また、デ
ータを書き込まない画素領域のゲートバスライン11a
には−10Vを印加する。
(57) Abstract: An IPS type liquid crystal display device having a high aperture ratio and capable of displaying a bright image, a driving method thereof, a liquid crystal display device having good display quality by preventing crosstalk, and image sticking. Provided is an IPS type liquid crystal display device which is hardly generated. SOLUTION: A gate electrode 11b of a TFT 19 is connected to a gate bus line 11a above a pixel region,
The display electrode 16a is connected to the source electrode 16c of the TFT 19. The common electrodes 11c and 11d are connected to the lower gate bus line 11a of the pixel region, and are arranged in parallel with the display electrode 16a. When writing display data to the display electrode 16a, for example, + 15V is applied to the upper gate bus line 11a, and 0V is applied to the lower gate bus line 11a. Also, the gate bus line 11a in the pixel area where no data is written
Is applied with -10V.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
液晶表示装置の駆動方法に関し、特にIPS(In-Plane
Switchig )型液晶表示装置の開口率の向上、IPS型
液晶表示装置及びTN(Twisted Nematic )型液晶表示
装置におけるクロストークの防止、並びにIPS型液晶
表示装置の焼付き防止に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a driving method of the liquid crystal display device, and more particularly to an IPS (In-Plane).
The present invention relates to an improvement in the aperture ratio of a Switchig) type liquid crystal display device, prevention of crosstalk in an IPS type liquid crystal display device and a TN (Twisted Nematic) type liquid crystal display device, and prevention of image sticking in an IPS type liquid crystal display device.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、液晶表示装置に対する需要が多様
化している。当初、液晶表示装置は主にノート型パーソ
ナルコンピュータのディスプレイ装置として使用されて
いたが、ディスクトップ型パーソナルコンピュータやワ
ークステーション及びテレビ(TV)等にも使用される
ようになった。2. Description of the Related Art In recent years, demand for liquid crystal display devices has been diversified. Initially, the liquid crystal display device was mainly used as a display device of a notebook personal computer, but has also been used for a desktop personal computer, a workstation, a television (TV), and the like.
【0003】一般的なTN型液晶表示装置では、2枚の
透明基板の間に液晶を封入した構造を有している。それ
らの透明基板の相互に対向する2つの面のうち、一方の
面側には対向電極、カラーフィルタ及び配向膜等が形成
され、他方の面側にはTFT(Thin Film Transistor:
薄膜トランジスタ)、画素電極及び配向膜等が形成され
ている。各透明基板の対向面と反対側の面には、それぞ
れ偏光板が貼り付けられている。これらの2枚の偏光板
は、例えば偏光軸が互いに直交するように配置されてお
り、画素電極と対向電極との間に電圧をかけない状態で
は光が透過して明表示となり、電圧を印加した状態では
遮光して暗表示となる。また、2枚の偏光板の偏光軸を
互いに平行に配置した場合は、画素電極と対向電極との
間に電圧をかけない状態では暗表示となり、電圧を印加
した状態では明表示となる。A general TN liquid crystal display device has a structure in which liquid crystal is sealed between two transparent substrates. Of the two surfaces of the transparent substrate facing each other, a counter electrode, a color filter, an alignment film, and the like are formed on one surface, and a TFT (Thin Film Transistor: TFT) is formed on the other surface.
Thin film transistor), a pixel electrode, an alignment film, and the like. A polarizing plate is attached to a surface of the transparent substrate opposite to the opposite surface. These two polarizing plates are arranged, for example, so that their polarization axes are orthogonal to each other. In the state where no voltage is applied between the pixel electrode and the counter electrode, light is transmitted to make a bright display, and a voltage is applied. In this state, light is shielded and dark display is performed. When the polarization axes of the two polarizing plates are arranged in parallel to each other, dark display is performed when no voltage is applied between the pixel electrode and the counter electrode, and bright display is performed when a voltage is applied.
【0004】しかしながら、上記のTN型液晶表示装置
では、一般的に視角特性が十分でないという欠点があ
る。すなわち、液晶表示装置に表示された画像を正面か
ら見たときは良好なコントラストが得られるものの、斜
め方向から見たときにコントラストが低下したり、極端
な場合には明暗が反転してしまう。視角特性が良好な液
晶表示装置として、IPS型表示装置が開発されている
(特開平6−160878号公報、特開平9−2303
61号公報等)。[0004] However, the above-mentioned TN type liquid crystal display device generally has a disadvantage that viewing angle characteristics are not sufficient. That is, although good contrast is obtained when the image displayed on the liquid crystal display device is viewed from the front, the contrast is reduced when viewed from an oblique direction, or the brightness is reversed in an extreme case. As a liquid crystal display device having good viewing angle characteristics, an IPS type display device has been developed (JP-A-6-160878, JP-A-9-2303).
No. 61).
【0005】図17(a)は、従来のIPS型液晶表示
装置を示す平面図、図17(b)は図17(a)のE−
E線による断面図である。IPS型液晶表示装置は、対
向して配置されたガラス基板110及びガラス基板12
0と、これらのガラス基板110,120間に封入され
た液晶129と、ガラス基板110の下側及びガラス基
板120の上側にそれぞれ配置された偏光板(図示せ
ず)とにより構成されている。FIG. 17A is a plan view showing a conventional IPS type liquid crystal display device, and FIG.
It is sectional drawing by E line. The IPS type liquid crystal display device has a glass substrate 110 and a glass substrate
0, a liquid crystal 129 sealed between the glass substrates 110 and 120, and a polarizing plate (not shown) disposed below the glass substrate 110 and above the glass substrate 120, respectively.
【0006】ガラス基板110の上には、相互に配向に
配置された複数本のゲートバスライン111aと、ゲー
トバスライン111aに平行に配置されたコモン配線1
11bと、ゲートバスライン111aに直角に交差する
複数本のデータバスライン116aとが形成されてい
る。ゲートバスライン111a及びデータバスライン1
16aにより区画された複数の矩形状の領域がそれぞれ
画素領域である。On the glass substrate 110, a plurality of gate bus lines 111a arranged in a mutual orientation and a common wiring 1 arranged in parallel to the gate bus lines 111a.
11b, and a plurality of data bus lines 116a crossing the gate bus line 111a at right angles are formed. Gate bus line 111a and data bus line 1
Each of a plurality of rectangular areas defined by 16a is a pixel area.
【0007】各画素領域にはTFT119と、縦方向に
配置された複数本の表示電極116dと、表示電極11
6dに平行に配置されたコモン電極111dとが設けら
れている。ゲートバスライン111a、コモン配線11
1b、コモン電極111d及びTFT119のゲート電
極はいずれもアルミニウム等の金属からなり、下層導電
層として同一の工程で形成される。そして、TFT11
9のゲート電極はゲートバスライン111aに接続され
ており、コモン電極111dはコモン配線l11bに接
続されている。In each pixel region, a TFT 119, a plurality of display electrodes 116d arranged in a vertical direction, and a display electrode 11
A common electrode 111d is provided in parallel with 6d. Gate bus line 111a, common wiring 11
1b, the common electrode 111d, and the gate electrode of the TFT 119 are all made of metal such as aluminum, and are formed in the same step as the lower conductive layer. And TFT11
The gate electrode 9 is connected to the gate bus line 111a, and the common electrode 111d is connected to the common wiring 111b.
【0008】下層導電層の上には層間絶縁膜112が形
成されており、この層間絶縁膜112の上にはデータバ
スライン116a、TFT119のドレイン電極及びソ
ース電極並びに表示電極116dが形成されている。こ
れらのデータバスライン116a、TFT119のドレ
イン電極及びソース電極並びに表示電極116dもアル
ミニウム等の金属からなり、上層導電層として同一の工
程で形成される。上層導電層の上には保護膜(絶縁膜)
117が形成されており、この保護膜の上にはポリイミ
ド等からなる配向膜118が形成されている。An interlayer insulating film 112 is formed on the lower conductive layer, and a data bus line 116a, a drain electrode and a source electrode of the TFT 119, and a display electrode 116d are formed on the interlayer insulating film 112. . The data bus line 116a, the drain electrode and the source electrode of the TFT 119, and the display electrode 116d are also made of metal such as aluminum, and are formed in the same process as an upper conductive layer. Protective film (insulating film) on upper conductive layer
117 is formed, and an alignment film 118 made of polyimide or the like is formed on the protective film.
【0009】一方、ガラス基板120の下面側には、ク
ロム等の金属又は金属化合物からなるブラックマトリク
ス121及びカラーフィルタ122が形成されている。
ブラックマトリクス121はデータバスライン116a
の上方を覆うように形成されている。また、各画素領域
毎に赤(R)、緑(G)又は青(B)のいずれか1色の
カラーフィルタ122が配置されている。ブラックマト
リクス121及びカラーフィルタ122の下側には、ポ
リイミド等からなる配向膜123が形成されている。On the other hand, on the lower surface side of the glass substrate 120, a black matrix 121 and a color filter 122 made of a metal such as chromium or a metal compound are formed.
The black matrix 121 is a data bus line 116a
Is formed so as to cover the upper part. Further, a color filter 122 of any one of red (R), green (G), and blue (B) is arranged for each pixel region. An alignment film 123 made of polyimide or the like is formed below the black matrix 121 and the color filters 122.
【0010】このように構成されたIPS型液晶表示装
置において、表示電極116dとコモン電極111dと
の間に電圧を印加しない状態では、図18(a)に示す
ように、液晶分子129aは配向膜118,123の配
向処理方向に配向する。ガラス基板110の下側から偏
光板を透過して液晶層に入射した光は、偏光状態を変え
ずに液晶層を通過して基板120側に出射される。そし
て、他方の偏光板で遮断されて、黒表示となる。一方、
表示電極116dとコモン電極111dとの間に電圧を
印加すると、図18(b)に示すように、液晶分子12
9aは電界の方向に沿って配向方向を変える。このた
め、ガラス基板110の下側から偏光板を透過して液晶
層に入射した光は液晶層で偏光状態を変化させられて他
方の偏光板を通過し、白表示となる。このようにして、
表示電極116dに印加する電圧を制御することによ
り、各画素毎の光の透過率を制御し、所望の画像を表示
することができる。[0010] In the IPS type liquid crystal display device thus configured, when no voltage is applied between the display electrode 116d and the common electrode 111d, as shown in FIG. It is oriented in the orientation processing directions of 118 and 123. Light transmitted through the polarizing plate from below the glass substrate 110 and incident on the liquid crystal layer passes through the liquid crystal layer without changing the polarization state and is emitted toward the substrate 120. Then, the light is blocked by the other polarizing plate, and black display is performed. on the other hand,
When a voltage is applied between the display electrode 116d and the common electrode 111d, as shown in FIG.
9a changes the alignment direction along the direction of the electric field. For this reason, light transmitted through the polarizing plate from below the glass substrate 110 and incident on the liquid crystal layer is changed in polarization state by the liquid crystal layer, passes through the other polarizing plate, and becomes white. In this way,
By controlling the voltage applied to the display electrode 116d, the light transmittance of each pixel can be controlled, and a desired image can be displayed.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本願発
明者は、上述した従来のIPS型液晶表示装置には以下
に示す問題点があると考える。 IPS型液晶表示装置においては、液晶分子の配向方
向を制御するための2つの電極(表示電極116d及び
コモン電極111d)がいずれもガラス基板110側に
あり、これらの電極はアルミニウム等の金属により形成
されている。また、IPS型液晶表示装置では、コモン
電極111dを一定の電位に維持するために、コモン配
線111bがゲートバスライン111aに平行配置され
ている。このため、表示に寄与する部分の面積が少なく
なり、明るくコントラストが高い画像を表示することが
困難である。However, the present inventor considers that the above-mentioned conventional IPS type liquid crystal display device has the following problems. In the IPS type liquid crystal display device, two electrodes (display electrode 116d and common electrode 111d) for controlling the alignment direction of liquid crystal molecules are both on the glass substrate 110 side, and these electrodes are formed of a metal such as aluminum. Have been. In the IPS type liquid crystal display device, a common wiring 111b is arranged in parallel with the gate bus line 111a in order to maintain the common electrode 111d at a constant potential. For this reason, the area of the portion contributing to the display is reduced, and it is difficult to display a bright and high-contrast image.
【0012】IPS型液晶表示装置では、縦方向にク
ロストークが生じることが知られている。例えば、黒地
に白い四角を表示する場合、図19(a)に示すように
白い四角の上下の部分(図中斜線で示す部分)に白い帯
が生じる。この現象は、特に斜め方向から画像を見たと
きに目立つ。これは、図19(b)に示すように、コモ
ン電極111dとデータバスライン110aとの間の隙
間を通った光が液晶表示装置を透過するために発生す
る。It is known that IPS type liquid crystal display devices cause crosstalk in the vertical direction. For example, when a white square is displayed on a black background, a white band is formed in the upper and lower portions of the white square (portions indicated by oblique lines in the figure) as shown in FIG. This phenomenon is particularly noticeable when the image is viewed from an oblique direction. This occurs because light passing through the gap between the common electrode 111d and the data bus line 110a passes through the liquid crystal display device as shown in FIG. 19B.
【0013】画面の全面に黒を表示する場合には、デー
タバスライン116aの電圧はコモン電極111dの電
圧とほぼ同じであり、コモン電極111dとデータバス
ライン116aとの間の液晶には電界が印加されず、漏
れ光は生じない。これに対して、黒地に白い四角を表示
する場合は、白い四角を表示する部分の上下の領域で
は、データバスライン116aに電圧が印加されるた
め、コモン電極111dとデータバスライン116aと
の間に電界が発生し、この電界に沿って液晶分子が配向
する。従って、図19(b)に示すように、基板110
の下側から液晶層に入射した偏光光は、ブラックマトリ
クス121の表面で反射され、更にコモン電極111d
の表面で反射されて、カラーフィルタ112及びガラス
基板120を透過する。この漏れ光のために、本来は黒
に表示される部分が白っぽくなる。この現象をクロスト
ークという。When displaying black on the entire screen, the voltage of the data bus line 116a is substantially the same as the voltage of the common electrode 111d, and an electric field is applied to the liquid crystal between the common electrode 111d and the data bus line 116a. No voltage is applied and no light leakage occurs. On the other hand, when a white square is displayed on a black background, a voltage is applied to the data bus line 116a in a region above and below a portion where the white square is displayed, so that a voltage is applied between the common electrode 111d and the data bus line 116a. An electric field is generated, and the liquid crystal molecules are aligned along the electric field. Therefore, as shown in FIG.
The polarized light that has entered the liquid crystal layer from below is reflected by the surface of the black matrix 121, and is further reflected by the common electrode 111d.
And is transmitted through the color filter 112 and the glass substrate 120. Due to this leakage light, a portion originally displayed in black becomes whitish. This phenomenon is called crosstalk.
【0014】このクロストークを防ぐために、黒い色素
が混合された樹脂を使用してブラックマトリクスを形成
することもある。しかし、樹脂製のブラックマトリクス
は光吸収率が低いため、漏れ光を防止する効果が十分で
はなく、コントラストが全体的に低くなるという問題が
生じている。また、金属製のブラックマトリクスの上に
樹脂製のブラックマトリクスを重ねることも考えられる
が、そうすると工程数が多くなって煩雑であるととも
に、製造コストの増大を招く。In order to prevent this crosstalk, a black matrix may be formed using a resin mixed with a black dye. However, since the resin black matrix has a low light absorptivity, the effect of preventing light leakage is not sufficient, and there is a problem that the contrast is lowered as a whole. It is also conceivable to superimpose a resin black matrix on a metal black matrix. However, doing so increases the number of steps and is complicated, and causes an increase in manufacturing cost.
【0015】IPS型液晶表示装置に限らず、TN型
液晶表示装置においても、焼付きという現象が発生す
る。これは、例えば図20に示すように、黒地に白い四
角を長時間表示した後に、全面を中間調(灰色)表示に
切換えたときに、それまで黒を表示していた部分と白を
表示していた部分とで輝度が異なってしまう現象であ
る。The phenomenon of burn-in occurs not only in the IPS type liquid crystal display device but also in the TN type liquid crystal display device. For example, as shown in FIG. 20, after a white square is displayed on a black background for a long time, when the entire surface is switched to a halftone (gray) display, a portion where black was displayed and white are displayed. This is a phenomenon in which the luminance is different from the part where it was.
【0016】以上から本発明の目的は、開口率が高く、
明るい画像を表示することができるIPS型液晶表示装
置及びその駆動方法を提供することである。また、本発
明の他の目的は、漏れ光によるクロストークを防止し、
表示品質が良好な液晶表示装置を提供することである。
更に本発明の他の目的は、焼付きが発生しにくく、表示
品質が良好な液晶表示装置を提供することである。From the above, it is an object of the present invention to provide a high aperture ratio,
An object of the present invention is to provide an IPS type liquid crystal display device capable of displaying a bright image and a driving method thereof. Another object of the present invention is to prevent crosstalk due to light leakage,
An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having good display quality.
Still another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which is less likely to cause image sticking and has good display quality.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】上記したの課題は、図
1に例示するように、第1の基板10及び第2の基板2
0間に液晶29を封入して構成された液晶表示装置にお
いて、前記第1の基板10の前記第2の基板20側の面
に形成された複数本のゲートバスライン11aと、前記
第1の基板10の前記第2の基板20側の面に形成され
て前記ゲートバスライン11aに交差する複数本のデー
タバスライン16aと、n番目(nは1,2,…)の前
記ゲートバスライン11a、n+1番目の前記ゲートバ
スライン11a、m番目(mは1,2,…)の前記デー
タバスライン16a及びm+1番目の前記データバスラ
イン16aにより区画される画素領域内に配置された1
又は複数本の表示電極16dと、ゲート電極が前記n番
目のゲートバスライン16aに電気的に接続され、ドレ
イン電極が前記m番目のデータバスライン16aに電気
的に接続され、ソース電極が前記表示電極16dに電気
的に接続された薄膜トランジスタ19と、前記表示電極
16dから離間して配置され、かつ前記n+1番目のゲ
ートバスライン11aに電気的に接続された1又は複数
本のコモン電極11c,11dとを有する液晶表示装置
により解決する。SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned problem is solved by a first substrate 10 and a second substrate 2 as illustrated in FIG.
In a liquid crystal display device in which a liquid crystal 29 is sealed between zeros, a plurality of gate bus lines 11a formed on a surface of the first substrate 10 on the side of the second substrate 20; A plurality of data bus lines 16a formed on the surface of the substrate 10 on the side of the second substrate 20 and intersecting the gate bus lines 11a; and an nth (n is 1, 2,...) Gate bus line 11a , N + 1-th gate bus line 11a, m-th (m is 1, 2,...) Data bus line 16a and m + 1-th data bus line 16a.
Alternatively, a plurality of display electrodes 16d, a gate electrode is electrically connected to the n-th gate bus line 16a, a drain electrode is electrically connected to the m-th data bus line 16a, and a source electrode is A thin film transistor 19 electrically connected to the electrode 16d, and one or a plurality of common electrodes 11c and 11d disposed apart from the display electrode 16d and electrically connected to the (n + 1) th gate bus line 11a. The problem is solved by a liquid crystal display device having the following.
【0018】上記のように構成された液晶表示装置にお
いては、従来必要とされていたコモン配線がなく、画素
領域の開口率が向上する。これにより、明るくコントラ
ストが良好な画像を表示することができる。この場合、
表示電極とコモン電極とをいずれも上層導電層に形成す
ることが好ましい。表示電極とコモン電極とをいずれも
上層導電層に形成した場合、これらの電極の上に絶縁層
がないので、絶縁膜に電界が蓄積されて表示品質が低下
することを回避できる。但し、コモン電極を上層配線に
形成すると、コモン電極とゲート配線とを接続するため
の配線が必要になり、その分開口率が低下する。従っ
て、開口率を優先する場合は、コモン電極を下層導電層
に形成してもよい。In the liquid crystal display device configured as described above, there is no common wiring required conventionally, and the aperture ratio of the pixel region is improved. This makes it possible to display a bright and high-contrast image. in this case,
It is preferable that both the display electrode and the common electrode are formed on the upper conductive layer. When both the display electrode and the common electrode are formed on the upper conductive layer, since there is no insulating layer on these electrodes, it is possible to avoid the deterioration of display quality due to the accumulation of an electric field in the insulating film. However, when the common electrode is formed in the upper layer wiring, wiring for connecting the common electrode and the gate wiring is required, and the aperture ratio is reduced accordingly. Therefore, when giving priority to the aperture ratio, the common electrode may be formed in the lower conductive layer.
【0019】また、コモン電極を下層導電層に形成する
場合、コモン電極とデータバスラインとが一部重なるよ
うに形成することが好ましい。これにより、コモン電極
とデータバスラインとの間の隙間から光が漏れることが
回避される。また、上記したの課題は、図4に例示す
るように、第1の基板及び第2の基板間に液晶を封入し
た液晶表示装置において、前記第1の基板30の前記第
2の基板側の面に形成された複数本のゲートバスライン
31aと、前記第1の基板30の前記第2の基板側の面
に形成されて前記ゲートバスライン31aに交差する複
数本のデータバスライン36aと、n番目(nは1,
2,…)の前記ゲートバスライン31a、n+1番目の
前記ゲートバスライン31a、m番目(mは1,2,
…)の前記データバスライン36a及びm+1番目の前
記データバスライン36aにより区画される画素領域内
に配置された1又は複数本の表示電極36dと、ゲート
電極が前記n番目のゲートバスライン31aと電気的に
接続され、ドレイン電極が前記m番目のデータバスライ
ン36aと電気的に接続され、ソース電極が前記表示電
極36dと電気的に接続された第1の薄膜トランジスタ
39aと、前記表示電極36dから離間して配置された
1又は複数本のコモン電極31c,31dと、ゲート電
極が前記n番目のゲートバスライン31aと電気的に接
続され、ドレイン電極が前記n+1番目のゲートバスラ
イン31aと電気的に接続され、ソース電極が前記コモ
ン電極31c,31dと電気的に接続された第2の薄膜
トランジスタ39bとを有することを特徴とする液晶表
示装置により解決する。In the case where the common electrode is formed on the lower conductive layer, it is preferable that the common electrode and the data bus line partially overlap. This prevents light from leaking from the gap between the common electrode and the data bus line. In addition, as described above, in the liquid crystal display device in which the liquid crystal is sealed between the first substrate and the second substrate, the above-described problem occurs in the liquid crystal display device on the second substrate side of the first substrate 30. A plurality of gate bus lines 31a formed on the surface, a plurality of data bus lines 36a formed on the surface of the first substrate 30 on the second substrate side and intersecting the gate bus lines 31a, n-th (n is 1,
, 2), the (n + 1) th gate bus line 31a, and the mth (m is 1, 2, 2)
..), One or more display electrodes 36d arranged in a pixel area defined by the data bus line 36a and the (m + 1) th data bus line 36a, and the gate electrode is connected to the n-th gate bus line 31a. A first thin film transistor 39a electrically connected, a drain electrode electrically connected to the m-th data bus line 36a, and a source electrode electrically connected to the display electrode 36d; One or more common electrodes 31c and 31d spaced apart, a gate electrode is electrically connected to the nth gate bus line 31a, and a drain electrode is electrically connected to the (n + 1) th gate bus line 31a. And the second thin film transistor 39 whose source electrode is electrically connected to the common electrodes 31c and 31d. It is solved by a liquid crystal display device characterized by having and.
【0020】このように構成された液晶表示装置では、
コモン電極とゲートバスラインとの間に薄膜トランジス
タが接続されているので、データ書込み時とデータ保持
時とのコモン電極の電圧の変化が回避される。また、こ
の液晶表示装置では、通常コモン電極を第2の薄膜トラ
ンジスタのソース電極と同一層、すなわち上層導電層に
形成することになるが、その場合は下層導電層にゲート
バスラインと第2の薄膜トランジスタのドレイン電極と
の間を接続するコモン配線が必要となる。このコモン配
線をデータバスライン及びコモン電極と一部が重なるよ
うに形成することにより、データバスラインとコモン電
極との間の隙間からの漏れ光を遮断することができる。In the liquid crystal display device configured as described above,
Since the thin film transistor is connected between the common electrode and the gate bus line, a change in the voltage of the common electrode between data writing and data holding is avoided. In this liquid crystal display device, the common electrode is usually formed in the same layer as the source electrode of the second thin film transistor, that is, in the upper conductive layer. In this case, the gate bus line and the second thin film transistor are formed in the lower conductive layer. Requires a common wiring for connection with the drain electrode. By forming the common wiring so as to partially overlap the data bus line and the common electrode, it is possible to block light leaked from a gap between the data bus line and the common electrode.
【0021】上記したの課題は、図3に例示するよう
に、対向して配置された2枚の基板のうちの一方の基板
に、複数本のゲートバスライン(G1 ,G2 ,…)と、
前記ゲートバスライン(G1 ,G2 ,…)に交差する複
数本のデータバスライン(D1 ,D2 ,…)と、n番目
(nは1,2,…)の前記ゲートバスライン(G1 ,G
2 ,…)、n+1番目の前記ゲートバスライン(G1 ,
G2 ,…)、m番目(mは1,2,…)の前記データバ
スライン(D1 ,D2 ,…)及びm+1番目の前記デー
タバスライン(D1 ,D2 ,…)により区画される画素
領域内に配置された1又は複数本の表示電極(S1 ,S
2 …)と、ゲート電極が前記n番目のゲートバスライン
(G1 ,G2 ,…)に電気的に接続され、ドレイン電極
が前記m番目のデータバスライン(D1 )に電気的に接
続され、ソース電極が前記表示電極(S1 ,S2 ,…)
に電気的に接続された薄膜トランジスタTFT1 ,TF
T2 ,…と、前記表示電極(S1 ,S2 ,…)から離間
して配置され、かつ前記n+1番目のゲートバスライン
(G1 ,G2 ,…)に電気的に接続された1又は複数本
のコモン電極(C1 ,C2 ,…)とが形成された液晶表
示装置の駆動方法において、前記ゲートバスライン(G
1 ,G2 ,…)に、表示データ書込み時の前記コモン電
極の電位を決定する基準電圧(例えば、0V)、前記薄
膜トランジスタをオンにする第1の電圧(例えば、+1
5V)及び前記薄膜トランジスタをオフにする第2の電
圧(例えば、−10V)を経時的に供給することを特徴
とする液晶表示装置の駆動方法により解決する。As shown in FIG. 3, the above-mentioned problem is caused by providing a plurality of gate bus lines (G1, G2,...) On one of two substrates arranged opposite to each other.
A plurality of data bus lines (D1, D2,...) Crossing the gate bus lines (G1, G2,...) And an nth (n is 1, 2,...) Gate bus line (G1, G2).
,...), The (n + 1) th gate bus line (G1,.
G2,...), The mth (m is 1, 2,...) Data bus line (D1, D2,...) And the (m + 1) th data bus line (D1, D2,. One or a plurality of display electrodes (S1, S
2), the gate electrode is electrically connected to the n-th gate bus line (G1, G2,...), The drain electrode is electrically connected to the m-th data bus line (D1), and the source is The electrodes are the display electrodes (S1, S2, ...)
Thin film transistors TFT1, TF electrically connected to
T2,... And one or more commons which are arranged apart from the display electrodes (S1, S2,...) And electrically connected to the (n + 1) th gate bus line (G1, G2,. In the driving method of the liquid crystal display device having the electrodes (C1, C2,.
, G2,...), A reference voltage (for example, 0 V) for determining the potential of the common electrode when writing display data, and a first voltage (for example, +1) for turning on the thin film transistor.
5V) and a second voltage (for example, -10 V) for turning off the thin film transistor are supplied over time.
【0022】上記の液晶表示装置の駆動方法によれば、
薄膜トランジスタのゲート電極に第1の電圧が印加され
ている画素領域の表示電極には、薄膜トランジスタがオ
ン状態となるので表示データが書き込まれる。また、薄
膜トランジスタのゲート電極に第2の電圧が印加されて
る画素領域には、薄膜トランジスタがオフ状態となるの
で、表示データの書込みは行われない。薄膜トランジス
タのゲート電極に基準電圧が印加されている画素領域で
は、表示データの電圧によっては表示データの誤書込み
が行われてしまう。しかし、そのような画素は次の垂直
同期期間でデータの書込みが行われるので、誤書き込み
による表示品質の劣化は実質的に無視することができ
る。According to the driving method of the liquid crystal display device described above,
Since the thin film transistor is turned on, display data is written to the display electrode in the pixel region where the first voltage is applied to the gate electrode of the thin film transistor. In the pixel region where the second voltage is applied to the gate electrode of the thin film transistor, the display data is not written because the thin film transistor is turned off. In a pixel region where a reference voltage is applied to the gate electrode of the thin film transistor, display data is erroneously written depending on the voltage of the display data. However, since data is written to such a pixel in the next vertical synchronization period, deterioration of display quality due to erroneous writing can be substantially ignored.
【0023】このような駆動方法により、コモン配線を
省略して開口率を向上させた液晶表示装置を駆動するこ
とができる。また、上記したの課題は、図5に例示す
るように、対向して配置された2枚の基板のうちに一方
の基板に、複数本のゲートバスライン(G1 ,G2 ,
…)と、前記ゲートバスライン(G1 ,G2 ,…)に交
差する複数本のデータバスライン(D1 ,D2 ,…)
と、n番目(nは1,2,…)の前記ゲートバスライン
(G1 ,G2 ,…)、n+1番目の前記ゲートバスライ
ン(G1 ,G2 ,…)、m番目(mは1,2,…)の前
記データバスライン(D1 ,D2 ,…)及びm+1番目
の前記データバスライン(D1 ,D2 ,…)により区画
される画素領域内に配置された1又は複数本の表示電極
(S1 ,S2 ,…)と、ゲート電極が前記n番目のゲー
トバスライン(G1 ,G2 ,…)に接続され、ドレイン
電極が前記m番目のデータバスライン(D1 ,D2 ,
…)に接続され、ソース電極が前記表示電極(S1 ,S
2 ,…)と接続された第1の薄膜トランジスタ(TFT
11,TFT21,…)と、前記表示電極(S1 ,S2 ,
…)から離間して配置された1又は複数本のコモン電極
(C1 ,C2 ,…)と、ゲート電極が前記n番目のゲー
トバスライン(G1 ,G2 ,…)に電気的に接続され、
ドレイン電極が前記n+1番目のゲートバスライン(G
1 ,G2 ,…)に電気的に接続され、ソース電極が前記
コモン電極に電気的に接続された第2の薄膜トランジス
タ(TFT12,TFT22,…)とが形成された液晶表示
装置の駆動方法において、前記ゲートバスライン(G1
,G2 ,…)に、表示データ書込み時の前記コモン電
極の電位を決定する基準電圧(例えば、0V)、前記第
1の薄膜トランジスタ及び第2の薄膜トランジスタをオ
ンにする第1の電圧(例えば、+15V)及び前記第1
の薄膜トランジスタ及び第2の薄膜トランジスタをオフ
にする第2の電圧(例えば、−10V)が経時的に供給
されることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法により
解決する。With such a driving method, it is possible to drive a liquid crystal display device having an improved aperture ratio by omitting common wiring. In addition, as described above, as shown in FIG. 5, one of the two substrates disposed opposite to each other has a plurality of gate bus lines (G1, G2,
...) and a plurality of data bus lines (D1, D2, ...) intersecting the gate bus lines (G1, G2, ...).
, The nth (n is 1, 2,...) Gate bus line (G1, G2,...), The (n + 1) th gate bus line (G1, G2,. ..) And one or more display electrodes (S1,...) Arranged in a pixel area defined by the (m + 1) th data bus line (D1, D2,...). S2,...) And a gate electrode connected to the n-th gate bus line (G1, G2,...), And a drain electrode connected to the m-th data bus line (D1, D2,.
..), And the source electrode is connected to the display electrodes (S1, S1).
, ...) connected to a first thin film transistor (TFT)
, TFT21,...) And the display electrodes (S1, S2,.
...) and one or more common electrodes (C1, C2, ...) arranged at a distance from each other, and a gate electrode is electrically connected to the n-th gate bus line (G1, G2, ...);
The drain electrode is connected to the (n + 1) th gate bus line (G
, G2,...), And a second thin film transistor (TFT12, TFT22,...) Having a source electrode electrically connected to the common electrode. The gate bus line (G1
, G2,...), A reference voltage (for example, 0 V) for determining the potential of the common electrode at the time of display data writing, and a first voltage (for example, +15 V) for turning on the first thin film transistor and the second thin film transistor. ) And the first
And a second voltage for turning off the second thin film transistor (for example, −10 V) is supplied over time.
【0024】上記駆動方法はn番目のデータバスライン
と表示電極との間を接続する第1の薄膜トランジスタ
と、n+1番目のデータバスラインとコモン電極との間
を接続する第2の薄膜トランジスタとを有する液晶表示
装置の駆動方法である。この駆動方法により、ゲート配
線に沿って水平方向に延びるコモン配線を省略して開口
率を向上させた液晶表示装置を駆動することができる。The above driving method has a first thin film transistor connecting between the nth data bus line and the display electrode, and a second thin film transistor connecting between the (n + 1) th data bus line and the common electrode. This is a driving method of the liquid crystal display device. According to this driving method, it is possible to drive a liquid crystal display device in which the aperture ratio is improved by omitting the common wiring extending in the horizontal direction along the gate wiring.
【0025】上記したの課題は、図7〜図9に例示す
るように、第1の基板40及び第2の基板間50間に液
晶を封入して構成され、複数の画素領域の光透過率を個
別に制御して画像を表示する液晶表示装置において、前
記第1の基板40には、前記画素領域を画定する複数本
のデータバスライン46a及び複数本のゲートバスライ
ン41aを有し、前記第2の基板50には、前記画素領
域間を遮光する金属又は金属化合物からなるブラックマ
トリクス51と、各画素領域毎に透過光の色を決めるカ
ラーフィルタ51R,51G,51Bとを有し、前記カ
ラーフィルタ51R,51G,51Bが画素領域から前
記ブラックマトリクス51上を通って隣の画素領域まで
延在し、前記ブラックマトリクス51の上には少なくと
も2色のカラーフィルタに覆われ、その2色のカラーフ
ィルタの重なり部分の幅W3 が前記ブラックマトリクス
W2 の幅よりも広いことを特徴とする液晶表示装置によ
り解決する。The above-mentioned problem is, as exemplified in FIGS. 7 to 9, in which liquid crystal is sealed between the first substrate 40 and the second substrate 50, and the light transmittance of a plurality of pixel regions is increased. In the liquid crystal display device for displaying an image by controlling individually, the first substrate 40 has a plurality of data bus lines 46a and a plurality of gate bus lines 41a that define the pixel area, The second substrate 50 includes a black matrix 51 made of a metal or a metal compound that shields light between the pixel regions, and color filters 51R, 51G, and 51B that determine the color of transmitted light for each pixel region. Color filters 51R, 51G, and 51B extend from the pixel area to the adjacent pixel area over the black matrix 51, and at least two color filters are provided on the black matrix 51. Covered data is solved by a liquid crystal display device in which the width W3 of the overlapping portion of the color filter of the two colors is equal to or wider than the width of the black matrix W2.
【0026】上記構成の液晶表示装置においては、ブラ
ックマトリクスの上に少なくとも2色のカラーフィルタ
を重ねて、ブラックマトリクスで反射される光を低減す
る。液晶表示装置のバックライトとして一般的に使用さ
れている冷陰極管では、赤色、緑色及び青に対応する波
長のピークが高く、赤色のカラーフィルタを透過する光
は緑色又は青色のカラーフィルタを透過することが困難
であり、緑色のカラーフィルタを透過する光は赤色又は
青色のカラーフィルタを透過することが困難であり、青
色のカラーフィルタを透過する光は赤色又は緑色のカラ
ーフィルタを透過することが困難である。従って、2色
以上のカラーフィルタを重ねることにより、ブラックマ
トリクスで反射される光の光量を著しく低減することが
できる。In the liquid crystal display device having the above structure, at least two color filters are superimposed on the black matrix to reduce the light reflected by the black matrix. In a cold cathode fluorescent lamp generally used as a backlight of a liquid crystal display device, peaks of wavelengths corresponding to red, green and blue are high, and light transmitted through a red color filter transmits through a green or blue color filter. It is difficult to transmit light passing through a green color filter, it is difficult to transmit light through a red or blue color filter, and light passing through a blue color filter can pass through a red or green color filter. Is difficult. Therefore, by stacking two or more color filters, the amount of light reflected by the black matrix can be significantly reduced.
【0027】このように、本発明では、カラーフィルタ
の重なり部分をブラックマトリクスの一部として使用す
るので、製造工程の増加を回避しつつ、ブラックマトリ
クスでの反射に起因するクロストークを防止することが
できる。なお、この発明は、IPS型液晶表示装置だけ
でなく、金属製の補助容量電極を有するTN型液晶表示
装置にも適用することができる。As described above, according to the present invention, since the overlapping portion of the color filter is used as a part of the black matrix, it is possible to prevent an increase in the number of manufacturing steps and to prevent crosstalk caused by reflection on the black matrix. Can be. The present invention can be applied not only to the IPS type liquid crystal display device but also to a TN type liquid crystal display device having a metal auxiliary capacitance electrode.
【0028】垂直方向に同じ色のカラーフィルタを有す
る画素が並ぶ液晶表示装置では、カラーフィルタはRG
Bのストライプ状となり、カラーフィルタの重なり部分
がデータバスラインに平行となる。また、IPS型液晶
表示装置の場合、カラーフィルタの重なり部分をコモン
電極の上方まで延在させることにより、ブラックマトリ
クスでの反射に起因するクロストークをより確実に防止
することができる。In a liquid crystal display device in which pixels having color filters of the same color are arranged in the vertical direction, the color filter is RG.
The stripes of B are formed, and the overlapping portions of the color filters are parallel to the data bus lines. In the case of the IPS type liquid crystal display device, by extending the overlapping portion of the color filter above the common electrode, crosstalk caused by reflection on the black matrix can be more reliably prevented.
【0029】上記したの課題は、図15に例示するよ
うに、第1の基板80及び第2の基板90間に液晶99
を封入して構成された液晶表示装置において、前記第1
の基板80の第2の基板90側の面に形成された複数本
のゲートバスライン81aと、前記第1の基板80の前
記第2の基板90側の面に形成されて前記ゲートバスラ
イン81aに交差する複数本のデータバスライン86a
と、前記ゲートバスライン81a及び前記データバスラ
イン86aにより区画された画素領域内に配置された1
又は複数本の表示電極86dと、前記画素領域内に前記
表示電極86dと離間して配置された1又は複数本のコ
モン電極81dと、前記第1の基板80に前記表示電極
86d及び前記コモン電極81dを覆うようにして形成
された第1の配向膜88と、前記第2の基板90の前記
第1の基板80側の面に形成され、前記第1の配向膜8
8と電気的性質が異なる第2の配向膜91とを有するこ
とを特徴とする液晶表示装置により解決する。The above-mentioned problem is caused by the liquid crystal 99 between the first substrate 80 and the second substrate 90 as illustrated in FIG.
In the liquid crystal display device configured by enclosing
A plurality of gate bus lines 81a formed on the surface of the first substrate 80 on the second substrate 90 side and the plurality of gate bus lines 81a formed on the surface of the first substrate 80 on the second substrate 90 side. Data bus lines 86a intersecting with
And 1 arranged in a pixel area defined by the gate bus line 81a and the data bus line 86a.
Or, a plurality of display electrodes 86d, one or a plurality of common electrodes 81d arranged in the pixel region apart from the display electrodes 86d, and the display electrodes 86d and the common electrodes on the first substrate 80. A first alignment film 88 formed so as to cover 81d, and a first alignment film 8 formed on the surface of the second substrate 90 on the first substrate 80 side.
8 and a second alignment film 91 having different electrical properties.
【0030】本願発明者らの研究から、焼付きは配向膜
と液晶との界面に蓄積される電荷により発生することが
判明している。従って、電荷が蓄積されにくい配向膜を
使用することにより、焼付きを防止することができる。
例えば、配向膜として体積抵抗が1010Ωcmのものを
使用すると、配向膜と液晶との界面への電荷の蓄積が防
止される。しかし、両方の配向膜をいずれも体積抵抗が
小さいものとすると、電圧保持率が低下して表示性能が
劣化する。From the study of the present inventors, it has been found that image sticking occurs due to electric charges accumulated at the interface between the alignment film and the liquid crystal. Therefore, image sticking can be prevented by using an alignment film in which electric charges are not easily accumulated.
For example, when a film having a volume resistance of 10 10 Ωcm is used as an alignment film, accumulation of electric charge at the interface between the alignment film and the liquid crystal is prevented. However, when both of the alignment films have a small volume resistance, the voltage holding ratio is reduced and the display performance is deteriorated.
【0031】本願発明者らの研究により、液晶表示装置
の焼付き現象は、駆動電極が形成された基板側の配向膜
に依存することが判明した。駆動電極が形成された基板
側の配向膜として体積抵抗が低いものを使用すると、配
向膜に蓄積される電荷が少なくなり、焼付きが防止され
る。一方、電圧保持特性は、第1基板側の配向膜と第2
の基板側の配向膜のうち、電圧保持特性が高い配向膜に
依存することが判明した。従って、本発明においては、
表示電極及びコモン電極が形成された第1の基板側の配
向膜として、体積抵抗が低い配向膜、例えばポリアミッ
ク酸により形成された配向膜を使用し、第2の基板側の
配向膜として、体積抵抗が高い配向膜、例えばポリイミ
ドからなる配向膜を使用する。According to the study of the present inventors, it has been found that the image sticking phenomenon of the liquid crystal display device depends on the alignment film on the substrate side on which the drive electrodes are formed. When an alignment film having a low volume resistance is used as the alignment film on the substrate side on which the drive electrode is formed, the amount of charge accumulated in the alignment film is reduced, and image sticking is prevented. On the other hand, the voltage holding characteristic is different between the alignment film on the first substrate side and the second film.
It was found that, among the alignment films on the substrate side, the voltage dependence of the alignment film was high. Therefore, in the present invention,
As the alignment film on the first substrate side on which the display electrode and the common electrode are formed, an alignment film having a low volume resistance, for example, an alignment film formed of polyamic acid is used. An alignment film having high resistance, for example, an alignment film made of polyimide is used.
【0032】なお、TN型液晶表示装置では、駆動電極
(画素電極及び対向電極)が異なる基板にあるので、一
方の側の配向膜と他方の側の配向膜との電気的特性が異
なる場合、いずれか一方の配向膜に電荷が蓄積されてゆ
き、表示品質が著しく劣化する。しかし、IPS型液晶
表示装置では、一方の基板側に駆動電極(表示電極及び
コモン電極)があるので、前述したように一方の基板側
の配向膜と他方の基板側の配向膜とで電気的特性が異な
るものを使用しても、配向膜への電荷の蓄積が回避さ
れ、表示品質が劣化することはない。In the TN type liquid crystal display device, since the drive electrodes (pixel electrode and counter electrode) are on different substrates, when the electric characteristics of the alignment film on one side and the alignment film on the other side are different, Electric charges are accumulated in one of the alignment films, and the display quality is significantly deteriorated. However, in the IPS type liquid crystal display device, since the drive electrodes (display electrodes and common electrodes) are provided on one substrate side, as described above, the electrical alignment between the alignment film on one substrate side and the alignment film on the other substrate side is performed. Even if one having different characteristics is used, the accumulation of charges in the alignment film is avoided, and the display quality does not deteriorate.
【0033】また、従来、IPS型液晶表示装置には、
液晶分子の動きが遅い、印加電圧が高いという問題点が
ある。これらの問題点を解決するための手段として、シ
アノ系の液晶が使用されている。しかし、このような場
合、配向膜に蓄積される電荷に起因する非対称な電圧に
よってシアノ系液晶が分解されることが知られている。
このため、配向膜に電荷が蓄積されることを防ぐために
は、配向膜として抵抗が比較的小さいものを使用する必
要がある。しかしながら、前述したように、第1の基板
側の配向膜と第2の基板側の配向膜の両方に抵抗が小さ
いものを使用すると、電圧保持率が低下して、表示が劣
化する。本発明においては、駆動電極が形成されている
基板側の配向膜として体積抵抗が小さいものを使用し、
駆動電極が形成されてない基板側の配向膜に体積抵抗が
大きいものを使用することにより、シアノ系液晶の使用
を可能としている。Conventionally, IPS type liquid crystal display devices include:
There are problems that the movement of liquid crystal molecules is slow and the applied voltage is high. As means for solving these problems, cyano-based liquid crystals are used. However, in such a case, it is known that the cyano-based liquid crystal is decomposed by an asymmetrical voltage caused by the charges accumulated in the alignment film.
Therefore, in order to prevent charges from being accumulated in the alignment film, it is necessary to use an alignment film having a relatively low resistance. However, as described above, if both the alignment film on the first substrate side and the alignment film on the second substrate side have a small resistance, the voltage holding ratio is reduced and the display is deteriorated. In the present invention, the one having a small volume resistance is used as the alignment film on the substrate side on which the drive electrode is formed,
By using an alignment film having a large volume resistance as the alignment film on the substrate side where the drive electrode is not formed, it is possible to use a cyano-based liquid crystal.
【0034】[0034]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。 (第1の実施の形態)図1(a)は本発明の第1の実施
の形態の液晶表示装置を示す平面図、図1(b)は図1
(a)のA−A線による断面図である。また、図2は同
じくその液晶表示装置の導電層のパターンを示す図であ
り、実線は上層導電層のパターンを示し、破線は下層導
電層のパターンを示す。なお、図1(a)及び図2はい
ずれも液晶表示装置の1つの画素領域を示す。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. (First Embodiment) FIG. 1A is a plan view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG.
It is sectional drawing by the AA of (a). FIG. 2 is also a diagram showing the pattern of the conductive layer of the liquid crystal display device. The solid line shows the pattern of the upper conductive layer, and the broken line shows the pattern of the lower conductive layer. FIGS. 1A and 2 each show one pixel region of a liquid crystal display device.
【0035】本実施の形態の液晶表示装置は、対向して
配置されたガラス基板10及びガラス基板20と、これ
らのガラス基板10,20の間に封入された液晶29
と、ガラス基板10の下側及びガラス基板20の上側に
それぞれ配置された偏光板(図示せず)とにより構成さ
れている。ガラス基板10上には、相互に平行に配置さ
れた複数本のゲートバスライン11aと、ゲートバスラ
イン11aに直角に交差する複数本のデータバスライン
16aとが形成されている。これらのゲートバスライン
11aとデータバスライン16aとにより区画された複
数の矩形状の領域がそれぞれ画素領域である。ガラス基
板10上には、例えば水平方向に2400個(800×
R・G・B)、垂直方向に600個の画素領域が並んで
いる。The liquid crystal display device of the present embodiment has a glass substrate 10 and a glass substrate 20 which are disposed opposite to each other, and a liquid crystal 29 which is sealed between the glass substrates 10 and 20.
And a polarizing plate (not shown) arranged below the glass substrate 10 and above the glass substrate 20, respectively. On the glass substrate 10, a plurality of gate bus lines 11a arranged in parallel with each other and a plurality of data bus lines 16a intersecting at right angles to the gate bus line 11a are formed. A plurality of rectangular areas defined by these gate bus lines 11a and data bus lines 16a are pixel areas. On the glass substrate 10, for example, 2400 pieces (800 ×
R, G, B), and 600 pixel regions are arranged in the vertical direction.
【0036】各画素領域には、TFT19と、画素領域
の中央に縦方向に配置された1本の表示電極16dと、
画素領域の横方向の両端側にそれぞれ配置された2本の
コモン電極11c,11dと、ゲートバスライン11a
の上に重なるように配置された補助容量電極16eとが
設けられている。補助容量電極16eは、その下方のゲ
ートバスライン11aとともに補助容量を構成する。Each pixel region has a TFT 19, a single display electrode 16d arranged vertically in the center of the pixel region,
Two common electrodes 11c and 11d respectively arranged on both ends in the horizontal direction of the pixel region, and a gate bus line 11a
And a storage capacitor electrode 16e arranged so as to overlap therewith. The auxiliary capacitance electrode 16e forms an auxiliary capacitance together with the gate bus line 11a thereunder.
【0037】図2に示すように、ゲートバスライン11
a、TFT19のゲート電極11b、コモン電極11c
は下層導電層に形成されている。ゲート電極11bは画
素領域の上側のゲートバスライン11aと接続されてお
り、コモン電極11c,11dは下側のゲートバスライ
ン11aと接続されている。これらのゲートバスライン
11a、TFT19のゲート電極11b及びコモン電極
11cの上には、図1(b)に示すように、SiNから
なる層間絶縁膜12が形成されている。層間絶縁膜12
の上には、TFT19を構成するアモルファスシリコン
膜13、チャネル保護膜14、不純物が導入されたアモ
ルファスシリコン膜15、ドレイン電極16b及びソー
ス電極16cが形成されている。As shown in FIG. 2, the gate bus line 11
a, gate electrode 11b of TFT 19, common electrode 11c
Is formed in the lower conductive layer. The gate electrode 11b is connected to the upper gate bus line 11a of the pixel area, and the common electrodes 11c and 11d are connected to the lower gate bus line 11a. As shown in FIG. 1B, an interlayer insulating film 12 made of SiN is formed on these gate bus lines 11a, the gate electrode 11b of the TFT 19, and the common electrode 11c. Interlayer insulating film 12
An amorphous silicon film 13, a channel protection film 14, an amorphous silicon film 15 into which impurities are introduced, a drain electrode 16 b, and a source electrode 16 c constituting the TFT 19 are formed thereon.
【0038】ドレイン電極16bは画素領域の左側のデ
ータバスライン16aと接続されている。また、ソース
電極16cは、ゲートバスライン11aと平行に延在し
て表示電極16dの上端部に接続されている。これらの
データバスライン16a、ドレイン電極16b、ソース
電極16c、表示電極16d及び補助容量電極16eが
形成された上層導電層の上にはSiNからなる保護膜1
7が形成されており、その保護膜17の上には配向膜1
8が形成されている。この配向膜18の表面には、表示
電極16dにほぼ直交する方向にラビング処理が施され
ている。The drain electrode 16b is connected to the data bus line 16a on the left side of the pixel area. The source electrode 16c extends in parallel with the gate bus line 11a and is connected to the upper end of the display electrode 16d. The protective film 1 made of SiN is formed on the upper conductive layer on which the data bus line 16a, the drain electrode 16b, the source electrode 16c, the display electrode 16d, and the auxiliary capacitance electrode 16e are formed.
The alignment film 1 is formed on the protective film 17.
8 are formed. Rubbing treatment is performed on the surface of the alignment film 18 in a direction substantially orthogonal to the display electrode 16d.
【0039】また、ガラス基板20の下側にも配向膜2
1が形成されている。この配向膜21の表面も、配向膜
18のラビング方向と同じ方向にラビング処理が施され
ている。なお、ガラス基板10,20の間には、両者の
間の間隔が一定になるように、球形又は円柱形のスペー
サ(図示せず)が配置されている。また、カラー液晶表
示装置の場合、ガラス基板20側にカラーフィルタ及び
ブラックマトリクスが形成されているが、図2ではそれ
らの図示を省略している。The alignment film 2 is also provided below the glass substrate 20.
1 is formed. The surface of the alignment film 21 is also rubbed in the same direction as the rubbing direction of the alignment film 18. A spherical or cylindrical spacer (not shown) is arranged between the glass substrates 10 and 20 so that the distance between the two is constant. In the case of a color liquid crystal display device, a color filter and a black matrix are formed on the glass substrate 20 side, but they are not shown in FIG.
【0040】図3は、本実施の形態の液晶表示装置の駆
動方法を示す模式図である。ここでは、縦方向に並んだ
4つの画素を示している。画素Aはデータが書き込まれ
た直後の画素、画素Bはデータ書込み中の画素、画素C
は次にデータが書き込まれる画素、画素Dは画素Cの次
にデータが書き込まれる画素であるとする。なお、図3
のゲートバスラインG1〜G5、データバスラインD
1,D2、TFT1〜TFT4、表示電極S1〜S4及
びコモン電極C1〜C4は、図1のゲートバスライン1
1a、データバスライン16a、TFT19、表示電極
16d及びコモン電極11c,11dにそれぞれ対応し
ている。FIG. 3 is a schematic diagram showing a driving method of the liquid crystal display device of the present embodiment. Here, four pixels arranged in the vertical direction are shown. Pixel A is a pixel immediately after data is written, pixel B is a pixel during data writing, pixel C
Is a pixel to which data is written next, and pixel D is a pixel to which data is written next to pixel C. Note that FIG.
Gate bus lines G1 to G5, data bus line D
1, D2, TFT1 to TFT4, display electrodes S1 to S4, and common electrodes C1 to C4 correspond to the gate bus line 1 of FIG.
1a, the data bus line 16a, the TFT 19, the display electrode 16d, and the common electrodes 11c, 11d.
【0041】液晶表示装置では、縦方向に並んだ複数本
のゲートバスラインG1,G2,…に対し、垂直同期信
号に同期したタイミングで走査信号を上から順番に供給
する。そして、走査信号が供給されている画素にデータ
バスラインD1,D2,…を介してデータ信号を供給す
ることにより、特定の画素に特定の表示データを書き込
む。In the liquid crystal display device, scanning signals are sequentially supplied to a plurality of gate bus lines G1, G2,... Arranged in the vertical direction from the top at a timing synchronized with the vertical synchronizing signal. Then, by supplying a data signal to the pixel to which the scan signal is supplied via the data bus lines D1, D2,..., Specific display data is written to a specific pixel.
【0042】画素Bにデータを書き込むためには、ゲー
トバスラインG2に電圧が+15Vのパルス信号(走査
信号)を供給してTFT2を一定時間だけオンにする。
また、データバスラインD1には、TFT2がオンの間
に、表示データとして−5Vから+5Vまでの範囲の電
圧を供給する。このとき、ゲートバスラインG1、G
4、G5には−10Vの電圧を印加して、画素A及び画
素DのTFT1,TFT4をオフにする。また、画素B
のコモン電極C2を0Vとする。すなわち、ゲートバス
ラインG3の電圧を0Vとする。In order to write data to the pixel B, a pulse signal (scanning signal) having a voltage of +15 V is supplied to the gate bus line G2 to turn on the TFT 2 for a predetermined time.
Further, a voltage in a range from -5 V to +5 V is supplied to the data bus line D1 as display data while the TFT 2 is on. At this time, the gate bus lines G1, G
4, a voltage of -10 V is applied to G5 to turn off TFT1 and TFT4 of pixel A and pixel D. Pixel B
Is set to 0V. That is, the voltage of the gate bus line G3 is set to 0V.
【0043】図3のように各ゲートバスラインG1〜G
5及びデータバスラインD1に電圧を印加したとき、T
FT2がオンになって表示電極S2に表示データ(±5
Vの範囲の信号)が書き込まれる。このとき、画素A及
び画素Dでは、ゲートバスラインG1,G4がいずれも
−10Vであるので、TFT1,TFT4はいずれもオ
フ状態となっている。従って、データバスラインD1に
供給された表示データは画素A及び画素Dに書込みされ
ない。As shown in FIG. 3, each of the gate bus lines G1 to G
5 and the data bus line D1, when a voltage is applied,
When the FT2 is turned on, the display data (± 5) is displayed on the display electrode S2.
V signal is written. At this time, in the pixel A and the pixel D, since the gate bus lines G1 and G4 are both at −10 V, both the TFT1 and the TFT4 are in the off state. Therefore, the display data supplied to the data bus line D1 is not written to the pixels A and D.
【0044】画素Cでは、TFT3のゲート電圧が0V
であるので、データバスラインD1に供給された表示デ
ータの電圧が負のときはTFT3がオンになり、表示電
極S3に表示データが書き込まれてしまう。しかし、次
の垂直同期期間では画素Cに対して表示データの書込み
が行われるので、画素Bに表示データを書込む際に同時
に画素Cに表示データが書き込まれる誤書き込みが発生
したとしても、次の垂直同期期間で画素Cに正しい表示
データが書き込まれるので、誤書き込みによる影響は実
質的に無視できる。In the pixel C, the gate voltage of the TFT 3 is 0 V
Therefore, when the voltage of the display data supplied to the data bus line D1 is negative, the TFT 3 is turned on, and the display data is written to the display electrode S3. However, since the display data is written to the pixel C in the next vertical synchronization period, even if the display data is written to the pixel C at the same time as the display data is written to the pixel B, Since the correct display data is written to the pixel C during the vertical synchronization period, the effect of the erroneous writing can be substantially ignored.
【0045】画素Bへの表示データの書込みが終了する
と、次の垂直同期期間ではゲートバスラインG2に−1
0Vの電圧が供給され、ゲートバスラインG3に+15
Vの電圧が供給され、ゲートバスラインG4に0Vの電
圧が供給される。これにより、画素BのTFT2はオフ
状態になり、表示電極S2がいわゆるフロート状態とな
る。このとき、コモン電極C2の電圧が0Vから−10
Vに変化するものの、表示電極S2とコモン電極C2と
の間には表示電極S2に書き込まれた表示データに応じ
た強度の電界が発生し、表示電極S2がフロート状態の
ため、そのまま保持される。従って、画素Bの液晶分子
は電界の方向及び強度に応じた方向に配向し、画素Bの
光透過率が決まる。この表示電極S2とコモン電極C2
との間の電界強度は、次にゲートバスラインG2が0V
になるまで保持される。When the writing of the display data to the pixel B is completed, -1 is applied to the gate bus line G2 in the next vertical synchronization period.
0V is supplied, and +15 is applied to the gate bus line G3.
A voltage of V is supplied, and a voltage of 0 V is supplied to the gate bus line G4. As a result, the TFT 2 of the pixel B is turned off, and the display electrode S2 is in a so-called floating state. At this time, the voltage of the common electrode C2 changes from 0V to -10.
Although the voltage changes to V, an electric field having an intensity corresponding to the display data written in the display electrode S2 is generated between the display electrode S2 and the common electrode C2, and the display electrode S2 is kept in the floating state because the display electrode S2 is in a floating state. . Therefore, the liquid crystal molecules of the pixel B are oriented in a direction corresponding to the direction and intensity of the electric field, and the light transmittance of the pixel B is determined. The display electrode S2 and the common electrode C2
Next, the electric field strength between the gate bus line G2 and 0V
It is held until it becomes.
【0046】本実施の形態においては、表示電極16d
(S1,S2,…)とコモン電極11c,11d(C
1,C2,…)との電圧差が、データ書込み時とデータ
保持時とで異なる。しかし、例えばゲートバスラインの
数が600本であるとすると、1フレーム期間のうちの
598/600の時間は同じ電圧差が保持されるので、
表示電極16d(S1,S2,…)とコモン電極11
c,11d(C1,C2,…)との電位差の変化による
表示の劣化は実質的に無視することができる。In the present embodiment, the display electrode 16d
(S1, S2,...) And common electrodes 11c, 11d (C
1, C2,...) Are different between data writing and data holding. However, if the number of gate bus lines is 600, for example, the same voltage difference is maintained for 598/600 times in one frame period.
The display electrode 16d (S1, S2,...) And the common electrode 11
The deterioration of the display due to the change in the potential difference from c, 11d (C1, C2,...) can be substantially ignored.
【0047】本実施の形態の液晶表示装置は、コモン電
極16dがゲートバスライン11aに接続されており、
従来必要とされていたコモン電極を一定電位にするため
の配線が不要であるので、画素領域のうち表示に寄与す
る部分の面積が多く、開口率が高い。従って、明るくコ
ントラストが高い画像の表示が可能である。また、本実
施の形態においては、コモン電極11c,11dがデー
タバスライン16aに一部重なるように形成しているの
で、コモン電極11c,11dとデータバスライン16
aとの間から光が漏れるおそれがないという利点もあ
る。In the liquid crystal display device of the present embodiment, the common electrode 16d is connected to the gate bus line 11a,
Since a wiring that is conventionally required to keep the common electrode at a constant potential is unnecessary, a portion of the pixel region that contributes to display has a large area and a high aperture ratio. Therefore, a bright and high-contrast image can be displayed. Further, in the present embodiment, the common electrodes 11c and 11d are formed so as to partially overlap the data bus lines 16a.
There is also an advantage that there is no risk of light leaking from the space a.
【0048】(第2の実施の形態)図4(a)は本発明
の第2の実施の形態の液晶表示装置の1つの画素領域を
示す平面図、図4(b)は同じくその液晶表示装置の導
電層のパターンを示す図であり、実線は上層導電層のパ
ターンを示し、破線は下層導電層のパターンを示す。な
お、TFT部分における断面図及び上側ガラス基板の構
成は基本的に第1の実施の形態と同様であるので、ここ
では断面図及び上側ガラス基板の図示を省略している。(Second Embodiment) FIG. 4A is a plan view showing one pixel region of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. It is a figure which shows the pattern of the conductive layer of an apparatus, a solid line shows the pattern of an upper conductive layer, and the broken line shows the pattern of a lower conductive layer. Since the sectional view and the configuration of the upper glass substrate in the TFT portion are basically the same as those in the first embodiment, the sectional view and the illustration of the upper glass substrate are omitted here.
【0049】ガラス基板30上には、相互に平行に配置
された複数本のゲートバスライン31aと、ゲートバス
ライン31aに直角に交差する複数本のデータバスライ
ン36aとが形成されている。これらのゲートバスライ
ン31aとデータバスライン36aとにより区画された
矩形の領域がそれぞれ画素領域である。各画素領域に
は、それぞれ2つのTFT39a,39bと、画素領域
の中央に縦方向に配置された1本の表示電極36dと、
画素領域の横方向の両側にそれぞれ配置された2本のコ
モン電極36e,36fと、画素領域の下側のゲートバ
スライン31aに沿って配置されてコモン電極36e,
36f間を電気的に接続する補助容量電極36gと、ゲ
ートバスライン31aに接続されたコモン配線31c,
31dとが形成されている。On the glass substrate 30, a plurality of gate bus lines 31a arranged in parallel with each other and a plurality of data bus lines 36a intersecting the gate bus lines 31a at right angles are formed. Each rectangular area defined by the gate bus line 31a and the data bus line 36a is a pixel area. In each pixel region, two TFTs 39a and 39b, one display electrode 36d vertically arranged in the center of the pixel region, and
Two common electrodes 36e and 36f respectively arranged on both sides in the horizontal direction of the pixel region, and common electrodes 36e and 36f arranged along the gate bus line 31a below the pixel region.
An auxiliary capacitance electrode 36g for electrically connecting between 36f and a common wiring 31c connected to the gate bus line 31a.
31d are formed.
【0050】本実施の形態においては、下層導電層にゲ
ートバスライン31a、TFT39a,39bの共通ゲ
ート電極31b、コモン配線31c,31dが形成され
ており、上層導電層にデータバスライン36a、TFT
39aのドレイン電極36b及びソース電極36c、表
示電極36d、コモン電極36e,36f、補助容量電
極36g、TFT39bのドレイン電極36h及びソー
ス電極36iが形成されている。そして、ソース電極3
6cは画素領域の上側のゲートバスライン31aと一部
重なっており、コモン配線31cは左側のデータバスラ
イン36a及びコモン電極36eと一部重なっており、
コモン配線31dは右側のデータバスライン36a及び
コモン電極36fと一部重なっており、補助容量電極3
6gは下側のデータバスライン31aと一部重なってい
る。In this embodiment, a gate bus line 31a, a common gate electrode 31b for TFTs 39a and 39b, and common wirings 31c and 31d are formed in a lower conductive layer, and a data bus line 36a and a TFT are formed in an upper conductive layer.
A drain electrode 36b and a source electrode 36c of 39a, a display electrode 36d, common electrodes 36e and 36f, an auxiliary capacitance electrode 36g, and a drain electrode 36h and a source electrode 36i of the TFT 39b are formed. And the source electrode 3
6c partially overlaps the upper gate bus line 31a of the pixel region, the common wiring 31c partially overlaps the left data bus line 36a and the common electrode 36e,
The common wiring 31d partially overlaps the right data bus line 36a and the common electrode 36f, and the auxiliary capacitance electrode 3
6g partially overlaps the lower data bus line 31a.
【0051】TFT39aは、ゲート電極31b、ドレ
イン電極36b及びソース電極36cにより構成されて
おり、TFT39bは、ゲート電極31b、ドレイン電
極36h及びソース電極36iにより構成されている。
この例では、2つのTFT39a,39bがいずれも画
素領域内の左上の部分に形成されている。図5は、本実
施の形態の液晶表示装置の駆動方法を示す模式図であ
る。ここでは、縦方向に並んだ4つの画素を示してい
る。画素Aはデータが書き込まれた直後の画素、画素B
がデータ書込み中の画素、画素Cは次にデータが書き込
まれる画素、画素Dは画素Cの次にデータが書き込まれ
る画素であるとする。なお、図5のゲートバスラインG
1〜G5、データバスラインD1,D2、TFT11,T
FT21,…,TFT41、TFT12,TFT21,…,TF
T42、表示電極S1〜S4及びコモン電極C1〜C4
は、図4のゲートバスライン31a、データバスライン
36a、TFT39a、TFT39b、表示電極36d
及びコモン電極36e,36fにそれぞれ対応してい
る。The TFT 39a includes a gate electrode 31b, a drain electrode 36b, and a source electrode 36c. The TFT 39b includes a gate electrode 31b, a drain electrode 36h, and a source electrode 36i.
In this example, the two TFTs 39a and 39b are both formed in the upper left part in the pixel area. FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a driving method of the liquid crystal display device of the present embodiment. Here, four pixels arranged in the vertical direction are shown. Pixel A is a pixel immediately after data is written, and pixel B is
Is a pixel to which data is being written, pixel C is a pixel to which data is written next, and pixel D is a pixel to which data is written next to pixel C. The gate bus line G shown in FIG.
1 to G5, data bus lines D1, D2, TFT11, T
FT21, ..., TFT41, TFT12, TFT21, ..., TF
T42, display electrodes S1 to S4 and common electrodes C1 to C4
Are the gate bus line 31a, the data bus line 36a, the TFT 39a, the TFT 39b, and the display electrode 36d in FIG.
And the common electrodes 36e and 36f, respectively.
【0052】画素Bにデータを書き込むためには、ゲー
トバスラインG2に+15Vのパルス信号(走査信号)
電圧を印加してTFT21,TFT22を一定時間だけオン
にする。また、データバスラインD1には、TFT21,
TFT22がオンの間に、表示データとして−5Vから+
5Vまでの範囲の電圧を供給する。このとき、画素A及
び画素DのTFT11,TFT12,TFT41,TFT42を
オフにするため、ゲートバスラインG1、G4には−1
0Vの電圧を印加する。また、画素Bのコモン電極C2
を0Vとするために、ゲートバスラインG3の電圧は0
Vとする。To write data to the pixel B, a +15 V pulse signal (scan signal) is applied to the gate bus line G2.
A voltage is applied to turn on the TFTs 21 and 22 for a fixed time. In addition, the data bus line D1 has TFT21,
While the TFT 22 is on, the display data is changed from -5V to +
Supply voltages in the range up to 5V. At this time, in order to turn off TFT11, TFT12, TFT41, and TFT42 of the pixel A and the pixel D, -1 is applied to the gate bus lines G1, G4.
A voltage of 0 V is applied. Also, the common electrode C2 of the pixel B
Is set to 0V, the voltage of the gate bus line G3 becomes 0V.
V.
【0053】図5のように各ゲートバスラインG1〜G
5及びデータバスラインD1に電圧を印加したとき、T
FT21,TFT22がオンになって表示電極S2に表示デ
ータ(±5Vの範囲の信号)が供給され、コモン電極C
2に0Vが供給される。これにより、表示電極S2とコ
モン電極C2との間に基板に平行な電界が発生し、画素
Bの液晶分子の配向方向が変化して、画素Bの光透過率
が表示電極S2とコモン電極C2との間の電界強度に応
じて変化する。As shown in FIG. 5, each of the gate bus lines G1 to G
5 and the data bus line D1, when a voltage is applied,
When the FT21 and the TFT22 are turned on, display data (signal in the range of ± 5 V) is supplied to the display electrode S2, and the common electrode C
2 is supplied with 0V. As a result, an electric field parallel to the substrate is generated between the display electrode S2 and the common electrode C2, the orientation direction of the liquid crystal molecules of the pixel B is changed, and the light transmittance of the pixel B is changed to the display electrode S2 and the common electrode C2. It changes according to the electric field strength between.
【0054】このとき、画素A及び画素Dでは、ゲート
バスラインG1,G4がいずれも−10Vであるので、
TFT11,TFT12,TFT41,TFT42はいずれもオ
フ状態となっている。従って、データバスラインD1に
供給された表示データは画素A及び画素Dに書込みされ
ない。画素Cでは、TFT31,TFT32のゲート電圧が
0Vであるので、データバスラインD1に供給された表
示データの電圧が負のときはこれらのTFT31,TFT
32がオンになり、表示電極S3に表示データが書き込ま
れてしまう。しかし、次の垂直同期期間では画素Cに対
して表示データの書込みが行われるので、画素Bに表示
データ書込む際に同時に画素Cに表示データが書き込ま
れる誤書き込みが発生したとしても、次の垂直同期期間
で画素Cに正しい表示データが書き込まれるので、誤書
き込みによる影響は実質的に無視できる。At this time, since the gate bus lines G1 and G4 of the pixel A and the pixel D are both -10V,
TFT11, TFT12, TFT41 and TFT42 are all in the off state. Therefore, the display data supplied to the data bus line D1 is not written to the pixels A and D. In the pixel C, the gate voltages of the TFTs 31 and 32 are 0 V. Therefore, when the voltage of the display data supplied to the data bus line D1 is negative, the TFTs 31 and 32
32 turns on, and display data is written to the display electrode S3. However, since the display data is written to the pixel C in the next vertical synchronization period, even if the display data is written to the pixel C at the same time when the display data is written to the pixel B, the next writing is performed. Since correct display data is written to the pixel C during the vertical synchronization period, the effect of the erroneous writing can be substantially ignored.
【0055】画素Bへの表示データの書込みが終了する
と、次の垂直同期期間ではゲートバスラインG2に−1
0Vの電圧が供給され、ゲートバスラインG3に+15
Vの電圧が供給され、ゲートバスラインG4に0Vの電
圧が供給される。これにより、画素BのTFT21,TF
T22はオフ状態になり、表示電極S2及びコモン電極C
2がフロート状態となる。従って、これらの電極S2,
C2にはデータ書込み時の電荷が保持される。When the writing of the display data to the pixel B is completed, -1 is applied to the gate bus line G2 in the next vertical synchronization period.
0V is supplied, and +15 is applied to the gate bus line G3.
A voltage of V is supplied, and a voltage of 0 V is supplied to the gate bus line G4. Thereby, the TFTs 21 and TF of the pixel B are
T22 is turned off, and the display electrode S2 and the common electrode C
2 is in a floating state. Therefore, these electrodes S2,
The charge at the time of data writing is held in C2.
【0056】本実施の形態においては、データ書込み時
のみTFT39b(TFT12,TFT22,…)をオンに
してコモン電極36e,36fの電圧を0Vとし、デー
タ書込みが終了するとTFT39bをオフにして、コモ
ン電極36e,36fをゲートバスライン31aから電
気的に切り離す。このため、第1の実施の形態と同様の
効果が得られるのに加えて、データ書込み時とデータ保
持時とで電位の変動が回避されるという利点がある。In this embodiment, only during data writing, the TFT 39b (TFT12, TFT22,...) Is turned on and the voltage of the common electrodes 36e and 36f is set to 0V. 36e and 36f are electrically disconnected from the gate bus line 31a. For this reason, in addition to obtaining the same effect as in the first embodiment, there is an advantage that a change in potential between data writing and data holding can be avoided.
【0057】また、本実施の形態においては、ソース電
極36cが画素領域の上側のゲートバスライン31aに
一部重なり、コモン配線31cが左側のデータバスライ
ン36a及びコモン電極36eに一部重なり、コモン配
線31dが右側のデータバスライン36a及びコモン電
極36fに一部重なり、補助容量電極36gが下側ゲー
トバスライン31aに一部重なっているので、データバ
スライン36a及びゲートバスライン31aの近傍の領
域からの光漏れをより確実に回避することができる。In the present embodiment, the source electrode 36c partially overlaps the upper gate bus line 31a of the pixel region, the common wiring 31c partially overlaps the left data bus line 36a and the common electrode 36e, and Since the wiring 31d partially overlaps the right data bus line 36a and the common electrode 36f and the auxiliary capacitance electrode 36g partially overlaps the lower gate bus line 31a, a region near the data bus line 36a and the gate bus line 31a is provided. Light leakage from the light source can be more reliably avoided.
【0058】更に、本実施の形態においては、表示電極
36d及びコモン電極36e,36fの上には配向膜し
かないので、コモン電極と配向膜との間に保護膜(絶縁
膜)が存在する第1の実施の形態に比べて液晶に電界が
かかりやすく、また電極上の絶縁膜と配向膜との界面に
電荷が蓄積されることによる表示の劣化が回避されると
いう利点もある。Further, in this embodiment, since there is only an alignment film on the display electrode 36d and the common electrodes 36e and 36f, a protective film (insulating film) exists between the common electrode and the alignment film. As compared with the first embodiment, there is an advantage that an electric field is easily applied to the liquid crystal, and display degradation due to accumulation of electric charges at the interface between the insulating film and the alignment film on the electrode is avoided.
【0059】(第2の実施の形態の変形例)図6は第2
の実施の形態の液晶表示装置の変形例を示す模式図であ
る。この例では、データバスライン(D1)と表示電極
(S1,S2,…)との間に介在するTFT(TFT1
1,TFT21,TFT31,TFT41)を画素領域の左上
側に配置し、ゲートバスライン(G1,G2,…)とコ
モン電極(C1,C2,…)との間に介在するTFT
(TFT12,TFT22,TFT32,TFT42)を画素領
域の左下に配置している。(Modification of Second Embodiment) FIG.
FIG. 15 is a schematic diagram showing a modification of the liquid crystal display device of the embodiment. In this example, a TFT (TFT1) interposed between the data bus line (D1) and the display electrodes (S1, S2,...)
1, TFT21, TFT31, TFT41) are arranged on the upper left side of the pixel area, and the TFTs interposed between the gate bus lines (G1, G2,...) And the common electrodes (C1, C2,.
(TFT12, TFT22, TFT32, TFT42) are arranged at the lower left of the pixel area.
【0060】この液晶表示装置の動作は上記第2の実施
の形態と同じであるので、ここでは説明を省略する。 (第3の実施の形態)図7は本発明の第3の実施の形態
の液晶表示装置を示す平面図、図8は下側ガラス基板の
導電層パターンを示す平面図、図9は図7のB−B線に
よる断面図である。The operation of this liquid crystal display device is the same as that of the second embodiment, and the description is omitted here. (Third Embodiment) FIG. 7 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, FIG. 8 is a plan view showing a conductive layer pattern of a lower glass substrate, and FIG. It is sectional drawing by the BB line of FIG.
【0061】本実施の形態の液晶表示装置は、対向して
配置されたガラス基板40及びガラス基板50と、これ
らのガラス基板40,50間に封入された液晶59と、
ガラス基板40の下側及びガラス基板50の上側にそれ
ぞれ配置された偏光板(図示せず)により構成されてい
る。ガラス基板40の上には、相互に平行に配置された
複数本のゲートバスライン41aと、これらのゲートバ
スライン41aに平行に配置されたコモン配線41b
と、ゲートバスライン41aに直角に交差する複数本の
データバスライン46aとが形成されている。ゲートバ
スライン41aとデータバスライン46aとにより区画
された複数の矩形状の領域がそれぞれ画素領域となる。
画素領域は、例えば横方向に100μmのピッチで配置
され、縦方向に300μmのピッチで配置されている。The liquid crystal display device according to the present embodiment comprises a glass substrate 40 and a glass substrate 50 disposed opposite to each other, a liquid crystal 59 sealed between the glass substrates 40 and 50,
It is composed of polarizing plates (not shown) arranged below the glass substrate 40 and above the glass substrate 50, respectively. On the glass substrate 40, a plurality of gate bus lines 41a arranged in parallel with each other, and a common wiring 41b arranged in parallel with these gate bus lines 41a.
And a plurality of data bus lines 46a crossing the gate bus line 41a at right angles. A plurality of rectangular areas defined by the gate bus lines 41a and the data bus lines 46a are pixel areas.
The pixel regions are arranged, for example, at a pitch of 100 μm in the horizontal direction and at a pitch of 300 μm in the vertical direction.
【0062】各画素領域には、TFT49と、画素領域
の中央部に縦方向に配置された1本の表示電極46e
と、画素領域の横方向の両側に配置された2本のコモン
電極41d,41eと、画素領域の上側に配置された補
助容量電極41fと、画素領域の下側に配置された補助
容量電極46fとが設けられている。ゲートバスライン
41a、コモン配線41b、TFT49のゲート電極4
1c、コモン電極41d,41e及び補助容量電極41
fはいずれも下層導電層に形成されている。そして、T
FT49のゲート電極41cはゲートバスライン41a
に接続されており、コモン電極41d,41eはいずれ
もコモン配線41bに接続されており、補助容量電極4
1fはコモン電極41eの上端部に接続されている。Each pixel region has a TFT 49 and one display electrode 46e vertically arranged at the center of the pixel region.
And two common electrodes 41d and 41e arranged on both sides in the horizontal direction of the pixel region, an auxiliary capacitance electrode 41f arranged above the pixel region, and an auxiliary capacitance electrode 46f arranged below the pixel region. Are provided. Gate bus line 41a, common wiring 41b, gate electrode 4 of TFT 49
1c, common electrodes 41d and 41e and auxiliary capacitance electrode 41
f is formed on the lower conductive layer. And T
The gate electrode 41c of the FT49 is a gate bus line 41a.
The common electrodes 41d and 41e are both connected to the common wiring 41b.
1f is connected to the upper end of the common electrode 41e.
【0063】一方、データバスライン46a、TFT4
9のドレイン電極46b及びソース電極46c、表示電
極46e及び補助容量電極46fは、いずれも上層導電
層に形成されている。ドレイン電極46bはデータバス
ライン46aに接続されており、ソース電極46cは水
平方向に延びて表示電極46dに接続されており、補助
容量電極46fは表示電極46eの下端部に接続されて
いる。On the other hand, the data bus line 46a and the TFT 4
Nine drain electrodes 46b and source electrodes 46c, display electrodes 46e, and auxiliary capacitance electrodes 46f are all formed in the upper conductive layer. The drain electrode 46b is connected to the data bus line 46a, the source electrode 46c extends in the horizontal direction and is connected to the display electrode 46d, and the auxiliary capacitance electrode 46f is connected to the lower end of the display electrode 46e.
【0064】下層導電層と上層導電層との間は層間絶縁
膜(図示せず)が形成されており、上層導電層の上には
配向膜(図示せず)が形成されている。補助容量電極4
1fとその上方のソース電極46c、及び補助容量電極
46fとその下方のコモン配線41bとにより、それぞ
れ補助容量が構成される。また、ガラス基板50の下面
側には、データバスライン46aと平行に、反射率が低
い酸化クロム等の金属又は金属化合物からなるブラック
マトリクス51が形成されている。この例では、データ
バスライン46aの幅W1 が4μmであり、ブラックマ
トリクス51の幅W2 が8μmに設定されている。ま
た、ガラス基板50の下面側には、青のカラーフィルタ
52B、赤のカラーフィルタ52R及び緑のカラーフィ
ルタ52Gが形成されている。この例では、例えば3n
(nは1,2,…)列目の画素領域には青のカラーフィ
ルタ52Bが形成されており、3n+1列目の画素領域
には赤のカラーフィルタ52Rが形成されており、3n
+2列目の画素領域には緑のカラーフィルタ52Gが形
成されている。カラーフィルタ52R,52G,52B
の幅W4 は110μmである。An interlayer insulating film (not shown) is formed between the lower conductive layer and the upper conductive layer, and an alignment film (not shown) is formed on the upper conductive layer. Auxiliary capacitance electrode 4
1f and the source electrode 46c thereabove, and the auxiliary capacitance electrode 46f and the common wiring 41b therebelow form an auxiliary capacitance. Further, on the lower surface side of the glass substrate 50, a black matrix 51 made of a metal or a metal compound such as chromium oxide having a low reflectance is formed in parallel with the data bus line 46a. In this example, the width W1 of the data bus line 46a is 4 μm, and the width W2 of the black matrix 51 is 8 μm. On the lower surface side of the glass substrate 50, a blue color filter 52B, a red color filter 52R, and a green color filter 52G are formed. In this example, for example, 3n
A blue color filter 52B is formed in the pixel area of the (n is 1, 2,...) Column, and a red color filter 52R is formed in the pixel area of the 3n + 1th column.
A green color filter 52G is formed in the pixel area on the + 2nd column. Color filters 52R, 52G, 52B
Has a width W4 of 110 .mu.m.
【0065】図9に示すように、各カラーフィルタ52
B,52R,52Gは、ブラックマトリクス51の下側
を通って隣の画素まで若干延び出している。言い換えれ
ば、ブラックマトリクス51の下には、青と緑のカラー
フィルタ52B,52G、青と赤のカラーフィルタ52
B,52R又は緑と赤のカラーフィルタ52G,52R
が重ね合わさっている。2つのカラーフィルタの重なり
部分の幅W3 は10μmであり、ブラックマトリクス5
1の幅W2 よりも太く設定されている。なお、カラーフ
ィルタ52B,52R,52Gの厚さは、0.1〜2μ
mである。ここでは、カラーフィルタ52B,52R,
52Gの厚さは1μmとする。As shown in FIG. 9, each color filter 52
B, 52R, and 52G slightly extend to the next pixel through the lower side of the black matrix 51. In other words, below the black matrix 51, there are blue and green color filters 52B and 52G, and blue and red color filters 52B.
B, 52R or green and red color filters 52G, 52R
Are superimposed. The width W3 of the overlapping portion of the two color filters is 10 μm and the black matrix 5
1 is set wider than the width W2. The thickness of each of the color filters 52B, 52R, and 52G is 0.1 to 2 μm.
m. Here, the color filters 52B, 52R,
The thickness of 52G is 1 μm.
【0066】図10を参照して、本実施の形態の液晶表
示装置の効果について説明する。本実施の形態のように
IPS型液晶表示装置の場合は、表示電極46eとコモ
ン電極41d,41eとの間の電界により液晶分子の配
向方向を制御する。しかし、コモン電極41dとその左
側のデータバスライン46aとの間、及びコモン電極4
1eとその右側のデータバスライン46aとの間に存在
する液晶分子の配向方向は表示電極46eとコモン電極
41d,41eとの間の電界により制御することができ
ないため、これらの間の隙間(約2μmの幅)から液晶
層に入射した光が反対側に透過して漏れ光となるおそれ
がある。Referring to FIG. 10, the effect of the liquid crystal display of the present embodiment will be described. In the case of the IPS type liquid crystal display device as in this embodiment, the orientation direction of the liquid crystal molecules is controlled by the electric field between the display electrode 46e and the common electrodes 41d and 41e. However, between the common electrode 41d and the left data bus line 46a,
Since the alignment direction of the liquid crystal molecules existing between the display electrode 46e and the data bus line 46a on the right side thereof cannot be controlled by the electric field between the display electrode 46e and the common electrodes 41d, 41e, the gap between them (about (2 μm width), the light incident on the liquid crystal layer may be transmitted to the opposite side and leak light.
【0067】本実施の形態においては、ブラックマトリ
クス51の下側に色が異なる2種類のカラーフィルタ
(図10ではカラーフィルタ52R,52G)が重なっ
ているので、ガラス基板40の下側から入射した光がガ
ラス基板50の上側に漏れるとすると、その漏れ光は図
10に矢印で示す経路をたどることになる。すなわち、
コモン電極41dとデータバスライン46aとの間から
液晶層に入射した光は、カラーフィルタ52R,52G
の重なり部分を透過してブラックマトリクス51の表面
で反射され、その反射光はカラーフィルタ52R,52
Gの重なり部分を透過してコモン電極41dで反射さ
れ、その反射光がカラーフィルタ52R,52Gを透過
してガラス基板50側に出射される。この場合、漏れ光
はカラーフィルタ52R,52Gの重なり部分を3回通
過することになる。In this embodiment, since two types of color filters (color filters 52R and 52G in FIG. 10) having different colors are overlapped on the lower side of the black matrix 51, the light enters from the lower side of the glass substrate 40. If light leaks to the upper side of the glass substrate 50, the leaked light follows the path indicated by the arrow in FIG. That is,
Light incident on the liquid crystal layer from between the common electrode 41d and the data bus line 46a is transmitted to the color filters 52R and 52G.
Are reflected by the surface of the black matrix 51 through the overlapping portion of the black matrix 51, and the reflected light is transmitted through the color filters 52R and 52R.
The light passes through the overlapping portion of G and is reflected by the common electrode 41d, and the reflected light passes through the color filters 52R and 52G and is emitted to the glass substrate 50 side. In this case, the leaked light passes through the overlapping portion of the color filters 52R and 52G three times.
【0068】液晶表示装置のバックライトとして一般的
に使用されている冷陰極管は、赤色、緑色及び青色に対
応する波長のピークが高く、赤色のカラーフィルタ52
Rを透過する光は緑色又は青色のカラーフィルタ52
G,52Bで吸収されやすい。同様に、緑色のカラーフ
ィルタ52Gを透過する光は、赤色又は青色のカラーフ
ィルタ52R,52Bで吸収されやすく、青色のカラー
フィルタ52Bを透過する光は赤色又は緑色のカラーフ
ィルタ52R,52Gに吸収されやすい。従って、本実
施の形態の液晶表示装置は、漏れ光の強度が著しく低減
され、表示品質の低下が回避される。A cold cathode fluorescent lamp generally used as a backlight of a liquid crystal display device has high peaks of wavelengths corresponding to red, green and blue, and has a red color filter 52.
The light transmitted through R is a green or blue color filter 52.
G, 52B easily absorbs. Similarly, light transmitted through the green color filter 52G is easily absorbed by the red or blue color filters 52R and 52B, and light transmitted through the blue color filter 52B is absorbed by the red or green color filters 52R and 52G. Cheap. Therefore, in the liquid crystal display device of the present embodiment, the intensity of the leaked light is significantly reduced, and a decrease in display quality is avoided.
【0069】図11は本実施の形態の液晶表示装置と、
ブラックマトリクスを金属膜により形成した従来の液晶
表示装置及びブラックマトリクスを樹脂で形成した従来
の液晶表示装置のクロストークによる光の漏れ量を測定
した結果を示す図である。但し、白表示の部分の輝度を
100としている。この図10に示すように、金属製ブ
ラックマトリクス(BM)のみのときは輝度が約が4.
3、樹脂製のブラックマトリクス(BM)のみのときは
輝度が約1.6であるのに対し、本実施の形態において
は、輝度が0.1以下と極めて低いものであった。この
ことから、本実施の形態はクロストークの低減に極めて
有効であることが確認された。FIG. 11 shows a liquid crystal display device of this embodiment,
FIG. 7 is a diagram showing the results of measuring the amount of light leakage due to crosstalk in a conventional liquid crystal display device in which a black matrix is formed of a metal film and in a conventional liquid crystal display device in which a black matrix is formed of a resin. However, the luminance of the white display portion is set to 100. As shown in FIG. 10, when only the metal black matrix (BM) is used, the luminance is about 4.
3. The brightness was about 1.6 when only the resin black matrix (BM) was used, whereas the brightness was extremely low at 0.1 or less in the present embodiment. From this, it was confirmed that the present embodiment is extremely effective in reducing crosstalk.
【0070】(第4の実施の形態)図12は本発明の第
4の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図、図13は
同じくその液晶表示装置の下側基板の導電層のパターン
を示す平面図、図14は図12のC−C線による断面図
である。但し、図12には、1本のブラックマトリクス
71のみを図示しており、両側のデータバスライン66
a上のブラックマトリクスの図示を省略している。(Fourth Embodiment) FIG. 12 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 13 shows a pattern of a conductive layer on a lower substrate of the liquid crystal display device. FIG. 14 is a sectional view taken along line CC of FIG. However, FIG. 12 shows only one black matrix 71 and the data bus lines 66 on both sides.
The illustration of the black matrix on a is omitted.
【0071】本実施の形態の液晶表示装置は、対向して
配置されたガラス基板60及びガラス基板70と、これ
らのガラス基板60,70間に封入された液晶79と、
ガラス基板60の下側及びガラス基板70の上側にそれ
ぞれ配置された偏光板(図示せず)とにより構成されて
いる。ガラス基板60の上には、相互に平行な複数本の
ゲートバスライン61aと、これらのゲートバスライン
61aに直角に交差する複数本のデータバスライン66
aが形成されている。これらのゲートバスライン61a
及びデータバスライン66aにより区画された複数の矩
形の領域が画素領域である。本実施の形態においては。
画素領域の水平方向のピッチは100μm、垂直方向の
ピッチは300μmである。The liquid crystal display device of the present embodiment comprises a glass substrate 60 and a glass substrate 70 which are arranged to face each other, a liquid crystal 79 sealed between these glass substrates 60 and 70,
A polarizing plate (not shown) is arranged below the glass substrate 60 and above the glass substrate 70, respectively. On the glass substrate 60, a plurality of gate bus lines 61a parallel to each other and a plurality of data bus lines 66 intersecting the gate bus lines 61a at right angles.
a is formed. These gate bus lines 61a
A plurality of rectangular areas defined by the data bus lines 66a are pixel areas. In the present embodiment.
The horizontal pitch of the pixel region is 100 μm, and the vertical pitch is 300 μm.
【0072】各画素領域には、TFT69と、補助容量
電極61cと、画素電極67とが形成されている。ゲー
トバスライン61a、TFT69のゲート電極61b及
び補助容量電極61cはいずれも下層導電層に形成され
ている。図14に示すように、これらのゲートバスライ
ン61a、ゲート電極61b及び補助容量電極61cの
上には層間絶縁膜62が形成されており、層間絶縁膜6
2の上の上層導電層には、データバスライン66a、T
FT69のドレイン電極66b及びソース電極66cが
形成されている。これらのデータバスライン66a、ド
レイン電極66b及びソース電極66cの上には保護膜
63が形成されており、保護膜63の上にはITO(in
dium-tin oxide:インジウム酸化スズ)からなる画素電
極67が形成されている。そして、画素電極67の上に
は配向膜68が形成されている。In each pixel region, a TFT 69, an auxiliary capacitance electrode 61c, and a pixel electrode 67 are formed. The gate bus line 61a, the gate electrode 61b of the TFT 69, and the auxiliary capacitance electrode 61c are all formed in the lower conductive layer. As shown in FIG. 14, an interlayer insulating film 62 is formed on these gate bus lines 61a, gate electrodes 61b and auxiliary capacitance electrodes 61c.
2 are connected to the data bus lines 66a, T
The drain electrode 66b and the source electrode 66c of the FT 69 are formed. A protection film 63 is formed on the data bus line 66a, the drain electrode 66b, and the source electrode 66c, and an ITO (in) is formed on the protection film 63.
A pixel electrode 67 made of dium-tin oxide (indium tin oxide) is formed. Then, an alignment film 68 is formed on the pixel electrode 67.
【0073】TFT69のゲート電極61bはゲートバ
スライン61aに接続されており、ドレイン電極66b
はデータバスライン66aに接続されている。また、T
FT69のソース電極66cは、コンタクトホール(図
示せず)を介して画素電極67に電気的に接続されてい
る。補助容量電極61cは「H」の形状を有し、水平部
分の幅が15μm、垂直部分の幅が4μmに形成されて
いる。また、補助容量電極61cの垂直部分とデータバ
スライン66aとの間隔は例えば2μmである。The gate electrode 61b of the TFT 69 is connected to the gate bus line 61a, and the drain electrode 66b
Are connected to the data bus line 66a. Also, T
The source electrode 66c of the FT 69 is electrically connected to the pixel electrode 67 via a contact hole (not shown). The auxiliary capacitance electrode 61c has a shape of “H”, and has a horizontal portion having a width of 15 μm and a vertical portion having a width of 4 μm. The distance between the vertical portion of the auxiliary capacitance electrode 61c and the data bus line 66a is, for example, 2 μm.
【0074】一方、ガラス基板70の下側には、ブラッ
クマトリクス71が形成されている。このブラックマト
リクス71は、データバスライン66aの上方に、デー
タバスライン66aの幅よりも太い幅で形成されてい
る。また、ガラス基板70の下側には、赤のカラーフィ
ルタ72R、緑のカラーフィルタ72G及び青のカラー
フィルタ72Bが形成されている。本実施の形態におい
ては、3n(nは1,2,…)列目の画素領域には赤の
カラーフィルタ72R、3n+1列目の画素領域には緑
のカラーフィルタ72G、3n+2列目の画素には青の
カラーフィルタ72Bが配置されている。そして、各カ
ラーフィルタ72R,72G,72Bはブラックマトリ
クス71の下を通って隣の画素領域まで延在している。
すなわち、ブラックマトリクス71の下側には、色が異
なる2種類のカラーフィルタが重なっている。また、カ
ラーフィルタ71R,71G,72Bの下にはITOか
らなる対向電極73が形成されており、対向電極73の
下には配向膜74が形成されている。On the other hand, a black matrix 71 is formed below the glass substrate 70. The black matrix 71 is formed above the data bus line 66a with a width larger than the width of the data bus line 66a. A red color filter 72R, a green color filter 72G, and a blue color filter 72B are formed below the glass substrate 70. In the present embodiment, a red color filter 72R is provided in the pixel area of the 3n (n is 1, 2,...) Column and a green color filter 72G is provided in the pixel area of the 3n + 1th column. Is provided with a blue color filter 72B. Each of the color filters 72R, 72G, and 72B extends under the black matrix 71 to an adjacent pixel region.
That is, two types of color filters having different colors overlap on the lower side of the black matrix 71. A counter electrode 73 made of ITO is formed below the color filters 71R, 71G, and 72B, and an alignment film 74 is formed below the counter electrode 73.
【0075】このように構成された本実施の形態の液晶
表示装置においては、画素電極67と対向電極73との
間に印加する電圧により液晶分子の配向方向を制御する
ことにより、各画素領域における光透過率を制御する。
本実施の形態においては、データバスライン66aの幅
W1 が4μm、ブラックマトリクスの幅W2 が8μm、
各カラーフィルタ72R,72G,72Bの幅W4 が1
30μm、カラーフィルタの重なり部分の幅W3 が15
μmである。そして、このカラーフィルタの重なり部分
により、TFT69が形成されている領域や、補助容量
電極61cの垂直部分とデータバスライン66aとの間
の領域を覆っている。In the liquid crystal display device of the present embodiment thus configured, the orientation of liquid crystal molecules is controlled by the voltage applied between the pixel electrode 67 and the counter electrode 73, so that each pixel region has Control light transmittance.
In this embodiment, the width W1 of the data bus line 66a is 4 μm, the width W2 of the black matrix is 8 μm,
The width W4 of each color filter 72R, 72G, 72B is 1
30 μm, the width W3 of the overlapping portion of the color filter is 15
μm. The overlapping portion of the color filter covers the region where the TFT 69 is formed and the region between the vertical portion of the auxiliary capacitance electrode 61c and the data bus line 66a.
【0076】本実施の形態においても、カラーフィルタ
の重なり部分でTFT69が形成された領域や、補助容
量電極61cとデータバスライン66aとの間の領域を
覆っているので、第4の実施の形態と同様に光の漏れを
低減し、コントラストの高い良好な表示を実現すること
ができる。 (第5の実施の形態)図15(a)は本発明の第5の実
施の形態の液晶表示装置を示す平面図、図15(b)は
図15(a)のD−D線による断面図である。Also in the present embodiment, the region where the TFT 69 is formed and the region between the auxiliary capacitance electrode 61c and the data bus line 66a are covered by the overlapping portions of the color filters. In the same manner as described above, light leakage can be reduced, and a favorable display with high contrast can be realized. (Fifth Embodiment) FIG. 15A is a plan view showing a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 15B is a cross section taken along line DD of FIG. FIG.
【0077】本実施の形態の液晶表示装置は、対向して
配置されたガラス基板80及びガラス基板90と、これ
らのガラス基板80,90間に封入された液晶99と、
ガラス基板80の下側及びガラス基板90の上側にそれ
ぞれ配置された偏光板(図示せず)とにより構成されて
いる。ガラス基板80の上には、相互に平行に配置され
た複数本のゲートバスライン81a及び複数本のコモン
電極81bと、ゲートバスライン81aに直角に交差す
るデータバスライン86aとが形成されている。これら
のゲートバスライン81a及びデータバスライン86a
により区画された複数の矩形の領域がそれぞれ画素領域
である。The liquid crystal display device of the present embodiment comprises a glass substrate 80 and a glass substrate 90 which are arranged to face each other, a liquid crystal 99 sealed between these glass substrates 80 and 90,
A polarizing plate (not shown) is provided below the glass substrate 80 and above the glass substrate 90. On the glass substrate 80, a plurality of gate bus lines 81a and a plurality of common electrodes 81b arranged in parallel with each other and a data bus line 86a intersecting the gate bus line 81a at right angles are formed. . These gate bus lines 81a and data bus lines 86a
Each of a plurality of rectangular areas defined by is a pixel area.
【0078】各画素領域には、TFT89と、縦方向に
配置された2本の表示電極86dと、表示電極86dか
ら一定の距離だけ離れて表示電極86dに平行に配置さ
れた3本のコモン電極81dと、2本の表示電極86d
の下端側を電気的に接続する容量電極86eと、3本の
コモン電極81dの上端側を電気的に接続する補助容量
電極81eとが形成されている。In each pixel region, a TFT 89, two display electrodes 86d arranged in the vertical direction, and three common electrodes arranged in parallel with the display electrode 86d at a predetermined distance from the display electrode 86d. 81d and two display electrodes 86d
And a storage capacitor electrode 81e that electrically connects the upper ends of the three common electrodes 81d.
【0079】ゲートバスライン81a、コモン配線81
b、TFT89のゲート電極81c及びコモン電極81
dはいずれも下層配線層に形成されている。ゲート電極
81cはゲートバスライン81aに接続されており、コ
モン電極81dはコモン配線81bに接続されている。
これらのゲートバスライン81a、コモン配線81b、
ゲート電極81c及びコモン電極81dの上には図15
(b)に示すように、層間絶縁膜82が形成されてい
る。層間絶縁膜82の上には、TFT89を構成するア
モルファスシリコン膜83、チャネル保護膜84、アモ
ルファスシリコン膜85、ドレイン電極86b及びソー
ス電極86cが形成されている。ドレイン電極86bは
画素領域の左側のデータバスライン86aに接続されて
いる。また、ソース電極86cは、ゲートバスライン8
1aに平行に延びて2本の表示電極86dに接続してい
る。Gate bus line 81a, common wiring 81
b, gate electrode 81c and common electrode 81 of TFT 89
d is formed in the lower wiring layer. The gate electrode 81c is connected to a gate bus line 81a, and the common electrode 81d is connected to a common wiring 81b.
These gate bus lines 81a, common lines 81b,
On the gate electrode 81c and the common electrode 81d, FIG.
As shown in (b), an interlayer insulating film 82 is formed. On the interlayer insulating film 82, an amorphous silicon film 83, a channel protection film 84, an amorphous silicon film 85, a drain electrode 86b, and a source electrode 86c that constitute the TFT 89 are formed. The drain electrode 86b is connected to the data bus line 86a on the left side of the pixel area. The source electrode 86c is connected to the gate bus line 8
It extends parallel to 1a and is connected to two display electrodes 86d.
【0080】これらのデータバスライン86a、ドレイ
ン電極86b、ソース電極86c、表示電極86d及び
補助容量電極86eが形成された上層配線層の上にはS
iNからなる保護膜(絶縁膜)87が形成されており、
その保護膜87の上には配向膜88が500Åの厚さに
形成されている。この配向膜88の表面には、表示電極
86dにほぼ直交する方向又はほぼ平行な方向(例え
ば、75°あるいは15°の角度をなす方向)にラビン
グ処理が施されている。本実施の形態においては、配向
膜88として、体積抵抗が1010〜1011Ωcm程度の
ものを使用する。このような配向膜としては、例えばポ
リアミック酸系の配向膜を使用することができる。On the upper wiring layer on which the data bus line 86a, the drain electrode 86b, the source electrode 86c, the display electrode 86d and the auxiliary capacitance electrode 86e are formed,
A protective film (insulating film) 87 made of iN is formed,
On the protective film 87, an alignment film 88 is formed to a thickness of 500 °. Rubbing treatment is performed on the surface of the alignment film 88 in a direction substantially orthogonal to or substantially parallel to the display electrode 86d (for example, a direction forming an angle of 75 ° or 15 °). In this embodiment mode, the alignment film 88 having a volume resistance of about 10 10 to 10 11 Ωcm is used. As such an alignment film, for example, a polyamic acid-based alignment film can be used.
【0081】また、ガラス基板90の下側にも配向膜9
1が500Åの厚さに形成されている。この配向膜91
の表面も、配向膜88のラビング方向と同じ方向にラビ
ング処理が施されている。但し、配向膜91は、配向膜
88よりも体積抵抗が高い材料により形成されているこ
とが必要である。本実施の形態では配向膜91の体積抵
抗は1013Ωcm程度とする。このような配向膜として
は、例えば可溶性ポリイミドにより形成した配向膜を使
用することができる。可溶性ポリイミドとしては、例え
ばJSR社から提案されている5員環をもつポリイミド
などがある。また、ポリアミック酸系の配向膜でも、焼
成温度を高く設定して電圧保持特性をより高めることも
可能である。更に、電圧保持特性の高い配向膜として無
機系の配向膜、例えば日産化学製のシリコン系の無機配
向膜であるシランカップリング剤(OA−003など)
を用いることによっても、良好な特性を実現することが
できる。The alignment film 9 is also provided below the glass substrate 90.
1 is formed to a thickness of 500 °. This alignment film 91
Is also rubbed in the same direction as the rubbing direction of the alignment film 88. However, the alignment film 91 needs to be formed of a material having a higher volume resistance than the alignment film 88. In the present embodiment, the volume resistance of the alignment film 91 is about 10 13 Ωcm. As such an alignment film, for example, an alignment film formed of a soluble polyimide can be used. Examples of the soluble polyimide include a polyimide having a 5-membered ring proposed by JSR. In addition, even with a polyamic acid-based alignment film, it is possible to further increase the voltage holding characteristic by setting a high firing temperature. Further, as an alignment film having a high voltage holding characteristic, an inorganic alignment film, for example, a silane coupling agent (such as OA-003) which is a silicon-based inorganic alignment film manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.
, Good characteristics can be realized.
【0082】更にまた、本実施の形態においては、体積
抵抗が配向膜88の体積抵抗に近い液晶を使用する。例
えば、体積抵抗が1010Ωcm程度の液晶としてはCN
(シアノ)系の液晶がある。このように構成された本実
施の形態の液晶表示装置においては、基板80側に体積
抵抗が小さい配向膜88を用いており、液晶99と配向
膜88の体積抵抗が近いので、配向膜88と液晶99と
の間に電荷が溜まることを防ぐことができる。このよう
に、体積抵抗の近い1つの層の界面に電荷が蓄積されに
くいことは電磁気学で一般に知られていることである。Further, in this embodiment, a liquid crystal whose volume resistance is close to that of the alignment film 88 is used. For example, a liquid crystal having a volume resistance of about 10 10 Ωcm is CN
There is a (cyano) -based liquid crystal. In the liquid crystal display device of the present embodiment configured as described above, the alignment film 88 having a small volume resistance is used on the substrate 80 side, and since the liquid crystal 99 and the alignment film 88 have close volume resistance, the alignment film 88 It is possible to prevent charges from being accumulated between the liquid crystal 99 and the liquid crystal. As described above, it is generally known in electromagnetism that charges are hardly accumulated at the interface of one layer having a close volume resistance.
【0083】また、基板90側の配向膜91は、体積抵
抗が大きいので電圧保持率が高い。このため、表示電極
86dとコモン電極81dとの間に書き込まれた表示デ
ータが長時間保持され、表示品質の劣化が回避される。
以下、本実施の形態の液晶表示装置を実際に製造して焼
付きの有無を調べた結果について、比較例と比較して説
明する。Further, the alignment film 91 on the substrate 90 side has a high voltage holding ratio since the volume resistance is large. Therefore, the display data written between the display electrode 86d and the common electrode 81d is held for a long time, and the deterioration of the display quality is avoided.
Hereinafter, the result of actually manufacturing the liquid crystal display device of the present embodiment and examining the presence or absence of image sticking will be described in comparison with a comparative example.
【0084】実施例及び比較例として、下記表1に体積
抵抗を示す配向膜及び液晶を使用して、図15に示す構
造のIPS型液晶表示装置を製造した。そして、これら
の実施例及び比較例の液晶表示装置に、黒地に白い四角
形の映像を48時間表示した。その後、画面全体に灰色
(64階調のうちの16階調表示)を表示した。焼付き
が発生している場合、白表示の部分の明るさが黒表示し
ていた部分の明るさよりも明るくなる。この白表示部分
の明るさと黒表示部分の明るさとの差を、下記表1に百
分率で示した。As an example and a comparative example, an IPS type liquid crystal display device having the structure shown in FIG. 15 was manufactured by using an alignment film having a volume resistance shown in Table 1 below and a liquid crystal. Then, on the liquid crystal display devices of these Examples and Comparative Examples, white square images on a black background were displayed for 48 hours. Thereafter, gray (16 gradations out of 64 gradations) was displayed on the entire screen. When burn-in occurs, the brightness of the white display portion becomes brighter than the brightness of the black display portion. The difference between the brightness of the white display portion and the brightness of the black display portion is shown in Table 1 below as a percentage.
【0085】[0085]
【表1】 [Table 1]
【0086】この表1からわかるように、実施例1,2
では焼付きが低く、特に体積抵抗が配向膜88と同じ液
晶を用いた場合は3%と極めて低い値となった。一方、
従来の液晶表示装置と基本的に同じ構成である比較例1
では、焼付きが20%と高いものであった。As can be seen from Table 1, Examples 1 and 2
In this case, the seizure was low, and when the liquid crystal having the same volume resistance as that of the alignment film 88 was used, the value was as extremely low as 3%. on the other hand,
Comparative example 1 having basically the same configuration as the conventional liquid crystal display device
In this case, the seizure was as high as 20%.
【0087】一般的に、TN型液晶表示装置では、配向
膜として体積抵抗が高いものを使用している。これは、
電圧保持率を高くするためである。しかし、電圧保持率
を高くしても、配向膜と液晶との界面に電荷が溜まって
焼付きが発生しては表示品質が著しく低下する。そこ
で、本実施の形態では、上述の如く、表示電極86d及
びコモン電極81dが形成されたガラス基板80側の配
向膜88の体積抵抗を低くしている。この場合、ガラス
基板90側の配向膜91として体積抵抗が高いものを使
用しているので、電圧保持率の低下による表示品質の劣
化は回避することができる。以下に、電圧保持率を調べ
た結果について説明する。Generally, in a TN liquid crystal display device, an alignment film having a high volume resistance is used. this is,
This is to increase the voltage holding ratio. However, even if the voltage holding ratio is increased, electric charges accumulate at the interface between the alignment film and the liquid crystal and image sticking occurs, thereby significantly deteriorating the display quality. Therefore, in the present embodiment, as described above, the volume resistance of the alignment film 88 on the glass substrate 80 side on which the display electrode 86d and the common electrode 81d are formed is reduced. In this case, since a material having a high volume resistance is used as the alignment film 91 on the glass substrate 90 side, deterioration in display quality due to a decrease in voltage holding ratio can be avoided. Hereinafter, a result of examining the voltage holding ratio will be described.
【0088】図16に示すように、駆動用電極101
a,101bが形成された2枚のガラス基板を用意し、
各電極101a,101bの上に配向膜102a,10
2bを塗布した、そして、電極101a,101bが対
向するように2枚のガラス基板を平行に配置し、両者の
間に液晶103を封入した。なお、配向膜102a,1
02として、下記表2に示す体積抵抗の配向膜を使用し
た。As shown in FIG. 16, the driving electrode 101
Prepare two glass substrates on which a and 101b are formed,
On each of the electrodes 101a, 101b, an alignment film 102a, 10
2b was applied, and two glass substrates were arranged in parallel such that the electrodes 101a and 101b faced each other, and a liquid crystal 103 was sealed between the two substrates. Note that the alignment films 102a, 1
As 02, an alignment film having a volume resistance shown in Table 2 below was used.
【0089】電極101a,101b間に電圧を印加
し、電圧保持率を測定した。電圧保持率は、電極101
a,101b間に5Vの電圧を印加し、1フレーム時間
(16m秒)後の電圧を測定して百分率で示した。A voltage was applied between the electrodes 101a and 101b, and the voltage holding ratio was measured. The voltage holding ratio is determined by the electrode 101
A voltage of 5 V was applied between a and 101b, and the voltage after one frame time (16 msec) was measured and shown as a percentage.
【0090】[0090]
【表2】 [Table 2]
【0091】その結果、表2に示すように、配向膜10
2a,102bとして体積抵抗が1010Ωcmの配向膜
を使用した場合の電圧保持率は約70%であり、従来の
液晶表示装置で一般的に使用されている体積抵抗が10
13Ωcmの配向膜を使用した場合の電圧保持率は約9
8.5%であった。本発明においては、電圧保持率が低
い配向膜を表示電極及びコモン電極が形成された基板
(ガラス基板110)側の配向膜として使用し、電圧保
持率が高い配向膜を対向基板(ガラス基板120)側の
配向膜として使用する。これにより、液晶表示装置の焼
付きが回避される。As a result, as shown in Table 2, the alignment film 10
When an alignment film having a volume resistance of 10 10 Ωcm is used as 2a and 102b, the voltage holding ratio is about 70%, and the volume resistance generally used in the conventional liquid crystal display device is 10%.
The voltage holding ratio when using an orientation film of 13 Ωcm is about 9
8.5%. In the present invention, an alignment film having a low voltage holding ratio is used as an alignment film on a substrate (glass substrate 110) on which a display electrode and a common electrode are formed, and an alignment film having a high voltage holding ratio is formed on a counter substrate (glass substrate 120). ) Side is used as the alignment film. This avoids burning of the liquid crystal display device.
【0092】[0092]
【発明の効果】以上説明したように、本願請求項1〜請
求項4の発明によれば、コモン電極をゲートバスライン
に接続した構造とすることにより、開口率が向上し、明
るくコントラストが高い画像を表示することができる。
また、本願請求項5〜請求項8の発明によれば、ゲート
バスラインに、表示データ書込み時の前記コモン電極の
電位を決定する基準電圧、前記薄膜トランジスタをオン
にする第1の電圧及び前記薄膜トランジスタをオフにす
る第2の電圧が経時的に供給するとことにより、コモン
電極がゲートバスラインに接続された液晶表示装置を駆
動することができる。As described above, according to the first to fourth aspects of the present invention, by employing a structure in which the common electrode is connected to the gate bus line, the aperture ratio is improved, and the brightness and contrast are high. Images can be displayed.
According to the invention of claims 5 to 8, a reference voltage for determining a potential of the common electrode at the time of display data writing, a first voltage for turning on the thin film transistor, and the thin film transistor are applied to the gate bus line. Is supplied over time, whereby the liquid crystal display device having the common electrode connected to the gate bus line can be driven.
【0093】本願請求項9〜請求項12の発明によれ
ば、金属又は金属化合物からなるブラックマトリクスの
上に少なくとも2色以上のカラーフィルタが重なって形
成されており、カラーフィルタの重なり部分の幅がブラ
ックマトリクスの幅よりも広く設定されているので、光
の漏れを防止し、クロストークによる表示品質の劣化が
回避される。According to the ninth to twelfth aspects of the present invention, at least two or more color filters are formed on a black matrix made of a metal or a metal compound, and the width of the overlapping portion of the color filters is formed. Are set wider than the width of the black matrix, so that light leakage is prevented, and deterioration of display quality due to crosstalk is avoided.
【0094】本願請求項13〜請求項15の発明によれ
ば、第1の基板に形成された第1の配向膜と第2の基板
に形成された第2の配向膜との電気的特性が異なるの
で、配向膜への電荷の蓄積に起因する焼付きが回避され
るとともに、電圧保持特性が良好であり、品質の高い画
像の表示が可能である。According to the thirteenth to fifteenth aspects of the present invention, the electrical characteristics of the first alignment film formed on the first substrate and the second alignment film formed on the second substrate are different. Because of the difference, image sticking due to accumulation of charges in the alignment film is avoided, and the voltage holding characteristics are good, and a high-quality image can be displayed.
【図1】図1(a)は本発明の第1の実施の形態の液晶
表示装置を示す平面図、図1(b)は図1(a)のA−
A線による断面図である。FIG. 1A is a plan view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG.
It is sectional drawing by the A line.
【図2】図2は第1の実施の形態の液晶表示装置の導電
層のパターンを示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a pattern of a conductive layer of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
【図3】図3は、第1の実施の形態の液晶表示装置の駆
動方法を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a driving method of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
【図4】図4(a)は本発明の第2の実施の形態の液晶
表示装置を示す平面図、図4(b)は同じくその液晶表
示装置の導電層のパターンを示す図である。FIG. 4A is a plan view illustrating a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a diagram illustrating a pattern of a conductive layer of the liquid crystal display device.
【図5】図5は、第2の実施の形態の液晶表示装置の駆
動方法を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a driving method of the liquid crystal display device according to the second embodiment.
【図6】図6は第2の実施の形態の液晶表示装置の変形
例を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a modification of the liquid crystal display device according to the second embodiment.
【図7】図7は本発明の第3の実施の形態の液晶表示装
置を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
【図8】図8は第3の実施の形態の液晶表示装置の下側
ガラス基板の導電層パターンを示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a conductive layer pattern on a lower glass substrate of a liquid crystal display device according to a third embodiment.
【図9】図9は図7のB−B線による断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along line BB of FIG. 7;
【図10】図10は、第3の実施の形態の効果を示す模
式図である。FIG. 10 is a schematic diagram illustrating an effect of the third embodiment.
【図11】図11は第3の実施の形態の液晶表示装置
と、ブラックマトリクスを金属膜により形成した従来の
液晶表示装置及びブラックマトリクスを樹脂で形成した
従来の液晶表示装置のクロストークにより光の漏れ量を
測定した結果を示す図である。FIG. 11 shows light due to crosstalk between the liquid crystal display device of the third embodiment, a conventional liquid crystal display device having a black matrix formed of a metal film, and a conventional liquid crystal display device having a black matrix formed of a resin. It is a figure showing the result of having measured the amount of leaks.
【図12】図12は本発明の第4の実施の形態の液晶表
示装置を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図13】図13は第4の実施の形態の液晶表示装置の
下側基板の導電層のパターンを示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing a pattern of a conductive layer on a lower substrate of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment.
【図14】図14は図12のC−C線による断面図であ
る。FIG. 14 is a sectional view taken along line CC of FIG. 12;
【図15】図15(a)は本発明の第5の実施の形態の
液晶表示装置を示す平面図、図15(b)は図15
(a)のD−D線による断面図である。FIG. 15A is a plan view showing a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG.
It is sectional drawing by the DD line of (a).
【図16】図16は配向膜の電圧保持率を測定する装置
を示す模式図である。FIG. 16 is a schematic diagram showing an apparatus for measuring a voltage holding ratio of an alignment film.
【図17】図17(a)は、従来のIPS型液晶表示装
置を示す平面図、図17(b)は図17(a)のE−E
線による断面図である。17 (a) is a plan view showing a conventional IPS type liquid crystal display device, and FIG. 17 (b) is an EE of FIG. 17 (a).
It is sectional drawing by a line.
【図18】図18(a),(b)はIPS型液晶表示装
置の動作を示す模式図である。FIGS. 18A and 18B are schematic diagrams illustrating the operation of the IPS type liquid crystal display device.
【図19】図19(a),(b)はクロストークの発生
を示す模式図である。FIGS. 19A and 19B are schematic diagrams illustrating the occurrence of crosstalk.
【図20】図20は焼付きが顕著に発生する表示パター
ンの例を示す平面図である。FIG. 20 is a plan view showing an example of a display pattern in which image sticking occurs remarkably.
10,20,30,40,50,80,90,110,
120 ガラス基板、 11a,31a,41a,61a,81a,111a
ゲートバスライン、 11b,41c,61b ゲート電極、 11c,11d,36e,36f,41d,41e,8
1d,111d コモン電極、 16a,36a,46a,86a,116a データバ
スライン、 16b,36b,46b ドレイン電極、 16c,36c,46c ソース電極、 16d,36d,46e,86d,116d 表示電
極、 18,21,68,74,88,91,118,123
配向膜、 19,39a,39b,49,69,89,119 T
FT、 29,49,79,99,129 液晶、 31c,31d,41b,81b,111b コモン配
線、 51,71 ブラックマトリクス、 52R,52G,52B,72R,72G,122 カ
ラーフィルタ、 61c 補助容量電極、 67 画素電極。10, 20, 30, 40, 50, 80, 90, 110,
120 glass substrate, 11a, 31a, 41a, 61a, 81a, 111a
Gate bus line, 11b, 41c, 61b Gate electrode, 11c, 11d, 36e, 36f, 41d, 41e, 8
1d, 111d common electrode, 16a, 36a, 46a, 86a, 116a data bus line, 16b, 36b, 46b drain electrode, 16c, 36c, 46c source electrode, 16d, 36d, 46e, 86d, 116d display electrode, 18, 21 , 68, 74, 88, 91, 118, 123
Alignment film, 19, 39a, 39b, 49, 69, 89, 119 T
FT, 29, 49, 79, 99, 129 liquid crystal, 31c, 31d, 41b, 81b, 111b common wiring, 51, 71 black matrix, 52R, 52G, 52B, 72R, 72G, 122 color filter, 61c auxiliary capacitance electrode, 67 pixel electrode.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 611 G09G 3/20 611D 5C080 642 642D 3/36 3/36 (72)発明者 笹林 貴 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富 士通株式会社内 (72)発明者 仲西 洋平 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富 士通株式会社内 (72)発明者 山口 久 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富 士通株式会社内 Fターム(参考) 2H090 HA03 HA08 HB03Y HB08Y HB13Y HD12 KA04 LA01 LA04 LA15 LA18 MA02 2H091 FA03Y FA35Y FA42Z FB08 FD06 GA03 GA06 GA11 GA13 HA06 LA03 LA17 LA30 2H092 GA14 GA17 GA25 JA24 JB02 JB16 JB22 KB23 NA07 PA02 PA06 PA08 PA13 QA06 2H093 NA16 NA43 NB23 NC34 ND04 ND08 ND12 ND15 NE03 NE04 NE06 NF04 5C006 AA22 BB16 BC06 FA34 FA36 FA54 FA56 GA03 5C080 AA10 BB05 DD03 DD10 DD29 FF11 JJ02 JJ05 JJ06 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme court ゛ (Reference) G09G 3/20 611 G09G 3/20 611D 5C080 642 642D 3/36 3/36 (72) Inventor Takashi Sasababayashi Kanagawa (1-1) Kamijidanaka 4-1-1, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Japan Inside the Fujitsu Co., Ltd. (72) Inventor Yohei Nakanishi 4-1-1 Kamikadanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Person Hisashi Yamaguchi Hisashi F-term (reference) 2-1, 1-1 Kagamidanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture GA13 HA06 LA03 LA17 LA30 2H092 GA14 GA17 GA25 JA24 JB02 JB16 JB22 KB23 NA07 PA02 PA06 PA08 PA13 QA06 2H093 NA16 NA43 NB23 NC34 ND04 ND08 ND12 ND 15 NE03 NE04 NE06 NF04 5C006 AA22 BB16 BC06 FA34 FA36 FA54 FA56 GA03 5C080 AA10 BB05 DD03 DD10 DD29 FF11 JJ02 JJ05 JJ06
Claims (15)
入して構成された液晶表示装置において、 前記第1の基板の前記第2の基板側の面に形成された複
数本のゲートバスラインと、 前記第1の基板の前記第2の基板側の面に形成されて前
記ゲートバスラインに交差する複数本のデータバスライ
ンと、 n番目(nは1,2,…)の前記ゲートバスライン、n
+1番目の前記ゲートバスライン、m番目(mは1,
2,…)の前記データバスライン及びm+1番目の前記
データバスラインにより区画される画素領域内に配置さ
れた表示電極と、 ゲート電極が前記n番目のゲートバスラインに電気的に
接続され、ドレイン電極が前記m番目のデータバスライ
ンに電気的に接続され、ソース電極が前記表示電極に電
気的に接続された薄膜トランジスタと、 前記表示電極から離間して配置され、前記n+1番目の
ゲートバスラインに電気的に接続されたコモン電極と、 を有することを特徴とする液晶表示装置。1. A liquid crystal display device in which liquid crystal is sealed between a first substrate and a second substrate, wherein a plurality of liquid crystals are formed on a surface of the first substrate on the side of the second substrate. A plurality of data bus lines formed on a surface of the first substrate on the side of the second substrate and intersecting the gate bus lines; an n-th (n is 1, 2,...) The gate bus line, n
+ 1st gate bus line, mth (m is 1,
A display electrode disposed in a pixel area defined by the (2,...) Data bus line and the (m + 1) th data bus line; a gate electrode electrically connected to the nth gate bus line; An electrode electrically connected to the m-th data bus line, a thin-film transistor having a source electrode electrically connected to the display electrode, and a thin-film transistor disposed apart from the display electrode, and connected to the (n + 1) -th gate bus line. A liquid crystal display device comprising: a common electrode electrically connected;
れも前記データバスラインに平行に配置され、前記コモ
ン電極は前記データバスラインと一部重なっていること
を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。2. The data bus line according to claim 1, wherein both the display electrode and the common electrode are arranged in parallel with the data bus line, and the common electrode partially overlaps the data bus line. Liquid crystal display.
入した液晶表示装置において、 前記第1の基板の前記第2の基板側の面に形成された複
数本のゲートバスラインと、 前記第1の基板の前記第2の基板側の面に形成されて前
記ゲートバスラインに交差する複数本のデータバスライ
ンと、 n番目(nは1,2,…)の前記ゲートバスライン、n
+1番目の前記ゲートバスライン、m番目(mは1,
2,…)の前記データバスライン及びm+1番目の前記
データバスラインにより区画される画素領域内に配置さ
れた表示電極と、 ゲート電極が前記n番目のゲートバスラインと電気的に
接続され、ドレイン電極が前記m番目のデータバスライ
ンと電気的に接続され、ソース電極が前記表示電極と電
気的に接続された第1の薄膜トランジスタと、 前記表示電極から離間して配置されたコモン電極と、 ゲート電極が前記n番目のゲートバスラインと電気的に
接続され、ドレイン電極が前記n+1番目のゲートバス
ラインと電気的に接続され、ソース電極が前記コモン電
極と電気的に接続された第2の薄膜トランジスタとを有
することを特徴とする液晶表示装置。3. A liquid crystal display device in which liquid crystal is sealed between a first substrate and a second substrate, comprising: a plurality of gate bus lines formed on a surface of the first substrate on the side of the second substrate; A plurality of data bus lines formed on a surface of the first substrate on the side of the second substrate and intersecting the gate bus line; and an n-th (n is 1, 2,...) Gate bus line , N
+ 1st gate bus line, mth (m is 1,
A display electrode disposed in a pixel area defined by the (2,...) Data bus line and the (m + 1) th data bus line; a gate electrode electrically connected to the nth gate bus line; A first thin film transistor having an electrode electrically connected to the m-th data bus line, and a source electrode electrically connected to the display electrode; a common electrode spaced apart from the display electrode; A second thin film transistor in which an electrode is electrically connected to the nth gate bus line, a drain electrode is electrically connected to the (n + 1) th gate bus line, and a source electrode is electrically connected to the common electrode. A liquid crystal display device comprising:
の薄膜トランジスタとのゲート電極が共通の電極からな
っていることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装
置。4. The first thin film transistor and the second thin film transistor
4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein a gate electrode with the thin film transistor is formed of a common electrode.
一方の基板に、複数本のゲートバスラインと、前記ゲー
トバスラインに交差する複数本のデータバスラインと、
n番目(nは1,2,…)の前記ゲートバスライン、n
+1番目の前記ゲートバスライン、m番目(mは1,
2,…)の前記データバスライン及びm+1番目の前記
データバスラインにより区画される画素領域内に配置さ
れた表示電極と、ゲート電極が前記n番目のゲートバス
ラインに電気的に接続され、ドレイン電極が前記m番目
のデータバスラインに電気的に接続され、ソース電極が
前記表示電極に電気的に接続された薄膜トランジスタ
と、前記表示電極から離間して配置され、前記n+1番
目のゲートバスラインに電気的に接続されたコモン電極
とが形成された液晶表示装置の駆動方法において、 前記ゲートバスラインに、表示データ書込み時の前記コ
モン電極の電位を決定する基準電圧、前記薄膜トランジ
スタをオンにする第1の電圧及び前記薄膜トランジスタ
をオフにする第2の電圧を経時的に供給することを特徴
とする液晶表示装置の駆動方法。5. A plurality of gate bus lines, a plurality of data bus lines intersecting with the gate bus lines, and one of the two substrates arranged opposite to each other.
n-th (n is 1, 2,...) gate bus lines, n
+ 1st gate bus line, mth (m is 1,
2,...), A display electrode disposed in a pixel region defined by the (m + 1) th data bus line, and a gate electrode electrically connected to the nth gate bus line. An electrode is electrically connected to the m-th data bus line, a source electrode is disposed apart from the display electrode and a thin film transistor electrically connected to the display electrode, and the n-th gate bus line is connected to the n + 1-th gate bus line. A method for driving a liquid crystal display device having a common electrode electrically connected thereto, comprising: a reference voltage for determining a potential of the common electrode at the time of writing display data; Wherein the first voltage and the second voltage for turning off the thin film transistor are supplied over time. Movement method.
れた画素に対して表示データを書き込むときに、前記n
番目のゲートバスラインを前記第1の電圧とし、前記n
+1番目のゲートバスラインを前記基準電位とし、その
他のゲートバスラインを前記第2の電圧とすることを特
徴とする請求項5に記載の液晶表示装置の駆動方法。6. When writing display data to a pixel connected to the n-th gate bus line, the n
A first gate bus line having the first voltage;
6. The method according to claim 5, wherein a + 1st gate bus line is used as the reference potential, and other gate bus lines are used as the second voltage.
一方の基板に、複数本のゲートバスラインと、前記ゲー
トバスラインに交差する複数本のデータバスラインと、
n番目(nは1,2,…)の前記ゲートバスライン、n
+1番目の前記ゲートバスライン、m番目(mは1,
2,…)の前記データバスライン及びm+1番目の前記
データバスラインにより区画される画素領域内に配置さ
れた表示電極と、ゲート電極が前記n番目のゲートバス
ラインと電気的に接続され、ドレイン電極が前記m番目
のデータバスラインと電気的に接続され、ソース電極が
前記表示電極と電気的に接続された第1の薄膜トランジ
スタと、前記表示電極から離間して配置されたコモン電
極と、ゲート電極が前記n番目のゲートバスラインと電
気的に接続され、ドレイン電極が前記m+1番目のデー
タバスラインと電気的に接続され、ソース電極が前記コ
モン電極と電気的に接続された第2の薄膜トランジスタ
とが形成された液晶表示装置の駆動方法において、 前記ゲートバスラインに、表示データ書込み時の前記コ
モン電極の電位を決定する基準電圧、前記第1の薄膜ト
ランジスタ及び第2の薄膜トランジスタをオンにする第
1の電圧及び前記第1の薄膜トランジスタ及び第2の薄
膜トランジスタをオフにする第2の電圧を経時的に供給
することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。7. A plurality of gate bus lines, a plurality of data bus lines intersecting with the gate bus lines, and one of the two substrates arranged opposite to each other.
n-th (n is 1, 2,...) gate bus lines, n
+ 1st gate bus line, mth (m is 1,
2,...) And a display electrode disposed in a pixel region defined by the (m + 1) th data bus line, a gate electrode electrically connected to the nth gate bus line, and a drain electrode. A first thin film transistor having an electrode electrically connected to the m-th data bus line, a source electrode electrically connected to the display electrode, a common electrode disposed apart from the display electrode, and a gate. A second thin film transistor in which an electrode is electrically connected to the nth gate bus line, a drain electrode is electrically connected to the (m + 1) th data bus line, and a source electrode is electrically connected to the common electrode. In the method of driving a liquid crystal display device, the potential of the common electrode is determined when the display data is written to the gate bus line. And supplying a reference voltage, a first voltage for turning on the first thin film transistor and the second thin film transistor, and a second voltage for turning off the first thin film transistor and the second thin film transistor over time. Driving method for a liquid crystal display device.
れた画素に対して表示データを書き込むときに、前記n
番目のゲートバスラインを前記第1の電圧とし、前記n
+1番目のゲートバスラインを前記基準電位とし、その
他のゲートバスラインを前記第2の電圧とすることを特
徴とする請求項7に記載の液晶表示装置の駆動方法。8. When writing display data into a pixel connected to the n-th gate bus line, the n
A first gate bus line having the first voltage;
8. The method according to claim 7, wherein a (+1) th gate bus line is used as the reference potential, and other gate bus lines are used as the second voltage.
入して構成され、複数の画素領域の光透過率を個別に制
御して画像を表示する液晶表示装置において、 前記第1の基板には、前記画素領域を画定する複数本の
データバスライン及び複数本のゲートバスラインを有
し、 前記第2の基板には、前記画素領域間を遮光するブラッ
クマトリクスと、各画素領域毎に透過光の色を決めるカ
ラーフィルタとを有し、 前記カラーフィルタが画素領域から前記ブラックマトリ
クス上を通って隣の画素領域まで延在し、前記ブラック
マトリクスの上には少なくとも2色のカラーフィルタに
覆われ、その2色のカラーフィルタの重なり部分の幅が
前記ブラックマトリクスの幅よりも広いことを特徴とす
る液晶表示装置。9. A liquid crystal display device comprising a liquid crystal sealed between a first substrate and a second substrate, wherein the liquid crystal display device displays an image by individually controlling the light transmittance of a plurality of pixel regions. The substrate has a plurality of data bus lines and a plurality of gate bus lines that define the pixel region. The second substrate has a black matrix that blocks light between the pixel regions, A color filter that determines a color of transmitted light for each of the color filters. The color filter extends from a pixel area to an adjacent pixel area through the black matrix, and has at least two colors on the black matrix. A liquid crystal display device covered by a filter, wherein a width of an overlapping portion of the two color filters is wider than a width of the black matrix.
前記第1の基板に平行な方向に電界を発生する表示電極
及びコモン電極を有することを特徴とする請求項9に記
載の液晶表示装置。10. The device according to claim 9, wherein the first substrate has a display electrode and a common electrode for generating an electric field in a direction parallel to the first substrate for each pixel region. Liquid crystal display.
電極と、画素電極とを有し、前記第2の基板には対向電
極を有することを特徴とする請求項9に記載の液晶表示
装置。11. The liquid crystal according to claim 9, wherein the first substrate has a metal auxiliary capacitance electrode and a pixel electrode, and the second substrate has a counter electrode. Display device.
ーフィルタ、緑(G)のカラーフィルタ及び青(B)の
カラーフィルタがそれぞれストライプ状に形成され、前
記カラーフィルタの重なり部分が前記データバスライン
に平行であることを特徴と請求項9に記載の液晶表示装
置。12. The color filter includes a red (R) color filter, a green (G) color filter, and a blue (B) color filter, each of which is formed in a stripe shape, and an overlapping portion of the color filters is formed by the data bus. The liquid crystal display device according to claim 9, wherein the liquid crystal display device is parallel to the line.
封入して構成された液晶表示装置において、 前記第1の基板の前記第2の基板側の面に形成された複
数本のゲートバスラインと、 前記第1の基板の前記第2の基板側の面に形成されて前
記ゲートバスラインに交差する複数本のデータバスライ
ンと、 前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより
区画された画素領域内に配置された表示電極と、 前記画素領域内に前記表示電極と離間して配置されたコ
モン電極と、 前記第1の基板に前記表示電極及び前記コモン電極を覆
うようにして形成された第1の配向膜と、 前記第2の基板の前記第1の基板側の面に形成され、前
記第1の配向膜と電気的性質が異なる第2の配向膜とを
有することを特徴とする液晶表示装置。13. A liquid crystal display device comprising liquid crystal sealed between a first substrate and a second substrate, wherein a plurality of liquid crystals are formed on a surface of the first substrate on the second substrate side. A gate bus line, a plurality of data bus lines formed on a surface of the first substrate on the side of the second substrate and intersecting the gate bus line, partitioned by the gate bus line and the data bus line A display electrode disposed in the pixel region, a common electrode disposed apart from the display electrode in the pixel region, and a first substrate formed to cover the display electrode and the common electrode. A first alignment film formed on the first substrate side of the second substrate, and a second alignment film having an electrical property different from that of the first alignment film. Liquid crystal display device.
2の配向膜の体積抵抗よりも小さいことを特徴とする請
求項13に記載の液晶表示装置。14. The liquid crystal display device according to claim 13, wherein a volume resistance of the first alignment film is smaller than a volume resistance of the second alignment film.
向膜の体積抵抗よりも前記第1の配向膜の体積抵抗に近
いことを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置。15. The liquid crystal display device according to claim 14, wherein a volume resistance of the liquid crystal is closer to a volume resistance of the first alignment film than to a volume resistance of the second alignment film.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11075867A JP2000267141A (en) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | Liquid crystal display device and driving method of liquid crystal display device |
US09/454,578 US6642984B1 (en) | 1998-12-08 | 1999-12-07 | Liquid crystal display apparatus having wide transparent electrode and stripe electrodes |
TW88121395A TW587191B (en) | 1998-12-08 | 1999-12-07 | Liquid crystal display apparatus and liquid crystal display panel having wide transparent electrode and stripe electrodes |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP11075867A JP2000267141A (en) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | Liquid crystal display device and driving method of liquid crystal display device |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000267141A true JP2000267141A (en) | 2000-09-29 |
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ID=13588645
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000267141A (en) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1999-03-19 JP JP11075867A patent/JP2000267141A/en active Pending
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