JP2000265294A - 錫及び錫合金めっき浴、めっき皮膜及び半導体装置用のリードフレーム - Google Patents
錫及び錫合金めっき浴、めっき皮膜及び半導体装置用のリードフレームInfo
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 電気・電子部品等のめっき材料として用いら
れる錫及び錫合金めっき浴において、はんだ付け性が良
好で、特にこの特性が高熱環境下で劣化しない優れたは
んだ付け性能を備えた錫及び錫合金めっき皮膜及び半導
体装置用リードフレームを得ることを目的とする。 【解決手段】 可溶性錫塩と、他の可溶性金属塩と、
(１)で表される４級化された化合物とを含有するめっき
浴により、優れたはんだ付け性能を備えた錫めっき皮
膜、または錫合金めっき皮膜が得られる。
れる錫及び錫合金めっき浴において、はんだ付け性が良
好で、特にこの特性が高熱環境下で劣化しない優れたは
んだ付け性能を備えた錫及び錫合金めっき皮膜及び半導
体装置用リードフレームを得ることを目的とする。 【解決手段】 可溶性錫塩と、他の可溶性金属塩と、
(１)で表される４級化された化合物とを含有するめっき
浴により、優れたはんだ付け性能を備えた錫めっき皮
膜、または錫合金めっき皮膜が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、錫めっき浴、並び
に錫−銀、錫−亜鉛、錫−銅、錫−鉛、錫−ニッケル、
錫−コバルト、錫−ビスマス、錫−アンチモン、錫−イ
ンジウム合金などの錫合金めっき浴に関し、特にはんだ
付け性が要求される電気・電子部品等の材料としての錫
及び錫合金めっき浴およびそのめっき浴を用いて形成さ
れた錫及び錫合金めっき皮膜及びこれを有する半導体装
置用リードフレーム等の電気・電子部品に関する。
に錫−銀、錫−亜鉛、錫−銅、錫−鉛、錫−ニッケル、
錫−コバルト、錫−ビスマス、錫−アンチモン、錫−イ
ンジウム合金などの錫合金めっき浴に関し、特にはんだ
付け性が要求される電気・電子部品等の材料としての錫
及び錫合金めっき浴およびそのめっき浴を用いて形成さ
れた錫及び錫合金めっき皮膜及びこれを有する半導体装
置用リードフレーム等の電気・電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】錫めっき、並びに錫−鉛、錫−亜鉛等の
錫合金めっきは、耐食性やはんだ付け性が良好であるた
め、弱電部品やリードフレーム等に代表される電子工業
用部品などの工業用めっきとして広く利用されている。
上記錫めっき、並びに錫−鉛、錫−亜鉛等の合金めっき
に使用されるめっき浴には種々のもの開発されている。
これらのめっき浴は、一般に、界面活性剤等の有機化合
物や各種添加剤を含有させて、めっき皮膜が樹脂状にな
ることを防止し、実用的な表面を有するめっき皮膜が得
られるように工夫している。例えば、界面活性剤が特徴
的なもの（特開平８−１３１８５）、広範囲の電流密度
条件ではんだ付け性を改善したもの（特開平１０−２５
５９５）等が知られている。
錫合金めっきは、耐食性やはんだ付け性が良好であるた
め、弱電部品やリードフレーム等に代表される電子工業
用部品などの工業用めっきとして広く利用されている。
上記錫めっき、並びに錫−鉛、錫−亜鉛等の合金めっき
に使用されるめっき浴には種々のもの開発されている。
これらのめっき浴は、一般に、界面活性剤等の有機化合
物や各種添加剤を含有させて、めっき皮膜が樹脂状にな
ることを防止し、実用的な表面を有するめっき皮膜が得
られるように工夫している。例えば、界面活性剤が特徴
的なもの（特開平８−１３１８５）、広範囲の電流密度
条件ではんだ付け性を改善したもの（特開平１０−２５
５９５）等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の技術では、はんだ付け性の実用的課題を充分
に解決するものではなかった。近年では、各種電子機器
などにおいて、その性能がより高度化され、それに用い
られる半導体装置にはその特性に年々厳しい要求がなさ
れている。特に、半導体チップを搭載するインナーリー
ド部の部分Ａｇめっきと、外部電子部品と接合するアウ
ターリード部の錫合金めっきを予め形成した前めっき方
式のリードフレームでは、半導体チップ搭載時の熱履歴
により、錫合金めっきのはんだ付け性が低下する。その
ため、これらに用いられる錫合金めっき材料は、より高
性能の安定した物性のものでなくてはならず、そのため
錫合金めっき浴の要求が強くなってきている。
うな従来の技術では、はんだ付け性の実用的課題を充分
に解決するものではなかった。近年では、各種電子機器
などにおいて、その性能がより高度化され、それに用い
られる半導体装置にはその特性に年々厳しい要求がなさ
れている。特に、半導体チップを搭載するインナーリー
ド部の部分Ａｇめっきと、外部電子部品と接合するアウ
ターリード部の錫合金めっきを予め形成した前めっき方
式のリードフレームでは、半導体チップ搭載時の熱履歴
により、錫合金めっきのはんだ付け性が低下する。その
ため、これらに用いられる錫合金めっき材料は、より高
性能の安定した物性のものでなくてはならず、そのため
錫合金めっき浴の要求が強くなってきている。
【０００４】図１はリードフレームの一例を示す平面
図、図２はリードフレームの一例を示す断面図である。
図１、図２において、１はチップ搭載部、２はインナー
リード部、３はアウターリード部、４はタイバー部、５
は半導体チップ、６は接着剤、７は電極パッド、８はワ
イヤー、９は封止樹脂である。リードフレームは、予め
インナーリード部２にＡｇの部分めっき、アウターリー
ド部３に錫合金めっきを施し、チップ搭載部１に半導体
チップ５を接合し、半導体チップ５の端子とインナーリ
ード部２をワイヤー８でボンディングし、さらに、アウ
ターリード部３以外の全体を封止樹脂９で封止する。
図、図２はリードフレームの一例を示す断面図である。
図１、図２において、１はチップ搭載部、２はインナー
リード部、３はアウターリード部、４はタイバー部、５
は半導体チップ、６は接着剤、７は電極パッド、８はワ
イヤー、９は封止樹脂である。リードフレームは、予め
インナーリード部２にＡｇの部分めっき、アウターリー
ド部３に錫合金めっきを施し、チップ搭載部１に半導体
チップ５を接合し、半導体チップ５の端子とインナーリ
ード部２をワイヤー８でボンディングし、さらに、アウ
ターリード部３以外の全体を封止樹脂９で封止する。
【０００５】図１に示したリードフレームの平面図は、
半導体チップ５の接合、ワイヤー８によるボンディン
グ、封止樹脂９による封止を実施する前のリードフレー
ムのみを示したものであり、実際には、半導体チップ５
の接合、ワイヤー８によるボンディング、封止樹脂９に
よる封止を施した後、対応するインナーリード部２とア
ウターリード部３とが電気的に接続し、且つ、隣接する
インナーリード部２どうし、アウターリード部３どうし
が短絡しないような状態になるように、リードフレーム
を切断する。この後、アウターリード部３は、他の電子
部品とはんだで接合され、用いられる。
半導体チップ５の接合、ワイヤー８によるボンディン
グ、封止樹脂９による封止を実施する前のリードフレー
ムのみを示したものであり、実際には、半導体チップ５
の接合、ワイヤー８によるボンディング、封止樹脂９に
よる封止を施した後、対応するインナーリード部２とア
ウターリード部３とが電気的に接続し、且つ、隣接する
インナーリード部２どうし、アウターリード部３どうし
が短絡しないような状態になるように、リードフレーム
を切断する。この後、アウターリード部３は、他の電子
部品とはんだで接合され、用いられる。
【０００６】特に予めインナーリード部２とアウターリ
ード部３の両方にめっき皮膜を形成する前めっき方式で
は、半導体チップ搭載時の熱履歴により錫合金めっきの
はんだ付け性が低下し、後工程でのはんだぬれ性の低下
を招き、このことにより、封止樹脂９による封止後に外
部に露出するアウターリード部３のはんだ付け性能に支
障が生じる。すなわち、ぬれ速度が低下し、要求される
はんだぬれ面積をカバーするのが困難となり、このた
め、はんだ槽への浸漬時間が増大して作業効率が低下
し、甚だしい場合にははんだが全くぬれないという問題
点を有していた。特に、近年の半導体装置の高密度化に
伴いアウターリード部３間の間隔が狭くなり、表面実装
におけるクリームはんだによるリフロー（再溶解）接合
時において、錫合金めっきのぬれ性が悪いためクリーム
はんだが基板横方向に流れてしまい、配線間にブリッジ
が発生し回路が短絡してしまうという問題点があった。
クリームはんだの塗布量を減らすことによりある程度の
ブリッジ発生は減少させることは可能だが、逆に、クリ
ームはんだ塗布量の減少によりクリームはんだの塗布高
さが低くなり、アウターリード部３の基板との隙間のば
らつきにより全く接合しない場合が生じ回路がオープン
になってしまうことが発生する。
ード部３の両方にめっき皮膜を形成する前めっき方式で
は、半導体チップ搭載時の熱履歴により錫合金めっきの
はんだ付け性が低下し、後工程でのはんだぬれ性の低下
を招き、このことにより、封止樹脂９による封止後に外
部に露出するアウターリード部３のはんだ付け性能に支
障が生じる。すなわち、ぬれ速度が低下し、要求される
はんだぬれ面積をカバーするのが困難となり、このた
め、はんだ槽への浸漬時間が増大して作業効率が低下
し、甚だしい場合にははんだが全くぬれないという問題
点を有していた。特に、近年の半導体装置の高密度化に
伴いアウターリード部３間の間隔が狭くなり、表面実装
におけるクリームはんだによるリフロー（再溶解）接合
時において、錫合金めっきのぬれ性が悪いためクリーム
はんだが基板横方向に流れてしまい、配線間にブリッジ
が発生し回路が短絡してしまうという問題点があった。
クリームはんだの塗布量を減らすことによりある程度の
ブリッジ発生は減少させることは可能だが、逆に、クリ
ームはんだ塗布量の減少によりクリームはんだの塗布高
さが低くなり、アウターリード部３の基板との隙間のば
らつきにより全く接合しない場合が生じ回路がオープン
になってしまうことが発生する。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
であり、はんだ付け性が良好で、特にこれらの特性が熱
履歴で劣化しにくい優れたはんだ付け性能を備えた錫及
び錫合金めっき皮膜を得るための錫及び錫合金めっき
浴、及びこのめっき浴を用いて形成されためっき皮膜を
提供することを目的とする。
であり、はんだ付け性が良好で、特にこれらの特性が熱
履歴で劣化しにくい優れたはんだ付け性能を備えた錫及
び錫合金めっき皮膜を得るための錫及び錫合金めっき
浴、及びこのめっき浴を用いて形成されためっき皮膜を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の錫及び錫合金めっき浴は、可溶性錫塩と、４
級化された化合物とを含有する。
に本発明の錫及び錫合金めっき浴は、可溶性錫塩と、４
級化された化合物とを含有する。
【０００９】この構成により、はんだぬれ性が良好で、
はんだぬれ速度が大きく、特にこれらの特性が熱履歴に
よって劣化しにくい優れたはんだ付け性能を備えた錫及
び錫合金めっき皮膜およびその皮膜を得るための錫及び
錫合金めっき浴を提供することができる。
はんだぬれ速度が大きく、特にこれらの特性が熱履歴に
よって劣化しにくい優れたはんだ付け性能を備えた錫及
び錫合金めっき皮膜およびその皮膜を得るための錫及び
錫合金めっき浴を提供することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、（ａ）可溶性錫塩と、（ｂ）４級化された化合物
と、を含有する錫めっき浴であり、これを用いて形成し
た錫めっき皮膜は、熱履歴によって４級化された化合物
が酸化されることで、めっき皮膜の表面におけるはんだ
付け性の低下を防止するという作用を有する。
は、（ａ）可溶性錫塩と、（ｂ）４級化された化合物
と、を含有する錫めっき浴であり、これを用いて形成し
た錫めっき皮膜は、熱履歴によって４級化された化合物
が酸化されることで、めっき皮膜の表面におけるはんだ
付け性の低下を防止するという作用を有する。
【００１１】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１に記載の発明において、前記４級化された化合物が下
記一般式（化１）で示される化合物であることを特徴と
する錫めっき浴であり、これを用いて形成した錫めっき
皮膜は、熱履歴によって４級化された化合物が酸化され
ることで、めっき皮膜の表面におけるはんだ付け性の低
下を防止するという作用を有する。
１に記載の発明において、前記４級化された化合物が下
記一般式（化１）で示される化合物であることを特徴と
する錫めっき浴であり、これを用いて形成した錫めっき
皮膜は、熱履歴によって４級化された化合物が酸化され
ることで、めっき皮膜の表面におけるはんだ付け性の低
下を防止するという作用を有する。
【００１２】本発明の請求項３に記載の発明は、（ａ）
可溶性錫塩と、（ｂ）銀、亜鉛、銅、鉛、ニッケル、コ
バルト、ビスマス、アンチモン、インジウムから選ばれ
た少なくとも一種類の金属の可溶性塩と、（ｃ）４級化
された化合物と、を含有する錫合金めっき浴であり、こ
れを用いて形成した錫合金めっき皮膜は、熱履歴によっ
て４級化された化合物が酸化されることで、めっき皮膜
の表面におけるはんだ付け性の低下を防止するという作
用を有する。
可溶性錫塩と、（ｂ）銀、亜鉛、銅、鉛、ニッケル、コ
バルト、ビスマス、アンチモン、インジウムから選ばれ
た少なくとも一種類の金属の可溶性塩と、（ｃ）４級化
された化合物と、を含有する錫合金めっき浴であり、こ
れを用いて形成した錫合金めっき皮膜は、熱履歴によっ
て４級化された化合物が酸化されることで、めっき皮膜
の表面におけるはんだ付け性の低下を防止するという作
用を有する。
【００１３】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
３に記載の発明において、前記４級化された化合物が下
記一般式（化２）で示される化合物であることを特徴と
する錫合金めっき浴であり、これを用いて形成した錫合
金めっき皮膜は、熱履歴によって４級化された化合物が
酸化されることで、めっき皮膜の表面におけるはんだ付
け性の低下を防止するという作用を有する。
３に記載の発明において、前記４級化された化合物が下
記一般式（化２）で示される化合物であることを特徴と
する錫合金めっき浴であり、これを用いて形成した錫合
金めっき皮膜は、熱履歴によって４級化された化合物が
酸化されることで、めっき皮膜の表面におけるはんだ付
け性の低下を防止するという作用を有する。
【００１４】本発明の請求項５に記載の発明は、請求項
１〜２に記載された錫めっき浴を用いて形成されたこと
を特徴とする錫めっき皮膜であり、この錫めっき皮膜は
熱履歴によって４級化された化合物が酸化されること
で、めっき皮膜の表面におけるはんだ付け性の低下を防
止するという作用を有する。
１〜２に記載された錫めっき浴を用いて形成されたこと
を特徴とする錫めっき皮膜であり、この錫めっき皮膜は
熱履歴によって４級化された化合物が酸化されること
で、めっき皮膜の表面におけるはんだ付け性の低下を防
止するという作用を有する。
【００１５】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
３〜４に記載された錫めっき浴を用いて形成されたこと
を特徴とする錫めっき皮膜であり、熱履歴によって４級
化された化合物が酸化されることで、めっき皮膜の表面
におけるはんだ付け性の低下を防止するという作用を有
する。
３〜４に記載された錫めっき浴を用いて形成されたこと
を特徴とする錫めっき皮膜であり、熱履歴によって４級
化された化合物が酸化されることで、めっき皮膜の表面
におけるはんだ付け性の低下を防止するという作用を有
する。
【００１６】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
１〜２に記載された錫めっき浴を用いて形成された錫め
っき皮膜が少なくともアウターリード部に形成されてい
ることを特徴とする半導体装置用リードフレームであ
り、このリードフレームは熱履歴によって４級化された
化合物が酸化されることで、めっき皮膜の表面における
はんだ付け性の低下を防止するという作用を有する。
１〜２に記載された錫めっき浴を用いて形成された錫め
っき皮膜が少なくともアウターリード部に形成されてい
ることを特徴とする半導体装置用リードフレームであ
り、このリードフレームは熱履歴によって４級化された
化合物が酸化されることで、めっき皮膜の表面における
はんだ付け性の低下を防止するという作用を有する。
【００１７】本発明の請求項８に記載の発明は、請求項
３〜４に記載された錫めっき浴を用いて形成された錫め
っき皮膜が少なくともアウターリード部に形成されてい
ることを特徴とする半導体装置用リードフレームであ
り、このリードフレームは熱履歴によって４級化された
化合物が酸化されることで、めっき皮膜の表面における
はんだ付け性の低下を防止するという作用を有する。
３〜４に記載された錫めっき浴を用いて形成された錫め
っき皮膜が少なくともアウターリード部に形成されてい
ることを特徴とする半導体装置用リードフレームであ
り、このリードフレームは熱履歴によって４級化された
化合物が酸化されることで、めっき皮膜の表面における
はんだ付け性の低下を防止するという作用を有する。
【００１８】以下、本発明の実施の形態について説明す
る。
る。
【００１９】（実施の形態１）本発明に用いることがで
きる可溶性錫塩としては、メタンスルホン酸錫、エタン
スルホン酸錫等のアルカンスルホン酸錫塩、イソプロパ
ノールスルホン酸錫等のアルカノールスルホン酸錫塩、
塩化第一錫、酸化第一錫、酸化第二錫、硫酸第一錫、酢
酸第一錫、スルファミン酸第一錫、ピロリン酸第一錫、
グルコン酸第一錫、酒石酸第一錫、錫酸ナトリウム、錫
酸カリウム等のうちから選ばれた少なくとも１つであ
る。上記の錫塩を錫金属濃度として５〜２００ｇ／ｌ、
好ましくは１０〜１００ｇ／ｌが良い。５ｇ／ｌより少
ないと正常皮膜を得るためにはめっき速度が小さ過ぎ、
電流密度を大きくしてめっき速度を速くすると焼けが発
生し正常皮膜が得られず実用的でない。また、２００ｇ
／ｌより多いと、液の汲み出しによる錫金属の消耗が多
く経済的ではない。また、これらの塩は、単独で用いて
も良く２種類以上併用しても良い。
きる可溶性錫塩としては、メタンスルホン酸錫、エタン
スルホン酸錫等のアルカンスルホン酸錫塩、イソプロパ
ノールスルホン酸錫等のアルカノールスルホン酸錫塩、
塩化第一錫、酸化第一錫、酸化第二錫、硫酸第一錫、酢
酸第一錫、スルファミン酸第一錫、ピロリン酸第一錫、
グルコン酸第一錫、酒石酸第一錫、錫酸ナトリウム、錫
酸カリウム等のうちから選ばれた少なくとも１つであ
る。上記の錫塩を錫金属濃度として５〜２００ｇ／ｌ、
好ましくは１０〜１００ｇ／ｌが良い。５ｇ／ｌより少
ないと正常皮膜を得るためにはめっき速度が小さ過ぎ、
電流密度を大きくしてめっき速度を速くすると焼けが発
生し正常皮膜が得られず実用的でない。また、２００ｇ
／ｌより多いと、液の汲み出しによる錫金属の消耗が多
く経済的ではない。また、これらの塩は、単独で用いて
も良く２種類以上併用しても良い。
【００２０】４級化された化合物が下記一般式（化１）
で示される化合物としては、式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，
Ｒ４は、アルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基等）、アルケニル基（例えばビニル
基、プロペニル基、アリル基等）、アリール基（例えば
フェニル基、ナフチル基等）、あるいはアラルキル基
（ベンジル基、フェネチル基等）を表し、これらの基は
置換されていても良く、置換基としては例えばハロゲン
原子（例えば塩素、臭素等）、アルキル基（例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等）、ニトロ基
等があげられる。Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４は互いに環を
形成しても良い。Ｚは窒素原子、リン原子、ヒ素原子あ
るいはアンチモン原子を表し、Ｘ−はアニオンを表す。
Ｘ−によって示されるアニオンとしては、例えば塩化物
イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、亜硝酸イオ
ン、次亜塩素酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、水
酸化物イオン等があげられる。
で示される化合物としては、式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，
Ｒ４は、アルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基等）、アルケニル基（例えばビニル
基、プロペニル基、アリル基等）、アリール基（例えば
フェニル基、ナフチル基等）、あるいはアラルキル基
（ベンジル基、フェネチル基等）を表し、これらの基は
置換されていても良く、置換基としては例えばハロゲン
原子（例えば塩素、臭素等）、アルキル基（例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等）、ニトロ基
等があげられる。Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４は互いに環を
形成しても良い。Ｚは窒素原子、リン原子、ヒ素原子あ
るいはアンチモン原子を表し、Ｘ−はアニオンを表す。
Ｘ−によって示されるアニオンとしては、例えば塩化物
イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、亜硝酸イオ
ン、次亜塩素酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、水
酸化物イオン等があげられる。
【００２１】上記一般式（化１）、（化２）で示される
化合物の具体的な代表例は、一般式（化３）から（化１
８）に示される、
化合物の具体的な代表例は、一般式（化３）から（化１
８）に示される、
【００２２】
【化３】
【００２３】
【化４】
【００２４】
【化５】
【００２５】
【化６】
【００２６】
【化７】
【００２７】
【化８】
【００２８】
【化９】
【００２９】
【化１０】
【００３０】
【化１１】
【００３１】
【化１２】
【００３２】
【化１３】
【００３３】
【化１４】
【００３４】
【化１５】
【００３５】
【化１６】
【００３６】
【化１７】
【００３７】
【化１８】
【００３８】等があげられるが、本発明に使用する化合
物はこれらに限定されるものではない。
物はこれらに限定されるものではない。
【００３９】上記一般式（化１）、（化２）で示される
化合物は、めっき浴中濃度がＺ濃度に換算して、金属錫
当たり１０〜１０００ｐｐｍ、好ましくは５０〜５００
ｐｐｍが良い。
化合物は、めっき浴中濃度がＺ濃度に換算して、金属錫
当たり１０〜１０００ｐｐｍ、好ましくは５０〜５００
ｐｐｍが良い。
【００４０】合金成分としては、銀、亜鉛、銅、鉛、ニ
ッケル、コバルト、ビスマス、アンチモン、インジウム
から選ばれた少なくとも一種類の金属であり、合金成分
の可溶性塩は、例えば、銀の可溶性塩としては、メタン
スルホン酸銀、エタンスルホン酸銀、イソプロパノール
スルホン酸銀、酸化銀、塩化銀、硝酸銀、酢酸銀等が、
亜鉛の可溶性塩としては、メタンスルホン酸亜鉛、エタ
ンスルホン酸亜鉛、イソプロパノールスルホン酸亜鉛、
塩化亜鉛、硝酸亜鉛、炭酸亜鉛、硫酸亜鉛、ピロリン酸
亜鉛等が、銅の可溶性塩としては、メタンスルホン酸
銅、エタンスルホン酸銅、イソプロパノールスルホン酸
銅、硫酸銅、酸化第二銅、硝酸銅、塩化第一銅、塩化第
二銅、炭酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅等が、
鉛の可溶性塩としては、メタンスルホン酸鉛、エタンス
ルホン酸鉛、イソプロパノールスルホン酸鉛、酢酸鉛、
硝酸鉛、炭酸鉛、スルファミン酸鉛等が、ニッケルの可
溶性塩としては、メタンスルホン酸ニッケル、硫酸ニッ
ケル、ギ酸ニッケル、塩化ニッケル、スルファミン酸ニ
ッケル、酢酸ニッケル等が、コバルトの可溶性塩として
は、メタンスルホン酸コバルト、硫酸コバルト、塩化コ
バルト、酢酸コバルト等が、ビスマスの可溶性塩として
は、メタンスルホン酸ビスマス、硫酸ビスマス、グルコ
ン酸ビスマス、硝酸ビスマス、酸化ビスマス、炭酸ビス
マス、塩化ビスマス等が、アンチモンの可溶性塩として
は、メタンスルホン酸アンチモン、塩化アンチモン、酒
石酸アンチモニルカリウム、ピロアンチモン酸カリウ
ム、酒石酸アンチモン等が、インジウムの可溶性塩とし
ては、メタンスルホン酸インジウム、スルファミン酸イ
ンジウム、硫酸インジウム、酸化インジウム等がそれぞ
れ挙げられる。
ッケル、コバルト、ビスマス、アンチモン、インジウム
から選ばれた少なくとも一種類の金属であり、合金成分
の可溶性塩は、例えば、銀の可溶性塩としては、メタン
スルホン酸銀、エタンスルホン酸銀、イソプロパノール
スルホン酸銀、酸化銀、塩化銀、硝酸銀、酢酸銀等が、
亜鉛の可溶性塩としては、メタンスルホン酸亜鉛、エタ
ンスルホン酸亜鉛、イソプロパノールスルホン酸亜鉛、
塩化亜鉛、硝酸亜鉛、炭酸亜鉛、硫酸亜鉛、ピロリン酸
亜鉛等が、銅の可溶性塩としては、メタンスルホン酸
銅、エタンスルホン酸銅、イソプロパノールスルホン酸
銅、硫酸銅、酸化第二銅、硝酸銅、塩化第一銅、塩化第
二銅、炭酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅等が、
鉛の可溶性塩としては、メタンスルホン酸鉛、エタンス
ルホン酸鉛、イソプロパノールスルホン酸鉛、酢酸鉛、
硝酸鉛、炭酸鉛、スルファミン酸鉛等が、ニッケルの可
溶性塩としては、メタンスルホン酸ニッケル、硫酸ニッ
ケル、ギ酸ニッケル、塩化ニッケル、スルファミン酸ニ
ッケル、酢酸ニッケル等が、コバルトの可溶性塩として
は、メタンスルホン酸コバルト、硫酸コバルト、塩化コ
バルト、酢酸コバルト等が、ビスマスの可溶性塩として
は、メタンスルホン酸ビスマス、硫酸ビスマス、グルコ
ン酸ビスマス、硝酸ビスマス、酸化ビスマス、炭酸ビス
マス、塩化ビスマス等が、アンチモンの可溶性塩として
は、メタンスルホン酸アンチモン、塩化アンチモン、酒
石酸アンチモニルカリウム、ピロアンチモン酸カリウ
ム、酒石酸アンチモン等が、インジウムの可溶性塩とし
ては、メタンスルホン酸インジウム、スルファミン酸イ
ンジウム、硫酸インジウム、酸化インジウム等がそれぞ
れ挙げられる。
【００４１】上記めっき浴には平滑なめっき皮膜を得る
ため、めっき中のガス抜けを高めてピットを防止するた
め等に、各種の界面活性剤を添加する。上記界面活性剤
としては、ノニオン系界面活性剤、両性界面活性剤、カ
チオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤を用いるこ
とができる。この界面活性剤はこれら各種の界面活性剤
を単独または併用でき、その添加量は１〜３００ｇ／
ｌ、好ましくは１０〜１００ｇ／ｌである。
ため、めっき中のガス抜けを高めてピットを防止するた
め等に、各種の界面活性剤を添加する。上記界面活性剤
としては、ノニオン系界面活性剤、両性界面活性剤、カ
チオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤を用いるこ
とができる。この界面活性剤はこれら各種の界面活性剤
を単独または併用でき、その添加量は１〜３００ｇ／
ｌ、好ましくは１０〜１００ｇ／ｌである。
【００４２】上記ノニオン系界面活性剤としては、ポリ
アルキレングリコール、高級アルコール、アルキルフェ
ノール、アルキルナフトール、ビスフェノール類、スチ
レン化フェノール、脂肪酸、脂肪族アミン、アルキレン
ジアミン、脂肪族アミド、スルホンアミド、多価アルコ
ール、グルコシド等のポリオキシアルキレン付加物等が
挙げられる。
アルキレングリコール、高級アルコール、アルキルフェ
ノール、アルキルナフトール、ビスフェノール類、スチ
レン化フェノール、脂肪酸、脂肪族アミン、アルキレン
ジアミン、脂肪族アミド、スルホンアミド、多価アルコ
ール、グルコシド等のポリオキシアルキレン付加物等が
挙げられる。
【００４３】上記両性界面活性剤としては、ベタイン、
スルホベタイン、アミノカルボン酸、イミダゾリウムベ
タイン等が挙げられる。
スルホベタイン、アミノカルボン酸、イミダゾリウムベ
タイン等が挙げられる。
【００４４】上記カチオン系界面活性剤としては、ドデ
シルトリメチルアンモニウム塩、ヘキサデシルトリメチ
ルアンモニウム塩、オクタデシルトリメチルアンモニウ
ム塩、ドデシルジメチルエチルアンモニウム塩、ドデシ
ルジメチルアンモニウムベタイン、オクタデシルジメチ
ルアンモニウムベタイン、ヘキサデシルピリジニウム塩
等が挙げられる。
シルトリメチルアンモニウム塩、ヘキサデシルトリメチ
ルアンモニウム塩、オクタデシルトリメチルアンモニウ
ム塩、ドデシルジメチルエチルアンモニウム塩、ドデシ
ルジメチルアンモニウムベタイン、オクタデシルジメチ
ルアンモニウムベタイン、ヘキサデシルピリジニウム塩
等が挙げられる。
【００４５】上記アニオン系界面活性剤としては、アル
キル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸
塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸
塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩等が挙げられる。
キル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸
塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸
塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩等が挙げられる。
【００４６】上記めっき浴には必要に応じて、錯化剤、
酸化防止剤、光沢剤、応力減少剤等の各種の添加剤を加
えることができる。錯化剤としては、エチレンジアミン
四酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、グルコン
酸、クエン酸、グリシン、酒石酸、チオフェノール、メ
ルカプトピリジン、４，４−チオジフェノール、２，２
−ジピリジルジスルフィド等、酸化防止剤としては、カ
テコール、ハイドロキノン、ピロガロール等、光沢剤と
しては、チオ尿素、１，４−ブチンジオール、３−メル
カプト−１−プロパンスルホン酸ナトリウム等、応力減
少剤としては、ナフトールスルホン酸、１，５−ナフタ
レンジスルホン酸ナトリウム等が挙げられる。
酸化防止剤、光沢剤、応力減少剤等の各種の添加剤を加
えることができる。錯化剤としては、エチレンジアミン
四酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、グルコン
酸、クエン酸、グリシン、酒石酸、チオフェノール、メ
ルカプトピリジン、４，４−チオジフェノール、２，２
−ジピリジルジスルフィド等、酸化防止剤としては、カ
テコール、ハイドロキノン、ピロガロール等、光沢剤と
しては、チオ尿素、１，４−ブチンジオール、３−メル
カプト−１−プロパンスルホン酸ナトリウム等、応力減
少剤としては、ナフトールスルホン酸、１，５−ナフタ
レンジスルホン酸ナトリウム等が挙げられる。
【００４７】更に、本発明では、めっき浴の温度は１０
〜４０℃、好ましくは２０〜３０℃であり、めっき浴の
ｐＨは１以下〜１２程度、陰極電流密度は、１〜５０Ａ
／ｄｍ2、好ましくは５〜３０Ａ／ｄｍ2で行われる。
〜４０℃、好ましくは２０〜３０℃であり、めっき浴の
ｐＨは１以下〜１２程度、陰極電流密度は、１〜５０Ａ
／ｄｍ2、好ましくは５〜３０Ａ／ｄｍ2で行われる。
【００４８】
【実施例】次に、本発明の具体例を説明する。
【００４９】（実施例１）下記化合物を容器に順次混合
し、純水を規定量まで添加し、調製しためっき浴を攪拌
後、液温を２５℃に調節した。液温調節は必要に応じ、
ヒーター、クーラーを使用して行った。１５ｍｍ×３０
ｍｍの銅板に、陽極として白金−チタン（Ｐｔ／Ｐｔ）
電極を用い、めっき液を吹き付けながら液流速８ｌ／ｍ
ｉｎでめっきを行った。得られためっき皮膜を１６５℃
で２時間加熱後、フラックス（ロジン２５％含有のイソ
プロパノール溶液）に５秒浸漬し、次に２３０℃に保持
したはんだ槽（Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだ）に５秒間浸漬し
て、イソプロピルアルコールで洗浄後、表面のはんだ濡
れ程度によりをはんだ付け性を評価した。はんだ付け性
の評価は、９８％以上濡れている場合に◎、９０％以上
濡れている場合に○、８０％以上濡れている場合に△、
濡れ程度が８０％未満の場合に×とした。
し、純水を規定量まで添加し、調製しためっき浴を攪拌
後、液温を２５℃に調節した。液温調節は必要に応じ、
ヒーター、クーラーを使用して行った。１５ｍｍ×３０
ｍｍの銅板に、陽極として白金−チタン（Ｐｔ／Ｐｔ）
電極を用い、めっき液を吹き付けながら液流速８ｌ／ｍ
ｉｎでめっきを行った。得られためっき皮膜を１６５℃
で２時間加熱後、フラックス（ロジン２５％含有のイソ
プロパノール溶液）に５秒浸漬し、次に２３０℃に保持
したはんだ槽（Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだ）に５秒間浸漬し
て、イソプロピルアルコールで洗浄後、表面のはんだ濡
れ程度によりをはんだ付け性を評価した。はんだ付け性
の評価は、９８％以上濡れている場合に◎、９０％以上
濡れている場合に○、８０％以上濡れている場合に△、
濡れ程度が８０％未満の場合に×とした。
【００５０】 メタンスルホン酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ５０ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） ８０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート（ＥＯ１５） ２０ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ （化４）（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度として） ２００ｐｐｍ （実施例２）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に試作を行い、評価を実施した。
と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００５１】 ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ５０ｇ／ｌ ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸（遊離酸） ８０ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート（ＥＯ１０） ２０ｇ／ｌ ハイドロキノン ０．５ｇ／ｌ （化１０）（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度として） １００ｐｐｍ （実施例３）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に試作を行い、評価を実施した。
と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００５２】 メタンスルホン酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ５０ｇ／ｌ メタンスルホン酸銀（Ｉ） １ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） ８０ｇ／ｌ ４，４−チオジフェノール ２ｇ／ｌ ビスフェノールＡジポリエチレングリコールエーテル ２０ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ （化１１）（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度として） １００ｐｐｍ （実施例４）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に試作を行い、評価を実施した。
と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００５３】 硫酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ４０ｇ／ｌ 硫酸亜鉛（ＩＩ） ７ｇ／ｌ グルコン酸ナトリウム ３００ｇ／ｌ 硫酸アンモニウム １５０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート（ＥＯ１５） １０ｇ／ｌ ハイドロキノン ０．５ｇ／ｌ （化４）（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度として） ２００ｐｐｍ （実施例５）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に試作を行い、評価を実施した。
と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００５４】 硫酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ４０ｇ／ｌ 硫酸銅（ＩＩ） ２０ｇ／ｌ クエン酸アンモニウム ３２０ｇ／ｌ 硫酸アンモニウム ２６０ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート（ＥＯ１０） １０ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ （化１０）（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度として） １００ｐｐｍ （実施例６）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に試作を行い、評価を実施した。
と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００５５】 メタンスルホン酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ５０ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛（ＩＩ） ６ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） １５０ｇ／ｌ ビスフェノールＡジポリエチレングリコールエーテル ２０ｇ／ｌ ハイドロキノン ０．５ｇ／ｌ （化１１）（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度として） １００ｐｐｍ （実施例７）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に試作を行い、評価を実施した。
と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００５６】 塩化錫（ＩＩ）（金属錫として） ５６ｇ／ｌ 塩化ニッケル（Ｉ） ６０ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム ４００ｇ／ｌ グリシン ４０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート（ＥＯ１５） ２０ｇ／ｌ ハイドロキノン ０．５ｇ／ｌ （化４）（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度として） ２００ｐｐｍ （実施例８）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に試作を行い、評価を実施した。
と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００５７】 硫酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ２０ｇ／ｌ 硫酸コバルト・７水和物（ＩＩ） ８．５ｇ／ｌ クエン酸 １５０ｇ／ｌ 硫酸アンモニウム １００ｇ／ｌ オクチルフェノールポリエトキシレート（ＥＯ１０） ２０ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ （化１０）（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度として） １００ｐｐｍ （実施例９）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に試作を行い、評価を実施した。
と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００５８】 メタンスルホン酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ５０ｇ／ｌ メタンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ） ６ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） １５０ｇ／ｌ ビスフェノールＡジポリエチレングリコールエーテル ２０ｇ／ｌ ハイドロキノン ０．５ｇ／ｌ （化１１）（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度として） １００ｐｐｍ （実施例１０）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内
容と同様に試作を行い、評価を実施した。
容と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００５９】 メタンスルホン酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ５０ｇ／ｌ 塩化アンチモン（ＩＩＩ） ５ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） １２０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート（ＥＯ１５） ２０ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ （化１０）（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度として） １００ｐｐｍ （実施例１１）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内
容と同様に試作を行い、評価を実施した。
容と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００６０】 メタンスルホン酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ５０ｇ／ｌ 塩化インジウム・４水和物（ＩＩＩ） ４０ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） １５０ｇ／ｌ 酒石酸 １５０ｇ／ｌ ビスフェノールＡジポリエチレングリコールエーテル ２０ｇ／ｌ ハイドロキノン ０．５ｇ／ｌ （化１１）（Ｚの金属Ｐｄに対する濃度として） １００ｐｐｍ （比較例１）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に試作を行い、評価を実施した。
と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００６１】 メタンスルホン酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ５０ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） ８０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート（ＥＯ１５ ） ２０ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ （比較例２）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に試作を行い、評価を実施した。
と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００６２】 メタンスルホン酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ５０ｇ／ｌ メタンスルホン酸銀（Ｉ） １ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） ８０ｇ／ｌ ４，４−チオジフェノール ２ｇ／ｌ ビスフェノールＡジポリエチレングリコールエーテル ２０ｇ／ｌ カテコール １ｇ／ｌ （比較例３）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に試作を行い、評価を実施した。
と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００６３】 硫酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ４０ｇ／ｌ 硫酸亜鉛（ＩＩ） ７ｇ／ｌ グルコン酸ナトリウム ３００ｇ／ｌ 硫酸アンモニウム １５０ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート（ＥＯ１５） １０ｇ／ｌ ハイドロキノン ０．５ｇ／ｌ （比較例４）めっき浴の組成以外は実施例１の記載内容
と同様に試作を行い、評価を実施した。
と同様に試作を行い、評価を実施した。
【００６４】 メタンスルホン酸錫（ＩＩ）（金属錫として） ５０ｇ／ｌ メタンスルホン酸ビスマス（ＩＩＩ） ６ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） １５０ｇ／ｌ ビスフェノールＡジポリエチレングリコールエーテル ２０ｇ／ｌ ハイドロキノン ０．５ｇ／ｌ 上記の実施例１では、陰極電流密度２５Ａ／ｄｍ2、め
っき時間３０秒で約１０μｍの均一なめっき皮膜が得ら
れた。実施例２〜１１ではそれぞれ陰極電流密度で良好
な錫及び錫合金めっき皮膜が得られた。実施例１〜１
１、比較例１〜３の評価結果を（表１）に示す。
っき時間３０秒で約１０μｍの均一なめっき皮膜が得ら
れた。実施例２〜１１ではそれぞれ陰極電流密度で良好
な錫及び錫合金めっき皮膜が得られた。実施例１〜１
１、比較例１〜３の評価結果を（表１）に示す。
【００６５】
【表１】
【００６６】上記実施例１で得られためっき皮膜は、良
好なはんだ付け性が得られた。以下実施例２〜１１でそ
れぞれに適切な電流密度範囲があるが、実施例１と同様
に良好なはんだ付け性が得られた。これに対して、比較
例１〜４では、良好なはんだ付け性は得られなかった。
好なはんだ付け性が得られた。以下実施例２〜１１でそ
れぞれに適切な電流密度範囲があるが、実施例１と同様
に良好なはんだ付け性が得られた。これに対して、比較
例１〜４では、良好なはんだ付け性は得られなかった。
【００６７】次に、被めっき物をリードフレームに代え
て試作を行った。
て試作を行った。
【００６８】（実施例１２）実施例１のめっき浴を用い
て、銅素材のリードフレームに、陽極として白金−チタ
ン（Ｐｔ／Ｐｔ）電極を用い、めっき液を吹き付けなが
ら液流速８ｌ／ｍｉｎでめっきを行った。得られためっ
き皮膜を１６５℃で２時間加熱後、リードフレームのア
ウターリード部のみを切断、装置に装着し、ＪＩＳ Ｃ
００５３規定の平衡法によるはんだ付け試験方法によ
り、はんだ表面と試料が最初に接触する時点の作用力零
値が浮力を受けた後にぬれ始めることで再び零値となる
時点の時間であるゼロクロスタイムを測定した。フラッ
クスはロジン２５％含有のイソプロパノール溶液を用
い、はんだ槽は２３０℃に保持し、Ｓｎ−Ｐｂ共晶はん
だを用いた。ゼロクロスタイムが２秒以下の場合は、は
んだ付け性は良好であるが、ゼロクロスタイムが５秒以
上の場合ははんだにほとんど濡れておらずはんだ付け性
は良くない。
て、銅素材のリードフレームに、陽極として白金−チタ
ン（Ｐｔ／Ｐｔ）電極を用い、めっき液を吹き付けなが
ら液流速８ｌ／ｍｉｎでめっきを行った。得られためっ
き皮膜を１６５℃で２時間加熱後、リードフレームのア
ウターリード部のみを切断、装置に装着し、ＪＩＳ Ｃ
００５３規定の平衡法によるはんだ付け試験方法によ
り、はんだ表面と試料が最初に接触する時点の作用力零
値が浮力を受けた後にぬれ始めることで再び零値となる
時点の時間であるゼロクロスタイムを測定した。フラッ
クスはロジン２５％含有のイソプロパノール溶液を用
い、はんだ槽は２３０℃に保持し、Ｓｎ−Ｐｂ共晶はん
だを用いた。ゼロクロスタイムが２秒以下の場合は、は
んだ付け性は良好であるが、ゼロクロスタイムが５秒以
上の場合ははんだにほとんど濡れておらずはんだ付け性
は良くない。
【００６９】（実施例１３）実施例３のめっき浴を用い
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
【００７０】（実施例１４）実施例４のめっき浴を用い
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
【００７１】（実施例１５）実施例９のめっき浴を用い
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
【００７２】（比較例５）比較例１のめっき浴を用い
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
【００７３】（比較例６）比較例２のめっき浴を用い
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
【００７４】（比較例７）比較例３のめっき浴を用い
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
【００７５】（比較例８）比較例４のめっき浴を用い
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
て、実施例１２の記載内容と同様に試作を行い、評価を
実施した。
【００７６】上記の実施例１２では、陰極電流密度２５
Ａ／ｄｍ2、めっき時間３０秒で約１０μｍの均一なめ
っき皮膜が得られた。実施例１３〜１５ではそれぞれ陰
極電流密度で良好な錫合金めっき皮膜が得られた。実施
例１２〜１５、比較例５〜８の評価結果を（表２）に示
す。
Ａ／ｄｍ2、めっき時間３０秒で約１０μｍの均一なめ
っき皮膜が得られた。実施例１３〜１５ではそれぞれ陰
極電流密度で良好な錫合金めっき皮膜が得られた。実施
例１２〜１５、比較例５〜８の評価結果を（表２）に示
す。
【００７７】
【表２】
【００７８】上記実施例１２で得られたリードフレーム
は、良好なはんだ付け性が得られた。以下実施例１３〜
１５でそれぞれに適切な電流密度範囲があるが、実施例
１２と同様に良好なはんだ付け性が得られた。これに対
して、比較例５〜８では、良好なはんだ付け性は得られ
なかった。
は、良好なはんだ付け性が得られた。以下実施例１３〜
１５でそれぞれに適切な電流密度範囲があるが、実施例
１２と同様に良好なはんだ付け性が得られた。これに対
して、比較例５〜８では、良好なはんだ付け性は得られ
なかった。
【００７９】本実施例では、銅素材のリードフレームへ
の錫及び錫合金めっきについて記述したが、４２合金の
リードフレームへの錫及び錫合金めっきについても、銅
素材と同様な結果を得た。
の錫及び錫合金めっきについて記述したが、４２合金の
リードフレームへの錫及び錫合金めっきについても、銅
素材と同様な結果を得た。
【００８０】以上の実施例はリードフレームへの錫及び
錫合金めっきについて記述したが、本発明はこの用途に
限定されるものではない。
錫合金めっきについて記述したが、本発明はこの用途に
限定されるものではない。
【００８１】
【発明の効果】以上のように本発明の錫及び錫合金めっ
き浴によれば、可溶性錫塩と、４級化された化合物とを
含有することにより、はんだ付け性が良好で、特にこの
特性が高熱環境下で劣化しない優れたはんだ付け性能を
備えた錫及び錫合金めっき皮膜を得ることができるとい
う有利な効果が得られるとともに、めっきが最適化され
ためっき物が得られるという有利な効果が得られる。
き浴によれば、可溶性錫塩と、４級化された化合物とを
含有することにより、はんだ付け性が良好で、特にこの
特性が高熱環境下で劣化しない優れたはんだ付け性能を
備えた錫及び錫合金めっき皮膜を得ることができるとい
う有利な効果が得られるとともに、めっきが最適化され
ためっき物が得られるという有利な効果が得られる。
【図１】リードフレームの一例を示す平面図
【図２】リードフレームの一例を示す断面図
１ チップ搭載部 ２ インナーリード部 ３ アウターリード部 ４ タイバー部 ５ 半導体チップ ６ 接着剤 ７ 電極パッド ８ ワイヤー ９ 封止樹脂
Claims (8)
- 【請求項１】（ａ）可溶性錫塩と、（ｂ）４級化された
化合物と、を含有する錫めっき浴。 - 【請求項２】前記４級化された化合物が下記一般式（化
１） 【化１】 で示される化合物であることを特徴とする請求項１に記
載の錫めっき浴。 - 【請求項３】（ａ）可溶性錫塩と、（ｂ）銀、亜鉛、
銅、鉛、ニッケル、コバルト、ビスマス、アンチモン、
インジウムから選ばれた少なくとも一種類の金属の可溶
性塩と、（ｃ）４級化された化合物と、を含有する錫合
金めっき浴。 - 【請求項４】前記４級化された化合物が下記一般式（化
２） 【化２】 で示される化合物であることを特徴とする請求項３に記
載の錫合金めっき浴。 - 【請求項５】請求項１〜２に記載された錫めっき浴を用
いて形成されたことを特徴とする錫めっき皮膜。 - 【請求項６】請求項３〜４に記載された錫めっき浴を用
いて形成されたことを特徴とする錫めっき皮膜。 - 【請求項７】請求項１〜２に記載された錫めっき浴を用
いて形成された錫めっき皮膜が少なくともアウターリー
ド部に形成されていることを特徴とする半導体装置用リ
ードフレーム。 - 【請求項８】請求項３〜４に記載された錫めっき浴を用
いて形成された錫めっき皮膜が少なくともアウターリー
ド部に形成されていることを特徴とする半導体装置用リ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6816599A JP2000265294A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 錫及び錫合金めっき浴、めっき皮膜及び半導体装置用のリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6816599A JP2000265294A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 錫及び錫合金めっき浴、めっき皮膜及び半導体装置用のリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000265294A true JP2000265294A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13365890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6816599A Pending JP2000265294A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 錫及び錫合金めっき浴、めっき皮膜及び半導体装置用のリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000265294A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-03-15 JP JP6816599A patent/JP2000265294A/ja active Pending
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