JP2000258800A - アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法Info
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 振動又は衝撃等によるスペーサの光透過領域
への移動を阻止することで、光漏れを小さくし、表示品
質を向上させるようにする。 【解決手段】 ＴＦＴ側ガラス基板１０側にＴＦＴ側突
起部６を設けるとともに、ＴＦＴ側突起部６上のギャッ
プを、信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ３上の
ギャップより狭くするようにし、液晶パネルに圧力や衝
撃が加えられても、信号線１、走査線２又は薄膜トラン
ジスタ３上に配置されたスペーサ１７を光透過領域に移
動し難くする。
への移動を阻止することで、光漏れを小さくし、表示品
質を向上させるようにする。 【解決手段】 ＴＦＴ側ガラス基板１０側にＴＦＴ側突
起部６を設けるとともに、ＴＦＴ側突起部６上のギャッ
プを、信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ３上の
ギャップより狭くするようにし、液晶パネルに圧力や衝
撃が加えられても、信号線１、走査線２又は薄膜トラン
ジスタ３上に配置されたスペーサ１７を光透過領域に移
動し難くする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置及びその製造方法に関する。
クス型液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置の一例として、ＴＮ（Twis
ted Nematic）モードがある。これは、基板面に対し垂
直な方向に電界を作用させて、液晶分子のダイレクタ
（分子軸）の配向を変化させるようにしたものである。
これにより、光の透過率が制御され、パネルに画像が表
示される。このタイプ（以下、縦電界駆動型という）の
液晶表示装置は、一般的である。
ted Nematic）モードがある。これは、基板面に対し垂
直な方向に電界を作用させて、液晶分子のダイレクタ
（分子軸）の配向を変化させるようにしたものである。
これにより、光の透過率が制御され、パネルに画像が表
示される。このタイプ（以下、縦電界駆動型という）の
液晶表示装置は、一般的である。
【０００３】しかしながら、この縦電界駆動型の液晶表
示装置では、電界印加時に、ダイレクタが基板表面に対
して垂直に配向されている。そのため、視角方向により
屈折率が変化するために、視野角依存性が強く、広視野
角が求められる用途には適していない。
示装置では、電界印加時に、ダイレクタが基板表面に対
して垂直に配向されている。そのため、視角方向により
屈折率が変化するために、視野角依存性が強く、広視野
角が求められる用途には適していない。
【０００４】これに対し、液晶分子のダイレクタを基板
面に平行に配向したものもある。これは、基板面に対し
平行な方向に電界を作用させ、ダイレクタを基板面に平
行な面内で回転させるようにしたものである。これによ
り、光の透過率が制御され、画像表示が行われる。この
タイプ（以下、横電界駆動型という）の液晶表示装置
は、近年、開発中である。
面に平行に配向したものもある。これは、基板面に対し
平行な方向に電界を作用させ、ダイレクタを基板面に平
行な面内で回転させるようにしたものである。これによ
り、光の透過率が制御され、画像表示が行われる。この
タイプ（以下、横電界駆動型という）の液晶表示装置
は、近年、開発中である。
【０００５】この横電界駆動型の液晶表示装置では、視
角方向による屈折率変化が著しく小さいため、広い視野
で高画質の表示性能が得られる。
角方向による屈折率変化が著しく小さいため、広い視野
で高画質の表示性能が得られる。
【０００６】このような横電界駆動型の液晶表示装置の
一例を、図１５〜図１７に示す。図１５は、横電界駆動
型の液晶表示装置を示す平面図、図１６は、図１５の横
電界駆動型の液晶表示装置を示すＪ−Ｊ’線断面図、図
１７は、図１５の横電界駆動型の液晶表示装置を示すＫ
−Ｋ’線断面図である。
一例を、図１５〜図１７に示す。図１５は、横電界駆動
型の液晶表示装置を示す平面図、図１６は、図１５の横
電界駆動型の液晶表示装置を示すＪ−Ｊ’線断面図、図
１７は、図１５の横電界駆動型の液晶表示装置を示すＫ
−Ｋ’線断面図である。
【０００７】これらの図に示す表示画素は、信号線１、
走査線２、薄膜トランジスタ３、共通電極４及び画素電
極５によって構成されている。走査線２は、図示しない
外部駆動回路に接続される。薄膜トランジスタ３は、ス
イッチング素子である。
走査線２、薄膜トランジスタ３、共通電極４及び画素電
極５によって構成されている。走査線２は、図示しない
外部駆動回路に接続される。薄膜トランジスタ３は、ス
イッチング素子である。
【０００８】走査線２及び共通電極４は、ＴＦＴ側基板
側のＴＦＴ側ガラス基板１０上に形成されている。走査
線２及び共通電極４上には、層間絶縁膜７を介して画素
電極５及び信号線１が形成されている。画素電極５と共
通電極４とは交互に配置されている。
側のＴＦＴ側ガラス基板１０上に形成されている。走査
線２及び共通電極４上には、層間絶縁膜７を介して画素
電極５及び信号線１が形成されている。画素電極５と共
通電極４とは交互に配置されている。
【０００９】これらの電極は、保護絶縁膜８で被覆され
ている。保護絶縁膜８上には、液晶１８を配向させため
に必要となるＴＦＴ側配向膜１５が塗布され、さらにラ
ビング処理されている。このようにしてＴＦＴ側基板が
作成される。
ている。保護絶縁膜８上には、液晶１８を配向させため
に必要となるＴＦＴ側配向膜１５が塗布され、さらにラ
ビング処理されている。このようにしてＴＦＴ側基板が
作成される。
【００１０】対向側基板側の対向側ガラス基板１１上に
は、遮光膜であるブラックマトリクス９がマトリクス状
に設けられている。ブラックマトリクス９上には、色表
示を行うために必要な第１及び第２の色層１２，１３が
設けられている。ここでは、画素毎に色層がＲＥＤ，Ｇ
ＲＥＥＮ，ＢＬＵＥと異なるため、第１の色層１２、第
２の色層１３に分けて示している。
は、遮光膜であるブラックマトリクス９がマトリクス状
に設けられている。ブラックマトリクス９上には、色表
示を行うために必要な第１及び第２の色層１２，１３が
設けられている。ここでは、画素毎に色層がＲＥＤ，Ｇ
ＲＥＥＮ，ＢＬＵＥと異なるため、第１の色層１２、第
２の色層１３に分けて示している。
【００１１】第１及び第２の色層１２，１３上には、対
向側基板上を平坦化させるために必要なオーバーコート
膜１４が設けられている。オーバーコート膜１４上に
は、液晶１８を配向させるために必要となる対向側配向
膜１６が塗布され、さらにラビング処理されている。ラ
ビング方向は、ＴＦＴ側基板に施した方向と逆方向であ
る。このようにして対向側基板が作成される。
向側基板上を平坦化させるために必要なオーバーコート
膜１４が設けられている。オーバーコート膜１４上に
は、液晶１８を配向させるために必要となる対向側配向
膜１６が塗布され、さらにラビング処理されている。ラ
ビング方向は、ＴＦＴ側基板に施した方向と逆方向であ
る。このようにして対向側基板が作成される。
【００１２】ＴＦＴ側基板と対向側基板との間には、液
晶１８及びスペーサ１７が封入されている。スペーサ１
７は、両基板間にランダムに配置されている。両基板の
ギャップは、スペーサ１７の直径と、両基板上の段差が
一番高いところの間によって決定されている。
晶１８及びスペーサ１７が封入されている。スペーサ１
７は、両基板間にランダムに配置されている。両基板の
ギャップは、スペーサ１７の直径と、両基板上の段差が
一番高いところの間によって決定されている。
【００１３】ＴＦＴ側ガラス基板１０の電極パターンを
形成しない面には、図示しないＴＦＴ側偏光板が貼付け
られている。また、ＴＦＴ側偏光板の透過軸は、ラビン
グ方向に直交するように貼付けられる。対向側ガラス基
板１１の各種パターンが存在しない面には、図示しない
対向側偏光板が貼付けられている。また、対向側偏光板
の透過軸は、ＴＦＴ側偏光板の透過軸方向と直交するよ
うに貼付けられる。
形成しない面には、図示しないＴＦＴ側偏光板が貼付け
られている。また、ＴＦＴ側偏光板の透過軸は、ラビン
グ方向に直交するように貼付けられる。対向側ガラス基
板１１の各種パターンが存在しない面には、図示しない
対向側偏光板が貼付けられている。また、対向側偏光板
の透過軸は、ＴＦＴ側偏光板の透過軸方向と直交するよ
うに貼付けられる。
【００１４】以上により、液晶表示パネルが完成する。
完成した液晶表示パネルは、バックライト上に設置さ
れ、駆動回路に接続される。
完成した液晶表示パネルは、バックライト上に設置さ
れ、駆動回路に接続される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の液晶表示装置では、ＴＦＴ側基板と対向側基板との
間に狭持される液晶材を、通常はＴＦＴ側配向膜１５及
び対向側配向膜１６のラビング方向に沿って配向してい
る。
来の液晶表示装置では、ＴＦＴ側基板と対向側基板との
間に狭持される液晶材を、通常はＴＦＴ側配向膜１５及
び対向側配向膜１６のラビング方向に沿って配向してい
る。
【００１６】ここで、図１８に示すように、スペーサ１
７周りの液晶分子２０は、スペーサ１７の界面に沿って
配向されている。
７周りの液晶分子２０は、スペーサ１７の界面に沿って
配向されている。
【００１７】このとき、ノーマリーブラックの場合、図
示しない偏光板の吸収軸とずれた方向に液晶分子２０が
並ぶところで光が透過する。このため、蝶々型に光漏れ
２１が発生する。また、配向規制力が弱いと、スペーサ
１７周りの液晶分子２０の配向がさらにくずれる。この
場合、スペーサ１７周りの光漏れ２１の量は増大し、図
１９に示すように、ドーナツ型の光漏れ２１となる。
示しない偏光板の吸収軸とずれた方向に液晶分子２０が
並ぶところで光が透過する。このため、蝶々型に光漏れ
２１が発生する。また、配向規制力が弱いと、スペーサ
１７周りの液晶分子２０の配向がさらにくずれる。この
場合、スペーサ１７周りの光漏れ２１の量は増大し、図
１９に示すように、ドーナツ型の光漏れ２１となる。
【００１８】また、液晶パネルに衝撃が加わった場合に
は、スペーサ１７がＴＦＴ側基板や対向側基板との摩擦
でチャージされることがある。このとき、スペーサ１７
周りに放射状に電界が発生する。この場合、その電界に
沿うように液晶分子２０が配置されることになるため、
図２０に示すように、蝶々型の光漏れ２１が発生する。
は、スペーサ１７がＴＦＴ側基板や対向側基板との摩擦
でチャージされることがある。このとき、スペーサ１７
周りに放射状に電界が発生する。この場合、その電界に
沿うように液晶分子２０が配置されることになるため、
図２０に示すように、蝶々型の光漏れ２１が発生する。
【００１９】ここで、図１８のように、液晶分子２０が
スペーサ１７周りに配向した場合と、図２０のように、
スペーサ１７がチャージアップし液晶分子２０が放射状
に配向した場合とを比較すると、チャージアップの場合
の方が光漏れ２１の領域が大きい。
スペーサ１７周りに配向した場合と、図２０のように、
スペーサ１７がチャージアップし液晶分子２０が放射状
に配向した場合とを比較すると、チャージアップの場合
の方が光漏れ２１の領域が大きい。
【００２０】このようなチャージアップは、液晶パネル
に圧力を加えたり、衝撃を加えると遮光領域に隠されて
いるスペーサ１７が光透過領域に移動し易いために生じ
る。すなわち、遮光領域には、信号線１、走査線２、薄
膜トランジスタ３、対向側基板のブラックマトリクス９
等が配置されるため、光透過領域に比べ遮光領域のギャ
ップが狭くなっている。
に圧力を加えたり、衝撃を加えると遮光領域に隠されて
いるスペーサ１７が光透過領域に移動し易いために生じ
る。すなわち、遮光領域には、信号線１、走査線２、薄
膜トランジスタ３、対向側基板のブラックマトリクス９
等が配置されるため、光透過領域に比べ遮光領域のギャ
ップが狭くなっている。
【００２１】よって、ここに配置されるスペーサ１７
は、ＴＦＴ側基板と対向側基板とを支える割合が大きい
ため、スペーサ１７にかかる荷重も一番大きくなる。こ
のため、液晶パネルに圧力を加えたり、衝撃を加えたり
することで、遮光領域に配置されているスペーサ１７が
光透過領域に押出され易いことになる。
は、ＴＦＴ側基板と対向側基板とを支える割合が大きい
ため、スペーサ１７にかかる荷重も一番大きくなる。こ
のため、液晶パネルに圧力を加えたり、衝撃を加えたり
することで、遮光領域に配置されているスペーサ１７が
光透過領域に押出され易いことになる。
【００２２】逆に、光透過領域は、比較的ギャップが広
いため、液晶パネルに圧力や衝撃が加わった場合、ギャ
ップの狭い遮光領域にスペーサ１７が移動することは希
である。
いため、液晶パネルに圧力や衝撃が加わった場合、ギャ
ップの狭い遮光領域にスペーサ１７が移動することは希
である。
【００２３】さらに、図１８で説明したように、スペー
サ１７周りの液晶分子２０はスペーサ１７の界面に沿っ
て配向されている。このため、光透過領域にスペーサ１
７が移動すると、スペーサ１７周りの液晶分子２０の配
向が乱れたり、チャージアップすることが多くなるた
め、スペーサ１７周りの光漏れ２１が顕著に現れる。
サ１７周りの液晶分子２０はスペーサ１７の界面に沿っ
て配向されている。このため、光透過領域にスペーサ１
７が移動すると、スペーサ１７周りの液晶分子２０の配
向が乱れたり、チャージアップすることが多くなるた
め、スペーサ１７周りの光漏れ２１が顕著に現れる。
【００２４】このように、液晶パネルに圧力を加えた
り、衝撃を加えると遮光領域に隠されているスペーサ１
７が光透過領域に移動し、特に黒表示ではスペーサ１７
の光漏れ２１の増加が目立ち易い。この場合、スペーサ
１７の分布に偏りがあると、表示ムラとして確認された
り、黒輝度の増大からコントラストの低下等の問題が発
生する。特に、アクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造直後の検査以降に、振動又は衝撃等が与えられる
と、光漏れ２１に起因する不具合が発生することがあっ
た。
り、衝撃を加えると遮光領域に隠されているスペーサ１
７が光透過領域に移動し、特に黒表示ではスペーサ１７
の光漏れ２１の増加が目立ち易い。この場合、スペーサ
１７の分布に偏りがあると、表示ムラとして確認された
り、黒輝度の増大からコントラストの低下等の問題が発
生する。特に、アクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造直後の検査以降に、振動又は衝撃等が与えられる
と、光漏れ２１に起因する不具合が発生することがあっ
た。
【００２５】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、振動又は衝撃等によるスペーサの光透過
領域への移動を阻止することで、光漏れを小さくし、表
示品質を向上させることができるアクティブマトリクス
型液晶表示装置及びその製造方法を提供することができ
るようにするものである。
たものであり、振動又は衝撃等によるスペーサの光透過
領域への移動を阻止することで、光漏れを小さくし、表
示品質を向上させることができるアクティブマトリクス
型液晶表示装置及びその製造方法を提供することができ
るようにするものである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置は、共通電極及び走査線
と、絶縁膜を介して共通電極に平行に延在する画素電極
及び映像信号線と、マトリクス状に配置された複数個の
画素毎に設けられているアクティブ素子と、アクティブ
素子上に設けられた第１の配向膜とを有する第１の透明
基板と、第１の配向膜に対向して配置された第２の配向
膜と、画素毎に少なくとも画素電極の一部を露出する開
口領域を有した遮光膜とを有する第２の透明基板と、第
１及び第２の配向膜間に収容する液晶組成物層のギャッ
プを形成するスペーサとを備えるアクティブマトリクス
型液晶表示装置において、第１の透明基板上の信号線、
走査線又は薄膜トランジスタの近傍に、スペーサの移動
を阻止するための第１の突起が設けられていることを特
徴とする。請求項２に記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、共通電極及び走査線と、絶縁膜を介して
共通電極に平行に延在する画素電極及び映像信号線と、
マトリクス状に配置された複数個の画素毎に設けられて
いるアクティブ素子と、アクティブ素子上に設けられた
第１の配向膜とを有する第１の透明基板と、第１の配向
膜に対向して配置された第２の配向膜と、画素毎に少な
くとも画素電極の一部を露出する開口領域を有した遮光
膜とを有する第２の透明基板と、第１及び第２の配向膜
間に収容する液晶組成物層のギャップを形成するスペー
サとを備えるアクティブマトリクス型液晶表示装置にお
いて、第２の透明基板上の信号線、走査線又は薄膜トラ
ンジスタ近傍に、スペーサの移動を阻止するための第２
の突起が設けられていることを特徴とする。また、第１
又は第２の突起は、開口領域以外の遮光領域に設けられ
ているとともに、信号線、走査線又は薄膜トランジスタ
部のギャップより狭くなる高さとされ、さらにその幅は
スペーサの直径より小さくされているようにすることが
できる。また、第１又は第２の突起によるギャップと、
信号線、走査線又は薄膜トランジスタ上のギャップとの
差が、スペーサの径の１％以上とされているようにする
ことができる。また、第２の透明基板には、第２の突起
が設けられているようにすることができる。また、第１
及び第２の突起によるギャップと、信号線、走査線又は
薄膜トランジスタ上のギャップとの差が、スペーサの径
の１％以上とされているようにすることができる。ま
た、第１及び第２の突起は、対向配置されているように
することができる。請求項８に記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、共通電極及び走査線と、絶縁膜
を介して共通電極に平行に延在する画素電極及び映像信
号線と、マトリクス状に配置された複数個の画素毎に設
けられているアクティブ素子と、アクティブ素子上に設
けられた第１の配向膜とを有する第１の透明基板と、第
１の配向膜に対向して配置された第２の配向膜と、画素
毎に少なくとも画素電極の一部を露出する開口領域を有
した遮光膜とを有する第２の透明基板と、第１及び第２
の配向膜間に収容する液晶組成物層のギャップを形成す
るスペーサとを備えるアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、第１の透明基板上の信号線、走査線又は
薄膜トランジスタ近傍の共通電極の膜厚は、共通電極上
のギャップが信号線、走査線又は薄膜トランジスタ上の
ギャップより狭くなるように厚くされていることを特徴
とする。請求項９に記載のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、共通電極及び走査線と、絶縁膜を介して共
通電極に平行に延在する画素電極及び映像信号線と、マ
トリクス状に配置された複数個の画素毎に設けられてい
るアクティブ素子と、アクティブ素子上に設けられた第
１の配向膜とを有する第１の透明基板と、第１の配向膜
に対向して配置された第２の配向膜と、画素毎に少なく
とも画素電極の一部を露出する開口領域を有した遮光膜
とを有する第２の透明基板と、第１及び第２の配向膜間
に収容する液晶組成物層を収容するためのギャップを形
成するスペーサとを備えるアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、第１の透明基板上の層間絶縁膜に
は、スペーサの移動を阻止する段差が設けられているこ
とを特徴とする。また、共通電極上のギャップと、信号
線、走査線又は薄膜トランジスタ上のギャップとの差
が、スペーサの径の１％以上とされているようにするこ
とができる。請求項１１に記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置の製造方法は、共通電極、走査線と、絶
縁膜を介して共通電極と平行に延在する画素電極及び映
像信号線とを形成する第１の工程と、マトリクス状に配
置された複数個の画素毎にアクティブ素子を形成する第
２の工程と、アクティブ素子上に第１の配向膜を設ける
ことにより第１の透明基板を形成する第３の工程と、第
２の配向膜を第１の配向膜に対向して設置させる第４の
工程と、画素毎に少なくとも画素電極の一部を露出する
開口領域が設けられた遮光膜を形成して第２の透明基板
を形成する第５の工程と、第１及び第２の配向膜間にス
ペーサを配置させて液晶組成物層を収容するためのギャ
ップを形成する第６の工程と、第１の透明基板の信号
線、走査線又は薄膜トランジスタの近傍に、スペーサの
移動を阻止するための第１の突起を形成する第７の工程
とを備えることを特徴とする。請求項１２に記載のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、共通電
極、走査線と、絶縁膜を介して共通電極と平行に延在す
る画素電極及び映像信号線とを形成する第１の工程と、
マトリクス状に配置された複数個の画素毎にアクティブ
素子を形成する第２の工程と、アクティブ素子上に第１
の配向膜を設けることにより第１の透明基板を形成する
第３の工程と、第２の配向膜を第１の配向膜に対向して
設置させる第４の工程と、画素毎に少なくとも画素電極
の一部を露出する開口領域が設けられた遮光膜を形成し
て第２の透明基板を形成する第５の工程と、第１及び第
２の配向膜間にスペーサを配置させて液晶組成物層を収
容するためのギャップを形成する第６の工程と、第２の
透明基板上の信号線、走査線又は薄膜トランジスタ近傍
に、スペーサの移動を阻止するための第２の突起を形成
する第８の工程とを備えることを特徴とする。また、第
７又は第８の工程には、第１又は第２の突起を、開口領
域以外の遮光領域に形成する工程と、第１又は第２の突
起を、信号線、走査線又は薄膜トランジスタ部のギャッ
プより狭くなる高さに形成する第９の工程と、第１又は
第２の突起の幅を、スペーサの直径より小さくして形成
する工程とが含まれるようにすることができる。また、
第９の工程には、第１又は第２の突起によるギャップ
と、信号線、走査線又は薄膜トランジスタ上のギャップ
との差を、スペーサの径の１％以上とする工程が含まれ
るようにすることができる。また、第７の工程には、第
２の透明基板に、第２の突起を形成する第１０の工程が
含まれるようにすることができる。また、第１０の工程
には、第１及び第２の突起によるギャップと、信号線、
走査線又は薄膜トランジスタ上のギャップとの差を、ス
ペーサの径の１％以上とする工程が含まれるようにする
ことができる。また、第１０の工程には、第１及び第２
の突起を対向させて形成する工程が含まれるようにする
ことができる。請求項１８に記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の製造方法は、共通電極、走査線と、
絶縁膜を介して共通電極と平行に延在する画素電極及び
映像信号線とを形成する第１の工程と、マトリクス状に
配置された複数個の画素毎にアクティブ素子を形成する
第２の工程と、アクティブ素子上に第１の配向膜を設け
ることにより第１の透明基板を形成する第３の工程と、
第２の配向膜を第１の配向膜に対向して設置させる第４
の工程と、画素毎に少なくとも画素電極の一部を露出す
る開口領域が設けられた遮光膜を形成して第２の透明基
板を形成する第５の工程と、第１及び第２の配向膜間に
スペーサを配置させて液晶組成物層を収容するためのギ
ャップを形成する第６の工程と、第１の透明基板上の信
号線、走査線又は薄膜トランジスタ近傍の共通電極の膜
厚を、共通電極上のギャップが信号線、走査線又は薄膜
トランジスタ上のギャップより狭くなるように厚く形成
する第１１の工程とを備えることを特徴とする。請求項
１９に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製
造方法は、共通電極、走査線と、絶縁膜を介して共通電
極と平行に延在する画素電極及び映像信号線とを形成す
る第１の工程と、マトリクス状に配置された複数個の画
素毎にアクティブ素子を形成する第２の工程と、アクテ
ィブ素子上に第１の配向膜を設けることにより第１の透
明基板を形成する第３の工程と、第２の配向膜を第１の
配向膜に対向して設置させる第４の工程と、画素毎に少
なくとも画素電極の一部を露出する開口領域が設けられ
た遮光膜を形成して第２の透明基板を形成する第５の工
程と、第１及び第２の配向膜間にスペーサを配置させて
液晶組成物層を収容するためのギャップを形成する第６
の工程と、第１の透明基板上の層間絶縁膜にスペーサの
移動を阻止する段差を形成する第１２の工程とを備える
ことを特徴とする。また、第１１又は第１２の工程に
は、共通電極上のギャップと、信号線、走査線又は薄膜
トランジスタ上のギャップとの差を、スペーサの径の１
％以上とする工程が含まれるようにすることができる。
また、第７の工程には、第１の突起をメタル材料や絶縁
材料を用い、第１〜第６の工程と同時に形成する工程が
含まれるようにすることができる。また、第７の工程に
は、第１〜第６の工程の終了後、第１の突起を樹脂によ
って形成する工程が含まれるようにすることができる。
また、第８の工程には、第２の突起を、色層又はオーバ
ーコート膜によって形成する工程が含まれるようにする
ことができる。本発明に係るアクティブマトリクス型液
晶表示装置及びその製造方法においては、第１及び／又
は第２の透明基板上の信号線、走査線又は薄膜トランジ
スタの近傍に、スペーサの移動を阻止するための第１及
び／又は第２の突起を設け、スペーサの光透過領域への
移動を阻止し、スペーサによる光漏れが少なくされるよ
うにする。
ィブマトリクス型液晶表示装置は、共通電極及び走査線
と、絶縁膜を介して共通電極に平行に延在する画素電極
及び映像信号線と、マトリクス状に配置された複数個の
画素毎に設けられているアクティブ素子と、アクティブ
素子上に設けられた第１の配向膜とを有する第１の透明
基板と、第１の配向膜に対向して配置された第２の配向
膜と、画素毎に少なくとも画素電極の一部を露出する開
口領域を有した遮光膜とを有する第２の透明基板と、第
１及び第２の配向膜間に収容する液晶組成物層のギャッ
プを形成するスペーサとを備えるアクティブマトリクス
型液晶表示装置において、第１の透明基板上の信号線、
走査線又は薄膜トランジスタの近傍に、スペーサの移動
を阻止するための第１の突起が設けられていることを特
徴とする。請求項２に記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、共通電極及び走査線と、絶縁膜を介して
共通電極に平行に延在する画素電極及び映像信号線と、
マトリクス状に配置された複数個の画素毎に設けられて
いるアクティブ素子と、アクティブ素子上に設けられた
第１の配向膜とを有する第１の透明基板と、第１の配向
膜に対向して配置された第２の配向膜と、画素毎に少な
くとも画素電極の一部を露出する開口領域を有した遮光
膜とを有する第２の透明基板と、第１及び第２の配向膜
間に収容する液晶組成物層のギャップを形成するスペー
サとを備えるアクティブマトリクス型液晶表示装置にお
いて、第２の透明基板上の信号線、走査線又は薄膜トラ
ンジスタ近傍に、スペーサの移動を阻止するための第２
の突起が設けられていることを特徴とする。また、第１
又は第２の突起は、開口領域以外の遮光領域に設けられ
ているとともに、信号線、走査線又は薄膜トランジスタ
部のギャップより狭くなる高さとされ、さらにその幅は
スペーサの直径より小さくされているようにすることが
できる。また、第１又は第２の突起によるギャップと、
信号線、走査線又は薄膜トランジスタ上のギャップとの
差が、スペーサの径の１％以上とされているようにする
ことができる。また、第２の透明基板には、第２の突起
が設けられているようにすることができる。また、第１
及び第２の突起によるギャップと、信号線、走査線又は
薄膜トランジスタ上のギャップとの差が、スペーサの径
の１％以上とされているようにすることができる。ま
た、第１及び第２の突起は、対向配置されているように
することができる。請求項８に記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、共通電極及び走査線と、絶縁膜
を介して共通電極に平行に延在する画素電極及び映像信
号線と、マトリクス状に配置された複数個の画素毎に設
けられているアクティブ素子と、アクティブ素子上に設
けられた第１の配向膜とを有する第１の透明基板と、第
１の配向膜に対向して配置された第２の配向膜と、画素
毎に少なくとも画素電極の一部を露出する開口領域を有
した遮光膜とを有する第２の透明基板と、第１及び第２
の配向膜間に収容する液晶組成物層のギャップを形成す
るスペーサとを備えるアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、第１の透明基板上の信号線、走査線又は
薄膜トランジスタ近傍の共通電極の膜厚は、共通電極上
のギャップが信号線、走査線又は薄膜トランジスタ上の
ギャップより狭くなるように厚くされていることを特徴
とする。請求項９に記載のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、共通電極及び走査線と、絶縁膜を介して共
通電極に平行に延在する画素電極及び映像信号線と、マ
トリクス状に配置された複数個の画素毎に設けられてい
るアクティブ素子と、アクティブ素子上に設けられた第
１の配向膜とを有する第１の透明基板と、第１の配向膜
に対向して配置された第２の配向膜と、画素毎に少なく
とも画素電極の一部を露出する開口領域を有した遮光膜
とを有する第２の透明基板と、第１及び第２の配向膜間
に収容する液晶組成物層を収容するためのギャップを形
成するスペーサとを備えるアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、第１の透明基板上の層間絶縁膜に
は、スペーサの移動を阻止する段差が設けられているこ
とを特徴とする。また、共通電極上のギャップと、信号
線、走査線又は薄膜トランジスタ上のギャップとの差
が、スペーサの径の１％以上とされているようにするこ
とができる。請求項１１に記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置の製造方法は、共通電極、走査線と、絶
縁膜を介して共通電極と平行に延在する画素電極及び映
像信号線とを形成する第１の工程と、マトリクス状に配
置された複数個の画素毎にアクティブ素子を形成する第
２の工程と、アクティブ素子上に第１の配向膜を設ける
ことにより第１の透明基板を形成する第３の工程と、第
２の配向膜を第１の配向膜に対向して設置させる第４の
工程と、画素毎に少なくとも画素電極の一部を露出する
開口領域が設けられた遮光膜を形成して第２の透明基板
を形成する第５の工程と、第１及び第２の配向膜間にス
ペーサを配置させて液晶組成物層を収容するためのギャ
ップを形成する第６の工程と、第１の透明基板の信号
線、走査線又は薄膜トランジスタの近傍に、スペーサの
移動を阻止するための第１の突起を形成する第７の工程
とを備えることを特徴とする。請求項１２に記載のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、共通電
極、走査線と、絶縁膜を介して共通電極と平行に延在す
る画素電極及び映像信号線とを形成する第１の工程と、
マトリクス状に配置された複数個の画素毎にアクティブ
素子を形成する第２の工程と、アクティブ素子上に第１
の配向膜を設けることにより第１の透明基板を形成する
第３の工程と、第２の配向膜を第１の配向膜に対向して
設置させる第４の工程と、画素毎に少なくとも画素電極
の一部を露出する開口領域が設けられた遮光膜を形成し
て第２の透明基板を形成する第５の工程と、第１及び第
２の配向膜間にスペーサを配置させて液晶組成物層を収
容するためのギャップを形成する第６の工程と、第２の
透明基板上の信号線、走査線又は薄膜トランジスタ近傍
に、スペーサの移動を阻止するための第２の突起を形成
する第８の工程とを備えることを特徴とする。また、第
７又は第８の工程には、第１又は第２の突起を、開口領
域以外の遮光領域に形成する工程と、第１又は第２の突
起を、信号線、走査線又は薄膜トランジスタ部のギャッ
プより狭くなる高さに形成する第９の工程と、第１又は
第２の突起の幅を、スペーサの直径より小さくして形成
する工程とが含まれるようにすることができる。また、
第９の工程には、第１又は第２の突起によるギャップ
と、信号線、走査線又は薄膜トランジスタ上のギャップ
との差を、スペーサの径の１％以上とする工程が含まれ
るようにすることができる。また、第７の工程には、第
２の透明基板に、第２の突起を形成する第１０の工程が
含まれるようにすることができる。また、第１０の工程
には、第１及び第２の突起によるギャップと、信号線、
走査線又は薄膜トランジスタ上のギャップとの差を、ス
ペーサの径の１％以上とする工程が含まれるようにする
ことができる。また、第１０の工程には、第１及び第２
の突起を対向させて形成する工程が含まれるようにする
ことができる。請求項１８に記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の製造方法は、共通電極、走査線と、
絶縁膜を介して共通電極と平行に延在する画素電極及び
映像信号線とを形成する第１の工程と、マトリクス状に
配置された複数個の画素毎にアクティブ素子を形成する
第２の工程と、アクティブ素子上に第１の配向膜を設け
ることにより第１の透明基板を形成する第３の工程と、
第２の配向膜を第１の配向膜に対向して設置させる第４
の工程と、画素毎に少なくとも画素電極の一部を露出す
る開口領域が設けられた遮光膜を形成して第２の透明基
板を形成する第５の工程と、第１及び第２の配向膜間に
スペーサを配置させて液晶組成物層を収容するためのギ
ャップを形成する第６の工程と、第１の透明基板上の信
号線、走査線又は薄膜トランジスタ近傍の共通電極の膜
厚を、共通電極上のギャップが信号線、走査線又は薄膜
トランジスタ上のギャップより狭くなるように厚く形成
する第１１の工程とを備えることを特徴とする。請求項
１９に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製
造方法は、共通電極、走査線と、絶縁膜を介して共通電
極と平行に延在する画素電極及び映像信号線とを形成す
る第１の工程と、マトリクス状に配置された複数個の画
素毎にアクティブ素子を形成する第２の工程と、アクテ
ィブ素子上に第１の配向膜を設けることにより第１の透
明基板を形成する第３の工程と、第２の配向膜を第１の
配向膜に対向して設置させる第４の工程と、画素毎に少
なくとも画素電極の一部を露出する開口領域が設けられ
た遮光膜を形成して第２の透明基板を形成する第５の工
程と、第１及び第２の配向膜間にスペーサを配置させて
液晶組成物層を収容するためのギャップを形成する第６
の工程と、第１の透明基板上の層間絶縁膜にスペーサの
移動を阻止する段差を形成する第１２の工程とを備える
ことを特徴とする。また、第１１又は第１２の工程に
は、共通電極上のギャップと、信号線、走査線又は薄膜
トランジスタ上のギャップとの差を、スペーサの径の１
％以上とする工程が含まれるようにすることができる。
また、第７の工程には、第１の突起をメタル材料や絶縁
材料を用い、第１〜第６の工程と同時に形成する工程が
含まれるようにすることができる。また、第７の工程に
は、第１〜第６の工程の終了後、第１の突起を樹脂によ
って形成する工程が含まれるようにすることができる。
また、第８の工程には、第２の突起を、色層又はオーバ
ーコート膜によって形成する工程が含まれるようにする
ことができる。本発明に係るアクティブマトリクス型液
晶表示装置及びその製造方法においては、第１及び／又
は第２の透明基板上の信号線、走査線又は薄膜トランジ
スタの近傍に、スペーサの移動を阻止するための第１及
び／又は第２の突起を設け、スペーサの光透過領域への
移動を阻止し、スペーサによる光漏れが少なくされるよ
うにする。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。なお、以下に説明する図において、図１５
〜図２０と共通する部分には同一符号を付し重複する説
明を省略する。
て説明する。なお、以下に説明する図において、図１５
〜図２０と共通する部分には同一符号を付し重複する説
明を省略する。
【００２８】（第１の実施の形態）図１は、本発明のア
クティブマトリクス型液晶表示装置の第１の実施の形態
を示す平面図、図２は、図１のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を示すＡ−Ａ’線断面図、図３は、図１の
アクティブマトリクス型液晶表示装置を示すＢ−Ｂ’線
断面図である。
クティブマトリクス型液晶表示装置の第１の実施の形態
を示す平面図、図２は、図１のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を示すＡ−Ａ’線断面図、図３は、図１の
アクティブマトリクス型液晶表示装置を示すＢ−Ｂ’線
断面図である。
【００２９】これらの図に示すように、ＴＦＴ側ガラス
基板１０上には、第１の突起としてのＴＦＴ側突起部６
が設けられている。ＴＦＴ側突起部６は、遮光領域から
光透過領域へのスペーサ１７の移動を阻止するためのも
のである。ＴＦＴ側突起部６は、ＴＦＴ側ガラス基板１
０上の信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ３の近
傍に設けられている。
基板１０上には、第１の突起としてのＴＦＴ側突起部６
が設けられている。ＴＦＴ側突起部６は、遮光領域から
光透過領域へのスペーサ１７の移動を阻止するためのも
のである。ＴＦＴ側突起部６は、ＴＦＴ側ガラス基板１
０上の信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ３の近
傍に設けられている。
【００３０】ＴＦＴ側突起部６は、図２に示すように、
信号線１の近傍の共通電極４上にあり、さらにブラック
マトリクス９と重なる領域にメタルパターンによって形
成されている。
信号線１の近傍の共通電極４上にあり、さらにブラック
マトリクス９と重なる領域にメタルパターンによって形
成されている。
【００３１】ＴＦＴ側突起部６は、ＴＦＴ基板製造時
に、Ｃｒ、ＡＬ、Ｍｏ等のメタル材料や、ＳｉＯ２、Ｓ
ｉＮｘ等の絶縁材料にて同時に形成することができる。
また、ＴＦＴ基板製造終了後、樹脂等を用い別工程にて
形成することもできる。
に、Ｃｒ、ＡＬ、Ｍｏ等のメタル材料や、ＳｉＯ２、Ｓ
ｉＮｘ等の絶縁材料にて同時に形成することができる。
また、ＴＦＴ基板製造終了後、樹脂等を用い別工程にて
形成することもできる。
【００３２】また、図２に示すように、ＴＦＴ側突起部
６と対向側基板とのギャップは、信号線１上のギャップ
よりも狭くされている。ＴＦＴ側突起部６の幅は、スペ
ーサ１７の径以下とされている。すなわち、たとえばス
ペーサ１７の直径が４μｍであれば４μｍ以下となって
いる。
６と対向側基板とのギャップは、信号線１上のギャップ
よりも狭くされている。ＴＦＴ側突起部６の幅は、スペ
ーサ１７の径以下とされている。すなわち、たとえばス
ペーサ１７の直径が４μｍであれば４μｍ以下となって
いる。
【００３３】さらに、図３に示すように、ＴＦＴ側突起
部６と対向側基板とのギャップは、最も狭い薄膜トラン
ジスタ３上のギャップよりも狭くされている。ＴＦＴ側
突起部６の幅は、上記同様に、スペーサ１７の径以下と
されている。
部６と対向側基板とのギャップは、最も狭い薄膜トラン
ジスタ３上のギャップよりも狭くされている。ＴＦＴ側
突起部６の幅は、上記同様に、スペーサ１７の径以下と
されている。
【００３４】ここで、信号線１、走査線２又は薄膜トラ
ンジスタ３上のギャップとＴＦＴ側突起部６上のギャッ
プとの差は、スペーサ径の１％、望ましくは２％以上に
している。これにより、スペーサ１７がＴＦＴ側突起部
６を乗越えて光透過領域に移動することが防止される。
ンジスタ３上のギャップとＴＦＴ側突起部６上のギャッ
プとの差は、スペーサ径の１％、望ましくは２％以上に
している。これにより、スペーサ１７がＴＦＴ側突起部
６を乗越えて光透過領域に移動することが防止される。
【００３５】このように、第１の実施の形態では、ＴＦ
Ｔ側ガラス基板１０側にＴＦＴ側突起部６を設けるとと
もに、ＴＦＴ側突起部６上のギャップを、信号線１、走
査線２又は薄膜トランジスタ３上のギャップより狭くす
るようにした。
Ｔ側ガラス基板１０側にＴＦＴ側突起部６を設けるとと
もに、ＴＦＴ側突起部６上のギャップを、信号線１、走
査線２又は薄膜トランジスタ３上のギャップより狭くす
るようにした。
【００３６】これにより、液晶パネルに圧力や衝撃が加
えられても、信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ
３上に配置されたスペーサ１７が光透過領域に移動し難
くなる。その結果、スペーサ１７周りで発生する光漏れ
の増加が少なくされる。
えられても、信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ
３上に配置されたスペーサ１７が光透過領域に移動し難
くなる。その結果、スペーサ１７周りで発生する光漏れ
の増加が少なくされる。
【００３７】その結果、黒輝度が下がり、コントラスト
が高くなることとともに、光漏れの分布ムラによる表示
ムラが少なく、しかも振動・衝撃に対する信頼性も向上
する。さらには、アクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造後に振動・衝撃等が加えられた場合であっても、
製造直後の検査以降に不具合が発生することも防止され
る。
が高くなることとともに、光漏れの分布ムラによる表示
ムラが少なく、しかも振動・衝撃に対する信頼性も向上
する。さらには、アクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造後に振動・衝撃等が加えられた場合であっても、
製造直後の検査以降に不具合が発生することも防止され
る。
【００３８】なお、ＴＦＴ側突起部６にあって、図１の
ように連続して設ける場合に限らず、断続的に設けるこ
とも可能である。
ように連続して設ける場合に限らず、断続的に設けるこ
とも可能である。
【００３９】（第２の実施の形態）図４は、本発明のア
クティブマトリクス型液晶表示装置の第２の実施の形態
を示す平面図、図５は、図４のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を示すＣ−Ｃ’線断面図、図６は、図５の
アクティブマトリクス型液晶表示装置を示すＤ−Ｄ’線
断面図である。
クティブマトリクス型液晶表示装置の第２の実施の形態
を示す平面図、図５は、図４のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を示すＣ−Ｃ’線断面図、図６は、図５の
アクティブマトリクス型液晶表示装置を示すＤ−Ｄ’線
断面図である。
【００４０】第２の実施の形態では、対向側基板側に第
２の突起としての対向基板側突起部１９を設けている。
対向基板側突起部１９は、対向側基板の製造時に第１の
色層１２やオーバーコート膜１４の形成と同時に形成さ
れたものである。第２の実施の形態では、対向基板側突
起部１９をオーバーコート膜１４と同一材料で形成して
いる。
２の突起としての対向基板側突起部１９を設けている。
対向基板側突起部１９は、対向側基板の製造時に第１の
色層１２やオーバーコート膜１４の形成と同時に形成さ
れたものである。第２の実施の形態では、対向基板側突
起部１９をオーバーコート膜１４と同一材料で形成して
いる。
【００４１】また、対向基板側突起部１９は、図５に示
すように、信号線１近傍の対向側ガラス基板１１側のブ
ラックマトリクス９上にオーバーコート膜１４と同時に
形成されている。対向基板側突起部１９上のギャップ
は、信号線上のギャップより狭くなるように形成されて
いる。対向基板側突起部１９の幅は、スペーサ１７の径
以下とされている。すなわち、たとえばスペーサ１７の
直径が４μｍであれば４μｍ以下とされている。
すように、信号線１近傍の対向側ガラス基板１１側のブ
ラックマトリクス９上にオーバーコート膜１４と同時に
形成されている。対向基板側突起部１９上のギャップ
は、信号線上のギャップより狭くなるように形成されて
いる。対向基板側突起部１９の幅は、スペーサ１７の径
以下とされている。すなわち、たとえばスペーサ１７の
直径が４μｍであれば４μｍ以下とされている。
【００４２】また、対向基板側突起部１９は、図６に示
すように、走査線２及び薄膜トランジスタ３近傍の対向
側ガラス基板１１のブラックマトリクス９上に形成され
ている。対向基板側突起部１９上のギャップは、走査線
２もしくは薄膜トランジスタ３上のギャップより狭くな
るように形成されている。対向基板側突起部１９の幅
は、上記同様に、スペーサ１７の径以下とされている。
すように、走査線２及び薄膜トランジスタ３近傍の対向
側ガラス基板１１のブラックマトリクス９上に形成され
ている。対向基板側突起部１９上のギャップは、走査線
２もしくは薄膜トランジスタ３上のギャップより狭くな
るように形成されている。対向基板側突起部１９の幅
は、上記同様に、スペーサ１７の径以下とされている。
【００４３】ここで、信号線１、走査線２又は薄膜トラ
ンジスタ３上のギャップと対向基板側突起部１９上のギ
ャップとの差は、第１の実施の形態と同様に、スペーサ
径の１％、望ましくは２％以上となっている。
ンジスタ３上のギャップと対向基板側突起部１９上のギ
ャップとの差は、第１の実施の形態と同様に、スペーサ
径の１％、望ましくは２％以上となっている。
【００４４】このように、第２の実施の形態では、対向
側ガラス基板１１側に対向基板側突起部１９を設けると
ともに、対向基板側突起部１９上のギャップを信号線
１、走査線２又は薄膜トランジスタ３上のギャップより
狭くするようにした。
側ガラス基板１１側に対向基板側突起部１９を設けると
ともに、対向基板側突起部１９上のギャップを信号線
１、走査線２又は薄膜トランジスタ３上のギャップより
狭くするようにした。
【００４５】これにより、液晶パネルに圧力や衝撃が加
えられても、信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ
３上に配置されたスペーサ１７が光透過領域に移動し難
くなる。そのため、スペーサ１７周りで発生する光漏れ
の増加が抑えられる。
えられても、信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ
３上に配置されたスペーサ１７が光透過領域に移動し難
くなる。そのため、スペーサ１７周りで発生する光漏れ
の増加が抑えられる。
【００４６】その結果、黒輝度が下がり、コントラスト
が高くなることとともに、光漏れの分布ムラによる表示
ムラが少なく、しかも振動・衝撃に対する信頼性も向上
する。さらには、アクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造後に振動・衝撃等が加えられた場合であっても、
製造直後の検査以降に不具合が発生することも防止され
る。
が高くなることとともに、光漏れの分布ムラによる表示
ムラが少なく、しかも振動・衝撃に対する信頼性も向上
する。さらには、アクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造後に振動・衝撃等が加えられた場合であっても、
製造直後の検査以降に不具合が発生することも防止され
る。
【００４７】なお、対向基板側突起部１９にあって、図
４のように連続して設ける場合に限らず、断続的に設け
ることも可能である。
４のように連続して設ける場合に限らず、断続的に設け
ることも可能である。
【００４８】（第３の実施の形態）図７は、本発明のア
クティブマトリクス型液晶表示装置の第３の実施の形態
を示す平面図、図８は、図７のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を示すＥ−Ｅ’線断面図、図９は、図８の
アクティブマトリクス型液晶表示装置を示すＦ−Ｆ’線
断面図である。
クティブマトリクス型液晶表示装置の第３の実施の形態
を示す平面図、図８は、図７のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を示すＥ−Ｅ’線断面図、図９は、図８の
アクティブマトリクス型液晶表示装置を示すＦ−Ｆ’線
断面図である。
【００４９】第３の実施の形態は、第１及び第２の実施
の形態を組合わせたものである。
の形態を組合わせたものである。
【００５０】すなわち、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板
側突起部１９が、ＴＦＴ側ガラス基板１０及び対向側ガ
ラス基板１１に各々設けられている。ＴＦＴ側突起部６
及び対向基板側突起部１９の製法は、第１及び第２の実
施の形態で示した通りである。
側突起部１９が、ＴＦＴ側ガラス基板１０及び対向側ガ
ラス基板１１に各々設けられている。ＴＦＴ側突起部６
及び対向基板側突起部１９の製法は、第１及び第２の実
施の形態で示した通りである。
【００５１】すなわち、図８に示すように、ＴＦＴ側ガ
ラス基板１０側では、信号線１近傍の共通電極４のブラ
ックマトリクス９と重なる領域にメタルパターンにてＴ
ＦＴ側突起部６が形成されている。
ラス基板１０側では、信号線１近傍の共通電極４のブラ
ックマトリクス９と重なる領域にメタルパターンにてＴ
ＦＴ側突起部６が形成されている。
【００５２】対向側ガラス基板１１側では、信号線１近
傍のブラックマトリクス９上にオーバーコート膜１４に
て対向基板側突起部１９が形成されている。
傍のブラックマトリクス９上にオーバーコート膜１４に
て対向基板側突起部１９が形成されている。
【００５３】ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１
９は、各々対向配置されている。ＴＦＴ側突起部６及び
対向基板側突起部１９間のギャップは、信号線１上のギ
ャップより狭くされている。
９は、各々対向配置されている。ＴＦＴ側突起部６及び
対向基板側突起部１９間のギャップは、信号線１上のギ
ャップより狭くされている。
【００５４】この場合、第１及び第２の実施の形態での
ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１９の高さを、
半分にすることができる。
ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１９の高さを、
半分にすることができる。
【００５５】また、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突
起部１９は、対向しないように配置することができる。
この場合、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１９
間の相対ギャップは、信号線１上のギャップより狭くさ
れればよい。
起部１９は、対向しないように配置することができる。
この場合、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１９
間の相対ギャップは、信号線１上のギャップより狭くさ
れればよい。
【００５６】また、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突
起部１９の幅は、第１及び第２の実施の形態と同様に、
スペーサ１７の直径以下である。
起部１９の幅は、第１及び第２の実施の形態と同様に、
スペーサ１７の直径以下である。
【００５７】このように、ＴＦＴ側ガラス基板１０及び
対向側ガラス基板１１にＴＦＴ側突起部６及び対向基板
側突起部１９を設けることで、第１及び第２の実施の形
態の場合に比べ、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起
部１９の数を倍にすることができ、スペーサ１７の移動
防止効果がより期待できる。
対向側ガラス基板１１にＴＦＴ側突起部６及び対向基板
側突起部１９を設けることで、第１及び第２の実施の形
態の場合に比べ、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起
部１９の数を倍にすることができ、スペーサ１７の移動
防止効果がより期待できる。
【００５８】また、図９に示すように、ＴＦＴ側ガラス
基板１０側では、走査線２及び薄膜トランジスタ３近傍
の共通電極４のブラックマトリクス９と重なる領域にメ
タルパターンにてＴＦＴ側突起部６が形成されている。
基板１０側では、走査線２及び薄膜トランジスタ３近傍
の共通電極４のブラックマトリクス９と重なる領域にメ
タルパターンにてＴＦＴ側突起部６が形成されている。
【００５９】対向側ガラス基板１１側では、信号線１近
傍のブラックマトリクス９上にオーバーコート膜１４に
て対向基板側突起部１９が形成されている。
傍のブラックマトリクス９上にオーバーコート膜１４に
て対向基板側突起部１９が形成されている。
【００６０】ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１
９は、対向配置されている。ＴＦＴ側突起部６及び対向
基板側突起部１９間のギャップは、走査線２及び薄膜ト
ランジスタ３上のギャップより狭くされている。
９は、対向配置されている。ＴＦＴ側突起部６及び対向
基板側突起部１９間のギャップは、走査線２及び薄膜ト
ランジスタ３上のギャップより狭くされている。
【００６１】これにより、第１及び第２の実施の形態で
のＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１９の高さ
を、半分にすることができる。
のＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１９の高さ
を、半分にすることができる。
【００６２】また、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突
起部１９は、対向しないように配置することができる。
この場合、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１９
間の相対ギャップは、走査線２及び薄膜トランジスタ３
上のギャップより狭くされればよい。
起部１９は、対向しないように配置することができる。
この場合、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１９
間の相対ギャップは、走査線２及び薄膜トランジスタ３
上のギャップより狭くされればよい。
【００６３】このように、ＴＦＴ側ガラス基板１０及び
対向側ガラス基板１１にＴＦＴ側突起部６及び対向基板
側突起部１９を設けることで、第１及び第２の実施の形
態の場合に比べ、上記同様に、ＴＦＴ側突起部６及び対
向基板側突起部１９の数を倍にすることができ、スペー
サ１７の移動防止効果がより期待できる。
対向側ガラス基板１１にＴＦＴ側突起部６及び対向基板
側突起部１９を設けることで、第１及び第２の実施の形
態の場合に比べ、上記同様に、ＴＦＴ側突起部６及び対
向基板側突起部１９の数を倍にすることができ、スペー
サ１７の移動防止効果がより期待できる。
【００６４】また、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突
起部１９の幅は、第１及び第２の実施の形態と同様に、
スペーサ１７の直径以下である。
起部１９の幅は、第１及び第２の実施の形態と同様に、
スペーサ１７の直径以下である。
【００６５】さらに、第１の実施の形態と同様に、信号
線１、走査線２又は薄膜トランジスタ３上のギャップ
と、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１９上のギ
ャップとの差を、スペーサ径の１％、望ましくは２％以
上とする。
線１、走査線２又は薄膜トランジスタ３上のギャップ
と、ＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１９上のギ
ャップとの差を、スペーサ径の１％、望ましくは２％以
上とする。
【００６６】このように、第３の実施の形態では、ＴＦ
Ｔ側ガラス基板１０及び対向側ガラス基板１１に、ＴＦ
Ｔ側突起部６及び対向基板側突起部１９を設け、ＴＦＴ
側突起部６及び対向基板側突起部１９間のギャップを、
信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ３上のギャッ
プより狭くした。
Ｔ側ガラス基板１０及び対向側ガラス基板１１に、ＴＦ
Ｔ側突起部６及び対向基板側突起部１９を設け、ＴＦＴ
側突起部６及び対向基板側突起部１９間のギャップを、
信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ３上のギャッ
プより狭くした。
【００６７】これにより、液晶パネルに圧力や衝撃が加
えられても、信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ
３上に配置されたスペーサ１７が光透過領域に移動し難
くなる。そのため、スペーサ１７周りで発生する光漏れ
の増加が抑えられるので、表示特性に優れるとともに、
表示ムラが無く、信頼性に優れるアクティブマトリクス
型液晶表示装置が得られる。
えられても、信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ
３上に配置されたスペーサ１７が光透過領域に移動し難
くなる。そのため、スペーサ１７周りで発生する光漏れ
の増加が抑えられるので、表示特性に優れるとともに、
表示ムラが無く、信頼性に優れるアクティブマトリクス
型液晶表示装置が得られる。
【００６８】また、上記同様に、ＴＦＴ側突起部６及び
対向基板側突起部１９は、断続的に設けるようにしても
よい。
対向基板側突起部１９は、断続的に設けるようにしても
よい。
【００６９】（第４の実施の形態）図１０は、本発明の
アクティブマトリクス型液晶表示装置の第４の実施の形
態を示す平面図、図１１は、図１０のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を示すＧ−Ｇ’線断面図、図１２
は、図１１のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示
すＨ−Ｈ’線断面図である。
アクティブマトリクス型液晶表示装置の第４の実施の形
態を示す平面図、図１１は、図１０のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を示すＧ−Ｇ’線断面図、図１２
は、図１１のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示
すＨ−Ｈ’線断面図である。
【００７０】第４の実施の形態では、第１〜第３の実施
の形態におけるＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部
１９に代えて、ＴＦＴ側基板の段差の調整により、信号
線１、走査線２又は薄膜トランジスタ３上のギャップを
狭くするようにしたものである。
の形態におけるＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部
１９に代えて、ＴＦＴ側基板の段差の調整により、信号
線１、走査線２又は薄膜トランジスタ３上のギャップを
狭くするようにしたものである。
【００７１】すなわち、信号線１、走査線２又は薄膜ト
ランジスタ３近傍にある共通電極４の膜厚を厚くし、信
号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ３上のギャップ
より狭くなるようにしている。
ランジスタ３近傍にある共通電極４の膜厚を厚くし、信
号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ３上のギャップ
より狭くなるようにしている。
【００７２】また、共通電極４上のギャップは、図１１
に示すように、信号線１上のギャップより狭くなってい
る。さらに、共通電極４のギャップは、図１２に示すよ
うに、走査線２及び薄膜トランジスタ３上のギャップよ
り狭くなっている。
に示すように、信号線１上のギャップより狭くなってい
る。さらに、共通電極４のギャップは、図１２に示すよ
うに、走査線２及び薄膜トランジスタ３上のギャップよ
り狭くなっている。
【００７３】ここで、信号線１、走査線２又は薄膜トラ
ンジスタ３上のギャップと共通電極４上のギャップとの
差は、上記同様に、スペーサ径の１％、望ましくは２％
以上である。これにより、スペーサ１７の光透過領域へ
の移動が防止される。
ンジスタ３上のギャップと共通電極４上のギャップとの
差は、上記同様に、スペーサ径の１％、望ましくは２％
以上である。これにより、スペーサ１７の光透過領域へ
の移動が防止される。
【００７４】このように、第４の実施の形態では、共通
電極４部のギャップを信号線１、走査線２又は薄膜トラ
ンジスタ３部より狭くするようにしたので、スペーサ１
７の光透過領域への移動の防止効果が高められる。ま
た、第４の実施の形態では、第１〜第３の実施の形態に
おけるＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１９の形
成が不要となるため、製造工程が短縮される。
電極４部のギャップを信号線１、走査線２又は薄膜トラ
ンジスタ３部より狭くするようにしたので、スペーサ１
７の光透過領域への移動の防止効果が高められる。ま
た、第４の実施の形態では、第１〜第３の実施の形態に
おけるＴＦＴ側突起部６及び対向基板側突起部１９の形
成が不要となるため、製造工程が短縮される。
【００７５】これにより、液晶パネルに圧力や衝撃が加
えられても、信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ
３上に配置されたスペーサ１７が光透過領域に移動し難
くなる。そのため、スペーサ１７周りで発生する光漏れ
の増加が抑えられるので、表示特性に優れるとともに、
表示ムラが無く、信頼性に優れるアクティブマトリクス
型液晶表示装置が得られる。
えられても、信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ
３上に配置されたスペーサ１７が光透過領域に移動し難
くなる。そのため、スペーサ１７周りで発生する光漏れ
の増加が抑えられるので、表示特性に優れるとともに、
表示ムラが無く、信頼性に優れるアクティブマトリクス
型液晶表示装置が得られる。
【００７６】（第５の実施の形態）図１３は、本発明の
アクティブマトリクス型液晶表示装置の第５の実施の形
態を示す平面図、図１４は、図１３のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を示すＩ−Ｉ’線断面図である。
アクティブマトリクス型液晶表示装置の第５の実施の形
態を示す平面図、図１４は、図１３のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を示すＩ−Ｉ’線断面図である。
【００７７】第５の実施の形態では、第４の実施の形態
と同様に、ＴＦＴ側基板の段差を調整することで、信号
線１近傍の共通電極４上のギャップを狭くするようにし
ている。
と同様に、ＴＦＴ側基板の段差を調整することで、信号
線１近傍の共通電極４上のギャップを狭くするようにし
ている。
【００７８】すなわち、信号線１の下の層間絶縁膜７に
エッチング等の技術を用いて層間絶縁膜段差２２を設け
ている。これにより、信号線１上のギャップが広げら
れ、上記同様の効果が得られる。このとき、層間絶縁膜
段差２２は、層間絶縁膜７を全て除去する必要は無い。
エッチング等の技術を用いて層間絶縁膜段差２２を設け
ている。これにより、信号線１上のギャップが広げら
れ、上記同様の効果が得られる。このとき、層間絶縁膜
段差２２は、層間絶縁膜７を全て除去する必要は無い。
【００７９】また、共通電極４上のギャップは、図１４
に示すように、信号線１上のギャップより狭くなってい
る。ここで、信号線１上のギャップと共通電極４上のギ
ャップとの差は、第１の実施の形態と同様に、スペーサ
径の１％、望ましくは２％以上となっている。
に示すように、信号線１上のギャップより狭くなってい
る。ここで、信号線１上のギャップと共通電極４上のギ
ャップとの差は、第１の実施の形態と同様に、スペーサ
径の１％、望ましくは２％以上となっている。
【００８０】このように、第５の実施の形態では、共通
電極４上のギャップを信号線１上のギャップより狭くす
るようにした。これにより、共通電極４上のギャップが
狭くされるため、スペーサ１７は光透過領域への移動を
抑えることができる。
電極４上のギャップを信号線１上のギャップより狭くす
るようにした。これにより、共通電極４上のギャップが
狭くされるため、スペーサ１７は光透過領域への移動を
抑えることができる。
【００８１】これにより、液晶パネルに圧力や衝撃が加
えられても、信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ
３上に配置されたスペーサ１７が光透過領域に移動し難
くなる。そのため、スペーサ１７周りで発生する光漏れ
の増加が抑えられるので、表示特性に優れるとともに、
表示ムラが無く、信頼性に優れるアクティブマトリクス
型液晶表示装置が得られる。
えられても、信号線１、走査線２又は薄膜トランジスタ
３上に配置されたスペーサ１７が光透過領域に移動し難
くなる。そのため、スペーサ１７周りで発生する光漏れ
の増加が抑えられるので、表示特性に優れるとともに、
表示ムラが無く、信頼性に優れるアクティブマトリクス
型液晶表示装置が得られる。
【００８２】なお、以上の各実施の形態では、本発明の
アクティブマトリクス型液晶表示装置を、横電界方式の
アクティブマトリクス型ＴＦＴ液晶表示装置に適用した
場合について説明したが、この例に限らず、単純マトリ
クス型のＴＮ、ＳＴＮ液晶表示装置、強誘電性液晶表示
装置、ポリマ分散型液晶表示装置等の他の液晶表示装置
に対しても適応可能である。
アクティブマトリクス型液晶表示装置を、横電界方式の
アクティブマトリクス型ＴＦＴ液晶表示装置に適用した
場合について説明したが、この例に限らず、単純マトリ
クス型のＴＮ、ＳＴＮ液晶表示装置、強誘電性液晶表示
装置、ポリマ分散型液晶表示装置等の他の液晶表示装置
に対しても適応可能である。
【００８３】特に、横電界方式のアクティブマトリクス
型ＴＦＴ液晶表示装置では、ノーマリーブラック方式を
採用することが多く、スペーサ周りの液晶配向が乱れる
ことによる光漏れが発生し易いため、本方式を適用すれ
ば光漏れの発生を有効に防止することができる。
型ＴＦＴ液晶表示装置では、ノーマリーブラック方式を
採用することが多く、スペーサ周りの液晶配向が乱れる
ことによる光漏れが発生し易いため、本方式を適用すれ
ば光漏れの発生を有効に防止することができる。
【００８４】
【発明の効果】以上の如く本発明に係るアクティブマト
リクス型液晶表示装置及びその製造方法によれば、第１
及び／又は第２の透明基板上の信号線、走査線又は薄膜
トランジスタの近傍に、スペーサの移動を阻止するため
の第１及び／又は第２の突起を設け、スペーサの光透過
領域への移動を阻止し、スペーサによる光漏れを少なく
するようにしたので、振動又は衝撃等によるスペーサの
光透過領域への移動が阻止され、光漏れが小さくされる
ので、表示品質を向上させることができる。
リクス型液晶表示装置及びその製造方法によれば、第１
及び／又は第２の透明基板上の信号線、走査線又は薄膜
トランジスタの近傍に、スペーサの移動を阻止するため
の第１及び／又は第２の突起を設け、スペーサの光透過
領域への移動を阻止し、スペーサによる光漏れを少なく
するようにしたので、振動又は衝撃等によるスペーサの
光透過領域への移動が阻止され、光漏れが小さくされる
ので、表示品質を向上させることができる。
【図１】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の第１の実施の形態を示す平面図である。
の第１の実施の形態を示す平面図である。
【図２】図１のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
示すＡ−Ａ’線断面図である。
示すＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】図１のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
示すＢ−Ｂ’線断面図である。
示すＢ−Ｂ’線断面図である。
【図４】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の第２の実施の形態を示す平面図である。
の第２の実施の形態を示す平面図である。
【図５】図４のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
示すＣ−Ｃ’線断面図である。
示すＣ−Ｃ’線断面図である。
【図６】図５のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
示すＤ−Ｄ’線断面図である。
示すＤ−Ｄ’線断面図である。
【図７】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の第３の実施の形態を示す平面図である。
の第３の実施の形態を示す平面図である。
【図８】図７のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
示すＥ−Ｅ’線断面図である。
示すＥ−Ｅ’線断面図である。
【図９】図８のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
示すＦ−Ｆ’線断面図である。
示すＦ−Ｆ’線断面図である。
【図１０】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装
置の第４の実施の形態を示す平面図である。
置の第４の実施の形態を示す平面図である。
【図１１】図１０のアクティブマトリクス型液晶表示装
置を示すＧ−Ｇ’線断面図である。
置を示すＧ−Ｇ’線断面図である。
【図１２】図１１のアクティブマトリクス型液晶表示装
置を示すＨ−Ｈ’線断面図である。
置を示すＨ−Ｈ’線断面図である。
【図１３】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装
置の第５の実施の形態を示す平面図である。
置の第５の実施の形態を示す平面図である。
【図１４】図１３のアクティブマトリクス型液晶表示装
置を示すＩ−Ｉ’線断面図である。
置を示すＩ−Ｉ’線断面図である。
【図１５】従来の横電界駆動型の液晶表示装置を示す平
面図である。
面図である。
【図１６】図１５の横電界駆動型の液晶表示装置を示す
Ｊ−Ｊ’線断面図である。
Ｊ−Ｊ’線断面図である。
【図１７】図１５の横電界駆動型の液晶表示装置を示す
Ｋ−Ｋ’線断面図である。
Ｋ−Ｋ’線断面図である。
【図１８】図１６及び図１７のスペーサ周りの液晶分子
の配向状態を示す図である。
の配向状態を示す図である。
【図１９】図１６及び図１７のスペーサ周りの液晶分子
の配向状態を示す図である。
の配向状態を示す図である。
【図２０】図１６及び図１７のスペーサ周りの液晶分子
の配向状態を示す図である。
の配向状態を示す図である。
１ 信号線 ２ 走査線 ３ 薄膜トランジスタ ４ 共通電極 ５ 画素電極 ６ ＴＦＴ側突起部 ７ 層間絶縁膜 ８ 保護絶縁膜 ９ ブラックマトリクス １０ ＴＦＴ側ガラス基板 １１ 対向側ガラス基板 １２ 第１の色層 １３ 第２の色層 １４ オーバーコート膜 １５ ＴＦＴ側配向膜 １６ 対向側配向膜 １７ スペーサ １８ 液晶 １９ 対向基板側突起部 ２０ 液晶分子 ２１ 光漏れ ２２ 層間絶縁膜段差
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 LA07 NA15 NA24 PA08 QA15 QA16 RA05 TA04 TA09 2H092 GA14 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB56 JB63 JB69 KA05 KA07 MA05 MA07 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA27 MA32 MA35 MA37 MA41 NA01 NA25 PA03 PA06 QA06 QA18
Claims (23)
- 【請求項１】 共通電極及び走査線と、絶縁膜を介して
前記共通電極に平行に延在する画素電極及び映像信号線
と、マトリクス状に配置された複数個の画素毎に設けら
れているアクティブ素子と、前記アクティブ素子上に設
けられた第１の配向膜とを有する第１の透明基板と、 前記第１の配向膜に対向して配置された第２の配向膜
と、前記画素毎に少なくとも前記画素電極の一部を露出
する開口領域を有した遮光膜とを有する第２の透明基板
と、 前記第１及び前記第２の配向膜間に収容する液晶組成物
層のギャップを形成するスペーサとを備えるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、 前記第１の透明基板上の前記信号線、走査線又は薄膜ト
ランジスタの近傍に、前記スペーサの移動を阻止するた
めの第１の突起が設けられていることを特徴とするアク
ティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 共通電極及び走査線と、絶縁膜を介して
前記共通電極に平行に延在する画素電極及び映像信号線
と、マトリクス状に配置された複数個の画素毎に設けら
れているアクティブ素子と、前記アクティブ素子上に設
けられた第１の配向膜とを有する第１の透明基板と、 前記第１の配向膜に対向して配置された第２の配向膜
と、前記画素毎に少なくとも前記画素電極の一部を露出
する開口領域を有した遮光膜とを有する第２の透明基板
と、 前記第１及び前記第２の配向膜間に収容する液晶組成物
層のギャップを形成するスペーサとを備えるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、 前記第２の透明基板上の前記信号線、走査線又は薄膜ト
ランジスタ近傍に、前記スペーサの移動を阻止するため
の第２の突起が設けられていることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記第１又は第２の突起は、前記開口領
域以外の遮光領域に設けられているとともに、前記信号
線、走査線又は薄膜トランジスタ部のギャップより狭く
なる高さとされ、さらにその幅は前記スペーサの直径よ
り小さくされていることを特徴とする請求項１又は２に
記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記第１又は第２の突起によるギャップ
と、前記信号線、走査線又は薄膜トランジスタ上のギャ
ップとの差が、前記スペーサの径の１％以上とされてい
ることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記第２の透明基板には、前記第２の突
起が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記第１及び第２の突起によるギャップ
と、前記信号線、走査線又は薄膜トランジスタ上のギャ
ップとの差が、前記スペーサの径の１％以上とされてい
ることを特徴とする請求項５に記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記第１及び第２の突起は、対向配置さ
れていることを特徴とする請求項６に記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項８】 共通電極及び走査線と、絶縁膜を介して
前記共通電極に平行に延在する画素電極及び映像信号線
と、マトリクス状に配置された複数個の画素毎に設けら
れているアクティブ素子と、前記アクティブ素子上に設
けられた第１の配向膜とを有する第１の透明基板と、 前記第１の配向膜に対向して配置された第２の配向膜
と、前記画素毎に少なくとも前記画素電極の一部を露出
する開口領域を有した遮光膜とを有する第２の透明基板
と、 前記第１及び前記第２の配向膜間に収容する液晶組成物
層のギャップを形成するスペーサとを備えるアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、 前記第１の透明基板上の信号線、走査線又は薄膜トラン
ジスタ近傍の共通電極の膜厚は、前記共通電極上のギャ
ップが前記信号線、走査線又は薄膜トランジスタ上のギ
ャップより狭くなるように厚くされていることを特徴と
するアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項９】 共通電極及び走査線と、絶縁膜を介して
前記共通電極に平行に延在する画素電極及び映像信号線
と、マトリクス状に配置された複数個の画素毎に設けら
れているアクティブ素子と、前記アクティブ素子上に設
けられた第１の配向膜とを有する第１の透明基板と、 前記第１の配向膜に対向して配置された第２の配向膜
と、前記画素毎に少なくとも前記画素電極の一部を露出
する開口領域を有した遮光膜とを有する第２の透明基板
と、 前記第１及び前記第２の配向膜間に収容する液晶組成物
層を収容するためのギャップを形成するスペーサとを備
えるアクティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記第１の透明基板上の層間絶縁膜には、前記スペーサ
の移動を阻止する段差が設けられていることを特徴とす
るアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記共通電極上のギャップと、前記信
号線、走査線又は薄膜トランジスタ上のギャップとの差
が、前記スペーサの径の１％以上とされていることを特
徴とする請求項８又は９に記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置。 - 【請求項１１】 共通電極、走査線と、絶縁膜を介して
前記共通電極と平行に延在する画素電極及び映像信号線
とを形成する第１の工程と、 マトリクス状に配置された複数個の画素毎にアクティブ
素子を形成する第２の工程と、 前記アクティブ素子上に第１の配向膜を設けることによ
り第１の透明基板を形成する第３の工程と、 第２の配向膜を前記第１の配向膜に対向して設置させる
第４の工程と、 前記画素毎に少なくとも前記画素電極の一部を露出する
開口領域が設けられた遮光膜を形成して第２の透明基板
を形成する第５の工程と、 前記第１及び前記第２の配向膜間にスペーサを配置させ
て液晶組成物層を収容するためのギャップを形成する第
６の工程と、 前記第１の透明基板の信号線、走査線又は薄膜トランジ
スタの近傍に、前記スペーサの移動を阻止するための第
１の突起を形成する第７の工程とを備えることを特徴と
するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 共通電極、走査線と、絶縁膜を介して
前記共通電極と平行に延在する画素電極及び映像信号線
とを形成する第１の工程と、 マトリクス状に配置された複数個の画素毎にアクティブ
素子を形成する第２の工程と、 前記アクティブ素子上に第１の配向膜を設けることによ
り第１の透明基板を形成する第３の工程と、 第２の配向膜を前記第１の配向膜に対向して設置させる
第４の工程と、 前記画素毎に少なくとも前記画素電極の一部を露出する
開口領域が設けられた遮光膜を形成して第２の透明基板
を形成する第５の工程と、 前記第１及び前記第２の配向膜間にスペーサを配置させ
て液晶組成物層を収容するためのギャップを形成する第
６の工程と、 前記第２の透明基板上の前記信号線、走査線又は薄膜ト
ランジスタ近傍に、前記スペーサの移動を阻止するため
の第２の突起を形成する第８の工程とを備えることを特
徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記第７又は第８の工程には、 前記第１又は第２の突起を、前記開口領域以外の遮光領
域に形成する工程と、 前記第１又は第２の突起を、前記信号線、走査線又は薄
膜トランジスタ部のギャップより狭くなる高さに形成す
る第９の工程と、 前記第１又は第２の突起の幅を、前記スペーサの直径よ
り小さくして形成する工程とが含まれることを特徴とす
る請求項１１又は１２に記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記第９の工程には、前記第１又は第
２の突起によるギャップと、前記信号線、走査線又は薄
膜トランジスタ上のギャップとの差を、前記スペーサの
径の１％以上とする工程が含まれることを特徴とする請
求項１３に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項１５】 前記第７の工程には、前記第２の透明
基板に、前記第２の突起を形成する第１０の工程が含ま
れることを特徴とする請求項１１に記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記第１０の工程には、前記第１及び
第２の突起によるギャップと、前記信号線、走査線又は
薄膜トランジスタ上のギャップとの差を、前記スペーサ
の径の１％以上とする工程が含まれることを特徴とする
請求項１５に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記第１０の工程には、前記第１及び
第２の突起を対向させて形成する工程が含まれることを
特徴とする請求項１５に記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１８】 共通電極、走査線と、絶縁膜を介して
前記共通電極と平行に延在する画素電極及び映像信号線
とを形成する第１の工程と、 マトリクス状に配置された複数個の画素毎にアクティブ
素子を形成する第２の工程と、 前記アクティブ素子上に第１の配向膜を設けることによ
り第１の透明基板を形成する第３の工程と、 第２の配向膜を前記第１の配向膜に対向して設置させる
第４の工程と、 前記画素毎に少なくとも前記画素電極の一部を露出する
開口領域が設けられた遮光膜を形成して第２の透明基板
を形成する第５の工程と、 前記第１及び前記第２の配向膜間にスペーサを配置させ
て液晶組成物層を収容するためのギャップを形成する第
６の工程と、 前記第１の透明基板上の信号線、走査線又は薄膜トラン
ジスタ近傍の共通電極の膜厚を、前記共通電極上のギャ
ップが前記信号線、走査線又は薄膜トランジスタ上のギ
ャップより狭くなるように厚く形成する第１１の工程と
を備えることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項１９】 共通電極、走査線と、絶縁膜を介して
前記共通電極と平行に延在する画素電極及び映像信号線
とを形成する第１の工程と、 マトリクス状に配置された複数個の画素毎にアクティブ
素子を形成する第２の工程と、 前記アクティブ素子上に第１の配向膜を設けることによ
り第１の透明基板を形成する第３の工程と、 第２の配向膜を前記第１の配向膜に対向して設置させる
第４の工程と、 前記画素毎に少なくとも前記画素電極の一部を露出する
開口領域が設けられた遮光膜を形成して第２の透明基板
を形成する第５の工程と、 前記第１及び前記第２の配向膜間にスペーサを配置させ
て液晶組成物層を収容するためのギャップを形成する第
６の工程と、 前記第１の透明基板上の層間絶縁膜に前記スペーサの移
動を阻止する段差を形成する第１２の工程とを備えるこ
とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項２０】 前記第１１又は第１２の工程には、前
記共通電極上のギャップと、前記信号線、走査線又は薄
膜トランジスタ上のギャップとの差を、前記スペーサの
径の１％以上とする工程が含まれることを特徴とする請
求項１８又は１９に記載のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項２１】 前記第７の工程には、前記第１の突起
をメタル材料や絶縁材料を用い、前記第１〜第６の工程
と同時に形成する工程が含まれることを特徴とする請求
項１１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項２２】 前記第７の工程には、前記第１〜第６
の工程の終了後、前記第１の突起を樹脂によって形成す
る工程が含まれることを特徴とする請求項１１に記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２３】 前記第８の工程には、前記第２の突起
を、色層又はオーバーコート膜によって形成する工程が
含まれることを特徴とする請求項１２に記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
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| JP11064317A JP2000258800A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|
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