JP2000252501A - シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 - Google Patents
シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2000252501A JP2000252501A JP11050590A JP5059099A JP2000252501A JP 2000252501 A JP2000252501 A JP 2000252501A JP 11050590 A JP11050590 A JP 11050590A JP 5059099 A JP5059099 A JP 5059099A JP 2000252501 A JP2000252501 A JP 2000252501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- silicon
- type layer
- layer
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 107
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 27
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に表面凹凸構造の制御された透明電極
を形成することができ、製造されるシリコン系薄膜光電
変換装置の効率を改善できる方法を提供する。 【解決手段】 基板（１）上に、透明電極（２）と、一
導電型層（１１１）、実質的に真性半導体の多結晶シリ
コン系光電変換層（１１２）および逆導電型層（１１
３）を含む多結晶シリコン系薄膜光電変換ユニット（１
１）と、光反射性金属電極（１２２）を含む裏面電極
（１２）とを順次形成したシリコン系薄膜光電変換装置
を製造するにあたり、下地温度が２００℃以下の条件で
ＭＯＣＶＤ法により、平均膜厚が０．３〜３μｍ、表面
凹凸の平均高低差が５０〜５００ｎｍであるＺｎＯから
なる透明電極（２）を形成する。
を形成することができ、製造されるシリコン系薄膜光電
変換装置の効率を改善できる方法を提供する。 【解決手段】 基板（１）上に、透明電極（２）と、一
導電型層（１１１）、実質的に真性半導体の多結晶シリ
コン系光電変換層（１１２）および逆導電型層（１１
３）を含む多結晶シリコン系薄膜光電変換ユニット（１
１）と、光反射性金属電極（１２２）を含む裏面電極
（１２）とを順次形成したシリコン系薄膜光電変換装置
を製造するにあたり、下地温度が２００℃以下の条件で
ＭＯＣＶＤ法により、平均膜厚が０．３〜３μｍ、表面
凹凸の平均高低差が５０〜５００ｎｍであるＺｎＯから
なる透明電極（２）を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコン系薄膜光電
変換装置の製造方法に関し、特に製造されるシリコン系
薄膜光電変換装置の特性を改善できる方法に関する。な
お、本願明細書において、「結晶質」および「微結晶」
の用語は、部分的に非晶質を含む場合をも意味するもの
とする。
変換装置の製造方法に関し、特に製造されるシリコン系
薄膜光電変換装置の特性を改善できる方法に関する。な
お、本願明細書において、「結晶質」および「微結晶」
の用語は、部分的に非晶質を含む場合をも意味するもの
とする。
【０００２】
【従来の技術】近年、たとえば多結晶シリコンや微結晶
シリコンのような結晶質シリコンを含む薄膜を利用した
光電変換装置の開発が精力的に行なわれている。これら
の光電変換装置の開発では、安価な基板上に低温プロセ
スで良質の結晶質シリコン薄膜を形成することによる低
コスト化と高性能化の両立が目的となっている。こうし
た光電変換装置は、太陽電池、光センサなど、さまざま
な用途への応用が期待されている。
シリコンのような結晶質シリコンを含む薄膜を利用した
光電変換装置の開発が精力的に行なわれている。これら
の光電変換装置の開発では、安価な基板上に低温プロセ
スで良質の結晶質シリコン薄膜を形成することによる低
コスト化と高性能化の両立が目的となっている。こうし
た光電変換装置は、太陽電池、光センサなど、さまざま
な用途への応用が期待されている。
【０００３】光電変換装置の一例として、基板上に、透
明電極と、一導電型層、結晶質シリコン系光電変換層お
よび逆導電型層を含む光電変換ユニットと、光反射性金
属電極を含む裏面電極とを順次形成した構造を有するも
のが知られている。この光電変換装置では、光電変換層
が薄いと光吸収係数が小さい長波長領域の光が十分に吸
収されないため、光電変換量は本質的に光電変換層の膜
厚によって制約を受ける。そこで、光電変換層を含む光
電変換ユニットに入射した光をより有効に利用するため
に、光入射側の透明電極に表面凹凸（表面テクスチャ）
構造を設けて光を光電変換ユニット内へ散乱させ、さら
に金属電極で反射した光を乱反射させる工夫がなされて
いる。
明電極と、一導電型層、結晶質シリコン系光電変換層お
よび逆導電型層を含む光電変換ユニットと、光反射性金
属電極を含む裏面電極とを順次形成した構造を有するも
のが知られている。この光電変換装置では、光電変換層
が薄いと光吸収係数が小さい長波長領域の光が十分に吸
収されないため、光電変換量は本質的に光電変換層の膜
厚によって制約を受ける。そこで、光電変換層を含む光
電変換ユニットに入射した光をより有効に利用するため
に、光入射側の透明電極に表面凹凸（表面テクスチャ）
構造を設けて光を光電変換ユニット内へ散乱させ、さら
に金属電極で反射した光を乱反射させる工夫がなされて
いる。
【０００４】従来、シリコン系薄膜光電変換装置には、
ガラス基板上に表面凹凸を有する透明電極が形成された
もの（例えば旭硝子社製のＵ−ｔｙｐｅ ＳｎＯ2膜な
ど）が広く用いられている。しかし、このようなガラス
基板は透明電極を形成するために４００℃以上の高温プ
ロセスを要するなどの理由によりコストが高い。
ガラス基板上に表面凹凸を有する透明電極が形成された
もの（例えば旭硝子社製のＵ−ｔｙｐｅ ＳｎＯ2膜な
ど）が広く用いられている。しかし、このようなガラス
基板は透明電極を形成するために４００℃以上の高温プ
ロセスを要するなどの理由によりコストが高い。
【０００５】また、表面テクスチャ構造をなす透明電極
を具備した光電変換装置は、たとえば特公平６−１２８
４０号公報、特開平７−２８３４３２号公報などに開示
されており、効率が向上することが記載されている。し
かし、これらの光電変換装置では、透明電極が激しい表
面凹凸構造、具体的には凹凸の高低差が大きく凹凸のピ
ッチが小さい表面凹凸構造を有し、凹凸形状により得ら
れる光閉込め効果が十分でないことがわかってきた。
を具備した光電変換装置は、たとえば特公平６−１２８
４０号公報、特開平７−２８３４３２号公報などに開示
されており、効率が向上することが記載されている。し
かし、これらの光電変換装置では、透明電極が激しい表
面凹凸構造、具体的には凹凸の高低差が大きく凹凸のピ
ッチが小さい表面凹凸構造を有し、凹凸形状により得ら
れる光閉込め効果が十分でないことがわかってきた。
【０００６】さらに、ガラス基板上の透明電極として、
ＭＯＣＶＤ法により形成されたＺｎＯ膜を用いる非晶質
シリコン系薄膜光電変換装置が知られている。しかし、
ＺｎＯ膜の表面凹凸構造を制御できたとしても、非晶質
シリコンは赤外光に感度を持たないので、やはり光閉込
め効果の点で不十分である。
ＭＯＣＶＤ法により形成されたＺｎＯ膜を用いる非晶質
シリコン系薄膜光電変換装置が知られている。しかし、
ＺｎＯ膜の表面凹凸構造を制御できたとしても、非晶質
シリコンは赤外光に感度を持たないので、やはり光閉込
め効果の点で不十分である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
上に表面凹凸構造の制御された透明電極を形成すること
ができ、製造されるシリコン系薄膜光電変換装置の効率
を改善できる方法を提供することにある。
上に表面凹凸構造の制御された透明電極を形成すること
ができ、製造されるシリコン系薄膜光電変換装置の効率
を改善できる方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、基板上の
透明電極を形成する際に、下地温度が２００℃以下の条
件でＭＯＣＶＤ法を用いれば、表面凹凸構造の制御され
た透明電極を形成することができることを見出した。
透明電極を形成する際に、下地温度が２００℃以下の条
件でＭＯＣＶＤ法を用いれば、表面凹凸構造の制御され
た透明電極を形成することができることを見出した。
【０００９】すなわち、本発明のシリコン系薄膜光電変
換装置の製造方法は、基板上に、透明電極と、一導電型
層、実質的に真性半導体の多結晶シリコン系光電変換層
および逆導電型層を含む多結晶シリコン系薄膜光電変換
ユニットと、光反射性金属電極を含む裏面電極とを順次
形成したシリコン系薄膜光電変換装置を製造するにあた
り、前記透明電極を、下地温度が２００℃以下の条件で
ＭＯＣＶＤ法により形成することを特徴とする。
換装置の製造方法は、基板上に、透明電極と、一導電型
層、実質的に真性半導体の多結晶シリコン系光電変換層
および逆導電型層を含む多結晶シリコン系薄膜光電変換
ユニットと、光反射性金属電極を含む裏面電極とを順次
形成したシリコン系薄膜光電変換装置を製造するにあた
り、前記透明電極を、下地温度が２００℃以下の条件で
ＭＯＣＶＤ法により形成することを特徴とする。
【００１０】本発明において、前記透明電極は、平均膜
厚が０．３〜３μｍ、表面凹凸の平均高低差が５０〜５
００ｎｍであるＺｎＯからなることが好ましい。
厚が０．３〜３μｍ、表面凹凸の平均高低差が５０〜５
００ｎｍであるＺｎＯからなることが好ましい。
【００１１】本発明において、シリコン系薄膜光電変換
ユニットとしては、結晶質シリコン系光電変換層を含む
ｐ−ｉ−ｎ接合を形成することが好ましい。また、シリ
コン系薄膜光電変換ユニットは、一導電型層、結晶質シ
リコン系光電変換層および逆導電型層を含む光電変換ユ
ニットに加えて、一導電型層、非晶質シリコン系光電変
換層および逆導電型層を含む光電変換ユニットが積層さ
れたタンデム型であってもよい。
ユニットとしては、結晶質シリコン系光電変換層を含む
ｐ−ｉ−ｎ接合を形成することが好ましい。また、シリ
コン系薄膜光電変換ユニットは、一導電型層、結晶質シ
リコン系光電変換層および逆導電型層を含む光電変換ユ
ニットに加えて、一導電型層、非晶質シリコン系光電変
換層および逆導電型層を含む光電変換ユニットが積層さ
れたタンデム型であってもよい。
【００１２】本発明のように、下地温度が２００℃以下
の条件でＭＯＣＶＤ法を用いて透明電極を形成すれば、
その表面凹凸形状を容易に制御でき、このような透明電
極上に赤外光に感度を有する多結晶シリコン系薄膜光電
変換ユニットを形成したときに光閉じ込めに適した表面
凹凸構造を得ることができる。したがって、製造される
多結晶シリコン系薄膜光電変換装置の効率を改善でき
る。
の条件でＭＯＣＶＤ法を用いて透明電極を形成すれば、
その表面凹凸形状を容易に制御でき、このような透明電
極上に赤外光に感度を有する多結晶シリコン系薄膜光電
変換ユニットを形成したときに光閉じ込めに適した表面
凹凸構造を得ることができる。したがって、製造される
多結晶シリコン系薄膜光電変換装置の効率を改善でき
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明をより詳細に説明す
る。
る。
【００１４】図１に示す断面図を参照して、本発明に係
るシリコン系薄膜光電変換装置の一例を説明する。この
シリコン系薄膜光電変換装置は、基板１上に、透明電極
２と、一導電型層１１１、結晶質シリコン系光電変換層
１１２および逆導電型層１１３を含む光電変換ユニット
１１と、透明導電性酸化膜１２１および光反射性金属電
極１２２を含む裏面電極１２とを順次積層した構造を有
する。この光電変換装置に対しては、光電変換されるべ
き光ｈνは基板１側から入射される。
るシリコン系薄膜光電変換装置の一例を説明する。この
シリコン系薄膜光電変換装置は、基板１上に、透明電極
２と、一導電型層１１１、結晶質シリコン系光電変換層
１１２および逆導電型層１１３を含む光電変換ユニット
１１と、透明導電性酸化膜１２１および光反射性金属電
極１２２を含む裏面電極１２とを順次積層した構造を有
する。この光電変換装置に対しては、光電変換されるべ
き光ｈνは基板１側から入射される。
【００１５】基板１としては、有機フィルム、セラミッ
クス、または低融点の安価なガラスなどの透明基板を用
いることができる。
クス、または低融点の安価なガラスなどの透明基板を用
いることができる。
【００１６】基板１上に配置される透明電極２の材料
は、５００〜１２００ｎｍの波長の光に対して８０％以
上の高い透過率を有することが好ましく、ＩＴＯ、Ｓｎ
Ｏ2およびＺｎＯから選択される１以上の層を含む透明
導電性酸化膜が用いられる。
は、５００〜１２００ｎｍの波長の光に対して８０％以
上の高い透過率を有することが好ましく、ＩＴＯ、Ｓｎ
Ｏ2およびＺｎＯから選択される１以上の層を含む透明
導電性酸化膜が用いられる。
【００１７】本発明においては、下地温度が２００℃以
下の条件でＭＯＣＶＤ法により形成することにより、平
均膜厚が０．３〜３μｍ、表面凹凸の平均高低差が５０
〜５００ｎｍであるＺｎＯからなる透明電極を形成する
ことが好ましい。
下の条件でＭＯＣＶＤ法により形成することにより、平
均膜厚が０．３〜３μｍ、表面凹凸の平均高低差が５０
〜５００ｎｍであるＺｎＯからなる透明電極を形成する
ことが好ましい。
【００１８】ＭＯＣＶＤ法によりＺｎＯを成膜するに
は、下地温度を２００℃以下に設定し、たとえば原料ガ
スとしてジエチルジンクＺｎ（Ｃ2Ｈ5）2、酸化剤とし
てＨ2Ｏ、ドーパントガスとしてジボランなどを供給
し、５〜１００Ｔｏｒｒの減圧下で反応させる。下地温
度は１００〜１５０℃に設定することがより好ましい。
２００℃以下の下地温度条件においてＭＯＣＶＤ法によ
り平均膜厚が０．３〜３μｍのＺｎＯからなる透明電極
を形成すると、その表面凹凸構造を容易に制御でき、表
面凹凸の平均高低差を５０〜５００ｎｍの範囲にするこ
とができる。
は、下地温度を２００℃以下に設定し、たとえば原料ガ
スとしてジエチルジンクＺｎ（Ｃ2Ｈ5）2、酸化剤とし
てＨ2Ｏ、ドーパントガスとしてジボランなどを供給
し、５〜１００Ｔｏｒｒの減圧下で反応させる。下地温
度は１００〜１５０℃に設定することがより好ましい。
２００℃以下の下地温度条件においてＭＯＣＶＤ法によ
り平均膜厚が０．３〜３μｍのＺｎＯからなる透明電極
を形成すると、その表面凹凸構造を容易に制御でき、表
面凹凸の平均高低差を５０〜５００ｎｍの範囲にするこ
とができる。
【００１９】透明電極２上にシリコン系光電変換ユニッ
ト１１が形成される。この光電変換ユニット１１に含ま
れるすべての半導体層は、下地温度を４００℃以下に設
定してプラズマＣＶＤ法によって堆積される。プラズマ
ＣＶＤ法としては、一般によく知られている平行平板型
のＲＦプラズマＣＶＤを用いてもよいし、周波数１５０
ＭＨｚ以下のＲＦ帯からＶＨＦ帯までの高周波電源を利
用するプラズマＣＶＤ法を用いてもよい。
ト１１が形成される。この光電変換ユニット１１に含ま
れるすべての半導体層は、下地温度を４００℃以下に設
定してプラズマＣＶＤ法によって堆積される。プラズマ
ＣＶＤ法としては、一般によく知られている平行平板型
のＲＦプラズマＣＶＤを用いてもよいし、周波数１５０
ＭＨｚ以下のＲＦ帯からＶＨＦ帯までの高周波電源を利
用するプラズマＣＶＤ法を用いてもよい。
【００２０】光電変換ユニット１１には一導電型層１１
１、結晶質シリコン系光電変換層１１２および逆導電型
層１１３が含まれる。一導電型層１１１はｐ型層でもｎ
型層でもよく、これに対応して逆導電型層１１３はｎ型
層またはｐ型層になる。ただし、光電変換装置では通常
は光の入射側にｐ型層が配置されるので、図１の構造で
は一般的に一導電型層１１１はｐ型層、逆導電型層１１
３はｎ型層である。
１、結晶質シリコン系光電変換層１１２および逆導電型
層１１３が含まれる。一導電型層１１１はｐ型層でもｎ
型層でもよく、これに対応して逆導電型層１１３はｎ型
層またはｐ型層になる。ただし、光電変換装置では通常
は光の入射側にｐ型層が配置されるので、図１の構造で
は一般的に一導電型層１１１はｐ型層、逆導電型層１１
３はｎ型層である。
【００２１】一導電型層１１１は、たとえば導電型決定
不純物原子としてボロンをドープしたｐ型シリコン系薄
膜からなる。ただし、不純物原子は特に限定されず、ｐ
型層の場合にはアルミニウムなどでもよい。また、一導
電型層１１１の半導体材料としては、多結晶シリコンも
しくは部分的に非晶質を含む微結晶シリコンまたはシリ
コンカーバイドやシリコンゲルマニウムなどの合金材料
を用いることができる。なお、必要に応じて、堆積され
た一導電型層１１１にパルスレーザ光を照射（レーザー
アニール）することにより、結晶化分率やキャリア濃度
を制御することもできる。
不純物原子としてボロンをドープしたｐ型シリコン系薄
膜からなる。ただし、不純物原子は特に限定されず、ｐ
型層の場合にはアルミニウムなどでもよい。また、一導
電型層１１１の半導体材料としては、多結晶シリコンも
しくは部分的に非晶質を含む微結晶シリコンまたはシリ
コンカーバイドやシリコンゲルマニウムなどの合金材料
を用いることができる。なお、必要に応じて、堆積され
た一導電型層１１１にパルスレーザ光を照射（レーザー
アニール）することにより、結晶化分率やキャリア濃度
を制御することもできる。
【００２２】一導電型層１１１上に結晶質シリコン系光
電変換層１１２が堆積される。この結晶質シリコン系光
電変換層１１２としては、体積結晶化分率が８０％以上
である、ノンドープ（真正半導体）の多結晶シリコン膜
もしくは微結晶シリコン膜または微量の不純物を含む弱
ｐ型もしくは弱ｎ型で光電変換機能を十分に備えたシリ
コン系薄膜材料を用いることができる。この光電変換層
１１２を構成する半導体材料についても、上記の材料に
限定されず、シリコンカーバイドやシリコンゲルマニウ
ムなどの合金材料を用いることができる。光電変換層１
１２の厚さは、必要かつ十分な光電変換が可能なよう
に、一般的に０．５〜２０μｍの範囲に形成される。こ
の結晶質シリコン系光電変換層１１２は４００℃以下の
低温で形成されるので、結晶粒界や粒内における欠陥を
終端させて不活性化させる水素原子を多く含む。具体的
には、光電変換層１１２の水素含有量は１〜３０原子％
の範囲内にある。さらに、結晶質シリコン系薄膜光電変
換層１１２に含まれる結晶粒の多くは下地層から上方に
柱状に延びて成長しており、その膜面に平行に（１１
０）の優先結晶配向面を有する。そして、Ｘ線回折にお
ける（２２０）回折ピークに対する（１１１）回折ピー
クの強度比は０．２以下である。
電変換層１１２が堆積される。この結晶質シリコン系光
電変換層１１２としては、体積結晶化分率が８０％以上
である、ノンドープ（真正半導体）の多結晶シリコン膜
もしくは微結晶シリコン膜または微量の不純物を含む弱
ｐ型もしくは弱ｎ型で光電変換機能を十分に備えたシリ
コン系薄膜材料を用いることができる。この光電変換層
１１２を構成する半導体材料についても、上記の材料に
限定されず、シリコンカーバイドやシリコンゲルマニウ
ムなどの合金材料を用いることができる。光電変換層１
１２の厚さは、必要かつ十分な光電変換が可能なよう
に、一般的に０．５〜２０μｍの範囲に形成される。こ
の結晶質シリコン系光電変換層１１２は４００℃以下の
低温で形成されるので、結晶粒界や粒内における欠陥を
終端させて不活性化させる水素原子を多く含む。具体的
には、光電変換層１１２の水素含有量は１〜３０原子％
の範囲内にある。さらに、結晶質シリコン系薄膜光電変
換層１１２に含まれる結晶粒の多くは下地層から上方に
柱状に延びて成長しており、その膜面に平行に（１１
０）の優先結晶配向面を有する。そして、Ｘ線回折にお
ける（２２０）回折ピークに対する（１１１）回折ピー
クの強度比は０．２以下である。
【００２３】結晶質シリコン系光電変換層１１２上には
逆導電型層１１３が形成される。この逆導電型層１１３
は、たとえば導電型決定不純物原子としてリンがドープ
されたｎ型シリコン系薄膜からなる。ただし、不純物原
子は特に限定されず、ｎ型層では窒素などでもよい。ま
た、逆導電型層１１３の半導体材料としては、多結晶シ
リコンもしくは部分的に非晶質を含む微結晶シリコンま
たはシリコンカーバイドやシリコンゲルマニウムなどの
合金材料を用いることができる。
逆導電型層１１３が形成される。この逆導電型層１１３
は、たとえば導電型決定不純物原子としてリンがドープ
されたｎ型シリコン系薄膜からなる。ただし、不純物原
子は特に限定されず、ｎ型層では窒素などでもよい。ま
た、逆導電型層１１３の半導体材料としては、多結晶シ
リコンもしくは部分的に非晶質を含む微結晶シリコンま
たはシリコンカーバイドやシリコンゲルマニウムなどの
合金材料を用いることができる。
【００２４】ここで、透明電極２の表面が実質的に平坦
である場合でも、その上に堆積される光電変換ユニット
１１の表面は微細な凹凸を含む表面テクスチャ構造を示
す。また、透明電極２の表面が凹凸を含む表面テクスチ
ャ構造を有する場合、光電変換ユニット１１の表面は、
透明電極２の表面に比べて、テクスチャ構造における凹
凸のピッチが小さくなる。これは、光電変換ユニット１
１を構成する結晶質シリコン系光電変換層１１２の堆積
時に結晶配向に基づいてテクスチャ構造が生じることに
よる。このため光電変換ユニット１１の表面は広範囲の
波長領域の光を反射させるのに適した微細な表面凹凸テ
クスチャ構造となり、光電変換装置における光閉じ込め
効果も大きくなる。
である場合でも、その上に堆積される光電変換ユニット
１１の表面は微細な凹凸を含む表面テクスチャ構造を示
す。また、透明電極２の表面が凹凸を含む表面テクスチ
ャ構造を有する場合、光電変換ユニット１１の表面は、
透明電極２の表面に比べて、テクスチャ構造における凹
凸のピッチが小さくなる。これは、光電変換ユニット１
１を構成する結晶質シリコン系光電変換層１１２の堆積
時に結晶配向に基づいてテクスチャ構造が生じることに
よる。このため光電変換ユニット１１の表面は広範囲の
波長領域の光を反射させるのに適した微細な表面凹凸テ
クスチャ構造となり、光電変換装置における光閉じ込め
効果も大きくなる。
【００２５】光電変換ユニット１１上には透明導電性酸
化膜１２１と光反射性金属電極１２２とを含む裏面電極
１２が形成される。透明導電性酸化膜１２１は、必要に
応じて形成されるが、光電変換ユニット１１と光反射性
金属電極１２２との付着性を高め、光反射性金属電極１
２２の反射効率を高め、光電変換ユニット１１を化学変
化から防止する機能を有する。
化膜１２１と光反射性金属電極１２２とを含む裏面電極
１２が形成される。透明導電性酸化膜１２１は、必要に
応じて形成されるが、光電変換ユニット１１と光反射性
金属電極１２２との付着性を高め、光反射性金属電極１
２２の反射効率を高め、光電変換ユニット１１を化学変
化から防止する機能を有する。
【００２６】透明導電性酸化膜１２１は、ＩＴＯ、Ｓｎ
Ｏ2、ＺｎＯなどから選択される少なくとも１種で形成
することが好ましく、ＺｎＯを主成分とする膜が特に好
ましい。光電変換ユニット１１に隣接する透明導電性酸
化膜１２１の平均結晶粒径は１００ｎｍ以上であること
が好ましい。この条件を満たすためには、下地温度を１
００〜４５０℃に設定して透明導電性酸化膜１２１を形
成することが望ましい。なお、ＺｎＯを主成分とする透
明導電性酸化膜１２１の膜厚は５０ｎｍ〜１μｍである
ことが好ましく、比抵抗は１．５×１０-3Ωｃｍ以下で
あることが好ましい。
Ｏ2、ＺｎＯなどから選択される少なくとも１種で形成
することが好ましく、ＺｎＯを主成分とする膜が特に好
ましい。光電変換ユニット１１に隣接する透明導電性酸
化膜１２１の平均結晶粒径は１００ｎｍ以上であること
が好ましい。この条件を満たすためには、下地温度を１
００〜４５０℃に設定して透明導電性酸化膜１２１を形
成することが望ましい。なお、ＺｎＯを主成分とする透
明導電性酸化膜１２１の膜厚は５０ｎｍ〜１μｍである
ことが好ましく、比抵抗は１．５×１０-3Ωｃｍ以下で
あることが好ましい。
【００２７】光反射性金属電極１２２は真空蒸着または
スパッタなどの方法によって形成することができる。光
反射性金属電極１２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕおよ
びＰｔから選択される１種、またはこれらを含む合金で
形成することが好ましい。たとえば、光反射性の高いＡ
ｇを１００〜３３０℃、より好ましくは２００〜３００
℃の温度で真空蒸着によって形成することが好ましい。
スパッタなどの方法によって形成することができる。光
反射性金属電極１２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕおよ
びＰｔから選択される１種、またはこれらを含む合金で
形成することが好ましい。たとえば、光反射性の高いＡ
ｇを１００〜３３０℃、より好ましくは２００〜３００
℃の温度で真空蒸着によって形成することが好ましい。
【００２８】次に、図２に示す断面図を参照して、本発
明に係るタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置を説明
する。このタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置は、
基板１上に、透明電極２と、微結晶または非晶質シリコ
ン系の一導電型層２１１、実質的に真正半導体である非
晶質シリコン系光電変換層２１２および微結晶または非
晶質シリコン系の逆導電型層２１３を含む前方光電変換
ユニット２１と、図１の光電変換ユニット１１に対応す
る一導電型層２２１、結晶質シリコン系光電変換層２２
２および逆導電型層２２３を含む後方光電変換ユニット
２２と、透明導電性酸化膜２３１および光反射性金属電
極２３２を含む裏面電極２３とを順次積層した構造を有
する。前方光電変換ユニット２１および後方光電変換ユ
ニット２２を構成する各層は、いずれもプラズマＣＶＤ
法により形成される。
明に係るタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置を説明
する。このタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置は、
基板１上に、透明電極２と、微結晶または非晶質シリコ
ン系の一導電型層２１１、実質的に真正半導体である非
晶質シリコン系光電変換層２１２および微結晶または非
晶質シリコン系の逆導電型層２１３を含む前方光電変換
ユニット２１と、図１の光電変換ユニット１１に対応す
る一導電型層２２１、結晶質シリコン系光電変換層２２
２および逆導電型層２２３を含む後方光電変換ユニット
２２と、透明導電性酸化膜２３１および光反射性金属電
極２３２を含む裏面電極２３とを順次積層した構造を有
する。前方光電変換ユニット２１および後方光電変換ユ
ニット２２を構成する各層は、いずれもプラズマＣＶＤ
法により形成される。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００３０】（実施例１）以下のようにして図１に示す
シリコン系薄膜光電変換装置を作製した。まずガラス基
板１上にＺｎＯからなる透明電極２を形成した。この透
明電極２は、ＭＯＣＶＤ法により、下地温度を１５０℃
に設定し、原料ガスであるジエチルジンクＺｎ（Ｃ
2Ｈ5）2と酸化剤であるＨ2Ｏの流量比を２：３にすると
ともにドーパントガスとして１％のジボランを供給し、
反応室内圧力５ＴｏｒｒでＺｎＯを成膜することにより
形成した。この条件で成膜されたＺｎＯからなる透明電
極２の厚さは１．５μｍであり、その表面の凹凸の平均
高低差は１８０ｎｍであった。
シリコン系薄膜光電変換装置を作製した。まずガラス基
板１上にＺｎＯからなる透明電極２を形成した。この透
明電極２は、ＭＯＣＶＤ法により、下地温度を１５０℃
に設定し、原料ガスであるジエチルジンクＺｎ（Ｃ
2Ｈ5）2と酸化剤であるＨ2Ｏの流量比を２：３にすると
ともにドーパントガスとして１％のジボランを供給し、
反応室内圧力５ＴｏｒｒでＺｎＯを成膜することにより
形成した。この条件で成膜されたＺｎＯからなる透明電
極２の厚さは１．５μｍであり、その表面の凹凸の平均
高低差は１８０ｎｍであった。
【００３１】次に、プラズマＣＶＤ法により、厚さ１０
ｎｍのボロンドープの一導電型層（ｐ型層）１１１、厚
さ３μｍのノンドープの多結晶シリコン系光電変換層
（ｉ型層）１１２、および厚さ１５ｎｍのリンドープの
逆導電型層（ｎ型層）１１３を成膜してｐ−ｉ−ｎ接合
の多結晶シリコン系光電変換ユニット１１を形成した。
ｎｍのボロンドープの一導電型層（ｐ型層）１１１、厚
さ３μｍのノンドープの多結晶シリコン系光電変換層
（ｉ型層）１１２、および厚さ１５ｎｍのリンドープの
逆導電型層（ｎ型層）１１３を成膜してｐ−ｉ−ｎ接合
の多結晶シリコン系光電変換ユニット１１を形成した。
【００３２】次いで、それぞれスパッタ法により、Ｚｎ
Ｏからなる厚さ１００ｎｍの透明導電性酸化膜１２１、
およびＡｇからなる厚さ３００ｎｍの光反射性金属電極
１２２を成膜して、裏面電極１２を形成した。
Ｏからなる厚さ１００ｎｍの透明導電性酸化膜１２１、
およびＡｇからなる厚さ３００ｎｍの光反射性金属電極
１２２を成膜して、裏面電極１２を形成した。
【００３３】得られたシリコン系薄膜光電変換装置に、
ＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ 2の光量で入射して
出力特性を測定したところ、光電変換効率は７．８％、
短絡電流密度は２５．３ｍＡ／ｃｍ2であった。
ＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ 2の光量で入射して
出力特性を測定したところ、光電変換効率は７．８％、
短絡電流密度は２５．３ｍＡ／ｃｍ2であった。
【００３４】（実施例２）以下のようにして図２に示す
タンデム型シリコン系薄膜光電変換装置を作製した。ま
ずガラス基板１上に、実施例１と同一の条件で、ＺｎＯ
からなる透明電極２を形成した。次に、プラズマＣＶＤ
法により、ボロンドープの一導電型層（ｐ型層）２１
１、ノンドープの非晶質シリコン系光電変換層（ｉ型
層）２１２、およびリンドープの逆導電型層（ｎ型層）
２１３を成膜してｐ−ｉ−ｎ接合の非晶質シリコン系の
前方光電変換ユニット２１を形成した。また、実施例１
と同様にして、プラズマＣＶＤ法により、ボロンドープ
の一導電型層（ｐ型層）２２１、ノンドープの多結晶シ
リコン系光電変換層（ｉ型層）２２２、およびリンドー
プの逆導電型層（ｎ型層）２２３を成膜してｐ−ｉ−ｎ
接合の多結晶シリコン系の後方光電変換ユニット２２を
形成した。
タンデム型シリコン系薄膜光電変換装置を作製した。ま
ずガラス基板１上に、実施例１と同一の条件で、ＺｎＯ
からなる透明電極２を形成した。次に、プラズマＣＶＤ
法により、ボロンドープの一導電型層（ｐ型層）２１
１、ノンドープの非晶質シリコン系光電変換層（ｉ型
層）２１２、およびリンドープの逆導電型層（ｎ型層）
２１３を成膜してｐ−ｉ−ｎ接合の非晶質シリコン系の
前方光電変換ユニット２１を形成した。また、実施例１
と同様にして、プラズマＣＶＤ法により、ボロンドープ
の一導電型層（ｐ型層）２２１、ノンドープの多結晶シ
リコン系光電変換層（ｉ型層）２２２、およびリンドー
プの逆導電型層（ｎ型層）２２３を成膜してｐ−ｉ−ｎ
接合の多結晶シリコン系の後方光電変換ユニット２２を
形成した。
【００３５】次いで、それぞれスパッタ法により、Ｚｎ
Ｏからなる厚さ１００ｎｍの透明導電性酸化膜２３１、
およびＡｇからなる厚さ３００ｎｍの光反射性金属電極
２３２を成膜して、裏面電極２３を形成した。
Ｏからなる厚さ１００ｎｍの透明導電性酸化膜２３１、
およびＡｇからなる厚さ３００ｎｍの光反射性金属電極
２３２を成膜して、裏面電極２３を形成した。
【００３６】得られたタンデム型シリコン系薄膜光電変
換装置に、ＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2の光量
で入射して出力特性を測定したところ、光電変換効率は
１３．３％であった。
換装置に、ＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ2の光量
で入射して出力特性を測定したところ、光電変換効率は
１３．３％であった。
【００３７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の方法を用い
れば、基板上に表面凹凸構造の制御された透明電極を形
成することができ、製造されるシリコン系薄膜光電変換
装置の効率を改善できる。
れば、基板上に表面凹凸構造の制御された透明電極を形
成することができ、製造されるシリコン系薄膜光電変換
装置の効率を改善できる。
【図１】本発明に係るシリコン系薄膜光電変換装置の一
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図２】本発明に係るタンデム型シリコン系薄膜光電変
換装置の一例を示す断面図。
換装置の一例を示す断面図。
１…基板 ２…透明電極 １１…光電変換ユニット １１１…一導電型層、１１２…結晶質シリコン系光電変
換層、１１３…逆導電型層 １２…裏面電極 １２１…透明導電性酸化膜、１２２…光反射性金属電極 ２１…前方光電変換ユニット ２１１…一導電型層、２１２…非晶質シリコン系光電変
換層、２１３…逆導電型層 ２２…後方光電変換ユニット ２２１…一導電型層、２２２…結晶質シリコン系光電変
換層、２２３…逆導電型層 ２３…裏面電極 ２３１…透明導電性酸化膜、２３２…光反射性金属電極
換層、１１３…逆導電型層 １２…裏面電極 １２１…透明導電性酸化膜、１２２…光反射性金属電極 ２１…前方光電変換ユニット ２１１…一導電型層、２１２…非晶質シリコン系光電変
換層、２１３…逆導電型層 ２２…後方光電変換ユニット ２２１…一導電型層、２２２…結晶質シリコン系光電変
換層、２２３…逆導電型層 ２３…裏面電極 ２３１…透明導電性酸化膜、２３２…光反射性金属電極
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、透明電極と、一導電型層、実
質的に真性半導体の多結晶シリコン系光電変換層および
逆導電型層を含む多結晶シリコン系薄膜光電変換ユニッ
トと、光反射性金属電極を含む裏面電極とを順次形成し
たシリコン系薄膜光電変換装置を製造するにあたり、 前記透明電極を、下地温度が２００℃以下の条件でＭＯ
ＣＶＤ法により形成することを特徴とするシリコン系薄
膜光電変換装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記透明電極は、平均膜厚が０．３〜３
μｍ、表面凹凸の平均高低差が５０〜５００ｎｍである
ＺｎＯからなることを特徴とする請求項１記載のシリコ
ン系薄膜光電変換装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記一導電型層、結晶質シリコン系光電
変換層および逆導電型層を含む光電変換ユニットに加え
て、一導電型層、非晶質シリコン系光電変換層および逆
導電型層を含む光電変換ユニットが積層されたタンデム
型であることを特徴とする請求項１または２記載のシリ
コン系薄膜光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11050590A JP2000252501A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11050590A JP2000252501A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252501A true JP2000252501A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12863197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11050590A Pending JP2000252501A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000252501A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311704A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換装置用基板及びそれを用いた薄膜光電変換装置 |
| JP2006269931A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2009071034A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置及びその製造方法 |
| JP2009267222A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置用透明導電膜付き基板の製造方法 |
| US7781668B2 (en) | 2004-03-25 | 2010-08-24 | Kaneka Corporation | Substrate for thin-film solar cell, method for producing the same, and thin-film solar cell employing it |
| WO2011002086A1 (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 |
| JP5156641B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2013-03-06 | 株式会社カネカ | 光電変換装置用透明導電膜付基板及び光電変換装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP11050590A patent/JP2000252501A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311704A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換装置用基板及びそれを用いた薄膜光電変換装置 |
| US7781668B2 (en) | 2004-03-25 | 2010-08-24 | Kaneka Corporation | Substrate for thin-film solar cell, method for producing the same, and thin-film solar cell employing it |
| JP2012028827A (ja) * | 2004-03-25 | 2012-02-09 | Kaneka Corp | 薄膜太陽電池用基板および薄膜太陽電池の製造方法 |
| JP2006269931A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP5156641B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2013-03-06 | 株式会社カネカ | 光電変換装置用透明導電膜付基板及び光電変換装置の製造方法 |
| JP2009071034A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置及びその製造方法 |
| JP2009267222A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置用透明導電膜付き基板の製造方法 |
| WO2011002086A1 (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 |
| US8546685B2 (en) | 2009-07-03 | 2013-10-01 | Kaneka Corporation | Crystalline silicon based solar cell and method for manufacturing thereof |
| JP5514207B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2014-06-04 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3056200B1 (ja) | 薄膜光電変換装置の製造方法 | |
| JP2908067B2 (ja) | 太陽電池用基板および太陽電池 | |
| JP4222500B2 (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置 | |
| EP1100130B3 (en) | Silicon-base thin-film photoelectric device | |
| EP0940857B1 (en) | Thin film photoelectric transducer | |
| WO2003065462A1 (en) | Tandem thin-film photoelectric transducer and its manufacturing method | |
| JP2000252500A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置 | |
| JP5093503B2 (ja) | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池用表面電極 | |
| JP5243697B2 (ja) | 光電変換装置用透明導電膜とその製造方法 | |
| JP2962897B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2000261011A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置 | |
| JP5291633B2 (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP2000058892A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置 | |
| JP2000252501A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 | |
| JP2846508B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JP5056651B2 (ja) | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池用表面電極 | |
| JP5093502B2 (ja) | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池用表面電極 | |
| JP3762086B2 (ja) | タンデム型シリコン系薄膜光電変換装置 | |
| JP2000252504A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP2000232234A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置 | |
| JP2003008036A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2001015780A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置用裏面電極、およびそれを備えたシリコン系薄膜光電変換装置 | |
| JP2000269529A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置 | |
| JPH10294482A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置 | |
| JP2000252497A (ja) | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060206 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090217 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090217 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090623 |