JP2000243873A - 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板、コア基板本体、コンデンサ、及びこれらの製造方法 - Google Patents
配線基板、コンデンサ内蔵コア基板、コア基板本体、コンデンサ、及びこれらの製造方法Info
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ノイズを確実に除去でき、しかも、コンデンサ
に接続される配線のインダクタンスを低くでき、かつ、
コンデンサに不具合を生じても損失金額が少なく、安価
で、大きな静電容量のコンデンサを内蔵可能な配線基板
を提供する。 【解決手段】配線基板１００は、コア基板本体１０に形
成された凹部１１にコンデンサ２０を内蔵し、さらに、
その上下に樹脂絶縁層４１〜４３，５１〜５３及び配線
層４５，４６，５５，５６を備える。コンデンサは、パ
ッド２１，２２で上下に接続可能となっており、パッド
が接続された底部スルーホール導体１２が配線層４５，
５５と接続することで、フリップチップパッド１０１や
ＬＧＡパッド１０３と多数の上部コンデンサ接続配線６
０や下部コンデンサ接続配線７０で接続している。これ
により、コンデンサをＩＣチップ１のすぐ近くに配置で
きる。しかも、多数のコンデンサ接続配線で並列して接
続されている。
に接続される配線のインダクタンスを低くでき、かつ、
コンデンサに不具合を生じても損失金額が少なく、安価
で、大きな静電容量のコンデンサを内蔵可能な配線基板
を提供する。 【解決手段】配線基板１００は、コア基板本体１０に形
成された凹部１１にコンデンサ２０を内蔵し、さらに、
その上下に樹脂絶縁層４１〜４３，５１〜５３及び配線
層４５，４６，５５，５６を備える。コンデンサは、パ
ッド２１，２２で上下に接続可能となっており、パッド
が接続された底部スルーホール導体１２が配線層４５，
５５と接続することで、フリップチップパッド１０１や
ＬＧＡパッド１０３と多数の上部コンデンサ接続配線６
０や下部コンデンサ接続配線７０で接続している。これ
により、コンデンサをＩＣチップ１のすぐ近くに配置で
きる。しかも、多数のコンデンサ接続配線で並列して接
続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサを備え
る配線基板、さらに詳しくは、コンデンサをコア基板に
内蔵しその上下に樹脂絶縁層及び配線層を積層した、ノ
イズを確実に除去できる配線基板に関する。また、この
配線基板を製造するためのコンデンサ内蔵コア基板、コ
ンデンサを内蔵するためのコア基板本体、コンデンサ、
及びこれらの製造方法に関する。
る配線基板、さらに詳しくは、コンデンサをコア基板に
内蔵しその上下に樹脂絶縁層及び配線層を積層した、ノ
イズを確実に除去できる配線基板に関する。また、この
配線基板を製造するためのコンデンサ内蔵コア基板、コ
ンデンサを内蔵するためのコア基板本体、コンデンサ、
及びこれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路技術の進歩によりますますＩＣ
チップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源
配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすこと
がある。そこでノイズ除去のため、例えば図１１に示す
ように、ＩＣチップ１を搭載する配線基板２の上面２Ａ
あるいは下面２Ｂに、別途、チップコンデンサ３を搭載
し、コンデンサ３の２つの電極とそれぞれ接続するコン
デンサ接続配線４を配線基板２の内部に設ける。これに
より、コンデンサ接続配線４及びフリップチップパッド
５を経由してチップコンデンサ３をＩＣチップ１に接続
することが行われている。
チップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源
配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすこと
がある。そこでノイズ除去のため、例えば図１１に示す
ように、ＩＣチップ１を搭載する配線基板２の上面２Ａ
あるいは下面２Ｂに、別途、チップコンデンサ３を搭載
し、コンデンサ３の２つの電極とそれぞれ接続するコン
デンサ接続配線４を配線基板２の内部に設ける。これに
より、コンデンサ接続配線４及びフリップチップパッド
５を経由してチップコンデンサ３をＩＣチップ１に接続
することが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
手法では、配線基板２の完成後に、別途チップコンデン
サ３を搭載する必要があるため、工数がかかりコストア
ップとなる。また、チップコンデンサの接続の良否によ
り配線基板全体の良否に影響が出るなどチップコンデン
サ３の接続信頼性に依存して配線基板の信頼性が低下す
る場合がある。また、チップコンデンサ３を搭載する領
域を予め確保しておく必要があり、他の電子部品の搭載
や配線基板の補強のための補強部材の固着の自由度を低
下させる。さらに、他の配線等に制限されて、ＩＣチッ
プ１とチップコンデンサ３とを結ぶコンデンサ接続配線
４の長さが長く、また細くなりやすいため、コンデンサ
接続配線４自身の持つ抵抗やインダクタンスが大きくな
りがちで、低抵抗、低インダクタンスの要請に十分に応
えられない。
手法では、配線基板２の完成後に、別途チップコンデン
サ３を搭載する必要があるため、工数がかかりコストア
ップとなる。また、チップコンデンサの接続の良否によ
り配線基板全体の良否に影響が出るなどチップコンデン
サ３の接続信頼性に依存して配線基板の信頼性が低下す
る場合がある。また、チップコンデンサ３を搭載する領
域を予め確保しておく必要があり、他の電子部品の搭載
や配線基板の補強のための補強部材の固着の自由度を低
下させる。さらに、他の配線等に制限されて、ＩＣチッ
プ１とチップコンデンサ３とを結ぶコンデンサ接続配線
４の長さが長く、また細くなりやすいため、コンデンサ
接続配線４自身の持つ抵抗やインダクタンスが大きくな
りがちで、低抵抗、低インダクタンスの要請に十分に応
えられない。
【０００４】そこで、配線基板のうち、コア基板の上下
に形成する樹脂絶縁層及び配線層の一部を、樹脂絶縁層
を誘電体層として対向する配線層（電極層）で挟んだコ
ンデンサ構造に形成し、コンデンサを内蔵させることが
考えられる。しかし、コンデンサがショートや絶縁抵抗
不良などにより不具合となった場合に、付加価値の付い
た配線基板全体を廃棄することになるため、損失金額が
大きくなって、結局配線基板を安価に製造することが困
難である。また、樹脂絶縁層の比誘電率は、高誘電率セ
ラミック粉末等を混入したとしても、一般に高々４０〜
５０程度と見込まれるので、内蔵させるコンデンサの静
電容量を十分大きくすることも困難である。
に形成する樹脂絶縁層及び配線層の一部を、樹脂絶縁層
を誘電体層として対向する配線層（電極層）で挟んだコ
ンデンサ構造に形成し、コンデンサを内蔵させることが
考えられる。しかし、コンデンサがショートや絶縁抵抗
不良などにより不具合となった場合に、付加価値の付い
た配線基板全体を廃棄することになるため、損失金額が
大きくなって、結局配線基板を安価に製造することが困
難である。また、樹脂絶縁層の比誘電率は、高誘電率セ
ラミック粉末等を混入したとしても、一般に高々４０〜
５０程度と見込まれるので、内蔵させるコンデンサの静
電容量を十分大きくすることも困難である。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、コンデンサを内蔵することにより、ノイズ
を確実に除去でき、しかも、コンデンサに接続される配
線の抵抗やインダクタンスを低くできる配線基板、さら
には、コンデンサに不具合を生じても損失金額が少な
く、安価で、大きな静電容量のコンデンサを内蔵可能な
配線基板を提供することを目的とする。また、このよう
なコンデンサを内蔵した配線基板を製造するためのコン
デンサ内蔵コア基板、コンデンサを内蔵するためのコア
基板本体、コンデンサ、及びこれらの製造方法を提供す
ることを目的とする。
のであって、コンデンサを内蔵することにより、ノイズ
を確実に除去でき、しかも、コンデンサに接続される配
線の抵抗やインダクタンスを低くできる配線基板、さら
には、コンデンサに不具合を生じても損失金額が少な
く、安価で、大きな静電容量のコンデンサを内蔵可能な
配線基板を提供することを目的とする。また、このよう
なコンデンサを内蔵した配線基板を製造するためのコン
デンサ内蔵コア基板、コンデンサを内蔵するためのコア
基板本体、コンデンサ、及びこれらの製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】そしてそ
の解決手段は、配線基板上面と配線基板下面とを有し、
上記配線基板上面にＩＣチップを接続するための複数の
ＩＣ接続端子を、上記配線基板下面に複数の接続端子を
備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、コア基
板本体上面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面
側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、上記凹部の
底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア
基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、
及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間
を貫通して形成された複数のコアスルーホール導体、を
備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデンサ下
面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コ
ンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群
のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通す
る複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極また
は電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの
少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及
び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極ま
たは電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれ
ぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対
の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッ
ドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パ
ッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹
部内に内蔵、固定され、上記複数の下面接続パッドが対
応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通
された上記コンデンサと、上記コア基板本体上面及び上
記コンデンサ上面の上方に積層された１または複数の上
部樹脂絶縁層と、上記コア基板本体下面の下方に積層さ
れた１または複数の下部樹脂絶縁層と、上記上部樹脂絶
縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上
面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コンデン
サの複数の上面接続パッドとをそれぞれ接続する複数の
上部コンデンサ接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通
あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下面に延
出した底部スルーホール導体とこれに対応する上記配線
基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の
下部コンデンサ接続配線と、上記上部樹脂絶縁層を貫通
あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数の
ＩＣ接続端子とこれに対応する上記コア基板本体上面の
複数のコアスルーホール導体とをそれぞれ接続する複数
の上部コア接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通ある
いはその層間を通って、上記コア基板本体下面のコアス
ルーホール導体とこれに対応する上記配線基板下面の複
数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コア接続
配線と、を備えることを特徴とする配線基板である。
の解決手段は、配線基板上面と配線基板下面とを有し、
上記配線基板上面にＩＣチップを接続するための複数の
ＩＣ接続端子を、上記配線基板下面に複数の接続端子を
備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、コア基
板本体上面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面
側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、上記凹部の
底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア
基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、
及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間
を貫通して形成された複数のコアスルーホール導体、を
備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデンサ下
面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コ
ンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群
のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通す
る複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極また
は電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの
少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及
び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極ま
たは電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれ
ぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対
の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッ
ドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パ
ッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹
部内に内蔵、固定され、上記複数の下面接続パッドが対
応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通
された上記コンデンサと、上記コア基板本体上面及び上
記コンデンサ上面の上方に積層された１または複数の上
部樹脂絶縁層と、上記コア基板本体下面の下方に積層さ
れた１または複数の下部樹脂絶縁層と、上記上部樹脂絶
縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上
面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コンデン
サの複数の上面接続パッドとをそれぞれ接続する複数の
上部コンデンサ接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通
あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下面に延
出した底部スルーホール導体とこれに対応する上記配線
基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の
下部コンデンサ接続配線と、上記上部樹脂絶縁層を貫通
あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数の
ＩＣ接続端子とこれに対応する上記コア基板本体上面の
複数のコアスルーホール導体とをそれぞれ接続する複数
の上部コア接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通ある
いはその層間を通って、上記コア基板本体下面のコアス
ルーホール導体とこれに対応する上記配線基板下面の複
数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コア接続
配線と、を備えることを特徴とする配線基板である。
【０００７】本発明の配線基板は、コア基板本体にコン
デンサ内蔵用凹部を形成し、その中にコンデンサを内蔵
し、上部樹脂絶縁層及び下部樹脂絶縁層を形成し、フリ
ップチップパッド等のＩＣ接続端子と上面接続パッドと
を上部コンデンサ接続配線で、底部スルーホール導体と
接続端子とを下部コンデンサ接続配線で結んでいる。さ
らに、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接
続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにして
いる。また下面接続パッドも同様にされている。このた
め、コンデンサの両極をコンデンサの上方及び下方に取
り出すことができる。したがって、上面接続パッドから
上部コンデンサ接続配線を通じてＩＣ接続端子、さらに
はＩＣチップに、コンデンサの両極を接続することがで
きる。同様に、下面接続パッドから底部スルーホール導
体、下部コンデンサ接続配線を通じて接続端子にコンデ
ンサの両極を接続することができる。このため、ＩＣチ
ップと接続するＩＣ接続端子、あるいはマザーボード等
の他の配線基板の電源配線や接地配線と接続させる接続
端子等からごく近い距離にコンデンサを配置することが
できる。したがって、上部コンデンサ接続配線も下部コ
ンデンサ接続配線もごく短く形成することができる。
デンサ内蔵用凹部を形成し、その中にコンデンサを内蔵
し、上部樹脂絶縁層及び下部樹脂絶縁層を形成し、フリ
ップチップパッド等のＩＣ接続端子と上面接続パッドと
を上部コンデンサ接続配線で、底部スルーホール導体と
接続端子とを下部コンデンサ接続配線で結んでいる。さ
らに、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接
続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにして
いる。また下面接続パッドも同様にされている。このた
め、コンデンサの両極をコンデンサの上方及び下方に取
り出すことができる。したがって、上面接続パッドから
上部コンデンサ接続配線を通じてＩＣ接続端子、さらに
はＩＣチップに、コンデンサの両極を接続することがで
きる。同様に、下面接続パッドから底部スルーホール導
体、下部コンデンサ接続配線を通じて接続端子にコンデ
ンサの両極を接続することができる。このため、ＩＣチ
ップと接続するＩＣ接続端子、あるいはマザーボード等
の他の配線基板の電源配線や接地配線と接続させる接続
端子等からごく近い距離にコンデンサを配置することが
できる。したがって、上部コンデンサ接続配線も下部コ
ンデンサ接続配線もごく短く形成することができる。
【０００８】さらに、通常ＩＣチップにおいて、電源電
位や接地電位は各所に必要となるので、ときにはＩＣチ
ップに形成される接続端子（接続パッドや接続バンプ）
群の半数近くの数とされるほど電源端子や接地端子はそ
れぞれ多数形成される。これに対し、このコンデンサ上
面及びコンデンサ下面には、複数の上面接続パッド及び
下面接続パッドを備える。したがって、ＩＣチップの電
源端子や接地端子に対応させて多数の上面接続パッドを
形成し、これらをそれぞれ結ぶように上部コンデンサ接
続配線を多数並列に形成すれば、上部コンデンサ接続配
線の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下
させることができることになる。同様に、下面接続パッ
ドに対応する底部スルーホール導体と配線基板下面の各
接続端子とを並列に接続する下部コンデンサ接続配線に
関しても、同様にインダクタンスや抵抗を全体としてさ
らに低下させることができる。つまり、上部コンデンサ
接続配線も下部コンデンサ接続配線も、その長さを短く
できしかもその本数を多くできるため、抵抗やインダク
タンスを低くすることができ、コンデンサによってノイ
ズを有効、確実に除去することができる。
位や接地電位は各所に必要となるので、ときにはＩＣチ
ップに形成される接続端子（接続パッドや接続バンプ）
群の半数近くの数とされるほど電源端子や接地端子はそ
れぞれ多数形成される。これに対し、このコンデンサ上
面及びコンデンサ下面には、複数の上面接続パッド及び
下面接続パッドを備える。したがって、ＩＣチップの電
源端子や接地端子に対応させて多数の上面接続パッドを
形成し、これらをそれぞれ結ぶように上部コンデンサ接
続配線を多数並列に形成すれば、上部コンデンサ接続配
線の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下
させることができることになる。同様に、下面接続パッ
ドに対応する底部スルーホール導体と配線基板下面の各
接続端子とを並列に接続する下部コンデンサ接続配線に
関しても、同様にインダクタンスや抵抗を全体としてさ
らに低下させることができる。つまり、上部コンデンサ
接続配線も下部コンデンサ接続配線も、その長さを短く
できしかもその本数を多くできるため、抵抗やインダク
タンスを低くすることができ、コンデンサによってノイ
ズを有効、確実に除去することができる。
【０００９】しかも、配線基板内にコンデンサを内蔵し
ているので、後からコンデンサを取り付ける必要が無
く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるた
め、安価な配線基板とすることができる。また、他の電
子部品等の搭載や補強板の固着などの自由度も高い。さ
らに、コア基板本体に形成したコンデンサ内蔵用凹部に
コンデンサを内蔵しているので、上部樹脂絶縁層や下部
樹脂絶縁層あるいは上部コンデンサ接続配線、下部コン
デンサ接続配線、上部コア接続配線、及び下部コア接続
配線は、いずれも公知の樹脂絶縁層や配線層の製法を用
いて形成することができる点でも安価にできる。また、
内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択できるの
で、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコン
デンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層
向上させることができる。
ているので、後からコンデンサを取り付ける必要が無
く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるた
め、安価な配線基板とすることができる。また、他の電
子部品等の搭載や補強板の固着などの自由度も高い。さ
らに、コア基板本体に形成したコンデンサ内蔵用凹部に
コンデンサを内蔵しているので、上部樹脂絶縁層や下部
樹脂絶縁層あるいは上部コンデンサ接続配線、下部コン
デンサ接続配線、上部コア接続配線、及び下部コア接続
配線は、いずれも公知の樹脂絶縁層や配線層の製法を用
いて形成することができる点でも安価にできる。また、
内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択できるの
で、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコン
デンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層
向上させることができる。
【００１０】なお特に、前記複数のＩＣ接続端子のうち
少なくとも一部が、前記コンデンサの上方に位置するこ
とを特徴とする配線基板とするのが好ましい。フリップ
チップパッド等のＩＣ接続端子がコンデンサの上方に位
置すると、ＩＣ接続端子とコンデンサの上面接続パッド
とを結ぶ上部コンデンサ接続配線の長さを特に短くする
ことができる。したがって、上部コンデンサ接続配線の
持つインダクタンスや抵抗をさらに低く抑えることがで
きるので、ノイズ除去能力をさらに向上させることがで
きる。
少なくとも一部が、前記コンデンサの上方に位置するこ
とを特徴とする配線基板とするのが好ましい。フリップ
チップパッド等のＩＣ接続端子がコンデンサの上方に位
置すると、ＩＣ接続端子とコンデンサの上面接続パッド
とを結ぶ上部コンデンサ接続配線の長さを特に短くする
ことができる。したがって、上部コンデンサ接続配線の
持つインダクタンスや抵抗をさらに低く抑えることがで
きるので、ノイズ除去能力をさらに向上させることがで
きる。
【００１１】また他の解決手段は、配線基板上面と配線
基板下面とを有し、上記配線基板上面にＩＣチップを接
続するための複数のＩＣ接続端子を、上記配線基板下面
に複数の接続端子を備え、コンデンサを内蔵する配線基
板であって、コア基板本体上面、コア基板本体下面、上
記コア基板本体下面側に開口する有底のコンデンサ内蔵
用凹部、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体上
面まで貫通してコア基板本体上面に延出する複数の底部
スルーホール導体、及び、上記コア基板本体上面とコア
基板本体下面との間を貫通して形成されたコアスルーホ
ール導体、を備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、
コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電
極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極
または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそ
れぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一
対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パ
ッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続
パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一
対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電
極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであっ
て、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の
下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数
の下面接続パッド、を備え、上記コア基板本体のコンデ
ンサ内蔵用凹部内に内蔵、固定され、上記複数の上面接
続パッドが対応する上記複数の底部スルーホール導体に
それぞれ導通された上記コンデンサと、上記コア基板本
体上面の上方に積層された１または複数の上部樹脂絶縁
層と、上記コア基板本体下面及び上記コンデンサ下面の
下方に積層された１または複数の下部樹脂絶縁層と、上
記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上
記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応し上
記コア基板本体上面に延出した複数の底部スルーホール
導体とをそれぞれ接続する複数の上部コンデンサ接続配
線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通
って、上記コンデンサの下面接続パッドとこれに対応す
る上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続
する複数の下部コンデンサ接続配線と、上記上部樹脂絶
縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上
面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コア基板
本体上面の複数のコアスルーホール導体とをそれぞれ接
続する複数の上部コア接続配線と、上記下部樹脂絶縁層
を貫通あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下
面のコアスルーホール導体と対応する上記配線基板下面
の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コア
接続配線と、を備えることを特徴とする配線基板であ
る。
基板下面とを有し、上記配線基板上面にＩＣチップを接
続するための複数のＩＣ接続端子を、上記配線基板下面
に複数の接続端子を備え、コンデンサを内蔵する配線基
板であって、コア基板本体上面、コア基板本体下面、上
記コア基板本体下面側に開口する有底のコンデンサ内蔵
用凹部、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体上
面まで貫通してコア基板本体上面に延出する複数の底部
スルーホール導体、及び、上記コア基板本体上面とコア
基板本体下面との間を貫通して形成されたコアスルーホ
ール導体、を備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、
コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電
極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極
または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそ
れぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一
対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パ
ッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続
パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一
対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電
極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであっ
て、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の
下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数
の下面接続パッド、を備え、上記コア基板本体のコンデ
ンサ内蔵用凹部内に内蔵、固定され、上記複数の上面接
続パッドが対応する上記複数の底部スルーホール導体に
それぞれ導通された上記コンデンサと、上記コア基板本
体上面の上方に積層された１または複数の上部樹脂絶縁
層と、上記コア基板本体下面及び上記コンデンサ下面の
下方に積層された１または複数の下部樹脂絶縁層と、上
記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上
記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応し上
記コア基板本体上面に延出した複数の底部スルーホール
導体とをそれぞれ接続する複数の上部コンデンサ接続配
線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通
って、上記コンデンサの下面接続パッドとこれに対応す
る上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続
する複数の下部コンデンサ接続配線と、上記上部樹脂絶
縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上
面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コア基板
本体上面の複数のコアスルーホール導体とをそれぞれ接
続する複数の上部コア接続配線と、上記下部樹脂絶縁層
を貫通あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下
面のコアスルーホール導体と対応する上記配線基板下面
の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コア
接続配線と、を備えることを特徴とする配線基板であ
る。
【００１２】本発明の配線基板は、コア基板本体にコン
デンサ内蔵用凹部を形成し、その中にコンデンサを内蔵
し、上部樹脂絶縁層及び下部樹脂絶縁層を形成し、フリ
ップチップパッド等のＩＣ接続端子と底面スルーホール
導体とを上部コンデンサ接続配線で、下面接続パッドと
接続端子とを下部コンデンサ接続配線で結んでいる。さ
らに、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接
続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにして
いる。また下面接続パッドも同様にされている。このた
め、コンデンサの両極をコンデンサの上方及び下方に取
り出すことができる。したがって、上面接続パッドから
底部スルーホール導体、上部コンデンサ接続配線を通じ
てＩＣ接続端子、さらにはＩＣチップに、コンデンサの
両極を接続することができる。同様に、下面接続パッド
から下部コンデンサ接続配線を通じて接続端子にコンデ
ンサの両極を接続することができる。このため、ＩＣチ
ップと接続するＩＣ接続端子、あるいはマザーボード等
の他の配線基板の電源配線や接地配線と接続させる接続
端子等からごく近い距離にコンデンサを配置することが
できる。したがって、上部コンデンサ接続配線も下部コ
ンデンサ接続配線もごく短く形成することができる。
デンサ内蔵用凹部を形成し、その中にコンデンサを内蔵
し、上部樹脂絶縁層及び下部樹脂絶縁層を形成し、フリ
ップチップパッド等のＩＣ接続端子と底面スルーホール
導体とを上部コンデンサ接続配線で、下面接続パッドと
接続端子とを下部コンデンサ接続配線で結んでいる。さ
らに、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接
続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにして
いる。また下面接続パッドも同様にされている。このた
め、コンデンサの両極をコンデンサの上方及び下方に取
り出すことができる。したがって、上面接続パッドから
底部スルーホール導体、上部コンデンサ接続配線を通じ
てＩＣ接続端子、さらにはＩＣチップに、コンデンサの
両極を接続することができる。同様に、下面接続パッド
から下部コンデンサ接続配線を通じて接続端子にコンデ
ンサの両極を接続することができる。このため、ＩＣチ
ップと接続するＩＣ接続端子、あるいはマザーボード等
の他の配線基板の電源配線や接地配線と接続させる接続
端子等からごく近い距離にコンデンサを配置することが
できる。したがって、上部コンデンサ接続配線も下部コ
ンデンサ接続配線もごく短く形成することができる。
【００１３】さらに、上述したように、通常ＩＣチップ
においては、電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成さ
れる。これに対し、このコンデンサ上面及びコンデンサ
下面には、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを
備える。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子
に対応させて多数の底面スルーホール導体及び上面接続
パッドを形成し、これらをそれぞれ結ぶように上部コン
デンサ接続配線を多数並列に形成すれば、上部コンデン
サ接続配線の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさ
らに低下させることができる。同様に、下面接続パッド
と配線基板下面の各接続端子とを並列に接続する下部コ
ンデンサ接続配線に関しても、同様にインダクタンスや
抵抗を全体としてさらに低下させることができる。つま
り、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配線
も、その長さを短くできしかもその本数を多くできるた
め、抵抗やインダクタンスを低くすることができ、コン
デンサによってノイズを有効、確実に除去することがで
きる。
においては、電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成さ
れる。これに対し、このコンデンサ上面及びコンデンサ
下面には、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを
備える。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子
に対応させて多数の底面スルーホール導体及び上面接続
パッドを形成し、これらをそれぞれ結ぶように上部コン
デンサ接続配線を多数並列に形成すれば、上部コンデン
サ接続配線の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさ
らに低下させることができる。同様に、下面接続パッド
と配線基板下面の各接続端子とを並列に接続する下部コ
ンデンサ接続配線に関しても、同様にインダクタンスや
抵抗を全体としてさらに低下させることができる。つま
り、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配線
も、その長さを短くできしかもその本数を多くできるた
め、抵抗やインダクタンスを低くすることができ、コン
デンサによってノイズを有効、確実に除去することがで
きる。
【００１４】しかも、配線基板内にコンデンサを内蔵し
ているので、後からコンデンサを取り付ける必要が無
く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるた
め、安価な配線基板とすることができる。また、他の電
子部品等の搭載や補強板の固着などの自由度も高い。さ
らに、コア基板本体に形成したコンデンサ内蔵用凹部に
コンデンサを内蔵しているので、上部樹脂絶縁層や下部
樹脂絶縁層あるいは上部コンデンサ接続配線、下部コン
デンサ接続配線、上部コア接続配線、及び下部コア接続
配線は、いずれも公知の樹脂絶縁層や配線層の製法を用
いて形成することができる点でも安価にできる。また、
内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択できるの
で、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコン
デンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層
向上させることができる。
ているので、後からコンデンサを取り付ける必要が無
く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるた
め、安価な配線基板とすることができる。また、他の電
子部品等の搭載や補強板の固着などの自由度も高い。さ
らに、コア基板本体に形成したコンデンサ内蔵用凹部に
コンデンサを内蔵しているので、上部樹脂絶縁層や下部
樹脂絶縁層あるいは上部コンデンサ接続配線、下部コン
デンサ接続配線、上部コア接続配線、及び下部コア接続
配線は、いずれも公知の樹脂絶縁層や配線層の製法を用
いて形成することができる点でも安価にできる。また、
内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択できるの
で、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコン
デンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層
向上させることができる。
【００１５】その上、本発明の配線基板では、コンデン
サ内蔵用凹部の底部が上方、即ち、ＩＣ接続端子側とな
るので、コンデンサ内蔵用凹部が開口しないコア基板本
体上面上に上部樹脂絶縁層が形成され、さらにＩＣ接続
端子が形成される。したがって、上部樹脂絶縁層を平坦
にしやすく、さらにはＩＣ接続端子のコプラナリティを
向上させることができ、ＩＣチップとの接続信頼性をよ
り高くすることができる。
サ内蔵用凹部の底部が上方、即ち、ＩＣ接続端子側とな
るので、コンデンサ内蔵用凹部が開口しないコア基板本
体上面上に上部樹脂絶縁層が形成され、さらにＩＣ接続
端子が形成される。したがって、上部樹脂絶縁層を平坦
にしやすく、さらにはＩＣ接続端子のコプラナリティを
向上させることができ、ＩＣチップとの接続信頼性をよ
り高くすることができる。
【００１６】なお特に、前記複数のＩＣ接続端子のうち
少なくとも一部が、前記コンデンサの上方に位置するこ
とを特徴とする配線基板とするのが好ましい。このよう
にすると、フリップチップパッド等のＩＣ接続端子がコ
ンデンサの上方に位置するので、ＩＣ接続端子と底部ス
ルーホール導体とを結ぶ上部コンデンサ接続配線の長さ
を特に短くすることができる。したがって、上部コンデ
ンサ接続配線の持つインダクタンスや抵抗をさらに低く
抑えることができるので、ノイズ除去能力をさらに向上
させることができる。
少なくとも一部が、前記コンデンサの上方に位置するこ
とを特徴とする配線基板とするのが好ましい。このよう
にすると、フリップチップパッド等のＩＣ接続端子がコ
ンデンサの上方に位置するので、ＩＣ接続端子と底部ス
ルーホール導体とを結ぶ上部コンデンサ接続配線の長さ
を特に短くすることができる。したがって、上部コンデ
ンサ接続配線の持つインダクタンスや抵抗をさらに低く
抑えることができるので、ノイズ除去能力をさらに向上
させることができる。
【００１７】さらに他の解決手段は、コア基板本体上
面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面側に開口
する有底のコンデンサ内蔵用凹部、及び、上記凹部の底
部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基
板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、を
備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデンサ下
面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コ
ンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群
のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通す
る複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極また
は電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの
少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及
び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極ま
たは電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれ
ぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対
の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッ
ドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パ
ッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹
部内に内蔵・固定され、上記複数の下面接続パッドが対
応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通
されたコンデンサと、を備えるコンデンサ内蔵コア基板
である。
面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面側に開口
する有底のコンデンサ内蔵用凹部、及び、上記凹部の底
部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基
板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、を
備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデンサ下
面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コ
ンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群
のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通す
る複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極また
は電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの
少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及
び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極ま
たは電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれ
ぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対
の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッ
ドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パ
ッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹
部内に内蔵・固定され、上記複数の下面接続パッドが対
応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通
されたコンデンサと、を備えるコンデンサ内蔵コア基板
である。
【００１８】本発明のコンデンサ内蔵コア基板では、コ
ア基板本体にコンデンサ内蔵用凹部を形成し、その中に
コンデンサを内蔵している。さらに、一対の電極または
電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なく
とも１つと導通するようにしている。また下面接続パッ
ドも同様にされている。このため、コンデンサの両極
を、コンデンサ上面の上面接続パッド及びコア基板本体
下面の底部スルーホール導体を通じて、コア基板の上方
及び下方に取り出すことができる。したがって、このコ
ンデンサ内蔵コア基板を用いれば、公知の樹脂絶縁層や
配線層の形成手法を用いて、容易にコンデンサを内蔵し
た配線基板を形成することができる。また、このように
して配線基板を形成した場合には、配線基板の搭載する
ＩＣチップやマザーボード等の他の配線基板とごく近い
距離にコンデンサを配置し、互いにごく短い配線で結ぶ
ことができる。したがって、内蔵コンデンサの特性を十
分発揮させて、ノイズを確実に除去することができるよ
うになる。
ア基板本体にコンデンサ内蔵用凹部を形成し、その中に
コンデンサを内蔵している。さらに、一対の電極または
電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なく
とも１つと導通するようにしている。また下面接続パッ
ドも同様にされている。このため、コンデンサの両極
を、コンデンサ上面の上面接続パッド及びコア基板本体
下面の底部スルーホール導体を通じて、コア基板の上方
及び下方に取り出すことができる。したがって、このコ
ンデンサ内蔵コア基板を用いれば、公知の樹脂絶縁層や
配線層の形成手法を用いて、容易にコンデンサを内蔵し
た配線基板を形成することができる。また、このように
して配線基板を形成した場合には、配線基板の搭載する
ＩＣチップやマザーボード等の他の配線基板とごく近い
距離にコンデンサを配置し、互いにごく短い配線で結ぶ
ことができる。したがって、内蔵コンデンサの特性を十
分発揮させて、ノイズを確実に除去することができるよ
うになる。
【００１９】さらに、上述したように、通常ＩＣチップ
においては、電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成さ
れる。これに対し、本発明のコンデンサ内蔵コア基板の
コンデンサでは、コンデンサ上面及びコンデンサ下面
に、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを備え
る。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子に対
応させて多数の底面スルーホール導体及び上面接続パッ
ドを形成し、これらをそれぞれ結ぶように配線層を多数
並列に形成すれば、これらの配線層の持つインダクタン
スや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。
同様に、下面接続パッドと他の配線基板とを並列に接続
する配線に関しても、同様にインダクタンスや抵抗を全
体としてさらに低下させることができる。つまり、コン
デンサ内蔵コア基板の上下に形成する配線の長さを短く
できしかもその本数を多くできるため、抵抗やインダク
タンスを低くすることができ、コンデンサによってノイ
ズを有効、確実に除去することができる。また、内蔵さ
せるコンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高
誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサ
を内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層向上さ
せることができる。
においては、電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成さ
れる。これに対し、本発明のコンデンサ内蔵コア基板の
コンデンサでは、コンデンサ上面及びコンデンサ下面
に、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを備え
る。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子に対
応させて多数の底面スルーホール導体及び上面接続パッ
ドを形成し、これらをそれぞれ結ぶように配線層を多数
並列に形成すれば、これらの配線層の持つインダクタン
スや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。
同様に、下面接続パッドと他の配線基板とを並列に接続
する配線に関しても、同様にインダクタンスや抵抗を全
体としてさらに低下させることができる。つまり、コン
デンサ内蔵コア基板の上下に形成する配線の長さを短く
できしかもその本数を多くできるため、抵抗やインダク
タンスを低くすることができ、コンデンサによってノイ
ズを有効、確実に除去することができる。また、内蔵さ
せるコンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高
誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサ
を内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層向上さ
せることができる。
【００２０】しかも、コア基板内にコンデンサを内蔵し
ているので、樹脂絶縁層や配線層を形成した後に別途コ
ンデンサを取り付ける必要が無く、チップコンデンサ搭
載のための費用が不要となるため、配線基板を安価に製
造することができる。また、上面接続パッドあるいは底
部スルーホール導体を通じて、内蔵したコンデンサの良
否を判断できるので、ショート等の不具合を有するコン
デンサが内蔵されたコア基板は、樹脂絶縁層等を形成す
る前に除去することができる。このため、工数が掛かる
樹脂絶縁層や配線層が形成され、付加価値の高い配線基
板を廃棄する危険性を少なくでき、全体としてコンデン
サの不具合による損失金額も抑制して、安価な配線基板
とすることができる。
ているので、樹脂絶縁層や配線層を形成した後に別途コ
ンデンサを取り付ける必要が無く、チップコンデンサ搭
載のための費用が不要となるため、配線基板を安価に製
造することができる。また、上面接続パッドあるいは底
部スルーホール導体を通じて、内蔵したコンデンサの良
否を判断できるので、ショート等の不具合を有するコン
デンサが内蔵されたコア基板は、樹脂絶縁層等を形成す
る前に除去することができる。このため、工数が掛かる
樹脂絶縁層や配線層が形成され、付加価値の高い配線基
板を廃棄する危険性を少なくでき、全体としてコンデン
サの不具合による損失金額も抑制して、安価な配線基板
とすることができる。
【００２１】ここで、上記コンデンサ内蔵コア基板であ
って、前記コンデンサ上面に、または前記コア基板本体
上面及び前記コンデンサ上面に充填樹脂層を備え、上記
コンデンサ上面上の充填樹脂層と、上記コア基板本体上
面またはコア基板本体上面上の充填樹脂層とは略面一に
整面され、前記複数の上面接続パッドがそれぞれ略面一
に露出していることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基
板とすると良い。
って、前記コンデンサ上面に、または前記コア基板本体
上面及び前記コンデンサ上面に充填樹脂層を備え、上記
コンデンサ上面上の充填樹脂層と、上記コア基板本体上
面またはコア基板本体上面上の充填樹脂層とは略面一に
整面され、前記複数の上面接続パッドがそれぞれ略面一
に露出していることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基
板とすると良い。
【００２２】このコンデンサ内蔵コア基板では、コンデ
ンサ上面の充填樹脂層と、コア基板本体上面またはコア
基板本体上面の充填樹脂層とは、略面一に整面され、し
かも、複数の上面接続パッドが略面一に露出している。
このため、このコア基板の上下に樹脂絶縁層や配線層を
積層して配線基板を形成する際に、コンデンサ内蔵用凹
部の段差や、コア基板本体上面とコンデンサ上面との高
さの違いに起因して、これらの上に形成する樹脂絶縁層
や配線層に段差が発生することが防止できる。したがっ
て、樹脂絶縁層や配線層を容易に形成でき、しかも、配
線層の断線やショート等の不具合も生じない。また、配
線基板の上面や下面に形成するＩＣ接続端子や接続端子
のコプラナリティを向上させ、ＩＣチップや他の配線基
板との接続性を向上させることができる。
ンサ上面の充填樹脂層と、コア基板本体上面またはコア
基板本体上面の充填樹脂層とは、略面一に整面され、し
かも、複数の上面接続パッドが略面一に露出している。
このため、このコア基板の上下に樹脂絶縁層や配線層を
積層して配線基板を形成する際に、コンデンサ内蔵用凹
部の段差や、コア基板本体上面とコンデンサ上面との高
さの違いに起因して、これらの上に形成する樹脂絶縁層
や配線層に段差が発生することが防止できる。したがっ
て、樹脂絶縁層や配線層を容易に形成でき、しかも、配
線層の断線やショート等の不具合も生じない。また、配
線基板の上面や下面に形成するＩＣ接続端子や接続端子
のコプラナリティを向上させ、ＩＣチップや他の配線基
板との接続性を向上させることができる。
【００２３】さらに他の解決手段は、コア基板本体上面
と、コア基板本体下面と、上記コア基板本体上面側に開
口する有底のコンデンサ内蔵用凹部と、上記凹部の底部
を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板
本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体と、を
備えるコア基板本体である。
と、コア基板本体下面と、上記コア基板本体上面側に開
口する有底のコンデンサ内蔵用凹部と、上記凹部の底部
を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板
本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体と、を
備えるコア基板本体である。
【００２４】本発明のコア基板本体では、コンデンサ内
蔵用凹部を備えるので、この凹部内にコンデンサを内蔵
させることで、コンデンサを内蔵した配線基板を容易に
形成することができる。また、このコンデンサ内蔵用凹
部の底部には、複数の底部スルーホール導体を有するた
め、この底部スルーホール導体を通じて、コア基板本体
下面側にも、コンデンサの電極を引き出すことができ、
コア基板本体下面側からも容易にかつ短距離でコンデン
サと接続することができる。
蔵用凹部を備えるので、この凹部内にコンデンサを内蔵
させることで、コンデンサを内蔵した配線基板を容易に
形成することができる。また、このコンデンサ内蔵用凹
部の底部には、複数の底部スルーホール導体を有するた
め、この底部スルーホール導体を通じて、コア基板本体
下面側にも、コンデンサの電極を引き出すことができ、
コア基板本体下面側からも容易にかつ短距離でコンデン
サと接続することができる。
【００２５】さらに他の解決手段は、コンデンサ上面
と、コンデンサ下面と、互いに絶縁された一対の電極ま
たは電極群と、上記コンデンサ上面に形成され、上記一
対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電
極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであっ
て、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の
上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数
の上面接続パッドと、上記コンデンサ下面に形成され、
上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極ま
たは電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドで
あって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複
数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する
複数の下面接続パッドと、を備えるコンデンサである。
と、コンデンサ下面と、互いに絶縁された一対の電極ま
たは電極群と、上記コンデンサ上面に形成され、上記一
対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電
極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであっ
て、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の
上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数
の上面接続パッドと、上記コンデンサ下面に形成され、
上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極ま
たは電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドで
あって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複
数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する
複数の下面接続パッドと、を備えるコンデンサである。
【００２６】本発明のコンデンサは、コンデンサ上面に
複数の上面接続パッドを、コンデンサ下面に複数の下面
接続パッドを備え、しかも、一対の電極または電極群の
いずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つ
と導通し、また、一対の電極または電極群のどちらもが
複数の下面接続パッドの少なくともいずれかと導通す
る。このため、コンデンサ上面から、コンデンサの両極
を取り出すことができる。同様に、コンデンサ下面から
も、コンデンサの両極を取り出すことができる。したが
って、コンデンサ上面及びコンデンサ下面のいずれにお
いても、パッドやバンプを形成したＩＣチップや配線基
板、その他の電子部品の接続面との間での接続が可能と
なる。
複数の上面接続パッドを、コンデンサ下面に複数の下面
接続パッドを備え、しかも、一対の電極または電極群の
いずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つ
と導通し、また、一対の電極または電極群のどちらもが
複数の下面接続パッドの少なくともいずれかと導通す
る。このため、コンデンサ上面から、コンデンサの両極
を取り出すことができる。同様に、コンデンサ下面から
も、コンデンサの両極を取り出すことができる。したが
って、コンデンサ上面及びコンデンサ下面のいずれにお
いても、パッドやバンプを形成したＩＣチップや配線基
板、その他の電子部品の接続面との間での接続が可能と
なる。
【００２７】また、コンデンサ上面とコンデンサ下面の
両面から、コンデンサの両極を取り出すことができる。
このため、例えば、配線基板とＩＣチップとの間に介在
させることにより、配線基板からＩＣチップへ電力を供
給する電源配線及び接地配線をそれぞれ接続する配線の
一部としての役割を果たさせると共に、電源配線と接地
配線との間をこのコンデンサで結び、これらの配線の重
畳されるノイズを除去する役割をも果たさせることがで
きる。
両面から、コンデンサの両極を取り出すことができる。
このため、例えば、配線基板とＩＣチップとの間に介在
させることにより、配線基板からＩＣチップへ電力を供
給する電源配線及び接地配線をそれぞれ接続する配線の
一部としての役割を果たさせると共に、電源配線と接地
配線との間をこのコンデンサで結び、これらの配線の重
畳されるノイズを除去する役割をも果たさせることがで
きる。
【００２８】さらに、上記コンデンサ内蔵用凹部を備え
たコア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部に内蔵、固定す
ることで、コンデンサ内蔵コア基板とし、さらに樹脂絶
縁層や配線層を形成して、コンデンサを内蔵した配線基
板とすることができる。なお、上面接続パッドや下面接
続パッドは、接続するＩＣチップ等の端子や配線層に対
応した位置及び数で形成すればよいが、並列に接続する
端子や配線層の数が多いほど、コンデンサとＩＣチップ
等との間に生じる抵抗やインダクタンスを全体として抑
制できるので、上面接続パッドや下面接続パッドは多数
形成するのが好ましい。
たコア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部に内蔵、固定す
ることで、コンデンサ内蔵コア基板とし、さらに樹脂絶
縁層や配線層を形成して、コンデンサを内蔵した配線基
板とすることができる。なお、上面接続パッドや下面接
続パッドは、接続するＩＣチップ等の端子や配線層に対
応した位置及び数で形成すればよいが、並列に接続する
端子や配線層の数が多いほど、コンデンサとＩＣチップ
等との間に生じる抵抗やインダクタンスを全体として抑
制できるので、上面接続パッドや下面接続パッドは多数
形成するのが好ましい。
【００２９】さらに、上記のコンデンサであって、前記
コンデンサ上面及びコンデンサ下面に略平行に誘電体層
と電極層とが交互に積層され、上記電極層は、上記誘電
体層を貫通するビア導体によりそれぞれ１層おきに導通
されて、互いに絶縁された前記一対の電極群をなし、前
記複数の上面接続パッドは、上記誘電体層のうち最上に
位置し前記コンデンサ上面をなすトップ誘電体層の上記
コンデンサ上面に形成され、上記トップ誘電体層または
トップ誘電体層及びこの下層に位置する上記誘電体層を
貫通するビア導体により、上記一対の電極群のいずれか
に属する上記電極層と導通されてなり、前記複数の下面
接続パッドは、上記誘電体層のうち最下に位置し前記コ
ンデンサ下面をなすボトム誘電体層の上記コンデンサ下
面に形成され、上記ボトム誘電体層またはボトム誘電体
層及びこの上層に位置する上記誘電体層を貫通するビア
導体により、上記一対の電極群のいずれかに属する上記
電極層と導通されてなることを特徴とするコンデンサと
すると良い。
コンデンサ上面及びコンデンサ下面に略平行に誘電体層
と電極層とが交互に積層され、上記電極層は、上記誘電
体層を貫通するビア導体によりそれぞれ１層おきに導通
されて、互いに絶縁された前記一対の電極群をなし、前
記複数の上面接続パッドは、上記誘電体層のうち最上に
位置し前記コンデンサ上面をなすトップ誘電体層の上記
コンデンサ上面に形成され、上記トップ誘電体層または
トップ誘電体層及びこの下層に位置する上記誘電体層を
貫通するビア導体により、上記一対の電極群のいずれか
に属する上記電極層と導通されてなり、前記複数の下面
接続パッドは、上記誘電体層のうち最下に位置し前記コ
ンデンサ下面をなすボトム誘電体層の上記コンデンサ下
面に形成され、上記ボトム誘電体層またはボトム誘電体
層及びこの上層に位置する上記誘電体層を貫通するビア
導体により、上記一対の電極群のいずれかに属する上記
電極層と導通されてなることを特徴とするコンデンサと
すると良い。
【００３０】本発明のコンデンサは、各電極層が互いに
ビア導体で導通された一対の電極群を有し、複数の上面
接続パッド及び複数の下面接続パッドは、いずれもビア
導体によりいずれかの電極群に属する電極層と導通して
いる。このため、積層コンデンサに通常用いられている
ように、誘電体層と電極層を積層した後に、誘電体層の
側面に電極層同士を１層おきに結ぶ共通電極を別途設け
る必要もなく、安価に形成できる。また、上面接続パッ
ドや下面接続パッドはビア導体でいずれかの電極層と導
通しているので、各上面接続パッドや下面接続パッドを
任意の位置に形成して電極層と導通させることができ
る。つまり、各パッドの位置選択の自由度を高くするこ
とができる。
ビア導体で導通された一対の電極群を有し、複数の上面
接続パッド及び複数の下面接続パッドは、いずれもビア
導体によりいずれかの電極群に属する電極層と導通して
いる。このため、積層コンデンサに通常用いられている
ように、誘電体層と電極層を積層した後に、誘電体層の
側面に電極層同士を１層おきに結ぶ共通電極を別途設け
る必要もなく、安価に形成できる。また、上面接続パッ
ドや下面接続パッドはビア導体でいずれかの電極層と導
通しているので、各上面接続パッドや下面接続パッドを
任意の位置に形成して電極層と導通させることができ
る。つまり、各パッドの位置選択の自由度を高くするこ
とができる。
【００３１】さらに、上記コンデンサであって、前記誘
電体層は高誘電体セラミックからなり、前記電極層、ビ
ア導体、上部接続パッド及び下部接続パッドは金属から
なり、これらはいずれも同時焼成によって形成されてい
ることを特徴とするコンデンサとすると良い。
電体層は高誘電体セラミックからなり、前記電極層、ビ
ア導体、上部接続パッド及び下部接続パッドは金属から
なり、これらはいずれも同時焼成によって形成されてい
ることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００３２】高誘電体セラミックは、比誘電率εｒが高
いものでは数万となり、組成に応じて所望の静電容量を
容易に得られ、また、小型でも静電容量の大きなコンデ
ンサを構成することができる。したがって、本発明のコ
ンデンサでは、高誘電率セラミックからなる誘電体層を
用いることで、コンデンサの静電容量を十分大きなもの
とすることができる。さらに、このコンデンサは同時焼
成によって形成されているので、焼成によって一挙に形
成できるから、安価なコンデンサとすることができる。
いものでは数万となり、組成に応じて所望の静電容量を
容易に得られ、また、小型でも静電容量の大きなコンデ
ンサを構成することができる。したがって、本発明のコ
ンデンサでは、高誘電率セラミックからなる誘電体層を
用いることで、コンデンサの静電容量を十分大きなもの
とすることができる。さらに、このコンデンサは同時焼
成によって形成されているので、焼成によって一挙に形
成できるから、安価なコンデンサとすることができる。
【００３３】さらに、他の解決手段は、上記コンデンサ
の製造方法であって、高誘電率セラミックを主成分とす
る高誘電率セラミックグリーンシートの所定位置に複数
の貫通孔を形成する穿孔工程と、穿孔された上記複数の
貫通孔に金属ペーストを充填して複数の未焼成ビア導体
を形成する未焼成ビア導体充填工程と、上記未焼成ビア
導体を形成した上記高誘電率セラミックグリーンシート
の上面に、上記複数の未焼成ビア導体のうちのいずれか
と接触する所定形状に金属ペーストを塗布して未焼成電
極層を形成する未焼成電極層塗布工程と、上記未焼成ビ
ア導体と未焼成電極層とが形成された高誘電率セラミッ
クグリーンシートを所定順序に積層し、最上層に上記未
焼成電極層は形成せず上記未焼成ビア導体は形成した高
誘電率セラミックグリーンシートを積層し、圧着して積
層体を形成する積層圧着工程と、上記積層体を焼成する
焼成工程と、を備えることを特徴とするコンデンサの製
造方法である。
の製造方法であって、高誘電率セラミックを主成分とす
る高誘電率セラミックグリーンシートの所定位置に複数
の貫通孔を形成する穿孔工程と、穿孔された上記複数の
貫通孔に金属ペーストを充填して複数の未焼成ビア導体
を形成する未焼成ビア導体充填工程と、上記未焼成ビア
導体を形成した上記高誘電率セラミックグリーンシート
の上面に、上記複数の未焼成ビア導体のうちのいずれか
と接触する所定形状に金属ペーストを塗布して未焼成電
極層を形成する未焼成電極層塗布工程と、上記未焼成ビ
ア導体と未焼成電極層とが形成された高誘電率セラミッ
クグリーンシートを所定順序に積層し、最上層に上記未
焼成電極層は形成せず上記未焼成ビア導体は形成した高
誘電率セラミックグリーンシートを積層し、圧着して積
層体を形成する積層圧着工程と、上記積層体を焼成する
焼成工程と、を備えることを特徴とするコンデンサの製
造方法である。
【００３４】本発明のコンデンサの製造方法では、高誘
電率セラミックグリーンシートの穿孔し、金属ペースト
を充填して未焼成ビア導体を形成し、金属ペーストを所
定形状に塗布して未焼成電極層を形成し、その後、高誘
電率セラミックグリーンシートを積層し、焼成して上記
コンデンサを形成する。このようにすると、通常の積層
コンデンサのように側面に共通電極を形成する必要が無
く、安価に形成することができる。
電率セラミックグリーンシートの穿孔し、金属ペースト
を充填して未焼成ビア導体を形成し、金属ペーストを所
定形状に塗布して未焼成電極層を形成し、その後、高誘
電率セラミックグリーンシートを積層し、焼成して上記
コンデンサを形成する。このようにすると、通常の積層
コンデンサのように側面に共通電極を形成する必要が無
く、安価に形成することができる。
【００３５】さらに他の解決手段は、底部用コア基板本
体上面と底部用コア基板本体下面とを有する底部用コア
基板本体のうち、凹部形成領域内に、底部用コア基板本
体上面と底部用コア基板本体下面との間を貫通する複数
の底部スルーホール導体を形成する底部スルーホール導
体形成工程と、壁部用コア基板本体上面と壁部用コア基
板本体下面とを有し、上記壁部用コア基板本体上面と壁
部用コア基板本体下面との間を貫通する凹部用貫通孔を
備える壁部用コア基板本体の上記壁部用コア基板本体下
面と、上記底部用コア基板本体の上記底部用コア基板本
体上面とを、上記凹部用貫通孔内に上記複数の底部スル
ーホール導体を露出させて、接着する接着工程と、を備
えることを特徴とするコア基板本体の製造方法である。
体上面と底部用コア基板本体下面とを有する底部用コア
基板本体のうち、凹部形成領域内に、底部用コア基板本
体上面と底部用コア基板本体下面との間を貫通する複数
の底部スルーホール導体を形成する底部スルーホール導
体形成工程と、壁部用コア基板本体上面と壁部用コア基
板本体下面とを有し、上記壁部用コア基板本体上面と壁
部用コア基板本体下面との間を貫通する凹部用貫通孔を
備える壁部用コア基板本体の上記壁部用コア基板本体下
面と、上記底部用コア基板本体の上記底部用コア基板本
体上面とを、上記凹部用貫通孔内に上記複数の底部スル
ーホール導体を露出させて、接着する接着工程と、を備
えることを特徴とするコア基板本体の製造方法である。
【００３６】本発明のコア基板本体の製造方法では、底
部用コア基板本体に底部スルーホール導体を形成し、そ
の後、凹部用貫通孔を備える壁部用コア基板本体と底部
用コア基板本体とを接着してコア基板本体を製造する。
このように底部用コア基板本体と壁部用コア基板本体と
に分けて製作し、その後両者を接着すると、容易に有底
の凹部を有するコア基板本体を形成することができる。
また、凹部の底部に位置する底部スルーホール導体を、
公知の技術によって容易に製造することができる。
部用コア基板本体に底部スルーホール導体を形成し、そ
の後、凹部用貫通孔を備える壁部用コア基板本体と底部
用コア基板本体とを接着してコア基板本体を製造する。
このように底部用コア基板本体と壁部用コア基板本体と
に分けて製作し、その後両者を接着すると、容易に有底
の凹部を有するコア基板本体を形成することができる。
また、凹部の底部に位置する底部スルーホール導体を、
公知の技術によって容易に製造することができる。
【００３７】さらに他の解決手段は、コア基板本体上
面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面側に開口
する有底のコンデンサ内蔵用凹部、及び、上記凹部の底
部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基
板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、を
備えるコア基板本体の、上記コンデンサ内蔵用凹部内
に、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁され
た一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成
され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの
電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パ
ッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも
上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導
通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下
面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのい
ずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下
面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群の
いずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも
１つと導通する複数の下面接続パッド、を備えるコンデ
ンサを配置し、上記複数の下面接続パッドとこれに対応
する上記複数の底部スルーホール導体とを接続する凹部
内コンデンサ接続工程と、上記コンデンサ内蔵用凹部内
に充填樹脂を注入し、上記充填樹脂を硬化させて、充填
樹脂で上記コンデンサを上記コンデンサ内蔵用凹部内に
固定するコンデンサ固定工程と、上記コア基板本体上面
またはコア基板本体上面上の充填樹脂層とコア基板本体
下面との間を貫通するコアスルーホール導体を形成する
コアスルーホール形成工程と、を備えるコンデンサ内蔵
コア基板の製造方法である。
面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面側に開口
する有底のコンデンサ内蔵用凹部、及び、上記凹部の底
部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基
板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、を
備えるコア基板本体の、上記コンデンサ内蔵用凹部内
に、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁され
た一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成
され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの
電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パ
ッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも
上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導
通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下
面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのい
ずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下
面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群の
いずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも
１つと導通する複数の下面接続パッド、を備えるコンデ
ンサを配置し、上記複数の下面接続パッドとこれに対応
する上記複数の底部スルーホール導体とを接続する凹部
内コンデンサ接続工程と、上記コンデンサ内蔵用凹部内
に充填樹脂を注入し、上記充填樹脂を硬化させて、充填
樹脂で上記コンデンサを上記コンデンサ内蔵用凹部内に
固定するコンデンサ固定工程と、上記コア基板本体上面
またはコア基板本体上面上の充填樹脂層とコア基板本体
下面との間を貫通するコアスルーホール導体を形成する
コアスルーホール形成工程と、を備えるコンデンサ内蔵
コア基板の製造方法である。
【００３８】本発明のコンデンサ内蔵コア基板の製造方
法では、コンデンサ内蔵用凹部に接続したコンデンサ
を、コンデンサ内蔵用凹部に充填樹脂を充填して固定す
る。このため、コンデンサの下面接続パッドと底部スル
ーホール導体との接続が振動により破断する等の不具合
が抑制され、コンデンサ内蔵コア基板の信頼性を向上さ
せることができる。
法では、コンデンサ内蔵用凹部に接続したコンデンサ
を、コンデンサ内蔵用凹部に充填樹脂を充填して固定す
る。このため、コンデンサの下面接続パッドと底部スル
ーホール導体との接続が振動により破断する等の不具合
が抑制され、コンデンサ内蔵コア基板の信頼性を向上さ
せることができる。
【００３９】さらに、上記コンデンサ内蔵コア基板の製
造方法であって、前記コンデンサ固定工程は、前記コン
デンサ内蔵用凹部内の他、前記コンデンサ上面及びコア
基板本体上面のうち、少なくともコンデンサ上面にも充
填樹脂を塗布し硬化させるコンデンサ固定−充填樹脂塗
布硬化工程であり、前記コアスルーホール形成工程に先
だって、上記コンデンサ上面上の、または、上記コンデ
ンサ上面上及び前記コア基板本体上面上の、上記充填樹
脂を研磨して上記複数の上面接続パッドを略面一に露出
させるとともに、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と
上記コア基板本体上面とを、または、上記コンデンサ上
面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層と
を、略面一の平坦面に整面する研磨整面工程を備えるこ
とを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板の製造方法とす
ると良い。
造方法であって、前記コンデンサ固定工程は、前記コン
デンサ内蔵用凹部内の他、前記コンデンサ上面及びコア
基板本体上面のうち、少なくともコンデンサ上面にも充
填樹脂を塗布し硬化させるコンデンサ固定−充填樹脂塗
布硬化工程であり、前記コアスルーホール形成工程に先
だって、上記コンデンサ上面上の、または、上記コンデ
ンサ上面上及び前記コア基板本体上面上の、上記充填樹
脂を研磨して上記複数の上面接続パッドを略面一に露出
させるとともに、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と
上記コア基板本体上面とを、または、上記コンデンサ上
面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層と
を、略面一の平坦面に整面する研磨整面工程を備えるこ
とを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板の製造方法とす
ると良い。
【００４０】本発明のコンデンサ内蔵コア基板の製造方
法では、コンデンサをコンデンサ内蔵用凹部内で接続
し、さらに充填樹脂で固定するほか、複数の上面接続パ
ッドを略面一に露出させ、しかも、コンデンサ上面上の
充填樹脂層とコア基板本体上面とを、または、コンデン
サ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂
層とを、略面一の平坦面に整面してからコアスルーホー
ルを形成する。このため、コア基板本体上面及びコンデ
ンサ上面の上方に１または複数の樹脂絶縁層や配線層を
形成する際に、コア基板本体上面の上方とコンデンサ上
面の上方との間で段差を生じないため、樹脂絶縁層や配
線層などを容易に形成することができ、あるいは、各配
線層の断線やショートの不具合の発生を抑制することが
できる。さらに、ＩＣ接続端子や接続端子のコプラナリ
ティを小さく抑えることができ、ＩＣチップや他の配線
基板との接続性も良好にできる。
法では、コンデンサをコンデンサ内蔵用凹部内で接続
し、さらに充填樹脂で固定するほか、複数の上面接続パ
ッドを略面一に露出させ、しかも、コンデンサ上面上の
充填樹脂層とコア基板本体上面とを、または、コンデン
サ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂
層とを、略面一の平坦面に整面してからコアスルーホー
ルを形成する。このため、コア基板本体上面及びコンデ
ンサ上面の上方に１または複数の樹脂絶縁層や配線層を
形成する際に、コア基板本体上面の上方とコンデンサ上
面の上方との間で段差を生じないため、樹脂絶縁層や配
線層などを容易に形成することができ、あるいは、各配
線層の断線やショートの不具合の発生を抑制することが
できる。さらに、ＩＣ接続端子や接続端子のコプラナリ
ティを小さく抑えることができ、ＩＣチップや他の配線
基板との接続性も良好にできる。
【００４１】さらに他の解決手段は、コンデンサを内蔵
するコンデンサ内蔵コア基板の上記コンデンサの特性を
検査し、規格外のコンデンサ内蔵コア基板を除去する特
性検査工程と、規格内の上記コンデンサ内蔵コア基板の
上下面に、樹脂絶縁層及び配線層を形成する絶縁層配線
層形成工程と、を備えることを特徴とする配線基板の製
造方法である。
するコンデンサ内蔵コア基板の上記コンデンサの特性を
検査し、規格外のコンデンサ内蔵コア基板を除去する特
性検査工程と、規格内の上記コンデンサ内蔵コア基板の
上下面に、樹脂絶縁層及び配線層を形成する絶縁層配線
層形成工程と、を備えることを特徴とする配線基板の製
造方法である。
【００４２】樹脂絶縁層や配線層が形成された配線基板
の状態で、コンデンサの不具合が発見されると、配線基
板を廃棄せざるを得ない。しかし、一般に、コア基板に
樹脂絶縁層や配線層を形成するのは、多数の工程と時間
がかかるため、樹脂絶縁層や配線層が形成された配線基
板は、付加価値が高くなり、配線基板を廃棄すると損失
金額が大きくなる。これに対し、本発明の配線基板の製
造方法では、コンデンサの内蔵されたコア基板を用い、
予めコア基板に内蔵されたコンデンサの特性を検査し、
規格内のものだけ用いて樹脂絶縁層及び配線層を形成す
るので、配線基板製造後にコンデンサの不具合によって
配線基板を廃棄する危険性を少なくし、廃棄に伴う損失
金額を抑制することができる。このため、結局コンデン
サを内蔵した配線基板を安価に製造することができる。
の状態で、コンデンサの不具合が発見されると、配線基
板を廃棄せざるを得ない。しかし、一般に、コア基板に
樹脂絶縁層や配線層を形成するのは、多数の工程と時間
がかかるため、樹脂絶縁層や配線層が形成された配線基
板は、付加価値が高くなり、配線基板を廃棄すると損失
金額が大きくなる。これに対し、本発明の配線基板の製
造方法では、コンデンサの内蔵されたコア基板を用い、
予めコア基板に内蔵されたコンデンサの特性を検査し、
規格内のものだけ用いて樹脂絶縁層及び配線層を形成す
るので、配線基板製造後にコンデンサの不具合によって
配線基板を廃棄する危険性を少なくし、廃棄に伴う損失
金額を抑制することができる。このため、結局コンデン
サを内蔵した配線基板を安価に製造することができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の配線基板
等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
図１に示す本発明のコンデンサを内蔵した配線基板１０
０は、略正方形板状で、その上面（配線基板上面）１０
０Ａに、破線で示すＩＣチップ１と接続するためのＩＣ
接続端子であるフリップチップパッド１０１が多数形成
され、各フリップチップパッド１０１には、高温ハンダ
からなる略半球状のフリップチップバンプ１０２が形成
されている。一方、配線基板下面１００Ｂには、マザー
ボードなどの他の配線基板と接続するための接続端子で
あるＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらに
この配線基板１００は、コンデンサ２０を内蔵するコア
基板本体１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４
１，４２，４３，５１，５，２，５３及びこれらの層間
に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層６０，
７０，８０，９０を備える。
等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
図１に示す本発明のコンデンサを内蔵した配線基板１０
０は、略正方形板状で、その上面（配線基板上面）１０
０Ａに、破線で示すＩＣチップ１と接続するためのＩＣ
接続端子であるフリップチップパッド１０１が多数形成
され、各フリップチップパッド１０１には、高温ハンダ
からなる略半球状のフリップチップバンプ１０２が形成
されている。一方、配線基板下面１００Ｂには、マザー
ボードなどの他の配線基板と接続するための接続端子で
あるＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらに
この配線基板１００は、コンデンサ２０を内蔵するコア
基板本体１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４
１，４２，４３，５１，５，２，５３及びこれらの層間
に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層６０，
７０，８０，９０を備える。
【００４４】このうち、コア基板本体１０は、略正方形
板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その
略中央にはコア基板本体上面１０Ａ側に開口する平面視
略正方形状で有底のコンデンサ内蔵用凹部（以下単に凹
部ともいう）１１を備える。このコンデンサ内蔵用凹部
１１の底部１１Ｔ、即ち、底面１１Ｂとコア基板本体下
面１０Ｂとの間には、この間を貫通する底部スルーホー
ル導体１２が複数形成されている。また、この凹部１１
内には、コンデンサ２０が内蔵されている。また、この
コア基板本体１０の周縁部には、コア基板本体上面１０
Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスル
ーホール導体３３が多数形成されている。
板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その
略中央にはコア基板本体上面１０Ａ側に開口する平面視
略正方形状で有底のコンデンサ内蔵用凹部（以下単に凹
部ともいう）１１を備える。このコンデンサ内蔵用凹部
１１の底部１１Ｔ、即ち、底面１１Ｂとコア基板本体下
面１０Ｂとの間には、この間を貫通する底部スルーホー
ル導体１２が複数形成されている。また、この凹部１１
内には、コンデンサ２０が内蔵されている。また、この
コア基板本体１０の周縁部には、コア基板本体上面１０
Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスル
ーホール導体３３が多数形成されている。
【００４５】コンデンサ２０は、図２（ａ）（ｂ）に示
すように、高誘電体セラミック、具体的には、ＢａＴｉ
Ｏ3を主成分とする誘電体層２４とＰｄを主成分とする
電極層２５とを交互に積層した略正方形板状の積層セラ
ミックコンデンサである。ただし、チップコンデンサな
どに用いられ、積層された誘電体層及び電極層の側面か
らコンデンサの両極をなす２つの電極（共通電極）を取
り出す通常の積層セラミックコンデンサとは、接続のた
めの電極の取り出し方が異なる。即ち、図２（ｃ）に示
すように、コンデンサ上面２０Ａ及びコンデンサ下面２
０Ｂに、それぞれ多数の上面接続パッド２１（図２
（ｃ）では、２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ）及び下面接続パ
ッド２２（図２（ｃ）では、２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ）
を備えており、これらのパッド２１，２２によって、コ
ンデンサ上面２０Ａ及びコンデンサ下面２０Ｂ内で、図
中上方あるいは下方に接続可能になっている。
すように、高誘電体セラミック、具体的には、ＢａＴｉ
Ｏ3を主成分とする誘電体層２４とＰｄを主成分とする
電極層２５とを交互に積層した略正方形板状の積層セラ
ミックコンデンサである。ただし、チップコンデンサな
どに用いられ、積層された誘電体層及び電極層の側面か
らコンデンサの両極をなす２つの電極（共通電極）を取
り出す通常の積層セラミックコンデンサとは、接続のた
めの電極の取り出し方が異なる。即ち、図２（ｃ）に示
すように、コンデンサ上面２０Ａ及びコンデンサ下面２
０Ｂに、それぞれ多数の上面接続パッド２１（図２
（ｃ）では、２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ）及び下面接続パ
ッド２２（図２（ｃ）では、２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ）
を備えており、これらのパッド２１，２２によって、コ
ンデンサ上面２０Ａ及びコンデンサ下面２０Ｂ内で、図
中上方あるいは下方に接続可能になっている。
【００４６】コンデンサ２０の電極層２５は、図２
（ｃ）にその内部構造の概要を示すように、ビア導体２
６Ｅ、２６Ｆでそれぞれ１層おきに導通された１対の電
極層の群２５Ｅ，２５Ｆに分けられている。しかも、電
極層の群２５Ｅ，２５Ｆは互いに絶縁されている。した
がって、各誘電体層２４を挟んで対向する２つの電極群
２５Ｅ，２５Ｆは、コンデンサ２０の２つの電極をな
す。また、上部接続パッド２１の一部（図中右及び左の
パッド２１Ａ，２１Ｃ）は、この電極層２５のうち最も
上方に位置し一方の電極群２５Ｅに属するトップ電極層
２５ＥＴと、誘電体層２４のうち最も上方に位置するト
ップ誘電体層２４Ｔを貫通するビア導体２７Ｅによって
接続している。また、上部接続パッド２１の他の一部
（図中中央のパッド２１Ｂ）は、上記トップ電極層２５
ＥＴより下層に位置し他方の電極群２５Ｆに属する電極
層２５と、ビア導体２７Ｆ及び２６Ｆによって接続して
いる。このように、多数の上面接続パッド２１は、コン
デンサの２つの電極をなす一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆ
のいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極群
２５Ｅ，２５Ｆのいずれも複数の上面接続パッド２１の
うちの少なくとも１つと接続している。つまり、多数の
上面接続パッド２１のうちある上面接続パッド２１（例
えば、２１Ａ）は、一方の電極群２５Ｅに接続してい
る。またある上面接続パッド２１（例えば、２１Ｂ）
は、他方の電極群２５Ｆと接続している。このため、コ
ンデンサ２０の上方から、上面接続パッド２１を通じ
て、一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれとも導通する
ことができる。
（ｃ）にその内部構造の概要を示すように、ビア導体２
６Ｅ、２６Ｆでそれぞれ１層おきに導通された１対の電
極層の群２５Ｅ，２５Ｆに分けられている。しかも、電
極層の群２５Ｅ，２５Ｆは互いに絶縁されている。した
がって、各誘電体層２４を挟んで対向する２つの電極群
２５Ｅ，２５Ｆは、コンデンサ２０の２つの電極をな
す。また、上部接続パッド２１の一部（図中右及び左の
パッド２１Ａ，２１Ｃ）は、この電極層２５のうち最も
上方に位置し一方の電極群２５Ｅに属するトップ電極層
２５ＥＴと、誘電体層２４のうち最も上方に位置するト
ップ誘電体層２４Ｔを貫通するビア導体２７Ｅによって
接続している。また、上部接続パッド２１の他の一部
（図中中央のパッド２１Ｂ）は、上記トップ電極層２５
ＥＴより下層に位置し他方の電極群２５Ｆに属する電極
層２５と、ビア導体２７Ｆ及び２６Ｆによって接続して
いる。このように、多数の上面接続パッド２１は、コン
デンサの２つの電極をなす一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆ
のいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極群
２５Ｅ，２５Ｆのいずれも複数の上面接続パッド２１の
うちの少なくとも１つと接続している。つまり、多数の
上面接続パッド２１のうちある上面接続パッド２１（例
えば、２１Ａ）は、一方の電極群２５Ｅに接続してい
る。またある上面接続パッド２１（例えば、２１Ｂ）
は、他方の電極群２５Ｆと接続している。このため、コ
ンデンサ２０の上方から、上面接続パッド２１を通じ
て、一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれとも導通する
ことができる。
【００４７】同様に、下部接続パッド２２の一部（図中
右及び左のパッド２２Ａ，２２Ｃ）は、電極層２５のう
ち最も下方のボトム電極層２５ＦＤより上層に位置し、
一方の電極群２５Ｅに属する電極層２５と、誘電体層２
４のうち最も下方に位置するボトム誘電体層２４Ｄを貫
通するビア導体２８Ｆ及び２６Ｆによって接続してい
る。また、下部接続パッド２２の他の一部（図中中央の
パッド２２Ｂ）は、他方の電極群２５Ｆに属する上記ボ
トム電極層２５ＦＤと、ビア導体２８Ｆによって接続し
ている。このように、多数の下面接続パッド２２は、コ
ンデンサの２つの電極をなす一対の電極群２５Ｅ，２５
Ｆのいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極
群２５Ｅ，２５Ｆのどちらもが上面接続パッド２２の少
なくともいずれかと接続している。つまり、多数の上面
接続パッド２２のうちある上面接続パッド２２（例え
ば、２２Ａ）は、一方の電極群２５Ｅに接続している。
またある上面接続パッド２２（例えば、２２Ｂ）は、他
方の電極群２５Ｆと接続している。このため、コンデン
サ２０の下方から、下面接続パッド２２を通じて、一対
の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれとも導通することがで
きる。
右及び左のパッド２２Ａ，２２Ｃ）は、電極層２５のう
ち最も下方のボトム電極層２５ＦＤより上層に位置し、
一方の電極群２５Ｅに属する電極層２５と、誘電体層２
４のうち最も下方に位置するボトム誘電体層２４Ｄを貫
通するビア導体２８Ｆ及び２６Ｆによって接続してい
る。また、下部接続パッド２２の他の一部（図中中央の
パッド２２Ｂ）は、他方の電極群２５Ｆに属する上記ボ
トム電極層２５ＦＤと、ビア導体２８Ｆによって接続し
ている。このように、多数の下面接続パッド２２は、コ
ンデンサの２つの電極をなす一対の電極群２５Ｅ，２５
Ｆのいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極
群２５Ｅ，２５Ｆのどちらもが上面接続パッド２２の少
なくともいずれかと接続している。つまり、多数の上面
接続パッド２２のうちある上面接続パッド２２（例え
ば、２２Ａ）は、一方の電極群２５Ｅに接続している。
またある上面接続パッド２２（例えば、２２Ｂ）は、他
方の電極群２５Ｆと接続している。このため、コンデン
サ２０の下方から、下面接続パッド２２を通じて、一対
の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれとも導通することがで
きる。
【００４８】さらに、コンデンサ２０は、図１に示すよ
うに、コンデンサ下面２０Ｂにおいて、下面接続パッド
２２とこれに対応する底部スルーホール導体１２とが、
それぞれＡｇ−Ｓｎハンダからなるハンダ層２３によっ
て導通、接続されている。これにより、コア基板本体１
０に内蔵されたコンデンサ２０は、図中上方には上面接
続パッド２１で、図中下方には下面接続パッド２２に接
続する底部スルーホール導体１２でそれぞれ接続可能に
なっている。さらに、このコンデンサ２０は、エポキシ
樹脂からなる充填樹脂３２によってコンデンサ内蔵用凹
部１１内に固定されて、コア基板本体１０と一体となっ
ている。
うに、コンデンサ下面２０Ｂにおいて、下面接続パッド
２２とこれに対応する底部スルーホール導体１２とが、
それぞれＡｇ−Ｓｎハンダからなるハンダ層２３によっ
て導通、接続されている。これにより、コア基板本体１
０に内蔵されたコンデンサ２０は、図中上方には上面接
続パッド２１で、図中下方には下面接続パッド２２に接
続する底部スルーホール導体１２でそれぞれ接続可能に
なっている。さらに、このコンデンサ２０は、エポキシ
樹脂からなる充填樹脂３２によってコンデンサ内蔵用凹
部１１内に固定されて、コア基板本体１０と一体となっ
ている。
【００４９】さらに、コア基板本体上面１０Ａ及びコン
デンサ上面２０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分と
する３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。
一方、コア基板本体下面１０Ｂの下方には、同じく３層
の下部樹脂絶縁層５１，５２，５３を備える。さらに上
部樹脂絶縁層４１と４２の層間及び上部樹脂配線層４２
と４３の層間には、それぞれ上部樹脂絶縁層４１，４２
をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層４５，４６が形
成されている。同様に、下部樹脂絶縁層５１と５２の層
間及び下部樹脂配線層５２と５３の層間には、それぞれ
下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫通し、Ｃｕメッキから
なる配線層５５，５６が形成されている。
デンサ上面２０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分と
する３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。
一方、コア基板本体下面１０Ｂの下方には、同じく３層
の下部樹脂絶縁層５１，５２，５３を備える。さらに上
部樹脂絶縁層４１と４２の層間及び上部樹脂配線層４２
と４３の層間には、それぞれ上部樹脂絶縁層４１，４２
をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層４５，４６が形
成されている。同様に、下部樹脂絶縁層５１と５２の層
間及び下部樹脂配線層５２と５３の層間には、それぞれ
下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫通し、Ｃｕメッキから
なる配線層５５，５６が形成されている。
【００５０】このうち、上部樹脂絶縁層４１，４２，４
３の層間、及び上部樹脂絶縁層４１，４２をそれぞれ貫
通して、フリップチップパッド１０１とこれに対応する
コンデンサ２０の上面接続パッド２１とをそれぞれ結ぶ
配線層４５，４６は、上部コンデンサ接続配線６０を構
成する。また、上部樹脂絶縁層４１，４２，４３の層
間、及上部樹脂絶縁層４１，４２をそれぞれ貫通して、
フリップチップパッド１０１とこれに対応するコアスル
ーホール導体３３とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６
は、上部コア接続配線８０を構成する。一方、下部樹脂
絶縁層５１，５２，５３の層間、及上部樹脂絶縁層５
１，５２をそれぞれ貫通して、底面スルーホール導体１
２とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結
ぶ配線層５５，５６は、下部コンデンサ接続配線７０を
構成する。また、下部樹脂絶縁層５１，５２，５３の層
間、及び下部樹脂絶縁層５１，５２をそれぞれ貫通し
て、コアスルーホール導体３３とこれに対応するＬＧＡ
パッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下
部コア接続配線９０を構成する。
３の層間、及び上部樹脂絶縁層４１，４２をそれぞれ貫
通して、フリップチップパッド１０１とこれに対応する
コンデンサ２０の上面接続パッド２１とをそれぞれ結ぶ
配線層４５，４６は、上部コンデンサ接続配線６０を構
成する。また、上部樹脂絶縁層４１，４２，４３の層
間、及上部樹脂絶縁層４１，４２をそれぞれ貫通して、
フリップチップパッド１０１とこれに対応するコアスル
ーホール導体３３とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６
は、上部コア接続配線８０を構成する。一方、下部樹脂
絶縁層５１，５２，５３の層間、及上部樹脂絶縁層５
１，５２をそれぞれ貫通して、底面スルーホール導体１
２とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結
ぶ配線層５５，５６は、下部コンデンサ接続配線７０を
構成する。また、下部樹脂絶縁層５１，５２，５３の層
間、及び下部樹脂絶縁層５１，５２をそれぞれ貫通し
て、コアスルーホール導体３３とこれに対応するＬＧＡ
パッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下
部コア接続配線９０を構成する。
【００５１】これにより、フリップチップバンプ１０２
に接続されたＩＣチップ１は、フリップチップパッド１
０１、上部コンデンサ接続配線６０、上面接続パッド２
１を通じて、コンデンサ２０の一対の電極群２５Ｅ，２
５Ｆとそれぞれ接続することになる。さらに、ＬＧＡパ
ッド１０３は、下部コンデンサ接続配線７０、底部スル
ーホール導体１２、下面接続パッド２２を通じて、コン
デンサ２０の一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆとそれぞれ接
続している。したがって、図２（ｄ）に示すように、フ
リップチップパッド１０１とＬＧＡパッド１０３との間
を結び、一方の電極群２５Ｅと接続する上部コンデンサ
接続配線６０及び下部コンデンサ接続配線７０と、同じ
く他方の電極群２５Ｆと接続する上部コンデンサ接続配
線６０及び下部コンデンサ接続配線７０との間に、コン
デンサ２０が挿入された状態となる。
に接続されたＩＣチップ１は、フリップチップパッド１
０１、上部コンデンサ接続配線６０、上面接続パッド２
１を通じて、コンデンサ２０の一対の電極群２５Ｅ，２
５Ｆとそれぞれ接続することになる。さらに、ＬＧＡパ
ッド１０３は、下部コンデンサ接続配線７０、底部スル
ーホール導体１２、下面接続パッド２２を通じて、コン
デンサ２０の一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆとそれぞれ接
続している。したがって、図２（ｄ）に示すように、フ
リップチップパッド１０１とＬＧＡパッド１０３との間
を結び、一方の電極群２５Ｅと接続する上部コンデンサ
接続配線６０及び下部コンデンサ接続配線７０と、同じ
く他方の電極群２５Ｆと接続する上部コンデンサ接続配
線６０及び下部コンデンサ接続配線７０との間に、コン
デンサ２０が挿入された状態となる。
【００５２】このため、ＬＧＡパッド１０３に接続した
マザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位
は、ＬＧＡパッド１０３から、下部コンデンサ接続配線
７０、底部スルーホール導体１２、コンデンサ２０、上
部コンデンサ接続配線６０、フリップチップパッド１０
１、フリップチップバンプ１０２を通じて、ＩＣチップ
１に供給することができるようになる。さらに、コンデ
ンサ２０により電源電位や接地電位に重畳されるノイズ
を除去することができる。しかも、コンデンサ２０は、
コア基板本体１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１
のごく近くに配置することができるため、上部コンデン
サ接続配線６０の長さを短くできる。したがって、コン
デンサ２０によるノイズ除去能力をより高めることがで
きる。特に、本実施形態では、コンデンサ２０を、ＩＣ
チップ１の直下に、したがって、フリップチップパッド
１０１の直下に配置する構造としたので、上部コンデン
サ接続配線６０の長さをごく短くすることができる。し
たがって、ＩＣチップ１とコンデンサ２０との距離をご
く短くすることができるから、この間でノイズが重畳さ
れることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
マザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位
は、ＬＧＡパッド１０３から、下部コンデンサ接続配線
７０、底部スルーホール導体１２、コンデンサ２０、上
部コンデンサ接続配線６０、フリップチップパッド１０
１、フリップチップバンプ１０２を通じて、ＩＣチップ
１に供給することができるようになる。さらに、コンデ
ンサ２０により電源電位や接地電位に重畳されるノイズ
を除去することができる。しかも、コンデンサ２０は、
コア基板本体１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１
のごく近くに配置することができるため、上部コンデン
サ接続配線６０の長さを短くできる。したがって、コン
デンサ２０によるノイズ除去能力をより高めることがで
きる。特に、本実施形態では、コンデンサ２０を、ＩＣ
チップ１の直下に、したがって、フリップチップパッド
１０１の直下に配置する構造としたので、上部コンデン
サ接続配線６０の長さをごく短くすることができる。し
たがって、ＩＣチップ１とコンデンサ２０との距離をご
く短くすることができるから、この間でノイズが重畳さ
れることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００５３】また、上部コンデンサ接続配線６０は多数
形成され、多数のフリップチップパッド１０１と多数の
上面接続パッド２１との間を並列に接続している。した
がって、多数の上部コンデンサ接続配線６０が形成され
ることにより、全体として、ＩＣチップ１（フリップチ
ップパッド１０１）とコンデンサ２０とを結ぶ上部コン
デンサ接続配線６０の持つ抵抗やインダクタンスも、小
さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。同
様に、下部コンデンサ接続配線７０も多数形成され、多
数のフＬＧＡパッド１０３と多数の底部スルーホール導
体１２との間を並列に接続している。したがって、多数
の下部コンデンサ接続配線７０が形成されることによ
り、全体として、ＬＧＡパッド１０３とコンデンサ２０
とを結ぶ下部コンデンサ接続配線７０及び底部スルーホ
ール導体１２の持つ抵抗やインダクタンスも、小さくな
り、この点からも、ノイズ除去に有利となる。
形成され、多数のフリップチップパッド１０１と多数の
上面接続パッド２１との間を並列に接続している。した
がって、多数の上部コンデンサ接続配線６０が形成され
ることにより、全体として、ＩＣチップ１（フリップチ
ップパッド１０１）とコンデンサ２０とを結ぶ上部コン
デンサ接続配線６０の持つ抵抗やインダクタンスも、小
さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。同
様に、下部コンデンサ接続配線７０も多数形成され、多
数のフＬＧＡパッド１０３と多数の底部スルーホール導
体１２との間を並列に接続している。したがって、多数
の下部コンデンサ接続配線７０が形成されることによ
り、全体として、ＬＧＡパッド１０３とコンデンサ２０
とを結ぶ下部コンデンサ接続配線７０及び底部スルーホ
ール導体１２の持つ抵抗やインダクタンスも、小さくな
り、この点からも、ノイズ除去に有利となる。
【００５４】一方、信号線などコンデンサ２０に接続し
ないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線
は、フリップチップパッド１０１から上部コア接続配線
８０を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コ
ア基板本体１０を貫通して、下部コア接続配線９０から
ＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルーホ
ール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアッ
プ配線基板と同様である。このように、本実施形態の配
線基板１００では、ＩＣチップ１のごく近くにコンデン
サ２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信
号線等については、従来と同様の構造にすることができ
る。
ないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線
は、フリップチップパッド１０１から上部コア接続配線
８０を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コ
ア基板本体１０を貫通して、下部コア接続配線９０から
ＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルーホ
ール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアッ
プ配線基板と同様である。このように、本実施形態の配
線基板１００では、ＩＣチップ１のごく近くにコンデン
サ２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信
号線等については、従来と同様の構造にすることができ
る。
【００５５】次いで、上記配線基板１００の製造方法に
ついて、個別の部材であるコンデンサ２０、コア基板本
体１０の製造方法を含めて説明する。まず、コンデンサ
２０の製造方法について、図３を参照しつつ説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、公知のグリーンシート
製造技術により、ＢａＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘
電体セラミックグリーンシート（以下、単にシートとも
いう）１２４を多数製造する。次いで、図３（ｂ）に示
すように、このシート１２４の所定位置に、その表裏面
１２４Ａ，１２４Ｂ間を貫通するビア孔１２４Ｈをパン
チングにより形成する。
ついて、個別の部材であるコンデンサ２０、コア基板本
体１０の製造方法を含めて説明する。まず、コンデンサ
２０の製造方法について、図３を参照しつつ説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、公知のグリーンシート
製造技術により、ＢａＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘
電体セラミックグリーンシート（以下、単にシートとも
いう）１２４を多数製造する。次いで、図３（ｂ）に示
すように、このシート１２４の所定位置に、その表裏面
１２４Ａ，１２４Ｂ間を貫通するビア孔１２４Ｈをパン
チングにより形成する。
【００５６】さらに、図３（ｃ）に示すように、各シー
ト１２４のビア孔１２４Ｈ内に、Ｐｄペーストを充填し
て未焼成ビア導体１２６，１２７，１２８を形成し、さ
らに、各シート１２４の上面１２４Ａ側に、Ａｇ−Ｐｄ
ペーストからなる所定形状の未焼成電極層１２５Ｅ，１
２５Ｆを形成する。このうち、一方の未焼成電極層１２
５Ｅは、図３（ｃ）において３つ形成した未焼成ビア導
体１２６，１２７のうち、左右２つと接続し、中央の未
焼成ビア導体１２６，１２７とは接続しないパターンに
形成されている。他方の未焼成電極層１２５Ｆは、これ
とは逆に、３つ形成した未焼成ビア導体１２６，１２７
のうち、中央の未焼成ビア導体１２６，１２７と接続
し、左右のものとは接続しないパターンに形成されてい
る。
ト１２４のビア孔１２４Ｈ内に、Ｐｄペーストを充填し
て未焼成ビア導体１２６，１２７，１２８を形成し、さ
らに、各シート１２４の上面１２４Ａ側に、Ａｇ−Ｐｄ
ペーストからなる所定形状の未焼成電極層１２５Ｅ，１
２５Ｆを形成する。このうち、一方の未焼成電極層１２
５Ｅは、図３（ｃ）において３つ形成した未焼成ビア導
体１２６，１２７のうち、左右２つと接続し、中央の未
焼成ビア導体１２６，１２７とは接続しないパターンに
形成されている。他方の未焼成電極層１２５Ｆは、これ
とは逆に、３つ形成した未焼成ビア導体１２６，１２７
のうち、中央の未焼成ビア導体１２６，１２７と接続
し、左右のものとは接続しないパターンに形成されてい
る。
【００５７】なお、未焼成ビアパッド１２５Ｅあるいは
１２５Ｆと接続しないビア１２６，１２７については、
後述する積層時に確実に上下方向にビア導体同士を接
触、導通させるため、各未焼成ビア導体１２６，１２７
の上方に、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆと同時にカ
バーパッド１２９を形成しておくと良い。また、次述す
る積層時に最も上に積層する未焼成誘電体層１２４Ｄに
は、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆのいずれも形成せ
ず、各未焼成ビア導体１２８の上方に、カバーパッド１
２２のみを形成するようにしている。
１２５Ｆと接続しないビア１２６，１２７については、
後述する積層時に確実に上下方向にビア導体同士を接
触、導通させるため、各未焼成ビア導体１２６，１２７
の上方に、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆと同時にカ
バーパッド１２９を形成しておくと良い。また、次述す
る積層時に最も上に積層する未焼成誘電体層１２４Ｄに
は、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆのいずれも形成せ
ず、各未焼成ビア導体１２８の上方に、カバーパッド１
２２のみを形成するようにしている。
【００５８】次いで、図３（ｄ）に示すように、未焼成
電極層１２５Ｅが積層されたシート１２４と、１２５Ｆ
が積層されたシート１２４とを、交互に積み重ねるよう
にして積層する。そして、最も上には、未焼成電極層１
２５Ｅ，１２５Ｆのいずれも形成せず、カバーパッド１
２２のみを形成したシート１２４Ｄを積層し、これらを
圧着して積層体１２０を形成する。これにより、未焼成
誘電体層１２４と未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆと
は、交互に積層され、しかも、未焼成電極層１２５Ｅと
１２５Ｆとは互いに１層おきに配置された状態となる。
また、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｅはそれぞれ未焼
成ビア導体１２６，１２７を介して、互いに接続され、
同様に、未焼成電極層１２５Ｆ，１２５Ｆもそれぞれ未
焼成ビア導体１２６，１２７を介して、互いに接続され
る。その上、未焼成電極層１２５Ｅの群と１２５Ｆの群
とは、接触することはなく、互いに絶縁された状態とな
る。
電極層１２５Ｅが積層されたシート１２４と、１２５Ｆ
が積層されたシート１２４とを、交互に積み重ねるよう
にして積層する。そして、最も上には、未焼成電極層１
２５Ｅ，１２５Ｆのいずれも形成せず、カバーパッド１
２２のみを形成したシート１２４Ｄを積層し、これらを
圧着して積層体１２０を形成する。これにより、未焼成
誘電体層１２４と未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆと
は、交互に積層され、しかも、未焼成電極層１２５Ｅと
１２５Ｆとは互いに１層おきに配置された状態となる。
また、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｅはそれぞれ未焼
成ビア導体１２６，１２７を介して、互いに接続され、
同様に、未焼成電極層１２５Ｆ，１２５Ｆもそれぞれ未
焼成ビア導体１２６，１２７を介して、互いに接続され
る。その上、未焼成電極層１２５Ｅの群と１２５Ｆの群
とは、接触することはなく、互いに絶縁された状態とな
る。
【００５９】その後、この積層体１２０を上下反転させ
て、未焼成ビア導体１２７が露出する積層体１２０の上
面にカバーパッドを形成した上で、この積層体１２０を
焼成（同時焼成）して、図２に示すコンデンサ２０を形
成する。コンデンサ２０をこのようにして形成したの
で、例えば、焼成後に誘電体層２４の側面に電極層２５
Ｅ、あるいは２５Ｆと接続するための共通電極を形成す
る必要はなく、焼成後、直ちにコンデンサとして使用す
ることができる。なお、ビア導体２６，２７，２８（未
焼成ビア導体１２６，１２７，１２８）は、上層や下層
のビア導体の位置や隣り合うビア導体２４との間隔等を
考慮すれば、誘電体層２４の面内いずれの位置にも形成
できる。
て、未焼成ビア導体１２７が露出する積層体１２０の上
面にカバーパッドを形成した上で、この積層体１２０を
焼成（同時焼成）して、図２に示すコンデンサ２０を形
成する。コンデンサ２０をこのようにして形成したの
で、例えば、焼成後に誘電体層２４の側面に電極層２５
Ｅ、あるいは２５Ｆと接続するための共通電極を形成す
る必要はなく、焼成後、直ちにコンデンサとして使用す
ることができる。なお、ビア導体２６，２７，２８（未
焼成ビア導体１２６，１２７，１２８）は、上層や下層
のビア導体の位置や隣り合うビア導体２４との間隔等を
考慮すれば、誘電体層２４の面内いずれの位置にも形成
できる。
【００６０】したがって、上部コンデンサ接続配線６０
や下部コンデンサ接続配線７０の引き回しの容易さ、上
部コンデンサ接続配線６０に接続するフリップチップパ
ッド１０１の数や、下部コンデンサ接続配線７０に接続
するＬＧＡパッド１０３の数などに応じて、上面接続パ
ッド２１および下面接続パッド２２の位置や数も任意に
選択して形成することができる。さらには、コンデンサ
２０を配線基板１００に内蔵させない場合においても、
上下に接続させるＩＣチップ等の電子部品の端子配置に
応じて、上面接続パッド２１および下面接続パッド２２
の位置や数も任意に選択して形成することができる。な
お、Ｐｄからなる上面接続パッド２１あるいは下面接続
パッド２２は、ハンダ付け性やＣｕからなる配線層４５
との接続性を考慮して、Ｎｉ−Ａｕメッキや、Ｃｕメッ
キ等を施しておくこともできる。また、上面接続パッド
２１、及び／または、下面接続パッド２２の周囲には、
公知の手法により、セラミックや樹脂などからなるソル
ダーレジスト層を形成しておくこともできる。
や下部コンデンサ接続配線７０の引き回しの容易さ、上
部コンデンサ接続配線６０に接続するフリップチップパ
ッド１０１の数や、下部コンデンサ接続配線７０に接続
するＬＧＡパッド１０３の数などに応じて、上面接続パ
ッド２１および下面接続パッド２２の位置や数も任意に
選択して形成することができる。さらには、コンデンサ
２０を配線基板１００に内蔵させない場合においても、
上下に接続させるＩＣチップ等の電子部品の端子配置に
応じて、上面接続パッド２１および下面接続パッド２２
の位置や数も任意に選択して形成することができる。な
お、Ｐｄからなる上面接続パッド２１あるいは下面接続
パッド２２は、ハンダ付け性やＣｕからなる配線層４５
との接続性を考慮して、Ｎｉ−Ａｕメッキや、Ｃｕメッ
キ等を施しておくこともできる。また、上面接続パッド
２１、及び／または、下面接続パッド２２の周囲には、
公知の手法により、セラミックや樹脂などからなるソル
ダーレジスト層を形成しておくこともできる。
【００６１】完成したコンデンサ２０は、ショートの有
無、静電容量値、電極群２５Ｅと２５Ｆとの間の絶縁抵
抗値、各上面接続パッド２１及び各下面接続パッド２２
と、電極群２５Ｅ，２５Ｆとの導通あるいは絶縁のチェ
ック等、各種のチェックを行い、不具合のあるコンデン
サ２０は廃棄する。これにより、後述する工程で不具合
のあるコンデンサ２０を使用する危険性を減少させるこ
とができる。
無、静電容量値、電極群２５Ｅと２５Ｆとの間の絶縁抵
抗値、各上面接続パッド２１及び各下面接続パッド２２
と、電極群２５Ｅ，２５Ｆとの導通あるいは絶縁のチェ
ック等、各種のチェックを行い、不具合のあるコンデン
サ２０は廃棄する。これにより、後述する工程で不具合
のあるコンデンサ２０を使用する危険性を減少させるこ
とができる。
【００６２】次いで、コア基板本体１０およびその製造
方法について説明する。コア基板本体１０は、まず、コ
ンデンサ２０を内蔵する前に、図４に示す状態にする。
即ち、図４に示すコア基板本体１０は、コア基板本体上
面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとを有し、ガラス−
エポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体１３
と、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる壁部
用コア基板本体１６とが、接着層１７で接着されて形成
されている。さらに、コア基板本体上面１０Ａには、壁
部用コア基板本体１６を貫通する有底の凹部１１が開口
しており、その底部１１Ｔには、凹部１１の底面１１Ｂ
とコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通し、Ｃｕメッキ
からなる底部スルーホール導体１２が、上記コンデンサ
２０の下面接続パッド２２に対応した位置に形成されて
いる。
方法について説明する。コア基板本体１０は、まず、コ
ンデンサ２０を内蔵する前に、図４に示す状態にする。
即ち、図４に示すコア基板本体１０は、コア基板本体上
面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとを有し、ガラス−
エポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体１３
と、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる壁部
用コア基板本体１６とが、接着層１７で接着されて形成
されている。さらに、コア基板本体上面１０Ａには、壁
部用コア基板本体１６を貫通する有底の凹部１１が開口
しており、その底部１１Ｔには、凹部１１の底面１１Ｂ
とコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通し、Ｃｕメッキ
からなる底部スルーホール導体１２が、上記コンデンサ
２０の下面接続パッド２２に対応した位置に形成されて
いる。
【００６３】なお、このコア基板本体１０は、そのコア
基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を
貫通するコアスルーホール導体３３は形成されていな
い。コアスルーホール導体３３は、コア基板本体１０の
凹部１１内に、上述のコンデンサ２０を内蔵してから形
成するからである。
基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を
貫通するコアスルーホール導体３３は形成されていな
い。コアスルーホール導体３３は、コア基板本体１０の
凹部１１内に、上述のコンデンサ２０を内蔵してから形
成するからである。
【００６４】さらに、このコア基板本体下面１０Ｂに
は、底部スルーホール導体１２から延在する接続配線１
５も形成されている。また、底面スルーホール導体１２
は、Ｃｕメッキからなる筒状のスルーホール導体内部に
Ｃｕ粉末を含有する充填用樹脂１４が充填され、その上
下もＣｕメッキで閉塞された形状となっている。したが
って、この底部スルーホール導体１２は、図１に示すよ
うに、直接ハンダ（例えばハンダ２３）を溶着してハン
ダ付けを行ったり、その直上あるいは直下にメッキ等に
よって配線層（例えば配線層５５など）を形成すること
ができる。
は、底部スルーホール導体１２から延在する接続配線１
５も形成されている。また、底面スルーホール導体１２
は、Ｃｕメッキからなる筒状のスルーホール導体内部に
Ｃｕ粉末を含有する充填用樹脂１４が充填され、その上
下もＣｕメッキで閉塞された形状となっている。したが
って、この底部スルーホール導体１２は、図１に示すよ
うに、直接ハンダ（例えばハンダ２３）を溶着してハン
ダ付けを行ったり、その直上あるいは直下にメッキ等に
よって配線層（例えば配線層５５など）を形成すること
ができる。
【００６５】このように、底部スルーホール導体１２の
内部を導電性樹脂や絶縁性樹脂等で充填し、さらには蓋
状にメッキを施すと、隣り合う底部スルーホール導体１
２同士の間隔を狭くすることができ、高密度実装に適す
るので、狭い間隔で底部スルーホール導体１２を形成し
たい場合、あるいは、より多くの下面接続パッド２２や
下部コンデンサ接続配線７０を、形成したい場合に好都
合である。一方、底部スルーホール導体１２同士の間隔
に余裕がある場合には、凹部１１の底面１１Ｂに、底部
スルーホール導体１２から延在するパッドを形成して、
このパッドと下面接続パッド２２とを接続させることも
できる。また、コア基板本体下面１０Ｂに、底部スルー
ホール導体１２から延在する接続配線を形成して、この
接続配線と下部コンデンサ接続配線６０（具体的には配
線層５５）とを接続させることもできる。
内部を導電性樹脂や絶縁性樹脂等で充填し、さらには蓋
状にメッキを施すと、隣り合う底部スルーホール導体１
２同士の間隔を狭くすることができ、高密度実装に適す
るので、狭い間隔で底部スルーホール導体１２を形成し
たい場合、あるいは、より多くの下面接続パッド２２や
下部コンデンサ接続配線７０を、形成したい場合に好都
合である。一方、底部スルーホール導体１２同士の間隔
に余裕がある場合には、凹部１１の底面１１Ｂに、底部
スルーホール導体１２から延在するパッドを形成して、
このパッドと下面接続パッド２２とを接続させることも
できる。また、コア基板本体下面１０Ｂに、底部スルー
ホール導体１２から延在する接続配線を形成して、この
接続配線と下部コンデンサ接続配線６０（具体的には配
線層５５）とを接続させることもできる。
【００６６】このコア基板本体１０は、以下のようにし
て製造する。即ち、まず図５（ａ）に示すように、ガラ
ス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部コア基板本体１
３の上下両面に銅箔１３ＡＣ，１３ＢＣを備えた両面銅
張り基板１３Ｐを用意する。次いで、図５（ｂ）に破線
で示すように、凹部１１（図４参照）を形成する凹部形
成領域１３ＲＡに、この両面銅張り基板１３Ｐを厚さ方
向に貫通するスルーホール孔１３Ｈをドリルで形成す
る。なお、スルーホール孔１３Ｈの間隔や径を小さくし
たい場合には、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔する
と良い。
て製造する。即ち、まず図５（ａ）に示すように、ガラ
ス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部コア基板本体１
３の上下両面に銅箔１３ＡＣ，１３ＢＣを備えた両面銅
張り基板１３Ｐを用意する。次いで、図５（ｂ）に破線
で示すように、凹部１１（図４参照）を形成する凹部形
成領域１３ＲＡに、この両面銅張り基板１３Ｐを厚さ方
向に貫通するスルーホール孔１３Ｈをドリルで形成す
る。なお、スルーホール孔１３Ｈの間隔や径を小さくし
たい場合には、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔する
と良い。
【００６７】その後、公知のスルーホール導体形成手法
により、スルーホール孔１３Ｈ内にスルーホール導体１
２を形成する（図５（ｃ）参照）。例えば具体的には、
無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施して、スルー
ホール孔１３Ｈ内に円筒状のＣｕメッキ層を形成する。
その後、スルーホール孔内の円筒状Ｃｕメッキ内部に、
Ｃｕ粉末を含有する充填用樹脂１４を充填し硬化させ
る。その後、銅箔１３ＡＣの上面及び１３ＢＣの下面を
研磨して整面した後に、この上下面に電解Ｃｕメッキを
施し、充填用樹脂１４の上下に電解メッキ層で蓋をす
る。その後、上下面にレジスト層を形成し、露光現像し
て不要部分を開口させ、エッチングによって不要な銅メ
ッキ層及び銅箔を除去することで、スルーホール孔１３
Ｈ内及びその周縁にＣｕからなる底部スルーホール導体
１２、及びこれから延在する接続配線１５を形成する。
により、スルーホール孔１３Ｈ内にスルーホール導体１
２を形成する（図５（ｃ）参照）。例えば具体的には、
無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施して、スルー
ホール孔１３Ｈ内に円筒状のＣｕメッキ層を形成する。
その後、スルーホール孔内の円筒状Ｃｕメッキ内部に、
Ｃｕ粉末を含有する充填用樹脂１４を充填し硬化させ
る。その後、銅箔１３ＡＣの上面及び１３ＢＣの下面を
研磨して整面した後に、この上下面に電解Ｃｕメッキを
施し、充填用樹脂１４の上下に電解メッキ層で蓋をす
る。その後、上下面にレジスト層を形成し、露光現像し
て不要部分を開口させ、エッチングによって不要な銅メ
ッキ層及び銅箔を除去することで、スルーホール孔１３
Ｈ内及びその周縁にＣｕからなる底部スルーホール導体
１２、及びこれから延在する接続配線１５を形成する。
【００６８】一方、図５（ｄ）に示すように、同じくガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記底部コア基
板本体１３より厚さの厚い壁用コア基板本体１６を用意
する。この壁部用コア基板本体１６には、予め上記凹部
１１に対応した位置に、凹部用貫通孔１６Ｈをパンチン
グにより形成しておく。
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記底部コア基
板本体１３より厚さの厚い壁用コア基板本体１６を用意
する。この壁部用コア基板本体１６には、予め上記凹部
１１に対応した位置に、凹部用貫通孔１６Ｈをパンチン
グにより形成しておく。
【００６９】次いで、図５（ｅ）に示すように、底部コ
ア基板本体上面１３Ａと、壁部用コア基板本体下面１６
Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、凹部用貫通孔
１６Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート１７
Ｒを介して挟み、加熱、圧着する。これにより、両者１
３，１６は、接着層１７を介して接着され、図４に示す
コア基板本体１０が作成できる。
ア基板本体上面１３Ａと、壁部用コア基板本体下面１６
Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、凹部用貫通孔
１６Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート１７
Ｒを介して挟み、加熱、圧着する。これにより、両者１
３，１６は、接着層１７を介して接着され、図４に示す
コア基板本体１０が作成できる。
【００７０】本実施形態のように、凹部１１を有するコ
ア基板本体１０を作成するのに、予め凹部１１の底部を
構成する底部用コア基板本体１３と、凹部１１の壁部を
構成する壁部用コア基板本体１６とに分けて製作し、そ
の後貼り合わせるようにすると、有底の凹部１１を容易
かつ正確な寸法で形成できる。さらに、底部の底部スル
ーホール導体１２も公知の手法を用いて容易に形成する
ことができる。したがって安価にコア基板本体１０を形
成することができる。
ア基板本体１０を作成するのに、予め凹部１１の底部を
構成する底部用コア基板本体１３と、凹部１１の壁部を
構成する壁部用コア基板本体１６とに分けて製作し、そ
の後貼り合わせるようにすると、有底の凹部１１を容易
かつ正確な寸法で形成できる。さらに、底部の底部スル
ーホール導体１２も公知の手法を用いて容易に形成する
ことができる。したがって安価にコア基板本体１０を形
成することができる。
【００７１】次いで、このコア基板本体１０にコンデン
サ２０を内蔵させ、コアスルーホール導体３３を形成す
る工程を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、コ
ア基板本体１０の凹部１１内に、上述のコンデンサ２０
をコンデンサ下面２０Ｂを下にして配置し、下面接続パ
ッド２２と対応する底部スルーホール導体１２とをＡｇ
−Ｓｎからなるハンダ２３でハンダ付け接続する。具体
的には、予め下面接続パッド２２にハンダペーストを印
刷しておき、底部スルーホール導体１２と重ねた後に、
リフロー炉を通過させてハンダペーストを溶融させてハ
ンダ付けする。
サ２０を内蔵させ、コアスルーホール導体３３を形成す
る工程を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、コ
ア基板本体１０の凹部１１内に、上述のコンデンサ２０
をコンデンサ下面２０Ｂを下にして配置し、下面接続パ
ッド２２と対応する底部スルーホール導体１２とをＡｇ
−Ｓｎからなるハンダ２３でハンダ付け接続する。具体
的には、予め下面接続パッド２２にハンダペーストを印
刷しておき、底部スルーホール導体１２と重ねた後に、
リフロー炉を通過させてハンダペーストを溶融させてハ
ンダ付けする。
【００７２】凹部１１内のフラックスを洗浄除去した
後、図６（ｂ）に示すように、凹部１１内の他、コア基
板本体上面１０Ａ及びコンデンサ上面２０Ａ上に、エポ
キシ樹脂を主成分とする充填樹脂３２を注入及び塗布し
硬化させる。これにより、コンデンサ２０が底部スルー
ホール導体１２に接続されつつ、凹部１１内において充
填樹脂３２（３２Ａ）で固定されて、コア基板本体１０
に内蔵され、熱や振動等が掛かった場合に、下面接続パ
ッド２２と底部スルーホール導体１２との間が破断する
不具合が防止される。
後、図６（ｂ）に示すように、凹部１１内の他、コア基
板本体上面１０Ａ及びコンデンサ上面２０Ａ上に、エポ
キシ樹脂を主成分とする充填樹脂３２を注入及び塗布し
硬化させる。これにより、コンデンサ２０が底部スルー
ホール導体１２に接続されつつ、凹部１１内において充
填樹脂３２（３２Ａ）で固定されて、コア基板本体１０
に内蔵され、熱や振動等が掛かった場合に、下面接続パ
ッド２２と底部スルーホール導体１２との間が破断する
不具合が防止される。
【００７３】さらに、図６（ｃ）に示すように、コア基
板本体上面１０Ａ上及びコンデンサ上面２０Ａ上の充填
樹脂層３２Ｂ，３２Ｃを平面に研磨して、上面接続パッ
ド２１を露出させると共に、この上面接続パッド２１
と、コンデンサ上面２０Ａ上及びコア基板本体上面１０
Ａ上に残した充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃとを略面一に整
面する。このようにして製作したコンデンサ内蔵コア基
板では、コア基板本体１０に凹部１１を形成し、その中
にコンデンサ２０を内蔵させたことによる段差の発生は
吸収され、以降に形成する上部樹脂絶縁層４１等や配線
層４５等が段差によって歪み、断線やショート等の不具
合を生じることはなくなる。また、フリップチップパッ
ド１０１（あるいはフリップチップバンプ１０２）への
段差の影響もなくなるため、フリップチップパッド１０
１等のコプラナリティも良好にできる。
板本体上面１０Ａ上及びコンデンサ上面２０Ａ上の充填
樹脂層３２Ｂ，３２Ｃを平面に研磨して、上面接続パッ
ド２１を露出させると共に、この上面接続パッド２１
と、コンデンサ上面２０Ａ上及びコア基板本体上面１０
Ａ上に残した充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃとを略面一に整
面する。このようにして製作したコンデンサ内蔵コア基
板では、コア基板本体１０に凹部１１を形成し、その中
にコンデンサ２０を内蔵させたことによる段差の発生は
吸収され、以降に形成する上部樹脂絶縁層４１等や配線
層４５等が段差によって歪み、断線やショート等の不具
合を生じることはなくなる。また、フリップチップパッ
ド１０１（あるいはフリップチップバンプ１０２）への
段差の影響もなくなるため、フリップチップパッド１０
１等のコプラナリティも良好にできる。
【００７４】さらに、図７に示すように、このコア基板
本体１０の凹部１１の周縁に、コア基板本体上面１０Ａ
とコア基板本体下面１０Ｂとの間、さらには、充填樹脂
層３２Ｃの上面３２ＣＵとコア基板本体下面１０Ｂとの
間を貫通するコアスルーホール孔３０Ｈをドリルによっ
て形成する。なお、孔径や間隔を小さくしたい場合など
では、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
本体１０の凹部１１の周縁に、コア基板本体上面１０Ａ
とコア基板本体下面１０Ｂとの間、さらには、充填樹脂
層３２Ｃの上面３２ＣＵとコア基板本体下面１０Ｂとの
間を貫通するコアスルーホール孔３０Ｈをドリルによっ
て形成する。なお、孔径や間隔を小さくしたい場合など
では、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
【００７５】次いで、公知のスルーホール導体形成手法
によって、このコアスルーホール孔３０Ｈ内及びその周
縁にＣｕからなるコアスルーホール導体３３を形成す
る。なお、充填樹脂層上面３２ＣＵ及びコア基板本体下
面１０Ｂには、コアスルーホール導体３３から延在して
配線層４５、５５と接続するための接続配線３４，３５
も形成する。また、充填樹脂層３２Ｂと面一にした上面
接続パッド２１も、Ｃｕメッキによってその厚さを増し
て充填樹脂層３２Ｂより上方の突出した状態とする。こ
のようにして、コンデンサ内蔵コア基板（以下単にコア
基板ともいう）３０を作成する。
によって、このコアスルーホール孔３０Ｈ内及びその周
縁にＣｕからなるコアスルーホール導体３３を形成す
る。なお、充填樹脂層上面３２ＣＵ及びコア基板本体下
面１０Ｂには、コアスルーホール導体３３から延在して
配線層４５、５５と接続するための接続配線３４，３５
も形成する。また、充填樹脂層３２Ｂと面一にした上面
接続パッド２１も、Ｃｕメッキによってその厚さを増し
て充填樹脂層３２Ｂより上方の突出した状態とする。こ
のようにして、コンデンサ内蔵コア基板（以下単にコア
基板ともいう）３０を作成する。
【００７６】このコア基板３０は、コア基板本体１０の
他、コンデンサ２０をその凹部１１に内蔵している。し
かし、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）
やコア基板３０Ｂ（コア基板本体下面１０Ｂ）には、所
定部位にこれらの間を貫通するコアスルーホール導体３
３、あるいは、上面接続端子２１や底部スルーホール導
体１２、接続配線１５，３４，３５が形成されており、
コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）は平坦
にされている。したがって、コンデンサを内蔵しない通
常の配線基板に用いるコア基板と同様に用いることがで
きる。
他、コンデンサ２０をその凹部１１に内蔵している。し
かし、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）
やコア基板３０Ｂ（コア基板本体下面１０Ｂ）には、所
定部位にこれらの間を貫通するコアスルーホール導体３
３、あるいは、上面接続端子２１や底部スルーホール導
体１２、接続配線１５，３４，３５が形成されており、
コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）は平坦
にされている。したがって、コンデンサを内蔵しない通
常の配線基板に用いるコア基板と同様に用いることがで
きる。
【００７７】コアスルーホール導体３３の具体的な製造
方法は、例えば以下のようである。即ち、まずコア基板
本体１０の全面に無電解Ｃｕメッキを施して、スルーホ
ール孔３０Ｈ内、充填樹脂層上面３２ＣＵ、及びコア基
板本体下面１０Ｂに無電解Ｃｕメッキ層を形成する。そ
の後、充填樹脂層３２Ｃの上面３２ＣＵ及びコア基板本
体下面１０Ｂ上にドライフィルムを貼り、露光現像して
コアスルーホール孔の周縁など電解メッキ形成部分を開
口させる。さらに、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極とし
て電流を流して電解Ｃｕメッキを施し、ドライフィルム
を除去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッ
チングで除去してコアスルーホール導体３３、接続配線
３４，３５等を形成する。なお、上面接続パッド２１に
も無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施す。一方、
コア基板本体下面１０Ｂの露出する底部スルーホール導
体１２及び接続配線１５は、メッキされないように予め
保護フィルムを貼り付けておく。ただし、本実施形態で
は、コアスルーホール孔３０Ｈを形成する前に、コンデ
ンサ２０を凹部１１内に内蔵しているので、凹部１１内
の露出する底部スルーホール導体１２にメッキやエッチ
ングが施されないように、保護フィルム等を形成してお
く必要がない。あるいは、上記保護フィルムを用いず
に、底部スルーホール導体及び接続配線１５上にも無電
解Ｃｕメッキを施す。その後、ドライフィルムによっ
て、底部スルーホール導体１２及び接続配線をカバーし
て、電解メッキがこれらの上に形成されるのを防止す
る。電解メッキ後、ドライフィルムを剥がし、形成され
た無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチングによって除去
するようにしても良い。このようにすると、保護フィル
ムを貼り付ける工程が不要になる。
方法は、例えば以下のようである。即ち、まずコア基板
本体１０の全面に無電解Ｃｕメッキを施して、スルーホ
ール孔３０Ｈ内、充填樹脂層上面３２ＣＵ、及びコア基
板本体下面１０Ｂに無電解Ｃｕメッキ層を形成する。そ
の後、充填樹脂層３２Ｃの上面３２ＣＵ及びコア基板本
体下面１０Ｂ上にドライフィルムを貼り、露光現像して
コアスルーホール孔の周縁など電解メッキ形成部分を開
口させる。さらに、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極とし
て電流を流して電解Ｃｕメッキを施し、ドライフィルム
を除去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッ
チングで除去してコアスルーホール導体３３、接続配線
３４，３５等を形成する。なお、上面接続パッド２１に
も無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施す。一方、
コア基板本体下面１０Ｂの露出する底部スルーホール導
体１２及び接続配線１５は、メッキされないように予め
保護フィルムを貼り付けておく。ただし、本実施形態で
は、コアスルーホール孔３０Ｈを形成する前に、コンデ
ンサ２０を凹部１１内に内蔵しているので、凹部１１内
の露出する底部スルーホール導体１２にメッキやエッチ
ングが施されないように、保護フィルム等を形成してお
く必要がない。あるいは、上記保護フィルムを用いず
に、底部スルーホール導体及び接続配線１５上にも無電
解Ｃｕメッキを施す。その後、ドライフィルムによっ
て、底部スルーホール導体１２及び接続配線をカバーし
て、電解メッキがこれらの上に形成されるのを防止す
る。電解メッキ後、ドライフィルムを剥がし、形成され
た無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチングによって除去
するようにしても良い。このようにすると、保護フィル
ムを貼り付ける工程が不要になる。
【００７８】その他、本実施形態では、コアスルーホー
ル導体３３をコアスルーホール孔３０Ｈの内周及び周縁
に形成された略円筒形状に形成したが、上記した底部ス
ルーホール導体１２と同様に、内部に充填用樹脂を充填
しその上下をメッキ層で閉塞するようにしても良い。こ
のようにすれば、接続配線３４，３５を介さず、配線層
４５，５５とコアスルーホール導体３３とを直接接続す
ることができるので、コアスルーホール導体３３の間隔
を高密度に形成することができる。
ル導体３３をコアスルーホール孔３０Ｈの内周及び周縁
に形成された略円筒形状に形成したが、上記した底部ス
ルーホール導体１２と同様に、内部に充填用樹脂を充填
しその上下をメッキ層で閉塞するようにしても良い。こ
のようにすれば、接続配線３４，３５を介さず、配線層
４５，５５とコアスルーホール導体３３とを直接接続す
ることができるので、コアスルーホール導体３３の間隔
を高密度に形成することができる。
【００７９】後述するように、このコンデンサ２０を内
蔵したコア基板３０に樹脂絶縁層や配線層を形成する前
に、内蔵したコンデンサ２０の特性検査を行うと良い。
即ち、コア基板３０に内蔵された状態で、コンデンサ２
０の、ショートの有無、静電容量値、一対の電極群２５
Ｅと２５Ｆと間の絶縁抵抗値、各上面接続パッド２１及
び各底面スルーホール導体１２と、各電極群２５Ｅ，２
５Ｆとの導通あるいは絶縁のチェック等、各種の検査を
行い、不具合のあるコンデンサ２０が内蔵されたコア基
板３０は廃棄する。これにより、後述するように工数の
掛かる樹脂絶縁層や配線層を形成した後に、コンデンサ
２０に不具合があることが判明することで、付加価値の
高い配線基板１００全体を廃棄せざるを得なくなる危険
性を減少させることができる。
蔵したコア基板３０に樹脂絶縁層や配線層を形成する前
に、内蔵したコンデンサ２０の特性検査を行うと良い。
即ち、コア基板３０に内蔵された状態で、コンデンサ２
０の、ショートの有無、静電容量値、一対の電極群２５
Ｅと２５Ｆと間の絶縁抵抗値、各上面接続パッド２１及
び各底面スルーホール導体１２と、各電極群２５Ｅ，２
５Ｆとの導通あるいは絶縁のチェック等、各種の検査を
行い、不具合のあるコンデンサ２０が内蔵されたコア基
板３０は廃棄する。これにより、後述するように工数の
掛かる樹脂絶縁層や配線層を形成した後に、コンデンサ
２０に不具合があることが判明することで、付加価値の
高い配線基板１００全体を廃棄せざるを得なくなる危険
性を減少させることができる。
【００８０】その後は、このコア基板３０を用いて、公
知の樹脂絶縁層形成技術、配線層形成技術を用いて樹脂
絶縁層や配線層を形成し、配線基板１００を形成すれば
よい。 なお本実施形態では、樹脂絶縁層を形成する前
に、以下の処理を行う。即ち、図８（ａ）に示すよう
に、コアスルーホール導体３３の内部の他、充填樹脂層
３２Ｂ、３２Ｃの上方や上面接続パッド２１、接続配線
３４の上方、コア基板本体下面１０Ｂや底部スルーホー
ル導体１２，接続配線１５，３５の上（図中下方）にエ
ポキシ樹脂を主成分とする平坦化樹脂３６，３７，３８
を、充填塗布し、硬化させる。あるいは、まずコアスル
ーホール導体３３の内部に平坦化樹脂３６を充填し硬化
させた後に、平坦化樹脂３７，３８を塗布して硬化させ
ても良い。
知の樹脂絶縁層形成技術、配線層形成技術を用いて樹脂
絶縁層や配線層を形成し、配線基板１００を形成すれば
よい。 なお本実施形態では、樹脂絶縁層を形成する前
に、以下の処理を行う。即ち、図８（ａ）に示すよう
に、コアスルーホール導体３３の内部の他、充填樹脂層
３２Ｂ、３２Ｃの上方や上面接続パッド２１、接続配線
３４の上方、コア基板本体下面１０Ｂや底部スルーホー
ル導体１２，接続配線１５，３５の上（図中下方）にエ
ポキシ樹脂を主成分とする平坦化樹脂３６，３７，３８
を、充填塗布し、硬化させる。あるいは、まずコアスル
ーホール導体３３の内部に平坦化樹脂３６を充填し硬化
させた後に、平坦化樹脂３７，３８を塗布して硬化させ
ても良い。
【００８１】さらに、図８（ｂ）に示すように、平坦化
樹脂３７，３８の上面あるいは下面を研磨して平坦にす
る。それと共に、上面接続パッド２１、コアスルーホー
ル導体３３及び接続配線３４を平坦化樹脂層３７と略面
一に露出させる。また、底部スルーホール導体１２，接
続配線１５，３５及びコアスルーホール導体３３を平坦
化樹脂層３８と略面一に露出させる。これにより、上面
接続パッド２１やコアスルーホール導体３３、接続配線
１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が、コ
ア基板上面３０Ａあるいはコア基板下面３０Ｂから突出
して形成されているために、その上下に形成する樹脂絶
縁層４１，５１等あるいは配線層４５，５５等が受ける
影響を無くすことができる。したがって、配線層４５等
の断線やショートの防止、あるいは、フリップチップパ
ッド１０１等のコプラナリティの向上を図ることができ
る。
樹脂３７，３８の上面あるいは下面を研磨して平坦にす
る。それと共に、上面接続パッド２１、コアスルーホー
ル導体３３及び接続配線３４を平坦化樹脂層３７と略面
一に露出させる。また、底部スルーホール導体１２，接
続配線１５，３５及びコアスルーホール導体３３を平坦
化樹脂層３８と略面一に露出させる。これにより、上面
接続パッド２１やコアスルーホール導体３３、接続配線
１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が、コ
ア基板上面３０Ａあるいはコア基板下面３０Ｂから突出
して形成されているために、その上下に形成する樹脂絶
縁層４１，５１等あるいは配線層４５，５５等が受ける
影響を無くすことができる。したがって、配線層４５等
の断線やショートの防止、あるいは、フリップチップパ
ッド１０１等のコプラナリティの向上を図ることができ
る。
【００８２】以降は、平坦化樹脂層３７の上面３７Ｕ及
び平坦化樹脂層３８の下面３８Ｄに、エポキシ樹脂を主
成分とする感光性フィルムを貼り付ける。さらに、露光
現像して、底面にそれぞれ上面接続パッド２１、接続配
線１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が露
出する位置にビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを形成し、
感光性フィルムを硬化させて、図９（ａ）に示すよう
に、樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ形成する。なお、
樹脂絶縁層４１，５１を感光性のない樹脂で形成した後
に、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）を用いてビアホール４
１ＶＨ，５１ＶＨを穿孔するようにしても良い。
び平坦化樹脂層３８の下面３８Ｄに、エポキシ樹脂を主
成分とする感光性フィルムを貼り付ける。さらに、露光
現像して、底面にそれぞれ上面接続パッド２１、接続配
線１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が露
出する位置にビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを形成し、
感光性フィルムを硬化させて、図９（ａ）に示すよう
に、樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ形成する。なお、
樹脂絶縁層４１，５１を感光性のない樹脂で形成した後
に、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）を用いてビアホール４
１ＶＨ，５１ＶＨを穿孔するようにしても良い。
【００８３】さらに、無電解Ｃｕメッキを施し、ドライ
フィルムを貼り付け露光現像して電解メッキ層形成部分
のみ開口させ、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極として開
口内に電解Ｃｕメッキ層を形成し、ドライフィルムを除
去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチン
グにより除去する。これにより、ビアホール４１ＶＨ、
５１ＶＨ内に樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ貫通し、
上面接続パッド２１等とそれぞれ接続するビア部４５
Ｖ，５５Ｖを有する配線層４５，５５が、互いに絶縁さ
れて形成される。なお、この配線層４５，５５は、さら
に上部に樹脂絶縁層４２，５２が形成されると樹脂絶縁
層４１と４２、あるいは樹脂絶縁層５１と５２の層間に
配置されることになる。
フィルムを貼り付け露光現像して電解メッキ層形成部分
のみ開口させ、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極として開
口内に電解Ｃｕメッキ層を形成し、ドライフィルムを除
去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチン
グにより除去する。これにより、ビアホール４１ＶＨ、
５１ＶＨ内に樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ貫通し、
上面接続パッド２１等とそれぞれ接続するビア部４５
Ｖ，５５Ｖを有する配線層４５，５５が、互いに絶縁さ
れて形成される。なお、この配線層４５，５５は、さら
に上部に樹脂絶縁層４２，５２が形成されると樹脂絶縁
層４１と４２、あるいは樹脂絶縁層５１と５２の層間に
配置されることになる。
【００８４】以降は、同様にして樹脂絶縁層４２，５
２、配線層４６，５６及びフリップチップパッド１０
１、樹脂絶縁層（ソルダレジスト層）４３，５３を順に
形成し、さらに、樹脂絶縁層４３から露出するフリップ
チップパッド１０１にハンダペーストを塗布しリフロー
することで、ハンダからなるフリップチップバンプ１０
２を形成する。このようにして、図１に示す配線基板１
００が完成する。なお、ＬＧＡパッド１０３の表面に
は、酸化防止のため、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成しても
良い。
２、配線層４６，５６及びフリップチップパッド１０
１、樹脂絶縁層（ソルダレジスト層）４３，５３を順に
形成し、さらに、樹脂絶縁層４３から露出するフリップ
チップパッド１０１にハンダペーストを塗布しリフロー
することで、ハンダからなるフリップチップバンプ１０
２を形成する。このようにして、図１に示す配線基板１
００が完成する。なお、ＬＧＡパッド１０３の表面に
は、酸化防止のため、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成しても
良い。
【００８５】本実施形態においては、コア基板本体１０
の凹部１１内にコンデンサ２０を内蔵させ充填樹脂３２
で固定した後に、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃの上面を研
磨し整面した。さらに、コアスルーホール導体３３等を
形成した後にも、平坦化樹脂層３７，３８の上面を研磨
して整面した。このため、コンデンサ２０を凹部１１内
に内蔵させたことによって生じる段差を解消し、さらに
は、コアスルーホール導体３３や上面接続パッド２１等
の突出による段差も解消したので、配線層４５，５５等
の断線やショート、さらには、フリップチップパッド１
０１やフリップチップバンプ１０２のコプラナリティも
向上させることができる。
の凹部１１内にコンデンサ２０を内蔵させ充填樹脂３２
で固定した後に、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃの上面を研
磨し整面した。さらに、コアスルーホール導体３３等を
形成した後にも、平坦化樹脂層３７，３８の上面を研磨
して整面した。このため、コンデンサ２０を凹部１１内
に内蔵させたことによって生じる段差を解消し、さらに
は、コアスルーホール導体３３や上面接続パッド２１等
の突出による段差も解消したので、配線層４５，５５等
の断線やショート、さらには、フリップチップパッド１
０１やフリップチップバンプ１０２のコプラナリティも
向上させることができる。
【００８６】また本実施形態では、上述のように樹脂絶
縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３を、感光性樹
脂フィルムを用いたフォトリソグラフィ技術によって形
成し、また、配線層４５，５５を、いわゆるセミアディ
ティブ法によって形成した。しかし、樹脂絶縁層４１等
を樹脂ペーストを塗布するなど他の手法で、また、配線
層４５等も、サブトラクティブ法、フルアディティブ
法、その他の手法で形成しても良い。即ち、公知のいず
れの手法によって、樹脂絶縁層４１等及び配線層４５等
を形成しても良い。
縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３を、感光性樹
脂フィルムを用いたフォトリソグラフィ技術によって形
成し、また、配線層４５，５５を、いわゆるセミアディ
ティブ法によって形成した。しかし、樹脂絶縁層４１等
を樹脂ペーストを塗布するなど他の手法で、また、配線
層４５等も、サブトラクティブ法、フルアディティブ
法、その他の手法で形成しても良い。即ち、公知のいず
れの手法によって、樹脂絶縁層４１等及び配線層４５等
を形成しても良い。
【００８７】（実施形態２）次いで、第２の実施の形態
にかかる配線基板２００ついて、図１０を参照しつつ説
明する。前記実施形態１の配線基板１００では、コンデ
ンサ２０を内蔵するコア基板本体１０の凹部１１が、図
中上方に向かって開口していた。これに対して、本実施
形態の配線基板２００では、コンデンサ２２０を内蔵す
るコア基板本体２１０の凹部２１１が、図中下方に向か
って開口している点で異なり、その他は同様であるの
で、異なる部分を中心に説明し、同様な部分については
説明を省略あるいは簡略化する。
にかかる配線基板２００ついて、図１０を参照しつつ説
明する。前記実施形態１の配線基板１００では、コンデ
ンサ２０を内蔵するコア基板本体１０の凹部１１が、図
中上方に向かって開口していた。これに対して、本実施
形態の配線基板２００では、コンデンサ２２０を内蔵す
るコア基板本体２１０の凹部２１１が、図中下方に向か
って開口している点で異なり、その他は同様であるの
で、異なる部分を中心に説明し、同様な部分については
説明を省略あるいは簡略化する。
【００８８】配線基板２００は、その配線基板上面２０
０Ａに、破線で示すＩＣチップ１との接続用のフリップ
チップパッド１０１及びフリップチップバンプ１０２が
多数形成されている。一方、配線基板下面２００Ｂに
は、ＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらに
この配線基板２００は、コンデンサ２２０を内蔵するコ
ア基板本体２１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁
層４１，４２，４３，５１，５，２，５３及びこれらの
層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層６
０，７０，８０，９０を備える。
０Ａに、破線で示すＩＣチップ１との接続用のフリップ
チップパッド１０１及びフリップチップバンプ１０２が
多数形成されている。一方、配線基板下面２００Ｂに
は、ＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらに
この配線基板２００は、コンデンサ２２０を内蔵するコ
ア基板本体２１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁
層４１，４２，４３，５１，５，２，５３及びこれらの
層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層６
０，７０，８０，９０を備える。
【００８９】このうち、コア基板本体２１０は、平面視
略正方形板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からな
り、その略中央にはコア基板本体下面２１０Ｂ側に開口
する有底の凹部２１１を備える。この凹部２１１の図中
上方に位置する底部２１１Ｔ、即ち、底面２１１Ｂとコ
ア基板本体上面１０Ａとの間には、この間を貫通する底
部スルーホール導体２１２が複数形成されている。ま
た、この凹部２１１内には、コンデンサ２２０が内蔵さ
れている。また、このコア基板本体２１０の周縁部に
は、コア基板本体上面２１０Ａとコア基板本体下面２１
０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体２３３が多
数形成されている。
略正方形板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からな
り、その略中央にはコア基板本体下面２１０Ｂ側に開口
する有底の凹部２１１を備える。この凹部２１１の図中
上方に位置する底部２１１Ｔ、即ち、底面２１１Ｂとコ
ア基板本体上面１０Ａとの間には、この間を貫通する底
部スルーホール導体２１２が複数形成されている。ま
た、この凹部２１１内には、コンデンサ２２０が内蔵さ
れている。また、このコア基板本体２１０の周縁部に
は、コア基板本体上面２１０Ａとコア基板本体下面２１
０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体２３３が多
数形成されている。
【００９０】コンデンサ２２０は、実施形態１で説明し
たコンデンサ２０と同様の材質、構造を有する積層セラ
ミックコンデンサである（図２（ａ）（ｂ）（ｃ）参
照）。コンデンサ上面２２０Ａ及びコンデンサ下面２２
０Ｂには、それぞれ多数の上面接続パッド２２１及び下
面接続パッド２２２を備えており、これらのパッド２２
１，２２２によって、コンデンサ上面２２０Ａ及びコン
デンサ下面２２０Ｂ内で、図中上方あるいは下方に接続
可能になっている。このコンデンサ２２０の上面接続パ
ッド２２１とこれに対応する底部スルーホール導体２１
２とが、それぞれＡｇ−Ｓｎハンダからなるハンダ層２
２３によって導通、接続されている。これにより、コア
基板本体２１０に内蔵されたコンデンサ２２０は、図中
上方には上面接続パッド２２１に接続する底部スルーホ
ール導体２１２で、図中下方には下面接続パッド２２２
で、それぞれ接続可能になっている。さらに、このコン
デンサ２２０は、エポキシ樹脂からなる充填樹脂２３２
によって凹部２１１内に固定されて、コア基板本体２１
０と一体となっている。
たコンデンサ２０と同様の材質、構造を有する積層セラ
ミックコンデンサである（図２（ａ）（ｂ）（ｃ）参
照）。コンデンサ上面２２０Ａ及びコンデンサ下面２２
０Ｂには、それぞれ多数の上面接続パッド２２１及び下
面接続パッド２２２を備えており、これらのパッド２２
１，２２２によって、コンデンサ上面２２０Ａ及びコン
デンサ下面２２０Ｂ内で、図中上方あるいは下方に接続
可能になっている。このコンデンサ２２０の上面接続パ
ッド２２１とこれに対応する底部スルーホール導体２１
２とが、それぞれＡｇ−Ｓｎハンダからなるハンダ層２
２３によって導通、接続されている。これにより、コア
基板本体２１０に内蔵されたコンデンサ２２０は、図中
上方には上面接続パッド２２１に接続する底部スルーホ
ール導体２１２で、図中下方には下面接続パッド２２２
で、それぞれ接続可能になっている。さらに、このコン
デンサ２２０は、エポキシ樹脂からなる充填樹脂２３２
によって凹部２１１内に固定されて、コア基板本体２１
０と一体となっている。
【００９１】さらに、実施形態１と同様に、コア基板本
体上面２１０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分とす
る３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。一
方、コア基板本体下面２１０Ｂ及びコンデンサ下面２２
０Ｂにも、同じく３層の下部樹脂絶縁層５１，５２，５
３を備える。さらに上部樹脂絶縁層４１と４２の層間及
び上部樹脂配線層４２と４３の層間には、それぞれ上部
樹脂絶縁層４１，４２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる
配線層４５，４６が形成されている。同様に、下部樹脂
絶縁層５１と５２の層間及び下部樹脂配線層５２と５３
の層間には、それぞれ下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫
通し、Ｃｕメッキからなる配線層５５，５６が形成され
ている。
体上面２１０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分とす
る３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。一
方、コア基板本体下面２１０Ｂ及びコンデンサ下面２２
０Ｂにも、同じく３層の下部樹脂絶縁層５１，５２，５
３を備える。さらに上部樹脂絶縁層４１と４２の層間及
び上部樹脂配線層４２と４３の層間には、それぞれ上部
樹脂絶縁層４１，４２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる
配線層４５，４６が形成されている。同様に、下部樹脂
絶縁層５１と５２の層間及び下部樹脂配線層５２と５３
の層間には、それぞれ下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫
通し、Ｃｕメッキからなる配線層５５，５６が形成され
ている。
【００９２】このうち、フリップチップパッド１０１と
これに対応する底部スルーホール導体２１２とをそれぞ
れ結ぶ配線層４５，４６は、上部コンデンサ接続配線６
０を構成し、フリップチップパッド１０１とこれに対応
するコアスルーホール導体３３とをそれぞれ結ぶ配線層
４５，４６は、上部コア接続配線８０を構成する。一
方、コンデンサ２０の下面接続パッド２２２とこれに対
応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５
５，５６は、下部コンデンサ接続配線７０を構成し、コ
アスルーホール導体３３とこれに対応するＬＧＡパッド
１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コア
接続配線９０を構成する。
これに対応する底部スルーホール導体２１２とをそれぞ
れ結ぶ配線層４５，４６は、上部コンデンサ接続配線６
０を構成し、フリップチップパッド１０１とこれに対応
するコアスルーホール導体３３とをそれぞれ結ぶ配線層
４５，４６は、上部コア接続配線８０を構成する。一
方、コンデンサ２０の下面接続パッド２２２とこれに対
応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５
５，５６は、下部コンデンサ接続配線７０を構成し、コ
アスルーホール導体３３とこれに対応するＬＧＡパッド
１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コア
接続配線９０を構成する。
【００９３】これにより、フリップチップバンプ１０２
に接続されたＩＣチップ１は、コンデンサ２２０の一対
の電極群とそれぞれ接続することになる。さらに、ＬＧ
Ａパッド１０３は、コンデンサ２２０の一対の電極群と
それぞれ接続している。このため、ＬＧＡパッド１０３
に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及
び接地電位は、ＬＧＡパッド１０３から、下部コンデン
サ接続配線７０、コンデンサ２２０、底部スルーホール
導体２１２、上部コンデンサ接続配線６０、フリップチ
ップパッド１０１、フリップチップバンプ１０２を通じ
て、ＩＣチップ１に供給することができるようになる。
さらに、コンデンサ２２０により電源電位や接地電位に
重畳されるノイズを除去することができる。
に接続されたＩＣチップ１は、コンデンサ２２０の一対
の電極群とそれぞれ接続することになる。さらに、ＬＧ
Ａパッド１０３は、コンデンサ２２０の一対の電極群と
それぞれ接続している。このため、ＬＧＡパッド１０３
に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及
び接地電位は、ＬＧＡパッド１０３から、下部コンデン
サ接続配線７０、コンデンサ２２０、底部スルーホール
導体２１２、上部コンデンサ接続配線６０、フリップチ
ップパッド１０１、フリップチップバンプ１０２を通じ
て、ＩＣチップ１に供給することができるようになる。
さらに、コンデンサ２２０により電源電位や接地電位に
重畳されるノイズを除去することができる。
【００９４】しかも、コンデンサ２２０は、コア基板本
体２１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１のごく近
くに配置することができるため、上部コンデンサ接続配
線６０の長さを短くできる。したがって、コンデンサ２
２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。
特に、本実施形態では、コンデンサ２２０を、ＩＣチッ
プ１の直下に、したがって、フリップチップパッド１０
１の直下に配置する構造としたので、上部コンデンサ接
続配線６０の長さをごく短くすることができる。したが
って、ＩＣチップ１とコンデンサ２２０との距離をごく
短くすることができるから、この間でノイズが重畳され
ることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
体２１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１のごく近
くに配置することができるため、上部コンデンサ接続配
線６０の長さを短くできる。したがって、コンデンサ２
２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。
特に、本実施形態では、コンデンサ２２０を、ＩＣチッ
プ１の直下に、したがって、フリップチップパッド１０
１の直下に配置する構造としたので、上部コンデンサ接
続配線６０の長さをごく短くすることができる。したが
って、ＩＣチップ１とコンデンサ２２０との距離をごく
短くすることができるから、この間でノイズが重畳され
ることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００９５】また、上部コンデンサ接続配線６０は並列
に多数形成されている。また同様に、下部コンデンサ接
続配線７０も多数形成されている。このため、全体とし
て、上部コンデンサ接続配線６０や下部コンデンサ接続
配線７０及び底部スルーホール導体１２の持つ抵抗やイ
ンダクタンスも小さくなり、この点からもノイズ除去に
有利となる。
に多数形成されている。また同様に、下部コンデンサ接
続配線７０も多数形成されている。このため、全体とし
て、上部コンデンサ接続配線６０や下部コンデンサ接続
配線７０及び底部スルーホール導体１２の持つ抵抗やイ
ンダクタンスも小さくなり、この点からもノイズ除去に
有利となる。
【００９６】一方、信号線などコンデンサ２２０に接続
しないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線
は、フリップチップパッド１０１から上部コア接続配線
８０を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コ
ア基板本体２１０を貫通して、下部コア接続配線９０か
らＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルー
ホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドア
ップ配線基板と同様である。このように、本実施形態の
配線基板２００でも、ＩＣチップ１のごく近くにコンデ
ンサ２２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共
に、信号線等については、従来と同様の構造にすること
ができる。
しないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線
は、フリップチップパッド１０１から上部コア接続配線
８０を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コ
ア基板本体２１０を貫通して、下部コア接続配線９０か
らＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルー
ホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドア
ップ配線基板と同様である。このように、本実施形態の
配線基板２００でも、ＩＣチップ１のごく近くにコンデ
ンサ２２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共
に、信号線等については、従来と同様の構造にすること
ができる。
【００９７】さらに、本実施形態の配線基板２００で
は、凹部２１１が下方に開口し、その底部２１１Ｔが図
中上方に位置しているため、樹脂絶縁層４１，４２，４
３及び配線層４５，４６、さらには、フリップチップパ
ッド１０１やフリップチップバンプ１０２は、凹部２１
１の影響を受けることなく形成することができる。した
がって、凹部２１１やコンデンサ２２０によって段差が
生じることに起因して、フリップチップパッド１０１等
のコプラナリティの低下が生じることが無いから、ＩＣ
チップ１との安定した接続性を得ることができる。な
お、この配線基板２００は、実施形態１のコンデンサ２
０や配線基板本体１０と同様のコンデンサ２２０やコア
基板本体２１０を製作し、コア基板本体２１０にコンデ
ンサ２２０を内蔵させ、上下反転させた上で実施形態１
と同様に樹脂絶縁層４１等や配線層４５等を形成すれば
製作できるので、その詳細な説明を省略する。
は、凹部２１１が下方に開口し、その底部２１１Ｔが図
中上方に位置しているため、樹脂絶縁層４１，４２，４
３及び配線層４５，４６、さらには、フリップチップパ
ッド１０１やフリップチップバンプ１０２は、凹部２１
１の影響を受けることなく形成することができる。した
がって、凹部２１１やコンデンサ２２０によって段差が
生じることに起因して、フリップチップパッド１０１等
のコプラナリティの低下が生じることが無いから、ＩＣ
チップ１との安定した接続性を得ることができる。な
お、この配線基板２００は、実施形態１のコンデンサ２
０や配線基板本体１０と同様のコンデンサ２２０やコア
基板本体２１０を製作し、コア基板本体２１０にコンデ
ンサ２２０を内蔵させ、上下反転させた上で実施形態１
と同様に樹脂絶縁層４１等や配線層４５等を形成すれば
製作できるので、その詳細な説明を省略する。
【００９８】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形態
では、コア基板本体１０、さらにいえば、底部コア基板
本体１３１及び壁部コア基板本体１６の材質として、ガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料を用いたが、コア基板本体
としては、耐熱性、機械的強度、可撓性、加工の容易さ
等を考慮して選択すればよい。したがって、例えば、ガ
ラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維とエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂とのガラス繊維
−樹脂複合材料や、ポリアミド繊維などの有機繊維と樹
脂との複合材料、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元
網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸
させた樹脂−樹脂複合材料などを用いることができる。
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形態
では、コア基板本体１０、さらにいえば、底部コア基板
本体１３１及び壁部コア基板本体１６の材質として、ガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料を用いたが、コア基板本体
としては、耐熱性、機械的強度、可撓性、加工の容易さ
等を考慮して選択すればよい。したがって、例えば、ガ
ラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維とエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂とのガラス繊維
−樹脂複合材料や、ポリアミド繊維などの有機繊維と樹
脂との複合材料、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元
網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸
させた樹脂−樹脂複合材料などを用いることができる。
【００９９】また、樹脂絶縁層４１等として、エポキシ
樹脂を主成分とするものを用いたが、耐熱性、パターン
成形性等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、ポリ
イミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有する
ＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ
樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げ
られる。同様に、配線層４５等を、無電解Ｃｕメッキ及
び電解Ｃｕメッキによって形成したが、その他の材質、
例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良く、
さらには、メッキによらず、導電性樹脂を塗布する等の
手法によって配線層４５等を形成しても良い。
樹脂を主成分とするものを用いたが、耐熱性、パターン
成形性等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、ポリ
イミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有する
ＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ
樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げ
られる。同様に、配線層４５等を、無電解Ｃｕメッキ及
び電解Ｃｕメッキによって形成したが、その他の材質、
例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良く、
さらには、メッキによらず、導電性樹脂を塗布する等の
手法によって配線層４５等を形成しても良い。
【０１００】上記実施形態では、ＩＣチップ１との接続
のために、配線基板上面１００Ａ，２００Ａにフリップ
チップパッド１０１及びフリップチップバンプ１０２を
多数設けた。しかし、ＩＣ接続端子としては、接続する
ＩＣチップに形成され端子に応じて、適切な形態のもの
を選択すれば良く、フリップチップバンプを形成したも
のの他、フリップチップパッドのみのもの、あるいは、
ワイヤボンディングパッドやＴＡＢ接続用のパッドを形
成したものなどが挙げられる。
のために、配線基板上面１００Ａ，２００Ａにフリップ
チップパッド１０１及びフリップチップバンプ１０２を
多数設けた。しかし、ＩＣ接続端子としては、接続する
ＩＣチップに形成され端子に応じて、適切な形態のもの
を選択すれば良く、フリップチップバンプを形成したも
のの他、フリップチップパッドのみのもの、あるいは、
ワイヤボンディングパッドやＴＡＢ接続用のパッドを形
成したものなどが挙げられる。
【０１０１】上記実施形態では、コア基板本体の略中央
に凹部を１つ設けたものを示したが、略中央に形成する
必要はなく、また、必要に応じて凹部を複数設けてコン
デンサを内蔵するようにしても良い。また逆に、複数の
電源電位に対応するなどのため、１つの凹部内に、複数
のコンデンサを内蔵するようにしても良い。また、コン
デンサ２０として、コンデンサ上面２０Ａやコンデンサ
下面２０Ｂに略平行に誘電体層２４及び電極層２５を積
層した積層セラミックコンデンサを示した。しかし、内
蔵させるコンデンサは、コンデンサ上面２０Ａやコンデ
ンサ下面２０Ｂに上面接続パッド２１や下面接続パッド
２２が形成されたもので有ればよく、例えば、誘電体層
や電極層がコンデンサ上面と略直交する方向に積層され
ているなど、コンデンサの積層方向や内部構造は適宜変
更することができる。また、上記実施形態１では、コン
デンサ内に形成したビア導体２６，２７，２８は、いず
れも他のビア導体と上下方向に重なった位置に形成され
たものを示したが（図２（ｃ）参照）、他のビア導体が
上方あるいは下方にある位置に限定する必要はなく、各
ビア導体２６等の配置あるいはその数は、適宜選択する
ことができる。
に凹部を１つ設けたものを示したが、略中央に形成する
必要はなく、また、必要に応じて凹部を複数設けてコン
デンサを内蔵するようにしても良い。また逆に、複数の
電源電位に対応するなどのため、１つの凹部内に、複数
のコンデンサを内蔵するようにしても良い。また、コン
デンサ２０として、コンデンサ上面２０Ａやコンデンサ
下面２０Ｂに略平行に誘電体層２４及び電極層２５を積
層した積層セラミックコンデンサを示した。しかし、内
蔵させるコンデンサは、コンデンサ上面２０Ａやコンデ
ンサ下面２０Ｂに上面接続パッド２１や下面接続パッド
２２が形成されたもので有ればよく、例えば、誘電体層
や電極層がコンデンサ上面と略直交する方向に積層され
ているなど、コンデンサの積層方向や内部構造は適宜変
更することができる。また、上記実施形態１では、コン
デンサ内に形成したビア導体２６，２７，２８は、いず
れも他のビア導体と上下方向に重なった位置に形成され
たものを示したが（図２（ｃ）参照）、他のビア導体が
上方あるいは下方にある位置に限定する必要はなく、各
ビア導体２６等の配置あるいはその数は、適宜選択する
ことができる。
【０１０２】さらに、上記実施形態では、誘電体層２４
にＢａＴｉＯ3を主成分とする高誘電体セラミックを用
いたが、誘電体層の材質はこれに限定されず、例えば、
ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＺｒＯ3，ＴｉＯ2，ＳｒＴｉＯ3，Ｃ
ａＴｉＯ3，ＭｇＴｉＯ3，ＫＮｂＯ3，ＮａＴｉＯ3，Ｋ
ＴａＯ3，ＲｂＴａＯ3，（Ｎａ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3，
Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3，（Ｋ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3な
どが挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他
に応じて適宜選択すればよい。また、電極層２５やビア
導体２６等には、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等と
の適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａ
ｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙
げられる。さらに、高誘電体セラミックを主成分とする
誘電体層やＡｇ−Ｐｄ等からなる電極層と、樹脂層やＣ
ｕメッキ，Ｎｉメッキ等からなるビア導体や配線層とを
複合させてコンデンサとしたものを用いることもでき
る。
にＢａＴｉＯ3を主成分とする高誘電体セラミックを用
いたが、誘電体層の材質はこれに限定されず、例えば、
ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＺｒＯ3，ＴｉＯ2，ＳｒＴｉＯ3，Ｃ
ａＴｉＯ3，ＭｇＴｉＯ3，ＫＮｂＯ3，ＮａＴｉＯ3，Ｋ
ＴａＯ3，ＲｂＴａＯ3，（Ｎａ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3，
Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3，（Ｋ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3な
どが挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他
に応じて適宜選択すればよい。また、電極層２５やビア
導体２６等には、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等と
の適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａ
ｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙
げられる。さらに、高誘電体セラミックを主成分とする
誘電体層やＡｇ−Ｐｄ等からなる電極層と、樹脂層やＣ
ｕメッキ，Ｎｉメッキ等からなるビア導体や配線層とを
複合させてコンデンサとしたものを用いることもでき
る。
【０１０３】上記実施形態では、下面接続パッド２２ま
たは上面接続パッド２２１と底部スルーホール導体１
２，２１２とをＡｇ−Ｓｎハンダで接続したが、ハンダ
付けの容易さやハンダ付け温度等を考慮し、適宜ハンダ
の材質を選択すれば良い。例えば、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハ
ンダや、Ａｕ−Ｓｉ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−
Ｂｉ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｓｎ−Ａｕ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ，Ｓ
ｎ−Ｚｎ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕなど各種のハンダが
挙げられる。また、さらに、例えば、下面接続パッド２
２と底部スルーホール導体１２とに挟まれた部分のみ上
下方向に導通する異方性導電性樹脂シートを用い、これ
をコンデンサ２０（下面接続パッド２２）と底部スルー
ホール導体１２との間に介在させて、両者を接続しても
良い。また、上記実施形態では、凹部１１内にコンデン
サ２０を内蔵した後、凹部１１内に充填樹脂３２（３２
Ａ）を充填したほか、コンデンサ上面２０Ａ上及びコア
基板本体上面１０Ａ上にも、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃ
を形成した（図６参照）。しかし、少なくとも充填樹脂
３２（３２Ａ）でコンデンサ２０を凹部１１内に固定で
きれば良い。したがって、凹部１１内にのみ充填樹脂３
２を注入しても良い。
たは上面接続パッド２２１と底部スルーホール導体１
２，２１２とをＡｇ−Ｓｎハンダで接続したが、ハンダ
付けの容易さやハンダ付け温度等を考慮し、適宜ハンダ
の材質を選択すれば良い。例えば、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハ
ンダや、Ａｕ−Ｓｉ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−
Ｂｉ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｓｎ−Ａｕ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ，Ｓ
ｎ−Ｚｎ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕなど各種のハンダが
挙げられる。また、さらに、例えば、下面接続パッド２
２と底部スルーホール導体１２とに挟まれた部分のみ上
下方向に導通する異方性導電性樹脂シートを用い、これ
をコンデンサ２０（下面接続パッド２２）と底部スルー
ホール導体１２との間に介在させて、両者を接続しても
良い。また、上記実施形態では、凹部１１内にコンデン
サ２０を内蔵した後、凹部１１内に充填樹脂３２（３２
Ａ）を充填したほか、コンデンサ上面２０Ａ上及びコア
基板本体上面１０Ａ上にも、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃ
を形成した（図６参照）。しかし、少なくとも充填樹脂
３２（３２Ａ）でコンデンサ２０を凹部１１内に固定で
きれば良い。したがって、凹部１１内にのみ充填樹脂３
２を注入しても良い。
【０１０４】あるいは、充填樹脂３２（３２Ａ）の他に
充填樹脂層３２Ｂのみ形成するようにすることもでき
る。即ち、凹部１１やコンデンサ２０の寸法を調整して
おき、コンデンサ２０を凹部１１内で接続させた状態
で、コンデンサ上面２０Ａがコア基板本体上面１０Ａよ
りも低位となり、かつ、上面接続パッド２１がコア基板
本体上面１０Ａよりも上位となるようにする。次いで、
凹部１１内に充填樹脂３２を注入するほか、コンデンサ
上面２０Ａにも充填樹脂層３２Ｂを形成する。その後、
この充填樹脂層の上面に上面接続パッド２１が露出し、
この上面がコア基板本体上面１０Ａと面一になるように
整面しても良い。このようにしても、凹部１１やコンデ
ンサ２０を内蔵したために生じる段差が解消でき、さら
に上層に上部樹脂絶縁層４１等や配線層４５等を形成す
る際に、配線層４５等の断線やショートを防止し、ある
いはフリップチップパッド１０１等のコプラナリティ低
下を防止できる。
充填樹脂層３２Ｂのみ形成するようにすることもでき
る。即ち、凹部１１やコンデンサ２０の寸法を調整して
おき、コンデンサ２０を凹部１１内で接続させた状態
で、コンデンサ上面２０Ａがコア基板本体上面１０Ａよ
りも低位となり、かつ、上面接続パッド２１がコア基板
本体上面１０Ａよりも上位となるようにする。次いで、
凹部１１内に充填樹脂３２を注入するほか、コンデンサ
上面２０Ａにも充填樹脂層３２Ｂを形成する。その後、
この充填樹脂層の上面に上面接続パッド２１が露出し、
この上面がコア基板本体上面１０Ａと面一になるように
整面しても良い。このようにしても、凹部１１やコンデ
ンサ２０を内蔵したために生じる段差が解消でき、さら
に上層に上部樹脂絶縁層４１等や配線層４５等を形成す
る際に、配線層４５等の断線やショートを防止し、ある
いはフリップチップパッド１０１等のコプラナリティ低
下を防止できる。
【０１０５】また、上記実施形態では、コンデンサ２０
を内蔵させた後に、コア基板本体１０にコアスルーホー
ル導体３３を形成したが、予めコア基板本体上面１０Ａ
とコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルー
ホール導体を形成しておき、その後コンデンサ２０を凹
部１１内に内蔵させることもできる。即ち、底部コア基
板本体１３と壁部コア基板本体１６とを接着した後（図
４、図５参照）、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本
体下面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を形成し、公知の
手法によりコアスルーホール導体を形成する。なおその
際、底部スルーホール導体１２及び接続配線１５は、保
護フィルムによってメッキやエッチングがされないよう
に保護しておく。その後、上記と同様にして、凹部１１
内にコンデンサ２０を内蔵させる。このようにすると、
コンデンサ２０を内蔵した後、コアスルーホール孔３０
Ｈの形成の際に発生する振動や衝撃等で、コンデンサ２
０や充填樹脂３２にクラック等の不具合を生じさせる危
険を回避することができる。
を内蔵させた後に、コア基板本体１０にコアスルーホー
ル導体３３を形成したが、予めコア基板本体上面１０Ａ
とコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルー
ホール導体を形成しておき、その後コンデンサ２０を凹
部１１内に内蔵させることもできる。即ち、底部コア基
板本体１３と壁部コア基板本体１６とを接着した後（図
４、図５参照）、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本
体下面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を形成し、公知の
手法によりコアスルーホール導体を形成する。なおその
際、底部スルーホール導体１２及び接続配線１５は、保
護フィルムによってメッキやエッチングがされないよう
に保護しておく。その後、上記と同様にして、凹部１１
内にコンデンサ２０を内蔵させる。このようにすると、
コンデンサ２０を内蔵した後、コアスルーホール孔３０
Ｈの形成の際に発生する振動や衝撃等で、コンデンサ２
０や充填樹脂３２にクラック等の不具合を生じさせる危
険を回避することができる。
【０１０６】さらに、上記実施形態においては、コアス
ルーホール導体３３や接続導体３４，３５を形成した後
に、平坦化樹脂３６，３７，３８を形成して、コア基板
３０の上下を平坦にした。しかし、上記平坦化樹脂を用
いないで、即ち、図７に示す状態から、コアスルーホー
ル導体３３内を樹脂で埋めた上で、樹脂絶縁層４１，５
１を形成するようにしても良い。このようにすれば、配
線基板をより安価に形成することができる。
ルーホール導体３３や接続導体３４，３５を形成した後
に、平坦化樹脂３６，３７，３８を形成して、コア基板
３０の上下を平坦にした。しかし、上記平坦化樹脂を用
いないで、即ち、図７に示す状態から、コアスルーホー
ル導体３３内を樹脂で埋めた上で、樹脂絶縁層４１，５
１を形成するようにしても良い。このようにすれば、配
線基板をより安価に形成することができる。
【図１】実施形態１にかかり、コア基板本体に形成され
た図中上方に開口する凹部内にコンデンサを内蔵する配
線基板の断面図である。
た図中上方に開口する凹部内にコンデンサを内蔵する配
線基板の断面図である。
【図２】実施形態１にかかる配線基板に内蔵させるコン
デンサの（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図、（ｃ）はコ
ンデンサの内部構造説明するための断面説明図、（ｄ）
はコンデンサとＬＧＡパッド及びフリップチップパッド
との関係を示す回路図である。
デンサの（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図、（ｃ）はコ
ンデンサの内部構造説明するための断面説明図、（ｄ）
はコンデンサとＬＧＡパッド及びフリップチップパッド
との関係を示す回路図である。
【図３】図２のコンデンサの製造方法を説明する説明図
である。
である。
【図４】実施形態１にかかる配線基板において、コンデ
ンサ内蔵するための凹部を有するコア基板本体の部分拡
大断面図である。
ンサ内蔵するための凹部を有するコア基板本体の部分拡
大断面図である。
【図５】図４のコア基板本体の製造方法を説明する説明
図である。
図である。
【図６】図２のコンデンサを図４のコア基板本体に接続
内蔵させるコンデンサ内蔵コア基板の製造方法の説明図
である。
内蔵させるコンデンサ内蔵コア基板の製造方法の説明図
である。
【図７】コンデンサ内蔵コア基板の部分拡大断面図であ
る。
る。
【図８】図７のコンデンサ内蔵コア基板の上下面をさら
に平坦化する工程を説明する説明図である。
に平坦化する工程を説明する説明図である。
【図９】図８の平坦化されたコンデンサ内蔵コア基板の
上下に樹脂絶縁層および各配線層を形成する工程を示す
説明図である。
上下に樹脂絶縁層および各配線層を形成する工程を示す
説明図である。
【図１０】実施形態２にかかり、コア基板本体に形成さ
れた図中下方に開口する凹部内にコンデンサを内蔵する
配線基板の断面図である。
れた図中下方に開口する凹部内にコンデンサを内蔵する
配線基板の断面図である。
【図１１】コンデンサを上面や下面に搭載した従来の配
線基板におけるコンデンサ接続配線の様子を説明する説
明図である。
線基板におけるコンデンサ接続配線の様子を説明する説
明図である。
１００，２００ （コンデンサ内
蔵）配線基板 １００Ａ，２００Ａ 配線基板上面 １００Ｂ，２００Ｂ 配線基板下面 １０１ フリップチップ
パッド １０２ フリップチップ
バンプ １０３ ＬＧＡパッド
（接続端子） １０，２１０ コア基板本体 １０Ａ，２１０Ａ コア基板本体上
面 １０Ｂ，２１０Ｂ コア基板本体下
面 １１，２１１ コンデンサ内蔵
用凹部 １１Ｂ，２１１Ｂ コンデンサ内蔵
用凹部の底面 １１Ｔ，２１１Ｔ コンデンサ内蔵
用凹部の底部 １２，２１２ 底部スルーホー
ル導体 ２０，２２０ コンデンサ ２０Ａ，２２０Ａ コンデンサ上面 ２０Ｂ，２２０Ｂ コンデンサ下面 ２１，２２１ 上面接続パッド ２２，２２２ 下面接続パッド ２３ ハンダ ２４ 誘電体層 ２５ 電極層 ２５Ｅ，２５Ｆ （一対の）電極
群 ３０ コア基板 ３２，２３２ 充填樹脂 ３２Ｂ，３２Ｃ 充填樹脂層 ３３，２３３ コアスルーホー
ル導体 ４１，４２，４３，５１，５２，５３ 樹脂絶縁層 ４５，４６，５５，５６ 配線層 ６０ 上部コンデンサ
接続配線 ７０ 下部コンデンサ
接続配線 ８０ 上部コア接続配
線 ９０ 下部コア接続配
線
蔵）配線基板 １００Ａ，２００Ａ 配線基板上面 １００Ｂ，２００Ｂ 配線基板下面 １０１ フリップチップ
パッド １０２ フリップチップ
バンプ １０３ ＬＧＡパッド
（接続端子） １０，２１０ コア基板本体 １０Ａ，２１０Ａ コア基板本体上
面 １０Ｂ，２１０Ｂ コア基板本体下
面 １１，２１１ コンデンサ内蔵
用凹部 １１Ｂ，２１１Ｂ コンデンサ内蔵
用凹部の底面 １１Ｔ，２１１Ｔ コンデンサ内蔵
用凹部の底部 １２，２１２ 底部スルーホー
ル導体 ２０，２２０ コンデンサ ２０Ａ，２２０Ａ コンデンサ上面 ２０Ｂ，２２０Ｂ コンデンサ下面 ２１，２２１ 上面接続パッド ２２，２２２ 下面接続パッド ２３ ハンダ ２４ 誘電体層 ２５ 電極層 ２５Ｅ，２５Ｆ （一対の）電極
群 ３０ コア基板 ３２，２３２ 充填樹脂 ３２Ｂ，３２Ｃ 充填樹脂層 ３３，２３３ コアスルーホー
ル導体 ４１，４２，４３，５１，５２，５３ 樹脂絶縁層 ４５，４６，５５，５６ 配線層 ６０ 上部コンデンサ
接続配線 ７０ 下部コンデンサ
接続配線 ８０ 上部コア接続配
線 ９０ 下部コア接続配
線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｎ // Ｈ０１Ｌ 23/58 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｌ 23/56 Ｚ (72)発明者 神戸 六郎 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Ｆターム(参考） 4E351 BB03 BB26 BB35 BB49 GG07 5E336 AA04 AA08 BB03 BC26 CC31 CC53 EE01 GG11 5E346 AA13 AA15 AA41 AA52 EE24 EE41 HH06
Claims (13)
- 【請求項１】 配線基板上面と配線基板下面とを有し、
上記配線基板上面にＩＣチップと接続するための複数の
ＩＣ接続端子を、上記配線基板下面に複数の接続端子を
備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、 コア基板本体上面、 コア基板本体下面、 上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内
蔵用凹部、 上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫
通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホ
ール導体、 及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間
を貫通して形成された複数のコアスルーホール導体、 を備えるコア基板本体と、 コンデンサ上面、 コンデンサ下面、 互いに絶縁された一対の電極または電極群、 上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または
電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ
導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電
極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドの
うちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッ
ド、 及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極
または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそ
れぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一
対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パ
ッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続
パッド、 を備え、 上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部内に内蔵、固
定され、上記複数の下面接続パッドが対応する上記複数
の底部スルーホール導体にそれぞれ導通された上記コン
デンサと、 上記コア基板本体上面及び上記コンデンサ上面の上方に
積層された１または複数の上部樹脂絶縁層と、 上記コア基板本体下面の下方に積層された１または複数
の下部樹脂絶縁層と、 上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、
上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応す
る上記コンデンサの複数の上面接続パッドとをそれぞれ
接続する複数の上部コンデンサ接続配線と、 上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、
上記コア基板本体下面に延出した底部スルーホール導体
とこれに対応する上記配線基板下面の複数の接続端子と
をそれぞれ接続する複数の下部コンデンサ接続配線と、 上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、
上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応す
る上記コア基板本体上面の複数のコアスルーホール導体
とをそれぞれ接続する複数の上部コア接続配線と、 上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、
上記コア基板本体下面のコアスルーホール導体とこれに
対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞ
れ接続する複数の下部コア接続配線と、を備えることを
特徴とする配線基板。 - 【請求項２】 配線基板上面と配線基板下面とを有し、
上記配線基板上面にＩＣチップを接続するための複数の
ＩＣ接続端子を、上記配線基板下面に複数の接続端子を
備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、 コア基板本体上面、 コア基板本体下面、 上記コア基板本体下面側に開口する有底のコンデンサ内
蔵用凹部、 上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体上面まで貫
通してコア基板本体上面に延出する複数の底部スルーホ
ール導体、 及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間
を貫通して形成されたコアスルーホール導体、 を備えるコア基板本体と、 コンデンサ上面、 コンデンサ下面、 互いに絶縁された一対の電極または電極群、 上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または
電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ
導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電
極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドの
うちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッ
ド、 及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極
または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそ
れぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一
対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パ
ッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続
パッド、 を備え、 上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部内に内蔵、固
定され、上記複数の上面接続パッドが対応する上記複数
の底部スルーホール導体にそれぞれ導通された上記コン
デンサと、 上記コア基板本体上面の上方に積層された１または複数
の上部樹脂絶縁層と、 上記コア基板本体下面及び上記コンデンサ下面の下方に
積層された１または複数の下部樹脂絶縁層と、 上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、
上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応し
上記コア基板本体上面に延出した複数の底部スルーホー
ル導体とをそれぞれ接続する複数の上部コンデンサ接続
配線と、 上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、
上記コンデンサの下面接続パッドとこれに対応する上記
配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複
数の下部コンデンサ接続配線と、 上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、
上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応す
る上記コア基板本体上面の複数のコアスルーホール導体
とをそれぞれ接続する複数の上部コア接続配線と、 上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、
上記コア基板本体下面のコアスルーホール導体と対応す
る上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続
する複数の下部コア接続配線と、 を備えることを特徴とする配線基板。 - 【請求項３】 コア基板本体上面、 コア基板本体下面、 上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内
蔵用凹部、 及び、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面
まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部ス
ルーホール導体、 を備えるコア基板本体と、 コンデンサ上面、 コンデンサ下面、 互いに絶縁された一対の電極または電極群、 上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または
電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ
導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電
極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドの
うちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッ
ド、 及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極
または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそ
れぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一
対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パ
ッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続
パッド、 を備え、 上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部内に内蔵・固
定され、上記複数の下面接続パッドが対応する上記複数
の底部スルーホール導体にそれぞれ導通されたコンデン
サと、を備えるコンデンサ内蔵コア基板。 - 【請求項４】 請求項３に記載のコンデンサ内蔵コア基
板であって、 前記コンデンサ上面に、または前記コア基板本体上面及
び前記コンデンサ上面に充填樹脂層を備え、 上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と、上記コア基板本
体上面またはコア基板本体上面上の充填樹脂層とは略面
一に整面され、前記複数の上面接続パッドがそれぞれ略
面一に露出していることを特徴とするコンデンサ内蔵コ
ア基板。 - 【請求項５】 コア基板本体上面と、 コア基板本体下面と、 上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内
蔵用凹部と、 上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫
通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホ
ール導体と、を備えるコア基板本体。 - 【請求項６】 コンデンサ上面と、 コンデンサ下面と、 互いに絶縁された一対の電極または電極群と、 上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または
電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ
導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電
極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドの
うちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド
と、 上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または
電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ
導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電
極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドの
うちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド
と、を備えるコンデンサ。 - 【請求項７】 請求項６に記載のコンデンサであって、 前記コンデンサ上面及びコンデンサ下面に略平行に誘電
体層と電極層とが交互に積層され、 上記電極層は、上記誘電体層を貫通するビア導体により
それぞれ１層おきに導通されて、互いに絶縁された前記
一対の電極群をなし、 前記複数の上面接続パッドは、 上記誘電体層のうち最上に位置し前記コンデンサ上面を
なすトップ誘電体層の上記コンデンサ上面に形成され、 上記トップ誘電体層またはトップ誘電体層及びこの下層
に位置する上記誘電体層を貫通するビア導体により、上
記一対の電極群のいずれかに属する上記電極層と導通さ
れてなり、 前記複数の下面接続パッドは、 上記誘電体層のうち最下に位置し前記コンデンサ下面を
なすボトム誘電体層の上記コンデンサ下面に形成され、 上記ボトム誘電体層またはボトム誘電体層及びこの上層
に位置する上記誘電体層を貫通するビア導体により、上
記一対の電極群のいずれかに属する上記電極層と導通さ
れてなることを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項８】 請求項７に記載のコンデンサであって、 前記誘電体層は高誘電体セラミックからなり、 前記電極層、ビア導体、上部接続パッド及び下部接続パ
ッドは金属からなり、 これらはいずれも同時焼成によって形成されていること
を特徴とするコンデンサ。 - 【請求項９】 請求項８に記載のコンデンサの製造方法
であって、 高誘電率セラミックを主成分とする高誘電率セラミック
グリーンシートの所定位置に複数の貫通孔を形成する穿
孔工程と、 穿孔された上記複数の貫通孔に金属ペーストを充填して
複数の未焼成ビア導体を形成する未焼成ビア導体充填工
程と、 上記未焼成ビア導体を形成した上記高誘電率セラミック
グリーンシートの上面に、上記複数の未焼成ビア導体の
うちのいずれかと接触する所定形状に金属ペーストを塗
布して未焼成電極層を形成する未焼成電極層塗布工程
と、 上記未焼成ビア導体と未焼成電極層とが形成された高誘
電率セラミックグリーンシートを所定順序に積層し、最
上層に上記未焼成電極層は形成せず上記未焼成ビア導体
は形成した高誘電率セラミックグリーンシートを積層
し、圧着して積層体を形成する積層圧着工程と、 上記積層体を焼成する焼成工程と、を備えることを特徴
とするコンデンサの製造方法。 - 【請求項１０】 底部用コア基板本体上面と底部用コア
基板本体下面とを有する底部用コア基板本体のうち、凹
部形成領域内に、底部用コア基板本体上面と底部用コア
基板本体下面との間を貫通する複数の底部スルーホール
導体を形成する底部スルーホール導体形成工程と、 壁部用コア基板本体上面と壁部用コア基板本体下面とを
有し、上記壁部用コア基板本体上面と壁部用コア基板本
体下面との間を貫通する凹部用貫通孔を備える壁部用コ
ア基板本体の上記壁部用コア基板本体下面と、 上記底部用コア基板本体の上記底部用コア基板本体上面
とを、 上記凹部用貫通孔内に上記複数の底部スルーホール導体
を露出させて、接着する接着工程と、を備えることを特
徴とするコア基板本体の製造方法。 - 【請求項１１】 コア基板本体上面、 コア基板本体下面、 上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内
蔵用凹部、 及び、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面
まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部ス
ルーホール導体、 を備えるコア基板本体の、上記コンデンサ内蔵用凹部内
に、 コンデンサ上面、 コンデンサ下面、 互いに絶縁された一対の電極または電極群、 上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または
電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ
導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電
極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドの
うちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッ
ド、 及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極
または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそ
れぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一
対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パ
ッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続
パッド、 を備えるコンデンサを配置し、 上記複数の下面接続パッドとこれに対応する上記複数の
底部スルーホール導体とを接続する凹部内コンデンサ接
続工程と、 上記コンデンサ内蔵用凹部内に充填樹脂を注入し、上記
充填樹脂を硬化させて、充填樹脂で上記コンデンサを上
記コンデンサ内蔵用凹部内に固定するコンデンサ固定工
程と、 上記コア基板本体上面またはコア基板本体上面上の充填
樹脂層とコア基板本体下面との間を貫通するコアスルー
ホール導体を形成するコアスルーホール形成工程と、を
備えるコンデンサ内蔵コア基板の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載のコンデンサ内蔵コ
ア基板の製造方法であって、 前記コンデンサ固定工程は、前記コンデンサ内蔵用凹部
内の他、前記コンデンサ上面及びコア基板本体上面のう
ち、少なくともコンデンサ上面にも充填樹脂を塗布し硬
化させるコンデンサ固定−充填樹脂塗布硬化工程であ
り、 前記コアスルーホール形成工程に先だって、上記コンデ
ンサ上面上の、または、上記コンデンサ上面上及び前記
コア基板本体上面上の、上記充填樹脂を研磨して上記複
数の上面接続パッドを略面一に露出させるとともに、上
記コンデンサ上面上の充填樹脂層と上記コア基板本体上
面とを、または、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と
コア基板本体上面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面
に整面する研磨整面工程を備えることを特徴とするコン
デンサ内蔵コア基板の製造方法。 - 【請求項１３】 コンデンサを内蔵するコンデンサ内蔵
コア基板の上記コンデンサの特性を検査し、規格外のコ
ンデンサ内蔵コア基板を除去する特性検査工程と、 規格内の上記コンデンサ内蔵コア基板の上下面に、樹脂
絶縁層及び配線層を形成する絶縁層配線層形成工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04324299A JP3640560B2 (ja) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板、及びこれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04324299A JP3640560B2 (ja) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板、及びこれらの製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2004153838A Division JP2004320042A (ja) | 2004-05-24 | 2004-05-24 | 配線基板の製造方法 |
| JP2004153839A Division JP2004320043A (ja) | 2004-05-24 | 2004-05-24 | コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243873A true JP2000243873A (ja) | 2000-09-08 |
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