JP2000223800A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
配線基板及びその製造方法Info
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- JP2000223800A JP2000223800A JP11025702A JP2570299A JP2000223800A JP 2000223800 A JP2000223800 A JP 2000223800A JP 11025702 A JP11025702 A JP 11025702A JP 2570299 A JP2570299 A JP 2570299A JP 2000223800 A JP2000223800 A JP 2000223800A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、電源層やグランド層にスリットや開
口が形成されていてもリターン電流経路を確保できて不
要な電磁波を根本的に減少させることができる。 【解決手段】スリット１０を、信号層１に形成されてい
る信号パターン４の形状をグランド層３に投影したとき
の信号パターン４の形成方向に沿い、かつ信号パターン
４の幅Ｗよりも狭い開口幅ｗに形成する。
口が形成されていてもリターン電流経路を確保できて不
要な電磁波を根本的に減少させることができる。 【解決手段】スリット１０を、信号層１に形成されてい
る信号パターン４の形状をグランド層３に投影したとき
の信号パターン４の形成方向に沿い、かつ信号パターン
４の幅Ｗよりも狭い開口幅ｗに形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不要な電磁波の放
射を抑える対策を施したプリント基板等の配線基板及び
その製造方法に関する。
射を抑える対策を施したプリント基板等の配線基板及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ノート型のパーソナルコンピュータなど
の電子機器では、動作周波数の向上と省電力化を促進す
るために低電圧化が進んでいる。例えばノート型パーソ
ナルコンピュータにおいてはマイクロプロセッサの内部
回路の電源電圧は、＋１．８Ｖと基準電源電圧３．３Ｖ
よりも低くなっている。
の電子機器では、動作周波数の向上と省電力化を促進す
るために低電圧化が進んでいる。例えばノート型パーソ
ナルコンピュータにおいてはマイクロプロセッサの内部
回路の電源電圧は、＋１．８Ｖと基準電源電圧３．３Ｖ
よりも低くなっている。
【０００３】一方、プリント基板上の信号のインタフェ
ースは、接続される部品、周辺機器によって異なる周波
数で動作する。高速の信号を伝送するＰＣＩ（Peripher
al Component Interconnect）では、３．３Ｖ系が使用
され、動作周波数の低いプリンタやオーディオ機器等の
周辺機器と接続されるバスにおいては、従来通り電源５
Ｖ系が使われているために多数の異なる電源が基板内に
存在することになる。
ースは、接続される部品、周辺機器によって異なる周波
数で動作する。高速の信号を伝送するＰＣＩ（Peripher
al Component Interconnect）では、３．３Ｖ系が使用
され、動作周波数の低いプリンタやオーディオ機器等の
周辺機器と接続されるバスにおいては、従来通り電源５
Ｖ系が使われているために多数の異なる電源が基板内に
存在することになる。
【０００４】このような状況において配線基板として
は、各電源或いはグランドごとに専用の層を割り当てる
ことが望ましいが、基板層数が増加してしまい、著しく
コスト増加を引き起こして現実的でなくなる。
は、各電源或いはグランドごとに専用の層を割り当てる
ことが望ましいが、基板層数が増加してしまい、著しく
コスト増加を引き起こして現実的でなくなる。
【０００５】このような事から配線基板内の同一層内に
異なる電圧レベルの複数の電源パターンや異なるグラン
ドレベルの複数のグランドパターンを配置しなければら
ならい場合が発生する。このような場合には、電源層や
グランド層にスリットや開口部を形成することとなる。
このような電源層のうちある一つの電圧レベルを基準電
源層とする信号パターンとしては、他の電圧レベルの電
源層が配置された領域に配線されないことが望ましい
が、信号パターンの配線の条件等によっては他の電圧レ
ベルの電源層を跨がって配線しなければならない場合も
生じる。
異なる電圧レベルの複数の電源パターンや異なるグラン
ドレベルの複数のグランドパターンを配置しなければら
ならい場合が発生する。このような場合には、電源層や
グランド層にスリットや開口部を形成することとなる。
このような電源層のうちある一つの電圧レベルを基準電
源層とする信号パターンとしては、他の電圧レベルの電
源層が配置された領域に配線されないことが望ましい
が、信号パターンの配線の条件等によっては他の電圧レ
ベルの電源層を跨がって配線しなければならない場合も
生じる。
【０００６】図１０はかかるプリント基板の構造例を示
す図であって、信号層１、電源層２及びグランド層３を
積層したものとなっている。このうち信号層１には、信
号パターン４が形成され、グランド層３には開口又はス
リット５が形成されている。このようなプリント基板で
は、信号パターン４に信号ｉが流れると、この信号ｉに
よってグランド層３には、信号パターン４の直下で信号
ｉの流れる方向とは逆方向にリターン電流ｌが誘起され
る。
す図であって、信号層１、電源層２及びグランド層３を
積層したものとなっている。このうち信号層１には、信
号パターン４が形成され、グランド層３には開口又はス
リット５が形成されている。このようなプリント基板で
は、信号パターン４に信号ｉが流れると、この信号ｉに
よってグランド層３には、信号パターン４の直下で信号
ｉの流れる方向とは逆方向にリターン電流ｌが誘起され
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、信号パ
ターン４の直下のグランド層３にスリット５が形成され
ていると、図１０に示すようにリターン電流ｌは、信号
パターン４の直下を流れることができず、例えばスリッ
ト５の周囲に沿って流れて通常のリターン電流ｌのリタ
ーン電流経路からずれが生じてしまう。
ターン４の直下のグランド層３にスリット５が形成され
ていると、図１０に示すようにリターン電流ｌは、信号
パターン４の直下を流れることができず、例えばスリッ
ト５の周囲に沿って流れて通常のリターン電流ｌのリタ
ーン電流経路からずれが生じてしまう。
【０００８】このため、ディファレンシャルモードの電
磁波障害（EMI：Electro-Magnetic-Interference）が増
加する。このような不要な電磁波は、電子機器システム
への障害を引き起こす可能性がある。
磁波障害（EMI：Electro-Magnetic-Interference）が増
加する。このような不要な電磁波は、電子機器システム
への障害を引き起こす可能性がある。
【０００９】従って、電源層２やグランド層３にスリッ
ト５などを形成することは、これらスリット５等でリタ
ーン電流ｌの流れを阻害する要因となってしまうために
本来は形成しない方が望ましいが、近年の高密度実装の
進展とともに実際には増加しているのが現状である。こ
のような電磁波障害の対策としては、試作後、ＥＭＩ対
策部品として例えばノイズフィルタ等を挿入することに
よって不要な電磁波を抑えている。しかし、ＥＭＩ対策
部品を用いることはコストアップに繋がる上、このＥＭ
Ｉ対策部品を挿入しても必ずしも所望の特性が得られる
こと限らず、設計変更を余儀なくされる場合が多い。従
って、プリント基板の設計段階で、リターン電流経路を
確保して根本的に不要な電磁波を減少させる対策が望ま
れている。
ト５などを形成することは、これらスリット５等でリタ
ーン電流ｌの流れを阻害する要因となってしまうために
本来は形成しない方が望ましいが、近年の高密度実装の
進展とともに実際には増加しているのが現状である。こ
のような電磁波障害の対策としては、試作後、ＥＭＩ対
策部品として例えばノイズフィルタ等を挿入することに
よって不要な電磁波を抑えている。しかし、ＥＭＩ対策
部品を用いることはコストアップに繋がる上、このＥＭ
Ｉ対策部品を挿入しても必ずしも所望の特性が得られる
こと限らず、設計変更を余儀なくされる場合が多い。従
って、プリント基板の設計段階で、リターン電流経路を
確保して根本的に不要な電磁波を減少させる対策が望ま
れている。
【００１０】そこで本発明は、電源層やグランド層にス
リットや開口が形成されていてもリターン電流経路を確
保できて不要な電磁波を根本的に減少できる配線基板及
びその製造方法を提供することを目的とする。
リットや開口が形成されていてもリターン電流経路を確
保できて不要な電磁波を根本的に減少できる配線基板及
びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、帯状
の信号パターンが形成された信号層及び異なる電源電圧
が印加される複数の導体パターンが形成された電源層及
び複数のグランド用導体パターンが形成されたグランド
層を積層して成り、かつ電源層又はグランド層のいずれ
か一方又は両方に開口部を形成した配線基板において、
開口部は、信号パターンの電源層又はグランド層への投
影パターンからはみ出さない位置及び形状に形成されて
いる配線基板である。
の信号パターンが形成された信号層及び異なる電源電圧
が印加される複数の導体パターンが形成された電源層及
び複数のグランド用導体パターンが形成されたグランド
層を積層して成り、かつ電源層又はグランド層のいずれ
か一方又は両方に開口部を形成した配線基板において、
開口部は、信号パターンの電源層又はグランド層への投
影パターンからはみ出さない位置及び形状に形成されて
いる配線基板である。
【００１２】請求項２によれば、帯状の信号パターンが
形成された信号層及び異なる電源電圧が印加される複数
の導体パターンが形成された電源層及び複数のグランド
用導体パターンが形成されたグランド層を積層して成
り、かつ電源層又はグランド層のいずれか一方又は両方
に信号パターンの電源層又はグランド層への投影パター
ンと交差する位置に開口部を形成した配線基板におい
て、開口部には、投影パターンの帯状方向に沿って電流
バイパス用素子が接続されている配線基板である。
形成された信号層及び異なる電源電圧が印加される複数
の導体パターンが形成された電源層及び複数のグランド
用導体パターンが形成されたグランド層を積層して成
り、かつ電源層又はグランド層のいずれか一方又は両方
に信号パターンの電源層又はグランド層への投影パター
ンと交差する位置に開口部を形成した配線基板におい
て、開口部には、投影パターンの帯状方向に沿って電流
バイパス用素子が接続されている配線基板である。
【００１３】請求項３によれば、請求項２記載の配線基
板において、電流バイパス用素子は、コンデンサであ
る。
板において、電流バイパス用素子は、コンデンサであ
る。
【００１４】請求項４によれば、帯状の信号パターンが
形成された信号層及び異なる電源電圧が印加される複数
の導体パターンが形成された電源層及び複数のグランド
用導体パターンが形成されたグランド層を積層して成
り、かつ電源層又はグランド層のいずれか一方又は両方
に信号パターンの電源層又はグランド層への投影パター
ンと交差する位置に開口部を形成した配線基板におい
て、信号層上において信号パターンに隣接して接続パタ
ーンが形成され、この接続パターンの両端はそれぞれ開
口部の投影パターンの帯状方向に沿う方向上の両端に接
続されている配線基板である。
形成された信号層及び異なる電源電圧が印加される複数
の導体パターンが形成された電源層及び複数のグランド
用導体パターンが形成されたグランド層を積層して成
り、かつ電源層又はグランド層のいずれか一方又は両方
に信号パターンの電源層又はグランド層への投影パター
ンと交差する位置に開口部を形成した配線基板におい
て、信号層上において信号パターンに隣接して接続パタ
ーンが形成され、この接続パターンの両端はそれぞれ開
口部の投影パターンの帯状方向に沿う方向上の両端に接
続されている配線基板である。
【００１５】請求項５によれば、請求項４記載の配線基
板において、接続パターンと開口部とは、ビアホールを
介して電気的に接続されている。
板において、接続パターンと開口部とは、ビアホールを
介して電気的に接続されている。
【００１６】請求項６によれば、請求項１、２又は４記
載の配線基板において、少なくとも信号層及び電源層及
びグランド層を積層し、かつこれら層のうち両最外層側
にそれぞれグランド層を形成して挟む構造とした。
載の配線基板において、少なくとも信号層及び電源層及
びグランド層を積層し、かつこれら層のうち両最外層側
にそれぞれグランド層を形成して挟む構造とした。
【００１７】請求項７によれば、帯状の信号パターンが
形成された信号層及び異なる電源電圧が印加される複数
の導体パターンが形成された電源層及び複数のグランド
用導体パターンが形成されたグランド層を積層し、電源
層又はグランド層のいずれか一方又は両方に開口部を形
成する配線基板の製造方法において、開口部を、信号パ
ターンの電源層又はグランド層への投影パターンからは
み出さない位置及び形状に形成する工程、を有する配線
基板の製造方法である。
形成された信号層及び異なる電源電圧が印加される複数
の導体パターンが形成された電源層及び複数のグランド
用導体パターンが形成されたグランド層を積層し、電源
層又はグランド層のいずれか一方又は両方に開口部を形
成する配線基板の製造方法において、開口部を、信号パ
ターンの電源層又はグランド層への投影パターンからは
み出さない位置及び形状に形成する工程、を有する配線
基板の製造方法である。
【００１８】請求項８によれば、帯状の信号パターンが
形成された信号層及び異なる電源電圧が印加される複数
の導体パターンが形成された電源層及び複数のグランド
用導体パターンが形成されたグランド層を積層して成る
配線基板の製造方法において、電源層又はグランド層の
いずれか一方又は両方に信号パターンの電源層又はグラ
ンド層への投影パターンと交差する位置に開口部を形成
する工程と、開口部の投影パターンの帯状方向に沿う両
端に電流バイパス用素子を接続する工程と、を有する配
線基板の製造方法である。
形成された信号層及び異なる電源電圧が印加される複数
の導体パターンが形成された電源層及び複数のグランド
用導体パターンが形成されたグランド層を積層して成る
配線基板の製造方法において、電源層又はグランド層の
いずれか一方又は両方に信号パターンの電源層又はグラ
ンド層への投影パターンと交差する位置に開口部を形成
する工程と、開口部の投影パターンの帯状方向に沿う両
端に電流バイパス用素子を接続する工程と、を有する配
線基板の製造方法である。
【００１９】請求項９によれば、帯状の信号パターンが
形成された信号層及び異なる電源電圧が印加される複数
の導体パターンが形成された電源層及び複数のグランド
用導体パターンが形成されたグランド層を積層して成る
配線基板の製造方法において、電源層又はグランド層の
いずれか一方又は両方に信号パターンの電源層又はグラ
ンド層への投影パターンと交差する位置に開口部を形成
する工程と、信号層上において信号パターンに隣接して
接続パターンを形成する工程と、接続パターンの両端を
それぞれ開口部の前記投影パターンの帯状方向に沿う方
向上の両端に接続する工程と、を有する配線基板の製造
方法である。
形成された信号層及び異なる電源電圧が印加される複数
の導体パターンが形成された電源層及び複数のグランド
用導体パターンが形成されたグランド層を積層して成る
配線基板の製造方法において、電源層又はグランド層の
いずれか一方又は両方に信号パターンの電源層又はグラ
ンド層への投影パターンと交差する位置に開口部を形成
する工程と、信号層上において信号パターンに隣接して
接続パターンを形成する工程と、接続パターンの両端を
それぞれ開口部の前記投影パターンの帯状方向に沿う方
向上の両端に接続する工程と、を有する配線基板の製造
方法である。
【００２０】
【発明の実施の形態】(1) 以下、本発明の第１の実施の
形態について図面を参照して説明する。なお、図１０と
同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略す
る。
形態について図面を参照して説明する。なお、図１０と
同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略す
る。
【００２１】図１は配線基板の構成図である。
【００２２】この配線基板のグランド層３には、スリッ
ト１０が形成されている。このスリット１０は、図２に
示す信号層１からグランド層３を見た投影図に示すよう
に、信号層１に形成されている帯状の信号パターン４の
形状をグランド層３に投影したときの信号パターン４の
形成方向（帯状方向）に沿い、かつ信号パターン４の幅
Ｗよりも狭い開口幅ｗに形成されている。すなわち、ス
リット１０は、信号パターン４の投影パターンからはみ
出さないような形状及び位置に形成されている。このよ
うにスリット１０を形成してもグランド層３のパターン
の簡単な設計変更だけで対処できるものである。
ト１０が形成されている。このスリット１０は、図２に
示す信号層１からグランド層３を見た投影図に示すよう
に、信号層１に形成されている帯状の信号パターン４の
形状をグランド層３に投影したときの信号パターン４の
形成方向（帯状方向）に沿い、かつ信号パターン４の幅
Ｗよりも狭い開口幅ｗに形成されている。すなわち、ス
リット１０は、信号パターン４の投影パターンからはみ
出さないような形状及び位置に形成されている。このよ
うにスリット１０を形成してもグランド層３のパターン
の簡単な設計変更だけで対処できるものである。
【００２３】このような配線基板を製造する場合には、
信号パターン４の配線経路に応じてグランド層３にスリ
ット１０を形成するとき、このスリット１０を、信号パ
ターン４の形状をグランド層３に投影したときの信号パ
ターン４の形成方向に沿い、かつ信号パターン４の幅Ｗ
よりも狭い開口幅ｗに形成する工程をプロセス中に設け
るものとなる。
信号パターン４の配線経路に応じてグランド層３にスリ
ット１０を形成するとき、このスリット１０を、信号パ
ターン４の形状をグランド層３に投影したときの信号パ
ターン４の形成方向に沿い、かつ信号パターン４の幅Ｗ
よりも狭い開口幅ｗに形成する工程をプロセス中に設け
るものとなる。
【００２４】次に上記の如く構成された配線基板での作
用について説明する。
用について説明する。
【００２５】配線基板の信号パターン４に信号ｉが流れ
ると、この信号ｉによってグランド層３には、信号パタ
ーン４の直下で信号ｉの流れる方向とは逆方向にリター
ン電流ｌが誘起される。
ると、この信号ｉによってグランド層３には、信号パタ
ーン４の直下で信号ｉの流れる方向とは逆方向にリター
ン電流ｌが誘起される。
【００２６】このリターン電流ｌは、信号パターン４の
直下にスリット１０が形成されていても、このスリット
１０の幅ｗが信号パターン４の幅Ｗよりも狭く、すなわ
ち投影パターンからはみ出さないように形成されている
ので、スリット１０の両側に沿って流れる。しかも高周
波のリターン電流ｌでは、グランド層３に投影された信
号パターン４の両端部に相当する部分に集中して流れる
ので、スリット１０の形成によってリターン電流経路が
乱されることはない。
直下にスリット１０が形成されていても、このスリット
１０の幅ｗが信号パターン４の幅Ｗよりも狭く、すなわ
ち投影パターンからはみ出さないように形成されている
ので、スリット１０の両側に沿って流れる。しかも高周
波のリターン電流ｌでは、グランド層３に投影された信
号パターン４の両端部に相当する部分に集中して流れる
ので、スリット１０の形成によってリターン電流経路が
乱されることはない。
【００２７】このように上記第１の実施の形態において
は、スリット１０を、信号層１に形成されている信号パ
ターン４の形状をグランド層３に投影したときの信号パ
ターン４の形成方向に沿い、かつ信号パターン４の幅Ｗ
よりも狭い開口幅ｗに形成したので、グランド層３にス
リット１０が形成されていてもリターン電流経路を確保
できて不要な電磁波を根本的に減少させることができ
る。これにより、近年の高密度実装の進展を妨げること
なくＥＭＩ対策を行うことができ、ＥＭＩ対策部品の挿
入を最小限にしてコストアップを避けることができ、設
計変更にも容易に対処できる。 (2) 次に、本発明の第２の実施の形態について図面を参
照して説明する。なお、図１と同一部分には同一符号を
付してその詳しい説明は省略する。
は、スリット１０を、信号層１に形成されている信号パ
ターン４の形状をグランド層３に投影したときの信号パ
ターン４の形成方向に沿い、かつ信号パターン４の幅Ｗ
よりも狭い開口幅ｗに形成したので、グランド層３にス
リット１０が形成されていてもリターン電流経路を確保
できて不要な電磁波を根本的に減少させることができ
る。これにより、近年の高密度実装の進展を妨げること
なくＥＭＩ対策を行うことができ、ＥＭＩ対策部品の挿
入を最小限にしてコストアップを避けることができ、設
計変更にも容易に対処できる。 (2) 次に、本発明の第２の実施の形態について図面を参
照して説明する。なお、図１と同一部分には同一符号を
付してその詳しい説明は省略する。
【００２８】図３は配線基板の構成図である。
【００２９】スリット５は、帯状の信号パターン４の形
状をグランド層３に投影したときの信号パターン４の形
成方向（帯状方向）に対して直交する方向に形成されて
いる。このスリット５には、信号パターン４の形状をグ
ランド層３に投影したときの信号パターン４の形成され
る部分で、かつ信号パターン４の形成方向に電流が流れ
るように電流バイパス用素子、例えばバイパスコンデン
サ１１が接続されている。
状をグランド層３に投影したときの信号パターン４の形
成方向（帯状方向）に対して直交する方向に形成されて
いる。このスリット５には、信号パターン４の形状をグ
ランド層３に投影したときの信号パターン４の形成され
る部分で、かつ信号パターン４の形成方向に電流が流れ
るように電流バイパス用素子、例えばバイパスコンデン
サ１１が接続されている。
【００３０】このような配線基板を製造する場合には、
信号パターン４の配線経路に応じてグランド層３のスリ
ット５を形成する工程と、信号パターン４の形状をグラ
ンド層３に投影したときの信号パターン４の形成方向
（すなわち投影パターンの帯状方向）に沿うスリット５
の両端にバイパスコンデンサ１１を接続する工程とをプ
ロセス中に設けるものとなる。
信号パターン４の配線経路に応じてグランド層３のスリ
ット５を形成する工程と、信号パターン４の形状をグラ
ンド層３に投影したときの信号パターン４の形成方向
（すなわち投影パターンの帯状方向）に沿うスリット５
の両端にバイパスコンデンサ１１を接続する工程とをプ
ロセス中に設けるものとなる。
【００３１】次に上記の如く構成された配線基板での作
用について説明する。
用について説明する。
【００３２】配線基板の信号パターン４に信号ｉが流れ
ると、この信号ｉによってグランド層３には、信号パタ
ーン４の直下で信号ｉの流れる方向とは逆方向にリター
ン電流ｌが誘起される。
ると、この信号ｉによってグランド層３には、信号パタ
ーン４の直下で信号ｉの流れる方向とは逆方向にリター
ン電流ｌが誘起される。
【００３３】このリターン電流ｌは、信号パターン４の
直下にスリット５が形成されていても、このスリット５
に接続されているバイパスコンデンサ１１を通して信号
パターン４の直下に流れる。しかも高周波のリターン電
流ｌでは、バイパスコンデンサ１１のインピターダンス
が小さくなるので、リターン電流ｌは抵抗なく流れ、ス
リット５の形成によってリターン電流経路が乱されるこ
とはない。
直下にスリット５が形成されていても、このスリット５
に接続されているバイパスコンデンサ１１を通して信号
パターン４の直下に流れる。しかも高周波のリターン電
流ｌでは、バイパスコンデンサ１１のインピターダンス
が小さくなるので、リターン電流ｌは抵抗なく流れ、ス
リット５の形成によってリターン電流経路が乱されるこ
とはない。
【００３４】このように上記第２の実施の形態において
は、スリット５に、信号パターン４の形状をグランド層
３に投影したときの信号パターン４の形成される部分
で、かつ信号パターン４の形成方向に電流が流れるよう
にバイパスコンデンサ１１を接続したので、上記第１の
実施の形態と同様の効果、すなわちグランド層３にスリ
ット１０が形成されていてもリターン電流経路を確保で
きて不要な電磁波を根本的に減少することができる。例
えば図５はかかるスリットにパイパスコンデンサを接続
した配線基板によるＳパラメータ（Ｓ11）の測定結果を
示しており、図６に示すスリットが形成されていない配
線基板によるＳパラメータ（Ｓ11）の測定結果と比較し
て略同一の放射電界強度となっていることが分かる。こ
のスリット５にパイパスコンデンサ１１を接続した場合
の効果を顕著に示すために図７にはスリットにパイパス
コンデンサを接続していない従来の配線基板によるＳパ
ラメータ（Ｓ11）の測定結果を示し、図７により従来の
配線基板では放射電界が大きいことが分かる。又、リタ
ーン電流経路は、信号パターン４の直下から著しくずれ
ることを防止でき、スリット５が形成されていない場合
のリターン電流経路と同一の経路を流れるものとなる。
従って、近年の高密度実装の進展とともにＥＭＩ対策に
対処でき、ＥＭＩ対策部品を挿入したときのコストアッ
プを避けることができ、設計変更にも容易に対処でき
る。 (3) 次に、本発明の第３の実施の形態について図面を参
照して説明する。なお、図１と同一部分には同一符号を
付してその詳しい説明は省略する。
は、スリット５に、信号パターン４の形状をグランド層
３に投影したときの信号パターン４の形成される部分
で、かつ信号パターン４の形成方向に電流が流れるよう
にバイパスコンデンサ１１を接続したので、上記第１の
実施の形態と同様の効果、すなわちグランド層３にスリ
ット１０が形成されていてもリターン電流経路を確保で
きて不要な電磁波を根本的に減少することができる。例
えば図５はかかるスリットにパイパスコンデンサを接続
した配線基板によるＳパラメータ（Ｓ11）の測定結果を
示しており、図６に示すスリットが形成されていない配
線基板によるＳパラメータ（Ｓ11）の測定結果と比較し
て略同一の放射電界強度となっていることが分かる。こ
のスリット５にパイパスコンデンサ１１を接続した場合
の効果を顕著に示すために図７にはスリットにパイパス
コンデンサを接続していない従来の配線基板によるＳパ
ラメータ（Ｓ11）の測定結果を示し、図７により従来の
配線基板では放射電界が大きいことが分かる。又、リタ
ーン電流経路は、信号パターン４の直下から著しくずれ
ることを防止でき、スリット５が形成されていない場合
のリターン電流経路と同一の経路を流れるものとなる。
従って、近年の高密度実装の進展とともにＥＭＩ対策に
対処でき、ＥＭＩ対策部品を挿入したときのコストアッ
プを避けることができ、設計変更にも容易に対処でき
る。 (3) 次に、本発明の第３の実施の形態について図面を参
照して説明する。なお、図１と同一部分には同一符号を
付してその詳しい説明は省略する。
【００３５】図８は配線基板の構成図である。
【００３６】スリット５は、帯状の信号パターン４の形
状をグランド層３に投影したときの信号パターン４の形
成方向（帯状方向）に対して直交する方向に形成されて
いる。
状をグランド層３に投影したときの信号パターン４の形
成方向（帯状方向）に対して直交する方向に形成されて
いる。
【００３７】信号層１上の信号パターン４に隣接する部
分には、接続パターン１２が形成されている。この接続
パターン１２は、例えば導体パターンであり、抵抗を接
続してもよい。この接続パターン１２の両端は、それぞ
れ信号層１からグランドパターン１５上のスリット５の
信号パターン４のグランド層への投影パターンの帯状方
向に沿う方向上の両端に各ビアホール１３、１４を介し
て電気的に接続されている。
分には、接続パターン１２が形成されている。この接続
パターン１２は、例えば導体パターンであり、抵抗を接
続してもよい。この接続パターン１２の両端は、それぞ
れ信号層１からグランドパターン１５上のスリット５の
信号パターン４のグランド層への投影パターンの帯状方
向に沿う方向上の両端に各ビアホール１３、１４を介し
て電気的に接続されている。
【００３８】このような配線基板を製造する場合には、
信号パターン４の配線経路に応じてグランド層３にスリ
ット５を形成する工程と、信号層１上に、信号パターン
４に隣接して接続パターン１２を形成する工程と、接続
パターン１２の両端をビアホール１３、１４を介してス
リット５の前記投影パターンの帯状方向に沿う方向上の
両端に接続する工程とをプロセス中に設けるものとな
る。
信号パターン４の配線経路に応じてグランド層３にスリ
ット５を形成する工程と、信号層１上に、信号パターン
４に隣接して接続パターン１２を形成する工程と、接続
パターン１２の両端をビアホール１３、１４を介してス
リット５の前記投影パターンの帯状方向に沿う方向上の
両端に接続する工程とをプロセス中に設けるものとな
る。
【００３９】次に上記の如く構成された配線基板での作
用について説明する。
用について説明する。
【００４０】配線基板の信号パターン４に信号ｉが流れ
ると、この信号ｉによってグランド層３には、信号パタ
ーン４の直下で信号ｉの流れる方向とは逆方向にリター
ン電流ｌが誘起される。
ると、この信号ｉによってグランド層３には、信号パタ
ーン４の直下で信号ｉの流れる方向とは逆方向にリター
ン電流ｌが誘起される。
【００４１】このリターン電流ｌは、信号パターン４の
直下にスリット５が形成されていても、例えばビアホー
ル１４から接続パターン１２に流れ、さらにこの接続パ
ターン１２からビアホール１３を通って再びグランド層
３に流れる。このようなリターン電流ｌであれば、リタ
ーン電流経路は、スリット５が形成されていない場合の
リターン電流経路と略同一の経路を確保できる。
直下にスリット５が形成されていても、例えばビアホー
ル１４から接続パターン１２に流れ、さらにこの接続パ
ターン１２からビアホール１３を通って再びグランド層
３に流れる。このようなリターン電流ｌであれば、リタ
ーン電流経路は、スリット５が形成されていない場合の
リターン電流経路と略同一の経路を確保できる。
【００４２】このように上記第３の実施の形態において
は、信号層１上の信号パターン４に隣接する部分に接続
パターン１２を形成し、この接続パターン１２の両端に
グランドパターン１５上のスリット５の両端に各ビアホ
ール１３、１４を介して電気的に接続したので、上記第
１の実施の形態と同様の効果、すなわちグランド層３に
スリット１０が形成されていてもリターン電流経路を確
保できて不要な電磁波を根本的に減少することができ
る。しかも、信号層１に形成された信号パターン４に隣
接する電源層２、グランド層３の幅と信号パターン４と
の間隔を調整することにより、スリット５とそれ以外の
部分との特性インピーダンスを一致させることができ、
良好な信号伝送が可能となるとともに、不要な電磁波の
放射をより減少できる。 (4) 次に、本発明の第４の実施の形態について図面を参
照して説明する。なお、図１と同一部分には同一符号を
付してその詳しい説明は省略する。
は、信号層１上の信号パターン４に隣接する部分に接続
パターン１２を形成し、この接続パターン１２の両端に
グランドパターン１５上のスリット５の両端に各ビアホ
ール１３、１４を介して電気的に接続したので、上記第
１の実施の形態と同様の効果、すなわちグランド層３に
スリット１０が形成されていてもリターン電流経路を確
保できて不要な電磁波を根本的に減少することができ
る。しかも、信号層１に形成された信号パターン４に隣
接する電源層２、グランド層３の幅と信号パターン４と
の間隔を調整することにより、スリット５とそれ以外の
部分との特性インピーダンスを一致させることができ、
良好な信号伝送が可能となるとともに、不要な電磁波の
放射をより減少できる。 (4) 次に、本発明の第４の実施の形態について図面を参
照して説明する。なお、図１と同一部分には同一符号を
付してその詳しい説明は省略する。
【００４３】図９は配線基板の断面構成図である。
【００４４】この配線基板は、信号層１、電源層２及び
グランド層３を積層し、かつこれら層１〜３のうち両最
外層側にそれぞれべた面の各グランド層１６、１７を形
成して挟む構造としたものである。
グランド層３を積層し、かつこれら層１〜３のうち両最
外層側にそれぞれべた面の各グランド層１６、１７を形
成して挟む構造としたものである。
【００４５】ここで、グランド層３には、上記第１の実
施の形態のようにスリット１０を、信号パターン４の形
状をグランド層３に投影したときの信号パターン４の形
成方向に沿いかつ信号パターン４の幅Ｗよりも狭い開口
幅ｗに形成してもよいし、又上記第２の実施の形態のよ
うにスリット５に、信号パターン４の形状をグランド層
３に投影したときの信号パターン４の形成される部分で
かつ信号パターン４の形成方向に電流が流れるようにバ
イパスコンデンサ１１を接続してもよいし、さらに上記
第２の実施の形態のように信号パターン４に隣接する部
分に接続パターン１２を形成し、この接続パターン１２
の両端にそれぞれスリット５の投影パターンの帯状方向
に沿う両端を各ビアホール１３、１４を介してグランド
パターン１５に電気的に接続してもよい。
施の形態のようにスリット１０を、信号パターン４の形
状をグランド層３に投影したときの信号パターン４の形
成方向に沿いかつ信号パターン４の幅Ｗよりも狭い開口
幅ｗに形成してもよいし、又上記第２の実施の形態のよ
うにスリット５に、信号パターン４の形状をグランド層
３に投影したときの信号パターン４の形成される部分で
かつ信号パターン４の形成方向に電流が流れるようにバ
イパスコンデンサ１１を接続してもよいし、さらに上記
第２の実施の形態のように信号パターン４に隣接する部
分に接続パターン１２を形成し、この接続パターン１２
の両端にそれぞれスリット５の投影パターンの帯状方向
に沿う両端を各ビアホール１３、１４を介してグランド
パターン１５に電気的に接続してもよい。
【００４６】このような配線基板であれば、グランド層
１６、１７で挟む構造とすることにより、電磁波をシー
ルドし、不要な電磁波を減少できる。
１６、１７で挟む構造とすることにより、電磁波をシー
ルドし、不要な電磁波を減少できる。
【００４７】なお、本発明は、上記第１乃至第４の実施
の形態に限定されるものでなく次の通り変形してもよ
い。
の形態に限定されるものでなく次の通り変形してもよ
い。
【００４８】例えば、スリット５又は１０がグランド層
３に形成されている場合について説明したが、これに限
らず電源層２にスリット５が形成されている場合でも適
用できる。
３に形成されている場合について説明したが、これに限
らず電源層２にスリット５が形成されている場合でも適
用できる。
【００４９】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、電
源層やグランド層にスリットや開口が形成されていても
リターン電流経路を確保できて不要な電磁波を根本的に
減少できる配線基板及びその製造方法を提供できる。
源層やグランド層にスリットや開口が形成されていても
リターン電流経路を確保できて不要な電磁波を根本的に
減少できる配線基板及びその製造方法を提供できる。
【図１】本発明に係わる配線基板の第１の実施の形態を
示す構成図。
示す構成図。
【図２】同配線基板を信号層からグランド層を見た投影
図。
図。
【図３】本発明に係わる配線基板の第２の実施の形態を
示す構成図。
示す構成図。
【図４】同配線基板を信号層からグランド層を見た投影
図。
図。
【図５】同配線基板によるＳパラメータ（Ｓ11）放射電
界の測定結果を示す図。
界の測定結果を示す図。
【図６】スリットが形成されていない配線基板によるＳ
パラメータ（Ｓ11）の測定結果を示す図。
パラメータ（Ｓ11）の測定結果を示す図。
【図７】スリットにバイパスコンデンサを接続していな
い従来の配線基板によるＳパラメータ（Ｓ11）の測定結
果を示す図。
い従来の配線基板によるＳパラメータ（Ｓ11）の測定結
果を示す図。
【図８】本発明に係わる配線基板の第３の実施の形態を
示す構成図。
示す構成図。
【図９】本発明に係わる配線基板の第４の実施の形態を
示す構成図。
示す構成図。
【図１０】従来のプリント基板の構造図。
１：信号層、 ２：電源層、 ３：グランド層、 ４：信号パターン、 １０：スリット、 １１：バイパスコンデンサ、 １２：接続パターン、 １３，１４：ビアホール、 １５：グランドパターン、 １６，１７：グランド層。
Claims (9)
- 【請求項１】 帯状の信号パターンが形成された信号層
及び異なる電源電圧が印加される複数の導体パターンが
形成された電源層及び複数のグランド用導体パターンが
形成されたグランド層を積層して成り、かつ前記電源層
又は前記グランド層のいずれか一方又は両方に開口部を
形成した配線基板において、 前記開口部は、前記信号パターンの前記電源層又は前記
グランド層への投影パターンからはみ出さない位置及び
形状に形成されていることを特徴とする配線基板。 - 【請求項２】 帯状の信号パターンが形成された信号層
及び異なる電源電圧が印加される複数の導体パターンが
形成された電源層及び複数のグランド用導体パターンが
形成されたグランド層を積層して成り、かつ前記電源層
又は前記グランド層のいずれか一方又は両方に前記信号
パターンの前記電源層又は前記グランド層への投影パタ
ーンと交差する位置に開口部を形成した配線基板におい
て、 前記開口部には、前記投影パターンの帯状方向に沿って
電流バイパス用素子が接続されていることを特徴とする
配線基板。 - 【請求項３】 前記電流バイパス用素子は、コンデンサ
であることを特徴とする請求項２記載の配線基板。 - 【請求項４】 帯状の信号パターンが形成された信号層
及び異なる電源電圧が印加される複数の導体パターンが
形成された電源層及び複数のグランド用導体パターンが
形成されたグランド層を積層して成り、かつ前記電源層
又は前記グランド層のいずれか一方又は両方に前記信号
パターンの前記電源層又は前記グランド層への投影パタ
ーンと交差する位置に開口部を形成した配線基板におい
て、 前記信号層上において前記信号パターンに隣接して接続
パターンが形成され、この接続パターンの両端はそれぞ
れ前記開口部の前記投影パターンの帯状方向に沿う方向
上の両端に接続されていることを特徴とする配線基板。 - 【請求項５】 前記接続パターンと前記開口部とは、ビ
アホールを介して電気的に接続されていることを特徴と
する請求項４記載の配線基板。 - 【請求項６】 少なくとも前記信号層及び前記電源層及
び前記グランド層を積層し、かつこれら層のうち両最外
層側にそれぞれグランド層を形成して挟む構造としたこ
とを特徴とする請求項１、２又は４記載の配線基板。 - 【請求項７】 帯状の信号パターンが形成された信号層
及び異なる電源電圧が印加される複数の導体パターンが
形成された電源層及び複数のグランド用導体パターンが
形成されたグランド層を積層し、前記電源層又は前記グ
ランド層のいずれか一方又は両方に開口部を形成する配
線基板の製造方法において、 前記開口部を、前記信号パターンの前記電源層又は前記
グランド層への投影パターンからはみ出さない位置及び
形状に形成する工程、を有することを特徴とする配線基
板の製造方法。 - 【請求項８】 帯状の信号パターンが形成された信号層
及び異なる電源電圧が印加される複数の導体パターンが
形成された電源層及び複数のグランド用導体パターンが
形成されたグランド層を積層して成る配線基板の製造方
法において、 前記電源層又は前記グランド層のいずれか一方又は両方
に前記信号パターンの前記電源層又は前記グランド層へ
の投影パターンと交差する位置に開口部を形成する工程
と、 前記開口部の前記投影パターンの帯状方向に沿う両端に
電流バイパス用素子を接続する工程と、を有することを
特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項９】 帯状の信号パターンが形成された信号層
及び異なる電源電圧が印加される複数の導体パターンが
形成された電源層及び複数のグランド用導体パターンが
形成されたグランド層を積層して成る配線基板の製造方
法において、 前記電源層又は前記グランド層のいずれか一方又は両方
に前記信号パターンの前記電源層又は前記グランド層へ
の投影パターンと交差する位置に開口部を形成する工程
と、 前記信号層上において前記信号パターンに隣接して接続
パターンを形成する工程と、 前記接続パターンの両端をそれぞれ前記開口部の前記投
影パターンの帯状方向に沿う方向上の両端に接続する工
程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11025702A JP2000223800A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11025702A JP2000223800A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 配線基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223800A true JP2000223800A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12173132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11025702A Pending JP2000223800A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000223800A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060378A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Canon Inc | 電子機器装置 |
| WO2006098076A1 (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 回路基板 |
| JP2007011629A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | プリント配線基板のリターンパスチェックシステム |
| US7505285B2 (en) | 2005-04-18 | 2009-03-17 | Hitachi, Ltd. | Main board for backplane buses |
| JP2009170574A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Aica Kogyo Co Ltd | 多層プリント配線板 |
| JP2013219182A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Canon Inc | プリント回路板 |
-
1999
- 1999-02-03 JP JP11025702A patent/JP2000223800A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060378A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Canon Inc | 電子機器装置 |
| JP4719387B2 (ja) * | 2001-08-10 | 2011-07-06 | キヤノン株式会社 | 電子機器装置 |
| WO2006098076A1 (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 回路基板 |
| US7505285B2 (en) | 2005-04-18 | 2009-03-17 | Hitachi, Ltd. | Main board for backplane buses |
| JP2007011629A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | プリント配線基板のリターンパスチェックシステム |
| JP2009170574A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Aica Kogyo Co Ltd | 多層プリント配線板 |
| JP2013219182A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Canon Inc | プリント回路板 |
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