JP2000156511A - 電気配線構造およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 急峻な段差や深い溝を乗り越える。 【解決手段】 切り立った段差によって隔てられた２領
域のそれぞれに配設された電気配線同士を接続する電気
配線構造において、２領域（光素子５の表面および基板
１の表面）の境界（へき開端面９ｂ）に配設されかつな
だらかな面を有する誘電体膜１１と、誘電体膜１１上に
配設されかつ２領域の電気配線６ａ，６ｂ同士を接続す
る電気配線６ｃとを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気配線構造およ
びその製造方法に関し、特に光導波路を備えた基板に光
素子および電子素子をハイブリッド集積した光モジュー
ルで使用される電気配線構造およびその製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光通信システムにおいては、光導
波路を備えた基板に半導体光素子（例えば、発光素子、
受光素子、光アンプ等）や電子素子をハイブリッド集積
した平面光波回路（以下、ＰＬＣ:Planer Lightwave Ci
rcuit という）が用いられている。ここで、従来のＰＬ
Ｃについて説明する。

【０００３】図１２は、従来のＰＬＣで用いられている
電気配線構造を示す斜視図である。同図に示すように、
シリコンからなる基板１上には、石英系ガラスからなる
クラッド２とその中に埋め込まれたコア３とから構成さ
れる光導波路が構成されている。そして、この光導波路
の一部が取り除かれて形成された領域４上には、光素子
５が搭載されている。これら基板１，クラッド２および
光素子５等は、ハイブリッド光モジュールを構成してい
る。

【０００４】さて、この光導波路部においては、様々な
光信号処理を実現するＰＬＣが形成されている。そし
て、このような光素子を搭載できる機能を付加した基板
は、ＰＬＣプラットフォームと称され、光と電気の信号
処理を融合させる基板として近年光モジュールに導入さ
れている。

【０００５】また、ＰＬＣプラットフォーム上の領域４
には、光素子５を駆動したり電気信号を入出力したりす
るための電気配線６ａが配設されており、電気配線６ａ
は半田７を介して光素子５と電気的に接続されている。
さらに、光素子５の活性層（または光吸収層）８は、領
域４においてコア３と光学的に結合するように搭載され
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図１２の記
載からも明らかなように、光素子５と光結合を得るため
に形成された光導波路端面９ａは、領域４の水平面に対
して垂直に３０μｍ以上の切り立った段差面となってい
る。このため、領域４上に配設された電気配線６ａと、
クラッド２上に配設された電気配線６ｂとの電気的接続
は、例えば金からなるワイヤ１０を用いてワイヤボンデ
ィングすることで接続されている。

【０００７】しかし、ワイヤ１０による電気的接続で
は、ワイヤ１０の長さに起因する寄生インダクタンスが
生じる。その結果、特性インピーダンスの不整合を招
き、搭載された光素子５を１０ＧＨｚ以上で高速動作さ
せることは、難しいといった問題が生じる。

【０００８】一方、図１３は、光素子５の両端において
コア３と光結合を有するハイブリッド光モジュールを示
している。同図に示すように、領域４の幅が狭いため、
電気配線６ａを基板１周辺へ取り出すことが困難である
といった問題がある。このため、領域４上に配設された
電気配線６ａの取り出しは、クラッド２上の電気配線６
ｂとの接続によって行われている。

【０００９】しかし、領域４上の電気配線６ａとクラッ
ド２上の電気配線６ｂの電気的接続は、図１２の場合と
同様に、ワイヤ１０によって行われている。そのため、
寄生インダクタンスを生じてモジュールの動作帯域の低
下を引き起こしたり、光素子５間の電気的クロストーク
の増大を招き易かったり、といった問題がある。

【００１０】また、光素子５の搭載間隔ｄは、ワイヤボ
ンディングが打てる程度の余裕を必要とするため、素子
の集積密度を上げることが困難であるといった問題があ
る。さらに、図１３において光素子５がアレイ素子とな
った場合、より電気配線の取り出しが困難になるといっ
た問題がある。これは、アレイ中央部に位置する素子に
接続された電気配線６ａには、ワイヤボンディングが打
てないことによるものである。

【００１１】本発明は、このような課題を解決するため
のものであり、急峻な段差や深い溝を乗り越えられる電
気配線構造およびその製造方法を提供することを目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、請求項１に係る本発明の電気配線構造は、切
り立った段差によって隔てられた２領域のそれぞれに配
設された電気配線同士を接続する電気配線構造におい
て、上記２領域の境界に配設されかつなだらかな面を有
する誘電体膜と、上記誘電体膜上に配設されかつ上記２
領域の電気配線同士を接続する電気配線とを備えたもの
である。

【００１３】また、請求項２に係る本発明の電気配線構
造は、請求項１において、上記切り立った段差は、溝の
一部である、ものである。

【００１４】また、請求項３に係る本発明の電気配線構
造は、請求項１において、上記２領域のうちの一方は、
クラッドとこのクラッドに埋め込まれたコアとで構成さ
れた光導波路であり、上記２領域のうちの他方は、この
光導波路の一部を取り除いた領域である、ものである。

【００１５】また、請求項４に係る本発明の電気配線構
造は、請求項１において、上記誘電体膜は、ポリイミド
からなるものである。。

【００１６】また、請求項５に係る本発明の電気配線構
造は、請求項１において、上記誘電体膜上の電気配線
は、伝送線路を構成しているものである。

【００１７】また、請求項６に係る本発明の電気配線構
造は、請求項１において、上記電気配線構造は、平面光
波回路に使用される、ものである。

【００１８】また、請求項７に係る本発明の電気配線構
造の製造方法は、切り立った段差によって隔てられた２
領域にそれぞれ配設された電気配線同士を接続する電気
配線構造の製造方法において、上記２領域のそれぞれに
電気配線を配設する工程と、上記２領域の境界になだら
かな面を有する誘電体膜を形成する工程と、上記誘電体
膜上に上記２領域の電気配線同士を接続する電気配線を
形成する工程とを有するものである。

【００１９】また、請求項８に係る本発明の電気配線構
造は、切り立った段差によって隔てられた２領域にそれ
ぞれ配設された電気配線同士を接続する電気配線構造の
製造方法において、上記２領域の境界になだらかな面を
有する誘電体膜を形成する工程と、上記２領域上の電気
配線とこれらの電気配線同士を接続するための上記誘電
体膜上の電気配線とを同時に形成する工程とを有するも
のである。

【００２０】また、請求項９に係る本発明の電気配線構
造は、請求項７または８において、上記切り立った段差
は、溝の一部である、ものである。

【００２１】また、請求項１０に係る本発明の電気配線
構造は、請求項７または８において、上記２領域のうち
の一方は、クラッドとこのクラッドに埋め込まれたコア
とで構成された光導波路であり、上記２領域のうちの他
方は、この光導波路の一部を取り除いた領域である、も
のである。

【００２２】また、請求項１１に係る本発明の電気配線
構造は、請求項７または８において、上記誘電体膜は、
ポリイミドからなるものである。

【００２３】また、請求項１２に係る本発明の電気配線
構造は、請求項７または８において、上記誘電体膜上の
電気配線は、伝送線路を構成しているものである。

【００２４】また、請求項１３に係る本発明の電気配線
構造は、請求項７または８において、上記電気配線構造
は、平面光波回路に使用される、ものである。

【００２５】このように構成することにより本発明は、
急峻な段差や深い溝を乗り越えられる電気配線構造を、
半導体製造プロセスで容易に実現することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図を用いて説明する。

【００２７】［第１の実施の形態］図１は、本発明に係
る電気配線構造の第１の実施の形態を示した斜視図であ
る。同図に示すように、例えばシリコンからなる基板１
上には電気配線６ａ，６ａ’が配設されている。電気配
線６ａ’は光素子５の底面まで延在しており、この電気
配線６ａ’上には半田７によって光素子５が固定されて
いる。また、光素子５は、厚さが１００μｍ程度の表面
入射型のアレイ受光素子であり、その表面には複数（図
１では３個）の受光部５ａを有する。

【００２８】一方、光素子５の表面上には電気配線６ｂ
が配設され、これら電気配線６ａ，６ａ’および６ｂ
は、例えば金からなる厚さ２μｍ以下の薄膜で形成され
ている。そして、シリコン基板１上の電気配線６ａと受
光素子５上の電気配線６ｂとの接続は、基板１に対して
垂直に切り立ったへき開端面９ｂ（光素子５の厚さは１
００μｍ）を、例えばポリイミドのような誘電体膜１１
で覆ってからパタン化し、その上にスパッタおよび蒸着
等によって電気配線６ｃを形成することにより接続され
る。

【００２９】本実施の形態では、誘電体膜１１に厚さ２
０μｍのポリイミドを用いた。ポリイミドは、粘度の高
い液状のポリイミド前駆体の状態でスピンコート等によ
り容易に塗布でき、パタン化も容易である。また、その
高粘性を利用することにより、垂直に切り立ったへき開
端面９ｂを十分に覆うことが可能である。

【００３０】さらに、ポリイミド前駆体からポリイミド
を生成する際には、加熱処理によって熱収縮を引き起こ
すため、ポリイミドのパタン端面がなだらかになり、電
気配線６ｃの這い上がりが容易になる。このため、図１
に示すように厚さ２μｍ以下の薄膜電気配線６ｃを用い
ているにもかかわらず、へき開端面９ｂの垂直段差面
（高さは１００μｍ）でさえ容易に乗り越えることがで
き、電気配線６ａ，６ｂを接続させることができる。

【００３１】本実施の形態によれば、従来ワイヤボンデ
ィングによって行っていた電気配線６ａ，６ｂの接続
を、半導体製造プロセス同様に一括して行える。このこ
とは、光素子５のアレイ数が増大したり、２次元配置と
なる際には、極めて有効といえる。

【００３２】［第２の実施の形態］図２は、本発明に係
る電気配線構造の第２の実施の形態を示した斜視図であ
る。ここでは、Ｖ溝１２を有する基板１に光素子５を実
装したハイブリッド光モジュールの場合について説明す
る。

【００３３】図２の斜視図に示すように、例えばシリコ
ンからなる基板１上に、Ｖ溝１２が形成されており、そ
の上に光ファイバー１３が固定されている。また、基板
１にはＶ溝１２と直交して、光ファイバー１３を突き当
てるための溝１４がダイシングにより形成されている。
この溝１４のサイズは、ダイシングソーのサイズによっ
て決定されるが、通常、幅１００μｍ、深さ１００μｍ
程度である。そして、領域４ａ上においては、例えばレ
ーザーダイオードやフォトダイオードといった光素子５
がハイブリッド実装されている。

【００３４】また、領域４ａ上には、これら光素子５を
駆動したり電気信号を入出力したりするための電気配線
６ａが配設されており、光素子５と電気配線６ａとは半
田７を介して電気的に接続されている。一方、溝１４を
挟んで反対側の領域４ｂ上には電気配線６ｂが配設さ
れ、これら電気配線６ａ，６ｂは例えば金からなる厚さ
２μｍ以下の薄膜で形成されている。なお、光素子５
は、その活性層（または光吸収層）８が光ファイバー１
３のコア３と光学的にも結合するようにして、領域４ｂ
上に搭載されている。

【００３５】ここで、図２の一部における平面図を図３
（ａ）に、またそのＡ−Ａ’線断面図を図３（ｂ）に示
す。領域４ａ上の電気配線６ａと領域４ｂ上の電気配線
６ｂとの接続は、例えばポリイミドのような誘電体膜１
１で溝１４を覆い、その上にスパッタおよび蒸着等によ
って電気配線６ｃを形成することにより接続される。ポ
リイミドは、粘度の高い液状のポリイミド前駆体の状態
でスピンコート等により容易に塗布でき、パタン化も容
易である。また、その高粘性を利用することにより、深
い溝１４を十分に覆うことが可能である。さらに、ポリ
イミド前駆体からポリイミドを生成する際には、加熱処
理によって熱収縮を引き起こすため、ポリイミドのパタ
ン端面がなだらかになり、電気配線６ｃの這い上がりが
容易になる。

【００３６】このように本実施の形態によれば、厚さが
２μｍ以下という非常に薄い電気配線６ｃを用いている
にもかかわらず、基板１上の溝１４を乗り越えて領域４
ａ，４ｂ上の電気配線６ａ，６ｂを接続させることがで
きる。また、本実施の形態によれば、電気配線６ａ，６
ｂの接続を、従来のワイヤボンディングによる方法やあ
るいは電気配線を形成した別基板をフリップチップ実装
して接続するといった方法による手間を省き、半導体製
造プロセス同様に一括して行えるようになる。

【００３７】なお、溝１４の幅に応じてポリイミドの塗
布の仕方を変えてもよい。図４（ｃ）は、溝１４の幅が
狭い場合のＡ−Ａ’線断面図を示し、図４（ｄ）は、溝
１４の幅が広い場合のＡ−Ａ’線断面図を示す。図４
（ｃ）に示すように、溝１４の幅が狭いときは、溝１４
の中を完全にポリイミドで埋めてしまっても構わない。
また、図４（ｄ）に示すように、溝１４の幅が広いとき
は、溝１４の底部に予め電気配線６ｄを配設しておき、
溝１４の段差の部分にのみ誘電体膜１１を付けてからそ
の上に電気配線６ｃを配設してもよい。

【００３８】［第３の実施の形態］図５は、本発明に係
る電気配線構造の第３の実施の形態を示した斜視図であ
る。同図に示すように、例えばシリコンからなる基板１
上に、石英系ガラスからなるクラッド２とその中に埋め
込まれたコア３とによって構成される光導波路（ＰＬ
Ｃ）が構成されている。

【００３９】さらに、この光導波路の一部はＲＩＥ（Re
active Ion Etching）等の方法によって取り除かれ、領
域４と光の入出力端となる光導波路端面９ａとが形成さ
れている。このようにして形成された光導波路端面９ａ
は、通常、領域４の表面から垂直に３０μｍ以上の切り
立った段差となっている。領域４においては、例えばレ
ーザーダイオードやフォトダイオードといった光素子５
がハイブリッド実装されている。

【００４０】また、領域４上には、これら光素子５を駆
動したり電気信号を入出力したりするための電気配線６
ａが配設されており、この電気配線６ａと光素子５とは
半田７を介して電気的に接続されている。一方、クラッ
ド２上にも電気配線６ｂが配設され、これら電気配線６
ａ，６ｂは、例えば金からなる厚さ２μｍ以下の薄膜で
形成されている。なお、光素子５は、その活性層（また
た光吸収層）８が光導波路端面９ａで露出したコア３と
光学的に結合するようにして領域４上に搭載されてい
る。

【００４１】ここで、図５の一部における平面図を図６
（ａ）に、またそのＢ−Ｂ’線断面図を図６（ｂ）に示
す。領域４上の電気配線６ａとクラッド２上の電気配線
６ｂとの接続は、高さ３０μｍ以上にもなる光導波路端
面９ａを、例えばポリイミドのような誘電体膜１１で覆
ってからパタン化し、その上にスパッタおよび蒸着等に
よって電気配線６ｃを形成することにより接続される。

【００４２】本実施の形態では、誘電体膜１１に厚さ１
５μｍのポリイミドを用いた。ポリイミドは、粘度の高
い液状のポリイミド前駆体の状態でスピンコート等によ
り容易に塗布でき、パタン化も容易である。その高粘性
を利用することにより、光導波路端面９ａを十分に覆う
ことが可能である。

【００４３】さらに、ポリイミド前駆体からポリイミド
を生成する際には、加熱処理によって熱収縮を引き起こ
すため、ポリイミドのパタン端面がなだらかになり、電
気配線６ｃの這い上がりが容易になる。このように本実
施の形態によれば、厚さ２μｍ以下の薄膜電気配線６ｃ
を用いているにかかわらず、３０μｍ以上の光導波路端
面９ａの段差でさえ容易に乗り越えることができ、電気
配線６ａ、６ｂを接続することができる。

【００４４】したがって、従来のＰＬＣプラットフォー
ムでは、領域４のみに電気配線６ａを形成したが、本実
施の形態によるば、クラッド２上にも電気配線６ｂを形
成できるようになり、配線設計の自由度を拡大すること
ができるようになる。さらに、ＩＣやＬＳＩといった電
子素子を、クラッド２上においてハイブリッド実装する
ことで、これら電子素子を用いて直接光素子を駆動した
り、信号処理を可能にできる。そのため、小型で集積度
の高い高機能光モジュールを実現することができように
なる。

【００４５】［第４の実施の形態］図７は、本発明に係
る電気配線構造の第４の実施の形態を示した斜視図であ
る。ここでは、光素子５の両端においてコア３と光結合
を有するハイブリッド光モジュールの場合について説明
する。

【００４６】同図に示すように、例えばシリコンからな
る基板１上に、石英系ガラスからなるクラッド２とその
中に埋め込まれたコア３とによって構成される光導波路
（ＰＬＣ）が形成されている。さらに、この光導波路の
一部はＲＩＥ等の方法によって取り除かれ、領域４ａと
光の入出力端となる光導波路端面９ａが、光素子５の両
側にそれぞれ形成されている。また、領域４ａの一部が
クラッド２側へ入り込んだ領域４ｂも、同時に形成され
ている。

【００４７】このようにして形成された光導波路端面９
ａは、通常領域４ａ，４ｂの表面から垂直に３０μｍ以
上の切り立った段差となっている。領域４ａにおいて
は、例えば半導体光アンプといった、素子の両端で光信
号の入出力を行う光素子５がハイブリッド実装されてい
る。領域４ａ上には、これら光素子５を駆動したり電気
信号を入出力したりするための電気配線６ａが配設され
ており、光素子５とは半田を介して電気的に接続されて
いる。一方、クラッド２上にも、電気配線６ｂが配設さ
れ、これら電気配線６ａ，６ｂは、例えば金からなる厚
さ２μｍ以下の薄膜で構成されている。なお、光素子５
は、その活性層（または光吸収層）８が両側の光導波路
端面９ａで露出したコア３と光学的に結合して搭載され
ている。

【００４８】ここで、図７の一部における平面図を図８
（ａ）に、またそのＣ−Ｃ’線断面図を図８（ｂ）に示
す。領域４ａ上の電気配線６ａとクラッド２上の電気配
線６ｂとの接続は、高さ３０μｍ以上にもなる光導波路
端面９ａを、例えばポリイミドのような誘電体膜１１で
覆ってからパタン化し、その上に電気配線６ｃを形成す
ることにより接続される。

【００４９】本実施の形態では、領域４ｂにおいて、第
３の実施の形態と同じく誘電体膜１１に厚さ１５μｍの
ポリイミドを用いることで、厚さ２μｍ以下の薄膜電気
配線６ｃは、領域４ａの両側にある３０μｍ以上の光導
波路端面９の段差を容易に接続することができる。すな
わち、光導波路端面９ａの段差を乗り越える電気配線６
ｃを、領域４ｂに形成することにより、中央部に搭載さ
れた光素子５からの電気配線を容易に取り出すことが可
能となるばかりではなく、光素子５の搭載間隔ｄを狭め
ることが可能となり、光素子５の集積密度を上げること
ができる。

【００５０】［第５の実施の形態］図９は、本発明に係
る電気配線構造の第５の実施の形態を示した斜視図であ
る。ここでは、アレイ光素子５の両端においてコア３と
光結合を有するハイブリッド光モジュールの場合につい
て説明する。

【００５１】同図に示すように、その構成は第４の実施
の形態で示したものと同じであるが、実装されている光
素子５がアレイとなっている点が異なる。本実施の形態
は、従来アレイ中央部に位置する素子からの電気配線の
取り出しが非常に困難であった点を克服し、したがって
領域４ａ上の電気配線６ａを容易にクラッド２上に取り
出すことができるようになる。

【００５２】［第６の実施の形態］第１〜５の実施の形
態の誘電体膜１１上の電気配線６ｃとして、例えばコプ
レナー線路またはスロット線路等のような伝送線路を形
成することにより、高周波電気信号を伝送できるように
なる。本実施の形態によれば、従来のワイヤボンディン
グによる電気配線接続法とは異なり、１０ＧＨｚ以上の
高速動作を可能とする光ハイブリッドモジュールの作製
が可能となる。

【００５３】図１０は、本発明に係る電気配線構造の第
６の実施の形態を示した斜視図であり、図５の電気配線
をコプレナー線路にしたものである。同図に示すよう
に、信号線である電気配線６ａの両隣にはグランド配線
６ｅが設けられている。同様に、信号線である電気配線
６ｂの両隣にはグランド配線６ｆが設けられている。同
様に、信号線である電気配線６ｃの両隣にはグランド配
線６ｇが設けられている。

【００５４】以上、本発明に係る実施の形態について述
べてきたが、第１〜６の実施の形態における電気配線６
ｃの形成方法としては、例えば図１１（ａ）に示すよう
に、先に電気配線６ａと電気配線６ｂとを形成してか
ら、次に切り立った段差面９を覆う誘電体膜１１をパタ
ン化し、最後に電気配線６ｃを形成して接続してもよ
い。一方、図１１（ｂ）に示すように、先に切り立った
段差面９を覆う誘電体膜１１をパタン化してから、一括
して電気配線６を形成してもよい。

【００５５】また、第３〜５の実施の形態の光導波路
は、シリコン基板上に形成された石英系ガラスに限定さ
れるものではない。たとえば、インジウムリン基板やア
ルミナ基板等の上に、誘電体からなる光導波路を作製し
てもよく、何ら限定されるものではない。さらに、電子
素子をハイブリッド集積するのではなく、基板１が半導
体基板であれば基板１に作り込んでもよい。

【００５６】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、急
峻な段差や深い溝を乗り越えられる電気配線の形成が、
半導体製造プロセス同様に一括して形成可能となるた
め、ワイヤホンディング工程を省くことができるように
なる。特に、光導波路を有する基板上において、急峻な
光導波路端面の段差を乗り越えられる電気配線が可能と
なる。そのため、電子素子や光素子といった複数の能動
素子を集積可能なものとし、電気配線設計の自由度が大
きくなり、小型で集積度の高い高機能光モジュールを実
現することができようになる。また、両側を急峻な光導
波路端面に囲まれた領域に搭載された光素子への、電気
配線の取り出しが容易に可能となる。また、両側を急峻
な光導波路端面に囲まれた領域に搭載された光素子が複
数個になった場合、素子の搭載間隔を狭めることが可能
となるため、より光モジュールの小型化が可能となる。
また、両側を急峻な光導波路端面に囲まれた領域に搭載
されたアレイ光素子への、電気配線の取り出しが可能と
なる。また、急峻な光導波路端面を覆った誘電体膜上
に、伝送線路を形成することができるようになり、１０
ＧＨｚ以上の高速動作が可能なハイブリッド光モジュー
ルが作製できるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施の形態を示す斜視図であ
る。

【図２】 本発明の第２の実施の形態を示す斜視図であ
る。

【図３】 図２に係る電気配線構造の平面図（ａ）およ
びＡ−Ａ’線断面図（ｂ）である。

【図４】 図２に係る電気配線構造のＡ−Ａ’断面図
（ｃ）およびＡ−Ａ’線断面図（ｄ）である。

【図５】 本発明の第３の実施の形態を示す斜視図であ
る。

【図６】 図５に係る電気配線構造の平面図（ａ）およ
びＢ−Ｂ’線断面図

【図７】 本発明の第４の実施の形態を示す斜視図であ
る。

【図８】 図７に係る電気配線構造の平面図（ａ）およ
びＣ−Ｃ’線断面図（ｂ）である。

【図９】 本発明の第５の実施の形態を示す斜視図であ
る。

【図１０】 本発明の第６の実施の形態を示す斜視図で
あり、図５（第３の実施の形態）にコプレナー線路を適
用したものである。

【図１１】 第１〜６の実施の形態に適用可能な電気配
線構造の断面図（ａ），（ｂ）である。

【図１２】 従来例を示す斜視図である。

【図１３】 従来例を示す斜視図である。

【符号の説明】

１…基板、２…クラッド、３…コア、４，４ａ，４ｂ…
領域、５…光素子、５ａ…受光部、６…電気配線、６
ａ，６ａ’，６ｂ，６ｃ，６ｄ…電気配線、６ｅ，６
ｆ，６ｇ…グランド配線、７…半田、８…活性層（また
は光吸収層）、９…段差面、９ａ…光導波路端面、９ｂ
…へき開端面、１０…ワイヤ、１１…誘電体膜、１２…
Ｖ溝、１３…光ファイバ、１４…溝。

フロントページの続き (72)発明者 山田 貴 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 2H047 PA24 QA04 QA07 TA01 TA13 5F073 AB15 AB28 BA01 CB04 CB05 CB19 EA14 FA30 5F088 BA02 BA15 BB01 CB06 CB07 CB14 EA02 FA11 GA02 GA03 HA20 JA03 JA14

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 切り立った段差によって隔てられた２領
   域のそれぞれに配設された電気配線同士を接続する電気
   配線構造において、 前記２領域の境界に配設されかつなだらかな面を有する
   誘電体膜を備え、 前記２領域の電気配線は、前記誘電体膜上の電気配線に
   よって接続されていることを特徴とする電気配線構造。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記切り立った段差は、溝の一部であることを特徴とす
   る電気配線構造。
3. 【請求項３】 請求項１において、 前記２領域のうちの一方は、クラッドとこのクラッドに
   埋め込まれたコアとで構成された光導波路であり、 前記２領域のうちの他方は、この光導波路の一部を取り
   除いて作られた領域であることを特徴とする電気配線構
   造。
4. 【請求項４】 請求項１において、 前記誘電体膜は、ポリイミドからなることを特徴とする
   電気配線構造。
5. 【請求項５】 請求項１において、 前記誘電体膜上の電気配線は、伝送線路を構成している
   ことを特徴とする電気配線構造。
6. 【請求項６】 請求項１において、 前記電気配線構造は、平面光波回路に使用されることを
   特徴とする電気配線構造。
7. 【請求項７】 切り立った段差によって隔てられた２領
   域にそれぞれ配設された電気配線同士を接続する電気配
   線構造の製造方法において、 前記２領域のそれぞれに電気配線を配設する工程と、 前記２領域の境界になだらかな面を有する誘電体膜を形
   成する工程と、 前記２領域の電気配線同士を接続する電気配線を、前記
   誘電体膜上に形成する工程とを有することを特徴とする
   電気配線構造の製造方法。
8. 【請求項８】 切り立った段差によって隔てられた２領
   域にそれぞれ配設された電気配線同士を接続する電気配
   線構造の製造方法において、 前記２領域の境界になだらかな面を有する誘電体膜を形
   成する工程と、 前記２領域上の電気配線と、これらの電気配線を接続し
   かつ前記誘電体膜上に位置する電気配線と、を同時に形
   成する工程とを有することを特徴とする電気配線構造の
   製造方法。
9. 【請求項９】 請求項７または８において、 前記切り立った段差は、溝の一部であることを特徴とす
   る電気配線構造の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項７または８において、 前記２領域のうちの一方は、クラッドとこのクラッドに
    埋め込まれたコアとで構成された光導波路であり、 前記２領域のうちの他方は、この光導波路の一部を取り
    除いた領域であることを特徴とする電気配線構造の製造
    方法。
11. 【請求項１１】 請求項７または８において、 前記誘電体膜は、ポリイミドからなることを特徴とする
    電気配線構造の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項７または８において、 前記誘電体膜上の電気配線は、伝送線路を構成している
    ことを特徴とする電気配線構造の製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項７または８において、 前記電気配線構造は、平面光波回路に使用されることを
    特徴とする電気配線構造の製造方法。