JP2000150896A - 薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 少ない工程でもって製造でき、かつ信頼性の
高い薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 この薄膜トランジスタの製造方法は、結
晶化を助長する元素を添加した感光性ペースト１を島状
に形成することで、上記元素を選択的に非晶質半導体膜
１５ａ中へ添加し、加熱処理を行って、非晶質半導体膜
１５ａを多結晶化させる。したがって、フォトレジスト
マスクを形成する工程が不要になり、製造プロセスを簡
略化できる。また、この製造方法によれば、元素添加工
程において、フォトレジスト膜を使用しないから、不純
物が非晶質半導体膜１５ａ中に混入されることがない。
したがって、少ない工程でもって、信頼性が高くて電気
的安定性の高い薄膜トランジスタを製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、アクティブマト
リクス型の液晶表示装置等に用いられる薄膜トランジス
タおよびその製造方法に関し、特に、結晶性を有する半
導体を用いた薄膜トランジスタおよびその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、平面ディスプレイ等の画像表示素
子への応用を目的とした薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)の開
発が活発に行われている。アクティブマトリクス型の液
晶表示装置等に用いられる薄膜トランジスタには、高移
動度,高いオン電流/オフ電流比,高耐圧,素子サイズの縮
小等が要求される。

【０００３】多結晶半導体薄膜トランジスタは、非晶質
半導体膜を用いた薄膜トランジスタと比べて、コンダク
タンスが大きいという長所を有しているが、通常、プロ
セス温度が１０００℃と高くなり、ガラス基板を用いる
ことが困難であるという製造上の問題がある。例えば、
コーニング製の７０５９ガラスはガラス歪点が５９３℃
であり、基板の大面積化を考慮した場合、６００℃以上
の加熱には問題がある。

【０００４】そこで、このプロセス温度に関する対策と
して、非晶質半導体膜の表面にニッケルやパラジウム、
更には鉛等の元素を微量に推積させてから、加熱するよ
うにすれば、プロセス温度:５５０℃,処理時間:４時間
程度で結晶化を行える。これにより、６００℃以下のプ
ロセス温度で多結晶半導体を得ることができる。上記の
ような結晶化を助長する徴量元素(触媒元素)を導入する
には、プラズマ処理や蒸着、更にはイオン注入を利用す
ればよい。

【０００５】しかし、上記のような触媒元素が半導体中
に多量に存在していると、これらの半導体を用いた装置
の信頼性や電気的安定性を阻害するから、望ましいこと
によってはない。すなわち、上記ニッケル等の結晶化を
助長する元素(触媒元素)は、非結晶質半導体を結晶化さ
せる際には必要であるが、結晶化した多結晶膜中には極
力含まれないことが望ましい。この目的を達成するに
は、結晶化に必要な触媒元素の量を極力少なくし、最低
限の触媒元素量で結晶化を行う必要がある。

【０００６】そこで、従来から開示されている触媒元素
の微量添加を制御する薄膜トランジスタの製造方法(特
開平７−２１１６３５)を、図９,１０を参照して説明す
る。

【０００７】まず、図９(Ａ)に示すように、ガラス基板
１０１上に非晶質半導体膜(α-Ｓｉ)１０５ａを成膜す
る。次に、図９(Ｂ)に示すように、フォトレジスト膜１
１３を用いて、非晶質半導体膜１０５ａの上部に必要と
するパターンを形成する。この状態において、例えば、
１００ｐｐｍのニッケルを含有した酢酸塩溶液を適量滴
下し、スピナー１１４で５０ｒｐｍ,１０秒間のスピン
コートを行い、基板表面全体に均一な水膜１１１を形成
させる。次に、この状態で５分間保持した後、スピナー
を用いて２０００ｒｐｍ,６０秒間のスピンドライを行
う。

【０００８】次に、図９(Ｃ)に示すように、フォトレジ
スト膜１１３を剥離液や酸素アッシングによって除去す
ることによって、ニッケル元素を吸着した領域１１２が
選択的に形成される。その後、５５０℃,４時間の加熱
処理を施すことによって、非晶質半導体膜１０５ａを多
結晶質半導体膜(Ｐ-Ｓｉ)１０５ｂに成長させる。この
とき、ニッケルが導入された部分１１５は、図９(Ｃ)に
示すように、ニッケルが導入されなかった領域へと横方
向に結晶成長(ラテラル成長)し、ラテラル成長領域１１
６が形成される。

【０００９】その後、エキシマレーザの照射等によるア
ニールを行い、多結晶質半導体膜の結晶性をより高め
る。次に、図９(Ｄ)に示すように、多結晶質半導体膜１
０５ｂを所定の形状にパターニングする。その後、図９
(Ｅ)に示すように、ゲート絶縁膜１０６を成膜し、より
高い耐圧を得るために６００℃で１２時間程度加熱し
て、ゲート絶縁膜１０６を繊密化する。

【００１０】その後、金属膜を成膜し、さらに、この金
属膜を所定の形状にパターニングして、図９(Ｆ)および
図７に示すように、ゲート配線１０３とゲート電極１０
３ａを形成する。次に、図１０(Ｇ)に示すように、ゲー
ト電極１０３ａを不純物注入マスクにして、リンに代表
される５価の元素(またはボロンに代表される８価の元
素)をドーパントとして、加速電圧１０ＫＶ程度，ドー
ズ量１×１０¹⁵/ｃｍ²〜１×１０¹⁷/ｃｍ²の条件で不純
物注入を行い、不純物注入領域１１９を形成する。この
後、図１０(Ｈ)に示すように、エキシマレーザの照射等
によって、不純物が注入された領域の活性化を行い、チ
ャネル領域に加えてソース領域１０４ｂおよびドレイン
領域１０８ｂを形成する。

【００１１】次に、図１０(Ｉ),図１０(Ｊ)に示すよう
に、層間絶縁膜１０７を成膜し、層間絶縁膜１０７およ
びゲート絶縁膜１０６を同時に所定の形状にパターニン
グしてコンタクトホール１２０を形成する。その後、金
属膜を成膜し、さらに、この金属膜を所定の形状にパタ
ーニングして、図７にも示すように、ソース配線１０４
とソース電極１０４ａとドレイン電極１０８ａとを形成
する。そして、このようにして得られた図７に示す薄膜
トランジスタ１００の近傍に、ドレイン電極１０８ａと
接続するように画素電極１０２を形成する。この画素電
極１０２は、例えばＩＴＯ(インジウム・ティン・オキ
サイド)等の透明導電膜にからなる。

【００１２】なお、図７は、この従来例で製造された多
結晶半導体膜を有した薄膜トランジスタ１００を多数備
えた液晶表示装置のパネル基板の一部を示すもので、図
８は、図７のＢ−Ｂ線断面を示す。

【００１３】上記製造工程の図９(Ｃ)に示したように、
上記触媒元素としてのニッケル元素を、非結晶質半導体
膜１０５ａに導入し、加熱処理を行うことによって、多
結晶質半導体膜１０５ｂに成長したラテラル成長領域１
１６は、ガラス基板１０１表面と平行に針状あるいは柱
状の結晶が成長方向に沿って延びており、その成長方向
において結晶粒界が存在しない。したがって、このラテ
ラル成長領域１１６を利用して、薄膜トランジスタ１０
０のチャネル部を形成することによって、高性能な薄膜
トランジスタを製作できる。

【００１４】上記従来例の製造方法によれば、図５に一
例を示すように、楕円の実線で示したラテラル成長の端
部４２を有するラテラル成長領域の成長方向４３に対し
て平行に、ソース領域４４,チャネル領域４６,ドレイン
領域４５を配置した場合には、結晶成長方向とキャリヤ
移動方向とを同一の方向にすることができる。したがっ
て、キャリヤの移動方向に結晶粒界が存在しない高移動
度薄膜トランジスタを実現できる。一方、図６に示すよ
うに、楕円の実線で示したラテラル成長の端部５２を有
するラテラル成長領域の成長方向５３に対して、略直角
にソース領域５４,チャネル領域５６,ドレイン領域５５
を配置した場合には、ドレイン領域５５端部の電解集中
領域における粒界部分を無くすことができる。したがっ
て、ドレイン領域端部での粒界トラップ密度を低減で
き、トランジスタ動作時の特性劣化の原因を解消できる
から、オンオフ電流比の大きい薄膜トランジスタを作製
できる。

【００１５】ところが、上記従来の薄膜トランジスタの
製造方法では、図９(Ｂ)に示すように、フォトレジスト
マスク１１３を形成した後、触媒元素(ニッケル)を含有
した溶液を滴下して水膜１１１を形成するので、触媒元
素を選択的に非晶質半導体膜１０５ａに導入するための
工程が多くなるという問題がある。

【００１６】さらに、上記従来例では、非晶質半導体膜
１０５ａの表面に直接フォトレジスト膜１１３が接触す
るので、不純物が非晶質半導体膜１０５ａ中に混入し、
非晶質半導体膜１０５ａの膜質劣化を招く。この膜質劣
化は薄膜トランジスタの信頼性や電気的安定性を阻害す
るという問題がある。

【００１７】そこで、非晶質半導体膜１０５ａとフォト
レジスト膜１１３との間にブロッキング層を設け、この
ブロッキング層の内、触媒元素を導入する部分１１５の
対向領域を開口してから、触媒元素を含有した溶液を滴
下する方法が考えられる。この方法によれば、非晶質半
導体膜１０５ａに直接フォトレジスト膜１１３が触れる
のを避けることができるが、ブロッキング層を形成する
工程が追加の工程となり、工程数が増加する。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明の目
的は、少ない工程でもって製造でき、かつ信頼性の高い
薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することに
ある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明の薄膜トランジスタの製造方法は、
絶縁性基板上または基板を覆って形成された絶縁膜上
に、非晶質半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、上
記非晶質半導体膜上に、結晶化を助長する元素を添加し
た感光性ペーストを島状に形成して、上記非晶質半導体
膜上に上記結晶化を助長する元素を選択的に微量添加す
る元素添加工程と、加熱処理を行って、上記元素を上記
非晶質半導体膜中へ拡散,導入し、上記非晶質半導体膜
を多結晶化させる元素拡散工程とを備えることを特徴と
している。

【００２０】この請求項１の発明の薄膜トランジスタの
製造方法では、結晶化を助長する元素を添加した感光性
ペーストを使用し、上記感光性ペーストを島状に形成し
上記元素を選択的に非晶質半導体膜中へ添加し、加熱処
理を行って、上記非晶質半導体膜を多結晶化させる。

【００２１】したがって、この発明の製造方法によれ
ば、従来例におけるフォトレジストマスクを形成した
後、触媒元素を含有した溶液を滴下するという２工程
を、結晶化を助長する元素を添加した感光性ペーストを
島状に形成するという１つの工程で済ますことができ
る。したがって、製造プロセスを簡略化でき、かつコス
トダウンを行うことができる。

【００２２】また、この発明の製造方法によれば、元素
添加工程において、フォトレジスト膜を使用しないか
ら、従来のように非晶質半導体膜の表面に直接フォトレ
ジスト膜が接触することが無い。したがって、非晶質半
導体膜とフォトレジスト膜との間にブロッキング層を設
けなくても、不純物が非晶質半導体膜中に混入されるこ
とがないから、工程の増加を招くことなく、非晶質半導
体膜の膜質の劣化を防止できる。したがって、この発明
によれば、少ない工程でもって、信頼性が高くて電気的
安定性の高い薄膜トランジスタを製造できる。

【００２３】また、請求項２の発明の薄膜トランジスタ
は、絶縁性基板上または基板を覆って形成された絶縁膜
上に形成された非晶質半導体膜上に、結晶化を助長する
元素を添加した感光性ペーストが島状に形成されてか
ら、加熱によって多結晶化された多結晶半導体薄膜を備
え、この多結晶半導体薄膜にソースおよびドレインを形
成したことを特徴としている。

【００２４】この請求項２の発明の薄膜トランジスタに
よれば、元素添加工程において、フォトレジスト膜を使
用しないから、従来のように非晶質半導体膜の表面に直
接フォトレジスト膜が接触することが無い。したがっ
て、非晶質半導体膜とフォトレジスト膜との間にブロッ
キング層を設けなくても、不純物が非晶質半導体膜中に
混入されることがないから、簡単な工程で非晶質半導体
膜の膜質の劣化を防止できる。したがって、この発明に
よれば、少ない工程でもって製造できる信頼性が高くて
電気的安定性の高い薄膜トランジスタを提供できる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態に基づいて詳細に説明する。

【００２６】この発明の薄膜トランジスタの製造方法の
実施の形態を、図３,図４を順に参照して説明する。

【００２７】この実施の形態は、まず、図３(Ａ)に示す
ように、ガラス基板または絶縁膜を成膜した基板からな
る基板１１上に、非晶質半導体膜（α-Ｓｉ)１５ａを３
０〜１５０ｎｍ程度の厚さに成膜する。次に、図３(Ｂ)
に示すように、結晶化を助長する触媒元素として例えば
ニッケルを１００ｐｐｍだけ添加した感光性ペースト１
を塗布し、フォトリソを行って、所定の島形状に形成す
る。このフォトリソでは、１００〜７００ｍＪ/ｃｍ²の
露光量で露光ができ、炭酸ナトリウム０．５〜１％の水
溶液で現像を行うことができる。

【００２８】次に、５５０℃で４時間の熱処理を行っ
て、非晶質半導体膜１５ａを、多結質晶半導体膜(Ｐ−
Ｓｉ)１５ｂに成長させる。このとき、図３(Ｃ)に示す
ように、ニッケル元素が導入された部分２１は、ニッケ
ル元素が導入されなかった領域へ向かって、ラテラル成
長する。これにより、ラテラル成長領域２２が形成され
る。上記触媒元素(ニッケル)を非結晶質半導体膜１５ａ
に導入し加熱処理を行うことによって、ラテラル成長領
域１５ａは、多結晶質半導体膜１５ｂに成長する。この
多結晶質半導体膜１５ｂは、基板１１表面と平行に針状
あるいは柱状の結晶が成長方向に沿って延びており、そ
の成長方向において結晶粒界が存在しない。したがっ
て、このラテラル成長領域２２を利用して、薄膜トラン
ジスタのチャネル部を形成することにより、図５,図６
を参照して説明したように、高移動度薄膜トランジスタ
やオンオフ電流比の大きい薄膜トランジスタを作製でき
る。

【００２９】次に、図３(Ｄ)に示すように、上記触媒元
素(ニッケル)を添加した感光性ペースト１を、１％程度
の炭酸ナトリウム水溶液で剥離する。その後、エキシマ
レーザの照射等によるアニールを行い、多結晶質半導体
膜１５ｂの結晶性をより高める。次に、多結晶質半導体
膜１５ｂを所定の形状にパターニングする。

【００３０】その後、図３(Ｅ)に示すように、ゲート絶
縁膜１６を成膜し、より高い耐圧を得るために６００℃
で１２時間程度加熱してゲート絶縁膜１６を繊密化す
る。その後、図３(Ｆ)に示すように、金属膜を成膜し、
更に、この金属膜を所定の形状にパターニングして、図
１にも示すようなゲート配線１３およびゲート電極１３
ａを形成する。

【００３１】次に、図４(Ｇ)に示すように、上記ゲート
電極１３ａを不純物注入マスクとして、リンに代表され
る５価の元素(またはボロンに代表される３価の元素)を
ドーパントとして、加速電圧１０ＫＶ程度,ドーズ量１
×１０¹⁵／ｃｍ²〜１×１０¹⁷／ｃｍ²の条件で不純物注
入を行い、不純物注入領域１９を形成する。この後、図
４(Ｈ)に示すように、エキシマレーザの照射等によっ
て、不純物が注入された領域の活性化を行い、チャネル
領域に加えてソース領域１４ｂおよびドレイン領域１８
ｂを形成する。

【００３２】次に、図４(Ｉ),図４(Ｊ)に示すように、
層間絶縁膜１７を成膜し、層間絶縁膜１７およびゲート
絶縁膜１６を同時に所定の形状にパターニングしてコン
タクトホール２０を形成する。その後、図４(Ｋ)に示す
ように、金属膜を成膜し、更に、この金属膜を所定の形
状にパターニングして、図１にも示すように、ソース配
線１４とソース電極１４ａおよびドレイン電極１８ａを
形成する。

【００３３】そして、図１に示すように、このようにし
て得られた薄膜トランジスタ１０の近傍に、ドレイン電
極１８ｂと接続するように画素電極１２を形成する。こ
の画素電極１２は、例えばＩＴＯ等の透明導電膜からな
る。

【００３４】この実施の形態の薄膜トランジスタの製造
方法によれば、結晶化を助長する元素を添加した感光性
ペースト１を使用し、上記感光性ペースト１を島状に形
成し上記元素を選択的に非晶質半導体膜１５ａ中へ添加
し、加熱処理を行って、上記非晶質半導体膜１５ａを多
結晶化させる。したがって、この製造方法によれば、従
来例におけるフォトレジストマスクを形成した後、触媒
元素を含有した溶液を滴下するという２工程を、結晶化
を助長する元素を添加した感光性ペーストを島状に形成
するという１つの工程で済ますことができる。したがっ
て、製造プロセスを簡略化でき、かつコストダウンを行
うことができる。

【００３５】また、この製造方法によれば、元素添加工
程において、フォトレジスト膜を使用しないから、従来
のように非晶質半導体膜の表面に直接フォトレジスト膜
が接触することが無い。したがって、非晶質半導体膜と
フォトレジスト膜との間にブロッキング層を設ける必要
がなく、不純物が非晶質半導体膜１５ａ中に混入される
ことがないから、工程の増加を招くことなく、非晶質半
導体膜１５ａの膜質の劣化を防止できる。したがって、
この製造方法によれば、少ない工程でもって、信頼性が
高くて電気的安定性の高い薄膜トランジスタを製造でき
る。

【００３６】図１に示す液晶表示装置のパネル基板の一
部には、上記薄膜トランジスタ１０が多数形成されてい
る。また、図１のＡ-Ａ線断面を、図２に示す。図１に
示すように、薄膜トランジスタ１０は、基板１１上にマ
トリクス状に配された画素電極１２に各々接続され、各
画素電極１２へ画像信号の供給を制御するスイッチング
素子として形成されている。また、基板１１上には、画
像信号を供給するための走査信号線(ゲート線)１３とデ
ータ信号線(ソース線)１４とが平面的に交差するように
多数配設されている。走査信号線１３は、上記ゲート電
極１３ａと一体に形成される。一方、データ信号線１４
は、上記ソース電極１４ａと一体に形成される。

【００３７】図２に示すように、上記薄膜トランジスタ
１０は、多結晶半導体膜(Ｐ-Ｓｉ)１５ｂの上に、ゲー
ト絶縁膜１６,ゲート電極１３ａ,層間絶縁膜１７が順次
形成され、更に、上記２つのコンタクトホール２０に、
ソース電極１４ａとドレイン電極１８ａとが形成された
構造になっている。上記多結晶半導体膜１５ｂは、チャ
ネル領域と、その両側のソース領域１４ｂおよびドレイ
ン領域１８ｂを有し、このチャネル領域はゲート電極１
３ａの下部に位置する。また、ドレイン電極１８ａは、
その近傍の画像電極１２に接続されている。

【００３８】上記薄膜トランジスタ１０は、非晶質半導
体膜１５ａ上に、結晶化を助長する元素(ニッケル)を添
加した感光性ペースト１が島状に形成されてから加熱に
よって、多結晶化された多結晶半導体薄膜１５ｂを備
え、この多結晶半導体薄膜１５ｂにソース領域１４ｂお
よびドレイン領域１８ｂを形成した。この薄膜膜トラン
ジスタ１０によれば、元素添加工程において、フォトレ
ジスト膜を使用しないから、従来のように非晶質半導体
膜の表面に直接フォトレジスト膜が接触することが無
い。したがって、非晶質半導体膜とフォトレジスト膜と
の間にブロッキング層を設けなくても、不純物が非晶質
半導体膜中に混入されることがないから、簡単な工程で
非晶質半導体膜の膜質の劣化を防止できる。したがっ
て、この薄膜トランジスタ１０によれば、少ない工程で
もって製造できる信頼性が高くて電気的安定性の高い薄
膜トランジスタを実現できる。

【００３９】なお、上記実施形態では、結晶化を助長す
る元素としてニッケルを用いたが、他の元素(パラジウ
ム等)を用いてもよい。

【００４０】

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の発
明の薄膜トランジスタの製造方法は、結晶化を助長する
元素を添加した感光性ペーストを使用し、上記感光性ペ
ーストを島状に形成し上記元素を選択的に非晶質半導体
膜中へ添加し、加熱処理を行って、上記非晶質半導体膜
を多結晶化させる。

【００４１】したがって、この発明の製造方法によれ
ば、従来例におけるフォトレジストマスクを形成した
後、触媒元素を含有した溶液を滴下するという２工程
を、結晶化を助長する元素を添加した感光性ペーストを
島状に形成するという１つの工程で済ますことができ
る。したがって、低温,短時間でもって非晶質半導体膜
を多結晶化できるから、製造プロセスを簡略化でき、か
つコストダウンを行うことができる。

【００４２】また、この発明の製造方法によれば、元素
添加工程において、フォトレジスト膜を使用しないか
ら、従来のように非晶質半導体膜の表面に直接フォトレ
ジスト膜が接触することが無い。したがって、非晶質半
導体膜とフォトレジスト膜との間にブロッキング層を設
けなくても、不純物が非晶質半導体膜中に混入されるこ
とがないから、工程の増加を招くことなく、非晶質半導
体膜の膜質の劣化を防止できる。したがって、この発明
によれば、少ない工程でもって、信頼性が高くて電気的
安定性の高い薄膜トランジスタを製造できる。

【００４３】また、請求項２の発明の薄膜トランジスタ
は、絶縁性基板上または基板を覆って形成された絶縁膜
上に形成された非晶質半導体膜上に、結晶化を助長する
元素を添加した感光性ペーストが島状に形成されてから
加熱によって、多結晶化された多結晶半導体薄膜を備
え、この多結晶半導体薄膜にソースおよびドレインを形
成した。

【００４４】この請求項２の発明の薄膜トランジスタに
よれば、元素添加工程において、フォトレジスト膜を使
用しないから、従来のように非晶質半導体膜の表面に直
接フォトレジスト膜が接触することが無い。したがっ
て、非晶質半導体膜とフォトレジスト膜との間にブロッ
キング層を設けなくても、不純物が非晶質半導体膜中に
混入されることがないから、簡単な工程で非晶質半導体
膜の膜質の劣化を防止できる。したがって、この発明に
よれば、少ない工程でもって製造できる信頼性が高くて
電気的安定性の高い薄膜トランジスタを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の薄膜トランジスタが多数形成され
る液晶表示装置のパネル基板の一部を示す平面図であ
る。

【図２】 図１のＡ−Ａ線における上記薄膜トランジス
タの断面図である。

【図３】 上記薄膜トランジスタの製造工程の前半を示
す工程図である。

【図４】 上記薄膜トランジスタの製造工程の後半を示
す工程図である。

【図５】 結晶成長の方向と薄膜トランジスタのソー
ス,ドレイン,チャネルの各領域の配置を示した図で、キ
ャリヤの移動方向に結晶粒界が存在しない配置図であ
る。

【図６】 結晶成長の方向と薄膜トランジスタのソー
ス,ドレイン,チャネルの各領域の配置を示した図で、ド
レイン端部での粒界トラップ密度が低減する配置図であ
る。

【図７】 従来の薄膜トランジスタが多数形成される液
晶表示装置のパネル基板の一部を示す平面図である。

【図８】 図７のＢ−Ｂ線における上記薄膜トランジス
タの断面図である。

【図９】 上記薄膜トランジスタの製造工程の前半を示
す工程図である。

【図１０】 上記薄膜トランジスタの製造工程の後半を
示す工程図である。

【符号の説明】

１…触媒元素含有ペースト、１０…薄膜トランジスタ、
１１…ガラス基板、１２…画素電極、１３…ゲート配
線、１３ａ…ゲート電極、１４…ソース配線、１４ａ…
ソース電極、１４ｂ,４４,５４…ソース領域、１５ａ…
非晶質半導体膜、１５ｂ…多結晶質半導体膜、１６…ゲ
ート絶縁膜、１７…層間絶縁膜、１８ａ…ドレイン電
極、１８ｂ，４５，５５…ドレイン領域、１９…不純物
注入領域、２０…コンタクトホール、２１,４１,５１…
触媒元素導入領域、２２,４３,５３…ラテラル成長領
域、４６,５６…チャネル領域、４２,５２…ラテラル成
長端部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F052 AA01 BB07 DA02 FA01 JA01 JA10 5F110 AA05 CC02 FF36 GG02 GG13 GG15 HJ01 HJ04 HJ12 HJ23 NN02 PP03 PP23 PP24 PP34 QQ04

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板上または基板を覆って形成さ
   れた絶縁膜上に、非晶質半導体膜を形成する半導体膜形
   成工程と、 上記非晶質半導体膜上に、結晶化を助長する元素を添加
   した感光性ペーストを島状に形成して、上記非晶質半導
   体膜上に上記結晶化を助長する元素を選択的に微量添加
   する元素添加工程と、 加熱処理を行って、上記元素を上記非晶質半導体膜中へ
   拡散,導入し、上記非晶質半導体膜を多結晶化させる元
   素拡散工程とを備えることを特徴とする薄膜トランジス
   タの製造方法。
2. 【請求項２】 絶縁性基板上または基板を覆って形成さ
   れた絶縁膜上に形成された非晶質半導体膜上に、結晶化
   を助長する元素を添加した感光性ペーストが島状に形成
   されてから、加熱によって多結晶化された多結晶半導体
   薄膜を備え、この多結晶半導体薄膜にソースおよびドレ
   インを形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。