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JP2000137651A - データ誤り訂正装置およびその方法 - Google Patents

データ誤り訂正装置およびその方法

Info

Publication number
JP2000137651A
JP2000137651A JP10308846A JP30884698A JP2000137651A JP 2000137651 A JP2000137651 A JP 2000137651A JP 10308846 A JP10308846 A JP 10308846A JP 30884698 A JP30884698 A JP 30884698A JP 2000137651 A JP2000137651 A JP 2000137651A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
error correction
data
code
circuit
ecc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10308846A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Okita
茂 沖田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Japan Ltd
Original Assignee
Texas Instruments Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Japan Ltd filed Critical Texas Instruments Japan Ltd
Priority to JP10308846A priority Critical patent/JP2000137651A/ja
Publication of JP2000137651A publication Critical patent/JP2000137651A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Detection And Correction Of Errors (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Error Detection And Correction (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単かつ小規模な構成で、誤り訂正処理を短
時間で行うことができるデータ誤り訂正装置を提供す
る。 【解決手段】 バンク24a,24bを有するメモリ2
4と、入力した誤り訂正対象データにC1訂正を行って
第1の誤り訂正データを生成し、当該生成した第1の誤
り訂正データを、バンク24a,24bに、積符号化が
一体的に行われるデータフレームを単位として交互に書
き込むECCプロセッサ22aと、メモリ24から読み
出した第1の誤り訂正データのC2訂正を行って第2の
誤り訂正データを生成し、当該生成した第2の誤り訂正
データを前記読み出しを行ったバンク24a,24bに
書き込み、メモリ24から読み出した第2の誤り訂正デ
ータの2回目のC1訂正を行うECCプロセッサ22b
とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、リードソ
ロモン符号などの積符号化された誤り訂正対象データの
誤り訂正を行うデータ誤り訂正装置およびその方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】リード・ソロモン符号(以下RS符号)
は、その符号化効率の良さとバーストエラーに対する適
性から、主に記録媒体やデイジタル伝送の外符号に用い
られている。また、IC化技術の進歩とともに、8バイ
ト訂正以上の比較的訂正能力の高い符号に対応した符号
化/複号ICが1チップで実現できるようになり、その
応用範囲が急速に広まった。このRS符号については、
例えば文献(1)「G.C.Clark,Jr. 、J.B.Cain著、Erro
r-correction coding for digital communications、Pl
enum Press、1981年」や文献(2)「有川著、誤り
訂正符号の仕組みリード・ソロモン符号、テレビ技術誌
1989年1月号〜1991年6月号」に詳しく記載さ
れている。記録媒体用の誤り訂正符号は、積符号の構成
をとることが多い(文献(2))。具体的には、記録媒
体用の誤り訂正符号として、例えば、図6に示すよう
に、縦横のマトリックス状にシンボルを配置した誤り訂
正用のデータフレームが用いられる。このデータフレー
ムは、184バイト(縦)×170バイト(横)の情報
部に対して、縦方向に16バイトの冗長シンボル(C2
パリティ用のシンボル)を付加し、横方向に10バイト
の冗長シンボル(C1パリティ用のシンボル)を付加し
た200×180のシンボルからなる。
【0003】以下、上述したようなデータフレームの誤
り訂正を行うデータ誤り訂正装置について説明する。図
7は、従来のデータ誤り訂正装置1の構成図である。図
7に示すように、データ誤り訂正装置1は、ECCプロ
セッサ2、メモリコントローラ3およびメモリ4を有す
る。データ誤り訂正装置1では、例えば、図6に示すデ
ータフレームを構成する誤り訂正の対象となるECC入
力データS5が、先ず、メモリ4の記憶領域4aに記憶
される。その後、ECC入力データS5は、誤り訂正の
単位で、記憶領域4aと4bとに交互に記憶される。こ
のとき、例えば、図6に示すデータフレームのシンボル
が、行単位で上から下に向けて、かつ、各行内で左から
右に向けて順にECC入力データS5としてデータ誤り
訂正装置1に入力される。
【0004】そして、例えば、記憶領域4aへの1デー
タフレームの書き込みが完了すると、メモリコントロー
ラ3の制御に基づいて、記憶領域4aからデータフレー
ムが所定のパターンで読み出され、ECCプロセッサ2
において誤り訂正が行われる。また、それと並行して、
記憶領域4bへのデータフレームの書き込みが行われ
る。一方、誤り訂正の単位のデータフレームの記憶領域
4bへの書き込みが完了すると、メモリコントローラ3
の制御に基づいて、記憶領域4bからECCプロセッサ
2にデータフレームが所定のパターンで読み出されて誤
り訂正が行われる。また、それと並行して、記憶領域4
aへのデータフレームの書き込みが行われる。
【0005】上述したようなデータ誤り訂正装置1にお
ける処理を連続的に行うには、記憶領域4aあるいは4
bに1データフレームが記憶されるまでに、先の1デー
タフレームについてのECCプロセッサ2における誤り
訂正処理を終了する必要がある。
【0006】データ誤り訂正装置1における誤り訂正処
理では、最初、データフレームを横方向から訂正し(1
80回のC1訂正)、訂正後のデータは元の領域に書き
戻される。このとき、エラーが生じたデータのみ書き換
えると、メモリ4に対するアクセス回数を削減できる。
次に、縦方向での訂正(200回のC2訂正)を実行す
る。さらに、横方向(C1訂正),縦方向(C2訂
正),...というように訂正を繰り返し実行していく
ことで訂正能力を高めることも可能である。それぞれの
訂正の結果はメモリ4に一旦記憶されて、次の訂正を行
う際に、再度所定の方向(順序)で読み出されて、EC
Cプロセッサ2に出力される。
【0007】通常の訂正手法では、最大訂正数は冗長シ
ンボルの数の半分である。図6に示すような積符号化さ
れたデータフレームものは、2回目以降の訂正におい
て、消失誤り訂正(Erasure Error Correction)を行うこ
とで、その訂正能力を高めることができる。消失誤り訂
正では、例えば、C1訂正およびC2訂正を順に行う場
合には、C1の復号でランダム誤りを訂正すると同時
に、訂正能力を越すランダム誤りおよびバースト誤りに
ついては誤りが存在していることを示すため、その符号
語の全シンボルにポインタ(消失フラグ)を付加する。
このポインタはC2の誤り位置を示し、C2の復号で
は、この情報を利用する。
【0008】そのため、以上述べたような積符号化され
たデータフレームについては、C1,C2の最低2回の
訂正を実行するのが基本であるが、縦横両方向とも消失
誤り訂正を行うという意味では、最低でもC1,C2,
C1の3回の訂正を実行することが望ましい。この場合
には、メモリ4に対するアクセスは、データフレームの
メモリ4への最初の書き込みと、C1,C2訂正を行う
ためのECCプロセッサ2への読み込みと、これらの訂
正の結果の書き込みと、2回目のC1訂正を行うための
ECCプロセッサ2への読み込みの合計6回必要であ
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに、誤り訂正のために、メモリ4に対して6回ものア
クセスを行うと、訂正処理時間全体に占めるメモリ4へ
のアクセス時間の割合が高くなり、高速化を図ることが
困難になるという問題がある。
【0010】また、近年、コンピュータ用記録メディア
に対する高速アクセスを実現する要求が高まっている。
そのため、誤り訂正処理の高速化の要求も大きい。この
ような高速化を実現するには、例えば複数のECCプロ
セッサ2を用いて並列動作を行うことが考えられる。し
かしながら、ECCプロセッサ2を単純に複数にする
と、回路規模が大幅に増大してしまうという問題があ
る。
【0011】ところで、誤り訂正用のメモリは、出力用
のバッファメモリと共用する場合が多い。図8は、従来
のその他のデータ誤り訂正装置11の構成図である。図
8に示すように、データ誤り訂正装置11は、ECCプ
ロセッサ2、メモリコントローラ13、出力用バッファ
メモリ14および出力コントローラ16を有する。デー
タ誤り訂正装置11では、ECC入力データS5が、出
力用バッファメモリ14の記憶領域14a1 〜14am
に向けて順に記憶される。そして、例えば、ECC入力
データS5が記憶領域14an (n<m)に書き込まれ
ているときに、既に書き込みが完了している記憶領域内
のデータについて、メモリコントローラ13の制御に基
づいて、ECCプロセッサ2における誤り訂正処理が行
われる。そして、誤り訂正の結果が出力用バッファメモ
リ14に記憶され、出力コントローラ16によって、読
み出しを行う出力用バッファメモリ14の記憶領域が指
定され、読み出された誤り訂正の結果が、適当なフォー
マットに変換されて出力データS16として出力され
る。
【0012】しかしながら、図8に示すデータ誤り訂正
装置11においても、前述した図7に示すデータ誤り訂
正装置1と同様の問題がある。
【0013】本発明は上述した従来技術の問題点に鑑み
てなされ、簡単かつ小規模な構成で、誤り訂正処理を短
時間で行うことができるデータ誤り訂正装置およびその
方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上述した従来技術の問題
点を解決し、上述した目的を達成するために、本発明の
第1の観点のデータ誤り訂正装置は、第1の誤り訂正符
号および第2の誤り訂正符号により積符号化された誤り
訂正対象データに対して、少なくとも前記第1の誤り訂
正符号に対しての第1の誤り訂正と、前記第2の誤り訂
正符号に対しての第2の誤り訂正と、前記第1の誤り訂
正符号に対しての第3の誤り訂正とを順に行うデータ誤
り訂正装置であって、略同時にアクセス可能な少なくと
も第1のバンクおよび第2のバンクを有する記憶回路
と、前記記憶回路へのアクセスを制御する記憶回路制御
回路と、入力した前記誤り訂正対象データに前記第1の
誤り訂正を行って第1の誤り訂正データを生成し、当該
生成した第1の誤り訂正データを、前記第1のバンクお
よび前記第2のバンクに、前記積符号化が一体的に行わ
れるデータフレームを単位として交互に書き込む第1の
誤り訂正回路と、前記記憶回路から読み出した前記第1
の誤り訂正データに前記第2の誤り訂正を行って第2の
誤り訂正データを生成し、当該生成した第2の誤り訂正
データを前記読み出しを行った前記第1のバンクおよび
前記第2のバンクに書き込み、前記記憶回路から読み出
した前記第2の誤り訂正データに前記第3の誤り訂正を
行って第3の誤り訂正データを生成し、前記第1の誤り
訂正回路において1データフレーム分の前記第1の誤り
訂正を行う間に、1データフレーム分の前記第2の誤り
訂正および前記第3の誤り訂正を行う第2の誤り訂正回
路とを有する。
【0015】本発明の第1の観点のデータ誤り訂正装置
では、入力された誤り訂正対象データに対して、第1の
誤り訂正回路において、第1の誤り訂正が行われ、その
訂正結果である第1の誤り訂正データが、記憶回路の第
1のバンクおよび第2のバンクに、前記積符号化が一体
的に行われるデータフレームを単位として交互に書き込
まれる。そして、前記記憶回路から読み出された前記第
1の誤り訂正データに対して、第2の誤り訂正回路にお
いて、第2の誤り訂正が行われて第2の誤り訂正データ
が生成される。そして、当該生成した第2の誤り訂正デ
ータが、前記読み出しを行った前記第1のバンクおよび
前記第2のバンクに書き込まれる。そして、前記記憶回
路から読み出された前記第2の誤り訂正データに対し
て、第2の誤り訂正回路において、第3の誤り訂正が行
われて第3の誤り訂正データが生成される。このとき、
前記第1の誤り訂正回路において1データフレーム分の
前記第1の誤り訂正を行う間に、前記第2の誤り訂正回
路において1データフレーム分の前記第2の誤り訂正お
よび前記第3の誤り訂正が行われる。
【0016】また、本発明の第1の観点のデータ誤り訂
正装置は、好ましくは、前記第2の誤り訂正回路は、前
記第2の誤り訂正および前記第3の誤り訂正を一組の誤
り訂正とした場合に、前記第1の誤り訂正回路において
1データフレーム分の前記第1の誤り訂正を行う間に、
1データフレーム分の単数組または複数組の誤り訂正を
行う。
【0017】また、本発明の第1の観点のデータ誤り訂
正装置は、好ましくは、前記第2の誤り訂正回路は、消
失誤り訂正を行う。
【0018】また、本発明の第1の観点のデータ誤り訂
正装置は、好ましくは、出力用記憶回路と、前記第3の
誤り訂正データについての前記出力用記憶回路の書き込
みおよび読み出しを、前記データフレームを単位として
制御する出力用記憶回路制御回路とをさらに有する。
【0019】また、本発明の第1の観点のデータ誤り訂
正装置は、好ましくは、前記積符号は、リードソロモン
符号の積符号である。
【0020】また、本発明の第2の観点のデータ誤り訂
正装置は、第1の誤り訂正符号および第2の誤り訂正符
号により積符号化された誤り訂正対象データに対して、
少なくとも前記第1の誤り訂正符号に対しての第1の誤
り訂正と、前記第2の誤り訂正符号に対しての第2の誤
り訂正と、前記第1の誤り訂正符号に対しての第3の誤
り訂正とを順に行うデータ誤り訂正装置であって、第1
の記憶回路と、前記第1の記憶回路へのアクセスを制御
する記憶回路制御回路と、入力した前記誤り訂正対象デ
ータに前記第1の誤り訂正を行って第1の誤り訂正デー
タを生成し、当該生成した第1の誤り訂正データを、前
記第1の記憶回路に書き込む第1の誤り訂正回路と、前
記第1の記憶回路から読み出した前記第1の誤り訂正デ
ータに前記第2の誤り訂正を行って第2の誤り訂正デー
タを生成し、当該生成した第2の誤り訂正データを前記
第1の記憶回路に書き込み、前記第1の記憶回路から読
み出した前記第2の誤り訂正データに前記第3の誤り訂
正を行って第3の誤り訂正データを生成し、前記第1の
誤り訂正回路において1データフレーム分の前記第1の
誤り訂正を行う間に、1データフレーム分の前記第2の
誤り訂正および前記第3の誤り訂正を行う第2の誤り訂
正回路と、前記第3の誤り訂正データを記憶する出力用
記憶回路と、前記第3の誤り訂正データについての前記
出力用記憶回路の書き込みおよび読み出しを、前記デー
タフレームを単位として制御する出力用記憶回路制御回
路とを有する。
【0021】さらに、本発明のデータ誤り訂正方法は、
第1の誤り訂正符号および第2の誤り訂正符号により積
符号化された誤り訂正対象データに対して、少なくとの
前記第1の誤り訂正符号に対しての第1の誤り訂正と、
前記第2の誤り訂正符号に対しての第2の誤り訂正と、
前記第1の誤り訂正符号に対しての第3の誤り訂正とを
順に行うデータ誤り訂正方法であって、前記誤り訂正対
象データに前記第1の誤り訂正を行って第1の誤り訂正
データを生成し、当該生成した第1の誤り訂正データ
を、記憶回路の第1のバンクおよび第2のバンクに、前
記積符号化が一体的に行われるデータフレームを単位と
して交互に書き込み、前記記憶回路から読み出した前記
第1の誤り訂正データに前記第2の誤り訂正を行って第
2の誤り訂正データを生成し、当該生成した第2の誤り
訂正データを前記読み出しを行った前記第1のバンクお
よび前記第2のバンクに書き込み、前記記憶回路から読
み出した前記第2の誤り訂正データに前記第3の誤り訂
正を行って第3の誤り訂正データを生成し、1データフ
レーム分の前記第1の誤り訂正を行う間に、1データフ
レーム分の前記第2の誤り訂正および前記第3の誤り訂
正を行うように、前記第1の誤り訂正と、前記第2の誤
り訂正および前記第3の誤り訂正とを並行して行う。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係わる
データ誤り訂正装置について説明する。第1実施形態 図1は、本実施形態のデータ誤り訂正装置21の構成図
である。図1に示すように、データ誤り訂正装置21
は、ECCプロセッサ22a,22b、メモリコントロ
ーラ23a,23bおよびメモリ24を有する。
【0023】メモリ24は、略同時にアクセス可能なバ
ンク24aおよび24bを有し、ECC出力データS2
2aおよびS22b1 を記憶するバンクを1データフレ
ーム単位で切り換えると共に、ECC出力データS22
1 を読み出すバンクを1データフレーム単位で切り換
える。なお、バンク24aおよび24bは、それぞれ1
データフレーム分のC1,C2訂正結果を記憶可能な記
憶容量を有する。
【0024】メモリコントローラ23aは、ECC入力
データS5のECCプロセッサ22aへの供給と、EC
Cプロセッサ22aとメモリ24のバンク24aとの間
のデータ転送を制御する。また、メモリコントローラ2
3aは、ECC出力データS22b2 の出力と、ECC
プロセッサ22bとメモリ24のバンク24bとの間の
データ転送を制御する。
【0025】ECCプロセッサ22aは、メモリコント
ローラ23aの制御に基づいて、ECC入力データS5
を入力して、当該入力したECC入力データS5に対し
てC1訂正を行う。このとき、例えば、図6に示すデー
タフレームのシンボルが、行単位で上から下に向けて、
かつ、各行内で左から右に向けて順にECC入力データ
S5としてECCプロセッサ22aに入力され、図6に
示す1行分のシンボルが入力される度に当該1行分のシ
ンボルについてC1訂正が行われる。ECCプロセッサ
22aにおけるC1訂正の結果は、メモリコントローラ
23aの制御に基づいて、ECC出力データS22aと
して、データフレーム単位で、メモリ24のバンク24
aおよび24bに交互に書き込まれる。
【0026】ECCプロセッサ22bは、メモリコント
ローラ23bの制御に基づいて、メモリ24のバンク2
4aおよび24bから読み出された、ECCプロセッサ
22aにおいてC1訂正が行われたECC出力データS
22aについてC2訂正およびC1訂正を順に行う。E
CCプロセッサ22bは、例えば、ECC出力データS
22aについてC1訂正およびC2訂正をそれぞれ1回
ずつ行う場合には、先ず、バンク24aあるいはバンク
24bから読み出したECC出力データS22aについ
てC2訂正を行い、その訂正結果をECC出力データS
22b1 として、読み出しを行ったバンク24aあるい
はバンク24bに書き込む。次に、ECCプロセッサ2
2bは、バンク24aあるいはバンク24bから読み出
したECC出力データS22b 1 についてC1訂正を行
い、メモリコントローラ23bの制御に基づいて、その
訂正結果をECC出力データS22b2 として出力す
る。なお、ECCプロセッサ22bでは、C1訂正およ
びC2訂正を行う際に、前述した消失誤り訂正を行うこ
とが可能である。
【0027】以下、図1に示すデータ誤り訂正装置21
の動作について図2を参照しながら説明する。図2は、
図1に示すメモリ24のバンク24a,24bへのアク
セスを説明するための図である。先ず、時刻t0 〜t1
において、ECC入力データS5が、メモリコントロー
ラ23aの制御に基づいて、ECCプロセッサ22aに
入力され、ECCプロセッサ22aにおいて、図6に示
す1行分のシンボルが入力される度に当該1行分のシン
ボルについてC1訂正が行われる。当該C1訂正結果
は、メモリコントローラ23aの制御に基づいて、EC
C出力データS22aとして、ECCプロセッサ22a
からメモリ24のバンク24aに書き込まれる。そし
て、時刻t1 に、1データフレーム分のECC出力デー
タS22aがバンク24aに書き込まれる。
【0028】次に、時刻t1 〜t2 において、メモリコ
ントローラ23bの制御に基づいて、前述したECC出
力データS22aが図6に示す列単位で順にメモリ24
のバンク24aからECCプロセッサ22bに読み出さ
れる。そして、ECCプロセッサ22bにおいて、EC
C出力データS22aのC2訂正が行われ、メモリコン
トローラ23bの制御に基づいて、そのC2訂正結果が
ECC出力データS22b1 として、バンク24aに書
き込まれる。そして、時刻t2 に、1データフレーム分
のECC出力データS22b1 がバンク24aに書き込
まれる。
【0029】次に、時刻t2 〜t3 において、メモリコ
ントローラ23bの制御に基づいて、前述したECC出
力データS22b1 が図6に示す行単位で順にメモリ2
4のバンク24aからECCプロセッサ22bに読み出
される。そして、ECCプロセッサ22bにおいて、E
CC出力データS22b1 のC1訂正が行われ、メモリ
コントローラ23bの制御に基づいて、そのC1訂正結
果がECC出力データS22b2 として出力される。そ
して、時刻t3 に、1データフレーム分のECC出力デ
ータS22b2 の出力が完了する。
【0030】また、時刻t1 〜t3 において、前述した
ECCプロセッサ22bの処理と並行して、次の1デー
タフレームについて、ECC入力データS5が、メモリ
コントローラ23aの制御に基づいて、ECCプロセッ
サ22aに入力され、ECCプロセッサ22aにおい
て、図6に示す1行分のシンボルが入力される度に当該
1行分のシンボルについてC1訂正が行われる。当該C
1訂正結果は、メモリコントローラ23aの制御に基づ
いて、ECC出力データS22aとして、ECCプロセ
ッサ22aからメモリ24のバンク24bに書き込まれ
る。そして、時刻t3 に、1データフレーム分のECC
出力データS22aがバンク24bに書き込まれる。
【0031】次に、時刻t3 〜t4 において、メモリコ
ントローラ23bの制御に基づいて、前述したECC出
力データS22aが図6に示す列単位で順にメモリ24
のバンク24bからECCプロセッサ22bに読み出さ
れる。そして、ECCプロセッサ22bにおいて、EC
C出力データS22aのC2訂正が行われ、メモリコン
トローラ23bの制御に基づいて、そのC2訂正結果が
ECC出力データS22b1 として、バンク24bに書
き込まれる。そして、時刻t4 に、1データフレーム分
のECC出力データS22b1 がバンク24bに書き込
まれる。
【0032】次に、時刻t4 〜t5 において、メモリコ
ントローラ23bの制御に基づいて、前述したECC出
力データS22b1 が図6に示す行単位で順にメモリ2
4のバンク24bからECCプロセッサ22bに読み出
される。そして、ECCプロセッサ22bにおいて、E
CC出力データS22b1 のC1訂正が行われ、メモリ
コントローラ23bの制御に基づいて、そのC1訂正結
果がECC出力データS22b2 として出力される。そ
して、時刻t5 に、1データフレーム分のECC出力デ
ータS22b2 の出力が完了する。
【0033】また、時刻t3 〜t5 において、前述した
ECCプロセッサ22bの処理と並行して、次の1デー
タフレームについて、ECC入力データS5が、メモリ
コントローラ23aの制御に基づいて、ECCプロセッ
サ22aに入力され、ECCプロセッサ22aにおい
て、図6に示す1行分のシンボルが入力される度に当該
1行分のシンボルについてC1訂正が行われる。当該C
1訂正結果は、メモリコントローラ23aの制御に基づ
いて、ECC出力データS22aとして、ECCプロセ
ッサ22aからメモリ24のバンク24aに書き込まれ
る。そして、時刻t5 に、1データフレーム分のECC
出力データS22aがバンク24aに書き込まれる。
【0034】次に、時刻t5 〜t6 において、メモリコ
ントローラ23bの制御に基づいて、前述したECC出
力データS22aが図6に示す列単位で順にメモリ24
のバンク24aからECCプロセッサ22bに読み出さ
れる。そして、ECCプロセッサ22bにおいて、EC
C出力データS22aのC2訂正が行われ、メモリコン
トローラ23bの制御に基づいて、そのC2訂正結果が
ECC出力データS22b1 として、バンク24aに書
き込まれる。そして、時刻t6 に、1データフレーム分
のECC出力データS22b1 がバンク24aに書き込
まれる。
【0035】次に、時刻t6 〜t7 において、メモリコ
ントローラ23bの制御に基づいて、前述したECC出
力データS22b1 が図6に示す行単位で順にメモリ2
4のバンク24aからECCプロセッサ22bに読み出
される。そして、ECCプロセッサ22bにおいて、E
CC出力データS22b1 のC1訂正が行われ、メモリ
コントローラ23bの制御に基づいて、そのC1訂正結
果がECC出力データS22b2 として出力される。そ
して、時刻t7 に、1データフレーム分のECC出力デ
ータS22b2 の出力が完了する。
【0036】また、時刻t5 〜t7 において、前述した
ECCプロセッサ22bの処理と並行して、次の1デー
タフレームについて、ECC入力データS5が、メモリ
コントローラ23aの制御に基づいて、ECCプロセッ
サ22aに入力され、ECCプロセッサ22aにおい
て、図6に示す1行分のシンボルが入力される度に当該
1行分のシンボルについてC1訂正が行われる。当該C
1訂正結果は、メモリコントローラ23aの制御に基づ
いて、ECC出力データS22aとして、ECCプロセ
ッサ22aからメモリ24のバンク24bに書き込まれ
る。そして、時刻t5 に、1データフレーム分のECC
出力データS22aがバンク24bに書き込まれる。
【0037】以上説明したように、データ誤り訂正装置
21によれば、図6に示すデータフレームに対してC1
訂正、C2訂正およびC1訂正を順に行う場合に、最初
のC1訂正を行うECCプロセッサ22aと、C2訂正
と2回目のC1訂正とを行うECCプロセッサ22b
と、ECCプロセッサ22a,22bから独立して同時
にアクセス可能なバンク24a,24bを備えたメモリ
24とを有し、ECCプロセッサ22aにおいて1デー
タフレーム分の最初のC1訂正を行う間に、先のデータ
フレームのC2訂正および2回目のC1訂正が行われ
る。そのため、ECCプロセッサ22aにおけるECC
入力データS5のC1訂正結果が、メモリ24のバンク
24aおよび24bに交互に途切れなく書き込まれ、訂
正処理時間全体に占めるメモリ24へのアクセス時間の
割合を従来に比べて低くでき、訂正処理の高速化が図れ
る。
【0038】また、データ誤り訂正装置21によれば、
ECCプロセッサ22aは最初のC1訂正のみを行い、
複雑な消失誤り訂正処理は行わない。そのため、ECC
プロセッサ22aの構成を、ECCプロセッサ22bに
比べて簡単かつ小規模にでき、従来のように、同じ機能
のECCプロセッサを2つ設けた場合に比べて、データ
誤り訂正装置21の全体構成を簡単かつ小規模にでき
る。
【0039】なお、上述した図2に示す例では、ECC
プロセッサ22aにおいて1データフレーム分の最初の
C1訂正を行う間に、ECCプロセッサ22bにおいて
先の1データフレーム分のC2訂正および2回目のC1
訂正を行う場合を例示したが、1データフレームに対し
てC1訂正、C2訂正、C1訂正、C2訂正およびC1
訂正を順に行う場合には、図3に示すように、ECCプ
ロセッサ22aにおいて1データフレーム分の最初のC
1訂正を行う間に、ECCプロセッサ22bにおいて先
の1データフレーム分の最初のC2訂正、2回目のC1
訂正、2回目のC2訂正および3回目のC1訂正を行
う。このようにすることで、誤り訂正の精度を高めるこ
とができるが、ECCプロセッサ22bの処理速度を上
げる必要がある。
【0040】また、図1に示すデータ誤り訂正装置21
の変形例としては、例えば、ECC入力データS5をメ
モリ24に一旦記憶し、ECCプロセッサ22a,22
bにおける訂正処理を経て、誤りのあるデータのみを更
新してもよい。
【0041】第2実施形態 図4は、本実施形態のデータ誤り訂正装置31の構成図
である。図4に示すように、データ誤り訂正装置31
は、ECCプロセッサ22a,22b、メモリコントロ
ーラ23a,23b、メモリ24、バッファッメモリコ
ントローラ33、出力用バッファメモリ34および出力
コントローラ36を有する。図4に示す構成要素のうち
図1と同じ符号を付したものは、前述した第1実施形態
で説明したものと同じである。具体的には、ECCプロ
セッサ22a,22b、メモリコントローラ23a,2
3bおよびメモリ24は、第1実施形態で前述したもの
と同じである。すなわち、図4に示すデータ誤り訂正装
置31は、図1に示すデータ誤り訂正装置21に、バッ
ファッメモリコントローラ33、出力用バッファメモリ
34および出力コントローラ36を加えた構成をしてい
る。
【0042】出力用バッファメモリ34は、記憶領域3
1 〜34m を有し、各記憶領域は、例えば1データフ
レーム分の訂正結果を記憶可能な記憶容量を有する。出
力用バッファメモリ34は、バッファッメモリコントロ
ーラ33の制御に基づいて、ECCプロセッサ22bか
ら出力されたECC出力データS22b2 を、記憶領域
341 〜34m に順に記憶する。また、出力用バッファ
メモリ34は、バッファッメモリコントローラ33の制
御に基づいて、各記憶領域に記憶したECC出力データ
S22b2 を読み出して出力コントローラ36に出力す
る。このとき、出力用バッファメモリ34の記憶領域の
うち、ECC出力データS22b2 の書き込みが完了し
ている記憶領域から読み出しが行われる。例えば、記憶
領域341 〜34n-1 にECC出力データS22b2
書き込みが完了した場合には、記憶領域34k (k<
n)から読み出しが行われる。
【0043】バッファッメモリコントローラ33は、出
力用バッファメモリ34の各記憶領域に対しての読み出
しおよび書き込みを制御する。
【0044】出力コントローラ36は、出力用バッファ
メモリ34から読み出されたECC出力データS22b
2 を適当なフォーマットに変換して出力データS36と
して出力する。
【0045】以上説明したように、データ誤り訂正装置
31によれば、前述した第1実施形態のデータ誤り訂正
装置21の効果に加えて、以下の効果を有することがで
きる。すなわち、データ誤り訂正装置31によれば、メ
モリコントローラ23a,23bとは別に、出力用バッ
ファメモリ34の入出力制御専用のバッファッメモリコ
ントローラ33を設けたことで、図8に示すデータ誤り
訂正装置11と比べて、出力用バッファメモリ34の入
出力動作を高速に行うことができる。
【0046】第3実施形態 図5は、本実施形態のデータ誤り訂正装置41の構成図
である。図5に示すように、データ誤り訂正装置41
は、ECCプロセッサ22a,22b、メモリコントロ
ーラ43、メモリ44、出力コントローラ46、バッフ
ァメモリコントローラ53、出力用バッファメモリ54
およびコントローラ63を有する。ここで、図5におい
て、図1と同じ符号を付した構成要素は、第1実施形態
で前述したものと同じである。具体的には、ECCプロ
セッサ22a,22bは前述した第1実施形態で説明し
たものと同じである。
【0047】コントローラ63は、ECC入力データS
5をECCプロセッサ22aに出力し、ECCプロセッ
サ22aから出力されたECC出力データS22aをバ
ッファメモリコントローラ53に出力する。
【0048】バッファメモリコントローラ53は、EC
Cプロセッサ22aから出力されたECC出力データS
22aを、データフレーム単位で、出力用バッファメモ
リ54の記憶領域541 〜54m に順に書き込む。ま
た、バッファメモリコントローラ53は、出力用バッフ
ァメモリ54からECC出力データS22aを図6に示
す列単位で読み出してECCプロセッサ22bに出力す
る。また、バッファメモリコントローラ53は、ECC
プロセッサ22bが出力したECC出力データS22b
2 を、出力用バッファメモリ54の既にECC出力デー
タS22aが読み出された記憶領域541 〜54m に順
に書き込む。また、バッファメモリコントローラ53
は、出力用バッファメモリ54の記憶領域541 〜54
m に記憶されているECC出力データS22b2 を順に
読み出して出力コントローラ46に出力する。
【0049】出力用バッファメモリ54は、前述した図
4に示す出力用バッファメモリ34と同じ構成を有して
いるが、バッファメモリコントローラ53によるアクセ
ス形態が異なる。
【0050】ECCプロセッサ22bは、メモリコント
ローラ43の制御に基づいて、出力用バッファメモリ5
4から読み出されたECC出力データS22aのC2訂
正を行い、その訂正結果であるECC出力データS22
1 をメモリ44に書き込む。また、ECCプロセッサ
22bは、メモリコントローラ43の制御に基づいて、
メモリ44から読み出されたECC出力データS22b
1 のC1訂正を行い、その訂正結果であるECC出力デ
ータS22b2 を出力する。ここで、ECCプロセッサ
22bにおける1データフレームのC2訂正および2回
目のC1訂正は、ECCプロセッサ22aにおいて1デ
ータフレームの1回目のC1訂正が行われる間に完了す
る。
【0051】メモリ44は、ECCプロセッサ22bか
ら出力された1データフレーム分のECC出力データS
22b1 を記憶可能な記憶容量を有する。
【0052】メモリコントローラ43は、ECCプロセ
ッサ22bおよびメモリ44のデータ入出力を制御す
る。
【0053】以下、図5に示すデータ誤り訂正装置41
の動作について説明する。先ず、ECC入力データS5
が、コントローラ63の制御に基づいて、ECCプロセ
ッサ22aに入力され、ECCプロセッサ22aにおい
て、図6に示す1行分のシンボルが入力される度に当該
1行分のシンボルについて1回目のC1訂正が行われ
る。当該C1訂正結果は、コントローラ63およびバッ
ファメモリコントローラ53の制御に基づいて、ECC
出力データS22aとして、ECCプロセッサ22aか
ら出力用バッファメモリ54の記憶領域541 〜54m
に順に書き込まれる。
【0054】次に、バッファメモリコントローラ53お
よびメモリコントローラ43の制御に基づいて、出力用
バッファメモリ54の記憶領域541 〜54m に書き込
まれたECC出力データS22aが順に、図6に示す列
単位で読み出され、ECCプロセッサ22bに出力され
る。また、記憶領域541 〜54m のうち既にECC出
力データS22aが読み出された記憶領域541 〜54
m に、ECCプロセッサ22aから出力されたECC出
力データS22aが順に書き込まれる。
【0055】そして、ECCプロセッサ22bでは、入
力したECC出力データS22aについてC2訂正が行
われ、その訂正結果であるECC出力データS22b1
が、メモリコントローラ43の制御に基づいて、メモリ
44に書き込まれる。次に、メモリ44からECC出力
データS22b1 が、図6に示す行単位で読み出され、
ECCプロセッサ22bに出力される。そして、ECC
プロセッサ22bにおいて、ECC出力データS22b
1 の2回目のC1訂正が行われ、その訂正結果であるE
CC出力データS22b2 が、出力用バッファメモリ5
4の記憶領域541 〜54m のうち、ECC出力データ
S22aの読み出しが行われた記憶領域541 〜54m
に順に書き込まれる。
【0056】次に、出力用バッファメモリ54の記憶領
域541 〜54m に記憶されているECC出力データS
22b2 が、バッファメモリコントローラ53の制御に
基づいて、順に読み出されて出力コントローラ46に出
力される。
【0057】次に、出力コントローラ46において、E
CC出力データS22b2 が適当なフォーマットに変換
され、出力データS36として出力される。
【0058】以上説明したように、データ誤り訂正装置
41によれば、前述した第2実施形態のデータ誤り訂正
装置31の効果に加えて、以下の効果を有することがで
きる。すなわち、データ誤り訂正装置41によれば、メ
モリ44の規模を図4に示すメモリ24の半分にでき
る。
【0059】本発明は上述した実施形態には限定されな
い。例えば、上述した実施形態では、誤り訂正符号とし
てRS符号を例示したが、誤り訂正符号は、誤り訂正を
複数の段階で行うものであれば特に限定されない。ま
た、上述した第2実施形態および第3実施形態におい
て、C1訂正、C2訂正およびC1訂正を、さらに繰り
返して行うようにしてもよい。
【0060】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明のデー
タ誤り訂正装置によれば、簡単かつ小規模な構成で、誤
り訂正処理を短時間で行うことができる。また、本発明
のデータ誤り訂正方法によれば、誤り訂正を短時間で行
うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の第1実施形態のデータ誤り訂
正装置の構成図である。
【図2】図2は、図1に示すメモリの各バンクへのアク
セスを説明するための図である。
【図3】図2は、図1に示すメモリの各バンクへのアク
セスのその他の形態を説明するための図である。
【図4】図4は、本発明の第2実施形態のデータ誤り訂
正装置の構成図である。
【図5】図5は、本発明の第3実施形態のデータ誤り訂
正装置の構成図である。
【図6】図6は、記録媒体用の誤り訂正符号を説明する
ための図である。
【図7】図7は、従来のデータ誤り訂正装置の構成図で
ある。
【図8】図8は、従来のその他のデータ誤り訂正装置の
構成図である。
【符号の説明】
21,31,41…データ誤り訂正装置 22a,22b…ECCプロセッサ 23a,23b…メモリコントローラ 24…メモリ 24a,24b…バンク 33,53…バッファッメモリコントローラ 34,54…出力用バッファメモリ 36,46…出力コントローラ 44…メモリ 63…コントローラ

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の誤り訂正符号および第2の誤り訂正
    符号により積符号化された誤り訂正対象データに対し
    て、少なくとも前記第1の誤り訂正符号に対しての第1
    の誤り訂正と、前記第2の誤り訂正符号に対しての第2
    の誤り訂正と、前記第1の誤り訂正符号に対しての第3
    の誤り訂正とを順に行うデータ誤り訂正装置において、 略同時にアクセス可能な少なくとも第1のバンクおよび
    第2のバンクを有する記憶回路と、 前記記憶回路へのアクセスを制御する記憶回路制御回路
    と、 入力した前記誤り訂正対象データに前記第1の誤り訂正
    を行って第1の誤り訂正データを生成し、当該生成した
    第1の誤り訂正データを、前記第1のバンクおよび前記
    第2のバンクに、前記積符号化が一体的に行われるデー
    タフレームを単位として交互に書き込む第1の誤り訂正
    回路と、 前記記憶回路から読み出した前記第1の誤り訂正データ
    に前記第2の誤り訂正を行って第2の誤り訂正データを
    生成し、当該生成した第2の誤り訂正データを前記読み
    出しを行った前記第1のバンクおよび前記第2のバンク
    に書き込み、前記記憶回路から読み出した前記第2の誤
    り訂正データに前記第3の誤り訂正を行って第3の誤り
    訂正データを生成し、前記第1の誤り訂正回路において
    1データフレーム分の前記第1の誤り訂正を行う間に、
    1データフレーム分の前記第2の誤り訂正および前記第
    3の誤り訂正を行う第2の誤り訂正回路とを有するデー
    タ誤り訂正装置。
  2. 【請求項2】前記第2の誤り訂正回路は、前記第2の誤
    り訂正および前記第3の誤り訂正を一組の誤り訂正とし
    た場合に、前記第1の誤り訂正回路において1データフ
    レーム分の前記第1の誤り訂正を行う間に、1データフ
    レーム分の単数組または複数組の誤り訂正を行う請求項
    1に記載のデータ誤り訂正装置。
  3. 【請求項3】前記第2の誤り訂正回路は、消失誤り訂正
    を行う請求項1または請求項2に記載のデータ誤り訂正
    装置。
  4. 【請求項4】出力用記憶回路と、 前記第3の誤り訂正データについての前記出力用記憶回
    路の書き込みおよび読み出しを、前記データフレームを
    単位として制御する出力用記憶回路制御回路とをさらに
    有する請求項1〜3のいずれかに記載のデータ誤り訂正
    装置。
  5. 【請求項5】前記積符号は、リードソロモン符号の積符
    号である請求項1〜4のいずれかに記載のデータ誤り訂
    正装置。
  6. 【請求項6】第1の誤り訂正符号および第2の誤り訂正
    符号により積符号化された誤り訂正対象データに対し
    て、少なくとも前記第1の誤り訂正符号に対しての第1
    の誤り訂正と、前記第2の誤り訂正符号に対しての第2
    の誤り訂正と、前記第1の誤り訂正符号に対しての第3
    の誤り訂正とを順に行うデータ誤り訂正装置において、 第1の記憶回路と、 前記第1の記憶回路へのアクセスを制御する記憶回路制
    御回路と、 入力した前記誤り訂正対象データに前記第1の誤り訂正
    を行って第1の誤り訂正データを生成し、当該生成した
    第1の誤り訂正データを、前記第1の記憶回路に書き込
    む第1の誤り訂正回路と、 前記第1の記憶回路から読み出した前記第1の誤り訂正
    データに前記第2の誤り訂正を行って第2の誤り訂正デ
    ータを生成し、当該生成した第2の誤り訂正データを前
    記第1の記憶回路に書き込み、前記第1の記憶回路から
    読み出した前記第2の誤り訂正データに前記第3の誤り
    訂正を行って第3の誤り訂正データを生成し、前記第1
    の誤り訂正回路において1データフレーム分の前記第1
    の誤り訂正を行う間に、1データフレーム分の前記第2
    の誤り訂正および前記第3の誤り訂正を行う第2の誤り
    訂正回路と、 前記第3の誤り訂正データを記憶する出力用記憶回路
    と、 前記第3の誤り訂正データについての前記出力用記憶回
    路の書き込みおよび読み出しを、前記データフレームを
    単位として制御する出力用記憶回路制御回路とを有する
    データ誤り訂正装置。
  7. 【請求項7】前記第2の誤り訂正回路は、前記第2の誤
    り訂正および前記第3の誤り訂正を一組の誤り訂正とし
    た場合に、前記第1の誤り訂正回路において1データフ
    レーム分の前記第1の誤り訂正を行う間に、1データフ
    レーム分の単数組または複数組の誤り訂正を行う請求項
    6に記載のデータ誤り訂正装置。
  8. 【請求項8】前記第2の誤り訂正回路は、消失誤り訂正
    を行う請求項6または請求項7に記載のデータ誤り訂正
    装置。
  9. 【請求項9】前記積符号は、リードソロモン符号の積符
    号である請求項6〜8のいずれかに記載のデータ誤り訂
    正装置。
  10. 【請求項10】第1の誤り訂正符号および第2の誤り訂
    正符号により積符号化された誤り訂正対象データに対し
    て、少なくとの前記第1の誤り訂正符号に対しての第1
    の誤り訂正と、前記第2の誤り訂正符号に対しての第2
    の誤り訂正と、前記第1の誤り訂正符号に対しての第3
    の誤り訂正とを順に行うデータ誤り訂正方法において、 前記誤り訂正対象データに前記第1の誤り訂正を行って
    第1の誤り訂正データを生成し、 当該生成した第1の誤り訂正データを、記憶回路の第1
    のバンクおよび第2のバンクに、前記積符号化が一体的
    に行われるデータフレームを単位として交互に書き込
    み、 前記記憶回路から読み出した前記第1の誤り訂正データ
    に前記第2の誤り訂正を行って第2の誤り訂正データを
    生成し、 当該生成した第2の誤り訂正データを前記読み出しを行
    った前記第1のバンクおよび前記第2のバンクに書き込
    み、 前記記憶回路から読み出した前記第2の誤り訂正データ
    に前記第3の誤り訂正を行って第3の誤り訂正データを
    生成し、 1データフレーム分の前記第1の誤り訂正を行う間に、
    1データフレーム分の前記第2の誤り訂正および前記第
    3の誤り訂正を行うように、前記第1の誤り訂正と、前
    記第2の誤り訂正および前記第3の誤り訂正とを並行し
    て行うデータ誤り訂正方法。
  11. 【請求項11】前記積符号は、リードソロモン符号の積
    符号である請求項10に記載のデータ誤り訂正方法。
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