JP2000114438A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2000114438A JP2000114438A JP27760898A JP27760898A JP2000114438A JP 2000114438 A JP2000114438 A JP 2000114438A JP 27760898 A JP27760898 A JP 27760898A JP 27760898 A JP27760898 A JP 27760898A JP 2000114438 A JP2000114438 A JP 2000114438A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- package
- radiator
- semiconductor device
- conductive material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000002199 base oil Substances 0.000 abstract description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】放熱効率及び性能安定性に優れると共に、製造
適性にも優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】プリント配線基板上に実装したＩＣパッケ
ージと、そのＩＣパッケージの表面に設けられた放熱体
とを備えている半導体装置。前記ＩＣパッケージの表面
と放熱体との間には、２．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を
有する熱伝導性材料が５０〜５００μｍの厚さで配され
ている。
適性にも優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】プリント配線基板上に実装したＩＣパッケ
ージと、そのＩＣパッケージの表面に設けられた放熱体
とを備えている半導体装置。前記ＩＣパッケージの表面
と放熱体との間には、２．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を
有する熱伝導性材料が５０〜５００μｍの厚さで配され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
上に実装されるＣＰＵ（中央演算処理装置）等の半導体
装置に関する。
上に実装されるＣＰＵ（中央演算処理装置）等の半導体
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線基板上に実装される電子部
品であるＣＰＵ等のＩＣパッケージは、使用時の発熱に
よる温度上昇によって性能が低下したり破損したりする
ことがあるため、ＩＣパッケージを冷却する必要があ
る。そこで、従来、ＩＣパッケージの発熱体本体から自
然対流によって放熱させたり、ユニット内に設けたファ
ンによる強制対流によって放熱させることが行われてい
た。
品であるＣＰＵ等のＩＣパッケージは、使用時の発熱に
よる温度上昇によって性能が低下したり破損したりする
ことがあるため、ＩＣパッケージを冷却する必要があ
る。そこで、従来、ＩＣパッケージの発熱体本体から自
然対流によって放熱させたり、ユニット内に設けたファ
ンによる強制対流によって放熱させることが行われてい
た。
【０００３】しかしながら、ＩＣパッケージの機能が向
上するにつれて発熱量が多くなってくると、これらの方
式では放熱が不十分となり、ＩＣパッケージが過熱され
る結果、ＩＣパッケージの機能が低下したり破損すると
いう問題が起きてきた。そこで、放熱性を向上させるた
めに、ＩＣパッケージの表面に放熱体を圧接する方式が
提案され、実用されている。しかしながら、単にＩＣパ
ッケージの表面に放熱体を圧接してもＩＣパッケージと
放熱体の圧接面に隙間が発生する結果、放熱性能を設計
通りに発揮させることはできない。
上するにつれて発熱量が多くなってくると、これらの方
式では放熱が不十分となり、ＩＣパッケージが過熱され
る結果、ＩＣパッケージの機能が低下したり破損すると
いう問題が起きてきた。そこで、放熱性を向上させるた
めに、ＩＣパッケージの表面に放熱体を圧接する方式が
提案され、実用されている。しかしながら、単にＩＣパ
ッケージの表面に放熱体を圧接してもＩＣパッケージと
放熱体の圧接面に隙間が発生する結果、放熱性能を設計
通りに発揮させることはできない。
【０００４】かかる欠点は、ＩＣパッケージと放熱体と
の圧接面に、熱伝導性シートや熱伝導性グリース等の熱
伝導性材料を介在させることによって改善される。この
改善は熱伝導性材料の性能によって大きく依存すること
から、従来、この熱伝導性材料の性能を改良することに
多大の努力が払われてきた。これらの努力の結果、放熱
効率が大きく改善される一方、上記半導体装置の製品の
バラツキによる歩留りが次の課題となることが判明し
た。
の圧接面に、熱伝導性シートや熱伝導性グリース等の熱
伝導性材料を介在させることによって改善される。この
改善は熱伝導性材料の性能によって大きく依存すること
から、従来、この熱伝導性材料の性能を改良することに
多大の努力が払われてきた。これらの努力の結果、放熱
効率が大きく改善される一方、上記半導体装置の製品の
バラツキによる歩留りが次の課題となることが判明し
た。
【０００５】
【本発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者等
は、ＩＣパッケージの放熱効率を更に改善すると共に、
半導体装置としての製品性能を安定化すべく鋭意検討し
た結果、熱伝導性材料として、熱伝導度が２．５Ｗ／ｍ
Ｋ以上のものを使用すると共に、該熱伝導性材料が介在
する厚みを５０〜５００μｍの範囲とすることにより、
半導体装置としての歩留りを良好にすることができるこ
とを見出し、本発明に到達した。従って本発明の目的
は、放熱効率及び製造適性に優れた半導体装置を提供す
ることにある。
は、ＩＣパッケージの放熱効率を更に改善すると共に、
半導体装置としての製品性能を安定化すべく鋭意検討し
た結果、熱伝導性材料として、熱伝導度が２．５Ｗ／ｍ
Ｋ以上のものを使用すると共に、該熱伝導性材料が介在
する厚みを５０〜５００μｍの範囲とすることにより、
半導体装置としての歩留りを良好にすることができるこ
とを見出し、本発明に到達した。従って本発明の目的
は、放熱効率及び製造適性に優れた半導体装置を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の上記の目的は、
プリント配線基板上に実装したＩＣパッケージと、その
ＩＣパッケージの表面に設けられた放熱体とを備えてい
る半導体装置であって、前記ＩＣパッケージの表面と放
熱体との間に２．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する熱
伝導性材料を５０〜５００μｍの厚さで介在させてなる
ことを特徴とする半導体装置によって達成された。
プリント配線基板上に実装したＩＣパッケージと、その
ＩＣパッケージの表面に設けられた放熱体とを備えてい
る半導体装置であって、前記ＩＣパッケージの表面と放
熱体との間に２．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する熱
伝導性材料を５０〜５００μｍの厚さで介在させてなる
ことを特徴とする半導体装置によって達成された。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置の例は図１に
示されており、プリント配線基板上に実装されるＩＣパ
ッケージと、該ＩＣパッケージの表面に圧接される放熱
体とを備えており、前記ＩＣパッケージと放熱体との間
に２．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導度を有する熱伝導性材料
が、５０〜５００μｍの厚さで挟み込まれたものであ
る。本発明に用いられる熱伝導性材料は、熱伝導率が
２．５Ｗ／ｍＫ以上であれば、特に限定されるものでは
ないが、特に、２．７Ｗ／ｍＫ以上であることが好まし
い。熱伝導率が２．５Ｗ／ｍＫより小さいと十分な放熱
効果を得られない。尚、熱伝導率の測定は、京都電子工
業（株）社製ＱＴＭ−５００型の熱線法熱伝導率計を使
用して測定する。
示されており、プリント配線基板上に実装されるＩＣパ
ッケージと、該ＩＣパッケージの表面に圧接される放熱
体とを備えており、前記ＩＣパッケージと放熱体との間
に２．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導度を有する熱伝導性材料
が、５０〜５００μｍの厚さで挟み込まれたものであ
る。本発明に用いられる熱伝導性材料は、熱伝導率が
２．５Ｗ／ｍＫ以上であれば、特に限定されるものでは
ないが、特に、２．７Ｗ／ｍＫ以上であることが好まし
い。熱伝導率が２．５Ｗ／ｍＫより小さいと十分な放熱
効果を得られない。尚、熱伝導率の測定は、京都電子工
業（株）社製ＱＴＭ−５００型の熱線法熱伝導率計を使
用して測定する。
【０００８】また、熱伝導性材料の形態はシート状であ
ってもグリース状であっても良いが、ＩＣパッケージと
放熱体との間に隙間を生じさせないという観点から、グ
リース状であることが好ましい。本発明においては、特
に熱伝導性の放熱用シリコーングリースを使用すること
が好ましい。
ってもグリース状であっても良いが、ＩＣパッケージと
放熱体との間に隙間を生じさせないという観点から、グ
リース状であることが好ましい。本発明においては、特
に熱伝導性の放熱用シリコーングリースを使用すること
が好ましい。
【０００９】熱伝導性材料は、放熱体とプリント配線基
板上をクランプ等で締め付けることによりＩＣパッケー
ジと放熱体の間に固定、押圧されるが、その時のＩＣパ
ッケージと放熱体の間に挟み込まれる熱伝導性材料の厚
さは、５０〜５００μｍの範囲であることが必要であ
る。特に、性能及び製造歩留りを良好とする上から、１
００〜２００μｍの範囲となるように管理することが好
ましい。尚、この厚みはＪＩＳＢ７５２４に準じて測定
した値である。５０μｍより小さいとその押圧の僅かな
ズレによりＩＣパッケージと放熱体との間に隙間が生じ
る恐れがあり、５００μｍより大きいと熱抵抗が大きく
なり放熱効果が悪くなる。
板上をクランプ等で締め付けることによりＩＣパッケー
ジと放熱体の間に固定、押圧されるが、その時のＩＣパ
ッケージと放熱体の間に挟み込まれる熱伝導性材料の厚
さは、５０〜５００μｍの範囲であることが必要であ
る。特に、性能及び製造歩留りを良好とする上から、１
００〜２００μｍの範囲となるように管理することが好
ましい。尚、この厚みはＪＩＳＢ７５２４に準じて測定
した値である。５０μｍより小さいとその押圧の僅かな
ズレによりＩＣパッケージと放熱体との間に隙間が生じ
る恐れがあり、５００μｍより大きいと熱抵抗が大きく
なり放熱効果が悪くなる。
【００１０】本発明の半導体装置組立て時には、シート
状の熱伝導性材料をＩＣパッケージ表面に貼着するか、
放熱用グリース組成物を市販されているシリンジに詰め
てＩＣパッケージ表面上にディスペンスする。従って、
放熱用グリース組成物を使用する場合には、上記の作業
性の観点から、使用するグリース組成物の粘度は１，０
００〜１０，０００ポイズであることが好ましく、特
に、２，０００〜４，０００ポイズであることが好まし
い。粘度が１，０００ポイズより低いとディスペンシス
時に液垂れを起こし、１０，０００ポイズより高いとデ
ィスペンス効率が悪くなる。
状の熱伝導性材料をＩＣパッケージ表面に貼着するか、
放熱用グリース組成物を市販されているシリンジに詰め
てＩＣパッケージ表面上にディスペンスする。従って、
放熱用グリース組成物を使用する場合には、上記の作業
性の観点から、使用するグリース組成物の粘度は１，０
００〜１０，０００ポイズであることが好ましく、特
に、２，０００〜４，０００ポイズであることが好まし
い。粘度が１，０００ポイズより低いとディスペンシス
時に液垂れを起こし、１０，０００ポイズより高いとデ
ィスペンス効率が悪くなる。
【００１１】本発明に使用される放熱用グリース組成物
は、例えば熱伝導率の良い鉱物の粉末、例えば窒化アル
ミニウム粉末、窒化ホウ素粉末、酸化亜鉛粉末、アルミ
ナ粉末などの１種類あるいは２種類以上の混合物と公知
の基油を配合、練り込んで得ることができる。基油とし
ては、特にオルガノポリシロキサンを用いることが好ま
しい。
は、例えば熱伝導率の良い鉱物の粉末、例えば窒化アル
ミニウム粉末、窒化ホウ素粉末、酸化亜鉛粉末、アルミ
ナ粉末などの１種類あるいは２種類以上の混合物と公知
の基油を配合、練り込んで得ることができる。基油とし
ては、特にオルガノポリシロキサンを用いることが好ま
しい。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、ＩＣパッケージと放熱
体との間に熱伝導度が２．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性材
料が隙間なく介在するので、放熱効果を確実に発揮する
ことができ、電子部品全体の信頼性を向上させることが
でき、従って製品としての半導体装置の製造歩留りも高
く製造適性に優れている。
体との間に熱伝導度が２．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性材
料が隙間なく介在するので、放熱効果を確実に発揮する
ことができ、電子部品全体の信頼性を向上させることが
でき、従って製品としての半導体装置の製造歩留りも高
く製造適性に優れている。
【００１３】
【実施例】以下、ＩＣパッケージとしてのＣＰＵを例と
して挙げ、本発明を更に具体的に説明するが、本発明は
これによって限定されるものではない。図１は本発明の
半導体装置の一実施例の縦断面図である。図１に示す様
に、本装置は、プリント配線基板３の上に実装されたＣ
ＰＵ２と放熱体４及び前記ＣＰＵ２と放熱体４との間に
介在されている熱伝導性材料１により構成されている。
ここで放熱体４はアルミニウムによって形成され、表面
積を広くとって放熱作用を向上させるために、フィン付
き構造となっている。また、放熱体４とプリント配線基
板３をクランプ５で締め付け固定することにより熱伝導
性材料を押圧している。
して挙げ、本発明を更に具体的に説明するが、本発明は
これによって限定されるものではない。図１は本発明の
半導体装置の一実施例の縦断面図である。図１に示す様
に、本装置は、プリント配線基板３の上に実装されたＣ
ＰＵ２と放熱体４及び前記ＣＰＵ２と放熱体４との間に
介在されている熱伝導性材料１により構成されている。
ここで放熱体４はアルミニウムによって形成され、表面
積を広くとって放熱作用を向上させるために、フィン付
き構造となっている。また、放熱体４とプリント配線基
板３をクランプ５で締め付け固定することにより熱伝導
性材料を押圧している。
【００１４】本実施例の熱伝導性材料は下記成分（１）
〜（３）を配合し、プレネタリーミキサー（井上製作所
（株）製混合機）で３０分間予備攪拌した後、３本ロー
ルで３回練り込んで製造した放熱用シリコーングリース
組成物である。 （１）平均粒径０．５〜１０μｍ、比表面積１〜１０ｍ
２／ｇの窒化アルミニウム粉末：７０重量％、 （２）下記化１で表され、２５℃における粘度が３９０
ｃｓのオルガノポリシロキサン：１０重量％
〜（３）を配合し、プレネタリーミキサー（井上製作所
（株）製混合機）で３０分間予備攪拌した後、３本ロー
ルで３回練り込んで製造した放熱用シリコーングリース
組成物である。 （１）平均粒径０．５〜１０μｍ、比表面積１〜１０ｍ
２／ｇの窒化アルミニウム粉末：７０重量％、 （２）下記化１で表され、２５℃における粘度が３９０
ｃｓのオルガノポリシロキサン：１０重量％
【化１】 （３）平均粒径０．２〜５μｍの酸化亜鉛粉末：２０重
量％
量％
【００１５】このようにして得られた放熱用シリコーン
グリース組成物の熱伝導率は２．８Ｗ／ｍＫ（京都電子
工業（株）社製ＱＴＭ−５００で測定）で、２５℃にお
ける粘度は２，５００ポイズ（（株）マルコム社製ＰＣ
−ＩＴＬで測定）であった。また、本実施例の半導体装
置装置には、２ｃｍ×２ｃｍのＩＣパッケージ表面と放
熱体の間に０．２ｇの放熱用シリコーングリース組成物
を挟み込んだが、このときのグリースの厚みは１８０μ
ｍであった。以上の構成を有する本発明の半導体装置
を、ホストコンピュータ、パーソナルコンピュータ、及
びワードプロセッサ等に使用される、発熱温度が１７０
℃レベルのＣＰＵに適用したところ、安定した放熱と熱
拡散とが可能となり、熱蓄積によるＣＰＵの性能低下や
破損を防止することができた。
グリース組成物の熱伝導率は２．８Ｗ／ｍＫ（京都電子
工業（株）社製ＱＴＭ−５００で測定）で、２５℃にお
ける粘度は２，５００ポイズ（（株）マルコム社製ＰＣ
−ＩＴＬで測定）であった。また、本実施例の半導体装
置装置には、２ｃｍ×２ｃｍのＩＣパッケージ表面と放
熱体の間に０．２ｇの放熱用シリコーングリース組成物
を挟み込んだが、このときのグリースの厚みは１８０μ
ｍであった。以上の構成を有する本発明の半導体装置
を、ホストコンピュータ、パーソナルコンピュータ、及
びワードプロセッサ等に使用される、発熱温度が１７０
℃レベルのＣＰＵに適用したところ、安定した放熱と熱
拡散とが可能となり、熱蓄積によるＣＰＵの性能低下や
破損を防止することができた。
【図１】図１は本発明の半導体装置の縦断面図の１例で
ある。
ある。
１ 放熱用シリコーングリース組成物 ２ セントラル・プロセッシング・ユニット（ＣＰＵ）
等のＩＣパッケージ ３ プリント配線基板 ４ 放熱体 ５ クランプ 整理番号 Ｐ９８−７８５
等のＩＣパッケージ ３ プリント配線基板 ４ 放熱体 ５ クランプ 整理番号 Ｐ９８−７８５
フロントページの続き (72)発明者 高橋 孝行 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BB01 BB21
Claims (3)
- 【請求項１】プリント配線基板上に実装したＩＣパッケ
ージと、そのＩＣパッケージの表面に設けられた放熱体
とを備えている半導体装置であって、前記ＩＣパッケー
ジの表面と放熱体との間に、２．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝
導率を有する熱伝導性材料を５０〜５００μｍの厚さで
介在させてなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】熱伝導性材料が放熱用シリコーングリース
組成物である、請求項１に記載された半導体装置。 - 【請求項３】放熱用シリコーングリース組成物が、スパ
イラルポンプ式粘度計で測定した２５℃の粘度が１，０
００〜１０，０００ポイズの組成物である請求項２に記
載された半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27760898A JP2000114438A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体装置 |
| EP99307520A EP0991120A3 (en) | 1998-09-30 | 1999-09-23 | Semiconductor unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27760898A JP2000114438A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114438A true JP2000114438A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17585803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27760898A Pending JP2000114438A (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0991120A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000114438A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007051227A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性シリコーングリース組成物およびその硬化物 |
| US7786056B2 (en) | 2007-04-26 | 2010-08-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat dissipating silicone grease compositions |
| US8546476B2 (en) * | 2009-07-14 | 2013-10-01 | Sakai Chemical Industry Co., Ltd. | Exoergic filler composition, resin composition, exoergic grease and exoergic coating composition |
| JP7262699B1 (ja) * | 2021-11-17 | 2023-04-21 | デンカ株式会社 | 放熱グリース |
| WO2023090240A1 (ja) * | 2021-11-17 | 2023-05-25 | デンカ株式会社 | 放熱グリース |
| WO2024204398A1 (ja) * | 2023-03-28 | 2024-10-03 | デンカ株式会社 | 放熱グリース |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070031684A1 (en) | 2005-08-03 | 2007-02-08 | Anderson Jeffrey T | Thermally conductive grease |
| CN112996273B (zh) * | 2021-02-19 | 2022-05-27 | 杭州得诚电力科技股份有限公司 | igbt模块装配工艺和电子器件 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4265775A (en) * | 1979-08-16 | 1981-05-05 | International Business Machines Corporation | Non-bleeding thixotropic thermally conductive material |
| EP0488273B1 (en) * | 1990-11-28 | 1997-05-02 | Hitachi, Ltd. | Electrical device containing a lubricant or heat conducting composition. |
| JP3142800B2 (ja) * | 1996-08-09 | 2001-03-07 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物、熱伝導性材料及び熱伝導性シリコーングリース |
| JP3948642B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2007-07-25 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性グリース組成物及びそれを使用した半導体装置 |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP27760898A patent/JP2000114438A/ja active Pending
-
1999
- 1999-09-23 EP EP99307520A patent/EP0991120A3/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007051227A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性シリコーングリース組成物およびその硬化物 |
| JP4634891B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2011-02-16 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーングリース組成物およびその硬化物 |
| US7786056B2 (en) | 2007-04-26 | 2010-08-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat dissipating silicone grease compositions |
| US8546476B2 (en) * | 2009-07-14 | 2013-10-01 | Sakai Chemical Industry Co., Ltd. | Exoergic filler composition, resin composition, exoergic grease and exoergic coating composition |
| JP7262699B1 (ja) * | 2021-11-17 | 2023-04-21 | デンカ株式会社 | 放熱グリース |
| WO2023090240A1 (ja) * | 2021-11-17 | 2023-05-25 | デンカ株式会社 | 放熱グリース |
| WO2024204398A1 (ja) * | 2023-03-28 | 2024-10-03 | デンカ株式会社 | 放熱グリース |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0991120A3 (en) | 2001-04-11 |
| EP0991120A2 (en) | 2000-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3803058B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物、その硬化物及び敷設方法並びにそれを用いた半導体装置の放熱構造体 | |
| US8530566B2 (en) | Electrically insulating and thermally conductive composition and electronic device | |
| JP3957596B2 (ja) | 熱伝導性グリース | |
| US6552906B2 (en) | Radiator for electronic parts, electronic device, electric circuit device, and computer | |
| JP3891969B2 (ja) | 熱伝導性グリース | |
| JP2009096961A (ja) | リワーク性に優れた熱伝導性シリコーングリース組成物 | |
| JP2022141720A (ja) | 熱伝導性シート及びその製造方法 | |
| JP2002305271A (ja) | 電子部品の放熱構造体及びそれに用いる放熱シート | |
| JP5134693B2 (ja) | 熱伝導性及び導電性の相互接続構造 | |
| JP3182257B2 (ja) | 放熱シート | |
| CN101911270A (zh) | 散热装置及使用楔形锁系统形成散热装置的方法 | |
| TW200945010A (en) | Heat-dissipation module and electronic apparatus having the same | |
| JP2000114438A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004111969A (ja) | 角度付きヒートパイプを備えたヒートシンク | |
| JP2928236B1 (ja) | 発熱素子の放熱部材 | |
| US20050063159A1 (en) | Heat-dissipating fin module | |
| US7800904B2 (en) | Electronic assembly and heat sink | |
| JP5284655B2 (ja) | 熱伝導性グリース | |
| JP3178805B2 (ja) | 放熱スペーサー | |
| JP4030399B2 (ja) | 自己粘着性相変化型放熱部材 | |
| JPWO2006132253A1 (ja) | 熱伝導性オイル組成物、放熱剤および電子機器 | |
| US20070131055A1 (en) | Thermal interface material and semiconductor device incorporating the same | |
| CN102648266B (zh) | 含有苯酯的热界面材料 | |
| JP3739335B2 (ja) | 放熱部材及びパワーモジュール | |
| JP4101391B2 (ja) | 電子部品の放熱部材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041026 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050727 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050805 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051202 |