JP2000031399A - 誘電体素子及び半導体記憶装置 - Google Patents
誘電体素子及び半導体記憶装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト
結晶構造を有する酸化物誘電体が２つの電極によって挟
まれた構造を有する誘電体素子に於て、残留分極Ｐｒを
向上させ、かつ膜剥がれのない誘電体構造を提供する。 【構成】 例えばＰｂＺｒXＴｉ1ーXＯ3のようにＡ、Ｂ
格子の少なくとも一方の格子を占める元素が２元素以上
の混晶であり、前記混晶の組成比Ｘが前記２つの電極の
少なくとも一方の電極の近くで前記誘電体中央部と異な
ることを特徴とする。例えば前記誘電体としてＰｂＺｒ
XＴｉ1ーXＯ3を用いた場合、前記誘電体中央部では前記
混晶組成比Ｘ＝０．８とし、電極付近ではＸ＝０．５と
した３層構造とする。
結晶構造を有する酸化物誘電体が２つの電極によって挟
まれた構造を有する誘電体素子に於て、残留分極Ｐｒを
向上させ、かつ膜剥がれのない誘電体構造を提供する。 【構成】 例えばＰｂＺｒXＴｉ1ーXＯ3のようにＡ、Ｂ
格子の少なくとも一方の格子を占める元素が２元素以上
の混晶であり、前記混晶の組成比Ｘが前記２つの電極の
少なくとも一方の電極の近くで前記誘電体中央部と異な
ることを特徴とする。例えば前記誘電体としてＰｂＺｒ
XＴｉ1ーXＯ3を用いた場合、前記誘電体中央部では前記
混晶組成比Ｘ＝０．８とし、電極付近ではＸ＝０．５と
した３層構造とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体装置あるいはＤＲ
ＡＭのキャパシタ、強誘電体キャパシタを用いた不揮発
性メモリの構造に関する。
ＡＭのキャパシタ、強誘電体キャパシタを用いた不揮発
性メモリの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に示すように、一般式ＡＢＯ3で表
わされるペロブスカイト結晶構造を有する酸化物誘電体
が２つの電極によって挟まれた構造を有する誘電体素子
に於て、従来は例えばジャーナル・オブ・アプライド・
フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ）、１９９１
年、第７０巻、第１号、３８２項〜３８８項に記載され
ていたように、前記Ａ、Ｂ格子が各々１種類の元素から
構成されているか、あるいは少なくとも一方の格子を占
める元素が２元素以上の混晶であっても、前記混晶の組
成比は前記誘電体中に於て一定であり、その特性は例え
ば前記誘電体にＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3）を
用いた場合、Ｚｒの組成比ｘ＝０．５、誘電体膜厚０．
５μｍで残留分極Ｐｒは約１５μＣ／ｃｍ2程度であっ
た。
わされるペロブスカイト結晶構造を有する酸化物誘電体
が２つの電極によって挟まれた構造を有する誘電体素子
に於て、従来は例えばジャーナル・オブ・アプライド・
フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ）、１９９１
年、第７０巻、第１号、３８２項〜３８８項に記載され
ていたように、前記Ａ、Ｂ格子が各々１種類の元素から
構成されているか、あるいは少なくとも一方の格子を占
める元素が２元素以上の混晶であっても、前記混晶の組
成比は前記誘電体中に於て一定であり、その特性は例え
ば前記誘電体にＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3）を
用いた場合、Ｚｒの組成比ｘ＝０．５、誘電体膜厚０．
５μｍで残留分極Ｐｒは約１５μＣ／ｃｍ2程度であっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記誘
電体の半導体基板への集積など微細加工化を考えると、
この残留分極の値では不十分であった。この残留分極向
上のためにはＺｒの組成比を減少させることが効果的で
あることが知られている。しかし、Ｚｒの組成比を減少
させることによって誘電体の格子定数が変化するため、
電極との格子マッチングが劣化して誘電体膜と電極との
密着性が悪くなり、結果的に内部応力による膜剥がれ等
を引き起こしていた。
電体の半導体基板への集積など微細加工化を考えると、
この残留分極の値では不十分であった。この残留分極向
上のためにはＺｒの組成比を減少させることが効果的で
あることが知られている。しかし、Ｚｒの組成比を減少
させることによって誘電体の格子定数が変化するため、
電極との格子マッチングが劣化して誘電体膜と電極との
密着性が悪くなり、結果的に内部応力による膜剥がれ等
を引き起こしていた。
【０００４】そこで本発明はかかる問題を解決するもの
で、その目的とするところは前記誘電体に於て残留分極
Ｐｒを向上させ、かつ膜剥がれのない誘電体構造を提供
することにある。
で、その目的とするところは前記誘電体に於て残留分極
Ｐｒを向上させ、かつ膜剥がれのない誘電体構造を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体装置は、
一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト結晶構造を
有する酸化物誘電体が２つの電極によって挟まれた構造
を有する誘電体素子に於て、前記Ａ、Ｂ格子の少なくと
も一方の格子を占める元素が２元素以上の混晶であり、
前記混晶の組成比が前記２つの電極の少なくとも一方の
電極の近くで前記誘電体中央部と異なることを特徴とす
る。
一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト結晶構造を
有する酸化物誘電体が２つの電極によって挟まれた構造
を有する誘電体素子に於て、前記Ａ、Ｂ格子の少なくと
も一方の格子を占める元素が２元素以上の混晶であり、
前記混晶の組成比が前記２つの電極の少なくとも一方の
電極の近くで前記誘電体中央部と異なることを特徴とす
る。
【０００６】さらに、前記誘電体素子に於て、前記混晶
組成比が前記２つの電極の近くで前記誘電体中央部と異
なることも好ましい。
組成比が前記２つの電極の近くで前記誘電体中央部と異
なることも好ましい。
【０００７】その一つの例として、例えば前記誘電体が
チタン酸ジルコン酸鉛Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3である
場合、Ｚｒの組成比ｘが前記電極近くで前記誘電体中央
部より大きいことを特徴とする
チタン酸ジルコン酸鉛Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3である
場合、Ｚｒの組成比ｘが前記電極近くで前記誘電体中央
部より大きいことを特徴とする
【０００８】
【作用】本発明に於ける誘電体装置の構成によれば、電
極付近に於いては格子マッチングに優れた組成、誘電体
中央部に於いては分極特性に優れた組成とすることで、
残留分極Ｐｒを向上させ、かつ膜剥がれのない誘電体を
実現することができる。
極付近に於いては格子マッチングに優れた組成、誘電体
中央部に於いては分極特性に優れた組成とすることで、
残留分極Ｐｒを向上させ、かつ膜剥がれのない誘電体を
実現することができる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明に於ける実施例を図に従って説
明する。
明する。
【００１０】図１は本発明の誘電体装置を半導体基板上
に形成した場合の第１の実施例の工程断面図である。能
動素子の形成された半導体基板１０１上に形成された第
１の層間絶縁膜１０２上に、白金（Ｐｔ）０．２μｍを
ＤＣスパッタ法にて成膜し、フォトレジストをマスクと
したフォト・リソグラフィとドライエッチング法を用い
て下部電極を形成する。次にＰＺＴ（ｘ＝０．５）０．
１μｍを成膜した後、ＰＺＴ（ｘ＝０．８）０．３μ
ｍ、続いてＰＺＴ（ｘ＝０．５）０．１μｍを各々ＲＦ
スパッタ法で成膜する。そして前記上部電極と同様にフ
ォト・リソグラフィとドライエッチング法を用いて誘電
体膜とした後、ＤＣスパッタ法でＰｔ膜を０．２μｍ成
膜して、フォト〜ドライエッチング工程を経て、上部電
極１０７とする。この後、気相成長法（ＣＶＤ法）によ
り二酸化珪素膜を成膜して第２の層間絶縁膜１０８と
し、次いでＡｌ配線層１０９の成膜、フォトリソグラフ
ィ、エッチングを経た後、ＣＶＤ法によって保護膜１１
０を形成して図１（ｅ）に示すような断面構造を得た。
本実施例において作成した誘電体装置において、その残
留分極Ｐｒを測定したところ印加電圧５Ｖで約３０μＣ
／ｃｍ2と従来に比べて大幅に向上した。また膜剥がれ
が無いだけでなく、膜疲労特性も改善され、印加電圧５
Ｖにおいて１０10回の分極反転を繰り返しても残留分極
の劣化は１０％程度であった。
に形成した場合の第１の実施例の工程断面図である。能
動素子の形成された半導体基板１０１上に形成された第
１の層間絶縁膜１０２上に、白金（Ｐｔ）０．２μｍを
ＤＣスパッタ法にて成膜し、フォトレジストをマスクと
したフォト・リソグラフィとドライエッチング法を用い
て下部電極を形成する。次にＰＺＴ（ｘ＝０．５）０．
１μｍを成膜した後、ＰＺＴ（ｘ＝０．８）０．３μ
ｍ、続いてＰＺＴ（ｘ＝０．５）０．１μｍを各々ＲＦ
スパッタ法で成膜する。そして前記上部電極と同様にフ
ォト・リソグラフィとドライエッチング法を用いて誘電
体膜とした後、ＤＣスパッタ法でＰｔ膜を０．２μｍ成
膜して、フォト〜ドライエッチング工程を経て、上部電
極１０７とする。この後、気相成長法（ＣＶＤ法）によ
り二酸化珪素膜を成膜して第２の層間絶縁膜１０８と
し、次いでＡｌ配線層１０９の成膜、フォトリソグラフ
ィ、エッチングを経た後、ＣＶＤ法によって保護膜１１
０を形成して図１（ｅ）に示すような断面構造を得た。
本実施例において作成した誘電体装置において、その残
留分極Ｐｒを測定したところ印加電圧５Ｖで約３０μＣ
／ｃｍ2と従来に比べて大幅に向上した。また膜剥がれ
が無いだけでなく、膜疲労特性も改善され、印加電圧５
Ｖにおいて１０10回の分極反転を繰り返しても残留分極
の劣化は１０％程度であった。
【００１１】図２は本発明の誘電体としてＢａXＳｒ1-X
ＴｉＯ3を半導体基板上に形成した場合の工程断面図で
ある。能動素子の形成された半導体基板２０１上に形成
された第１の層間絶縁膜２０２上に、白金（Ｐｔ）０．
２μｍをＤＣスパッタ法にて成膜し、フォトレジストを
マスクとしたフォト・リソグラフィとドライエッチング
法を用いて下部電極を形成する。次にＢａXＳｒ1-XＴｉ
Ｏ3をＲＦスパッタ法にて０．１μｍ成膜する。但し、
ＢａとＳｒの混晶組成比Ｘはスパッタ時のガス圧を変化
させることによって、図３のような勾配を描くように制
御した。その後、ＤＣスパッタ法でＰｔ膜を０．２μｍ
成膜して、前記下部電極と同様にフォト〜ドライエッチ
ング工程を経て、上部電極２０５とする。この後、気相
成長法（ＣＶＤ法）により二酸化珪素膜を成膜して第２
の層間絶縁膜２０６とし、次いでＡｌ配線層２０７の成
膜、フォトリソグラフィ、エッチングを経た後、ＣＶＤ
法によって保護膜２０８を形成して図２（ｄ）に示すよ
うな断面構造を得た。本実施例において作成した誘電体
装置において誘電体膜として使用したＢａXＳｒ1-XＴｉ
Ｏ3は自発分極を持たないため、容量密度を測定したと
ころ約６０ｆＦ／μｍ2と従来に比べて大幅に向上し
た。また、本実施例においてはリーク電流も１．５Ｖで
１０-9Ａ／ｃｍ2程度と低い。
ＴｉＯ3を半導体基板上に形成した場合の工程断面図で
ある。能動素子の形成された半導体基板２０１上に形成
された第１の層間絶縁膜２０２上に、白金（Ｐｔ）０．
２μｍをＤＣスパッタ法にて成膜し、フォトレジストを
マスクとしたフォト・リソグラフィとドライエッチング
法を用いて下部電極を形成する。次にＢａXＳｒ1-XＴｉ
Ｏ3をＲＦスパッタ法にて０．１μｍ成膜する。但し、
ＢａとＳｒの混晶組成比Ｘはスパッタ時のガス圧を変化
させることによって、図３のような勾配を描くように制
御した。その後、ＤＣスパッタ法でＰｔ膜を０．２μｍ
成膜して、前記下部電極と同様にフォト〜ドライエッチ
ング工程を経て、上部電極２０５とする。この後、気相
成長法（ＣＶＤ法）により二酸化珪素膜を成膜して第２
の層間絶縁膜２０６とし、次いでＡｌ配線層２０７の成
膜、フォトリソグラフィ、エッチングを経た後、ＣＶＤ
法によって保護膜２０８を形成して図２（ｄ）に示すよ
うな断面構造を得た。本実施例において作成した誘電体
装置において誘電体膜として使用したＢａXＳｒ1-XＴｉ
Ｏ3は自発分極を持たないため、容量密度を測定したと
ころ約６０ｆＦ／μｍ2と従来に比べて大幅に向上し
た。また、本実施例においてはリーク電流も１．５Ｖで
１０-9Ａ／ｃｍ2程度と低い。
【００１２】以上で述べた実施例においては誘電体材料
としてＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ3を用
いたが、その他の前記誘電体材料として（ＰｂＬａ）
（ＺｒＴｉ）Ｏ3、Ｐｂ（ＭｎＮｂ）Ｏ3、（ＰｂＢａ）
ＴｉＯ3等を用いても効果的である。
としてＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ3を用
いたが、その他の前記誘電体材料として（ＰｂＬａ）
（ＺｒＴｉ）Ｏ3、Ｐｂ（ＭｎＮｂ）Ｏ3、（ＰｂＢａ）
ＴｉＯ3等を用いても効果的である。
【００１３】また、前記誘電体の混晶組成比を一方の電
極付近においてのみ変化させても有効であり、前記混晶
組成比の変化は第１の実施例のように段階的でも第２の
実施例のように連続的でもよい。さらにまた、前記誘電
体の成膜方法は、スパッタ法以外に、気相成長（ＣＶ
Ｄ）法、ゾル・ゲル法等を用いてもよい。
極付近においてのみ変化させても有効であり、前記混晶
組成比の変化は第１の実施例のように段階的でも第２の
実施例のように連続的でもよい。さらにまた、前記誘電
体の成膜方法は、スパッタ法以外に、気相成長（ＣＶ
Ｄ）法、ゾル・ゲル法等を用いてもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による誘電体
装置においては格子マッチングを犠牲にすることがない
ため膜剥がれもなく、且つ誘電体中央部においては分極
特性に優れた組成比であるため、残留分極Ｐｒ、容量密
度を大きく向上させることができた。またリーク電流も
少なく、信頼性に優れたＤＲＡＭあるいは強誘電体を用
いた不揮発性メモリのキャパシタを実現できるものであ
る。
装置においては格子マッチングを犠牲にすることがない
ため膜剥がれもなく、且つ誘電体中央部においては分極
特性に優れた組成比であるため、残留分極Ｐｒ、容量密
度を大きく向上させることができた。またリーク電流も
少なく、信頼性に優れたＤＲＡＭあるいは強誘電体を用
いた不揮発性メモリのキャパシタを実現できるものであ
る。
【図１】 本発明における第１の実施例の工程断面図。
【図２】 本発明における第２の実施例の工程断面図。
【図３】 本発明における第２の実施例の誘電体中での
混晶組成比変化の図。
混晶組成比変化の図。
【図４】 従来技術における誘電体素子の断面図。
半導体基板 １０１、２０１、４０
１ 第１の層間絶縁膜 １０２、２０
２、４０２ 下部電極 １０３、２０３、４０３ 誘電体膜１（ＰＺＴ（ｘ＝０．５）） １０４、４０４ 誘電体膜２（ＰＺＴ（ｘ＝０．８）） １０５ 誘電体膜３（ＰＺＴ（ｘ＝０．５）） １０６ 誘電体膜（ＢａXＳｒ1-XＴｉＯ3） ２０４ 上部電極 １０７、２０５、４０５ 第２の層間絶縁膜 １０８、２０６、４０６ Ａｌ配線層 １０９、２０７、４０７ 保護膜 １１０、２０８、４０８
１ 第１の層間絶縁膜 １０２、２０
２、４０２ 下部電極 １０３、２０３、４０３ 誘電体膜１（ＰＺＴ（ｘ＝０．５）） １０４、４０４ 誘電体膜２（ＰＺＴ（ｘ＝０．８）） １０５ 誘電体膜３（ＰＺＴ（ｘ＝０．５）） １０６ 誘電体膜（ＢａXＳｒ1-XＴｉＯ3） ２０４ 上部電極 １０７、２０５、４０５ 第２の層間絶縁膜 １０８、２０６、４０６ Ａｌ配線層 １０９、２０７、４０７ 保護膜 １１０、２０８、４０８
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年６月２５日（１９９９．６．２
５）
５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 誘電体素子及び半導体記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体素子は、
一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト結晶構造を
有する酸化物誘電体が２つの電極によって挟まれた構造
を有する誘電体素子であって、前記Ａ格子点または前記
Ｂ格子点の少なくとも一方の格子点を2元素以上のいず
れかで占める誘電体であり、前記誘電体における前記２
元素以上で占められる格子点を構成する元素の比が前記
２つの電極の少なくとも一方の電極の近くで前記誘電体
中央部と異なることを特徴とする。また、上記に加え
て、前記誘電体の組成が前記２つの電極の近くで前記誘
電体中央部と異なることを特徴とする。また、更に上記
のいずれかに加えて、前記酸化物誘電体がチタン酸ジル
コン酸鉛Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3であり、Ｚｒの組成
比ｘが前記電極近くで前記酸化物誘電体中央部より小さ
いことを特徴とする。また、更に上記のいずれかに加え
て、前記２つの電極の近くにおける前記誘電体の組成が
同じであることを特徴とする。
一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト結晶構造を
有する酸化物誘電体が２つの電極によって挟まれた構造
を有する誘電体素子であって、前記Ａ格子点または前記
Ｂ格子点の少なくとも一方の格子点を2元素以上のいず
れかで占める誘電体であり、前記誘電体における前記２
元素以上で占められる格子点を構成する元素の比が前記
２つの電極の少なくとも一方の電極の近くで前記誘電体
中央部と異なることを特徴とする。また、上記に加え
て、前記誘電体の組成が前記２つの電極の近くで前記誘
電体中央部と異なることを特徴とする。また、更に上記
のいずれかに加えて、前記酸化物誘電体がチタン酸ジル
コン酸鉛Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3であり、Ｚｒの組成
比ｘが前記電極近くで前記酸化物誘電体中央部より小さ
いことを特徴とする。また、更に上記のいずれかに加え
て、前記２つの電極の近くにおける前記誘電体の組成が
同じであることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】また、本発明における他の誘電体素子とし
ては、一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト結晶
構造を有する酸化物誘電体が２つの電極によって挟まれ
た構造を有する誘電体素子であって、前記Ａ格子点また
は前記Ｂ格子点の少なくとも一方の格子点を2元素以上
のいずれかで占める誘電体であり、前記２つの電極の近
くの前記誘電体の組成が同一であり、且つ前記誘電体中
央部と異なることを特徴とする。もしくは、本発明にお
ける更に他の誘電体素子としては、一般式ＡＢＯ3で表
わされるペロブスカイト結晶構造を有する酸化物誘電体
が２つの電極によって挟まれた構造を有する誘電体素子
であって、前記Ａ格子点または前記Ｂ格子点の少なくと
も一方の格子点を2元素以上のいずれかで占める誘電体
であり、前記誘電体の組成が前記２つの電極の近くで前
記誘電体中央部と異なることを特徴とする。
ては、一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト結晶
構造を有する酸化物誘電体が２つの電極によって挟まれ
た構造を有する誘電体素子であって、前記Ａ格子点また
は前記Ｂ格子点の少なくとも一方の格子点を2元素以上
のいずれかで占める誘電体であり、前記２つの電極の近
くの前記誘電体の組成が同一であり、且つ前記誘電体中
央部と異なることを特徴とする。もしくは、本発明にお
ける更に他の誘電体素子としては、一般式ＡＢＯ3で表
わされるペロブスカイト結晶構造を有する酸化物誘電体
が２つの電極によって挟まれた構造を有する誘電体素子
であって、前記Ａ格子点または前記Ｂ格子点の少なくと
も一方の格子点を2元素以上のいずれかで占める誘電体
であり、前記誘電体の組成が前記２つの電極の近くで前
記誘電体中央部と異なることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】また、本発明における半導体記憶装置は、
上記のいずれかに記載の誘電体素子を用いた事を特徴と
する。
上記のいずれかに記載の誘電体素子を用いた事を特徴と
する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/792 // Ｇ１１Ｃ 11/22
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカ
イト結晶構造を有する酸化物誘電体が２つの電極によっ
て挟まれた構造を有する誘電体素子に於て、前記Ａ、Ｂ
格子の少なくとも一方の格子を占める元素が２元素以上
の混晶であり、前記混晶の組成比が前記２つの電極の少
なくとも一方の電極の近くで前記誘電体中央部と異なる
ことを特徴とする誘電体素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の誘電体素子に於て、前記
混晶組成比が前記２つの電極の近くで前記誘電体中央部
と異なることを特徴とする誘電体素子。 - 【請求項３】 請求項１及び２記載の誘電体がチタン酸
ジルコン酸鉛Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3であり、Ｚｒの
組成比ｘが前記電極近くで前記誘電体中央部より大きい
ことを特徴とする誘電体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11162684A JP2000031399A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 誘電体素子及び半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11162684A JP2000031399A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 誘電体素子及び半導体記憶装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14952592A Division JP3476845B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 誘電体素子及び半導体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031399A true JP2000031399A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=15759341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11162684A Pending JP2000031399A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 誘電体素子及び半導体記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031399A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841817B2 (en) | 2001-11-01 | 2005-01-11 | Fujitsu Limited | Ferroelectric capacitor and a semiconductor device |
| US7026674B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-04-11 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
-
1999
- 1999-06-09 JP JP11162684A patent/JP2000031399A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841817B2 (en) | 2001-11-01 | 2005-01-11 | Fujitsu Limited | Ferroelectric capacitor and a semiconductor device |
| US7423308B2 (en) | 2001-11-01 | 2008-09-09 | Fujitsu Limited | Ferroelectric capacitor |
| US7026674B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-04-11 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
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