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IT985922B - Procedimento per la deposizione di materiali semiconduttori allo sta to elementare - Google Patents

Procedimento per la deposizione di materiali semiconduttori allo sta to elementare

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Publication number
IT985922B
IT985922B IT6843873A IT6843873A IT985922B IT 985922 B IT985922 B IT 985922B IT 6843873 A IT6843873 A IT 6843873A IT 6843873 A IT6843873 A IT 6843873A IT 985922 B IT985922 B IT 985922B
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
deposition
procedure
semiconductive materials
elementary state
elementary
Prior art date
Application number
IT6843873A
Other languages
English (en)
Italian (it)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Application granted granted Critical
Publication of IT985922B publication Critical patent/IT985922B/it

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth

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  • Materials Engineering (AREA)
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  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
IT6843873A 1972-05-20 1973-05-17 Procedimento per la deposizione di materiali semiconduttori allo sta to elementare IT985922B (it)

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Publication Number Publication Date
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IT6843873A IT985922B (it) 1972-05-20 1973-05-17 Procedimento per la deposizione di materiali semiconduttori allo sta to elementare

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Publication number Publication date
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JPS4943572A (ja) 1974-04-24
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CA990626A (en) 1976-06-08
DE2324127A1 (de) 1973-12-06
FR2185445B1 (ja) 1976-06-11
GB1406760A (en) 1975-09-17

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