FR3059493B1

FR3059493B1 - Regulation d'un amplificateur rf

Info

Publication number: FR3059493B1
Application number: FR1661610A
Authority: FR
Inventors: Lionel Vogt
Original assignee: STMicroelectronics SA
Current assignee: STMicroelectronics SA
Priority date: 2016-11-29
Filing date: 2016-11-29
Publication date: 2019-11-22
Anticipated expiration: 2036-11-29
Also published as: CN108123685A; CN206977389U; US20180152155A1; FR3059493A1; US10432154B2; CN108123685B

Abstract

L'invention concerne un étage (4) d'alimentation et de polarisation, d'un amplificateur radiofréquence (1) dont un étage d'amplification (3) comporte au moins un transistor MOS dont la borne de commande est reliée à une borne d'entrée (31) et dont une première borne de conduction est reliée à une borne de sortie (36), dans lequel une tension de polarisation de la borne de commande dudit transistor est asservie afin de réguler simultanément la tension d'alimentation de l'étage d'amplification à une valeur nominale et le courant de polarisation de l'étage d'amplification à une valeur nominale.

Description

REGULATION D'UN AMPLIFICATEUR RF

Domaine

La présente description concerne de façon générale les circuits électroniques et, plus particulièrement, la régulation de l'alimentation et la polarisation d'un amplificateur radiofréquence (RF).

Exposé de l'art antérieur

Les amplificateurs radiofréquence sont utilisés dans de nombreuses applications, pour amplifier des signaux divers et variés numériques et analogiques. En particulier, des tels amplificateurs sont utilisés à très hautes fréquences dans des applications de transmission de signaux de télécommunication.

L'augmentation des fréquences de transmission dans ces applications qui atteignent désormais plusieurs dizaines de GHz et leur intégration dans des technologies CMOS ou BiCMOS dans des applications basse consommation fait apparaître de nouvelles contraintes dans la réalisation de ces amplificateurs, en particulier en termes de polarisation et de consommation.

Résumé

Un mode de réalisation propose un schéma d'amplificateur RF qui pallie tout ou partie des inconvénients des procédés de polarisation et de régulation.

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Un mode de réalisation propose une solution adaptée à des applications très hautes fréquences, de plusieurs dizaines de GHz.

Ainsi, un mode de réalisation prévoit un étage d'alimentation et de polarisation, d'un amplificateur radiofréquence dont un étage d'amplification comporte au moins un transistor MOS dont la borne de commande est reliée à une borne d'entrée et dont une première borne de conduction est reliée à une borne de sortie, dans lequel une tension de polarisation de la borne de commande dudit transistor est asservie afin de réguler simultanément la tension d'alimentation de l'étage d'amplification à une valeur nominale et le courant de polarisation de l'étage d'amplification à une valeur nominale.

Selon un mode de réalisation, l'étage d'alimentation comporte un premier amplificateur de régulation d'une information représentative de la tension de la première borne de conduction du transistor sur une valeur de référence, la sortie du premier amplificateur fournissant la tension de polarisation.

Selon un mode de réalisation, l'étage d'alimentation comporte en outre un deuxième amplificateur de régulation d'une information représentative de la tension de la première borne de conduction du premier transistor à ladite valeur de référence et du courant de polarisation sur un courant de référence, la sortie du deuxième amplificateur commandant une source de courant (N51) fournissant le courant de polarisation.

Selon un mode de réalisation, tout ou partie des transistors sont des transistors MOS.

Selon un mode de réalisation, tout ou partie des transistors sont des transistors bipolaires.

Selon un mode de réalisation, le courant de référence est fourni par une source de courant de valeur fixe.

Un mode de réalisation prévoit un amplificateur RF comportant :

un étage d'amplification ; et un étage d'alimentation et de polarisation.

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Un mode de réalisation prévoit un circuit électronique intégrant au moins un amplificateur RF.

Brève description des dessins

Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :

la figure 1 est un schéma-blocs simplifié d'un exemple d'intégration d'un amplificateur RF dans son environnement applicatif ;

la figure 2 est un schéma-blocs simplifié d'un mode de réalisation d'un amplificateur RF avec tension et courant régulés ;

la figure 3 représente, de façon très schématique et sous forme de blocs, un mode de réalisation d'un étage d'amplification d'un amplificateur RF ;

la figure 4 représente un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un étage d'alimentation et de polarisation d'un amplificateur RF ;

la figure 5 représente un schéma électrique d'un autre mode de réalisation d'un étage d'alimentation et de polarisation d'un amplificateur RF ;

la figure 6 est un schéma électrique plus détaillé d'un exemple de réalisation pratique du mode de réalisation de la figure 5 ;

la figure 7 illustre, de façon simplifiée et sous forme de blocs, l'application d'un étage d'alimentation et de polarisation (REG / BIAS) à un amplificateur RF différentiel ; et la figure 8 représente, de façon simplifiée et partiellement sous forme de blocs, un autre mode de réalisation d'un amplificateur RF.

Description détaillée

De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures. Par souci de clarté, seuls les éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation

B15339 - 16-GR1-0455 qui vont être décrits ont été représentés et seront détaillés. En particulier, les circuits en amont et en aval de l'amplificateur RF et de son circuit de polarisation n'ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec les circuits habituellement connectés à un amplificateur RF. De plus, les différentes applications possibles d'un amplificateur RF n'ont pas non plus été détaillées, les modes de réalisation décrits étant, là encore, compatibles avec les applications usuelles. Dans la description qui suit, les expressions approximativement, environ et de l'ordre de signifient à 10% près, de préférence à 5% près.

Il est à noter que, sur les figures, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques.

La figure 1 est un schéma-blocs d'un exemple d'intégration d'un amplificateur RF dans son environnement applicatif.

Un amplificateur RF 1 (RF AMP) a pour fonction d'amplifier un signal radiofréquence RFin qu'il reçoit en un signal radiofréquence RFout.

Le signal RFin peut provenir de diverses sources ou circuits amont 12 selon les applications. Le cas échéant, un pré amplificateur 2 (PRE AMP) est intercalé entre le circuit 12 fournissant le signal à amplifier et l'amplificateur 1. De même, le signal RFout est destiné à diverses fonctions ou circuits aval 14 selon les applications.

Par exemple, dans le cas d'une chaîne d'émissionréception radiofréquence, qui représente une application plus particulièrement visée par la présente description, les circuits amont peuvent être les circuits de génération (mise en forme, modulation, etc.) des signaux à émettre, et l'amplificateur RF représente l'amplificateur de puissance de la chaîne d'émission, sa sortie étant destinée à une antenne d'émission, via un coupleur

B15339 - 16-GR1-0455 d'antenne. En réception, l'amplificateur RF représente l'amplificateur faible bruit (LNA) de la chaîne de réception et reçoit des signaux provenant d'une antenne à destination de circuits de traitement (démodulation, interprétation, etc.).

La régulation de la tension d'alimentation et du courant de repos de l'amplificateur RF influent sur ses performances.

On connaît des circuits utilisant un régulateur de tension d'alimentation et un circuit de référence de polarisation imposant un courant de repos choisi. De tels circuits souffrent d'une imprécision entre les consignes de tension et de courant et le point de repos effectif de l'amplificateur.

D'autres techniques visent à mesurer le courant de repos effectif de l'amplificateur afin de le réguler. Toutefois, ces techniques introduisent une chute de tension qui réduit la tension disponible pour l'amplificateur et, par ailleurs, engendrent une dissipation permanente dans l'élément de mesure.

La polarisation de l'amplificateur est la clé d'une bonne amplification du signal radiofréquence. En effet, la polarisation doit être non seulement précise mais également stable. Or, diverses sources de perturbations interviennent dans le circuit par sa polarisation, comme par exemple les défauts d'appariement des transistors en régime statique et en régime dynamique, du bruit introduit par la polarisation, l'alimentation, etc.

Une contrainte supplémentaire dans les applications visées par la présente description est la consommation. En effet, il est possible de concevoir divers circuits de compensation afin de résoudre les problèmes liés à la polarisation, mais au prix d'une consommation importante. Or, dans des applications telles que la téléphonie mobile et dans la période actuelle, la réduction de la consommation de façon générale est une demande forte. Cela devient particulièrement critique avec les solutions existantes pour des fréquences de plusieurs GHz, par exemple de l'ordre ou de plus de 60 GHz.

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Toutes ces solutions souffrent d'inconvénients soit sur le plan de la consommation, soit sur le plan du bruit introduit sur les signaux de polarisation, soit sur la précision des niveaux de polarisation et leur stabilité en température et par rapport aux variations de la tension d'alimentation. Par ailleurs, leur mise en oeuvre, pour être efficace, requerrait des rapports de surface des transistors qui seraient incompatibles avec les besoins actuels en termes de consommation.

La figure 2 est un schéma-blocs simplifié d'un mode de réalisation d'un amplificateur RF.

L'amplificateur RF 1 comporte deux circuits ou étages ayant des fonctions distinctes. Un circuit ou étage 3 d'amplification proprement dit (AMP STAGE) reçoit le signal RFin sur une borne 31 et fournit le signal RFout sur une borne 36. Un circuit ou étage 4 de régulation de la tension d'alimentation et de polarisation en courant (V REG / I BIAS) a pour rôle d'alimenter et de polariser l'étage d'amplification. Les deux étages sont interconnectés, la tension d'alimentation Vbias étant appliquée sur une borne 35 de l'étage 3 et le courant Ibias étant appliqué sur une borne 38 de l'étage 3.

La figure 3 représente, de façon très schématique et sous forme de blocs, un mode de réalisation d'un étage d'amplification 3 d'un amplificateur RF 1.

On considère l'exemple d'un étage basé sur un transistor MOS à canal N. Toutefois, tout ce qui sera décrit par la suite s'applique plus généralement à toute structure de transistors d'amplification (par exemple, plusieurs transistors en série, montage cascode, etc.).

L'étage 3 comporte une borne d'entrée 31, destinée à recevoir le signal RFin, reliée, par l'intermédiaire d'un réseau 32 d'adaptation d'impédance et d'alimentation continue (MATCH / DG), à la grille G (borne de commande) d'au moins un transistor MOS (par exemple à canal N) N33. Le réseau 32 comporte également une borne 35 d'application d'une tension d'alimentation continue régulée Vbias, fournie par l'étage 4 (figure 2). Le réseau 32

B15339 - 16-GR1-0455 relie optionnellement la source S (borne de conduction) du transistor N33 à une borne 37 de masse, par exemple directement dans la cas d'un étage à source commune. Le drain D (borne de conduction) du transistor N33 est relié, également par un réseau 34 d'adaptation d'impédance et d'alimentation continue (MATCH / DC) , à une borne 36 de sortie destinée à fournir le signal RFout et à une borne 37 d'alimentation, destinée à être connectée à l'étage 4. Les réseaux 32 et 34 peuvent être de diverses natures et comporter des composants passifs, des lignes de transmission, des transformateurs, etc.

La fonction du réseau 32 est d'appliquer une tension continue à la grille G du transistor N33 et d'adapter l'impédance d'entrée de l'étage d'amplification à celle de la source RF connectée à la borne 31 pour transmettre le signal RFin à la grille. La fonction du réseau 34 est d'alimenter le transistor N33 avec une tension continue et d'adapter l'impédance de sortie de l'étage d'amplification à celle d'une charge connectée à la borne 36 pour transmettre le signal RFout.

Les modes de réalisation décrits ci-après prévoient de réguler le point de repos de l'amplificateur, c'est-à-dire à la fois la tension et le courant de drain du transistor. Cette régulation s'effectue au moins sur la composante continue de la tension de grille du transistor N33 en fonction de variations éventuelles du courant et de la tension de drain de ce transistor. Cela permet de maintenir un point de repos stable et indépendant d'éventuelles variations de la tension d'alimentation de l'amplificateur et autres facteurs statiques et dynamiques, sans apporter de chute de tension ou de dissipation supplémentaire par rapport aux dispositifs ne régulant que la tension d'alimentation.

Dans toutes les figures ci-après, on symbolise l'étage d'amplification 3 (AMP STAGE) sous forme d'un bloc ayant cinq bornes :

la borne 31 d'entrée du signal RFin ;

la borne 36 de sortie du signal RFout ;

B15339 - 16-GR1-0455 la borne 35 d'application de la tension continue de polarisation régulée Vbias ;

la borne 38 d'alimentation Ibias ; et la borne 37 connectée, par exemple à la masse.

Par ailleurs, les réalisations décrites prennent pour exemple une alimentation Vdd positive. Toutefois, de façon plus générale, les bornes 38 et 37 sont des bornes d'application de la tension d'alimentation de l'étage d'amplification.

La figure 4 représente un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un étage d'alimentation et de polarisation d'un amplificateur RF.

L'étage 4 est ici constitué d'une source de courant 41 de valeur fixe Iref, intercalée entre une borne 42 d'application d'une tension continue d'alimentation Vdd (une tension d'alimentation disponible dans le circuit électronique dans lequel est intégré l'amplificateur RF) et la borne 38. La valeur du courant nominal Iref, fourni par la source 41, et sa variation en température, sont fixées à la conception de l'amplificateur en fonction des caractéristiques de fonctionnement souhaitées et doit être indépendante des variations de la tension d'alimentation Vdd.

L'étage 4 de la figure 4 comporte également un amplificateur 43 de régulation de la tension de la borne 38 à une tension de référence Vref. Par exemple, la borne 38 est connectée à l'entrée non inverseuse de l'amplificateur 43 tandis que la tension de référence Vref est appliquée sur son entrée inverseuse. La sortie de l'amplificateur 43 fournit une tension de polarisation de grille Vbias en fonction des variations du courant de polarisation Ibias. La valeur de la tension de référence Vref est fixée, lors de la conception du circuit, en fonction des caractéristiques nominales de fonctionnement souhaitées pour l'amplificateur RF. L'obtention de tensions de référence stables en température et en variations éventuelles de la tension d'alimentation ne pose pas de problème.

En pratique, un condensateur C44 relie la borne 38 à la masse afin de f iltrer/stabiliser la tension de la borne 38

B15339 - 16-GR1-0455 prélevée comme mesure par le comparateur 43 et alimentant l'amplificateur radiofréquence, limitant l'impact du bruit introduit par l'alimentation Vdd et la source de courant Iref. Par ailleurs, un condensateur C45 relie la sortie du comparateur 43 à la masse afin de filtrer/stabiliser cette sortie. Le condensateur C45 permet notamment de réduire le bruit susceptible d'être introduit sur la tension de polarisation λ/bias par l'amplificateur 43 en filtrant ce bruit à la masse. Par conséquent le fonctionnement radiofréquence n'est pas perturbé.

Par ailleurs, côté polarisation de la grille du transistor d'amplification (N33, figure 3), un avantage de la solution décrite par rapport à une solution dans laquelle la tension de grille serait fixée par un transistor monté en diode afin d'obtenir un miroir de courant entre la grille et la masse est que l'on évite l'erreur statique due au défaut d'appariement entre les transistors.

La figure 5 représente un schéma électrique d'un autre mode de réalisation d'un étage 4 d'alimentation et de polarisation d'un amplificateur RF.

Ici, la source de courant de polarisation est formée par un transistor MOS à canal P, P51, connecté entre les bornes 42 et 38, et commandé par un amplificateur 56 régulant la tension de grille du transistor P51 à partir d'une branche de référence. Cette branche de référence comporte, en série entre la borne 42 et la masse, un transistor à canal P, P57, et une source de courant 58 de valeur fixe Iref. Le point milieu 59 entre le transistor P57 et la source de courant 58 est connecté à l'entrée (par exemple non inverseuse) de l'amplificateur 56, son entrée inverseuse recevant la tension de référence Vref. La sortie de l'amplificateur 56 est connectée aux grilles des transistors P51 et P57. Le transistor P57 est plus petit (1) que le transistor P51 (m) . De préférence, le transistor P51 est réalisé sous la forme de plusieurs transistors en parallèle, chacun de même taille que le transistor P57, de façon à obtenir un bon appariement (matching) des transistors. Les transistor P51 et P57 sont ainsi

B15339 - 16-GR1-0455 appariés avec un facteur multiplicatif m connu. En effet, le transistor P57 sert à répliquer d'éventuelles variations de même nature que celles subies par le transistor P51 pour permettre l'ajustement du courant Ibias fourni par le transistor P51, qui est ainsi un multiple connu (m) du courant Iref. Ainsi, le surcout en termes de consommation apporté par la régulation du courant Ibias est minimisé.

La tension de polarisation λ/bias est fournie par un amplificateur 53 dont les entrées (par exemple respectivement non inverseuse et inverseuse) sont connectées aux bornes 38 et 59. La sortie de l'amplificateur 53 est reliée à la grille du transistor N33. En d'autres termes, l'amplificateur 53 régule la tension λ/bias de sorte que la tension de la borne 38 (la tension de drain du transistor N33) soit régulée à la valeur de la tension λ/ref. Des condensateurs C44 et C45 non représentés sont également de préférence prévus.

La valeur de la tension de référence λ/ref est fixée, lors de la conception du circuit, en fonction des caractéristiques nominales de fonctionnement souhaitées pour l'amplificateur RF. Par rapport à la réalisation de la figure 4, on note que la source de courant 58 est côté masse, ce qui facilite sa réalisation.

Un avantage des modes de réalisation décrits est que le transistor N33 lui-même participe à la régulation des courant et tension de polarisation. Cela réduit la consommation de cette régulation par rapport à des solutions usuelles. De plus, cela réduit les perturbations apportées par cette régulation.

Un autre avantage des modes de réalisation décrits est que les fonctions habituellement remplies par un régulateur de tension d'alimentation (LDO) et par un circuit de polarisation (fixant la tension λ/bias) sont assurées simultanément sans surcroît de consommation et avec une meilleure précision sur le courant de repos.

La figure 6 est un schéma électrique plus détaillé d'un exemple de réalisation pratique du mode de réalisation de la figure 5.

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La branche du transistor P51 est identique à celle représentée en figure 5.

Selon cet exemple de réalisation, on prévoit côté étage 4 d'alimentation et de polarisation quatre branches de transistors en parallèle sur la branche du transistor N51 pour réaliser les fonctions des amplificateurs de boucle 53 et 56. Ces quatre branches comportent respectivement, en série entre la borne 42 et la masse :

deux	transistors	MOS	P63	et	P64	à	canal	P	et un
transistor MOS	N63 à canal	N ;
deux	transistors	MOS	P61	et	P62	à	canal	P	et un
transistor MOS	N61 à canal	N, le	transistor N61	ayant	ses	grille

et drain interconnectés ;

deux	transistors	MOS P65	et	P66 à canal	P	et un
transistor MOS	N65 à canal	N, le transistor P66 ayant	ses	grille
et drain interconnectés ;
deux	transistors	MOS P67 et	P68	à canal P et	la	source

de courant fixe Iref.

Les grilles des transistors P62, P64, P66 et P68 sont reliées ensemble, donc au drain du transistor N65. Les grilles des transistors P51, P61, P63, P65 et P67 sont connectées au noeud entre le transistor P68 et la source de courant 58. Les grilles des transistors N61 et N65 sont reliées ensemble à la grille du transistor N63. Les drains des transistors P51 et P63 sont interconnectés. Le drain commun des transistors N63 et P64 fournit la tension λ/bias et est relié, par un condensateur C69, au noeud 38. La tension Vref est appliquée au noeud commun entre les transistors P65 et P66 (drain du transistor P65 et source du transistor P66).

Les transistors représentés sur une même ligne sont appairés, le transistor P51 étant de taille multipliée d'un facteur entier m par rapport aux transistors P67, P65, P61, P63 afin de générer un courant Ibias=m*Iref. La fonction remplie par l'amplificateur 53 sur la figure 5 est assurée par le transistor P64 en grille commune, qui régule la tension λ/bias en fonction du

B15339 - 16-GR1-0455 potentiel présent sur la borne 38. Celui-ci se stabilise à la tension Vref car le potentiel de grille commune aux transistors P64, P62, P66 et P68 est généré par le transistor P66 dont la source est à la tension Vref et le courant drain-source est identique à celui du transistor P64 grâce aux transistors N65 et N63 qui sont appairés. Quand cette condition d'équilibre est atteinte, les potentiels autour du transistor P51 étant égaux à ceux des sources des transistors P61, P63, P65 et P67, le courant qui parcourt le transistor P51 vaut Ibias=m*Iref qui est ainsi imposé à l'amplificateur RF.

La branche des transistors P67 et P68 sert à recopier la référence de courant Iref et joue donc le rôle de l'amplificateur 56 et du transistor P57 de la figure 5.

Un avantage du mode de réalisation de la figure 6 est qu'il rend identiques d'une part toutes les chutes de tension drain-source et d'autre part toutes les tensions grille-source des transistors des quatre branches. Ainsi, on élimine les erreurs d'appariement systématiques entre les courants statiques, même avec une faible chute de tension disponible pour le transistor P51, ce qui maximise la tension utilisée pour l'amplificateur RF et minimise la puissance dissipée dans le transistor P51.

La figure 7 illustre, de façon simplifiée et sous forme de blocs, l'application de l'étage 4 d'alimentation et de polarisation (REG / BIAIS) à un amplificateur RF différentiel.

Par rapport aux modes de réalisation précédents, l'étage d'amplification 3 comporte deux entrées RFin+ et RFin- de réception du signal différentiel à amplifier et deux sorties RFout+ et RFout- fournissant le signal différentiel amplifié. Le fonctionnement du circuit de la figure 7 se déduit de celui des figures précédentes.

La figure 8 représente, de façon simplifiée et partiellement sous forme de blocs, un autre mode de réalisation d'un amplificateur RF.

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Ce mode de réalisation tire profit de l'existence d'un préamplificateur RF 3A de classe A en amont d'un amplificateur RF 3AB de classe AB.

Le signal RFin à amplifier est appliqué à l'amplificateur ou préamplificateur 3A, dont la sortie RF est reliée à l'entrée RF de l'amplificateur 3AB, dont la sortie fournit le signal RFout.

Côté étage d'alimentation et de polarisation, la tension Vbias et le courant Ibias sont fournis au préamplificateur 3A tandis que seule la tension Vbias est fournie à l'amplificateur 3AB qui est par ailleurs alimenté par une tension VDD2. Le fonctionnement du circuit de la figure 8 se déduit du fonctionnement des figures précédentes.

Un avantage des modes de réalisation décrits ci-dessus est qu'ils procurent une solution fiable pour réaliser un amplificateur RF très hautes fréquences qui soit stable indépendamment de variations de température et de tension d'alimentation et qui de plus fournisse un niveau de polarisation non perturbé.

Un autre avantage des modes de réalisation décrits est que la consommation de l'étage de polarisation est réduite par rapport aux solutions existantes.

Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. Ces variantes et modes de réalisation peuvent être combinés. Diverses autres variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, le choix du mode de réalisation ainsi que des dimensions des composants dépend de l'application et des circuits annexes disponibles dans le circuit dans lequel est intégré l'amplificateur RF. Par ailleurs, bien que la description ci-dessus se réfère à une réalisation sous forme de transistors MOS, les modes de réalisation décrits se transposent sans difficulté à une réalisation à base de transistors bipolaires ou de transistors MOS et bipolaires. En outre, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation qui ont été décrits est à la

B15339 - 16-GR1-0455 portée de l'homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus.

Claims

REVENDICATIONS

1. Etage (4) d'alimentation et de polarisation, d'un amplificateur radiofréquence (1) dont un étage d'amplification (3) comporte au moins un transistor MOS (N33) dont la borne de commande est reliée à une borne d'entrée (31) et dont une première borne de conduction (D) est reliée à une borne de sortie (36) , dans lequel une tension de polarisation (Vbias) de la borne de commande dudit transistor est asservie afin de réguler simultanément la tension d'alimentation de l'étage d'amplification à une valeur nominale (Vref) et le courant de polarisation (Ibias) de l'étage d'amplification à une valeur nominale, ledit étage d'alimentation et de polarisation comportant en outre un deuxième amplificateur (56) de régulation d'une information représentative de la tension de la première borne de conduction du transistor (N33) à ladite valeur de référence (Vref) et du courant de polarisation (Ibias) sur un courant de référence, la sortie du deuxième amplificateur commandant une source de courant (P51) fournissant le courant de polarisation et le courant de référence étant fourni par une source de courant (41, 58) de valeur fixe.
2. Etage selon la revendication 1, comportant un premier amplificateur (43, 53) de régulation d'une information représentative de la tension de la première borne de conduction du transistor (N33) sur une valeur de référence (Vref), la sortie du premier amplificateur fournissant la tension de polarisation (Vbias).
3. Etage selon la revendication 1 ou 2, dans lequel tout ou partie des transistors sont des transistors MOS.
4. Etage selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel tout ou partie des transistors sont des transistors bipolaires.
5. Amplificateur RF comportant :

un étage d'amplification (3) ; et un étage d'alimentation et de polarisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 4.

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6. Circuit électronique intégrant au moins amplificateur selon la revendication 5.