FR2987169A1 - Procede de liaison d'un premier composant electronique a un deuxieme composant - Google Patents
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Abstract
La présente invention concerne un procédé de liaison d'un premier composant électronique à un deuxième composant au moyen d'une brasure active. L'invention a pour but de proposer un procédé simplifié de réalisation d'une liaison fiable à contraintes réduites d'un monocristal piézoélectrique oxydique stable à haute température. Selon le procédé conforme à l'invention, on prévoit un premier composant (1) et un deuxième composant (2), le premier composant (1) comprenant un monocristal piézoélectrique oxydique, le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant (1) étant lié au deuxième composant (2) en utilisant une brasure active (3), la brasure active (3) étant directement en contact du monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant (1).
Description
PROCEDE DE LIAISON D'UN PREMIER COMPOSANT ELECTRONIQUE A UN DEUXIEME COMPOSANT La présente invention concerne un procédé de liaison d'un premier composant électronique à un deuxième composant au moyen d'une brasure active, en particulier, la présente invention concerne un procédé de liaison à contraintes réduites de monocristaux piézoélectriques pour des applications à haute température au moyen de brasures actives. Un procédé standard pour la liaison à plat de composants comprenant un monocristal piézoélectrique est l'utilisation d'un adhésif approprié, la plupart du temps non conducteur, qui est appliqué avant le montage du composant électronique sur le substrat ou sur un autre composant électronique, et durcit par la suite. Une utilisation d'adhésifs n'est cependant pas appropriée pour l'utilisation du composant à des températures élevées, supérieures à 400°C. Un autre procédé de liaison de composants comprenant un monocristal piézoélectrique est l'utilisation de brasures à base de pâtes ou de préformés. Ce procédé nécessite cependant de manière désavantageuse le revêtement aussi bien du composant électronique que du substrat avec une surface mouillable pour la brasure comprenant des couches d'adhérence et de blocage appropriées. Après la fusion de la brasure, il se forme une liaison par engagement de matière entre le composant électronique et le composant électronique ou le composant électronique et le substrat. Un autre procédé de liaison de composants comprenant un monocristal piézoélectrique est l'utilisation de pâtes de frittage, par exemple en argent. Ce procédé nécessite cependant de manière désavantageuse le revêtement aussi bien du composant électronique que du substrat avec une métallisation appropriée. La formation de la liaison se fait la plupart du temps sous pression à haute température. Un autre procédé de liaison de composants comprenant un monocristal piézoélectrique est l'utilisation d'adhésifs métaux/verre ou d'adhésifs verre. La matière est déposée, avant le montage du composant, sur le substrat ou sur un autre composant électronique ou sur les deux faces. La liaison se fait alors la plupart du temps sous pression à haute température partiellement également en atmosphère contenant de l'oxygène ; cela peut cependant provoquer une oxydation indésirable aussi bien du composant électronique que du substrat.
Pour le montage de composants électroniques avec une température de mise en oeuvre ultérieure de plus de 400°C, les procédés décrits ci-dessus ne sont pas appropriés ou ils nécessitent des étapes de traitement supplémentaires pour le dépôt de métallisations appropriées, stables à haute température.
Puisque les composants comprenant des monocristaux piézoélectriques peuvent subir des impacts négatifs sur leur fonction à cause d'une contrainte induite thermomécaniquement, il est nécessaire de développer un procédé de liaison à contraintes réduites. L'invention a donc pour objet de proposer un procédé simplifié de réalisation d'une liaison fiable et à contraintes réduites d'un monocristal piézoélectrique oxydique et stable à haute température. Un autre objet de l'invention consiste à proposer une liaison fiable et à contraintes réduites d'un monocristal piézoélectrique oxydique et stable à haute température avec un autre composant, qui peut être réalisée à moindre coût.
Une liaison à contraintes réduites entre un premier composant comprenant un monocristal piézoélectrique oxydique et un deuxième composant est obtenue selon l'invention en ce que le monocristal oxydique piézoélectrique du premier composant est lié au deuxième composant en utilisant une brasure active, est donc brasé, la brasure active entrant en contact direct avec le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant. Ainsi, les composants peuvent être avantageusement utilisés pour des circuits électroniques à de hautes températures supérieures à 400°C. De préférence, la brasure active est déposée directement sur le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant. En variante, on préfère que le monocristal piézoélectrique oxydique soit déposé directement sur la brasure active.
Selon l'invention, on propose également pour le montage de monocristaux piézoélectriques oxydiques et stables à hautes températures un procédé de liaison dans lequel le composant électronique peut être lié directement à un substrat ou à un autre composant électronique (pouvant également comprendre un monocristal piézoélectrique oxydique) sans revêtement supplémentaire (donc sans métallisation supplémentaire), c'est-à-dire avec son monocristal piézoélectrique oxydique. A cet effet, on dépose une brasure active de composition quelconque sous forme de pâte ou de préformé de préférence sur le substrat ou le composant électronique. De préférence, le deuxième composant comprend une céramique, un métal ou un monocristal piézoélectrique oxydique. De préférence, on dépose la brasure active de manière structurée. De préférence, la brasure active est structurée de manière asymétrique par rapport au monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant. De préférence, le monocristal oxydique piézoélectrique du premier composant prend la forme d'une plaque comprenant au moins deux surfaces latérales opposées, la brasure active étant prévue uniquement dans la zone d'une des deux surfaces latérales. De préférence, le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant comprend une zone acoustiquement active dans laquelle une structure électriquement conductrice est déposée sur le monocristal, ainsi qu'une zone de connexion, la brasure active étant prévue uniquement dans la zone de connexion. De préférence, la surface du substrat et/ou la surface du composant sont structurées. De préférence, une liaison électrique des contacts électriques présents du côté composant et du côté substrat se fait par structuration de la brasure et/ou des surfaces, en plus de la liaison mécanique. De préférence, une fermeture hermétique du matériau de substrat, prenant la forme d'un boîtier, avec un couvercle en céramique ou en métal est prévue. De préférence, une deuxième brasure active utilisée pour la fermeture hermétique du boîtier avec un couvercle présente un point de fusion plus faible que la brasure active utilisée pour la liaison du composant électronique et du substrat. De préférence, avant le brasage, un profilé de hauteur peut être intégré dans la face tournée vers la brasure active du monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant. De préférence, avant le brasage, un profilé de hauteur peut être intégré dans la face tournée vers la brasure active du monocristal oxydique piézoélectrique du deuxième composant. Le profilé de hauteur présente de préférence un évidement dans la zone située à l'extérieur de la brasure active. Par brasure active, on entend une brasure qui comprend un composant réactif. Quand on brase un monocristal piézoélectrique oxydique, alors on entend par composant réactif un composant qui présente une affinité suffisamment importante pour le monocristal piézoélectrique oxydique, par exemple pour l'oxygène. L'affinité est suffisamment grande quand l'enthalpie de formation du composant réactif dans les conditions de brasage est inférieure à l'enthalpie de formation du monocristal. Par conditions de brasage, on entend en particulier la température de brasage et la pression des substances participant à la réaction, régnant lors du brasage. Le composant réactif dans la brasure active permet le mouillage de la surface à braser du monocristal. Ce mouillage est de nouveau une condition préalable à une liaison par brasage.
Le premier composant électronique est réalisé selon l'invention sur un monocristal piézoélectrique oxydique et stable à haute température, comme par exemple le niobate de lithium stoechiométrique ou le langasite. Le premier composant électronique est lié à un substrat ou à un autre composant électronique à plat ou bien partiellement à plat. Le substrat peut se composer par exemple d'une céramique, d'un métal ou également d'un monocristal piézoélectrique oxydique et stable à haute température. On utilise préférentiellement un monocristal piézoélectrique oxydique qui est stable à des températures supérieures à 400°C. Les monocristaux piézoélectriques oxydiques stables à hautes températures appropriés préférés sont par exemple indiqués par exemple dans le tableau 1. Désignation Exemples Famille des LGX : langasite, langanite, La3Ga5SiO14, La3Ga5,5Nbo,5014, La3Ga5,5Tao,5014, La3Ga5,25Tao,25Sio,5014, La3Ga5,25Zr0,25 Si0,5014 langatate ou leurs isomorphes de substitution Composés à structure isomorphe par Sr3TaGa3Si2O14, Sr3NbGa3Si2O14, Ca3TaGa3Si2O14, Ca3TaA13Si2014 rapport à la famille des LGX de composition générale A3BC3Si2O14 Oxyborates de calcium de « terres GdCa40(B03)3, YCa40(B03)3, LaCa40(B03)3 rares » Niobate de lithium stoechiométrique LiNbO3 Orthophosphate de gallium GaPO4 Tableau l: Exemples de monocristaux piézoélectriques stables à haute température préférés Les composants électroniques à base d'un monocristal piézoélectrique 20 oxydique et stable à haute température comprennent par exemple les composants à ondes acoustiques de surface (ondes acoustiques de surface : en anglais surface acoustic wave, SAW) ou les composants à ondes acoustiques de volume (ondes acoustiques de volume : en anglais bulk acoustic wave, BAW). Pour le choix de la brasure active destinée à la connexion d'un monocristal piézoélectrique oxydique et stable à haute température, il est décisif d'utiliser une liaison à contraintes réduites, le plus possible ductile et adaptée au coefficient d'expansion thermique puisque, sinon, la fonctionnalité du composant électronique ne peut être garantie. De manière étonnante, on a découvert qu'une brasure active à base d'un alliage de Ag/Cu remplit particulièrement bien l'exigence citée d'une connexion à contraintes réduites pour le montage des monocristaux piézoélectriques. Pour réaliser une connexion à contraintes réduites du composant électronique, il peut être en outre nécessaire de former de manière correspondante les contacts de connexion ou de les disposer sur le composant électronique, par exemple sous forme de zone de connexion latérale. La formation de la liaison lors du brasage actif se fait de préférence sous pression et à haute température dans un procédé sous vide ou sous gaz inerte.
Ainsi, selon un premier aspect de la présente invention, on propose un procédé de liaison d'un premier composant électronique avec un deuxième composant comprenant les étapes suivantes : prévoir le premier composant et le deuxième composant, le premier composant comprenant un monocristal piézoélectrique oxydique, et caractérisé en ce que le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant est lié au deuxième composant en utilisant une brasure active, la brasure active étant directement en contact du monocristal piézoélectrique oxydique. Dans des modes de réalisation préférés de l'invention, on peut éventuellement avoir recours en outre à l'une et/ou à l'autre des dispositions suivantes : - un composant à ondes acoustiques de surface ou un composant à ondes acoustiques de volume est utilisé comme premier composant ; - le langasite, le langanite, le langatate, un composé ayant une isomorphie de substitution ou une isomorphie de structure par rapport à la famille des LGX, l'oxyborate de calcium lanthanoïde, le niobate de lithium ou l'orthophosphate de gallium est utilisé comme monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant ; - le deuxième composant comprend une céramique, un métal ou un monocristal piézoélectrique oxydique ; - la brasure active est appliquée de manière structurée ; - la brasure active est structurée de manière asymétrique par rapport au monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant ; - le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant prend la forme d'une plaque ayant au moins deux surfaces latérales opposées, la brasure active étant prévue uniquement dans la zone d'une des surfaces latérales ; - le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant comprend une zone acoustiquement active et une zone de connexion, la brasure active et/ou au moins une liaison à fil étant prévus uniquement dans la zone de connexion ; - avant le brasage, un profilé de hauteur est intégré dans la face du monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant tournée vers la brasure active, et/ou avant le brasage, un profilé de hauteur est intégré dans la face du deuxième composant tournée vers la brasure active ; - un alliage d'argent et de cuivre est utilisé comme brasure active ; - le monocristal piézoélectrique oxydique est formé d'un capteur dont la température de mise en oeuvre est supérieure à 400°C Selon un autre aspect de l'invention, on propose un composant électronique qui comprend un monocristal piézoélectrique oxydique, le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant étant relié au moyen d'une brasure 20 active avec un deuxième composant. De préférence, la brasure active est directement en contact du monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant. De préférence, le premier composant prend la forme d'un composant à ondes acoustiques de surface ou d'un composant à ondes acoustiques de volume. 25 De préférence, le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant se compose de langasite, langanite, langatate, oxyborate de calcium lanthanoïde, niobate de lithium ou orthophosphate de gallium. De préférence, le deuxième composant comprend une céramique, un métal ou un monocristal piézoélectrique oxydique. 30 De préférence, la brasure active est formée de manière structurée. Préférentiellement, la brasure active est structurée de manière qu'elle ne se situe pas sous la totalité de la surface du monocristal piézoélectrique oxydique. De préférence, la brasure active est disposée de manière asymétrique par rapport au monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant. De préférence, le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant prend la forme d'une plaque comprenant au moins deux surfaces latérales opposées. De préférence, la brasure active est disposée uniquement dans la zone d'une des surfaces latérales. C'est ainsi que le monocristal est fixé au moyen de la brasure active (de manière similaire à un tremplin) de manière à flotter librement sur sa majeure partie, la liaison entre la brasure active et le monocristal se faisant uniquement sur un côté du monocristal. Dans cette variante de réalisation, on préfère que la brasure active mouille moins de 50 %, plus préférentiellement moins de 30 % et encore plus préférentiellement moins de 20 % du monocristal. De préférence, le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant présente une zone acoustiquement active dans laquelle une structure électriquement conductrice est déposée sur le monocristal, ainsi qu'une zone de connexion qui est séparée de celle-ci. De préférence, la brasure active est disposée uniquement dans la zone de connexion. De préférence, la surface du monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant tournée vers la brasure active comprend un évidement. De préférence, la surface du deuxième composant tournée vers la brasure active comprend un évidement.
De préférence, la brasure active se compose d'un alliage d'argent et de cuivre. Le procédé selon l'invention présente une série d'avantages par rapport à l'état de la technique : le choix approprié de la brasure active et le type de connexion permettent un montage à contraintes réduites qui est obligatoirement nécessaire pour un fonctionnement irréprochable d'un composant électronique à base d'un monocristal piézoélectrique qui doit être mis en oeuvre à des températures supérieures à 400°C ; aucune métallisation supplémentaire, stable à haute température, n'est nécessaire sur le composant électronique ou le substrat, cela réduit nettement le temps de traitement ; la brasure active peut être traitée sous forme de pâte de brasage ou sous forme de préformés avec des procédés standards peu chers ; puisque le brasage s'effectue sous vide ou sous gaz inerte, il ne se produit aucune oxydation du partenaire d'assemblage ; et une subdivision spatiale du composant électronique en une zone de connexion latérale et une zone acoustiquement active induit en plus un découplage de la contrainte thermomécanique induite par la connexion et apparaissant lors du fonctionnement du composant à des températures supérieures à 400°C, laquelle a un impact négatif. Le procédé selon l'invention d'une liaison fiable d'un composant électronique à base de monocristaux piézoélectriques oxydiques stables à haute température est expliqué à l'aide des dessins schématiques ci-joints.
Ils montrent : Figure 1 : une liaison à plat selon l'invention d'un composant électronique sur un substrat au moyen d'une brasure active, Figure 2 : une liaison à plat selon l'invention d'un composant électronique sur un autre composant au moyen d'une brasure active, Figure 3a : une application structurée conforme à l'invention d'une brasure active pour lier mécaniquement et/ou électriquement le composant électronique au substrat, Figure 3b : une application structurée conforme à l'invention d'une brasure active en utilisant des surfaces de substrat ou de composant modifiées pour réaliser une liaison mécanique et/ou électrique entre le composant électronique et le substrat, Figure 4 : un composant électronique conforme à l'invention, monté à plat dans un boîtier au moyen d'une brasure active, qui est connecté électriquement par le biais de liaisons à fil et est fermé hermétiquement par un couvercle en utilisant une deuxième brasure active, Figure 5a : une application structurée conforme à l'invention, sur un côté, d'une brasure active pour lier mécaniquement le composant électronique au substrat, la connexion électrique se faisant par liaisons à fil, Figure 5b : une application structurée conforme à l'invention, sur un côté, d'une brasure active pour lier mécaniquement le composant électronique au substrat, le composant présentant une surface de composant modifiée ou le substrat présentant une surface de substrat modifiée et le composant étant connecté électriquement par liaisons à fil, Figure 6 : une vue d'en haut d'un composant électronique conforme à l'invention dont la surface est divisée en deux zones, une zone de connexion et une zone acoustiquement active, Figure 7 : un composant électronique conforme à l'invention, monté d'un côté dans un boîtier au moyen d'une brasure active, qui est connecté électriquement par liaisons à fils et est fermé hermétiquement par un couvercle en utilisant une deuxième brasure active. Les figures 1 et 2 montrent la liaison selon l'invention d'un composant électronique 1 à un substrat 2 ou un autre composant électronique 1. Conformément au procédé de liaison développé, la brasure active 3 peut être déposée à plat sur le substrat 2 (figure 1) ou un autre composant électronique 1 (figure 2) par distribution, sérigraphie ou au moyen de préformés en cas de composants suffisamment petits 1, de préférence ayant une longueur d'arête inférieure à 1,5 mm (dans le cas de plusieurs arêtes, la longueur des arêtes se rapporte à l'arête la plus longue). Après le positionnement, la formation de la liaison se fait de préférence lors du brasage sous pression et à haute température dans un procédé sous vide ou sous gaz inerte. Le composant électronique 1 est de préférence un composant SAW ou BAW (par exemple un résonateur SAW). Selon un autre exemple de mode de réalisation, la brasure active 3 peut aussi être déposée de manière structurée. Avec l'agrandissement des composants 1, de préférence dans le cas d'une longueur d'arête supérieure ou égale à 1,5 mm, la contrainte mécanique sur le composant 1 va augmenter pour une connexion à plat, du fait des coefficients d'expansion thermiques différents du composant électronique 1, de la brasure 3 et du substrat 2, et aura donc un impact négatif sur les propriétés mécaniques et par conséquent aussi les propriétés électriques ou bien provoquera une fissure. Pour réduire la contrainte, la brasure active 3 est déposée de manière structurée selon l'invention. La structuration peut se faire par application ciblée de la brasure 3 (figure 3a) mais aussi par modification correspondante de la surface du substrat 2a ou de la surface du composant la (figure 3b). On préfère alors que la zone périphérique du composant 1 ou la soit au moins partiellement en liaison directe avec la brasure active 3. La structuration de la brasure active 3 ou du composant la se fait de préférence de sorte que les zones sans brasure active 3 soient prévues dans une zone centrale du composant 1 ou la. De plus, la liaison structurée du composant 1 peut non seulement être une fixation mécanique au sens d'un montage « chip on board » (le composant est lié au substrat avec sa face non active et connecté ensuite au moyen de liaisons à fil), mais aussi simultanément une connexion électrique, donc un montage « flip-chip » (la face active du composant est ici tournée vers le substrat), dans la mesure où des contacts de connexion électriques correspondants sont présents sur les faces du composant 1 et du substrat 2. Selon un autre exemple de mode de réalisation (figure 4), un boîtier est utilisé comme substrat support pour le composant 1. Le boîtier 4 peut être fermé hermétiquement après le montage du composant 1 au moyen d'une brasure active 3 et la liaison électrique 5 du composant 1 au moyen de fils de liaison en utilisant une deuxième brasure active 6 ayant un point de fusion plus faible pour le dépôt d'un couvercle 7. La deuxième brasure active 6 peut être appliquée par distribution, sérigraphie ou au moyen de préformés. Après le positionnement du couvercle 7, la formation de la liaison se fait lors du brasage de préférence sous pression et à haute température dans un procédé sous vide ou sous gaz inerte. L'avantage de ce procédé est l'atmosphère exempte d'oxygène qui peut alors être mise en place dans le boîtier. Selon un autre exemple de mode de réalisation (figure 5a), le dépôt structuré de la brasure active 3 peut aussi se faire seulement sur un côté (par rapport au composant 1, de préférence un composant SAW) sur le substrat 2 pour une réduction supplémentaire de la contrainte. Pour une meilleure structurabilité de la brasure active 3, on peut en outre modifier la surface du substrat 2b ou la surface du composant lb (figure 5b). La modification de la surface du substrat 2b ou de la surface du composant lb se fait de préférence par introduction d'un évidement. La liaison électrique 5 du composant 1 est réalisée au moyen de liaisons à fil. Selon un autre exemple de mode de réalisation, le design du composant 1 peut être subdivisé en deux zones : une zone de connexion latérale 8 et une zone acoustiquement active 9 (figure 6). Par zone acoustiquement active, on entend la zone du monocristal piézoélectrique oxydique dans laquelle les ondes acoustiques de surface ou les ondes acoustiques de volume sont générées ou réfléchies ou se propagent. La zone de connexion latérale occupe ici moins de 50 %, de préférence moins de 30 %, et encore plus préférentiellement moins de 20 % de la surface du composant. Dans le cas d'un composant SAW dans le montage « chip on board », la zone de connexion 8 est exécutée sur la face supérieure avec des contacts de connexion pour les liaisons à fil 5 et sur la face inférieure sans métallisation supplémentaire pour la connexion au moyen de la brasure active 3. Dans le cas d'un 5 composant SAW dans le montage « flip - chip », des contacts de connexion métalliques sont cependant nécessaires dans la zone de connexion pour la connexion électrique et la plupart du temps aussi mécanique au moyen de la brasure active 3. Le but est de prévoir une séparation spatiale de la zone de connexion 8 et de la zone acoustiquement active 9 de sorte que les tensions induites thermomécaniquement 10 restent largement contenues dans la zone de connexion et le mode de fonctionnement du composant 1 ne soit influencé que faiblement, voire absolument pas. Dans un autre exemple de mode de réalisation (figure 7), on utilise un boîtier 4a, par exemple HTCC, comme substrat. Dans le boîtier 4a, le dépôt de la brasure active 3, par exemple un alliage d'argent et de cuivre avec une addition d'environ 15 3 % en poids de titane, se fait sur un côté. Pour obtenir un formage reproductible du point de contact pour le montage du composant 1, par exemple d'une puce de détection au langasite, le point de contact est délimité dans le boîtier 4a sur trois côtés par les parois latérales du boîtier 4a lui-même et vers l'intérieur par un évidement dans le fond du boîtier. Il est aussi prévu selon une variante de mode de 20 réalisation particulièrement préférée que le boîtier 4a présente un évidement qui est dimensionné de sorte que le monocristal piézoélectrique oxydique (composant 1) puisse être inséré dans l'évidement, c'est-à-dire que l'évidement soit un peu plus grand que le monocristal. Selon l'invention, un autre (deuxième) évidement, au moyen duquel un point de contact défini peut être réalisé dans le boîtier 4a, est prévu 25 dans l'évidement recevant le monocristal. Le point de contact est ainsi délimité par le deuxième évidement sur un côté. De préférence, le point de contact défini est délimité par les parois latérales du boîtier 4a sur (jusqu'à) trois autres côtés. Le montage du composant 1 se fait par brasure active 3 et la liaison électrique 5 du composant, au moyen par exemple de liaisons à fil en or. Le boîtier 4a peut alors être 30 fermé hermétiquement en utilisant une deuxième brasure active 6, par exemple un alliage d'argent - cuivre - indium comprenant une addition d'environ 1,5 % en poids de titane, ayant un point de fusion plus faible, pour placer un couvercle 7, par exemple un couvercle HTCC. La deuxième brasure active 6 peut être appliquée par distribution, sérigraphie ou au moyen de préformés. Après le positionnement du couvercle 7, la formation de la liaison s'effectue lors du brasage la plupart du temps sous pression et à haute température dans un procédé sous vide ou sous gaz inerte. L'avantage de ce procédé est l'atmosphère dépourvue d'oxygène qui peut être alors mise en place dans le boîtier. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes de réalisation, sans pour autant sortir du cadre de l'invention.
Claims (11)
- REVENDICATIONS1. Procédé de liaison d'un premier composant électronique (1, la, lb) avec un deuxième composant (1, 2, 2a, 2b, 4, 4a) comprenant les étapes suivantes : prévoir le premier composant (1, la, lb) et le deuxième composant (1, 2, 2a, 2b, 4, 4a), le premier composant (1, la, lb) comprenant un monocristal piézoélectrique oxydique, caractérisé en ce que le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant (1, la, lb) est lié au deuxième composant (1, 2, 2a, 2b, 4, 4a) en utilisant une brasure active (3), la brasure active (3) étant directement en contact du monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant (1, la, lb).
- 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que un composant à ondes acoustiques de surface ou un composant à ondes acoustiques de volume est utilisé comme premier composant (1, la, lb).
- 3. Procédé selon au moins une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le langasite, le langanite, le langatate, un composé ayant une isomorphie de substitution ou une isomorphie de structure par rapport à la famille des LGX, l'oxyborate de calcium lanthanoïde, le niobate de lithium ou l'orthophosphate de gallium est utilisé comme monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant (1, la, lb).
- 4. Procédé selon au moins une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le deuxième composant (1, 2, 2a, 2b, 4, 4a) comprend une céramique, un métal ou un monocristal piézoélectrique oxydique.
- 5. Procédé selon au moins une des revendications précédentes, caractérisé en ce quela brasure active (3) est appliquée de manière structurée.
- 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la brasure active (3) est structurée de manière asymétrique par rapport au monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant (1, la, lb).
- 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant (1, la, lb) prend la forme d'une plaque ayant au moins deux faces latérales opposées, la brasure active (3) étant prévue uniquement dans la zone d'une des faces latérales.
- 8. Procédé selon au moins une des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que le monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant (1, la, lb) comprend une zone acoustiquement active (9) et une zone de connexion (8), la brasure active (3) et/ou au moins une liaison à fil (5) étant prévus uniquement dans la zone de connexion (8).
- 9. Procédé selon au moins une des revendications précédentes, caractérisé en ce que avant le brasage, un profilé de hauteur est intégré dans la surface du monocristal piézoélectrique oxydique du premier composant (1, la, lb) tournée vers la brasure active (3), et/ou avant le brasage, un profilé de hauteur est intégré dans la surface du deuxième composant (2, 2a, 2b, 4, 4a) tournée vers la brasure active (3).
- 10. Procédé selon au moins une des revendications précédentes, caractérisé en ce que un alliage d'argent et de cuivre est utilisé comme brasure active (3).
- 11. Procédé selon au moins une des revendications précédentes, caractérisé en ce quele monocristal piézoélectrique oxydique est formé d'un capteur dont la température de mise en oeuvre est supérieure à 400°C.
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