FR2963477A1 - Procédé de réalisation amélioré d'un motif a partir du transfert par espaceurs latéraux - Google Patents
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Abstract
Le substrat (1) est muni d'une couche en premier matériau (2) recouverte par une couche de recouvrement (3) et par un premier masque de gravure (4). La couche de recouvrement (3) est gravée partiellement au moyen du premier masque de gravure (4) de manière à former un motif en saillie dans la couche de recouvrement (3). Un matériau de masquage (5) est déposé et gravé pour former des espaceurs latéraux définissant un second masque de gravure (6). Le premier masque de gravure (4) est éliminé et la couche de recouvrement (3) est gravée à travers le second masque de gravure (6) de manière à former un motif en saillie dans la couche de recouvrement (3). La couche en premier matériau (2) est gravée au moyen de la couche de recouvrement (3) pour former un motif en premier matériau (2).
Description
1
Procédé de réalisation amélioré d'un motif à partir du transfert par espaceurs latéraux Domaine technique de l'invention
L'invention est relative à un procédé de réalisation d'un motif en premier matériau. État de la technique
L'augmentation continue des performances des circuits intégrés, par exemple, en termes de consommation et/ou de fréquence de 15 fonctionnement, se traduit inéluctablement par une diminution constante de la taille de ses composants et un accroissement de leur densité. Afin de réaliser des dispositifs toujours plus performants, de nouvelles techniques de définitions de motifs de petites tailles ont été mises en place.
20 La diminution des dimensions du transistor se traduit surtout par des difficultés dans la définition en grande densité des motifs de petites dimensions, mais aussi par une augmentation des contraintes liées à l'alignement des différents niveaux photolithographiques les uns par rapport aux autres. Afin de former des motifs toujours plus denses, les performances 25 des équipements de photolithographie et de gravure doivent être améliorées en permanence. Cette augmentation croissante des contraintes technologiques sur les équipements de photolithographie n'est plus compatible avec les équipements actuels.
30 Une voie d'amélioration alternative consiste à définir la largeur et/ou la longueur du motif désiré au moyen d'une étape de dépôt d'un matériau de 10 2
masquage. De cette manière, au moins une des dimensions latérales du motif n'est pas définie par photolithographie, mais au moyen du dépôt d'un matériau avec une épaisseur prédéterminée.
Comme illustré à la figure 1, un substrat 1 est recouvert par une couche en premier matériau 2, elle-même recouverte par une couche de recouvrement 3. Un masque de gravure 4 est formé, par toute technique adaptée, sur la couche de recouvrement 3.
Comme illustré à la figure 2, la couche de recouvrement 3 est gravée, par exemple par plasma, à travers le masque de gravure 4 afin de reproduire dans cette dernière le dessin du masque de gravure 4.
La chimie de gravure est choisie sélective par rapport au masque de gravure 4 et par rapport au premier matériau 2 afin d'éliminer une partie de la couche de recouvrement 3 sans abîmer le premier matériau 2, ni modifier le dessin du masque de gravure 4.
Une perte de sélectivité vis-à-vis du premier matériau 2 entraîne une dégradation des propriétés physico-chimiques et une diminution de l'épaisseur du premier matériau 2 ce qui est préjudiciable au bon accomplissement des étapes technologiques ultérieures.
Comme illustré à la figure 3, l'étape de gravure forme un motif en matériau 25 de recouvrement 3 qui est défini à partir du dessin du masque de gravure 4.
La chimie de gravure est choisie la plus anisotrope possible afin de reproduire fidèlement le dessin du masque de gravure 4 dans la couche de recouvrement 3. Le masque de gravure 4 est éliminé. 30 3
Comme illustré à la figure 4, une fois la couche de recouvrement 3 structurée, un matériau de masquage 5 est déposé puis gravé afin de former un ou plusieurs espaceurs latéraux. Le matériau de masquage 5 est déposé de manière conforme et il est gravé anisotropiquement afin de le localiser sur les parois latérales du motif en matériau de recouvrement 3.
L'épaisseur restante de matériau 5 définit une des dimensions du motif en matériau de masquage. De cette manière, l'étape de photolithographie définit la position des motifs et l'étape de formation des espaceurs latéraux définit au moins une des dimensions latérales de ces motifs.
Là encore, la gravure du matériau de masquage 5 utilise une chimie qui est fortement anisotrope et sélective par rapport au premier matériau 2 et au matériau de recouvrement 3. Comme illustré aux figures 5 et 6, une fois que les espaceurs latéraux sont définis, le matériau de recouvrement 3 est éliminé (figure 5) et les espaceurs servent de deuxième masque dur 6 pour graver le premier matériau 2 (figure 6). 20 Dans ce mode de mise en oeuvre, de nombreuses contraintes technologiques sont imposées aux chimies de gravure et/ou au premier matériau 2. Les procédés de gravure doivent être anisotropes afin d'assurer une parfaite maîtrise des formes et des dimensions des différents matériaux 25 gravés. Les procédés de gravure doivent également être sélectifs afin d'éviter une détérioration ou une élimination parasite des matériaux à conserver.
De plus, trois matériaux différents sont présents durant au moins une partie 30 du procédé de gravure ce qui augmente les contraintes sur la chimie de gravure.15 4 Ce genre de procédé est donc très contraignant d'un point de vue industriel car il engendre un trop grand nombre de contraintes technologiques. Objet de l'invention
On constate qu'il existe un besoin de prévoir un procédé de fabrication d'un motif qui soit plus facile à mettre en oeuvre. 10 On tend à satisfaire ce besoin au moyen d'un procédé qui comporte successivement : - prévoir un substrat muni d'une couche en premier matériau recouverte par une couche de recouvrement et par un premier masque de gravure, la 15 couche de recouvrement ayant une première zone recouverte par le premier masque de gravure et une seconde zone découverte, - graver partiellement la seconde zone de la couche de recouvrement au moyen du premier masque de gravure de manière à former un motif en saillie dans la couche de recouvrement, 20 - déposer et graver un matériau de masquage de manière à former des espaceurs latéraux définissant un second masque de gravure autour du motif en saillie, - éliminer le premier masque de gravure, - graver la couche de recouvrement à travers le second masque de gravure 25 de manière à former un motif en saillie dans la couche de recouvrement, - graver la couche en premier matériau au moyen de la couche de recouvrement pour former ledit motif en premier matériau. 30 Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : 5 les figures 1 à 7 représentent, de manière schématique, en vue de coupe des étapes successives de mise en oeuvre d'un premier procédé, les figures 8 à 11 représentent, de manière schématique, en vue de coupe, des étapes successives de mise en oeuvre d'un deuxième procédé, la figure 12 représente, de manière schématique, en vue de coupe, une variante de réalisation en relation avec la figure 9, les figures 13 à 15 représentent, de manière schématique, en vue de coupe, des étapes successives de mise en oeuvre d'un troisième 15 procédé.
Description de modes de réalisation préférentiels de l'invention
20 Comme illustré à la figure 1, le substrat 1 comporte un support qui est recouvert par une couche en premier matériau 2. La couche en premier matériau 2 est recouverte par une couche en matériau de recouvrement 3. Un masque de gravure 4 est présent sur la couche en matériau de recouvrement 3. 25 Le support est, par exemple, un substrat en matériau semi-conducteur avec des composants actifs recouverts par une ou plusieurs couches de protection. Le support peut également être formé par un matériau électriquement conducteur ou électriquement isolant à la surface duquel des 30 motifs sont à former. De manière avantageuse, la face principale du support est formée par une ou plusieurs couches en matériau électriquement isolant.
La face principale du support est recouverte par la couche en premier matériau 2.
Le premier matériau 2 peut être isolant ou conducteur électriquement. De manière avantageuse, si le substrat 1 est de type semi-conducteur avec des couches isolantes sur sa surface principale, le premier matériau 2 est électriquement conducteur, par exemple en TiN, BN, TaN, AIN avec une épaisseur avantageuse comprise entre 10 et 50nm.
1 o La couche en matériau de recouvrement 3 est formée par tout type de matériau adapté. De manière avantageuse, la couche de recouvrement 3 présente des propriétés antireflets afin de faciliter la formation du masque de gravure 4. A titre d'exemple, le matériau de recouvrement 3 est un matériau carboné déposé par dépôt chimique en phase vapeur ou par dépôt à la 15 tournette, par exemple de type carbone amorphe. Dans un exemple particulier, la couche carbonée a une épaisseur comprise entre 50 et 200nm et elle est recouverte par une couche d'oxyde de silicium comprise entre 20 et 50nm pour avoir de bonnes propriétés antireflets. Les épaisseurs et indices des matériaux sont optimisés par simulation pour obtenir à la 20 longueur d'onde d'exposition des propriétés antireflet.
Un premier masque de gravure 4 est formé sur le matériau de recouvrement 3. Le masque de gravure 4 définit une première zone A et une seconde zone B complémentaire. La première zone correspond au volume plein du masque 25 de gravure 4 alors que le seconde zone correspond au volume vide du masque 4. Dans le matériau de recouvrement 3, il y a également une première zone A qui correspond à la zone recouverte par le masque de gravure 4 et une seconde zone B qui est découverte, c'est-à-dire laissée libre. Le dessin du masque de gravure 4 est quelconque, il est défini en 30 fonction des motifs désirés.
Le premier masque de gravure 4 est par exemple une résine photosensible ou un matériau de nature différente. Dans certains modes de réalisation, le premier masque de gravure 4 est en oxyde de silicium, en nitrure de silicium, un empilement de ces derniers ou un autre matériau. Lorsque le premier masque de gravure 4 n'est pas une résine, il est avantageux de définir sa forme au moyen d'une étape de photolithographie suivie d'une étape de gravure. Le premier masque de gravure 4 est également appelé masque dur.
Comme illustré à la figure 8, le matériau de recouvrement 3 est gravé à travers le premier masque de gravure 4, par toute technique adaptée. La gravure du matériau de recouvrement 3 est partielle, c'est-à-dire qu'une partie seulement de l'épaisseur du matériau de recouvrement 3 est éliminée dans les zones découvertes. La gravure du matériau de recouvrement 3 est avantageusement anisotrope afin de définir, le plus fidèlement possible, un dessin dans le matériau de recouvrement 3 qui correspond au dessin du masque de gravure 4. La gravure partielle du matériau de recouvrement permet de former des motifs en saillie dans la couche en matériau de recouvrement 3.
La gravure partielle du matériau de recouvrement 3 dans les zones découvertes permet de laisser recouvert le premier matériau 2. Le premier matériau 2 est complètement recouvert par le matériau de recouvrement 3 qui comporte alors des zones d'épaisseurs différentes. Dans la première zone A recouverte par le premier masque de gravure 4, l'épaisseur est inchangée et représente une zone épaisse. Dans la deuxième zone B découverte, le matériau de recouvrement 3 a été partiellement éliminé et cela représente une zone mince. Le dessin du masque de gravure 4 a été reproduit dans le matériau de recouvrement 3 et le contour du dessin est formé par les parois latérales qui relient la zone mince à la zone épaisse. La gravure du matériau de recouvrement 3 étant réalisée sur une partie de son épaisseur, la hauteur de la paroi latérale est inférieure à l'épaisseur du matériau de recouvrement 3.
Le matériau de recouvrement 3 est donc structuré afin de former des zones 5 avec des épaisseurs différentes ce qui se traduit par la présence de motifs en saillie dans la couche en matériau de recouvrement 3.
De manière avantageuse, la gravure est réalisée par plasma en imposant le temps de gravure ce qui facilite la formation de zones vides à la profondeur 10 désirée dans le matériau de recouvrement. Il est également possible de contrôler l'épaisseur de gravure par réflectométrie in-situ dans le procédé de gravure.
Comme illustré à la figure 8, un matériau de masquage 5 est ensuite déposé 15 de manière conforme sur l'ensemble et il recouvre le matériau de recouvrement 3 et le premier masque de gravure 4. Dans un dépôt conforme, l'épaisseur déposée sur les parois latérales est identique à l'épaisseur déposée sur les parois horizontales. Une fois le matériau de masquage 5 déposé, ce dernier est gravé par toute technique adaptée avec une gravure 20 plasma anisotrope afin de localiser le matériau de masquage sur les bords des différents motifs en saillie. Après l'étape de gravure, le matériau de masquage 5 forme des espaceurs latéraux qui recouvrent les parois latérales du matériau de recouvrement 3.
25 Comme illustré à la figure 9, le premier masque de gravure 4 est éliminé afin de laisser à la surface, le matériau de recouvrement 3 et les espaceurs en matériau de masquage 5. Les espaceurs en matériau de masquage 5 forment un second masque de gravure 6. Le dessin du second masque de gravure 6 est défini en partie par le dessin du premier masque de gravure 4 30 qui impose la position des espaceurs latéraux. Le dessin du second masque de gravure 6 est également défini à partir de l'épaisseur de matériau de
masquage 5 déposé et de l'épaisseur gravée pour définir au final la largeur et/ou la longueur des espaceurs latéraux.
Comme cela est illustré à la figure 10, la couche de recouvrement 3 est gravée à travers le second masque de gravure 6 de manière à former un motif en saillie en matériau de recouvrement 3 sur le premier matériau 2. Dans les zones découvertes, c'est-à-dire dans les zones non recouvertes par le second masque de gravure 6, la gravure du matériau de recouvrement est totale. Le matériau de recouvrement 3 est éliminé sous les zones initialement recouvertes par le premier masque de gravure 4 ainsi que dans la seconde zone B aux endroits non recouverts par les espaceurs latéraux.
Les motifs en matériau de recouvrement 3 sont formés dans la zone mince, leur épaisseur a été définie lors de la gravure partielle du matériau de recouvrement 3. Les motifs en matériau de recouvrement 3 reproduisent le dessin du second masque de gravure 6.
Comme cela est illustré à la figure 11, le motif formé dans le matériau de recouvrement 3 sert de masque de gravure pour former le motif dans le premier matériau. De cette manière, le premier matériau est gravé à travers le masque en matériau de recouvrement 3. Selon les modes de réalisation, le matériau de masquage 5 est éliminé ou non avant de réaliser la gravure du premier matériau.
Ce mode de mise en oeuvre est particulièrement avantageux car il offre une plus grande souplesse dans la définition du second masque de gravure 6. L'épaisseur du matériau de recouvrement 3 peut être fixée pour minimiser la réflectivité durant la lithographie indépendamment de la hauteur des espaceurs qui n'est plus fixée par l'épaisseur de la couche de recouvrement 3 comme dans l'art antérieur. Ces deux grandeurs peuvent ainsi être optimisées. 10 Dans le cas présent, la différence d'épaisseur entre la zone mince et la zone épaisse et l'épaisseur du premier masque de gravure 4 imposent la hauteur des espaceurs latéraux. Il est alors possible de moduler la profondeur d'enfoncement dans le matériau de recouvrement 3 afin d'obtenir un dépôt du matériau de masquage 5. Cette modulation permet d'obtenir un dépôt conforme ou le plus conforme possible avec les procédés utilisés. De manière analogue, cette souplesse dans la hauteur des espaceurs latéraux permet d'obtenir des procédés de gravure plus performants et au final une meilleure définition des espaceurs formant le second masque de gravure 6. La réalisation de la gravure partielle du matériau de recouvrement 3 permet l'obtention de degrés de liberté supplémentaires dans la réalisation des espaceurs latéraux à la forme désirée.
Dans une variante de réalisation illustrée à la figure 12, le premier masque de gravure 4 est éliminé avant de déposer le matériau de masquage 5 et de former les espaceurs latéraux. La hauteur des espaceurs latéraux est définie à partir de l'enfoncement dans le matériau de recouvrement 3 ce qui laisse les mêmes marges de manoeuvre que dans le mode de réalisation précédent.
Les espaceurs latéraux formant le second masque de gravure 6 sont formés de la même manière que précédemment et le second masque de gravure 6 est utilisé comme précédemment pour graver le matériau de recouvrement 3.
La structure finale est identique à celle illustrée à la figure 11 du mode de réalisation précédent.
Dans cette variante particulière de mise en oeuvre, la gravure du matériau de recouvrement 3 est réalisée comme précédemment au moyen d'une gravure sélective du matériau de recouvrement 3 par rapport au masque de gravure 4 pour former les zones épaisse et mince. Ensuite, le masque de gravure 4 Il
est éliminé sélectivement par rapport au matériau de recouvrement 3. Après cette élimination, le matériau de masquage 5 est déposé et éliminé sélectivement par rapport au matériau de recouvrement 3 pour former les espaceurs latéraux. Enfin, le matériau de recouvrement 3 est éliminé sélectivement par rapport au matériau de masquage 5 des espaceurs latéraux pour reproduire le dessin du second masque de gravure 6 dans la couche de recouvrement. Le premier matériau est ensuite structuré par rapport au motif en matériau de recouvrement 3.
io Ce mode de réalisation particulier est extrêmement avantageux car chaque étape de gravure est réalisée avec un nombre restreint de matériaux. A la surface du substrat, seuls le matériau à éliminer et le matériau à conserver sont présents à la surface. Il n'y a pas, comme dans l'art antérieur, un matériau à éliminer en présence de deux matériaux à conserver. II en ressort 15 une plus grande liberté de choix dans les procédés utilisables pour réaliser la gravure et/ou des procédés de gravure plus robustes.
Dans un second mode de réalisation particulier, la surface du substrat n'est pas plane et/ou l'épaisseur de la couche de recouvrement 3 n'est pas 20 constante. A titre d'exemple illustré à la figure 13, une couche tampon 7 est présente sur une portion du premier matériau 2. De cette manière, dans une partie du substrat, la couche tampon 7 sépare la couche de recouvrement 3 de la couche en premier matériau 2. Dans une autre partie du substrat, la couche de recouvrement 3 est en contact avec la couche en premier 25 matériau 2. La couche de recouvrement 3 est sensiblement plane et elle élimine complètement ou partiellement la topographie de surface présente entre le premier matériau et la couche tampon.
Le premier masque de gravure 4 est formé sur la couche de recouvrement 3. 30 Comme dans les modes de réalisation précédents, la couche de recouvrement 3 est gravée partiellement afin de reproduire le dessin du 12
premier masque de gravure 4. Dans les zones gravées, la couche tampon est avantageusement laissée recouverte. Il est également possible de découvrir la couche tampon dans la mesure où le fond de la zone gravée est plan, c'est-à-dire qu'il n'y a pas de différence de hauteur entre la couche tampon 7 et le matériau de recouvrement 3.
Comme le fond des zones gravées est plan, par exemple la couche tampon 7 est recouverte par le matériau de recouvrement 3, il n'existe pas de marche parasite entre la couche tampon 7 et le premier matériau 2. De ce fait, des espaceurs latéraux parasites ne sont pas formés au niveau de cette marche.
Comme illustré à la figure 14, les espaceurs latéraux sont ensuite formés et le premier masque de gravure 4 est éliminé. L'ordre de ces deux étapes peut également être inversé selon le mode de réalisation utilisé.
La gravure partielle du matériau de recouvrement 3 permet de gommer les inégalités de surface présentes entre le premier matériau 2 et la couche tampon.
De manière avantageuse, la couche tampon 7 est recouverte par le matériau de recouvrement 3, même si la couche 7 est disposée sous la zone mince et/ou sous la zone épaisse de la couche de recouvrement 1. Le recouvrement intégral de la couche tampon 7 par le matériau de recouvrement 3 permet de limiter le nombre de matériau visible lors de l'étape de gravure et ainsi faciliter la mise au point d'une chimie de gravure.
Comme illustré à la figure 14, le second masque de gravure 6 formé à partir des espaceurs latéraux est utilisé pour graver et former le motif en matériau de recouvrement 3. 13
Comme illustré à la figure 15, le motif en matériau de recouvrement sert à la formation du motif en premier matériau 2. Cependant, la couche tampon 7 peut être utilisée pour empêcher la définition des motifs dans le premier matériau sous la couche tampon. Le dessin formé par les motifs en premier matériau correspond à l'intersection entre les motifs définis par le second masque de gravure 6 et l'opposé du dessin formé par la couche tampon 7 comme cela est illustré à la figure 15. En variante, si la couche tampon est gravée selon le motif en matériau de recouvrement certains motifs ou certaines parties de motif sont formés par un empilement de la couche tampon 7 et du premier matériau 2.
La gravure partielle de la couche de recouvrement permet également d'utiliser une couche en premier matériau présentant des épaisseurs variables et donc une topographie de surface. La gravure partielle de la couche de recouvrement évite la formation d'espaceurs parasites dans ces topographies de surface.
Lorsque le premier masque de gravure 4 est formé par photolithographie sur le matériau de recouvrement 3 cela impose certaines contraintes, notamment, dans le choix du matériau de recouvrement 3 et dans l'épaisseur utilisable. Ces contraintes ont pour but de faciliter l'étape de photolithographie en réduisant les problèmes de réflectivité et l'influence des couches inférieures. Cependant, comme cela est indiqué plus haut, la couche de recouvrement 3 doit également permettre la définition des espaceurs latéraux ce qui impose également une gamme de matériaux accessibles et des épaisseurs interdites.
La gravure du matériau de recouvrement 3 sur une partie de son épaisseur permet de libérer au moins partiellement ces contraintes. L'étape de photolithographie du masque de gravure est réalisée avec une épaisseur préférentielle de matériau de recouvrement 3. Cette épaisseur préférentielle 14
est choisie afin de faciliter l'étape de photolithographie. La couche en matériau de recouvrement 3 est ensuite gravée partiellement pour former une zone épaisse et une zone mince et cette différence d'épaisseur est utilisée pour faciliter la définition des espaceurs latéraux avec le rapport dimensionnel choisi. La définition des espaceurs latéraux est dissociée de l'étape de définition du masque de gravure en ce qui concerne le choix de l'épaisseur de matériau de recouvrement. La définition des espaceurs est facilitée car un plus grand choix de matériaux est accessible, les difficultés à obtenir un dépôt conforme étant en partie gommées par la souplesse dans le choix de la différence d'épaisseur entre la zone mince et la zone épaisse.
Ces modes de réalisations sont particulièrement avantageux pour former des motifs dont la période est inférieure à 80nm.
Dans un mode de réalisation particulier, ce procédé de mise en oeuvre est intégré à un procédé plus complexe de lithographie de type « Sidewall Image Transfer » dans lequel après formation du second masque de gravure 6, une étape additionnelle de photolithographie associée à une étape additionnelle de gravure sont réalisées. Ces étapes additionnelles viennent modifier le dessin du second masque de gravure 6 pour former un troisième masque de gravure qui lui est utilisé pour définir les motifs en premier matériau. Cette étape de photolithographie additionnelle permet de modifier les dimensions des espaceurs définis au moyen du premier masque de gravure et/ou de transformer un unique espaceur entourant un motif en saillie en une pluralité d'espaceurs distincts. II est également possible d'ajouter un matériau supplémentaire qui définira le dessin du troisième masque de gravure en complément de celui déjà défini par le second masque de gravure 6.
Claims (4)
- REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'un motif en premier matériau (2) caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - prévoir un substrat (1) muni d'une couche en premier matériau (2) recouverte par une couche de recouvrement (3) et par un premier masque de gravure (4), la couche de recouvrement (3) ayant une première zone (A) recouverte par le premier masque de gravure (4) et une seconde zone (B) 1 o découverte, - graver partiellement la seconde zone (B) de la couche de recouvrement (3) au moyen du premier masque de gravure (4) de manière à former un motif en saillie dans la couche de recouvrement (3), - déposer et graver un matériau de masquage (5) de manière à former des 15 espaceurs latéraux définissant un second masque de gravure (6) autour du motif en saillie, - éliminer le premier masque de gravure (4), - graver la couche de recouvrement (3) à travers le second masque de gravure (6) de manière à former un motif en saillie dans la couche de 20 recouvrement (3), - graver la couche en premier matériau (2) au moyen de la couche de recouvrement (3) pour former ledit motif en premier matériau (2).
- 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier 25 masque de gravure (4) est éliminé avant le dépôt du matériau de masquage (5).
- 3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'une couche tampon (7) recouvre partiellement la couche en premier matériau (2), 30 la couche tampon (7) séparant la couche en premier matériau (2) de la couche en matériau de recouvrement (3), la couche en premier matériau (2) 15 16 étant gravée, dans une première portion, au moyen de la couche de recouvrement et gravée dans une deuxième portion, au moyen de la couche tampon (7) pour former ledit motif en premier matériau (2).
- 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comporte la transformation du second masque de gravure (6) en un troisième masque de gravure ayant un dessin différent au moyen d'une étape additionnelle de photolithographie associée à une étape additionnelle de gravure avant de former le motif en premier matériau (2) par gravure.10
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