FR2824902A1 - Procede et agencement pour la determination sans contact de caracteristiques de produits - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un procédé pour la détermination sans contact de caractéristiques de produits, notamment lors de la fabrication continue ou discontinue de systèmes à couches, de caractéristiques optiques différentes.Les moyens et méthodes de mesure pour la détermination des caractéristiques respectivement d'une des couches sont prédéfinis en fonction des caractéristiques optiques de cette couche et de celles des couches situées au-dessus dans la direction de mesure. Dans une installation de mesure à cette fin, plusieurs détecteurs (8, 9) sont prévus pour des zones de longueur d'onde directement avoisinantes, où les détecteurs et l'installation de traitement de signaux (10) sont réalisés pour l'évaluation sans vides de la lumière provenant de la face de mesure (5) avec des longueurs d'onde de 200 nm jusqu'â plus de 2400 nm.L'invention est applicable notamment à la fabrication de systèmes à couches.
Description
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L' invention se réfère à un procédé pour la détermination sans contact de caractéristiques de produits, notamment lors de la fabrication continue ou aussi discontinue de systèmes à couches qui sont formés par plusieurs couches présentant des caractéristiques optiques différentes. L' invention se réfère en outre à une installation pour la mise en _uvre du procédé. Le procédé et l' installation sont utilisables d'une manière particulièrement avantageuse en rapport avec la commande et la surveillance de la qualité lors de la fabrication des
systèmes à couches précités.
On connaît des installations de mesure spectroscopiques au moyen desquelles peuvent étre détectées à la fois la réflexion et la transmission de tronçons de surface sur des produits. A partir du spectre de mesure, des caractéristiques optiques des produits ainsi que d'autres paramètres de qualité peuvent étre déterminés, comme par exemple la stabilité dimensionnelle de zones de
produit sélectionnces.
Dans ce cas, d'une manière connue, une tête de mesure optique est disposoe à proximité immédiate d'un produit à caractériser. A partir d'une source de lumière se trouvant dans la tête de mesure, une lumière de mesure est dirigée sur une face de mesure sélectionnce au produit, la lumière réfléchie, émise ou transmise ensuite par la face de mesure
est acheminée à un récepteur et est évaluée ensuite.
En particulier lors de la fabrication de systèmes à couches multiples sous un degré d'automatisation technologique élevé, il est souhaitable de pouvoir mesurer la construction à couches pendant l'application des couches ou au moins peu après l'application respectivement d'une couche pour arriver à une appréciation actuelle se rapportant au succès de l'étape de fabrication concernée respectivement à la qualité du produit et, dans le cas d'écarts, de pouvoir prendre immédiatement des mesures de correction. Pour arriver rapidement à des résultats d'appréciation et reproductibles, on est obligé d'utiliser des méthodes d'analyse qui se caractérisent par - une courte durée d'analyse - une fréquence d'analyse élevée - une teneur élevée en informations par unité de temps - une robustesse pour l' installation de processus et le fonctionnement - une fiabilité - une aptitude à l'automatisation - un faible encombrement - des possibilités multiples d'utilisation des
systèmes de détection.
Les procédés et agencements de mesure optiques disponibles dans l'art antérieur ne conviennent cependant pas pour, lors de la fabrication de systèmes à couches, tels que développés notamment pour la technique solaire, procéder en permanence et suffisamment rapidement sur toute la largeur d'un spectre optique à des mesures de réflexion respectivement de transmission. Des mesures à cette fin requièrent actuellement encore une dépense de temps et de coût élevée, ce qui maintient notamment la vitesse du
processus de fabrication à un niveau réduit.
Pour cette raison, pendant les dernières annces, les exigences se rapportant à la qualité de la production ont considérablement augmenté. En particulier, les exigences se rapportant à la constance de la composition, à la morphologie et notamment à l'épaisseur de la couche sont élevées. Dans des systèmes à couches multiples, par exemple dans l'industrie des semi-conducteurs, dans la fabrication industrielle de couches d'anadisation ou également lors de la production de cellules solaires modernes à base de sulfure de cadmium, des tolérances étroites doivent être
respectées pendant la fabrication continue.
A des fins de contrôle de qualité, on utilise dans l'art antérieur encore fréquemment des soi-disant procédés hors ligne, c'est-à-dire ponctuellement des échantillons sont retirés, et ceux-ci sont ensuite mesurés dans le laboratoire, à proximité de l'usine. Cependant, une mesure directe en ligne serait souhaitable dans le fonctionnement
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de production continu avec, si possible, une détection
simultanée de paramètres de qualité actuels différents.
Les méthodes optiques et spectroscopiques détectent par l' interaction de la lumière avec la surface par l'absorption sélective la composition chimique et par la mesure de la lumière diffusoe également des variations morphologiques. Lorsqu'on observe par un agencement approprié également les rapports de phases des ondes entre elles, on peut faire des appréciations, par les interférences, également par exemple sur l'épaisseur de la couche. Par principe, des méthodes optiques et spectroscopiques conviennent particulièrement bien comme techniques de mesure en direct et en ligne étant donné
qu'elles fonctionnement très rapidement et sans contact.
La mesure de phénomènes d'interférence est établie comme art antérieur. Des systèmes ellipso-métriques ont été développés qui peuvent déterminer simultanément jusqu'à cinq couches. Cependant, dans ce cas, toutes les couches doivent étre transparentes. De plus, il est extrêmement difficile d'utiliser cette technique comme méthode en direct étant donné qu'elle fonctionne d'une manière sure seulement dans le cas de surfaces lisses. La détermination de l'épaisseur de couche a l'aide de la mesure de l'interférence spectrale est considérce maintenant comme avant comme "n'étant" pas encore apte à étre effectuée en direct et est utilisée d'une manière restreinte pour des
épaisseurs de couche, de préférence de 1 um et plus.
D'une manière typique, lors de l'interférence spectrale, les couches sont mesurées dans la zone de longueur d'onde de la lumière visible de 400 nm jusqu'à plus de 700 nm o est appliqué le plus souvent sur une couche non transparente (par exemple en métal) une couche transparente (par exemple une couche d'oxyde). Par l'air environnant, il est produit ainsi un système à trois couches (avec trois indices de diffraction différents) qui peut étre décrit très facilement en utilisant les formules de Fresnel. La mesure peut étre effectuce à la fois d'une manière spéaulaire et aussi en un agencement diffus. Le
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calcul de l'épaisseur de la couche a lieu par
l'interférence ou par l'absorption spécifique.
En partant de cet art antérieur, l' invention a pour objet le perfectionnement d'un procédé de mesure du type décrit au début pour que des temps de mesure plus courts soient possibles, avec une précision élevée au moins constante du résultat de mesure. L' invention a également pour objet d'indiquer une installation pour la mise en
_uvre d'un tel procédé.
Conformément à l' invention, cet objet est atteint par un procédé du type décrit au début, en ce que les moyens de mesure et méthodes de mesure pour déterminer les caractéristiques respectivement d'une des couches sont prédéfinis en fonction des caractéristiques optiques de cette couche et en fonction des caractéristiques optiques
des couches situées au-dessus dans la direction de mesure.
La nature du procédé conforme à l' invention réside dans la mesure dans des zones spectrales différentes (de 0,2 m à 30 um) à l'aide d'agencements géométriques différents (par exemple d'une manière diffuse avec la sphère d'Ultricht, 45RO, 45R45) selon le profil des caractéristiques des différentes couches. Dans ce cas, d'une manière surprenante, des zones de longueur d'onde peuvent être sélectionnées de façon qu'une couche apparaît comme étant transparente tandis que l'autre couche absorbe ou réfléchit fortement et slmule ainsi une épaisseur de couche "infinie" respectivement un signal de réflexion
simple peut être requ et évalué.
De préférence, la détermination des caractéristiques de plusieurs couches du système à couches est effectuée en même temps, cependant respectivement avec les moyens de mesure et méthodes de mesure prédéfinis en fonction des
caractéristiques optiques des couches individuelles.
Par exemple, le procédé conforme à l' invention peut être appliqué à un système à couches constitué d'une couche de molybdène, d'une couche en cuivre-indium-disélénide (CIS) appliquée sur celle-ci et d'une couche en CdS appliquée sur la couche en CIS, o avec un rayonnement infrarouge, dirigé sur le système à couches, d'une zone de longueur d'onde pour laquelle la couche de molybJène est au moins partiellement transparente, les interférences spectrales sont mesurées et, à partir du résultat de mesure, l'épaisseur de la couche de molybdène est déterminée, avec un rayonnement proche de l'infrarouge (NIR), dirigé sur le système à couches, d'une zone de longueur d'onde pour laquelle, certes, la couche en CIS est au moins partiellement transparente, la couche en molybdène n' est cependant pas transparente, les maxima d' interférence et les minima d'interférence sont mesurés, et à partir du résultat de mesure, l'épaisseur de la couche en CIS est déterminée, et avec un rayonnement W ou VIS orienté sur le système à couches, d'une zone de longueur d'onde, pour laquelle, certes, la couche en CdS est au moins partiellement transparente, cependant la couche en CIS n'est pas transparente, les maxima d'interférence et minima d'interférence sont mesurés, et à partir du résultat de
mesure, l'épaisseur de la couche en CdS est déterminée.
Dans un développement ultérieur de ce procédé, on mesure par exemple additionnellement l'intensité spectrale lors d'un agencement spéculaire et diffus, et on détermine à partir de la différence des résultats, sur la base de la puissance de diffusion ou dispersion, la rugosité de la
surface de la couche de molybdène.
I1 est possible en outre de déterminer l'amortissement de l'interférence et/ou l' allure de la réflexion du rayonnement NIR et d'obtenir à partir de ceux-ci des informations se rapportant à la composition chimique et
morphologique de la couche en CIS.
Le fait de déterminer l' absorption du rayonnement W respectivement VIS et d'obtenir à partir de la position et de la pente de l'arête d' absorption des informations se
rapportant à la qualité et aux caractéristiques semi-
conductrices de la couche en CdS, se situe également dans
le cadre de l'invention.
Dans toutes ces variantes de réalisation de l' invention, l' association univoque des spectres à la
substance est possible sans qu'il y ait des superpositions.
La caractérisation quantitative de la couche n'a donc pas besoin d'être exéautée avec des calculs de simulation compliqués et/ou coûteux. Lorsqu'on mesure en outre simultanément plusieurs géométries différentes (goniométrie spectrale), également les parts diffuses de la lumière peuvent être détectées et évaluées au moyen de la diffusion ou dispersion. Elles fournissent, par exemple, des informations se rapportant à la rugosité de la surface respectivement aux centres de diffusion, mais elles fournissent également des renseignements se rapportant au type des emplacements défectueux dans la couche. On peut détecter en même temps la composition chimique de la couche en raison de l' absorption spécifique (notamment dans la lumière diffuse), mais également l'épaisseur de la couche
(à partir des interférences).
De plus, parallèlement à cela a lieu l'enregistrement de résultats de mesure dans la zone W de telle sorte qu'un produit à examiner quant à ses caractéristiques, est défini pratiquement complètement. Par l' installation de traitement des signaux, toutes les informations obtenues sont saisies et à partir de celles-ci sont obtenus des signaux d'évaluation et de correction correspondant au type de la
mesure à effectuer.
Dans des processus se déroulant d'une manière discontinue mais également continue, des écarts produits d'une mesure de consigne d'un produit respectivement d'une zone de produit sont détectés et corrigés d'une manière correspondante par une comparaison effectuce continuellement ou séquentiellement à des intervalles prédéfinis avec une allure de courbe spectrale, calibrce préalablement, stockée dans l' installation de traitement de signaux. Une évaluation peut également être effectuce à l' aide de procédés chimio-métriques ou de procédés de
reconnaissance de modèle.
L'objet de l' invention est également atteint avec une installation de mesure pour déterminer des caractéristiques géométriques et/ou optiques des différentes couches dans un système à couches, comprenant au moins une installation d'éclairage servant à éclairer une face de mesure sur le produit, au moins un détecteur pour la lumière provenant de
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la face de mesure ainsi qu'une installation de traitement de signaux qui est en liaison avec les sorties des signaux des détecteurs, o l' installation d'éclairage présente des sources de rayonnement dont le rayonnement couvre sans espace les zones de longueur d'onde W. VIS et IR et o sont prévus des détecteurs pour des zones de longueur
d'onde respectivement directement avoisinantes.
Les détecteurs et l' installation de traitement des signaux sont réalisés pour l'évaluation sans vides de la lumière provenant de la face de mesure, avec des longueurs
d'onde de 200 nm jusqu'à plus de 2400 nm.
De préférence, comme détecteurs sont prévus un
spectrophotomètre W-VIS et un spectrophotomètre NIR.
En raison de cette réalisation des détecteurs, des informations sont obtenues à la fois de la zone VIS (la zone de la lumière visible), comme par exemple des caractéristiques de couleur, le pouvoir de réflexion et le pouvoir de transmission du produit à mesurer, et aussi des informations de toutes les zones IR (y compris NIR, MIR) comme par exemple des informations se rapportant à la
concentration de composants matériels.
De préférence, les spectrophotomètres sont réalisés
sous forme de spectrophotomètres à matrice de photodiodes.
De tels systèmes photométriques se caractérisent par une stabilité thermique et de longueur d'onde élevoe et
assurent ainsi une précision de mesure constante.
Pour obtenir un montage compact, d'un faible encombrement de l' installation de mesure, notamment pour un processus se déroulant en continu, la source de lumière, les photomètres et l' installation de traitement des signaux sont intégrés avantageusement dans une tête de mesure
commune qui est positionnée au-dessus de la face de mesure.
En outre, selon une réalisation avantageuse, il est prévu à l' installation de traitement des signaux une interface pour la communication avec un calculateur externe
et/ou avec un dispositif d'affichage.
Pour la transmission de la lumière partant des différentes sources, orientée sur la face de mesure ainsi que pour la transmission de la lumière de mesure aux
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photomètres on utilise de préférence, dans la mesure o cela est possible pour des raisons physiques, des guides de lumière flexibles constitués d'une pluralité de fibres optiques. Ce faisant, notamment en utilisant un guide de lumière qui est branché en forme d'un Y. un agencement directement avoisinant des photomètres est rendu possible, en favorisant une construction compacte et aussi la précision
des résultats de mesure.
L'avantage par rapport à d'autres agencements qui fonctionnent par exemple avec des rayons X (analyse à rayons X), avec de l'ellipsométrie ou des systèmes de mesure à rayons gamma, réside dans le court temps de réponse, la fréquence de mesure élevée, l'aptitude à l'automatisation et dans les coûts sensiblement plus bas et dans la facilité d'utilisation et d'entretien. Les couches les plus minces (inférieures à 20 nm à 100 nm) peuvent être mesurées également en direct au moyen de cette technologie
de mesure.
Des mesures d'épaisseur de couche et une mesure de réflexion de couleur peuvent être effectuées parallèlement pendant le processus. Cela permet une détection additionnelle de structures surfaciques, comme par exemple une structure chimique ou une rugosité, au résultat
d'épaisseurs de couches et de couleur.
La présente invention permet d'obtenir - pour les caractéristiques de couches et de systèmes à couches transparentes pour des zones spectrales différentes, avec des systèmes de mesure pour des zones spectrales différentes - une mesure qui réponde à la fois à une mesure de laboratoire simple mais aussi à des mesures en direct ou en ligne. A titre d'exemple, on indique uniquement des technologies de recouvrement de bande sous vide ou sous des
conditions atmosphériques normales.
Pendant les processus de revêtement qui se déroulent, certaines étapes de procédé se répètent à des intervalles déterminés. Les écarts produits, résultant de la technique de fabrication, de l'allure de courbe spectrale normale,
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auparavant calibrée, peuvent étre rattrapés rapidement avec
l' installation conforme à l' invention.
A partir de chaque mesure d'une étape technologique spéciale, on peut faire un pronostic se rapportant au déroulement ultérieur du procédé. I1 est ainsi possible de déterminer un instant optimal pour terminer une étape de
revêtement par une mesure en ligne.
Comme déjà indiqué, il faut procéder pour la commande de l' installation à un calibrage préalable des couches dans les étapes technologiques individuelles. Les résultats de calibrage sont stockés et sont destinés alors à la
comparaison avec les valeurs réelles obtenues.
La très bonne stabilité thermique et la stabilité des longueurs d'ondes, par exemple des systèmes de spectromètre MCS 500 à W-VIS-NIR-(IR) permet donc une évaluation excellente selon des couches et/ou propriétés de spectre et leurs déplacements respectivement modifications ce qui a de l' importance notamment pour la détermination de l'épaisseur des couches, de la couleur et d'autres paramètres chimiques
et physiques.
L' invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci
apparaitront plus clairement au cours de la description
explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple et dans lesquels: la figure 1 représente la structure de principe d'une installation de mesure conforme à l' invention, la figure 2 représente l' allure de la courbe d'un spectre de mesure, la figure 3 représente des spectres d'interférence d'une couche en CdS sur du molybdène dans la zone des longueurs d'onde W/VIS, la figure 4 représente des spectres de réflexion, en réflexion diffuse d'une couche en CdS sur une couche en CIS, la figure 5 représente l'épaisseur de la couche en CdS en fonction de la position des minima d'interférence lors d'une réflexion diffuse, la figure 6 représente des spectres de réflexion dans la plage NIR d'échantillons avec des couches en CIS similaires et la figure 7 représente des spectres de réflexion dans la plage NIR d'échantillons avec des couches CIS différentes. La figure 1 est une représentation simplifiée d'une installation de mesure conforme à l' invention qui convient particulièrement pour la détection en continu de paramètres de qualité lors du revêtement d'une bande de matériau, par exemple en rapport avec la fabrication de modules à couches
minces en CIS.
On reconnaît une tête de mesure 1 qui est disposoe au-
dessus d'un produit 2 d'une manière agustable dans les directions x, y et Z d'un système de coordonnées. La tête de mesure 1 dispose d'une unité optique 3 qui est couplée avec une installation d'éclairage 4 dans laquelle sont présentes des sources de rayonnement qui couvrent les zones des longueurs d'onde W. VIS et IR sans vides. A l' aide de l'unité optique 3, par exemple d'un objectif, la lumière de l' installation d'éclairage 4 est orientée sur une face de
mesure 5 au produit 2.
Egalement à l'aide de l'unité optique 3, de la lumière réfléchie ou également émise par la face de mesure 5 est
détectée et est orientée vers un détecteur 6.
Au détecteur 6 est couplé un guide de lumière 7 ramifié en forme de Y par lequel la lumière de mesure arrive à la fois dans un spectromètre W-VIS 8 et aussi dans un spectromètre NIR 9. Ce faisant, le spectrophotomètre WVIS 8 couvre toute la zone ultraviolette et aussi la zone de la lumière visuelle sur, en tout, 200 nm jusqu'à 900 nm tandis que le spectromètre NIR 9 détecte la plage infrarouge proche de 900 nm jusqu'à 2400 nm qui fait directement suite à la plage de longueur
d'onde du spectrophotomètre W-VIS 8.
Dans le spectrophotomètre W-VIS 8 et dans le spectromètre NIR 9, les signaux optiques requs sont transformés en signaux électroniques et sont transmis à une unité de traitement de signaux 10. En vue de liaison à un calaulateur externe et/ou un dispositif d'affichage, il est prévu une interface 11 à l' installation de traitement de
signaux 10.
La détection de la lumière de mesure sur une large zone de longueur d'onde de 200 nm jusqu'au-delà de 2400 nm permet à la fois les mesures de couleur et aussi d'épaisseur de couche, par exemple de couches en CdS, CIS
et également en ZnO.
Sur la figure 2 est représentée à titre d'exemple l' allure de courbe d'un spectre de mesure qui reflète le dogré de réflexion d'une couche de matériau en fonction de
la longueur d'onde.
Ce spectre de mesure est comparé à un spectre de consigne calibré avant le début de la mesure et stocké dans l' installation de traitement de signaux 10. Des différences produites relativement au spectre de consigne sont transformées à l' aide de l' installation de traitement de
signaux 10 en des signaux de correction correspondants.
Cet agencement de mesure convient pour l'exéaution des étapes de procédé conformes à l' invention o, par exemple la détermination des caractéristiques des couches est possible dans un système à couches, qui est constitué d'une couche de molybdène, d'une couche en CIS appliquée sur celle-ci et d'une couche en CdS appliquée sur la couche CIS. L'épaisseur de la couche en CdS est dans ce cas par
exemple de 20 nm à 90 nm.
Comme beaucoup d'autres métaux, le molybJène est transparent en partie dans le IR dans des plages de fréquence différentes. En particulier, par exemple lors d'un angle de radiation incidente de la lumière de mesure de 45 et d'un angle de détection de 45 (agencement spéculaire), on peut déterminer avec l'agencement conforme à l' invention à partir des interférences les épaisseurs des couches. Pour la mesure de la rugosité convient d'une manière spécifique une mesure dans la zone visible étant donné qu'en raison de la non-transparence, notamment des couches proches de la surface sont détectées. Par la mesure de la différence des intensités spectrales lors d'un agencement spéculaire et diffus, on peut déterminer en
12 2824902
raison de la puissance de diffusion ou de disperelon la
rugosité et la provenance de celle-ci.
La couche en CIS est transparente à l'infrarouge proche, o la couche en molybdène situce d'une manière correspondante en dessous devient non transparente dans le NIR. Ici, l'agencement conforme à l' invention peut être utilisé d'une manière particulièrement avantageuse étant donné que lors d'un agencement spéculaire, l'épaisseur de couche peut être calculée par les maxima d'interférence et les minima d'interférence très simplement. Dans la réflexion diffuse, également les interférences peuvent être déterminées, de plus, à partir de l'amortissement de l'interférence et de l'allure de la réflexion, on peut également obtenir des affirmations se rapportant à la
structure chimique et morphologique de la couche.
Dans la zone des longueurs d'onde W/VIS, la couche en CIS est optiquement dense tandis que la couche CdS peut être mesurée clairement, également à cette épaisseur réduite. A partir des interférences on peut calauler facilement les épaisseurs de couche correspondantes, en tirant profit du rapport linéaire entre l'épaisseur de la -couche et la position des minima d'interférence. Dans la zone W domine l' absorption du semi- conducteur CdS, o on peut conclure par la position et la pente de l'arête d' absorption sur la qualité (y compris le dotage) de la
couche et des caractéristiques semi-conductrices de celle-
ci. Le cas échéant on peut encore évaluer une couche en
ZnO appliquce additionnellement, comme la couche en CdS.
Les exemples montrent clairement que par le choix conforme à l' invention des zones de mesure et l'enchaînement de géométries de mesure différentes, une qualification claire et suffisante de systèmes à couches
multiples peut également avoir lieu simultanément.
Quelques résultats de mesure qui ont été obtenus en rapport avec la détermination de l'épaisseur de la couche
en CdS, sont indiqués sur les figures 3 à 7.
13 2824902
Claims (14)
1. Procédé pour la détermination de propriétés géométriques et optiques des différentes couches d'un système à couches, caractérisé en ce que les moyens de me sure et l e s méthades de mesure pour l a dét erminat ion de s caractéristiques respectivement d'une des couches sont prédéfinis en fonction des caractéristiques optiques de cette couche et en fonction des caractéristiques optiques
des couches situées au-dessus dans la direction de mesure.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la détermination des caractéristiques de plusieurs couches du système à couches est effectuée simultanément, cependant pour chaque couche avec des moyens de mesure et des méthodes de mesure séparées, dépendant de leurs caractéristiques optiques et des caractéristiques optiques
des couches situées respectivement au-dessus.
3. Procédé selon la revendication 1 ou 2 pour un système à couches constitué d'une couche en molybJène, d'une couche en CIS appliquée sur celle-ci et d'une couche en CdS appliquée sur la couche en CIS, caractérisé en ce que - on mesure avec un rayonnement IR, orienté vers le système à couches, d'une zone de longueur d'onde pour laquelle la couche en molybJène est au moins partiellement transparente, les interférences spectrales et, à partir du résultat de mesure, on détermine l'épaisseur de la couche de molybdène, - on mesure avec un rayonnement proche de l'infrarouge orienté vers le système à couches d'une zone de longueur d'onde pour laquelle la couche en CIS est au moins partiellement transparente, cependant la couche en molybdène n'est pas transparente, les maxima d'interférence et les minima d'interférence et, à partir du résultat de mesure, on détermine l'épaisseur de la couche en CIS et - on mesure avec un rayonnement W ou VIS orienté vers le système à couches d'une zone de longueur d'onde pour laquelle la couche en CdS est au moins partiellement transparente, cependant la couche en CIS n'est pas transparente, les maxima d'interférence et les minima d'interférence et on détermine, à partir du résultat de
mesure, l'épaisseur de la couche en CdS.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que de plus, l'intensité spectrale est mesurée lors d'un agencement spéculaire et diffus et, à partir de la différence des résultats sur la base de la puissance de diffusion, la rugosité de la surface de la couche en
molybdène est déterminée.
5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'amortissement de l'interférence et/ou l'allure de la réflexion du rayonnement proche de l'infrarouge sont déterminés et, à partir de ceux- ci, des informatlons sont obtenues sur la constitution chimique et morphologique de
la couche en CIS.
6. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'absorption du rayonnement W respectivement VIS est déterminée et, à partir de la position et de la pente de l'arête d' absorption, des informations sont obtenues sur la qualité et les caractéristiques semi-conductrices de la
couche en CdS.
7. Procédé selon l'une des revendication précédentes, caractérisé en ce que les mesures et évaluations sont effectuées pendant la constitution des couches se déroulant en continu et en ce que les résultats sont utilisés pour la commande et la surveillance de la qualité des opérations de revêtement.
8. Installation de mesure pour la détermination de caractéristiques géométriques et/ou optiques des différentes couches d'un système à couches, avec au moins une installation d'éclairage (4) servant à éclairer une face de mesure (5) sur le produit (2), avec au moins un détecteur pour la lumière provenant de la face de mesure (5) et avec une installation de traitement de signaux (10) qui est en liaison avec les sorties des signaux du détecteur, caractérisoe en ce que - l'installation d'éclairage (4) présente des sources de rayonnement dont le rayonnement couvre sans vides les zones des longueurs d'onde W. VIS et IR et - des détecteurs sont prévus pour des zones de longueur d'onde respectivement directement avoisinantes, o les détecteurs et l' installation de traitement de signaux (10) sont réalisés pour l'évaluation sans vides de la lumière provenant de la face de mesure (5) avec des
longueurs d'ondes de 200 nm jusqu'à au-delà de 2400 nm.
9. Installation de mesure selon la revendication 8, caractérisée en ce que sont prévus comme détecteurs un spectrophotomètre W-VIS (8) et un spectrophotomètre proche
de l'infrarouge (9).
10. Installation de mesure selon la revendication 9, caractérisée en ce que les spectrophotomètres (8, 9) sont réalisés sous forme de spectrophotomètres à matrice de photodiodes.
11. Installation de mesure selon l'une des
revendications 8 à 10, caractérisce en ce que
l' installation d'éclairage (4), les photomètres et l' installation de traitement de signaux (10) sont intégrés
dans une tête de mesure commune (1) qui est positionnée au-
dessus de la face de mesure (5), o l'angle d' incidence a
du rayonnement sur la face de mesure peut étre varié.
12. Installation de mesure selon l'une des
revendications 8 à 11, caractérisée en ce que
l' installation de traitement de signaux (10) présente une interface (11) destinée au couplage à un calculateur
externe et/ou un dispositif d'affichage.
13. Installation de mesure selon l'une des
revendications 8 à 12, caractérisée en ce que pour la
transmission de la lumière partant de l' installation d'éclairage (4), orientée sur la face de mesure (5) ainsi que pour la transmission de la lumière partant de la face de mesure (5) aux photomètres, des guides de lumière
flexibles (7) sont prévus.
14. Installation de mesure selon la revendication 13, caractérisée en ce que les guides de lumière (7) sont
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