JPH01230241A - 埋込拡散層の不良検出方法 - Google Patents
埋込拡散層の不良検出方法Info
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- JPH01230241A JPH01230241A JP5502688A JP5502688A JPH01230241A JP H01230241 A JPH01230241 A JP H01230241A JP 5502688 A JP5502688 A JP 5502688A JP 5502688 A JP5502688 A JP 5502688A JP H01230241 A JPH01230241 A JP H01230241A
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- wafer
- light
- wavelength
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体集積回路の埋込拡散層に発生する欠陥
検出方法、特に欠陥ロゼツトとウェハ上の酸（１，膜に
対し、それぞれ透過率の異なる紫外光もしくは赤外光を
用いるか、また前記欠陥ロゼツトが有する吸収帯をカバ
ーする範囲の波長走査赤外光を用いて光学的に欠陥を検
出する方法に関するものである。
検出方法、特に欠陥ロゼツトとウェハ上の酸（１，膜に
対し、それぞれ透過率の異なる紫外光もしくは赤外光を
用いるか、また前記欠陥ロゼツトが有する吸収帯をカバ
ーする範囲の波長走査赤外光を用いて光学的に欠陥を検
出する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来半導体集積回路、特にバイポーラ素子を使用した集
積回路の製造において、コレクタシリーズ抵抗低下のた
め埋込拡散層にＮ＋拡散が行われる。この埋込拡散層の
形成時に欠陥が発生することがあり、例えば″イオン注
入によるｓｂ拡散・ロゼツト欠陥の抑制効果”（１９８
５年秋季、京都大学における第４６回応用物理学会学術
講演会講演予稿集３ａ−Ｗ−７、小林能１名）にロゼツ
ト欠陥が報告されている。これはスピンオン拡散で特に
ドーパントとしてｓｂやＡｓを用いた場合に、酸化膜中
に“ロゼツト”と呼ばれる欠陥が発生することであり、
このロゼツトはＳｉｋ而にも到達し、素子の特性を低下
させることもある。
積回路の製造において、コレクタシリーズ抵抗低下のた
め埋込拡散層にＮ＋拡散が行われる。この埋込拡散層の
形成時に欠陥が発生することがあり、例えば″イオン注
入によるｓｂ拡散・ロゼツト欠陥の抑制効果”（１９８
５年秋季、京都大学における第４６回応用物理学会学術
講演会講演予稿集３ａ−Ｗ−７、小林能１名）にロゼツ
ト欠陥が報告されている。これはスピンオン拡散で特に
ドーパントとしてｓｂやＡｓを用いた場合に、酸化膜中
に“ロゼツト”と呼ばれる欠陥が発生することであり、
このロゼツトはＳｉｋ而にも到達し、素子の特性を低下
させることもある。
第４図はロゼツト発生を示す断面図である。同図（ａ）
において、４１はシリコン基板でＰ型シリコンを使用す
る。４２は酸化膜であり、シリコン基板上にパターン化
されている。
において、４１はシリコン基板でＰ型シリコンを使用す
る。４２は酸化膜であり、シリコン基板上にパターン化
されている。
同図（ｂ）において、４３はスピオンｓｂドーピング酸
化膜であり、シリコン基板４１の表面と酸化膜４２の上
に塗布により形成する。
化膜であり、シリコン基板４１の表面と酸化膜４２の上
に塗布により形成する。
同図（ｃ）は同図（ｂ）の素子を１２００−１２５０℃
で３０〜７００分の熱処理（Ｓｂ拡散）したときの状態
図である。図において４４はスピンオンｓｂドーピング
酸化膜より固相拡散で形成したＮ＋埋込拡散層である。
で３０〜７００分の熱処理（Ｓｂ拡散）したときの状態
図である。図において４４はスピンオンｓｂドーピング
酸化膜より固相拡散で形成したＮ＋埋込拡散層である。
４５はロゼツトと呼ばれる欠陥であり、酸化膜４２が結
晶化したものである。また４６は異状拡散層である。酸
化物の結晶化したものには、一般にクリストバライト（
正方晶系）とトリジマイト（六方晶系）があるといわれ
ている。
晶化したものである。また４６は異状拡散層である。酸
化物の結晶化したものには、一般にクリストバライト（
正方晶系）とトリジマイト（六方晶系）があるといわれ
ている。
第５図はロゼツトのＳＥＭ写真の模写図であり、スピン
オンｓｂドーピング酸化膜により埋込拡散層形成時に発
生したロゼツト（５０００倍）を示す。同図によればｓ
ｂロゼツトは六方晶系でありトリジマイトと推定される
。これらの結晶化した５ＩＯ２は文献、例えば“シリコ
ン集積素子技術の基礎″（地人書館、Ｒ，Ｍ、バーガー
、Ｒ，Ｐ、 トノファン編１２１頁４．４項）によれ
ば、酸化膜より緻密で酸化膜との境界は多孔質的な性質
を有する。従って不純物の拡散速度が速く、酸化膜４２
が結晶化したロゼツト４５の下部のシリコン基板４１表
面にＮ反転した異状拡散層４Ｂが形成されると考えられ
る。
オンｓｂドーピング酸化膜により埋込拡散層形成時に発
生したロゼツト（５０００倍）を示す。同図によればｓ
ｂロゼツトは六方晶系でありトリジマイトと推定される
。これらの結晶化した５ＩＯ２は文献、例えば“シリコ
ン集積素子技術の基礎″（地人書館、Ｒ，Ｍ、バーガー
、Ｒ，Ｐ、 トノファン編１２１頁４．４項）によれ
ば、酸化膜より緻密で酸化膜との境界は多孔質的な性質
を有する。従って不純物の拡散速度が速く、酸化膜４２
が結晶化したロゼツト４５の下部のシリコン基板４１表
面にＮ反転した異状拡散層４Ｂが形成されると考えられ
る。
このロゼツトが形成されると素子特性が低下し、集積回
路の製造歩留りが極度に低下するため、埋込拡散の管理
上ロゼツトを検出することが必要である。そこで一般に
熱処理後、シリコン基板４１を５％程度の弗酸でライト
エッチを行い、埋込拡散層の不良に代る特性の１つとし
て、ロゼツト数を金属顕微鏡や走査型電子顕微鏡により
検出していた。
路の製造歩留りが極度に低下するため、埋込拡散の管理
上ロゼツトを検出することが必要である。そこで一般に
熱処理後、シリコン基板４１を５％程度の弗酸でライト
エッチを行い、埋込拡散層の不良に代る特性の１つとし
て、ロゼツト数を金属顕微鏡や走査型電子顕微鏡により
検出していた。
［発明が解決しようとする課題］
上記のような従来の金属顕微鏡によるロゼツト検出では
、ロゼツトの発生個数が通常０．１〜１０個／ ｃ４と
少ないため、少なくとも１〜１Ｏｃ−程度の大面積の外
観検査が必要で、１つ酸化膜もロゼツトも共に基本的に
可視光では透明な物質であり、屈折率のわずかな差から
生じる干渉色の違いが少ないという光学的明瞭度が低い
点や、干渉色に再現性がないことから自動検出装置の導
入が困難で、肉眼による検出が必要であった。
、ロゼツトの発生個数が通常０．１〜１０個／ ｃ４と
少ないため、少なくとも１〜１Ｏｃ−程度の大面積の外
観検査が必要で、１つ酸化膜もロゼツトも共に基本的に
可視光では透明な物質であり、屈折率のわずかな差から
生じる干渉色の違いが少ないという光学的明瞭度が低い
点や、干渉色に再現性がないことから自動検出装置の導
入が困難で、肉眼による検出が必要であった。
一方走査型電子顕微鏡によるロゼツト検出では、像のコ
ントラストは良好であるが、試料表面が酸化膜のような
絶縁膜で覆われているため、チャージアップ現象防止の
ため金コートが必要であり、破壊検査となるので生産ラ
インへの導入が困難であった。従って以上のいずれの方
法でも生産ラインでの多量のシリコン基板の検査には長
時間を要し、技術的に満足できるものではなかった。
ントラストは良好であるが、試料表面が酸化膜のような
絶縁膜で覆われているため、チャージアップ現象防止の
ため金コートが必要であり、破壊検査となるので生産ラ
インへの導入が困難であった。従って以上のいずれの方
法でも生産ラインでの多量のシリコン基板の検査には長
時間を要し、技術的に満足できるものではなかった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、生産ラインでの多量のシリコン基板のロゼツト検査
を可能とし、埋込拡散層の不良を防止し、製造過程での
歩留りの同上を計れる優れた検査方法を得ることを目的
とする。
で、生産ラインでの多量のシリコン基板のロゼツト検査
を可能とし、埋込拡散層の不良を防止し、製造過程での
歩留りの同上を計れる優れた検査方法を得ることを目的
とする。
［課題を角了決するだめの手段］
この発明に係る埋込拡散層の不良検出方法では、第１及
び第２の方法として、欠陥ロゼツトとウェハ上の酸化膜
に対し、それぞれ透過率の異なる紫外光及び赤外光を前
記ウェハに照射し、紫外反射光の強弱を検出するか、又
は赤外透過光の強弱を検出することにより、前記埋込拡
散層のロゼツトを検出する方法を実施するものである。
び第２の方法として、欠陥ロゼツトとウェハ上の酸化膜
に対し、それぞれ透過率の異なる紫外光及び赤外光を前
記ウェハに照射し、紫外反射光の強弱を検出するか、又
は赤外透過光の強弱を検出することにより、前記埋込拡
散層のロゼツトを検出する方法を実施するものである。
また第３の方法としては、欠陥ロゼツトが資する吸収帯
（波長２．５μｍ〜３，０μｍ）をカバーする範囲の波
長走査赤外線を前記ウェハに照射し、該ウェハ及びその
上の酸化膜を透過した波長走査透過光を前記波長走査と
同期して検出し、前記欠陥ロゼツトに対する吸収帯の有
無を判断して、前記埋込拡散層のロゼツトを検出する方
法を実施するものである。
（波長２．５μｍ〜３，０μｍ）をカバーする範囲の波
長走査赤外線を前記ウェハに照射し、該ウェハ及びその
上の酸化膜を透過した波長走査透過光を前記波長走査と
同期して検出し、前記欠陥ロゼツトに対する吸収帯の有
無を判断して、前記埋込拡散層のロゼツトを検出する方
法を実施するものである。
［作用］
この発明においては、埋込拡散層の不良検出法として、
ロゼツトを形成している六か晶系の結晶石英と通常の酸
化膜か紫外光領域及び赤外光領域てｄ過度が異なること
を利用し、前記紫外光又は赤外光をウェハに照射し、前
記ウェハからの紫外反射光又は赤外透過光の強弱により
ロゼツトを検出する。
ロゼツトを形成している六か晶系の結晶石英と通常の酸
化膜か紫外光領域及び赤外光領域てｄ過度が異なること
を利用し、前記紫外光又は赤外光をウェハに照射し、前
記ウェハからの紫外反射光又は赤外透過光の強弱により
ロゼツトを検出する。
またロゼツトかａする吸収帯（波長２，５μｍ〜３．０
ＩＪｍ）をカバーする範囲の波長走査赤外光をウェハに
照射し、前記ウェハからの透過した波長走査透過光を前
記波長走査と同期して赤外光センサで受光し、その受光
波長及び信号強度から前記吸収帯のｈｍを判断すること
によりロゼツトを検出する。
ＩＪｍ）をカバーする範囲の波長走査赤外光をウェハに
照射し、前記ウェハからの透過した波長走査透過光を前
記波長走査と同期して赤外光センサで受光し、その受光
波長及び信号強度から前記吸収帯のｈｍを判断すること
によりロゼツトを検出する。
［実施例］
第１図は本発明の第１の実施例を示す構造図であり、１
１はウェハ、１２はＤｅｅｐ Ｕ Ｖ光源、１３は波長
帯域２００ ｎｍ±２０ｎｍのバンドパスフィルタ、１
４はハーフミラ−１１５はＤｅｃｐＵＶセンサ、１６は
試料台、１７は試料台移動系である。
１はウェハ、１２はＤｅｅｐ Ｕ Ｖ光源、１３は波長
帯域２００ ｎｍ±２０ｎｍのバンドパスフィルタ、１
４はハーフミラ−１１５はＤｅｃｐＵＶセンサ、１６は
試料台、１７は試料台移動系である。
第１図の動作を説明する。Ｄｅｅｐ Ｕ Ｖ先ＦＡＩ２
からのＤｃｅｐＵＶ光を波長帯域２０Ｏｎｍ±２０ｎｍ
の干渉型バンドパスフィルタ１３を通し、ハーフミラ−
１４で反射した中心波長２００ ｎｍのＤｅｅｐＵＶ光
をウェハ１１の表面に照射する。ウェハ１１からの反射
光はハーフミラ−１４を介し、ＤｅｅｐＵＶセンサ１５
で受光される。ＤｏｅｐＵＶセンサ１５は受光信号を光
電変換し電気信号を出力する。試料台ＩＢは試料台移動
系１７により２次元的に移動されるので、ウェハ１１の
全面にわたってＤｅｅｐ Ｕ Ｖ光で走査することがで
きる。
からのＤｃｅｐＵＶ光を波長帯域２０Ｏｎｍ±２０ｎｍ
の干渉型バンドパスフィルタ１３を通し、ハーフミラ−
１４で反射した中心波長２００ ｎｍのＤｅｅｐＵＶ光
をウェハ１１の表面に照射する。ウェハ１１からの反射
光はハーフミラ−１４を介し、ＤｅｅｐＵＶセンサ１５
で受光される。ＤｏｅｐＵＶセンサ１５は受光信号を光
電変換し電気信号を出力する。試料台ＩＢは試料台移動
系１７により２次元的に移動されるので、ウェハ１１の
全面にわたってＤｅｅｐ Ｕ Ｖ光で走査することがで
きる。
文献例えば“分光学的性質を主とした基礎物性図表″
（工藤恵栄粁、共立出版株式会社）によると、ウェハ１
１の表面に形成されている通常の酸化膜と同一の性質を
持つ水晶（溶融）の波長２００ ｎｉでの透過度は厚さ
６．４Ｇ關で８５％である。しかしロゼツトである六方
晶系の結晶石英と同一の性質を持つ水晶（結晶）の同一
波長での透過度は厚さ２．０ｍｍで２９％であり、また
シリコンの波長２００ ｎｍでの反射率は６５％で、且
つ酸化膜表面での表面反射量は４５％である。そこでも
しウェハ１１にロゼツトが存在している場合には、ロゼ
ツト４５とシリコン基板４１上の酸化膜４２とが波長２
００ ｎｍの紫外光に対する透過度の差により、Ｄｅｃ
ｐＵＶセンサ１５に受光される反射光に強弱があり、コ
ントラストの高い検出信号が得られ、ロゼツトは容易に
検出される。このロゼツトの検出は通常その形状や大き
さよりも、１１１位面積当りの発生数量を主目的ととし
て検出するため、ＤｅｅｐＵＶセンサ１５は通常のしき
い値を設定し、充電変換された出力電圧がこのしきい値
以下となったらロゼツトＦＡ出出力を発生する方法でよ
い。
（工藤恵栄粁、共立出版株式会社）によると、ウェハ１
１の表面に形成されている通常の酸化膜と同一の性質を
持つ水晶（溶融）の波長２００ ｎｉでの透過度は厚さ
６．４Ｇ關で８５％である。しかしロゼツトである六方
晶系の結晶石英と同一の性質を持つ水晶（結晶）の同一
波長での透過度は厚さ２．０ｍｍで２９％であり、また
シリコンの波長２００ ｎｍでの反射率は６５％で、且
つ酸化膜表面での表面反射量は４５％である。そこでも
しウェハ１１にロゼツトが存在している場合には、ロゼ
ツト４５とシリコン基板４１上の酸化膜４２とが波長２
００ ｎｍの紫外光に対する透過度の差により、Ｄｅｃ
ｐＵＶセンサ１５に受光される反射光に強弱があり、コ
ントラストの高い検出信号が得られ、ロゼツトは容易に
検出される。このロゼツトの検出は通常その形状や大き
さよりも、１１１位面積当りの発生数量を主目的ととし
て検出するため、ＤｅｅｐＵＶセンサ１５は通常のしき
い値を設定し、充電変換された出力電圧がこのしきい値
以下となったらロゼツトＦＡ出出力を発生する方法でよ
い。
第２図は本発明の第２の実施例を示す構造図であり、１
１及び１７は第１図の機器と全く同一のものである。２
２は赤外先光源、２３は波長帯域４μｍ±０．１ＬＩＩ
ｎのバンドパスフィルタ、２４はサファイア製試料台、
２５は赤外光センサである。
１及び１７は第１図の機器と全く同一のものである。２
２は赤外先光源、２３は波長帯域４μｍ±０．１ＬＩＩ
ｎのバンドパスフィルタ、２４はサファイア製試料台、
２５は赤外光センサである。
第２図の動作を説明する。赤外光光源２２からの赤外光
を波長帯域４−±０．１μｍのバンドパスフィルタ２３
を通して中心波長４−の赤外光となし、サファイア製の
試料台２４を通してウェハ１１の裏面側に照射する。ウ
ェハ１１からの透過光は赤外光センサ２５に受光される
。赤外光センサ２５は受光信号を光電変換し電気信号を
出力する。また試料台２４は試料台移動系１７により２
次元的に移動されるので、ウェハ１１の全面を走査する
ことができる。第１図の説明で引用した文献によると、
ウェハ１１の表面に形成されている通常の酸化膜と同一
性質を持つ水晶（溶融）の波長４μｍの透過度は厚さ６
．４６ｍｍで７０％である。しかしロゼツトである六方
晶系の結晶石英と同一の性質を持つ水晶（結晶）の同一
波長での透過度は厚さ２，０關で２０％であり、またシ
リコンの透過度は厚さ２，５順で５５％である。半導体
集積回路で使用されるシリコンＭｌの厚さは通常０．４
〜０．７ ｍ１１であり、波長４１ＪＩＩ＋の赤外光は
十分に透過できる。従ってロゼツト４５とシリコン基板
４１及び酸化膜４２とか波長４ＩＪＩ１１の赤外光に対
する透過度の差により、赤外光センサ２５はウェハ１１
を透過する赤外光の強弱を検出し、ロゼツトを容易に検
出することかできる。赤外光センサ２５の検出法はＤｅ
ｅｐ Ｕ Ｖセンサ１５のロゼツト検出法と同様にしき
い値の設定によるレベル検出でよい。
を波長帯域４−±０．１μｍのバンドパスフィルタ２３
を通して中心波長４−の赤外光となし、サファイア製の
試料台２４を通してウェハ１１の裏面側に照射する。ウ
ェハ１１からの透過光は赤外光センサ２５に受光される
。赤外光センサ２５は受光信号を光電変換し電気信号を
出力する。また試料台２４は試料台移動系１７により２
次元的に移動されるので、ウェハ１１の全面を走査する
ことができる。第１図の説明で引用した文献によると、
ウェハ１１の表面に形成されている通常の酸化膜と同一
性質を持つ水晶（溶融）の波長４μｍの透過度は厚さ６
．４６ｍｍで７０％である。しかしロゼツトである六方
晶系の結晶石英と同一の性質を持つ水晶（結晶）の同一
波長での透過度は厚さ２，０關で２０％であり、またシ
リコンの透過度は厚さ２，５順で５５％である。半導体
集積回路で使用されるシリコンＭｌの厚さは通常０．４
〜０．７ ｍ１１であり、波長４１ＪＩＩ＋の赤外光は
十分に透過できる。従ってロゼツト４５とシリコン基板
４１及び酸化膜４２とか波長４ＩＪＩ１１の赤外光に対
する透過度の差により、赤外光センサ２５はウェハ１１
を透過する赤外光の強弱を検出し、ロゼツトを容易に検
出することかできる。赤外光センサ２５の検出法はＤｅ
ｅｐ Ｕ Ｖセンサ１５のロゼツト検出法と同様にしき
い値の設定によるレベル検出でよい。
第′う図は本発明の第３の実施例を示す構造図であり、
１１．１７．２２．２４．２５は第２図の機器と全く同
一のものである。３３は回折格子、３４は回折格子走査
系である。
１１．１７．２２．２４．２５は第２図の機器と全く同
一のものである。３３は回折格子、３４は回折格子走査
系である。
第３図の動作を説明する。赤外光光源２２からの赤外光
は、回折格子３３および回折格子走査系３４により分光
した波長２〜３μｍの範囲で高速に波長走査される赤外
光に変換され、サファイア製の試料台２４を通してウェ
ハｉｔの裏面側に照射される。ウェハ１１からの波長走
査透過光は赤外光センサ２５により、回折格子の走査系
と同期して透過光の波長に対する受光強度が光電変換さ
れ電気信号となり出力される。また試料台２４は試料台
移動系１７により２次元的に移動されるので、波長２〜
３−の赤外光によりウェハ１１の全面を走査することが
できる。第１図の説明で引用した文献によると、ウェハ
１１の表面に形成されている通常の酸化膜と同一性質を
持つ水晶（溶融）の波長２〜３μｍの赤外光の透過度は
厚さ６ 、４６ ｍ１１で９０〜８５％であり、平坦な
特性である。しかしロゼツトである六方晶系の結晶石英
と同一の性質を持つ水晶（結晶）は波長２．５〜３μｍ
に吸収帯があるので、波長２．０〜３．０μｍでの赤外
光の透過度は低下している。またシリコンの透過度は厚
さ２．５ｍｍで５５％であり、波長２〜３１ＪＩｎの間
では平坦な特性である。一般に集積回路で使用されるシ
リコン基板の厚さ０．４〜０．７報であり、波長２〜３
μｍの赤外光は十分透過する。
は、回折格子３３および回折格子走査系３４により分光
した波長２〜３μｍの範囲で高速に波長走査される赤外
光に変換され、サファイア製の試料台２４を通してウェ
ハｉｔの裏面側に照射される。ウェハ１１からの波長走
査透過光は赤外光センサ２５により、回折格子の走査系
と同期して透過光の波長に対する受光強度が光電変換さ
れ電気信号となり出力される。また試料台２４は試料台
移動系１７により２次元的に移動されるので、波長２〜
３−の赤外光によりウェハ１１の全面を走査することが
できる。第１図の説明で引用した文献によると、ウェハ
１１の表面に形成されている通常の酸化膜と同一性質を
持つ水晶（溶融）の波長２〜３μｍの赤外光の透過度は
厚さ６ 、４６ ｍ１１で９０〜８５％であり、平坦な
特性である。しかしロゼツトである六方晶系の結晶石英
と同一の性質を持つ水晶（結晶）は波長２．５〜３μｍ
に吸収帯があるので、波長２．０〜３．０μｍでの赤外
光の透過度は低下している。またシリコンの透過度は厚
さ２．５ｍｍで５５％であり、波長２〜３１ＪＩｎの間
では平坦な特性である。一般に集積回路で使用されるシ
リコン基板の厚さ０．４〜０．７報であり、波長２〜３
μｍの赤外光は十分透過する。
従ってロゼツト検出光として波長２〜３−の赤外光を高
速で波長走査させなからウェハ１１に照射し、ウェハ１
１の透過光の中から赤外光センサ２５が受光波長及びそ
の受光強度を検出し、ロゼツトが有する波長２．５〜３
．０ｕｍの吸収帯の有無を判断することによりロゼツト
を検出することができる。このロゼツト検出法は、ロゼ
ツトの状態による吸収帯の移動による影響、試料上の塵
埃、赤外光の走査ムラ等の影響を除去した外乱に強い検
出方法である。
速で波長走査させなからウェハ１１に照射し、ウェハ１
１の透過光の中から赤外光センサ２５が受光波長及びそ
の受光強度を検出し、ロゼツトが有する波長２．５〜３
．０ｕｍの吸収帯の有無を判断することによりロゼツト
を検出することができる。このロゼツト検出法は、ロゼ
ツトの状態による吸収帯の移動による影響、試料上の塵
埃、赤外光の走査ムラ等の影響を除去した外乱に強い検
出方法である。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、埋込拡散層の不良検出
法として、欠陥ロゼツトとウエノ１上の酸化膜に対し、
それぞれ透過率の異なる紫外光もしくは赤外光の照射に
よる反射光又は透過光の強弱を検出する方法か、又は欠
陥ロゼツトが有する吸収帯をカバーする波長走査赤外線
の照射による透過光から前記吸収帯の存在を検出するる
方法を採用したので、生産ラインでの多量のシリコン基
板の自動的ロゼツト検査を可能として、生産性の向上に
効果がある。
法として、欠陥ロゼツトとウエノ１上の酸化膜に対し、
それぞれ透過率の異なる紫外光もしくは赤外光の照射に
よる反射光又は透過光の強弱を検出する方法か、又は欠
陥ロゼツトが有する吸収帯をカバーする波長走査赤外線
の照射による透過光から前記吸収帯の存在を検出するる
方法を採用したので、生産ラインでの多量のシリコン基
板の自動的ロゼツト検査を可能として、生産性の向上に
効果がある。
また上記自動的ロゼツト検査により製造過程での歩留り
が向上し経済的効果がある。
が向上し経済的効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の構造図、第２図は本発
明の第２の実施例の構造図、第３図は本発明の第３の実
施例の構造図、第４図はロゼツト発生を示す断面図、第
５図はロゼツトのＳＥＭ写真の模写図である。 図において、１１はウェハ、１２はＤｅｅｐ Ｕ Ｖ光
源、１３はバンドパスフィルタ、１４はハーフミラ−１
１５はＤＣ！０ｐＵＶセンサ、１６は試料台、１７は試
料台移動系、２２は赤外光光源、２３はバンドパスフィ
ルタ、２４はサファイア製試料台、２５は赤外光センサ
、３３は回折格子、３４は回折格子走査系、４１はシリ
コン基板、４２は酸化膜、４３はスピオンｓｂドーピン
グ酸化膜、４４は埋込拡散層、４５はロゼツト、４Ｂは
異状拡散層である。 口ｅ−６ｔ ｈ 化’！ｃ ％示すｗｒＷＪ１２ｇ第４
図
明の第２の実施例の構造図、第３図は本発明の第３の実
施例の構造図、第４図はロゼツト発生を示す断面図、第
５図はロゼツトのＳＥＭ写真の模写図である。 図において、１１はウェハ、１２はＤｅｅｐ Ｕ Ｖ光
源、１３はバンドパスフィルタ、１４はハーフミラ−１
１５はＤＣ！０ｐＵＶセンサ、１６は試料台、１７は試
料台移動系、２２は赤外光光源、２３はバンドパスフィ
ルタ、２４はサファイア製試料台、２５は赤外光センサ
、３３は回折格子、３４は回折格子走査系、４１はシリ
コン基板、４２は酸化膜、４３はスピオンｓｂドーピン
グ酸化膜、４４は埋込拡散層、４５はロゼツト、４Ｂは
異状拡散層である。 口ｅ−６ｔ ｈ 化’！ｃ ％示すｗｒＷＪ１２ｇ第４
図
Claims (3)
- （１）半導体集積回路の埋込拡散層に発生する欠陥ロゼ
ットを検出する方法に於て、 デープ（Ｄｅｅｐ）ＵＶ光源から出射される光をバンド
パスフィルタを介して波長１８０ｎｍから２２０ｎｍま
での範囲の紫外光とし、該紫外光を前記埋込拡散層を形
成したウェハ表面に照射し、前記ウェハ上の酸化膜及び
ロゼットを透過して反射される反射光を受光し、前記酸
化膜及びロゼットの前記紫外光に対する透過率の差に起
因する反射光の強弱を検出することにより、前記ロゼッ
トを検出することを特徴とする埋込拡散層の不良検出方
法。 - （２）半導体集積回路の埋込拡散層に発生する欠陥ロゼ
ットを検出する方法において、 赤外光光源より出射される光をバンドパスフィルタを介
して波長３．５μｍから４．５μｍまでの範囲の赤外光
とし、該赤外光を前記埋込拡散層を形成したウェハに照
射し、前記ウェハ並びに酸化膜及びロゼットを透過した
透過光を受光し、前記酸化膜及びロゼットの前記赤外光
に対する透過率の差に起因する透過光の強弱を検出する
ことにより、前記ロゼットを検出することを特徴とする
埋込拡散層の不良検出方法。 - （３）半導体集積回路の埋込拡散層に発生する欠陥ロゼ
ットを検出する方法において、 赤外光光源より出射される光を回折格子及び回折格子走
査系を介して波長２．０μｍから３．０μｍまでの範囲
を走査する走査赤外光とし、該走査赤外光を前記埋込拡
散層を形成したウェハに照射し、前記ウェハ並びに酸化
膜及びロゼットを透過した走査透過光を受光し、前記透
過光の波長及び信号強度を前記回折格子走査系と同期し
て検出し、前記ロゼットが赤外光領域に有する波長２．
５μｍから３．０μｍまでの範囲の吸収帯の有無を判断
し、前記ロゼットを検出することを特徴とする埋込拡散
層の不良検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5502688A JPH01230241A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 埋込拡散層の不良検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5502688A JPH01230241A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 埋込拡散層の不良検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230241A true JPH01230241A (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=12987156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5502688A Pending JPH01230241A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 埋込拡散層の不良検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01230241A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03225843A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Nec Corp | コンタクトホール開孔検出装置 |
| GB2380258B (en) * | 2001-05-15 | 2005-11-09 | Zeiss Carl Jena Gmbh | Method and arrangement for determining product characteristics in a contact-free manner |
| JP2012083335A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-04-26 | Yazaki Corp | 赤外光源 |
| JP2020502492A (ja) * | 2016-10-26 | 2020-01-23 | ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 反射型および透過型ナノフォトニック装置のための高スループット、高解像度光学計測 |
-
1988
- 1988-03-10 JP JP5502688A patent/JPH01230241A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03225843A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Nec Corp | コンタクトホール開孔検出装置 |
| GB2380258B (en) * | 2001-05-15 | 2005-11-09 | Zeiss Carl Jena Gmbh | Method and arrangement for determining product characteristics in a contact-free manner |
| JP2012083335A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-04-26 | Yazaki Corp | 赤外光源 |
| JP2020502492A (ja) * | 2016-10-26 | 2020-01-23 | ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 反射型および透過型ナノフォトニック装置のための高スループット、高解像度光学計測 |
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