[go: up one dir, main page]

FR2755540A1 - Cadre conducteur a fils de connexion, boitier le comportant et son procede de fabrication - Google Patents

Cadre conducteur a fils de connexion, boitier le comportant et son procede de fabrication Download PDF

Info

Publication number
FR2755540A1
FR2755540A1 FR9712230A FR9712230A FR2755540A1 FR 2755540 A1 FR2755540 A1 FR 2755540A1 FR 9712230 A FR9712230 A FR 9712230A FR 9712230 A FR9712230 A FR 9712230A FR 2755540 A1 FR2755540 A1 FR 2755540A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
main
molded body
housing
limit
zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
FR9712230A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisao Udagawa
Hiroshi Kotani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies Americas Corp
Original Assignee
International Rectifier Corp USA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Rectifier Corp USA filed Critical International Rectifier Corp USA
Publication of FR2755540A1 publication Critical patent/FR2755540A1/fr
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for individual devices of subclass H10D
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

L'invention concerne un cadre à fils de connexion. Elle se rapporte à un cadre qui comprend une zone (34) de plage principale destinée à supporter une pastille semi-conductrice et ayant une partie dépassant d'un bord, et au moins deux broches isolées placées le long d'un bord opposé de la zone (34) de plage principale, chaque broche ayant une partie dépassant de la limite du corps moulé et une zone (36) de plage de liaison, les broches ayant la même épaisseur que la zone (34) de plage principale et ayant une partie courbe placée à l'intérieur de la limite du corps moulé afin que la zone (36) de plage de liaison soit en saillie au-delà de la zone (34) de plage principale. Application aux boîtiers des dispositifs à semi-conducteur.

Description

La présente invention concerne un boîtier pour dispo-
sitifs à semi-conducteur et, plus précisément, un nouveau
boîtier TO-220 à montage en surface.
Le boîtier TO-220 correspond à une norme bien connue dans l'industrie. Le boîtier comporte une base conductrice de la chaleur qui est de préférence formée d'un métal et sur laquelle un dispositif à semi- conducteur est monté avec une
faible impédance thermique entre le dispositif et la base.
Le dispositif peut aussi être connecté électriquement à la base. Le dispositif à semi-conducteur et une partie du cadre sont encapsulés habituellement dans un matériau à base d'une résine qui protège le dispositif du milieu extérieur. Une saillie de blocage dépasse habituellement de la base vers l'extérieur de la résine époxyde protectrice et est fixée à la surface externe de montage pour l'évacuation de la chaleur du dispositif. En outre, des bornes de fils de connexion qui dépassent à l'extérieur du corps de résine
sont incorporées et possèdent des plages de liaison aux-
quelles sont disposées des connexions de liaisons formées de
fils entre le dispositif et les fils d'alimentation.
Dans un dispositif à montage en surface, la surface de la base qui est adjacente à la carte de circuit et qui est en face du dispositif est exposée au contact électrique avec
la carte du circuit.
Par exemple, les fils sont courbés vers l'extérieur du corps de résine afin qu'ils soient au contact de la surface
et donnent une connexion électrique avec la carte de cir-
cuit. Cette courbure des fils de connexion peut cependant
créer des contraintes mécaniques dans le corps de résine.
En outre, on utilise habituellement deux épaisseurs de métal. Un métal d'épaisseur importante est utilisé pour la base et un métal de faible épaisseur est utilisé pour les fils de connexion afin qu'ils puissent être courbés. Cette utilisation de deux épaisseurs accroît la complexité de la
fabrication du dispositif dans son boîtier.
La présente invention concerne un boîtier TO-220 à montage en surface dans lequel les fils de connexion sont courbés avant le moulage du corps de résine autour du dispositif et du cadre afin que la contrainte mécanique appliquée aux fils soient minimale. En outre, un matériau de cadre à fils de connexion d'une seule épaisseur est utilisé à la fois pour les fils de connexion et la zone des plages principales, si bien que les coûts du matériau sont minimaux et la hauteur du corps du boîtier est réduite. La longueur des fils à l'extérieur du boîtier est aussi réduite. Bien que la longueur combinée des fils de connexion à l'intérieur et à l'extérieur du boîtier soit accrue, la résistance et l'inductance incorporées au boîtier sont notablement réduites car les épaisseurs des fils sont les mêmes que celle de la région des plages principales. La configuration du cadre à fils de connexion permet aussi une augmentation du rendement d'assemblage. Le boîtier peut être utilisé à la place des boîtiers existants de réalisation TO-220 à montage en surface, mais il permet le logement de pastilles de plus
grande dimension que la partie existante de "dimension 411.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention
seront mieux compris à la lecture de la description qui va
suivre d'exemples de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 représente une coupe partielle en élévation latérale d'un boîtier TO-220 à montage en surface de type connu; la figure 2 est une vue en élévation latérale avec des parties arrachées d'un boîtier à montage en surface dans un mode de réalisation de l'invention; la figure 3A est une vue en plan d'une bande de cadres à fils de connexion et de leurs supports qui sont utilisés pour la fabrication selon l'invention; la figure 3B est une vue agrandie de l'un des cadres à fils de connexion et de ses supports;
la figure 4A est une vue agrandie représentant plu-
sieurs cadres à fils de connexion et des supports associés de la figure 3A sous forme plus détaillée; la figure 4B est une vue en élévation latérale de la bande représentée sur la figure 4A; et les figures 5A à 5E sont respectivement une vue en plan, une vue de bout, une vue en élévation latérale et des vues de dessous respectivement d'un corps de boîtier selon l'invention. On se réfère d'abord à la figure 1 qui représente un boîtier TO-220 classique 10 à montage en surface représenté en élévation latérale avec des parties arrachées. Une surface du dispositif 18 à semi-conducteur est fixée à une plaque métallique 14. Cette plaque 14 est en contact thermique avec le dispositif 18 mais peut aussi être connectée électriquement au dispositif. Une surface opposée du dispositif 18 est connectée à une ou plusieurs bornes 12 de fils de connexion par des liaisons 16 à fils. Le dispositif 18, une partie de la borne 12 et la plaque 14 sont encapsulés dans un corps de boîtier, habituellement
formé d'une résine.
Pour que le contact soit assuré avec la surface de montage, les bornes 12 sont courbées vers le bas, comme indiqué en trait interrompu pour la borne 12, après que le corps du boîtier a été moulé autour du cadre. L'opération de courbure après moulage crée des contraintes mécaniques dans
le corps du boîtier.
La plaque 14 a aussi une épaisseur supérieure à celle de la borne 12 si bien que le cadre doit être fabriqué en
métal ayant deux épaisseurs.
La figure 2 représente un boîtier TO-220 à montage en surface 20 dans un mode de réalisation de l'invention. Dans ce cas, la borne 22 du fil de connexion est courbée avant moulage du corps du boîtier autour du cadre et se trouve à l'intérieur du corps du boîtier afin que les contraintes mécaniques appliquées au corps du boîtier soient réduites au minimum. En outre, la borne 22 a la même épaisseur que la plaque 24 si bien que le boîtier peut être formé du matériau du cadre d'une seule épaisseur et les résistances et
inductances à l'intérieur du boîtier peuvent être réduites.
La hauteur du boîtier 20 est notablement réduite par rapport à celle du boîtier connu 10. En outre, bien qu'on puisse utiliser une longueur de borne 22 plus grande, la longueur de la partie de borne 22 qui dépasse à l'extérieur du boîtier 20 est réduite. La figure 3A représente une bande 30 comprenant plusieurs cadres 32 à fils de connexion avec des supports de connexion dont l'un est représenté plus en détail sur la figure 3B. Le cadre comporte une zone 34 de plage principale à laquelle est fixé électriquement et thermiquement un dispositif. Cette zone 34 est connectée à une plaque 42 qui a une partie inférieure 42A qui forme un contact de surface avec la zone 34 sur la surface de montage et qui a une partie supérieure 42B qui assure le support du cadre et est ensuite retirée après moulage. La plaque 42 est connectée à
un cadre adjacent par un support 45.
La zone 36 des plages de liaison qui sont connectées par des bornes 38 à une plaque 40 utilisée comme second contact avec la surface de montage est aussi incorporée. Un trou est formé dans la plaque 40 afin que chaque dispositif respectif formé de la bande 30 puisse être positionné par l'appareillage de liaison de pastilles et de liaison des fils métalliques, par exemple par insertion et rotation des rayons d'un pignon destiné à faire avancer la bande. Un support temporaire 44 connecte la zone 34 à la plaque 40 lors du moulage du dispositif, mais est ensuite retiré après moulage. La figure 4A représente plus en détail les cadres et supports représentés sur la figure 3A, la figure 4B étant une vue en élévation latérale. Selon l'invention, la zone 36 de plage de liaison est en saillie au-dessus de la surface de la plaque 40 et de la zone 34 de plage. La zone 36 est connectée à la borne 38 par une partie courbe 37. Comme représenté aussi, une bande temporaire 44 de support est en saillie au-dessus de la zone 34 et de la plaque 40 du fait de la présence de deux parties courbes 44A et 44B qui, comme
indiqué précédemment, sont retirées après moulage.
L'opération de fabrication du boîtier selon l'invention
comprend les étapes suivantes.
Le dispositif à semi-conducteur est fixé à la zone 34 par des procédés connus dans la technique, par exemple par utilisation d'une composition conductrice de l'électricité utilisée pour la fixation de la pastille. Les zones des plages de liaison placées sur une surface opposée du dispositif sont liées par des fils aux zones 36 des plages par les procédés connus de liaison par fils, par exemple par liaison par ultrasons. Dans une variante, les zones des plages de liaison qui sont en face de la surface de la pastille sont connectées par de la soudure à la zone 36 afin que la résistance propre soit encore plus réduite. La zone 34 de plage principale et les zones 36 des plages de liaison et le dispositif à semi-conducteur sont alors encapsulés dans un boîtier moulé, habituellement formé d'une résine d'autres compositions de moulage par transfert, à l'aide toujours des procédés connus dans la technique, et la partie 44 de support temporaire et la partie supérieure de la
plaque 42 sont alors retirées.
Les parties d'interconnexion placées entre les cadres respectifs sont alors découpées afin qu'elles donnent les boîtiers respectifs représentés sur la figure 5A. Dans ce cas, le boîtier 20 destiné à un dispositif est représenté après moulage et une partie restante de la plaque 42 dépasse à l'extérieur du boîtier 20, de même qu'une partie du fil de connexion temporaire 44. Les fils 38 dépassent aussi du dispositif et sont connectés à la plaque 40, qui n'est pas représentée. La figure 5B représente en vue de bout le boîtier terminé, avec le fil 38 au niveau de la surface inférieure du boîtier. La figure 5C est une vue en élévation latérale du boîtier 20 qui représente de manière analogue les fils 38
au niveau de la surface inférieure du boîtier.
La figure 5E est une vue de dessous du boîtier 20, indiquant la surface exposée de la plaque 42 et la zone connectée 46 de la plage. A une première extrémité du boîtier, les fils 38 dépassent. A l'extrémité opposée, les fils 38 sont courbés et sont cachés dans le corps du boîtier. La figure 5D est une vue de dessous du dispositif dans un autre mode de réalisation dans lequel la zone 46 est en saillie au- dessus de la surface de la plaque 42 et est
encapsulée dans le corps.
Le dispositif représenté sur les figures 5A à 5E peut alors être soudé avec apport sur la carte de circuit imprimé ou tout autre matériau conducteur de l'électricité et de la chaleur de type connu, par des techniques classiques de
soudage avec apport en série.
Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux cadres, boîtiers et procédés qui viennent d'être décrits uniquement à titre
d'exemple non limitatif sans sortir du cadre de l'invention.

Claims (11)

REVENDICATIONS
1. Cadre conducteur à fils de connexion destiné à supporter un dispositif à semi-conducteur et encapsulé dans un corps moulé, le cadre (32) à fils de connexion étant caractérisé en ce qu'il comprend: une zone (34) de plage principale destinée à supporter une pastille semi- conductrice et ayant une partie dépassant d'un bord et qui dépasse de la limite du corps moulé, et au moins deux broches isolées placées le long d'un bord opposé de la zone (34) de plage principale, chaque broche ayant une partie dépassant de la limite du corps moulé et une zone (36) de plage de liaison, les broches ayant la même épaisseur que la zone (34) de plage principale et ayant une partie courbe placée à l'intérieur de la limite du corps moulé afin que la zone (36) de plage de liaison soit en saillie au-delà de la zone (34) de plage principale et que la partie qui dépasse de la limite soit à une hauteur commune avec la zone (34) de plage principale.
2. Cadre à fils de connexion selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone (34) de plage principale comporte un radiateur qui dépasse à l'extérieur de la limite
du corps moulé.
3. Cadre à fils de connexion selon la revendication 2, caractérisé en ce que la zone (34) de plage principale comporte une bande (30) de support qui dépasse du bord
opposé de la zone (34) de plage principale et s'étend au-
delà de la limite du corps moulé.
4. Cadre à fils de connexion selon la revendication 3, caractérisé en ce que la bande (30) de support est placée
entre les deux broches isolées au moins.
5. Cadre à fils de connexion selon la revendication 3, caractérisé en ce que la bande (30) de support comporte au moins une partie courbe placée à l'intérieur de la limite du
corps moulé.
6. Cadre à fils de connexion selon la revendication 5, caractérisé en ce que la bande (30) de support a une autre
partie courbe.
7. Cadre à fils de connexion selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone (34) de plage principale comprend une partie inférieure placé à un bord et une partie
supérieure qui s'étend au-delà de la limite du corps moulé.
8. Cadre à fils de connexion selon la revendication 1, caractérisé en ce que la longueur des broches isolées
dépassant de la limite est réduite.
9. Boîtier de dispositif à semi-conducteur destiné à loger un dispositif à semi-conducteur, le boîtier étant caractérisé en ce qu'il comprend: un cadre conducteur (32) à fils de connexion selon
l'une quelconque des revendications 1 à 8, destiné à
supporter une pastille semi-conductrice, et un corps moulé destiné à entourer la zone (34) de plage
principale et la pastille semi-conductrice.
10. Procédé de fabrication d'un boîtier de pastille
semi-conductrice destiné à loger un dispositif à semi-
conducteur, le boîtier comprenant un cadre conducteur (32)
à fils de connexion selon l'une quelconque des revendi-
cations 1 à 8, destiné à supporter une pastille semi-
conductrice, et un corps moulé destiné à supporter la zone (34) de plage principale et la pastille semi-conductrice, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes:
la liaison d'une surface de la pastille semi-conduc-
trice à la zone (34) de plage principale, la liaison par des fils de régions respectives d'une surface opposée de la pastille aux zones (36) de plages de liaison des broches isolées, l'encapsulation de la zone (34) de plage principale et des broches isolées par le corps moulé, et l'enlèvement d'une partie supérieure de ladite partie de la zone (34) de plage principale qui dépasse de la limite
du corps moulé.
11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la zone (34) de plage principale possède une bande (30) de support qui dépasse du bord opposé de la zone (34) de plage principale et qui5 dépasse de la limite du corps moulé, et le procédé comprend en outre une étape d'enlèvement d'une partie
de la bande (30) de support qui dépasse de la limite du corps moulé.
FR9712230A 1996-10-01 1997-10-01 Cadre conducteur a fils de connexion, boitier le comportant et son procede de fabrication Pending FR2755540A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US2733396P 1996-10-01 1996-10-01
US2967096P 1996-10-30 1996-10-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR2755540A1 true FR2755540A1 (fr) 1998-05-07

Family

ID=26702341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR9712230A Pending FR2755540A1 (fr) 1996-10-01 1997-10-01 Cadre conducteur a fils de connexion, boitier le comportant et son procede de fabrication

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6114750A (fr)
JP (1) JPH10200024A (fr)
KR (1) KR19980032479A (fr)
DE (1) DE19743537A1 (fr)
FR (1) FR2755540A1 (fr)
GB (1) GB2317989B (fr)
IT (1) IT1295265B1 (fr)
SG (1) SG60122A1 (fr)
TW (1) TW353791B (fr)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6476481B2 (en) 1998-05-05 2002-11-05 International Rectifier Corporation High current capacity semiconductor device package and lead frame with large area connection posts and modified outline
DE29924183U1 (de) 1998-05-05 2002-03-28 International Rectifier Corp., El Segundo, Calif. Gehäuse und Leitungsrahmen für ein Halbleiterbauelement hoher Stromleitfähigkeit, mit großflächigen Verbindungsschlüssen und veränderter Form
JP3051376B2 (ja) * 1998-08-24 2000-06-12 松下電子工業株式会社 リードフレーム及びその製造方法並びにリードフレームを用いた半導体装置
US6300674B1 (en) * 2000-06-19 2001-10-09 Harvatek Corp. Flat package for semiconductor diodes
JP2002092575A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Mitsubishi Electric Corp 小型カードとその製造方法
US6791172B2 (en) 2001-04-25 2004-09-14 General Semiconductor Of Taiwan, Ltd. Power semiconductor device manufactured using a chip-size package
EP1357594A1 (fr) * 2002-04-23 2003-10-29 General Semiconductor of Taiwan, Ltd. Dispositif semicoducteur de haute puissance, fabriqué utilisant un boítier ayant la taille d'une puce
US7034385B2 (en) * 2003-08-05 2006-04-25 International Rectifier Corporation Topless semiconductor package
US7005728B1 (en) * 2004-06-03 2006-02-28 National Semiconductor Corporation Lead configuration for inline packages
US7759775B2 (en) * 2004-07-20 2010-07-20 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated High current semiconductor power device SOIC package
US7375415B2 (en) * 2005-06-30 2008-05-20 Sandisk Corporation Die package with asymmetric leadframe connection
WO2007010315A2 (fr) * 2005-07-20 2007-01-25 Infineon Technologies Ag Plaquette de grille de connexions et appareil de moulage pour un composant electronique et procede d'encapsulation d'un composant electronique
US20080054490A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Ati Technologies Inc. Flip-Chip Ball Grid Array Strip and Package
CN101794760B (zh) * 2006-10-06 2012-05-23 万国半导体股份有限公司 高电流半导体功率器件小外形集成电路封装
US7466016B2 (en) * 2007-04-07 2008-12-16 Kevin Yang Bent lead transistor
CN103021991A (zh) * 2011-09-27 2013-04-03 意法半导体制造(深圳)有限公司 引线框架和封装方法
JP6261309B2 (ja) * 2013-12-02 2018-01-17 三菱電機株式会社 パワーモジュール
CN103646940A (zh) * 2013-12-12 2014-03-19 南通华隆微电子有限公司 一种to-220防水密封引线框架
CN103943596A (zh) * 2014-03-28 2014-07-23 张轩 一种全包封形式的引线框架
JP1593817S (fr) 2017-03-28 2017-12-25
CN111755406B (zh) * 2020-06-28 2022-04-26 西安微电子技术研究所 减少无应力释放器件焊点应力的结构、制作方法及应用
JP7491188B2 (ja) * 2020-11-09 2024-05-28 株式会社デンソー 電気機器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5550648A (en) * 1978-10-06 1980-04-12 Mitsubishi Electric Corp Resin sealing type semiconductor device
JPS62183547A (ja) * 1986-02-07 1987-08-11 Nec Corp リ−ドフレ−ム
JPS63296252A (ja) * 1987-05-27 1988-12-02 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置
US5291059A (en) * 1991-11-18 1994-03-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Resin-molded semiconductor device and lead frame employed for fabricating the same
JPH07176667A (ja) * 1993-12-20 1995-07-14 Fuji Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置
US5530284A (en) * 1995-03-06 1996-06-25 Motorola, Inc. Semiconductor leadframe structure compatible with differing bond wire materials

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4801765A (en) * 1986-01-06 1989-01-31 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Electronic component package using multi-level lead frames
US4987473A (en) * 1989-08-03 1991-01-22 Vlsi Technology, Inc. Leadframe system with multi-tier leads
US5083368A (en) * 1990-02-14 1992-01-28 Motorola Inc. Method of forming modular power device assembly
JPH04249348A (ja) * 1991-02-05 1992-09-04 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US6178628B1 (en) * 1997-10-22 2001-01-30 Aavid Thermalloy, Llc Apparatus and method for direct attachment of heat sink to surface mount

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5550648A (en) * 1978-10-06 1980-04-12 Mitsubishi Electric Corp Resin sealing type semiconductor device
JPS62183547A (ja) * 1986-02-07 1987-08-11 Nec Corp リ−ドフレ−ム
JPS63296252A (ja) * 1987-05-27 1988-12-02 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置
US5291059A (en) * 1991-11-18 1994-03-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Resin-molded semiconductor device and lead frame employed for fabricating the same
JPH07176667A (ja) * 1993-12-20 1995-07-14 Fuji Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置
US5530284A (en) * 1995-03-06 1996-06-25 Motorola, Inc. Semiconductor leadframe structure compatible with differing bond wire materials

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 004, no. 083 (E - 015) 14 June 1980 (1980-06-14) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 026 (E - 577) 26 January 1988 (1988-01-26) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 013, no. 128 (E - 735) 29 March 1989 (1989-03-29) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1995, no. 10 30 November 1995 (1995-11-30) *

Also Published As

Publication number Publication date
SG60122A1 (en) 1999-02-22
GB2317989A (en) 1998-04-08
KR19980032479A (ko) 1998-07-25
US6114750A (en) 2000-09-05
US6291262B1 (en) 2001-09-18
JPH10200024A (ja) 1998-07-31
MX9707520A (es) 1998-08-30
GB9720858D0 (en) 1997-12-03
TW353791B (en) 1999-03-01
GB2317989B (en) 2002-01-23
ITMI972236A1 (it) 1999-04-01
IT1295265B1 (it) 1999-05-04
DE19743537A1 (de) 1998-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2755540A1 (fr) Cadre conducteur a fils de connexion, boitier le comportant et son procede de fabrication
US5216283A (en) Semiconductor device having an insertable heat sink and method for mounting the same
EP0321340B1 (fr) Support de composant électronique, notamment pour carte mémoire, et produit ainsi obtenu
CN205282469U (zh) 电子器件和半导体封装体
CN1104741C (zh) 半导体封装及其制造方法
FR2645680A1 (fr) Encapsulation de modules electroniques et procede de fabrication
JPH08306501A (ja) 表面取付け可能な多極電子構成要素
FR2584534A1 (fr) Boitier comportant un puits thermique pour substrat en ceramique
FR2563049A1 (fr) Boitier pour circuit integre
FR2651373A1 (fr) Dispositif a semi-conducteurs a boitier en resine.
FR2479564A1 (fr) Boitier d'encapsulation pour module de puissance en circuit hybride
EP0883177A1 (fr) Dispositif semi-conducteur muni d'un dissipateur thermique.
EP0291400B1 (fr) Module de puissance pour équipements automobiles
US6049971A (en) Casing for integrated circuit chips and method of fabrication
FR2733630A1 (fr) Pattes de connexion pour composant electronique
FR2764115A1 (fr) Dispositif semiconducteur et procede de connexion des fils internes de masse d'un tel dispositif
FR2617668A1 (fr) Dispositif comportant un circuit electronique monte sur un support souple et carte souple le comprenant
FR2511193A1 (fr) Support en materiau colamine pour le refroidissement et l'encapsulation d'un substrat de circuit electronique
EP2609604A1 (fr) Circuit imprime comportant au moins un composant ceramique
EP1035573A1 (fr) Composant électrique de puissance à montage par brasage sur un support et procédé de montage correspondant
JPS59154054A (ja) ワイヤおよびそれを用いた半導体装置
FR2651923A1 (fr) Circuit integre de puissance.
EP0023165B1 (fr) Plate-forme support de grille de connexion, notamment pour boîtier de circuits intégrés, et boîtier comportant une telle plate-forme
JP5058731B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
EP0263729B1 (fr) Dispositif de connexion d'un commutateur statique de puissance précâblé de pattes conductrices souples