FR2737347A1 - Structure pour l'absorption d'ondes electromagnetiques - Google Patents
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 35
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 230000008520 organization Effects 0.000 claims abstract description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 7
- 229920002943 EPDM rubber Polymers 0.000 claims description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 claims description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 claims description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
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- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
- B32B27/302—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising aromatic vinyl (co)polymers, e.g. styrenic (co)polymers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
- B32B27/304—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl halide (co)polymers, e.g. PVC, PVDC, PVF, PVDF
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
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- C08L23/06—Polyethene
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/212—Electromagnetic interference shielding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2323/00—Polyalkenes
- B32B2323/04—Polyethylene
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2325/00—Polymers of vinyl-aromatic compounds, e.g. polystyrene
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2327/00—Polyvinylhalogenides
- B32B2327/06—PVC, i.e. polyvinylchloride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08L23/16—Ethene-propene or ethene-propene-diene copolymers
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- Medicinal Chemistry (AREA)
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Abstract
Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques comportant un empilement de couches minces An obtenu à partir d'une couche A en un matériau choisi parmi les polymères semiconducteurs et les polymères chargés, et d'une couche B en un matériau choisi parmi les polymères isolants, le polyéthylène, le polystyrène, le polychlorure de vinyle, l'empilement An présentant en outre une séquence f lui conférant une organisation fractale.
Description
Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques La présente
invention concerne une structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques, notamment dans la bande des ondes radar
comprise entre 8 et 12 GHz.
On sait que certains polymères peuvent être utilisés comme des absorbants d'ondes électromagnétiques; de telles indications sont
données par exemple par A. FELDBLUM (1981 - J.POL.SCI.19,173).
Ainsi ont été étudiées les propriétés d'absorption du polyacétylène, du polyparaphénylène et du polythiophène vis-à-vis des
ondes dont les fréquences sont comprises entre 100 Mhz et 10 GHz.
En général le problème est schématisé de la manière suivante.
Il s'agit de disposer d'un matériau stable à l'air ambiant, et dans un domaine de températures compris entre - 100 C et + 100 C, dont la conductivité effective l-doit, si l'on s'en tient à la littérature, tendre vers 10-2 (ohm.cm)-1; sa sensibilité aux variations de température doit être faible et sa permittivité relative par rapport à l'air E doit être la plus proche possible de la valeur 1 pour rendre maximale l'absorption de l'onde incidente et quasiment nulle sa
réflexion sur la face d'entrée.
Or les polymères précités, en particulier lorsqu'ils sont dopés
pour répondre aux conditions de conductivité, ne répondent pas intrin-
sèquement à ces conditions, notamment en ce qui concerne d'une part la stabilité à l'air et aux variations de température, et d'autre part les facultés d'absorption, en particulier lorsqu'ils sont mélangés afin de former des monocouches composites avec des polymères à caractères diélectriques. Par ailleurs il existe des polymères composites métalliques, en particulier chargés en fer, déjà dans le domaine commercial et vendus
par la Société Emerson et Cumming. Ces polymères présentent l'inconvé-
nient d'être très denses et de faire intervenir un moment magnétique important, ce qui a pour conséquence de faire apparaître un pic dans le
spectre d'absorption.
La présente invention a pour but de réaliser une structure absorbante permettant d'éviter ces inconvénients et particulièrement performante dans le domaine de fréquences compris entre 8 et 12 GHz, - 2 - avec un coefficient d'absorption plat dans la gamme de fréquences considérée. La présente invention a pour objet une structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques, en particulier dans la bande 8 à 12 GHz, caractérisée par le fait qu'elle comporte un empilement de couches minces A obtenu à partir d'une couche A en un matériau choisi parmi les n polymères semiconducteurs et les polymères chargés, et d'une couche B en un matériau choisi parmi les polymères isolants, le polyéthylène, le polystyrène, le polychlorure de vinyle, les composés fluorés tels que le PVDF, l'empilement A présentant en outre une séquence f telle que: n A1 = f(A, B) B1 = g(A, B) A2 = f(A1 B1) B2 =g(A1, B1)
^- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -,
A n = f(A n-1' Bn-1) Bn =g(An-1' Bn-1) Les fonctions f et g restant constantes tout au long de l'itération,
ledit empilement présente une organisation fractale.
On peut, à titre d'exemples, obtenir les empilements A suivants: n An= An1 Bn1 An1 avec n n-i n-i n-i B =B Bn n-1 n-1 n-1, A = ABA et B1 =BBB i ou A = A B A n n-1 n-1 n-1 avecB BA A n n-1 n-1 n-1, A = ABA et B1 = AAA ou An =An_1 Bn_1 An_1 Bn_1 An_1 ou A = A B A B A n n-i n-1 n-1 n-i n-1 n Bn-1 Bn-i Bn-1 Bn-i Bn-1, A, = ABABA, Bi = BBBBB ou A = An1 Bn1 An1 Bn1 An1 avec Bn = An_1 An_1 An_1 An_1 Anl, A1 = ABABA, Bi = AAAAA n n-1 n-1 n-1 n-1 avec Bn = Bn-1 Bn-1 Bn-1 Bn-1, A1 = ABAB, B1 = BBBB ou An= An-1 Bn-1 An-1 Bn-1 avec B =A n n-1 n-1 An-1 n-1, A 1 =ABAB, B1 =AAAA ou An = An-1 An-1 Bn-1 Bn-1 avec B = AABB et B = BBBB nBn-i Bn-i n-i Bn-i, A1 = ABABBe B1 = BBBB -3 ou A = A B n n-1 n-1 n-1 n-1 avec B =A n n-1 n-l n-1 n-1, A = ABAB, B = AAAA ou A = A B B n n-1 n-1 n-1 n-1, avec B =B n n-l n-1 n-1 n-1, A = AABB et B = BBBB ou A =A A B B n n-1 n-i n-1 n-1 avec B =A A A A n n-l n-l n-l n-1, A = AABB et B = AAAA i i La finalité d'une telle structure est en particulier de conduire à une incommensurabilité entre l'onde qui doit être dirigée et les caractéristiques géométriques de la structure. I1 peut être montré que celle-ci doit conduire à une localisation de l'énergie à l'intérieur
même de la structure donc à une absorption totale.
Selon un mode de réalisation préférentiel, le matériau de la couche A (ou B) présente une structure composite comprenant - un polymère à base de polyéthylène et d'un polymère isolant, la proportion en poids de polyéthylène étant comprise entre 55 % et 75 % - une charge de poudre de nickel dont la granulométrie est comprise entre 1 #m et 20 Um, avec un taux de charges en volume compris entre 5 %
et 35 %.
Le matériau de la couche B (ou A) est formé par ledit polymère à base de
polyéthylène et de polymère isolant, mais exempt de charges.
Les caractéristiques suivantes constituent des modes de réalisation préférentiels:
Ladite granulométrie est comprise entre 3 gm et 20 Sm, et particulière-
ment de l'ordre de 5 Mm.
Ledit taux de charge est compris entre 15 % et 25 %, et particulièrement
de l'ordre de 19 %.
La proportion de polyéthylène dans le polymère est de l'ordre de 65 %.
Selon une autre réalisation, le matériau de la couche A (ou B) présente une structure composite comprenant - un polymère isolant comportant du polyéthylène, la proportion en poids de polyéthylène étant comprise entre 55 et 75 %, - une charge de polymères conducteurs dont la granulométrie est comprise entre 0,5 #m et 100 Mm et le taux entre 5 et 90 % dans ce polymère isolant, - et par le fait que la couche complémentaire B (ou A) est formée par 4 -
ledit polymère isolant.
Ledit polymère isolant est choisi parmi l'EPDM, l'acrylonitrile butadiène styrène, le monomère copolymère éthylène propylène, le polyéthylène haute pression, le polyéthylène basse pression, le polyéthylène basse pression linéaire, le polyamide (nylon), le polyacry- lonitrile, le téréphthalate de polybutylène, le polycarbonate, le polyéthylène, le polyéther ether ketone, l'oxyde de polyéthylène, le téréphthalate de polyéthylène, le polypropylène, l'oxyde de polyphénylène, le sulfure de polyphénylène, le polystyrène, le
polyuréthane.
D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention
apparaîtront au cours de la description suivante d'exemples de
réalisation donnés à titre illustratif mais nullement limitatif. Dans le dessin annexé: - La figure 1 montre des variations du facteur de réflexion R de diverses structures selon l'invention en fonction de la fréquence f en GHz. - La figure 2 est analogue à la figure 1, pour le domaine compris entre
8 et 12 GHz.
- La figure 3 est analogue à la figure 2, pour d'autres structures selon l'invention. On part d'un matériau permettant de réaliser une couche A et dont la structure composite comporte: - un polymère à base de polyéthylène et d'EPDM, la proportion (en poids) de polyéthylène étant 65 %, - une charge de poudre de nickel dont la granulométrie est de l'ordre de am, avec un taux de charge en volume de l'ordre de 24 %. On réalise également une couche B comportant uniquement le polymère précité. On réalise un empilement d'ordre 1: A1 = ABA, c'est-à-dire comportant deux couches A avec une couche B intercalaire. Cet empilement
est déposé sur une surface métallique.
Le tableau 1 mentionne les caractéristiques électriques et mécaniques de ces couches: S est la permittivité relative par rapport à
l'air, # la perméabilité relative et 9 la résistivité.
- 5-
TABLEAU
-A B A
II - I I -
ff 11 3 3 3
I I I - I
I I ' I I I
I.) Q.cm I 0,05 I I 0,05 I
I 1 I I I
I Epaisseur #m I 750 | 750 | 750 I On réalise également des empilements d'ordre 2 A =A1B1A1 avec B1 = BBB - d'ordre 3 A = A2B2A2 avec B2 = B1B1B1 _ d' ordre 4 A= A3B3A3 avec B3 = B2B2 2
4 3 33 3 22 2
- d'ordre 5 A A4B4A4 avec B4 = B3B3B3B3.
L'épaisseur totale de ces empilements est toujours de 2250 #m.
La figure 1 montre les variations du facteur de réflexion R sur ces différents empilements A1, A2, A3, A4, A5 en fonction de la fréquence f
en GHz.
La figure 2 comporte les mêmes courbes que la figure 1 mais à l'échelle agrandie, dans la gamme 8 à 12 GHz. On voit l'intérêt de l'empilement A3 dans cette gamme de fréquences en particulier pour l'ordre 3. Cet empilement présentant une épaisseur de 2,25 mm autorise30 une absorption comprise entre 90 et 99 %, qui est bien meilleure que celle de A1. Le choix de l'ordre d'itération est donc extrêmement important. On réalise le même type d'empilements que précédemment avec A'1, A'2, A3 A'3, A', tels que l'épaisseur totale de l'empilement soit
égale à 1800 mm.
La figure 3 analogue à la figure 2 montre l'intérêt de l'empilement
d'ordre de 3 dans le domaine compris entre 8 et 12 GHz.
Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation qui ont été décrits, notamment en ce qui concerne les matériaux et les épaisseurs des couches des empilements. -7-
Claims (10)
1/ Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques, en particulier dans la bande 8 à 12 GHz, caractérisée par le fait qu'elle comporte un empilement de couches minces A obtenu à partir d'une couche n A en un matériau choisi parmi les polymères semiconducteurs et les polymères chargés, et d'une couche B en un matériau choisi parmi les polymères isolants, le polyéthylène, le polystyrène, le polychlorure de vinyle, l'empilement A présentant en outre une séquence f telle que: n A1 = f(A, B) B1 = g(A, B) A2 = f(A1, B1) B2 = g(A1, B1) A = f(A B) B = g(A B n ( n-1' Bn-1) Bn g(An-l' Bn-1)
ledit empilement présentant ainsi une organisation fractale.
2/ Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques selon la revendication 1, caractérisée par le fait que ladite séquence f est telle que: A =A B A avec n n-1Bn1 n- 1 aven- c
B =B
n n-1 n-1 n-1, A = ABA et B1 = BBB ou A = An1 Bn1 An1 n n-i n-i n-i
avec Bn = An-1 n-1 n-1l, A =ABA et B = AAA.
3/ Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques selon la revendication 1, caractérisée par le fait que ladite séquence f est telle que:
A = A B A B A
n n-1 n-1 n-1 n-1 n-1 avec B =B n n-1 n-1 n-1 n-1 n-1, A = ABABA, B1 = BBBBB ou A =A B A B A n n-1 n-1 n-1 n-1 n-1 avec B -=A A A A A
avec Bn = An-1 n-1 n-1 n-1 n-1, A = ABABA, B = AAAAA.
1
4/ Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques selon la revendication 1, caractérisée par le fait que ladite séquence f est telle que: A =An_1 Bn-1 An-1 Bn-1 avec B =B ae n n-1 n-1 n-1 n-1, A1 = ABAB, B = BBBB ou A =A B A B n n-1 n-1 n- 1 n-1 - 8 - avec B =A A A A
ec n n-1 n-1 An-1 n-1, A, = ABAB, B = AAAA.
/ Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques selon la revendication 1, caractérisée par le fait que ladite séquence f est telle que:
A = AA B B
n n-1 n-1 n-1 n-1 avec B =B aec n n-1 n-1 n-1 n-1, A = AABB et B1 = BBBB ou A =A B A B n n-1 n-1 n-1 n-1 avec B =A
n n-1 n-1 n-1 n-1, A = ABAB, B = AAAA.
6/ Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques selon la revendication 1, caractérisée par le fait que ladite séquence f est telle que:
A = A A B B
n n-1 An-i n-1 n-l, avec B =B n n-1 n-1 n-1 Bn-1, A = AABB et B1 = BBBB ou A = A A B B ou An n-= An 1 An-1Bn-1 n-1 avec B =A A A A
n n-1 An-1 An-1 n-1, A = AABB et B = AAAA.
i i 7/ Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques selon l'une
des revendications précédentes, caractérisée par le fait que la couche A
(ou B) présente une structure composite comprenant - un polymère à base de polyéthylène et de polymère isolant, la proportion en poids de polyéthylène étant comprise entre 55 % et 75 % - une charge de poudre de nickel dont la granulométrie soit comprise entre 1 Xm et 20 gm, avec un taux de charges en volume compris entre 5 % et 35 %, et par le fait que la couche B (ou A) est formée par ledit polymère à
base de polyéthylène et de polymère isolant.
8/ Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques selon la revendication 7, caractérisée par le fait que ladite granulométrie est
comprise entre 3 lm et 20 #m.
9/ Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques selon la revendication 7, caractérisée par le fait que ladite granulométrie est
de l'ordre de 5 xm.
/ Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques selon la revendication 7, caractérisée par le fait que ledit taux de charge est
compris entre 15 % et 25 %.
11/ Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques selon la -9revendication 7, caractérisée par le fait que ledit taux de charge est
de l'ordre de 19 %.
12/ Structure pour l'absorption d'ondes électromagnétiques selon l'une
des revendications 7 à 11, caractérisée par le fait que la proportion de
polyéthylène dans le polymère est de l'ordre de 65 %. 13/ Structure pour l'absorption des ondes électromagnétiques selon l'une
des revendications 1 à 6, caractérisée par le fait que la couche A (ou
B) présente une structure composite comprenant - un polymère isolant comportant du polyéthylène, la proportion en poids de polyéthylène étant comprise entre 55 et 75 %, - une charge de polymères conducteurs dont la granulométrie est comprise entre 0,5 Mm et 100 Mm et le taux entre 5 et 90 % dans le polymère isolant, - et par le fait que la couche complémentaire B (ou A) est formée par
ledit polymère isolant.
14/ Structure selon l'une des revendications 7 et 13, caractérisée par
le fait que ledit polymère isolant comporte un polymère choisi parmi l'EPDM, l'acrylonitrile butadiène styrène, le monomère copolymère éthylène propylène, le polyéthylène haute pression, le polyéthylène basse pression, le polyéthylène basse pression linéaire, le polyamide (nylon), le polyacrylonitrile, le téréphthalate de polybutylène, le polycarbonate, le polyéthylène, le polyéther ether ketone, l'oxyde de polyéthylène, le téréphthalate de polyéthylène, le polypropylène, l'oxyde de polyphénylène, le sulfure de polyphénylène, le polystyrène,
le polyuréthane.
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8814940A FR2737347B1 (fr) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | Structure pour l'absorption d'ondes electromagnetiques |
| DE3936195A DE3936195C2 (de) | 1988-11-17 | 1989-10-31 | Struktur zur Absorption elektromagnetischer Wellen |
| GB8924797A GB2310541B (en) | 1988-11-17 | 1989-11-03 | Structure for the absorption of electromagnetic waves |
| IT06795589A IT1267133B1 (it) | 1988-11-17 | 1989-11-07 | Struttura per l'assorbimento di onde elettromagnetiche |
| NO894440A NO306918B1 (no) | 1988-11-17 | 1989-11-08 | Materialstruktur for absorpsjon av elektromagnetiske bölger |
| NL8902827A NL8902827A (nl) | 1988-11-17 | 1989-11-15 | Struktuur voor de absorptie van elektromagnetische golven. |
| CA002003074A CA2003074C (fr) | 1988-11-17 | 1989-11-16 | Structure pour l'absorption d'ondes electromagnetiques |
| BE8901211A BE1010512A4 (fr) | 1988-11-17 | 1989-11-16 | Structure pour l'absorption d'ondes electromagnetiques. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8814940A FR2737347B1 (fr) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | Structure pour l'absorption d'ondes electromagnetiques |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2737347A1 true FR2737347A1 (fr) | 1997-01-31 |
| FR2737347B1 FR2737347B1 (fr) | 1997-12-19 |
Family
ID=9371931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8814940A Expired - Fee Related FR2737347B1 (fr) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | Structure pour l'absorption d'ondes electromagnetiques |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE1010512A4 (fr) |
| CA (1) | CA2003074C (fr) |
| DE (1) | DE3936195C2 (fr) |
| FR (1) | FR2737347B1 (fr) |
| GB (1) | GB2310541B (fr) |
| IT (1) | IT1267133B1 (fr) |
| NL (1) | NL8902827A (fr) |
| NO (1) | NO306918B1 (fr) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2249862C1 (ru) * | 2004-07-02 | 2005-04-10 | Общество с ограниченной ответственностью "НПО"АЙРЭС Технолоджис" | Устройство для структурирования электромагнитного поля |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3349397A (en) * | 1966-02-03 | 1967-10-24 | North American Aviation Inc | Flexible radiation attenuator |
| GB2062358A (en) * | 1979-10-31 | 1981-05-20 | Illinois Tool Works | Radio frequency electromagnetic radiation shield |
| EP0234467A2 (fr) * | 1986-02-18 | 1987-09-02 | The B.F. GOODRICH Company | Composite hétérogène de polypyrrole sans électrode |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2996709A (en) * | 1945-04-27 | 1961-08-15 | Du Pont | Flexible electromagnetic radiationabsorptive article |
| US3721982A (en) * | 1970-11-10 | 1973-03-20 | Gruenzweig & Hartmann | Absorber for electromagnetic radiation |
| US4353069A (en) * | 1980-09-10 | 1982-10-05 | Handel Peter H | Absorptive coating for the reduction of the reflective cross section of metallic surfaces and control capabilities therefor |
| DE3307066A1 (de) * | 1983-03-01 | 1984-09-13 | Dornier Gmbh, 7990 Friedrichshafen | Mehrschichtiger faserverbundwerkstoff |
| GB2192756A (en) * | 1986-07-07 | 1988-01-20 | Hoybond Limited | Energy absorbing coatings and their use in camouflage |
-
1988
- 1988-11-17 FR FR8814940A patent/FR2737347B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-10-31 DE DE3936195A patent/DE3936195C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-03 GB GB8924797A patent/GB2310541B/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-07 IT IT06795589A patent/IT1267133B1/it active IP Right Grant
- 1989-11-08 NO NO894440A patent/NO306918B1/no not_active IP Right Cessation
- 1989-11-15 NL NL8902827A patent/NL8902827A/nl active Search and Examination
- 1989-11-16 CA CA002003074A patent/CA2003074C/fr not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-16 BE BE8901211A patent/BE1010512A4/fr not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3349397A (en) * | 1966-02-03 | 1967-10-24 | North American Aviation Inc | Flexible radiation attenuator |
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| EP0234467A2 (fr) * | 1986-02-18 | 1987-09-02 | The B.F. GOODRICH Company | Composite hétérogène de polypyrrole sans électrode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT8967955A0 (it) | 1989-11-07 |
| NL8902827A (nl) | 1997-08-01 |
| IT1267133B1 (it) | 1997-01-24 |
| NO894440L (no) | 1996-08-13 |
| NO306918B1 (no) | 2000-01-10 |
| FR2737347B1 (fr) | 1997-12-19 |
| GB8924797D0 (en) | 1996-12-18 |
| IT8967955A1 (it) | 1991-05-07 |
| GB2310541B (en) | 1998-01-07 |
| GB2310541A (en) | 1997-08-27 |
| CA2003074C (fr) | 2001-01-09 |
| CA2003074A1 (fr) | 1996-10-11 |
| DE3936195C2 (de) | 1999-02-18 |
| BE1010512A4 (fr) | 1998-10-06 |
| DE3936195A1 (de) | 1997-03-06 |
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|---|---|---|---|
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