FR2736205A1 - Dispositif detecteur a semiconducteur et son procede de formation - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un dispositif détecteur à semiconducteur et son procédé de fabrication. Selon le procédé on produit un substrat (4) et on forme une couche sacrificielle sur le substrat. On applique ensuite un motif à la couche sacrificielle et on la grave de façon à laisser une partie sur le substrat (4). On forme une première couche d'isolation (6) sur le substrat (4) et la partie de la couche sacrificielle et on forme une couche conductrice (12) sur la première couche d'isolation (6) la couche conductrice produisant un élément chauffant pour le dispositif détecteur. On grave ensuite sélectivement la partie de la couche sacrificielle de façon à former une cavité (10) entre la première couche d'isolation (6) et le substrat (4) la cavité réalisant l'isolation thermique entre l'élément chauffant et le substrat.
Description
La présente invention concerne les dispositifs détecteurs à semiconducteur
ainsi qu'un procédé permettant de les former. Plus particulièrement, l'invention concerne des détecteurs chimiques à semiconducteur
ainsi que leur procédé de fabrication.
Un détecteur chimique est un dispositif qui contrôle la concentration d'un liquide ou d'un gaz en une espèce chimique donnée. On utilise par exemple des détecteurs chimiques pour détecter des niveaux dangereux de gaz toxiques ou
explosifs sur les lieux de travail et dans des habitations.
Typiquement, les détecteurs chimiques comprennent une couche sensible, qui est sensible à une substance chimique particulière devant être détectée par le détecteur, et un élément chauffant. L'élément chauffant augmente la température de la couche sensible de façon à augmenter la sensibilité et la
sélectivité du détecteur.
On connaît dans la technique des détecteurs chimiques qui sont formés en technique hybride, comme, par exemple, des détecteurs formés sur des substrats céramiques. On connaît également la fabrication de détecteurs chimiques à semiconducteur, o le détecteur et l'élément chauffant sont intégrés sur un substrat
de silicium.
Toutefois, ces détecteurs chimiques connus dans la technique présentent une médiocre isolation thermique entre l'élément chauffant et le
substrat, ce qui entraîne une consommation d'énergie importante.
Pour réduire la consommation énergétique des détecteurs chimiques à semiconducteur, il a été proposé de micro-usiner l'envers du silicium massif de manière à former une membrane mince sous l'élément chauffant. L'épaisseur de cette membrane est de l'ordre de 2 microns. Alors que cette membrane mince diminue la consommation d'énergie, elle est fragile et susceptible de se briser pendant la fabrication, ce qui fait baisser le rendement. De plus, en raison de la fragilité de la membrane, il faut manipuler les détecteurs manuellement plutôt qu'automatiquement, ce qui demande beaucoup de temps et augmente donc le coût
de fabrication.
Le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 5 345 213 décrit un procédé de formation d'un détecteur chimique à semiconducteur dans lequel la membrane est formée par micro-usinage superficiel et gravure du silicium au-dessous de la
membrane à l'aide d'un mélange d'éthylènediamine-pyrocatéchol-eau-
pyrazine (EDP). Toutefois l'EDP est une substance chimique extrêmement dangereuse, que l'on soupçonne d'être cancérigène. Il est préférable d'éviter son utilisation. Il est donc souhaitable de produire un dispositif détecteur à semiconducteur perfectionné, permettant de réduire la consommation électrique dans un dispositif détecteur à semiconducteur qui ne présente les inconvénients
cités ci-dessus de la technique antérieure.
Selon un premier aspect de l'invention, il est proposé un procédé de formation d'un dispositif détecteur à semiconducteur, qui comprend les opérations suivantes: produire un substrat; former une couche "sacrificielle" sur le substrat; appliquer un motif à la couche sacrificielle et graver celle-ci de manière à laisser une partie sur le substrat; former une première couche d'isolation sur le substrat et la partie de la couche sacrificielle; former une couche conductrice sur la première couche d'isolation, la couche conductrice formant un élément chauffant dans le dispositif détecteur; graver sélectivement la partie de la couche sacrificielle afin de former une cavité entre la première couche d'isolation et le substrat, la cavité produisant une isolation thermique entre l'élément chauffant et le substrat; former une deuxième couche d'isolation sur la couche conductrice; et
former une couche sensible sur la deuxième couche d'isolation.
Il est également proposé un dispositif détecteur à semiconducteur
correspondant au premier aspect de l'invention.
L'opération d'application de motif et de gravure peut consister à appliquer un motif à la couche sacrificielle et graver celle-ci de façon à laisser des première et deuxième parties sur le substrat, les première et deuxième parties de la couche sacrificielle étant sélectivement gravées de façon à former des première et deuxième cavités entre la première couche d'isolation et le substrat. Le fait d'avoir plus d'une cavité se révèle particulièrement avantageux dans un dispositif détecteur à semiconducteur qui possède une grande aire superficielle o un support supplémentaire est nécessaire pour la première couche d'isolation qui forme la
membrane du dispositif détecteur.
De plus, un dispositif détecteur à semiconducteur qui possède plus d'une cavité peut comporter plus d'un élément détecteur sur le même substrat, chaque élément détecteur étant thermiquement isolé vis-à-vis des autres éléments détecteurs. Les températures des différents éléments détecteurs peuvent être fixées à des valeurs différentes de facçon que les éléments détecteurs aient des réponses différentes. Selon un deuxième aspect de l'invention, il est proposé un procédé de formation d'un dispositif détecteur à semiconducteur, qui comprend les opérations suivantes: produire un substrat; former une première couche d'isolation sur le substrat; graver la première couche d'isolation et le substrat afin de former une tranchée; remplir la tranchée au moyen d'un matériau "sacrificiel"; former une couche conductrice sur la première couche d'isolation et le matériau sacrificiel se trouvant dans la tranchée, la couche conductrice formant un élément chauffant dans le dispositif détecteur; graver sélectivement le matériau sacrificiel se trouvant dans la tranchée afin de former une cavité entre la couche conductrice et le substrat et ainsi produire une isolation thermique entre l'élément chauffant et le substrat; former une deuxième couche d'isolation sur la couche conductrice; et
former une couche sensible sur la deuxième couche d'isolation.
Il est également proposé un dispositif détecteur à semiconducteur selon
le deuxième aspect de l'invention.
L'opération de gravure de la première couche d'isolation et du substrat peut consister à graver la première couche d'isolation et le substrat de facçon à former des première et deuxième tranchées, le matériau sacrificiel se trouvant dans les première et deuxième tranchées étant sélectivement gravé de façon à former des première et deuxième cavités entre la couche conductrice et le substrat. Comme ci-dessus mentionné, le fait d'avoir plus d'une cavité est particulièrement avantageux dans un dispositif détecteur à semiconducteur qui possède une grande aire superficielle o un support supplémentaire est nécessaire pour la couche
conductrice qui forme la membrane du dispositif détecteur.
Selon un troisième aspect de l'invention, le procédé comprend en outre l'opération consistant à former une troisième couche d'isolation audessous de la couche conductrice, la troisième couche d'isolation formant la membrane située sur
la cavité.
On aura compris que les procédés utilisés pour former un dispositif à semiconducteur selon les différents aspects de l'invention produisent tous des dispositifs détecteurs à semiconducteur qui possèdent au moins une cavité destinée à assurer l'isolation thermique entre le substrat et l'élément chauffant. Du fait qu'ils possèdent au moins une cavité, les dispositifs détecteurs à semiconducteur selon l'invention présentent des pertes thermiques et une consommation énergétique réduites, mais ils ne comportent pas de membranes fragiles rendant les dispositifs difficiles à manipuler. De plus, l'invention évite l'emploi de substances chimiques
dangereuses, comme l'EDP, dans le processus de fabrication.
La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise
à donner une meilleure compréhension des particularités et avantages de trois dispositifs détecteurs à semiconducteur selon l'invention ainsi que des procédés permettant de les former; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: - la figure 1 est une vue en section droite simplifiée montant un dispositif détecteur à semiconducteur selon un premier mode de réalisation de l'invention; - les figures 2 à 5 sont des vues en section droite simplifiées montant le dispositif détecteur à semiconducteur de la figure 1 à différentes stades de sa fabrication; les figures 6 et 7 sont des vues en plan simplifiées du dispositif détecteur à semiconducteur de la figure 1 à différentes stades de sa fabrication; - la figure 8 est une vue en section droite simplifiée montrant un autre mode de réalisation possible pour le dispositif détecteur à semiconducteur de la figure 1; - la figure 9 est une vue en section droite simplifiée montrant un dispositif détecteur à semiconducteur selon un deuxième mode de réalisation de l'invention; - les figures 10 à 13 sont des vues en section droite simplifiées du dispositif détecteur à semiconducteur de la figure 9 à différents stades de sa fabrication; - la figure 14 est une vue en section droite simplifiée montrant un autre mode de réalisation possible pour le dispositif détecteur à semiconducteur de la figure 9; - la figure 15 est une vue en section simplifiée montrant un dispositif
détecteur à semiconducteur selon un troisième mode de réalisation de l'invention.
On se reporte d'abord à la figure 1, qui montre un dispositif détecteur à semiconducteur 2 selon un premier mode de réalisation de l'invention, le dispositif comprenant un substrat 4, une première couche d'isolation 6 formée sur le substrat 4 afin de constituer une partie en pont 8, o une cavité 10 est formée entre la première couche d'isolation 6 et le substrat 4. Une couche conductrice 12, laquelle forme l'élément chauffant du dispositif détecteur à semiconducteur 2, est formée sur la première couche d'isolation. Les électrodes destinées à fournir la tension à l'élément chauffant ne sont pas représentées. La cavité 10 réalise une isolation thermique entre la première couche d'isolation 6 et le substrat 4. Dans le mode de réalisation présentement décrit, la cavité 10 est remplie d'air, mais, toutefois, elle pourra être remplie d'un matériau quelconque assurant une bonne
isolation thermique.
Une deuxième couche d'isolation 14 est formée sur la couche conductrice 12, et une couche sensible 16 est formée sur la deuxième couche
d'isolation 14.
La couche sensible 16 est sensible à l'espèce chimique destinée à être détectée par le dispositif détecteur. Par exemple, dans un détecteur de monoxyde de carbone, la couche sensible 16 est typiquement constituée par une couche
d'oxyde d'étain.
Ainsi, en formant la couche d'isolation, qui constitue la membrane du détecteur, sur une couche sacrificielle et en gravant ensuite la couche sacrificielle de façon à réaliser une cavité entre la membrane et le substrat, l'invention assure l'isolation thermique entre l'élément chauffant et le substrat, mais sans qu'on connaisse les problèmes des dispositifs ci-dessus mentionnés de la technique antérieure. Le dispositif détecteur à semiconducteur selon l'invention assure des pertes thermiques réduites et une consommation énergétique réduite sans produire un dispositif fragile à manipuler. De plus, aucune substance chimique dangereuse
n'est nécessaire dans la fabrication de ces dispositifs.
On va maintenant décrire, en liaison avec les figures 1 à 7, un procédé permettant de former un dispositif à semiconducteur selon le premier mode de
réalisation de l'invention.
Tout d'abord, on produit un substrat 4, et on forme sur le substrat 4 une couche sacrificielle 18 (figure 2). On applique un motif à la couche sacrificielle et on la grave, comme cela est bien connu dans la technique, de façon à laisser une partie 19 de la couche sacrificielle sur le substrat 4 (figure 3). On former une première couche d'isolation 6 sur le substrat et partiellement sur la partie 19 de la couche sacrificielle (figure 4). Comme on peut le voir sur la figure 6, on applique un motif à la première couche d'isolation 6 et on la grave de façon à laisser exposée, en vue d'une gravure ultérieure, une partie 21 de la partie 19 de la couche sacrificielle. On forme une couche conductrice 12 sur la première couche d'isolation 6 (figure 5), mais non sur la partie 21 exposée de la partie 19 de la couche sacrificielle (voir la figure 7). On grave ensuite sélectivement la partie 19 de la couche sacrificielle à l'aide d'une gravure isotrope (gravure verticale et latérale), en faisant de préférence appel à un agent de gravure liquide. Le type d'agent de gravure employé dépend des matériaux dont sont faites la couche sacrificielle 18, la couche d'isolation 6 et la couche conductrice 12. Si, par exemple, la couche sacrificielle comprend une couche d'oxyde de silicium, la couche d'isolation comprend une couche de nitrure de silicium et la couche conductrice comprend une couche de silicium polycristallin, on peut utiliser de l'acide fluorhydrique liquide comme agent de gravure pour graver sélectivement la
partie de la couche sacrificielle en oxyde de silicium.
Après que la partie 19 de la couche sacrificielle a été sélectivement retirée, une cavité 10 est réalisée entre la première couche d'isolation 6 et le
substrat 4; ainsi, la première couche d'isolation 6 forme un pont 8.
On forme une deuxième couche d'isolation 14 sur la couche conductrice 12, ainsi qu'une couche sensible 16 sur la deuxième couche
d'isolation 14 (figure 1).
Le dispositif détecteur à semiconducteur selon le premier mode de réalisation de l'invention a été décrit jusqu'ici comme possédant une seule cavité 10. Toutefois, le dispositif détecteur selon l'invention peut comprendre deux cavités, ou plus, comme représenté par exemple sur la figure 8. Ceci est particulièrement avantageux pour les détecteurs qui présentent une grande aire superficielle. Un autre avantage qu'il y a à produire un dispositif détecteur à semiconducteur possédant deux cavités ou plus est qu'il offre la possibilité d'avoir différents éléments détecteurs sur la même puce, ces éléments n'étant pas connectés thermiquement. Dans un semblable dispositif, les températures des différents éléments détecteurs peuvent être fixées à des valeurs différentes, de
manière qu'on obtienne des réponses différentes de la part des éléments détecteurs.
Pour former un semblable dispositif détecteur, on modifie le procédé cidessus indiqué de façon à former deux parties 19 de la couche sacrificielle, que
l'on grave sélectivement ensuite.
Par exemple, dans un dispositif détecteur de monoxyde de carbone, les matériaux des différentes couches peuvent être les suivants. Une couche sacrificielle en oxyde de silicium est formée sur un substrat de silicium. La première couche d'isolation comprend des nitrures de silicium. La couche conductrice est formée à partir de silicium polycristallin. La deuxième couche d'isolation comprend de l'oxyde de silicium. La couche sensible comprend de l'oxyde d'étain. On n'entend toutefois pas limiter l'invention à ces types de couches ou à des détecteurs de monoxyde de carbone. L'homme de l'art comprendra, sur la
base de la présente description, qu'il est possible d'utiliser divers matériaux
semiconducteurs et isolants. Par exemple, les couches d'isolation peuvent être formées à partir d'oxynitrure, d'oxyde, ou de nitrure, la couche sacrificielle peut être formée à partir d'oxyde, d'oxyde dopé ou de polyimide, la couche conductrice peut être formée à partir de silicium polycristallin ou de métal, et la couche
sensible peut comprendre l'un de nombreux genres différents d'oxydes métalliques.
On se reporte maintenant à la figure 9, qui montre un dispositif détecteur à semiconducteur 22 selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, le dispositif comprenant un substrat 24, une première couche d'isolation 26 formée sur le substrat 24, une tranchée25 se prolongeant vers le bas à travers la première couche d'isolation 26 jusque dans le substrat 24, et une couche conductrice 32 formée sur la première couche d'isolation 26 et la tranchée 25 afin de réaliser une cavité 30 entre la couche conductrice 32 et le fond de la tranchée 25. La couche conductrice 32 forme l'élément chauffant du dispositif détecteur à semiconducteur 22. Les électrodes destinées à fournir la tension à l'élément chauffant ne sont pas représentées. La cavité 30 réalise l'isolation thermique entre la couche conductrice 32 et le substrat 24. Dans le mode de réalisation présentement décrit, la cavité est remplie d'air, mais, toutefois, elle pourra être remplie à l'aide d'un matériau quelconque assurant une bonne isolation thermique. Une deuxième couche d'isolation 34 est formée sur la couche conductrice 32, et une couche sensible 36 est formée sur la deuxième couche d'isolation 34. La couche sensible 36 est sensible à l'espèce chimique devant être détectée par le dispositif détecteur. Par exemple, dans un détecteur de monoxyde de carbone, la couche sensible 36 comprend typiquement une couche d'oxyde d'étain. On va maintenant décrire, en liaison avec les figures 9 à 13, un procédé permettant de former un dispositif détecteur à semiconducteur selon le deuxième
mode de réalisation de l'invention.
Tout d'abord, on produit un substrat 24 et on forme sur le substrat 24 une première couche d'isolation 26 (figure 10). On applique un motif à la première couche d'isolation 26 et on la grave en même temps que le substrat 24 afin de former une tranchée traversant la première couche d'isolation 26 et allant jusque dans le substrat 24 (figure 11). Pour une couche d'isolation en nitrure de silicium formée sur un substrat de silicium, on peut utiliser, pour former la tranchée 25, un agent de gravure chimique utilisant de l'hydroxyde de potassium. On peut également faire appel à d'autres types de gravure, par exemple une gravure par plasma. On forme une couche sacrificielle sur la première couche d'isolation 26 de façon à remplir la tranchée 25. On grave ensuite la couche sacrificielle de façon à retirer les parties de la couche sacrificielle sur la première couche d'isolation 26 et à ainsi laisser une partie 39 remplissant la tranchée 25. Il n'est toutefois pas nécessaire de retirer de la première couche d'isolation 26 toute la couche sacrificielle. Comme représenté sur la figure 12, la partie 39 de la couche
sacrificielle peut aussi s'étendre sur la première couche d'isolation 26.
On forme une couche conductrice 32 sur la première couche d'isolation 26 et, partiellement, sur la partie 39 de la couche sacrificielle de façon à laisser exposée, en vue d'une gravure ultérieure, une partie de la partie 39 de la couche sacrificielle (figure 13). On grave ensuite sélectivement la partie 39 de la couche sacrificielle à l'aide d'une gravure isotrope (gravure verticale et latérale), en faisant de préférence appel à un agent de gravure liquide. Le type d'agent de gravure utilisé dépend des matériaux de la couche sacrificielle, de la première couche d'isolation 26 et de la couche conductrice 32. Si, par exemple, la couche sacrificielle comprend une couche de polyimide, la première couche d'isolation comprend une couche de nitrure de silicium et la couche conductrice comprend une couche de silicium polycristallin, on peut utiliser comme agent de gravure de l'acide fluorhydrique liquide pour graver sélectivement la partie de la couche sacrificielle de polyimide. On peut utiliser d'autres matériaux, par exemple SOG et oxyde de silicium, pour former la couche sacrificielle destinée à remplir la tranchée. Après l'enlèvement sélectif de la partie 39 de la couche sacrificielle, une cavité 30 est produite entre la couche conductrice 32 et le fond de la
tranchée 25 dans le substrat 24; ainsi, la couche conductrice 32 forme un pont 28.
On forme une deuxième couche d'isolation 34, par exemple une couche d'oxyde de silicium, sur la couche conductrice 32, et on forme une couche
sensible 36 sur la deuxième couche d'isolation 34 (figure 9).
Le dispositif détecteur à semiconducteur selon le deuxième mode de réalisation de l'invention a été décrit jusqu'ici comme possédant une seule cavité 30. Toutefois, comme avec le premier mode de réalisation, le dispositif détecteur selon le deuxième mode de réalisation peut comprendre deux cavités, ou
plus, comme représenté sur la figure 14.
Pour former un semblable dispositif détecteur, on modifie le procédé ci-dessus décrit de façon à former deux tranchées et à les remplir à l'aide du
matériau sacrificiel, que l'on grave ensuite sélectivement.
On se reporte maintenant à la figure 15, qui montre un dispositif détecteur à semiconducteur 42 selon un troisième mode de réalisation de l'invention, le dispositif 42 étant semblable au dispositif détecteur à semiconducteur 22 du deuxième mode de réalisation, sauf qu'une troisième couche d'isolation 47, par exemple une couche de nitrure de silicium, est formée entre la première couche d'isolation 46 et la couche conductrice 52. Sur la figure 15, des couches identiques à celles présentées et décrites en liaison avec les figures 9 à 14 sont désignées par les mêmes numéros de référence, le numéro 20 intervenant de
façon complémentaire.
Le procédé de formation du dispositif détecteur à semiconducteur 42 selon le troisième mode de réalisation est analogue au procédé de formation du
dispositif détecteur à semiconducteur 22 du deuxième mode de réalisation ci-
dessus décrit. Des opérations supplémentaires sont nécessaires pour former la troisième couche d'isolation 47 sur la première couche d'isolation 46 et la partie de matériau sacrificiel remplissant la tranchée. On grave sélectivement la partie de la couche sacrificielle après la formation de la couche conductrice 52 sur la troisième couche d'isolation 47. Il est possible de modifier ce processus pour produire deux
cavités 50, ou plus, comme discuté ci-dessus.
Les deuxième et troisième modes de réalisation de l'invention sont analogues au premier mode de réalisation en ce qu'une couche d'isolation ou une couche conductrice, formant la membrane du dispositif détecteur, est formée sur une couche sacrificielle que l'on grave sélectivement ensuite de façon à produire au moins une cavité. Comme ci-dessus mentionné, ceci assure une réduction des pertes thermiques et de la consommation d'énergie sans amener les problèmes des dispositifs de la technique antérieure. Toutefois, les deuxième et troisième modes de réalisation font appel à une opération supplémentaire consistant en une première gravure du substrat destinée à produire au moins une tranchée avant le dépôt de la couche sacrificielle, ces modes de réalisation comportant des cavités plus profondes que le premier mode de réalisation. Le fait que la cavité soit plus profonde améliore l'isolation thermique entre la membrane et le substrat.
Dans la description précédente, certaines régions et couches sont
identifiées comme étant constituées par des matériaux particuliers. Toutefois, ceci vise simplement à rendre l'explication plus commode et ne limite en rien l'invention. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir des
dessins et des procédés dont la description vient d'être donnée à titre simplement
illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas
du cadre de l'invention.
Claims (20)
1. Procédé de formation d'un dispositif détecteur à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: produire un substrat (4); former une couche sacrificielle(18) sur le substrat; appliquer un motif à la couche sacrificielle et graver celle- ci afin de laisser une partie (19) sur le substrat; former une première couche d'isolation (6) sur le substrat et la partie (19) de couche sacrificielle; former une couche conductrice (12) sur la première couche d'isolation, la couche conductrice formant un élément chauffant pour le dispositif détecteur; graver sélectivement la partie de la couche sacrificielle de façon à former une cavité (10) entre la première couche d'isolation et le substrat, la cavité assurant l'isolation thermique entre l'élément chauffant et le substrat; former une deuxième couche d'isolation (14) sur la couche conductrice; et
former une couche sensible (16) sur la deuxième couche d'isolation.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'opération d'application d'un motif et de gravure consiste à appliquer un motif à la couche sacrificielle et à graver celle-ci de facçon à laisser des première et deuxième parties sur le substrat, et en ce qu'on grave sélectivement les première et deuxième parties de la couche sacrificielle afin de produire des première et deuxième cavités entre la
première couche d'isolation et le substrat.
3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'opération de gravure sélective est une gravure sélective isotrope de la partie de la
couche sacrificielle.
4. Procédé selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que
l'opération de gravure sélective utilise un agent de gravure liquide.
5. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la couche conductrice comprend du silicium polycristallin, la première couche d'isolation comprend du nitrure de silicium et l'opération de gravure sélective
consiste à graver la couche sacrificielle à l'aide d'acide fluorhydrique liquide.
6. Procédé de formation d'un dispositif détecteur à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: produire un substrat (24); former une première couche (26) sur le substrat; graver la première couche d'isolation et le substrat afin de former une tranchée (25); remplir la tranchée à l'aide d'un matériau sacrificiel (39); former une couche conductrice (32) sur la première couche d'isolation et le matériau sacrificiel se trouvant dans la tranchée, la couche conductrice formant un élément chauffant pour le dispositif détecteur; graver sélectivement le matériau sacrificiel se trouvant dans la tranchée afin de former une cavité (30) entre la couche conductrice et le substrat et ainsi réaliser l'isolation thermique entre l'élément chauffant et le substrat; former une deuxième couche d'isolation (34) sur la couche conductrice; et
former une couche sensible (36) sur la deuxième couche d'isolation.
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'opération de gravure de la première couche d'isolation et du substrat consiste à graver la première couche d'isolation et le substrat afin de former des première et deuxième tranchées et en ce qu'on grave sélectivement le matériau sacrificiel se trouvant dans les première et deuxième tranchées afin de former des première et deuxième
cavités entre la couche conductrice et le substrat.
8. Procédé selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération consistant à former une troisième couche d'isolation
(47) sous la couche conductrice (52).
9. Procédé selon la revendication 6, 7 ou 8, caractérisé en ce que l'opération de gravure sélective est une gravure sélective isotrope du matériau
sacrificiel se trouvant dans la tranchée.
10. Procédé selon la revendication 6, 7, 8 ou 9, caractérisé en ce que
l'opération de gravure sélective utilise un agent de gravure liquide.
11. Procédé selon la revendication 6, 7 ou 8, caractérisé en ce que la couche conductrice comprend du silicium polycristallin, la première couche d'isolation comprend du nitrure de silicium et l'opération de gravure sélective consiste à graver le matériau sacrificiel se trouvant dans la tranchée à l'aide d'acide
fluorhydrique liquide.
12. Dispositif détecteur à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat (4); une première couche d'isolation (6) formée sur le substrat de façon à produire un pont (8), le pont formant une cavité (10) entre la première couche d'isolation et le substrat; une couche conductrice (12) formée sur la première couche d'isolation, la couche conductrice constituant un élément chauffant pour le dispositif détecteur, o la cavité réalise une isolation thermique entre l'élément chauffant et le substrat; une deuxième couche d'isolation (14) formée sur la couche conductrice; et
une couche sensible (16) formée sur la deuxième couche d'isolation.
13. Dispositif détecteur à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat (24); une première couche d'isolation (26) formée sur le substrat; une cavité (30) s'étendant à travers la première couche d'isolation jusque dans le substrat; une couche conductrice (32) formée sur la première couche d'isolation, de façon à produire un pont (28) au-dessus de la cavité; la couche conductrice produisant un élément chauffant pour le dispositif détecteur, o la cavité réalise une isolation thermique entre l'élément chauffant et le substrat; une deuxième couche d'isolation (34) formée sur la couche conductrice; et
une couche sensible (36) formée sur la deuxième couche d'isolation.
14. Dispositif détecteur à semiconducteur selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une troisième couche d'isolation (47) placée sous la couche conductrice (52), la troisième couche d'isolation formant le pont (48) placé au-dessus de la cavité (50);
15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11,
caractérisé en ce que le matériau dont la couche sacrificielle est formée est choisi
dans le groupe comprenant: dioxyde de silicium, polyimide et SOG.
16. Dispositif détecteur à semiconducteur selon l'une quelconque des
revendications 12, 13 et 14, caractérisé ce que le matériau dont la couche
sacrificielle est formée est choisi dans le groupe comprenant: oxyde de silicium,
polyimide et SOG.
17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11 et 15,
caractérisé en ce que la couche conductrice comprend du silicium polycristallin.
18. Dispositif détecteur à semiconducteur selon l'une quelconque des
revendications 12, 13, 14 et 16, caractérisé en ce que la couche conductrice
comprend du silicium polycristallin.
19. Procédé selon l'une quelconque des revendications i à 11, 15 et 17,
caractérisé en ce que la couche sensible comprend de l'oxyde d'étain.
20. Dispositif détecteur à semiconducteur selon l'une quelconque des
revendications 12, 13, 14, 16 et 18, caractérisé en ce que la couche sensible
comprend de l'oxyde d'étain.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9507903A FR2736205B1 (fr) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | Dispositif detecteur a semiconducteur et son procede de formation |
| US08/669,013 US5907765A (en) | 1995-06-30 | 1996-06-24 | Method for forming a semiconductor sensor device |
| DE69630488T DE69630488T2 (de) | 1995-06-30 | 1996-06-24 | Halbleitersensor und Methode zu dessen Herstellung |
| EP96110163A EP0751389B1 (fr) | 1995-06-30 | 1996-06-24 | Capteur semi-conducteur et son procédé de formation |
| JP8186774A JPH09119912A (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-27 | 半導体センサ装置およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9507903A FR2736205B1 (fr) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | Dispositif detecteur a semiconducteur et son procede de formation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2736205A1 true FR2736205A1 (fr) | 1997-01-03 |
| FR2736205B1 FR2736205B1 (fr) | 1997-09-19 |
Family
ID=9480570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9507903A Expired - Lifetime FR2736205B1 (fr) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | Dispositif detecteur a semiconducteur et son procede de formation |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5907765A (fr) |
| EP (1) | EP0751389B1 (fr) |
| JP (1) | JPH09119912A (fr) |
| DE (1) | DE69630488T2 (fr) |
| FR (1) | FR2736205B1 (fr) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1996-06-24 DE DE69630488T patent/DE69630488T2/de not_active Expired - Lifetime
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| JPH09119912A (ja) | 1997-05-06 |
| EP0751389A1 (fr) | 1997-01-02 |
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| FR2736205B1 (fr) | 1997-09-19 |
| EP0751389B1 (fr) | 2003-10-29 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TP | Transmission of property |