FR2503454A1 - Boitier modulaire a quatre broches en double rangee pour dispositifs semi-conducteurs - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for individual devices of subclass H10D
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
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- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
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- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
BOITIER ENFICHABLE A QUATRE BROCHES EN DOUBLE RANGEE, POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR. LE DISPOSITIF COMPREND : UN BOITIER ISOLANT PARALLELEPIPEDIQUE 11 AYANT DEUX FACES LATERALES ESPACEES, DEUX FACES D'EXTREMITE PERPENDICULAIRES AUX PRECEDENTES ET DES SURFACES SUPERIEURE ET INFERIEURE; UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR 42 PLACE DANS LE BOITIER; UNE PREMIERE PAIRE DE BROCHES 14, 15, RACCORDEES AU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, QUI PARTENT DE L'INTERIEUR DU BOITIER ET SORTENT PAR L'UNE DES FACES LATERALES, LES EXTREMITES EXTERIEURES DE CES BROCHES AYANT UN ECARTEMENT DETERMINE, LES PARTIES DES BROCHES QUI SE TROUVENT DANS LE BOITIER ETANT SITUEES DANS UN PLAN PARALLELE A AU MOINS UNE DES SURFACES SUPERIEURE ET INFERIEURE ET ETANT DISPOSEES SYMETRIQUEMENT DANS LA LARGEUR DE LADITE FACE LATERALE, UNE PREMIERE BROCHE ETANT PLACEE AU QUART DE LA LARGEUR ET L'AUTRE AUX TROIS-QUARTS; ET UNE DEUXIEME PAIRE DE BROCHES 12, 13, QUI PARTENT DE L'INTERIEUR DU BOITIER ET SORTENT PAR L'AUTRE FACE LATERALE, CHACUNE DE CES BROCHES ETANT ALIGNEES AVEC UNE BROCHE RESPECTIVE DE LA PREMIERE PAIRE. L'INVENTION PERMET DE CONSTITUER DES ASSEMBLAGES DE BOITIERS MODULAIRES A DOUBLE RANGEE DE BROCHES EGALEMENT ESPACEE.
Description
La présente invention se rapporte à un boîtier
pour dispositif semi-conducteur; elle vise, plus particu-
lièrement, un nouveau boîtier à quatre conducteurs à dou-
ble alignement ayant une configuration qui permet le mon-
tage de dispositifs semi-conducteurs à l'intérieur d'un
boîtier moulé, tout en procurant au dispositif une évacua-
tion efficace de chaleur; elle rend possible l'empilage
de modules avec un espacement identique entre les conduc-
teurs ou broches de chaque côté de l'empilage.
On connait déjà des boîtiers à broches multiples,
à double alignement pour des dispositifs semi-conducteurs.
Ces boîtiers comprennent une enveloppe isolante présentant
des côtés parallèles espacés d'o partent les conducteurs.
Les conducteurs situés sur les bords opposés respectifs du boîtier isolant sont alignés les uns avec les autres et le
nombre de conducteurs prévus sur la longueur du boîtier dé-
pend de la nature du ou des dispositifs qui y sont logés.
Des emboîtements normalisés à double alignement reçoivent
les prolongations des conducteurs ou les broches des boi-
tiers à double alignement,dans un raccordement du type embro-
chable, les conducteurs pouvant être soudés dans les éléments
d'emboîtement associés.
Le nombre de conducteurs pour un bloc donné est déterminé par la nature du ou des dispositifs prévus dans le
bloc*ar suite, un grand nombre de boîtiers différents doi-
vent être fabriqués pour les divers types de dispositifs.
La présente invention a pour objet une nouvelle structure de boîtier à double alignement, sous forme d'un module de base constituant un bloc à quatre conducteurs. Deux conducteurs situés d'un même côté sont reliés ensemble et partent d'une région de base conductrice commune qui peut
servir à la fois d'6vacuateur de chaleur et de premier dispo-
sitif de raccordement. Deux conducteurs indépendants partent de l'autre côté du boîtier. Ils sont électriquement isolés
l'un de l'autre mais ils sont alignés avec les deux conduc-
teurs situés du côté opposé du boîtier. Tous les éléments
conducteurs font partie d'une base conductrice commune.
Le boîtier isolant qui entoure les conducteurs et le dispositif semiconducteur porté par les conducteurs est tel qu'il se prolonge au-delà des axes des conducteurs, de la moitié de leur écartement entre axes. Par conséquent, des boîtiers peuvent être reliés boutà-bout pour écarter automatiquement les conducteurs adjacents de chaque boîtier d'unqdistance égale à l'espacement entre les conducteurs
du boîtier. Ainsi, on peut empiler ensemble un nombre quel-
conque de bottiers pour former des blocs à double aligne-
ment comportant un nombre désiré quelconque de conducteurs
qui sont identiquement espacés. Cela évite d'avoir à fabri-
quer des boîtiers différents en fonction du nombre de dis-
positifs à contenir dans l'ensemble complet et permet l'em-
pilage d'un nombre désiré quelconque de modules. Par exemple,
une unité à seize conducteurs ou broches peut être consti-
tuée de quatre blocs identiques à quatre conducteurs à dou-
ble alignement.
Tout dispositif désiré peut être logé à l'inté-
rieur du bloc. Par exemple, le dispositif contenu dans le bloc peut être un transistor MOS à effet de champ ayant une dimension de support de l'ordre de 2,3 mm par 3,6 mm et une structure du type qui est décrit dans la publication n0 2 488 733 de demande de brevet français. Ce dispositif
comprend essentiellement un support mince de silicium com-
portant un raccordement de drain sur sa surface inférieure et des raccordements isolés de source et de gâchette sur
sa surface supérieure. Avec une telle disposition, l'élec-
trode de drain du dispositif peut être avantageusement sou-
dée à un élément de base conductrice principale d'o partent
deux conducteurs reliés. Les régions de raccordement de sour-
ce et de gâchette peuvent ensuite être convenablement câ-
blées à deux autres branches de la base conductrice qui sont
séparées et isolées l'une de l'autre.
Après soudure du support du dispositif semi-
conducteur et le raccordement de sa source et de sa gâ-
chette aux conducteurs de l4base conductrice, le support
est encapsulé dans un bottier isolant parallélépipédique.
Les extrémités du bottier s'étendent au-delà des axes des
conducteurs, d'une distance égale à la moitié de l'espace-
ment des conducteurs. Ainsi, lorsque les bottiers sont em-
pilés bout-à-bout, tous les conducteurs ont le même espa-
cement sur toute la longueur de4boitiers Les bottiers ad-
jacents peuvent être reliés ensemble de façon permanente,
par exemple par collage, ou bien ils peuvent être mainte-
nus ensemble par leur branchement dans un collecteur com-
mun, un support ou une carte de circuit imprimé.
L'invention sera mieux comprise à la lumière de
la description de sa forme de réalisation, non limitative,
représentée sur les dessins annexés.
Fig. 1 est une vue en perspective du dispositif
modulaire à quatre conducteurs ou broches à double aligne-
ment, suivant la présente invention.
Fig. 2 est une vue-en perspective de quatre des modules de la figure 1, fixés les uns aux autres suivant la
présente invention pour constituer un bloc à seize broches.
Fig. 3 est une vue en élévation du dispositif de la figure 1, avec des modules adjacents représentés en
trait mixte.
Fig. 4 est une vue de dessus de la figure 3.
Fig. 5 est une vue en bout de la figure 3.
Fig. 6 est une vue en plan des éléments de la structure de base des conducteurs définissant un module à quatre conducteurs, le bottier isolant étant représenté en trait mixte et Fig. 7 est une coupe suivant la ligne 7-7 de la
figure 6, le bottier et les conducteurs rabattus étant re-
présentés en trait mixte.
On voit, sur la figure 1, un nouveau bottier mo-
dulaire 10 pour dispositif semi-conducteur. Le module 10 comprend un bottier isolant 11 comportant au total quatre conducteurs ou broches, des broches 12 et 13 partant d'un côté du bottier et des broches 14 et 15 partant de l'autre côté du bottier et étant alignées avec les broches 12 et
13, respectivement. Le bottier 11 peut être un bottier u-
suel obtenu par un procédé connu de moulage par transfert, ou de toute autre façon appropriée. Les broches 12 et 13 sont reliées ensemble et partent d'une région commune 16 qui se prolonge à l'extérieur du bottier 11. Les broches 14 et 15 sont électriquement séparées l'une de l'autre et
sont isolées l'une de l'autre à leur sortie du bottier 11.
Les broches 12-13, 14 et 15 sont trois parties découpées res-
pectives d'une structure conductrice commune, comme décrit
plus loin.
Dans une forme caractéristique de réalisation de
l'invention, les broches 12 à 15 ont une dimension et un es-
pacement appropriés à l'enfichage dans un socle à emboite-
ment usuel, les broches 12 et 13 et les broches 14 et 15, respectivement, étant espacées l'une de l'autre de 2,5 mm environ d'axe à axe. L'espacement des extrémités des broches 13 et 15, lorsqu'elles sont repliées comme représenté sur la figure 5 de façon à être parallèles l'une à l'autre, est de 7,5 mm environ. La hauteur du bottier isolant 11 peut être de l'ordre de 5 mm. La largeur totale du bottier isolant 11, d'une extrémité à l'autre,est de 5 mm environ, les broches
14 et 15 et les broches 12 et 13 étant disposées symétrique-
ment de part et d'autre de cette largeur. Par conséquent, la distance A sur la figure 3 est sensiblement égale à la moitié de la distance entre les broches 14 et 15, qui est de l'ordre de 1,25 mm. En raison de cette nouvelle géométrie, lorsque les modules identiques sont empilés bout-àbout, comme représenté en trait mixte sur les figures 3 et 4 pour
les modules 20 et 21, toutes les broches adjacentes, compre-
nant les broches 22 et 23 du module 20, les broches 24 et 25 du module 21 et les broches 15 et 14 du module 10, sont
espacées d'une même distance. Les modules individuels peu-
vent être scellés ou fixés ensemble d'une autre manière ap-
propriée, pour former un bloc double ou quadruple qui s'a-
juste exactement dans un emboîtement normalisé à double
rangée d'enfichage.
Un bloc à seize broches,maintenu bout-à-bout par un couvercle commun 34, est représenté sur la figure 2, pour le cas des modules 20, 10 et 21 et d'un quatrième module 30. On voit que le quatrième module 30 comporte des broches isolées 31 et 32 d'un côté et une broche 33 alignée avec la broche 32, une quatrième broche alignée avec la broche 31 n'étant pas visible sur la figure 2. Les broches, qui sont alignées avec les broches 22, 23, 14, 15 24, 25, 31 et 32 et qui se trouvent sur le bord opposé du
dispositif de la figure 2, sont reliées ensemble à l'inté-
rieur de chaque élément modulaire, comme représenté sur la
figure 1 pour le module 10.
Les figures 6 et 7 illustrent une structure con-
ductrice possible, après découpage à partir d'un élément de base,pour un module unique. On voit, sur la figure 7, que les éléments de la structure conductrice comprennent des pièces, situées dans un même plan, qui sont obtenues par
estampage à partir d'une base conductrice commune, conformé-
ment à la pratique habituelle. La base conductrice peut être
une feuille de cuivre convenablement estampée ayant une é-
paisseur de l'ordre de 0,25 mm à 0,38 mm. Lorsque les élé-
ments sont encore reliés, à l'intérieur de leur base conduc-
trice principale, un élément 40 d'évacuation de chaleur de plus grande surface, comportant une tête élargie 41, reçoit le dispositif semiconducteur 42 qui soit être monté dans le boîtier. Comme représenté sur la figure 7, le dispositif 42 doit être fixé à l'élément 40 de la structure conductrice, par exemple par une pastille de soudure appropriée 43. Tout procédé approprié de soudure peut être utilisé pour fixer
le dispositif 42 à la base 40. Comme déjà indiqué, le dis-
positif 42 peut être un transistor MOSFET à conduction ver-
ticale et sa surface inférieure, qui est supportée par la pastille de soudure 43, peut être une électrode de drain. La surface supérieure du dispositif 42 comporte une borne de gâchette 45 et une borne de source 46. Ces bornes sont raccordées électriquement à des fils fins et souples en aluminium 47 et 48, respectivement, qui sont reliés de façon appropriée aux bornes 45 et 46 et dont les
autres extrémités sont raccordées convenablement à des élé-
ments conducteurs isolés 49 et 50 de la base conductrice.
Les éléments de la base conductrice sont ensuite moulés par transfert dans un moulage dont le contour est indiqué par le trait mixte 60, sur les figures 6 et 7. Les éléments individuels 40, 49 et 50 de lbase conductrice sont ensuite séparés de celle-ci et les bottiers modulaires individuels sont séparés les uns des autres. Les éléments conducteurs dépassant extérieurement peuvent ensuite être
rabattus vers le bas, comme représenté pour les autres bro-
ches 12, 13, 14 et 15 du module de la figure 1.
Il est entendu que des modifications de détail peuvent être apportées dans la forme et la construction du dispositif suivant l'invention, sans sortir du cadre de
celle-ci.
Claims (9)
1. Boîtier à quatre broches en double rangée, pour dispositif semiconducteur, qui comprend: un bottier
isolant parallélépipédique (11) ayant deux faces latéra-
les parallèles espacées, sensiblement planes, deux faces d'extrémité parallèles espacées, sensiblement planes, per-
pendiculaires aux faces latérales, et des surfaces supé-
rieure et inférieure parallèles et sensiblement planes; un dispositif semi-conducteur plat (42), placé à l'intérieur de ce bottier isolant; caractérisé en ce qu'une première paire de broches (14,15), comprenant une+remière et une deuxième broches conductrices, raccordées au dispositif
semi-conducteur, partent de l'intérieur du bottier et sor-
tent de la première des deux faces latérales, les broches de cette première paire ayant un écartement déterminé à leurs extrémités extérieures, les parties des première et deuxième broches de cette première paire qui sont situées à l'intérieur du bottier étant dans un plan parallèle au plan d'au moins une des surfaces supérieure et inférieure et étant disposées symétriquement dans la largeur de la première des deux faces latérales de façon à ce que l'axe de la première broche de la première paire de broches se trouve au quart de la largeur de la première face latérale
et l'axe de la deuxième broche de la première paire de bro-
ches se trouve aux trois quarts de la largeur de la première
face latérale, et une deuxième paire de broches (12,13) com-
prenant une première et une deuxième broches reliées au dis-
positif semi-conducteur, partant de l'intérieur du boîtier et sortant de la deuxième des deux faces latérales, chaque broche de cette deuxième paire étant alignée avec une broche
respective de la première paire de broches.
2. Boîtier suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la première et la deuxième paires de broches sont des
éléments parallèles plats d'une base conductrice commune.
3. Boîtier suivant la revendication 1 ou 2, caracté-
risé en ce que la première et la deuxième broches de la première paire de broches sont séparées et isolées l'une
de l'autre sur toute leur longueur.
4. Boîtier suivant la revendication 1 ou 2, caracté- risé en ce que les première et deuxième paires de broches sont rabattues sensiblement parallèlement aux première et deuxième faces latérales, respectivement, dans leur partie
extérieure au bottier.
5. Boîtier suivant la revendication 4, caractérisé en
ce que les première et deuxième broches de la première pai-
re de broches sont séparées et isolées l'une de l'autre sur
toute leur longueur.
6. Boîtier suivant la revendication 3, caractérisé en
ce que les première et deuxième broches de la deuxième pai-
re de broches sont reliées ensemble, au moins dans leur par-
tie située à l'intérieur du bottier, à une base conductrice commune (41) de plus grande surface, cette base conductrice de plus grande surface étant disposée dans un plan parallèle
au plan de la première paire de broches.
7. Bottier suivant la revendication 6, caractérisé en
ce que le dispositif semi-conducteur est monté de façon ther-
miquement conductrice sur ladite surface agrandie commune (41).
8. Bottier suivant la rendication 7, caractérisé en
ce que les première et deuxième paires de broches sont ra-
battues sensiblement parallèlement aux première et deuxième faces latérales, respectivement, dans la région extérieure
au boîtier.
9. Dispositif à bottier à double rangée de broches, com-
portant une pluralité de broches alignées, également espa-
cées, caractérisé en ce qu'il est constitué par l'assembla-
ge bout-à-bout de bottiers modulaires (20,10,21,30) à qua-
tre broches en double rangée, suivant l'une quelconque des
revendications 1 à 8, chacun de ces bottiers modulaires à
quatre broches comprenant: un boîtier isolant parallélé-
pipédique moulé ayant deux faces latérales parallèles espa-
cées, sensiblement planes,deux faces d'extrémité parallé-
les espacées, sensiblement planes, perpendiculaires aux fa-
ces latérales, et des surfaces supérieure et inférieure pa-
rallèles et sensiblement planes; un dispositif semi-conduc-
teur plat placé à l'intérieur de ce boîtier isolant; une
première paire de broches reliées au dispositif semi-conduc-
teur, partant de l'intérieur du boîtier et sortant de la première des deux faces latérales, les broches de cette
première paire ayant un écartement déterminé à leurs ex-
trémités extérieures, la partie de la première paire de broches située à l'intérieur du boîtier étant disposée dans
un plan parallèle au plan d'au moins une des surfaces supé-
rieure et inférieure et étant disposée symétriquement sur la largeur de façon à ce que l'axe de la première broche de la première paire de broches se trouve au quart de la largeur et l'axe de la deuxième broche de la première paire de broches se trouve aux trois quarts de la largeur; et une
deuxième paire de broches reliées au dispositif semi-conduc-
teur, partant de l'intérieur du boîtier et sortant de la deuxième des deux faces latérales, chaque broche de cette deuxième paire étant alignée avec une broche respective de
la première paire de broches.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/251,268 US4642419A (en) | 1981-04-06 | 1981-04-06 | Four-leaded dual in-line package module for semiconductor devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2503454A1 true FR2503454A1 (fr) | 1982-10-08 |
FR2503454B1 FR2503454B1 (fr) | 1986-04-04 |
Family
ID=22951202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR8205722A Expired FR2503454B1 (fr) | 1981-04-06 | 1982-04-02 | Boitier modulaire a quatre broches en double rangee pour dispositifs semi-conducteurs |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4642419A (fr) |
JP (2) | JPS57177548A (fr) |
DE (1) | DE3212442A1 (fr) |
FR (1) | FR2503454B1 (fr) |
GB (1) | GB2096394B (fr) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
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---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |