FR2499726A1 - Procede de formation d'un motif utilise pour la fabrication de dispositifs a semi-conducteurs - Google Patents
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Abstract
L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FORMATION D'UN MOTIF. SELON L'INVENTION, ON FORME UN PREMIER MOTIF SOUHAITE CONSISTANT EN UNE COUCHE 2 D'UN MATERIAU DE "RESIST" D'UN POLYMERE ORGANIQUE SUR LA SURFACE D'UNE COUCHE A TRAVAILLER D'UN SUBSTRAT 1, ON APPLIQUE UN TRAITEMENT THERMIQUE A LA COUCHE DU MATERIAU DE "RESIST", ON FORME UNE COUCHE 3 D'UN MATERIAU DE "RESIST" INORGANIQUE QUI EST UN FEUILLETAGE CONSISTANT EN UNE COUCHE D'UN MATERIAU DE VERRE A BASE DE SELENIUM 3A ET UNE COUCHE D'ARGENT 3B SUR LA COUCHE 2 AINSI TRAITEE AFIN DE COUVRIR TOUTE SA SURFACE, ON FORME UN SECOND MOTIF SOUHAITE AVEC LA COUCHE 3, ON ATTAQUE POUR RETIRER LA COUCHE 2 DANS UNE REGION NON COUVERTE DE LA COUCHE 3, ON APPLIQUE UN TRAITEMENT D'ATTAQUE A LA COUCHE A TRAVAILLER DANS UNE REGION NON COUVERTE PAR LA COUCHE 2 ET ON RETIRE LES COUCHES 2 ET 3. L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AUX SEMI-CONDUCTEURS.
Description
La présente invention se rapporte à un procédé de formation d'un motif qui
est utilisé dans la fabrication
de dispositifs à semiconducteurset analogues.
Jusqu'à maintenant, la formation d'un motif dans la fabrication de dispositifs à semiconducteuzr circuits intégrés et analogues était principalement effectuée
selon une technologie photolithographique o un "photo-
resist" fait d'un matériau de "resist" d'un polymère organique photosensible est utilisé. Cependant, par suite du développement remarquable des dispositifs récents à semiconducteurbet analogues, comme les plus typiquement indiqués dans des circuits intégrés à grande échelle, les conditions requises pour la technique de formation des
motifs sont devenues très sévères du fait du rétrécisse-
ment de la dimension des éléments dans un dispositif mis en cause dans l'augmentation de la densité de tassement des éléments, l'augmentation des caractéristiques non planes des surfaces des éléments, la diversification des matériaux à attaquer, la complication des interconnexions à plusieurs niveaux, en plus de l'augmentation de la capacité d'arrêter les ions requise pour un masque pour une implantation d'ions avec l'augmentation de l'énergie de l'implantationd'ions et analogues. Ainsi, une telle technique de photo-attaque o un matériau de "resist" d'un polymère organique traditionnel est utilisé ne peut
répondre aux conditions ci-dessus mentionnées.
Par ailleurs, un matériau de "resist" inorganique fait d'un feuilletage consistant en une couche d'un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou une couche contenant un composé d'argent ou
de l'argent incorporé en un alliage ou analogue a récem-
ment été développé (voir brevet U.S. NI 4 127 414), et ce matériau de "resist" inorganique est attrayant du fait de ses nombreuses excellentes caractéristiques comme une forte résolution, et qui sont supérieures à celles d'un
matériau de "resist" d'un polymère organique traditionnel.
Cependant, même si une photo-attaque habituelle est effectuée en utilisant un tel matériau de "resist" inorganique comme on l'a décrit ci- dessus, il faut que la couche du matériau de "resist" inorganique soit formée extrêmement mince afin d'obtenir la propriété de forte résolution. En conséquence, il reste toujours un problème dans le cas de la propriété d'application de ce matériau de "resist"' inorganique à une surface d'un substrat non plat ou à une couche de métal. Par ailleurs, comme les conditions optimales comme l'exposition, le développement
et analogues diffèrent dans le cas o un motif relative-
ment grand est formé et le cas o un motif fin est formé, cela pose un problème parce que la qualité des motifs se détériore dans son ensemble dans le cas o l'ensemble a
un relief contenant un grand motif et un petit motif.
De ce point de vue, la demande de brevet U.S. N 035 803 (ou demande correspondante de brevet au Japon publiée avant examen N 149 941/1980) intitulée "Process for fabrication of an article" ainsi que les articles s'y rapportant "Bilevel high resolution photolithographic technique for use with wafers with stepped and/or reflecting surfaces" (J. Vac. Sci. Technol., 16(6), Novembre/Décembre 1979, pages 1977-1979) et "Submicron optical lithography using an inorganic resist/polymer bilevel scheme" (J. Vac. Sci. Technol., 17(5), Septembre/ Octobre 1980, pages 1169-1176) révèlent un "resist" à
deux niveaux préparé en feuilletant le "resist" inorga-
nique ci-dessus mentionné sur une couche d'un polymère organique comme une sorte de "resist" multicouche. Un tel "resist" à deux niveaux présente les avantages qui
suivent.
En effet, l'aplatissement de la surface d'un substrat non plat ou planar au moyen d'une couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ainsi que la formation d'un motif sur un substrat échelonné ou très réfléchissant au moyen du "resist" inorganique du fait de sa forte absorption optique, sont faciles. Par ailleurs, la formation d'un motif de "resist" en un polymère épais ayant une section rectangulaire est également facile et par conséquent, le "resist" à deux niveaux ci-dessus a une propriété d'application favorable par rapport à un travail o une forte résistance est requise pour le masque d'attaque comme une attaque par ions réactifs ou une attaque par faisceau d'ions. Le procédé cidessus pour la formation du "resist" à deux niveaux est également efficace pour un procédé de formation d'un motif de
masque pour une implantation d'ions.
Cependant, il reste toujours l'inconvénient qui suit dans le cas du "resist" inorganique dans la technique
de formation du motif utilisant le "resist" à deux niveaux.
En effet, les conditions d'exposition et de développement par rapport au "resist" inorganique sont différentes dans le cas o l'on forme un motif fin par rapport au cas o l'on forme un motif comparativement important. En conséquence, si ces conditions sont ajustées de façon appropriée dans le cas o les motifs fin et important sont formés séparément, il est possible de rendre les qualités de ces motifs équivalentes. En général, cependant, en particulier en LSI, il y a de nombreux cas o ces motifs important et petit sont inclus. Dans le cas o l'on forme un relief contenant de tels motifs important et petit, si la formation du motif du "resist" à deux niveaux
ci-dessus mentionné est effectuée dans les mêmes condi-
tions d'exposition et de développement par rapport au "resist" inorganique, dans le cas des deux motifs, on forme soit l'un ou les deux motifs ayant des qualités non satisfaisantes. Comme on l'a décrit cidessus, un relief comprenant un grand et un petit motif ne peut être formé de façon satisfaisante en utilisant simplement un tel
"resist" à deux niveaux.
De plus, il y a une difficulté d'alignement d'un masque, en tant que problème inhérent à un tel "resist" à deux niveaux. Dans un système d'exposition par projection, l'alignement du masque effectué automatiquement en détectait la lumière réfléchipar une marque d'alignement sur le substrat devient de plus en plus populaire. Cependant, comme on l'a décrit ci-dessus, les points les plus
avantageux du "resist" à deux niveauxésirbint dans l'apla-
tissement de la surface du substrat et l'enlèvement de la lumière réfléchie par rapport au substrat. Par consé- quent, aucune lumière réfléchie n'est obtenue de la marque d'alignement couverte par le "resist" à deux niveaux, et donc l'alignement ci-dessus indiqué du masque est impossible. Par ailleurs, dans un tel 11resist" à deux niveaux, la couche du polymère et la couche du "resist" inorganique sont toujours traitées en tant qu'un organe intégral, mais sur aucune d'entre elles n'est formé individuellement un motif. En d'autres termes, iln'y a pas de considération d'un tel "resist" à deux niveaux
pour l'application à diverses formations de motifs.
La présente invention est basée sur ce qui précède
et elle a pour objet l'élimination des inconvénients ci-
dessus mentionnés en procurant un procédé de formation d'un motif largement applicable avec diverses fonctions de formation de motif, en plus du procédé par lequel un
motif de haute résolution peut être formé.
La présente invention a pour autre objet un procédé de formation d'un motif par lequel un motif d'interconnexion à plusieurs niveaux peut être formé en utilisant la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique dans un "resist" à deux couches, comme pellicule
ou couche d'isolement ente couches.
La présente invention a pour autre objet un procédé de formation d'un motif par lequel un motif en pellicule mince selon un processus de décollement en soulevant peut avantageusement être formé en utilisant un
"resist" en deux couches.
Afin d'atteindre les objectifs ci-dessus décrits, le procédé selon l'invention comprend les étapes de former un premier motif souhaité consistant en une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique sur la surface principale d'un matériau à travailler, d'appliquer un traitement thermique à la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique o est formé le motif, de former une couche d'un matériau de "resist" inorganique qui est un feuilletage consistant en un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou une couche contenant de l'argent sur la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ainsi traitée thermiquement afin de couvrir toute sa surface, de former un second motif souhaité avec la couche ci-dessus du matériau de "resist" inorganiquedfattaquer pour retirer la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique dans une région qui n'est pas couverte par la couche du matériau de "resist"
inorganique o est formé le motif, d'appliquer un traite-
ment d'attaque au matériau ci-dessus à travailler dans une région qui n'est pas couverte par la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus et de retirer les couches ci-dessus de matériaux de "resist"
organique très polymérique et inorganique.
Selon un second aspect de l'invention, le procédé comprend les étapes de former un premier motif souhaité consistant en une couche d'un matériau de "resist" en un polymère organique sur la surface principale d'un matériau à travailler, d'appliquer un traitement thermique à la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique o est formé le motif, de former une couche d'un matériau de "resist" inorganique qui est un feuilletage consistant en une couche d'un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou une couche contenant de l'argent sur la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ainsi traitée thermiquement afin de couvrir toute sa surface, de former un second motif souhaité avec la couche du matériau de "resist" inorganique ci-dessus, d'attaquer pour retirer la couche du matériau de "resist" du polymère dans une région qui n'est pas couverte de la couche du matériau de "resist" inorganique o est formé le motif, de retirer la couche du matériau de "resist" inorganique ci-dessus, d'appliquer un traitement d'attaque au matériau ci-dessus à travailler dans une région qui n'est pas couverte par la couche du matériau de "resist" organique ci-dessus et de retirer la couche du matériau
de "'resist"l d'un polymère organique ci-dessus.
Selon un troisième aspect de l'invention, le procédé -comprend les étapes de former un premier motif souhaité consistant en une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique sur la surface principale d'un matériau à travailler, d'appliquer un traitement thermique à: la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique o a été formé le motif, d'attaquer pour retirer le matériau ci-dessus à travailler dans une région qui n'est pas couverte par la couche du matériau de "'Iresist"l d'un polymère organique o est formé le motif, de former une couche d'un matériau de "resist" inorganique qui est un feuilletage consistant en une couche d'un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou une couche contenant de l'argent sur la couche du matériau de
"resist" d'un polymère organique ainsi traitée thermique-
ment et la surface exposée du matériau ci-dessus à travailler au moyen du traitement d'attaque ci-dessus afin de couvrir toute la surface de la couche du matériau de "resist " d'un polymère organique ci-dessus et la surface du matériau exposé ci-dessus à travailler, de former un second motif souhaité avec la couche ci-dessus du matériau de "resist" inorganique, d'attaquer pour retirer la couche du matériau de "resist" du polymère organique dans une région qui n'est pas couverte par la couche du matériau de "resist" inorganique selon um motif, d'appliquer un traitement d'attaque au matériau ci-dessus à travailler dans une région qui n'est pas couverte par la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus et de retirer les couches de matériaux de
"resist" inorganique et de polymère organique.
Selon un quatrième aspect de l'invention, le procédé comprend les étapes de former un premier motif souhaité consistant en une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique à la surface principale d'un matériau de substrat pourvu d'une couche conductrice selon un motif, d'appliquer un traitement thermique à la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ayant le motif ci-dessus, de former une couche d'un matériau de "resist" inorganique qui est un feuilletage consistant en une couche d'un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou une couche contenant de l'argent sur la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ainsi traitée thermiquement afin de couvrir toute sa surface, de former un second motif souhaité avec la couche ci-dessus du matériau de "resist" inorganique, d'attaquer pour retirer la couche du matériau de "resist" du polymère organique dans une région qui n'est pas couverte par la couche du matériau de "resist" inorganique
selon un motif, de retirer la couche du matériau inorga-
nique ci-dessus et de former un troisième motif consistant en une couche conductrice sur la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus et la surface principale du matériau du substrat ci-dessus dans une région qui n'est pas couverte par la couche du matériau
de "resist" d'un polymère organique ci-dessus.
Selon un cinquième aspect de l'invention, le procédé comprend les étapes de former un premier motif souhaité consistant en une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique sur la surface principale d'un matériau du substrat, d'appliquer un traitement thermique à la couche du matériau de "resist" du polymère organique selon un motif, de former une couche d'un matériau de "resist" inorganique qui est un feuilletage consistant en une couche d'un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou une couche contenant de l'argent sur la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ainsi traitée thermiquement afin de couvrir toute sa surface, de former un second motif souhaité avec la couche ci-dessus du matériau de "resist" inorganique, d'attaquer pour retirer la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique dans une région qui n'est pas couverte par la couche du matériau de "resist" inorganique selon un motif, de former une couche en pellicule mince sur la couche du matériau de "resistil inorganique ci- dessus et la surface principale du matériau du substrat ci-dessus dans une région qui n'est pas couverte par la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus, et de retirer les couches de matériauxde "resist" inorganique et d'un polymère organique avec la couche en pellicule mince ci-dessus qui est formée sur la couche
du matériau de "resist" inorganique ci-dessus.
Selon un sixième aspect de l'invention, le procédé comprend les étapes de former un premier motif souhaité consistant en une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique à la surface principale du matériau d'un substrat, d'appliquer un traitement thermique à la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique selon un motif, de former une couche d'un matériau de "resist" inorganique qui est un feuilletage consistant en une couche d'un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou une couche contenant de l'argent sur la couche du matériau de "resist" d'un polymère ainsi traitée thermiquement afin de couvrir toute sa surface, de former un second motif souhaité avec la couche du matériau de "resist"l inorganique ci-dessus, d'attaquer pour retirer la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique dans une région qui n'est pas couverte par la couche du matériau de "resist" inorganique selon un motif, de retirer la couche du matériau de "resist" inorganique ci-dessus, de former une couche en pellicule mince sur la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus et la surface principale du matériau du substrat dans une région qui n'est pas couverte par la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ci- dessus et de retirer la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus en même temps que la
couche en pellicule mince ci-dessus qui y est formée.
Par ailleurs, dans la présente invention, il est préférable que la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus soit faite en un matériau de "resist" comprenant un caoutchouc de polybutadiène cyclisé comme constituant principal, tandis que la couche du matériau de verre à base de sélénium ci-dessus est faite d'un matériau de verre contenant du sélénium et du
germanium comme constituants principaux.
L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci
apparaîtront plus clairement au cours de la description
explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: - les figures la-li sont des vues en coupe expliquant chaque stade d'un mode de réalisation du procédé de formation d'un motif selon la présente invention
- les figures 2a-2c sont des vues en coupe expli-
quant chaque stade d'un autre mode de réalisation du procédé selon l'invention; - les figures 3a-3g sont des vues en coupe expliquant chaque stade d'un autre mode de réalisation du procédé selon l'invention; - les figures 4a-4j sont des vues en coupe expliquant chaque stade d'un autre mode de réalisation du procédé selon l'invention; - les figures 5a-5c sont des vues en coupe expliquant chaque stade d'un autre mode de réalisation du procédé selon l'invention; et - les figures 6a-6c sont des vues en coupe expliquant chaque stade d'un autre mode de réalisation
du procédé selon l'invention.
Le procédé de formation d'un motif selon la présente invention sera décrit en plus de détail ci-après en se
référant aux modes de réalisation préférés.
Les figures la-li sont des vues en coupe montrant chacune un motif à chaque stade d'un mode de réalisation du procédé de formation de motif selon l'invention, o une fenêtre est établie sur un évidement lb qui est formé à la surface principale la d'un matériau de substrat 1
en tant que matériau -à travailler. Une technique de photo-
attaque est très fréquemment appliquée > une telle surface non plane dans un processus de fabrication de circuits intégrés ou analogues. Le matériau du substrat I a, comme on peut le voir sur la figure la, une structure obtenue en disposant une première couche ld faite en une pellicule d'oxyde de silicium formée pour établir un motif prescrit à la surface principale d'une pastille de semiconducteur lc en silicium au moyen de photo-attaque, et en plaçant de plus une seconde couche le faite en SiO2, aluminium ou analogue à la surface principale de la pastille lc afin de couvrir toute sa surface y compris la première
couche ld.
Dans le cas o l'on forme une fenêtre sur l'évide-
ment lb du matériau I du substrat ayant la structure ci-dessus décrite, on forme d'abord une première couche 2 d'un matériau de "resist" d'un polymère organique, à la surface principale du matériau 1 du substrat afin de couvrir toute sa surface comme le montre la figure lb. Pour ce matériau de "resist" d'un polymère organique, on peut employer tout matériau ayant une adhérence suffisante à la seconde couche le du matériau 1 du substrat, que ce soit du type négatif ou positif. Par exemple, tous les "resists" possédant des dénominations commerciales telles que CBR, KPR, OSR, OMR, KMER, KTFR, Waycoat, AZ et ainsi de suite sont préférables. Entre autres, on préfère un "resist" contenant du caoutchouc de polybutadiène cyclisé comme constituant principal, par exemple un "lphotoresist" négatif CBR-M901 fabriqué par Japan Synthetic Rubber Co., Ltd, parce que ce type de "photoresist" a d'excellentes propriétés de résistance à la chaleur. L'épaisseur de pellicule de ces "resists" peut être comprise dans une il étendue o le "resist" ne produit pas de trous d'épingle, mais peut couvrir totalement la surface non plane du matériau 1 du substrat, en effet, il est préférable que o cette épaisseur soit comprise entre environ 1.000 A ou plus et plusieurs J'- ou moins. Une précuisson est appliquée au matériau 2 de "resist" du polymère organique ainsi formé selon un procédé publiquement connu, ensuite la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique est exposée afin de laisser au moins une portion couvrant une partie non plane du matériau 1 du substrat, et la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ainsi exposée est ensuite développée selon un procédé publiquement connu pour former un premier motif souhaité avec la couche du matériau de "resist t'un polymère organique 2 sur la surface principale
la du matériau 1 du substrat comme le montre la figure lc.
Alors, la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organiqueo est formé le motif.est soumise à un traitement thermique pour la durcir. Dans ce cas, la température requise est déterminée selon le type du matériau de "resist" à employer. Par exemple, une température comprise entre
environ 200 et 2500C est préférable dans le cas de l'uti-
lisation de CBR-M901. Dans le processus de ce traitement
thermique, le matériau 2 présente un phénomène d'amollis-
sement et de fluidification généralement appelé "écoulement du resist". En conséquence, la surface non plane dans la
surface principale du matériau 1 du substrat est remarqua-
blement modérée sur la surface de la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique, cela est donc très avantageux pour la formation subséquente d'une couche de
matériau de "resist" inorganique et la photo-attaque.
Alors, comme on peut le voir sur la figure ld, une couche 3a d'un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou une couche 3b contenant de l'argent sont laminées ou feuilletées en succession afin de couvrir toute la surface principale du matériau 1 du substrat, comprenant la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique avec laquelle le premier motif souhaité est formé et le motif est alors soumis à un traitement de thermodurcissement selon des procédés respectifs connus pour former une couche 3 d'un matériau de "resist" inorganique (voir brevet U.S. NI 4 127 414). Ensuite, comme le montre la figure le, quand la couche du matériau de "resist" inorganique est soumise à une exposition avec un second motif souhaité au moyen de la lumière ou d'un faisceau accéléré de particules 4 comme un faisceau d'électrons ou analogue, la portion exposée de la couche 3a du matériau de verre à base de sélénium est dopée d'argent pour former une région 3c dopée d'argent. Par ailleurs, comme le montre la figure 3f, le développement est effectué sur le matériau de substrat en attaquant pour retirer la couche d'argent ou couche 3b contenant de l'argent qui reste sur les parties non exposées de la couche 3 du matériau de "resist" inorganique et la couche 3a en matériau de verre à base de sélénium qui n'est pas dopée d'argentséIonunprocédéconnu et en conséquence, le second motif souhaité peut être formé au moyen de la couche 3 du matériau de "resist" inorganique. Pour le matériau de verre à base de sélénium constituant cette couche 3 de matériau de "resist" inorganique comme on l'a décrit ci-dessus, tout matériau présentant un tel phénomène de dopage de l'argent lors d'une exposition au moyen de la lumière ci-dessus ou du faisceau de particules accélérées 4 peut être utilisé, mais un matériau de verre en système binaire consistant en Se et Ge, en particulier un matériau ayant une composition consistant en environ 80 atomes% de Se et environ 20 atomes% de Ge est préférable du point de vue résolution et sensibilité de la couche-3 en-matériau de "1resist"l inorganique. Par ailleurs, l'épaisseur de pellicule de cette couche 3a du matériau de verre à base de sélénium peut être comprise dans une étendue o la couche peut être formée sans produire aucun trou d'épingle et une épaisseur préférable est comprise environ plusieurs o centaines de A ou plus et 1i ou moins. Ensuite, comme
le montre la figure Ig, l'attaque est effectuée en utili-
sant la couche 3 du matériau de "resist" inorganique sur
laquelle a été formé le second motif souhaité, c'est-à-
dire la région 3c dopée à l'argent comme masque, afin de retirer des portions de la couche 2 en matériau de "resist" d'un polymère organique qui ne sont pas couvertes du masque ci-dessus. Cette attaque peut être effectuée par un procédé à l'état humide o un solvant approprié pouvant retirer, par dissolution, le matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus est utilisé, mais une attaque à sec au moyen de plasma de gaz oxygèneen particulier un processus d'attaque ayant une propriété directionnelle comme une attaque par ions réactifs o un dispositif d'attaque au plasma en forme de plaque plate est employé est préférable. Dans le cas du dernier processus, l'attaque
se passe uniquement le long de la direction de la profon-
deur du matériau 1 du substrat et en conséquence il n'y a pas de dépouille, donc la propriété de forte résolution due à la couche 3 du matériau de "resist" inorganique n'est jamais dégradée. En outre, le matériau de la couche de verre à base de sélénium a une très forte résistance par rapport à un tel traitement d'attaque à sec au moyen de plasma de gaz oxygène, et par conséquent une telle couche de verre à base de sélénium est très adaptée pour
un masque d'attaque.
Comme on peut le voir sur la figure 1h, la seconde couche le dans le matériau 1 du substrat est alors attaquée
en utilisant la couche 3 de matériau de "resist" inorga-
nique formée pour établir le second motif souhaité et la couche 2 de matériau de "resist" d'un polymère organique sur laquelle le motif cidessus a été transféré comme masque d'attaque. L'attaque peut être effectuée soit par un processus d'attaque à l'état humide en utilisant un agent connu d'attaque selon le matériau de la seconde couche le, par exemple si la seconde couche le est faite en SiO2 ou Al, on emploie un tampon d'acide fluorhydrique ou de l'acide phosphorique concentré et chaud comme agent d'attaque, ou bien un processus d'attaque à sec ou un gaz publiquement connu adapté au matériau de la seconde couche le est utilisé. Par suite, il est également possible que le traitement d'attaque de la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique que l'on peut voir sur la figure lg soit effectué par un processus d'attaque à sec o l'on utilise de l'oxygène gazeux, et une autre attaque est ensuite effectuée pour la-seconde couche le en remplaçant simplement l'oxygène gazeux par un autre
gaz d'attaque dans le même dispositif.
Par ailleurs, le traitement de développement pour la couche 3 du matériau de "resist" inorganique comme on peut le voir sur la figure If peut être effectué par attaque au plasma o on utilise une variété de gaz fréon, il est donc également possible d'effectuer tous les traitements de la couche 3 du matériau de "1resist" inorganique, de la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique etee la seconde couche le des figures If,lg et 1h respectivement, dans le même dispositif d'attaque, ce qui permet de
simplifier remarquablement les étapes du procédé.
Alors, quand la couche du matériau de "resist" inorganique 3 et la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique 2 sont retirées comme le montre- la figure li, on peut obtenir le matériau 1 du substrat dans l'évidement lb o est formée une fenêtre If. Dans le cas de ce traitement d'enlèvement, toute façon appropriée peut être choisie tant que la seconde couche le n'est pas endommagée, par exemple un procédé o ce traitement est effectué en utilisant une solution mélangée consistant en acide sulfurique et peroxyde d'hydrogène ou de l'acide sulfurique concentré et chaud, un autre procédé o la couche 3 du matériau de 1'resist" inorganique est d'abord retirée en plongeant le matériau du substrat dans une solution alcaline faible pendant une longue période de temps, puis la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique est retirée au moyen de plasma d'oxygène,
ou un procédé analogue peut être utilisé.
Dans le mode de réalisation ci-dessus, bien que l'on ait simplement décrit un cas o une fenêtre est établie dans des parties évidées de la surface du matériau du substrat, le cas n'est dirigé que vers un mode o le procédé de la formation du motif selon la présente invention
s'applique à la surface d'un substrat non plan. En consé-
quence, la présente invention peut bien entendu s'appliquer à une grande variété de formations de motifs, par exemple la formation d'une fenêtre sur des parties de forme convexe, la formation d'une fenêtre sur un substrat ayant une surface échelonnée et formation de motif analogue pour atteindre les mêmes effets avantageux que ceux ci-dessus indiqués. Les figures 2a-2c sont des vues en coupe dont chacune montre un motif à chaque stade d'un autre mode de réalisation du procédé de formation d'un motif selon la présente invention. Dans ce mode de réalisation, des étapes semblables de traitement à celles représentées sur les figures la- lg sont effectuées avant les étapes représentées sur les figures 2a-2c. En effet, comme on l'a mentionné ci-dessus, le premier motif souhaité est formé avec la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique sur le matériau 1 du substrat, et ensuite le second motif souhaité est formé avec la couche 3 du matériau de "resist" inorganique pour transférer le motif à la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus. Ensuite, la couche 3 est retirée comme le montre la figure 2a et une couche à travailler sur le matériau 1 du substrat, c'est- à-dire la seconde couche le par exemple, faite en Al, est alors attaquée en utilisant la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique en tant que masque comme le montre la figure 2b. Enfin, quand la couche 2 restante est retirée, un relief souhaité contenant un grand motif et un petit
motif peut être formé comme le montre la figure 2c.
Comme on l'aura compris à la lecture de la
description ci-dessus, le présent mode de réalisation se
rapporte à un procédé o la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique que l'on utilise pour simplement couvrir et aplatir une surface d'uni substrat
non plat dans le premier mode de réalisation des figures la-
1i, estplus positivement utilisée comme masque efficace pour former un motif relativement grand sur le matériau 1 du substrat. En divisant fonctionnellement le procédé de la formation du motif, en d'autres termes, si un motif fin ou précis et un motif plus grand sont- formés sur un matériau de substrat au moyen d'un "resist" inorganique et d'un "resist" d'un polymère organique respectivement, il devient avantageux de former un tel relief ayant un motif fin dans une région de plusieurs microns aux sous-microns et un motif grand qui ne nécessite pas une si haute précision à la surface du substrat. Un tel exemple se présente fréquemment dans le cas de la formation simultanée d'un motif fin de métallisation avec un motif de plots de liaison de circuits intégrés et analogues, le procédé du second mode de
réalisation est donc très efficace dans ces cas.
Dans le second mode de réalisation, bien qu'une méthode o le motif fin formé avec la couche 3 du matériau de "resist"inorganique est transféré à la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique et ensuite une attaque est appliquée à la couche à travailler selon le plus grand motif en utilisant la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique soit spécifiée, cette méthode peut être quelque peu modifiée. Par exemple, un plus grand motif est formé avec la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique comme le montre la figure lc et ensuite la seconde couche le et la première couche ld étant les couches à travailler, sont -sodomises à un traitement d'attaque pour retirer les couches le et Id qui ne sont pas couvertes de la couche 2 comme le
montre la figure 3a.
Ensuite, comme le montre la figure 3b, la couche 3 du matériau de "resist" inorganique consistant en une couche 3a d'un matériau de verre à base de sélénium et la couche d'argent ou couche 3b contenant de l'argent, est formée sur toute la surface principale de la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique selon un motif o un traitement de thermodurcissement est appliqué ainsi que sur la surface du matériau à travailler qui est exposée par le traitement d'attaque, c'est-à-dire la surface principale du matériau 1 du substrat (pastille de semiconducteur lc sur la figure 3b) afin de couvrir les deux surfaces. Alors, quand une exposition est effectuée avec unmotif fin souhaité au moyen de lumière ou d'un faisceau accéléré de particules 4 comme un faisceau d'électrons de lumière ou analogue, la couche 3a du matériau de verre à base de sélénium dans la partie exposée est dopée d'argent pour former la région dopée d'argent 3c comme le montre la figure 3c. Par ailleurs, un développement est fait sur le matériau du substrat en attaquant pour retirer la couche d'argent ou couche 3b contenant de l'argent qui reste sur les parties non exposées de la couche 3 du matériau de "resist" inorganique, et la couche 3a en matériau de verre à base de sélénium qui n'est pas dopée d'argent selon un procédé publiquement connu, ainsi est formé un motif fin avec la couche 3 du matériau de "resist" inorganique comme le montre la
figure 3d.
Alors, l'attaque est effectuée en utilisant la couche 3 du matériau de "resist" inorganique selon un motif fin, c'est-à-dire la région 3c dopée à l'argent comme masque pour retirer une partie de la couche 2 du matériau de "resist'e d'un polymère organique qui n'est pas couverte du masque, ainsi le motif fin est transféré à la couche 2 comme le montre la figure 3e. Ensuite, la seconde couche le sur le matériau 1 du substrat est attaquée en utilisant la couche 3 du matériau de "resist" inorganique selon un motif fin et la couche 2 du matériau
de "resist" d'un polymère organique o le motif fin ci-
dessus décrit a été transféré comme un masque, comme le montre la figure 3f. Enfin, la couche 3 et la couche 2 sont retirées pour obtenir le matériau 1 du substrat avec motif, o la fenêtre If est formée sur l'évidement lb
comme le montre la figure 3g.
Dans les deux modes de réalisation ci-dessus mentionnés, la couche du matériau de "resst" d'un polymère organique ayant le premier motif soulhait ainsi que la couche du matériau de "resist" inorgeaiqze possédant le second motif souhaité ont simplement été utilisées comme masque d'attaque pour la formation du motif sur le matériau du substrat qui est un matériau à travailler,et enfin les deux couches du matériau de "resist" ont été retirées. Cependant, il est possible que la couche du matériau de "resist"l d'un polymère organique formée sur le matériau du substrat soit laissée telle quelle sans la retirer, et cette couche est fonctiornnellement utilisée
comme élément de constitution de dispositifs à semi-
conducteurs.Comme exemple typique, ce procédé est appli-
cable à la formation d'une couche d'isolement entre couches, utilisée pour une interconnexion à plusieurs niveaux dans
des circuits intégrés et analogues.
Les figures 4a-4j sont des vues en coupe montrant chacune un stade d'un mode de réalisation dans le cas ci-dessus mentionné. Comme on peut le voir sur la figure 4a, un matériau 5 de substrat a une construction telle qu'une couche d'isolement 5b faite en SiO2 soit formée à la surface principale d'une pastille de semiconducteur faite en silicium, et des couches conductrices 5c et 5d consistant, par exemple, en Al, silicium polycristallin,
molybdène ou analogue sont disposées par-dessus.
Dans le cas o la surface principale de ce type de matériau 5 de substrat tel que ci-dessus décrit reçoit un motif avec une couche supérieure qui, par exemple, est électriquement isolée de la couche conductrice 5c au moyen d'un couche d'isolement entrecouches, tout en étant en contact avec la couche conductrice 5d, et elle s'étend d'une position sur la couche d'isolement entre couches jusqu'à celle sur la couche isolante ci-dessus 5b, la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique est d'abord appliquée sur toute la surface du matériau du substrat comme le montre la figure 4b. Pour la couche 2,
tout matériau de "resist" révélé dans les modes de réali-
sation ci-dessus mentionnés peut être employé, et entre autres un "resist" contenant un caoutchouc de polybutadiène cyclisé comme constituant principal est particulièrement préférable par le fait que ses propriétés électriques en
tant que couche d'isolement entie couches, et plus particu-
lièrement sa résistance d'isolement et ses propriétés de perte diélectrique sont excellentes. Alors, comme le montre la figure 4c, le motif estformésurla couche 2 selon une façon habituelle afin d'établir le motif en tant que couche d'isolement entrecouches, ensuite un traitement
thermique semblable à celui du mode de réalisation précé-
demment mentionné est effectué pour durcir la couche 2 du
matériau de "resist" d'un polymère organique avec motif.
Ensuite, comme le montre la figure 4d, la couche 3 du matériau de "resist" inorganique est formée sur la couche 2 et la couche isolante 5b afin de couvrir toute la surface de la couche 2 et les parties exposées de la couche isolante 5b sur la surface principale du matériau 5 du substrat et alors, comme le montre la figure 4e, une exposition est effectuée au moyen de la lumière ou d'un
faisceau accéléré de particules comme un faisceau d'élec-
trons avec un motif par lequel une fenêtre peut être formée sur la couche du matériau de "resist" qui est placée sur la couche onductrice 5d. Alors, comme le montre la figure 4f, la couche 3 est développée et de plus la couche 2 est attaquée comme le montre la figure 4g et la
couche 3 est alors retirée comme le montre la figure 4h.
Ensuite,une couche conductrice supérieure 6 est formée sur la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique avec motif et la couche isolante 5b afin de couvrir toute la surface de la couche 2 et les parties exposées de la couche isolante 5_ sur la surface principale du matériau 5 du substrat comme le montre la figure 4i et enfin>le matériau du substrat ainsi traité est formé selon un procédé publiquement connu pour établir un motif souhaité, on forme donc un motif possédant deux couches conductrices ayant la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus comme couche d'isolement
entrecouches, comme on peut le voir sur la figure 4J.
Bien que le troisième mode de réa1iJsation ci-dessus ait été décrit en connexion avec un motif à deux couches, un motif à plusieurs niveaux comprenant tûrois couches ou plus peut bien entendu être facilement formé en répétant
les étapes ci-dessus-mentionnées.
Le procédé de formation d'un motif selon la présente invention est également très efficace pour la formation d'un motif en pellicule mince selon le procédé de décollement en soulevant. Par exemple, dans le cas o un motif en pellicule mince et précis est formé sur un évidement dans la surface principale d'un matériau de substrat non plat 7 comme le montrent les figures 5a-5c, la- formation d'un motif tel que toute la surface de l'évidement soit couverte de la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique et la formation d'un motif fin ou précis au moyen de la couche 3 d'un matériau de "resist" inorganique sont effectuées de la même façon que dans le mode de réalisation ci-dessus décrit, et ensuite la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus est soumise à un traitement d'attaque en utilisant la région 3c dopée à l'argent dans la couche 3 de matériau de "resist" inorganique pour former le motif fin ci-dessus comme masque, comme on peut le voir sur la figure 5a. Alors, une couche en pellicule mince souhaitée 8 est formée afin de couvrir la couche 3 du matériau de "resist" inorganique et toute la surface principale du matériau 7 du substrat comme le montre la figure 5b, et enfin quand la couche 2 et la couche 3 sont retirées, la couche en pellicule mince 8 sur la couche 3 ci-dessus est simultanément retirée, pour former ainsi un motif en pellicule mince souhaité comme le montre la
figure 5c.
2.1 Il faut noter que même si les étapes de traitement dans le quatrième mode de réalisation ci-dessus sont quelque peu modifiées, il est possible d'obtenir un motif en pellicule mince semblable. Par exemple, comme le montre la figure 5a, un motif fin avec la couche 3 du matériau de "resist" inorganique est transféré à la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique, et alors seule la couche 3 est retirée comme le montre la figure 6a, une couche en pellicule mince 8 est alors formée sur la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique et la surface principale du matériau 7 du substrat qui n'est pas couverte de la couche 2 comme le montre la figure 6b, et alors la couche 2 du matériau de "resist" d'un polymère organique est retirée en même temps que la couche 8 en pellicule mince, on forme ainsi un motif en
pellicule mince souhaité comme le montre la figure 6c.
Le procédé ci-dessus indiqué est efficace pour la formation
d'un relief ayant des motifs grand et petit.
Comme on l'a décrit ci-dessus, comme le procédé de formation d'un motif selon l'invention comprend les étapes de former un premier motif souhaité avec une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique, de traiter thermiquement la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique avec motif puis de former une couche d'un matériau de "resist" inorganique sur la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique avec motif pour couvrir toute sa surface, et de former ensuite un second motif souhaité avec la couche du matériau de "resist" inorganique cidessus et ensuite de transférer le second motif souhaité résultant à la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus, le procédé selon l'invention présente les divers excellents avantages
qui suivent.
D'abord, le premier motif souhaité formé avec la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique a pour but de couvrir et d'aplatir toutes les parties assemblées et non plates d'un matériau de substrat, ou la formation d'un motif relativement grand. En conséquence, une haute précision du motif n'est pas requise, il est donc possible d'épaissir fortement l'épaisseur de la pellicule de la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique dans l'invention, en comparaison au cas de la formation d'un motif avec seulement une couche
d'un matériau de "resist" d'ul polymère organ-ique conven-
tionnelle. Pour cette raison, la résistance à l'attaque augmente quand cette couche du matériau de "1resist" d-un polymère organique est utilisée comme mas.qu-e pour effectuer un traitement d'attaque d'un matériau de substrat. En conséquence, divers avantages peuvent être obtenuscomme une augmentation de l'étendue applicable du matériau du substrat comme matériau à travailler, une diversification des agents d'attaque et du gaz d'attaque applicableset la
possibilité d'une attaque fine et profonde.
En outre, l'augmentation d'une épaisseur de pellicule de la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique comme on -l'a ci-dessus mentionné,ainsi que le traitement thermique après la formation du motif de la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ci-dessus sont très efficaces pour aplatir des parties non planes d'un matériau de substrat, et ce fait se rapporte très précisément à une amélioration de la précision du motif formé à l'étape suivante pour former le motif avec une couche d'un matériau de "resist" inorganique. Par suite, il devient très facile d'établir une formation d'un motif précis avec une haute précision à la surface d'un substrat ayant des parties non planes remarquables o un motif précis aurait à peine pu être formé précédemment, et donc la caractéristiaue de haute résolution d'une couche
d'un matériau de "resist" inorganique peut être efficace-
ment utilisée. Par ailleurs, comme on l'a mentionné ci-
dessus, l'augmentation de l'épaisseur de pellicule d'un
masque de "resist" est facile, et le procédé selon l'inven-
tion est très efficace pour la formation d'un masque avec une haute précision pour, par exemple, l'implantation d'un ion de forte énergie ou pour une attaque par faisceau d'ions d'un matériau résistif d'attaque fort tel que
LiNbO3 ou analogue.
De plus, quand le procédé selon la présente invention est fonctionnellement subdivisé de façon qu'un motif relativement grand soit formé avec une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique tandis qu'un motif fin est formé avec une couche d'un matériau de
"resist" inorganique, la source d'exposition, le mode d'expo-
sition ou analogue dans le cas d'exposition de chaque peuvent être modifiés. Ainsi, quand le mode d'exposition est choisi selon la précision requise dans chaque formation de motif et que par exemple de la lumière ou un faisceau d'électrons est utilisé pour les motifs grand et fin respectivement, la précision requise peut être maintenue et en plus le temps d'exposition peut être remarquablement réduit en comparaison au cas o tous les motifs sont exposés au moyen d'un faisceau d'électrons, ce qui
permet d'augmenter le débit.
Par ailleurs, selon la présente invention, quand un motif est formé sur une couche d'un matériau de "resist"
d'un polymère organique en réponse à une marque d'aligne-
ment d'un masque, seule une partie marquée peut être exposée. Par conséquent, le problème selon lequel la lumière réfléchie par un masque ne peut être détectée dans le procédé de formation de motif o un "resist" à deux niveaux est employé peut être résolu, ce qui permet une automatisation pour l'alignement du masque dans un système
d'exposition à la lumière.
De nombreuses combinaisons des étapes de procédé sont possibles dans la présente invention, par exemple, des traitement d'attaque en profondeur et peu profonds sur un substrat à travailler peuvent efficacement être effectués, et ce procédé est efficace dans le cas o l'épaisseur de pellicule d'une couche à travailler est différente en différentes parties de la surface d'une pastille et o un motif est formé sur une telle couche à travailler, ce qui
donne une simplification des étapes de procédé.
Selon la présente invention, comme la couche du matériau d'un "resist" d'un polymère organique qui est formée sur le matériau du substrat est suffisamment durcie pendant un stade de traitement thermique après formation d'un motif, diverses propriétés telles que la dureté, les propriétés électriques, la résistance à la chaleur ez
analogues sont améliorées, donc le procédé selon l'inven-
tion devient très avantageux pour la formation d'une couche d'isolement entrecouches ainsi que l'application du procédé de décollement en soulevant. De ce point de vue, la
description sera faite ci-après en plus de détail.
Des pellicules d'isolement entrecouches faites en matériaux de polymère contenant des résines de la série polyimide comme exemple typique sont connues, mais ces pellicules n'ont habituellement pas de photosensibilité,
c'est-à-dire de fonction de formation d'un motif.
Comme matériaux de "resist" de polymère répondant aux propriétés caractéristiques de la pellicule d'isolement entrecouches, on connaît les "resists" de la série butadiène cyclisé ci-dessus et quand de tels "resists" sont utilisés comme couches du matériau de "resist" d'un polymère organique dans le procédé selon l'invention, on peut atteindre les avantages qui suivent. En effet, il y a de nombreux cas o la finesse et la haute précision sont requises pour une pellicule entrecouches pendant tout le travail, mais comme le travail d'une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique en tant que pellicule d'isolement entrecouches est effectué selon un mode d'attaque par ions réactifs en utilisant un masque de "resist" inorganique dans la présente invention, la finesse requise peut être suffisamment obtenue. Cependant, dans ce cas, une section avec motif de la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique se trouve rectangulaire et cela a pour résultat un phénomène tel qu'un conducteur peut à peine entrer dans cet espace rectangulaire étroit entre les motifs au moment de la formation de la couche conductrice, ce phénomène devient donc une cause de
rupture de la surface échelonnée du conducteur supérieur.
Selon la présente invention, comme un motif est formé avec
une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organi-
que, une section du motif possède des surfaces inclinées comme on peut le voir dans la couche 2, par exemple, de la figure lb. Un motif fin ou précis ayant une section rectangulaire est formé avec un "resist" inorganique sur une telle couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique avec motif selon un procédé d'attaque d'ions réactifs, et ensuite la couche conductrice supérieure est appliquée sur la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique avec motif ayant un tel motif fin, on peut donc former des conducteurs en deux couches ayant la couche du matériau de "resist" d'un polymère organique comme pellicule d'isolement entreCouches. En outre, ce procédé de la présente invention est également efficace pour aplatir une couche de la surface de "resist" dans une technique de "resist" à deux couches. De plus, comme un motif est formé avec une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique dans la présente invention, la flexibilité augmente par rapport à la construction et
à la conception pour le motif de la pellicule entie couches.
Dans le cas de l'application de la présente invention à un procédé de formation pour un masque d'implantation d'ions, un masque ayant deux sortes de capacités d'arrêt des ions peut être formé, et donc une
formation simultanée de deux sortes de régions d'implanta-
tion peut être effectuée par une implantation d'ions.
Selon la présente invention, comme on l'a décrit ci-dessus, une fonction de formation d'un motif est donnée à une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique, de nombreux avantages peuvent donc être réalisés, lesquels ne peuvent être atteints par une simple technique de "resist" à deux couches, et en outre les problèmes mis en cause dans le "resist" à deux couches sont également résolus. En particulier, si le procédé de la présente invention est mis en pratique en modifiant de façons diversesles procédés de formation de motifs, cette invention peut largement s'appliquer à divers motifs, constructions de couches et matériaux de couches.
Claims (8)
1.- Procédé de formation d'un motif, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: former un premier motif souhaité consistant en une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique (2) à la surface d'une couche à travailler d'un matériau de substrat (1), appliquer un traitement thermique à ladite couche du matériau de "resist" d'un polymère organique avec motif, former une couche d'un matériau de "resist" inorganique (3) qui est un feuilletage consistant en une couche d'un matériau de verre à base de sélénium (3a) et une couche d'argent ou une couche (3b) contenant de l'argent sur ladite couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique ainsi traitée thermiquement afin de couvrir toute sa surface, former un second motif souhaité avec ladite couche d'un matériau de "resist" inorganique, attaquer pour retirer ladite couche du matériau de "resist" d'un polymère organique dans une région qui n'est pas couverte par ladite couche de matériau de "resist" inorganique avec motif, appliquer un traitement d'attaque à ladite couche à travailler dans une région qui n'est pas couverte de ladite couche du matériau de "resist" d'un polymère organique, et retirer lesdites couches de matériauxde "resists"
inorganique et d'un polymère organique.
2.- Procédé de formation d'un motif, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: former un premier motif souhaité (2) consistant en
une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organi-
que à la surface d'une couche à travailler d'un matériau de substrat (1), appliquer un traitement thermique à ladite couche du matériau de "resist" d'un polymère organique avec motif, former une couche d'un matériau de "lresist" inorganique (3) qui est un feuilletage consistant en une couche d'un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou une couche contenant de l'argent sur ladite couche du matériau de "resist'r d'un polymère organique ainsi traitée thermiquement afin de couvrir toute sa surface, former un second motif souhaité avec ladite couche du matériau de "resist" inorganique, attaquer pour retirer ladite couche du matériau de "resist" du polymère organique dans une région qui n'est pas couverte de ladite couche de matériau de "resist" inorganique avec motif, retirer ladite couche du matériau de "resist" inorganique, appliquer un traitement d'attaque à ladite couche à travailler dans une région qui n'est pas couverte de ladite couche du matériau de "resist" d'un polymère organique, et retirer ladite couche du matériau de "resist"
d'un polymère organique.
3.- Procédé de formation d'un motif, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: former un premier motif souhaité consistant en une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique à la surface d'une couche à travailler d'un matériau de substrat, appliquer un traitement thermique à ladite couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique avec motif, attaquer pour retirer ladite couche à travailler dans une région qui n'est pas couverte de ladite couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique avec motif, former une couche d'un matériau de "resist" inorganique qui est un feuilletage consistant en une couche d'un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou une couche contenant de l'argent sur ladite couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique ainsi traitée thermiquement et ladite couche exposée à travailler au moyen dudit traitement d'attaque afin de couvrir toute la surface de ladite couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique et la surface de ladite couche exposée à travailler, former un second motif souhaité avec ladite couche d'un matériau de "resist" inorganique, attaquer pour retirer ladite couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique dans une région qui n'est pas couverte de ladite couche d'un matériau de "resist" inorganique avec motif, appliquer un traitement d'attaque à ladite couche à travailler dans une région qui n'est pas couverte de ladite couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique, et retirer lesdits matériaux de "resists" inorganique
et d'un polymère organique.
4. - Procédé de formation d'un motif, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de former un premier motif souhaité consistant en une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique à la surface d'une couche à travailler d'un matériau de substrat pourvu d'une couche conductrice (6); appliquer un traitement thermique à ladite couche de matériau de "resist" d'un polymère organique avec motif, former une couche d'un matériau de "resist" inorganique qui est un feuilletage consistant en une couche d'un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou couche contenant de l'argent sur ladite couche du matériau de "resist" d'un polymère organique ainsi traitée thermiquement afin de couvrir toute sa surface, former un second motif souhaité avec ladite couche du matériau de "resist" inorganique, attaquer pour retirer ladite couche du matériau de "resist" d'un polymère organique dans une région qui n'est pas couverte par ladite couche du matériau de "resist" inorganique avec motif, retirer ladite couche du matériau de "resist" inorganique, et former un troisième motif souhaité consistant en
une couche conductrice (6) sur ladite couche du matériau-
de "resist" d'un polymère organique et ladite surface de ladite couche à travailler dudit matériau du substrat dans une région qui n'est pas couverte par ladite couche du
matériau de "resist" d'un polymère organique.
5.- Procédé de formation d'un motif, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: former un premier motif souhaité consistant en une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique à la surface d'une couche à travailler dun matériau de substrat, appliquer un traitement thermique à ladite couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique avec motif, former une couche d'un matériau de "resist" inorganique qui est un feuilletage consistant en une couche d'un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou une couche contenant de l'argent sur ladite couche d'un matériau de "resist"l d'un polymère organique ainsi traitée thermiquement afin de couvrir toute sa surface, former un second motif souhaité avec ladite couche d'un matériau de "resist" inorganique, attaquer pour retirer ladite couche de matériau de "resist" d'un polymère organique dans une région qui n'est pas couverte de ladite couche de matériau de "resist" inorganique avec motif, former une couche en pellicule mince (8) sur ladite couche du matériau de "resist" inorganique et ladite surface de la couche à travailler dudit matériau du substrat dans une région qui n'est pas couverte de ladite couche du matériau de "resist" d'un polymère organique, et retirer lesdites couches de matériaux de "resists" inorganique et d'un polymère organique en même temps que ladite couche en pellicule mince formée sur ladite couche
du matériau de "resist " inorganique.
6.- Procédé de formation d'un motif, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: former un premier motif souhaité consistant en une couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique à la surface d'une couche à travailler d'un matériau de substrat, appliquer un traitement thermique à ladite couche d'un matériau'de "resist" d'un polymère organique avec motif, former une couche d'un matériau de "resist" inorganique qui est un feuilletage consistant en une couche d'un matériau de verre à base de sélénium et une couche d'argent ou une couche contenant de l'argent sur ladite couche d'un matériau de "resist" d'un polymère organique ainsi traitée thermiquement afin de couvrir toute sa surface, former un second motif souhaité avec ladite couche d'un matériau de "resist" inorganique, attaquer pour retirer ladite couche du matériau de "resist" d'un polymère organique dans une région qui n'est pas couverte de ladite couche du matériau de "resist" inorganique avec motif, retirer ladite couche du matériau de "resist" inorganique, former une couche en pellicule mince sur ladite couche du matériau de "resist" d'un polymère organique et ladite surface de la couche à travailler dudit matériau de substrat dans une région qui n'est pas couverte par ladite couche du matériau de "resist" d'un polymère organique, et retirer ladite couche du matériau de "resist" d'un polymère organique en même temps que ladite couche
en pellicule mince qui y est formée par-dessus.
7.- Procédé selon l'une quelconque des
revendications I à 6, caractérisé en ce que la couche du
matériau de "resist" d'un polymère orgarique précitée est formée d'un matériau de "resist" contenant du caoutchouc de polybutadiène cyclisé comme constituant principal.
8.- Procédé selon l'une quelconque des
revendications I à 6, caractérisé en ce que la couche
du matériau de verre à base de séléni-um précitée est formée d'un matériau de verre contenant du sélénium et
du germanium comme constituants principaux.
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Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4564584A (en) * | 1983-12-30 | 1986-01-14 | Ibm Corporation | Photoresist lift-off process for fabricating semiconductor devices |
| JPS60149130A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-06 | Hitachi Ltd | パターン検出方法およびそれに用いる反射防止膜用材料 |
| US4693780A (en) * | 1985-02-22 | 1987-09-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Electrical isolation and leveling of patterned surfaces |
| US4657629A (en) * | 1986-03-27 | 1987-04-14 | Harris Corporation | Bilevel resist process |
| JPS6318697A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | 日本電気株式会社 | 多層配線基板 |
| US4895790A (en) * | 1987-09-21 | 1990-01-23 | Massachusetts Institute Of Technology | High-efficiency, multilevel, diffractive optical elements |
| US5161059A (en) * | 1987-09-21 | 1992-11-03 | Massachusetts Institute Of Technology | High-efficiency, multilevel, diffractive optical elements |
| JPH04122012A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | アライメントマークおよびその形成方法 |
| US5411824A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-02 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging |
| AU5681194A (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-15 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission |
| US5418095A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Sematech, Inc. | Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process |
| DE4440230C2 (de) * | 1993-11-10 | 1999-03-18 | Hyundai Electronics Ind | Verfahren zur Bildung feiner Strukturen eines Halbleiterbauelements |
| US5869175A (en) * | 1994-01-31 | 1999-02-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Integrated circuit structure having two photoresist layers |
| US5480747A (en) * | 1994-11-21 | 1996-01-02 | Sematech, Inc. | Attenuated phase shifting mask with buried absorbers |
| US5474865A (en) * | 1994-11-21 | 1995-12-12 | Sematech, Inc. | Globally planarized binary optical mask using buried absorbers |
| JP3361916B2 (ja) * | 1995-06-28 | 2003-01-07 | シャープ株式会社 | 微小構造の形成方法 |
| JP2001015479A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6852454B2 (en) * | 2002-06-18 | 2005-02-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multi-tiered lithographic template and method of formation and use |
| TW200504746A (en) * | 2003-06-23 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for producing stamper for optical information recording medium |
| US7083885B2 (en) | 2003-09-23 | 2006-08-01 | Eastman Kodak Company | Transparent invisible conductive grid |
| US7255912B2 (en) | 2003-09-23 | 2007-08-14 | Eastman Kodak Company | Antistatic conductive grid pattern with integral logo |
| US7153620B2 (en) | 2003-09-23 | 2006-12-26 | Eastman Kodak Company | Transparent invisible conductive grid |
| JP2008233552A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Sony Corp | パターン形成基板、パターン形成方法、並びに金型 |
| US12033856B2 (en) | 2021-09-29 | 2024-07-09 | International Business Machines Corporation | Litho-litho-etch (LLE) multi color resist |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2854336A (en) * | 1955-03-07 | 1958-09-30 | Youngstown Arc Engraving Compa | Method of forming a two-level photoengraved embossing plate or mold |
| US3317320A (en) * | 1964-01-02 | 1967-05-02 | Bendix Corp | Duo resist process |
| US4124473A (en) * | 1977-06-17 | 1978-11-07 | Rca Corporation | Fabrication of multi-level relief patterns in a substrate |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2015841C3 (de) * | 1970-04-02 | 1979-04-05 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten, vorzugsweise metallischen Schicht auf einem Grundkörper |
| JPS5851412B2 (ja) * | 1975-03-19 | 1983-11-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の微細加工方法 |
| GB1529037A (en) * | 1976-06-08 | 1978-10-18 | Nippon Telegraph & Telephone | Image-forming materials having a radiation sensitive chalcogenide coating and a method of forming images with such materials |
-
1981
- 1981-02-06 JP JP56016613A patent/JPS57130430A/ja active Granted
-
1982
- 1982-01-29 US US06/343,908 patent/US4434224A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-02-04 GB GB8203189A patent/GB2094014B/en not_active Expired
- 1982-02-05 FR FR8201933A patent/FR2499726A1/fr active Granted
- 1982-02-05 DE DE19823203898 patent/DE3203898A1/de active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2854336A (en) * | 1955-03-07 | 1958-09-30 | Youngstown Arc Engraving Compa | Method of forming a two-level photoengraved embossing plate or mold |
| US3317320A (en) * | 1964-01-02 | 1967-05-02 | Bendix Corp | Duo resist process |
| US4124473A (en) * | 1977-06-17 | 1978-11-07 | Rca Corporation | Fabrication of multi-level relief patterns in a substrate |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 29, no. 10, 15 novembre 1976, pages 677-679, New York, USA * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2094014B (en) | 1985-02-13 |
| FR2499726B1 (fr) | 1985-02-01 |
| JPS57130430A (en) | 1982-08-12 |
| US4434224A (en) | 1984-02-28 |
| DE3203898C2 (fr) | 1988-06-09 |
| GB2094014A (en) | 1982-09-08 |
| JPH0160940B2 (fr) | 1989-12-26 |
| DE3203898A1 (de) | 1982-10-28 |
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