FR2496991A1 - Condensateur variable - Google Patents
Condensateur variable Download PDFInfo
- Publication number
- FR2496991A1 FR2496991A1 FR8123596A FR8123596A FR2496991A1 FR 2496991 A1 FR2496991 A1 FR 2496991A1 FR 8123596 A FR8123596 A FR 8123596A FR 8123596 A FR8123596 A FR 8123596A FR 2496991 A1 FR2496991 A1 FR 2496991A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- dielectric layer
- bias voltage
- variable capacitor
- layer control
- capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 241000158147 Sator Species 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/60—Capacitors
- H10D1/62—Capacitors having potential barriers
- H10D1/64—Variable-capacitance diodes, e.g. varactors
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN CONDENSATEUR VARIABLE. SELON L'INVENTION, IL COMPREND UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 9; UN CERTAIN NOMBRE D'ELEMENTS DE CONDENSATEUR VARIABLE 10A, 10B, 10C..., CHACUN AYANT UNE SECTION DE CONTROLE DE COUCHE DIELECTRIQUE 16 ET UNE SECTION DE LECTURE DE CAPACITE 13 TOUTES DEUX FORMEES SUR LE SUBSTRAT; UN MOYEN D'APPLICATION DE TENSION DE POLARISATION 17, 18 POUR APPLIQUER UNE TENSION DE POLARISATION A LA SECTION DE CONTROLE DE COUCHE DIELECTRIQUE; ET UNE SOURCE DE TENSION VARIABLE 20 POUR APPLIQUER LA TENSION DE POLARISATION, LES DISTANCES RESPECTIVES L, L, L ENTRE LES SECTIONS DE CONTROLE DE COUCHE DIELECTRIQUE ET LES SECTIONS DE LECTURE DE CAPACITE ETANT DIFFERENTES LES UNES DES AUTRES. L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT A L'ELECTRONIQUE.
Description
La présente invention se rapporte à un condensateur variable agencé de
façon à contrtler avec précision la
variation de capacité sur une large gamme.
Traditionnellement, on a généralement utilisd comme condensateur variable, un élément à jonction PN tel que représenté sur la figure 1. Sur cette même figure, le repère 1 désigne une région de semi-conducteur du type N, le repère 2 une région de semi-conducteur du type P, le repère 3 une jonction PN, les repères 4 et 5 des électrodes ohmiques prévues dans les régions 1 et 2 respectivement, les repères 6 et 7 des bornes prévues dans les électrodes 4 et 5 respectivement, et 8 une couche diélectrique. Avec cet agencement, la couche diélectrique 8 croit et se rétrécit en réponse à une tension de polarisation appliquée aux bornes 6 et 7 et la variation de capacité
alors provoquée est lue entre les bornes 6 et 7.
Cependant, un condensateur variable traditionnel adoptant un tel élément à jonction PN présente les inconvénients qui suivent: (1) étant donné le fait qu'un condensateur variable traditionnel utilise l'augmentation ou la diminution de la couche diélectrique à la jonction PN qui dépend de la tension de polarisation, la capacité minimale est déterminée par la concentration en impuretés dans les régions de
semi-conducteur tandis que la capacité maximum est déter-
minée par l'augmentation de la composante de conductance.
Par conséquent, il est pratiquement impossible de permettre une large gamme de variations de la capacité quand le facteur Q est important. De plus, plus la variation de
capacité est importante plus le facteur Q deviend important.
Par conséquent, un condensateur variable traditionnel
présente des difficultés de conception de circuit.
(2) étant donné le fait que l'alimentation en tension de polarisation pour faire varier la capacité et lire la variation capacitive est accomplie au moyen des bornes communes, le condensateur peut provoquer une variation de capacité non souhaitée en réponse à la tension du signal d'entrée lui-même quand le condensateur est adapté dans un circuit résonnant et autres, avec pour résultat une détérioration du signal. Par ailleurs, comme il faut un agencement de circuit spécifique ou l'inter- férence entre la tension de signal d'entrée et la tension de polarisation est faible,le condensateur variable traditionnel est restreint à peu d'usages6 (3) la concentration en impuretés dans les régions de semi- conducteur pour déterminer la capacité de la couche diélectrique est contrôlée par un moyen de contrble tel
qu'une diffusion, une implantation d'ions et autres.
Cependant, comme un tel moyen ne permet pas de réaliser un bon rendement, l'intégration dans un circuit intégré
est pratiquement impossible.
La présente invention a par conséquent pour objet de résoudre ces inconvénients traditionnels, et plus particulièrement de prévoir un condensateur variable o un élément de condensateur variable comprenant une section de contrble de couche diélectrique et une section de
lecture de capacité est formé sur un substrat semi-
conducteur et la capacité apparaissant à la section de lecture de capacité varie selon la distance entre la section de contrble de couche diélectrique et la section
de lecture de capacité.
Selon la présente invention, on prévoit un condensa-
teur variable qui comprend: un substrat semi-conducteur; un certain nombre d'éléments de condensateur variable, chacun ayant une section de contrble de couche diélectrique et une section de lecture de capacité, toutes deux formées sur le substrat; un moyen d'application de tension de polarisation pour appliquer une tension de polarisation à la section de contrôle de couche diélectrique; et une source de tension variable pour appliquer la tension de polarisation, les distances respectives entre les sections de contrble de couche diélectrique et les sectionsde lecture
de capacité étant différentes les unes des autres.
L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci
apparaîtront mieux dans la description explicative qui va
suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels:
- la figure 1 montre une vue en coupe d'un condensa-
teur variable traditionnel; - les figures 2, 5, 6 et 7 montrent chacune une vue en coupe illustrant des modesde réalisation préférés selon l'invention; - les figures 8 (a) et (b) montrent une vue en coupe et une vue en plan illustrant toutes deux un autre mode de réalisation selon l'invention; et - les figures 3 et 4 montrent un graphique pour
expliquer la présente invention.
La présente invention sera maintenant décrite en détail en se référant au mode de réalisation préféré
illustré sur les dessins.
La figure 2 montre une vue en coupe illustrant un condensateur variable selon un mode de réalisation de
l'invention, o le repère 9 désigne un substrat semi-
conducteur tel que du silicium du type N, par exemple,
et 10A, 1OB, 10C... désignent chacun un élément de conden-
sateur variable ayant une section 13 de lecture de capacité et une section 16 de contrble de couche diélectrique. La section 13 de lecture de capacité comprend une région 11 du type P formée dans le substrat 9 du type-N et une électrode métallique 12 formée dans la région 11 du type P, tandis que la section de contrble de couche diélectrique 16 comprend au moins une région 14 du type P formée adjacente à la région 11 du type P et une électrode métallique 15 prévue dans la région 14 du type P. Les distances L1, L2, L3,... entre les sections respectives de lecture de capacité 13 et les sections respectives de contrble de couche diélectrique 16 des éléments de condensateur variable 10A, 10B, 10C..., sont agencées
pour différer les unes des autres.
Le repère VB désigne une tension de polarisation qui est appliquée en commun aux sections de contr le de couche diélectrique 16 des éléments de condensateur variable 10A, 10B,. 10C,... par une source de tension variable 20, les repères 17 et 18 désignent des bornes de lecture-de capacité et le repère 19 est une électrode obmique prévue le long de la surface inférieure au fond
du substrat semi-conducteur 9.
Avec cet agencement, la caractéristique de la capacité C de l'un des éléments de condensateur variable par rapport à la tension de polarisation VB apparaitté que représentée sur la figure 3. La capacité C augmente pour atteindre la valeur maximum Cmax quand la tension de polarisation est nulle ou presque-nulle. Cependant, tandis que la tension de polarisation augmente vers l'arrière par de lents degrés jusqu'à représenter une valeur particulière Vt (valeur de seuil) de l'élément, la capacité C baisse rapidement pour atteindre la valeur minimum Cmin et elle est ensuite maintenue à cette condition. La valeur de seuil Vt varie selon les distances L1, L2, L30^. entre les sections de lecture de capacité 13 et les sections de contrble de couche diélectrique 16 des éléments de caadmeabur variable 10A, 10B, 10C..., et donc plus la distance est
importante plus elle est importçxnte.
Par conséquent, quand une tension de polarisation est appliquée en commun aux éléments de condensateur variable ayant des valeurs différentes de seuil et qui sont intégrés
en parallèle dans le substrat semi-conducteur 9 de la-
figure 2, la caractéristique de capacité totale semble varier d'une façon échelonnée comme le montre la figure 4, o les caractéristiques respectives, comme le montre la
figure 3, sont continuellement connectées.
Si la capacité maximum respective Cmax des éléments
249.6991
de condensateur variable 10A, 10B, 10C... est déterminée à une faible valeur et qu'un certain nombre d'éléments de condensateurs variables 10A, 1OB, 10C... sont intégrés, les largeurs des étapes ou échelons dans la caractéristique de la figure 4 se trouvent plus petites, obtenant ainsi une variation raide et aigUe. En conséquence, la proportion de Cmax/Cmin peut ttre amenée à une valeur élevée et la gamme de variation totale de la capacité est rendue plus importante. Par ailleurs, comme seulement certains des éléments sont actonnés sensitivement en réponse à la tension de polarisation dans une certaine gamme tandis que les autres sont maintenus pourtrte à Cmax ou Cmin afin de maintenir ainsi une condition stable vis-à-vis de la variation de la tension de polarisation, la variation du
facteur Q peut être maintenue à une faible valeur.
La caractéristique de la capacité C et la tension de polarisation VB peuvent ttre déterminées comme on le souhaite en contrtlant les distances L1, L2, L3... entre les sections de lecture de capacité 13 et les sections de contrble de couche diélectrique 16 dans le substrat
semi-conducteur 9.
La figure 5 montre un autre mode de réalisation selon l'invention o la section de lecture de capacité
13 a une structure MIS qui comprend une pellicule d'isole-
ment 20 telle qu'une pellicule oxydante par exemple, qui est formée sur le substrat semi-conducteur 9 et une
électrode 21 formée sur la pellicule isolante.
La figure 6 montre un autre mode de réalisation selon l'invention o la section de lecture de capacité 13 a une structure de barrière de Schottky qui comprend une barrière métal-semi-conducteur qui est formée entre le substrat semi-conducteur 9 etun métal souhaité 22 qui y
est formé.
Comme on l'a décrit ci-dessus, la section de lecture de capacité 13 peut avoir toute structure à jonction PN,
structure MIS et structure de barrière de Schottky.
Cependant, la section de contrble 16 de la couche
diélectrique peut également avoir chacune de ces structures.
Par ailleurs, quand les sections 13 et 16 sont arrangées pour former des jonctions PN dans le substrat semi-conducteur tout autour, toute forme de conduction souhaitée peut ttre choisie. La figure 7 illustre un autre mode de réalisation selon l'invention o des régions isolées 23 sont formées entre des éléments de condensateur variable et adjacents respectifs 10A, 10B, 10C.... Les régions isolées 23 peuvent ttre formées par tout matériau isolé tel qu'une pellicule oxydante, du verre et autres ou autrement, elles
peuvent être construites en tant qu'une structure d'iso-
lement contre l'air en prévoyant des espaces vides.
En prévoyant ainsi les régions isolées 23, les interférences électriques entre les éléments adjacents respectifs, c'est-à-dire la variation du facteur Q, par
exemple, peuvent ttre empochées.
Bien que les éléments de condensateur variable dans les modes de réalisation ci-dessus décrits soient agencés pour avoir des valeurs différentes de seuil, ils ne sont pas restreints à de tels agencements. Par exemple, on peut les répartir en certains groupes afin que les valeurs
de seuil diffèrent pour des groupes respectifs.
Par ailleurs, les éléments ne doivent pas ttre disposés de façon que les valeurs de seuil varient graduellement et régulièrement jusqu'à une certaine direction horizontale du substrat semi-conducteur. Comme les sections de-contrble de la couche diélectrique des éléments respectifs sont couramment alimentées de la même tension de polarisation, il est possible de toujours obtenir la caractéristique telle que représentée sur la figure 4 si la capacité varie de façon échelonnée même si des éléments ayant différentes
valeurs de seuil sont disposés au hasard.
Les figures 8 (a) et (b) montrent un autre mode de réalisation selon l'invention illustrant une structure (a) o les sections de contrôle de couche diélectrique 16 et les sections de lecture de capacité 13 sont placées alternativement et leur motif d'électrode (b) o les repères 13A et 16A désignent des électrodes des sections
13 et 16, respectivement.
Comme cela est apparent à la lecture de la description
qui précède, la présente invention, o un certain nombre d'éléments de condensateur variable ayant chacun une section de contrble de couche diélectrique et une section
de lecture de capacité sont formés sur un substrat semi-
conducteur de façon que les distances respectives entre les sections de contrble de couche diélectrique et les sections de lecture de capacité diffèrent les unes des autres a les effets qui suivent (1) la variation de capacité est contrtlée avec précision sur une large gamme parce que la caractéristique de variation de capacité par rapport à la tension de
polarisation peut ttre étudiée comme on le souhaite.
(2) il est possible de restreindre la variation du facteur Q à une valeur aussi faible que possible, ainsi que de concevoir la variation capacitive sur une large
gamme.
(3) la variation capacitive provoquée par le signal d'entrée lui-même est restreinte pour être faible avec pour résultat une détérioration extrêmement moindre du signal parce que la borne de la tension de polarisation
et la borne de lecture de capacité sont prévues indépendam-
ment. (4) on peut s'attendre à un meilleur rendement parce qu'il n'est pas nécessaire de prévoir une implantation
d'ions en tEnt que moyen de contrble des impuretés.
(5) étant intégré dans un substrat commun au circuit intégré semiconducteur, le condensateur variable permet à la pièce d'être diminuée en dimension et d'être de poids léger, contribuant ainsi à la réduction du prix de production. Il faut noter que chaque distance entre la section de contrble de couche diélectrique et la section de lecture de capacité est celle se trouvant entre les positions de ces sections o elles débutent sensiblement leur comportemenit
sur le substrat semi-conducteur.
Claims (8)
1. Condensateur variable caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semi-conducteur (9); un certain nombre d'éléments de condensateur variable (10A, lOB, 10C...), chacun ayant une section de contr1le de couche diélectrique (16) et une section de lecture de capacité (13) toutes deux formées sur ledit substrat; un moyen d'application de tension de polarisation (17, 18) pour appliquer une tension de polarisation à ladite section de contrble de couche diélectrique; et une source de tension variable (20) pour appliquer ladite tension de polarisation, les distances respectives (L1, L2, L3) entre lesdites sections de contrtle de couche diélectrique et lesdites sections de lecture de capacité étant différentes les
unes des autres.
2. Condensateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que des régions isolées (23) sont prévues entre des
éléments de condensateur variable adjacents respectifs.
3. Condensateur selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 ou 2, caractérisé en ce que la section de contrble de couche diélectrique précitée a une structure de jonction PN.
4. Condensateur selon l'une quelconque des revendica-
tions I ou 2, caractérisé en ce que la section de contrtle
de couche diélectrique précitée a une structure MIS.
5. Condensateur selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 ou 2, caractérisé en ce que la section de contr1le de couche diélectrique précitée a une structure de barrière
de Schottky.
6. Condensateur selon l'une quelconque des revendica-
tions I ou 2, caractérisé en ce que la section de lecture
de capacité précitée a une structure de jonction PN.
7. Condensateur selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 ou 2, caractérisé en ce que la section de lecture
de capacité précitée a une structure MIS.
8. Condensateur selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 ou 2, caractérisé en ce que la section de lecture de capacité précitée a une structure de barrière de Schottky.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55180059A JPS57103366A (en) | 1980-12-18 | 1980-12-18 | Variable-capacitance device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2496991A1 true FR2496991A1 (fr) | 1982-06-25 |
| FR2496991B1 FR2496991B1 (fr) | 1984-05-04 |
Family
ID=16076758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8123596A Granted FR2496991A1 (fr) | 1980-12-18 | 1981-12-17 | Condensateur variable |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4456917A (fr) |
| JP (1) | JPS57103366A (fr) |
| DE (1) | DE3150058A1 (fr) |
| FR (1) | FR2496991A1 (fr) |
| GB (1) | GB2092374B (fr) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2104725B (en) * | 1981-07-17 | 1986-04-09 | Clarion Co Ltd | Variable capacitance device |
| JPS59154077A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | Clarion Co Ltd | 可変容量素子 |
| DE3326957C2 (de) * | 1983-07-27 | 1986-07-31 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Integrierte Schaltung |
| FR2567325B1 (fr) * | 1984-07-03 | 1986-11-14 | Thomson Csf | Element a capacite variable, commandable par une tension continue |
| AT387334B (de) * | 1986-04-30 | 1989-01-10 | Tyrolia Freizeitgeraete | Skibindungsteil, insbesondere einen vorderbacken |
| JP2824329B2 (ja) * | 1990-10-16 | 1998-11-11 | 東光株式会社 | 可変容量ダイオード装置 |
| JP2860272B2 (ja) * | 1995-06-23 | 1999-02-24 | 東光株式会社 | 可変容量ダイオード装置およびその製造方法 |
| EP1024538A1 (fr) * | 1999-01-29 | 2000-08-02 | STMicroelectronics S.r.l. | MOS varactor, particulièrement pour emetteurs-récepteurs |
| US6278158B1 (en) * | 1999-12-29 | 2001-08-21 | Motorola, Inc. | Voltage variable capacitor with improved C-V linearity |
| GB2363923A (en) * | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Lucent Technologies Inc | Variable capacitance circuit |
| EP1555752A1 (fr) * | 2004-01-14 | 2005-07-20 | Dialog Semiconductor GmbH | Condensateur variable ayant un facteur de qualité élevé comprend un amplificateur translinéaire |
| EP1555753A1 (fr) * | 2004-01-14 | 2005-07-20 | Dialog Semiconductor GmbH | Condensateur variable ayant un facteur de qualité élevé |
| FR2867610A1 (fr) * | 2004-03-10 | 2005-09-16 | St Microelectronics Sa | Condensateur integre |
| DE102005003107A1 (de) * | 2005-01-22 | 2006-08-03 | Bundesrepublik Deutschland, vertreten durch das Bundesministerium der Verteidigung, dieses vertreten durch das Bundesamt für Wehrtechnik und Beschaffung | Varaktordiode mit sehr hoher Spannungsempfindlichkeit |
| DE102005046734B4 (de) | 2005-09-29 | 2011-06-16 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement mit integrierter Kapazitätsstruktur |
| CA2637339C (fr) * | 2005-12-12 | 2015-02-17 | Irina Puscasu | Surfaces selectives reflectrices et absorbantes et procede de couplage resonnant de rayonnements incidents |
| US8643532B1 (en) | 2005-12-12 | 2014-02-04 | Nomadics, Inc. | Thin film emitter-absorber apparatus and methods |
| DK1969391T3 (da) * | 2005-12-12 | 2014-10-27 | Irina Puscasu | Tyndfilm emitter-absorber indretning og fremgangsmåde |
| US8169014B2 (en) * | 2006-01-09 | 2012-05-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Interdigitated capacitive structure for an integrated circuit |
| US8115281B2 (en) * | 2008-05-20 | 2012-02-14 | Atmel Corporation | Differential varactor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3890635A (en) * | 1973-12-26 | 1975-06-17 | Gen Electric | Variable capacitance semiconductor devices |
| US3893147A (en) * | 1973-09-05 | 1975-07-01 | Westinghouse Electric Corp | Multistate varactor |
| FR2323216A1 (fr) * | 1975-09-08 | 1977-04-01 | Ncr Co | Condensateur mnos accordable electriquement |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1514431C3 (de) * | 1965-04-07 | 1974-08-22 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Halbleiteranordnung mit pn-Übergang zur Verwendung als spannungsabhängige Kapazität |
| DE1514646A1 (de) * | 1965-12-21 | 1969-08-14 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung,insbesondere spannungsabhaengige Kapazitaet |
| DE1803883A1 (de) * | 1968-10-18 | 1970-05-27 | Siemens Ag | Durch mindestens zwei abstimmbare Kapazitaetsdioden gesteuerte elektrische Anordnung |
| US3808472A (en) * | 1972-12-29 | 1974-04-30 | Gen Electric | Variable capacitance semiconductor devices |
| US3860945A (en) * | 1973-03-29 | 1975-01-14 | Rca Corp | High frequency voltage-variable capacitor |
| US3890631A (en) * | 1973-12-26 | 1975-06-17 | Gen Electric | Variable capacitance semiconductor devices |
| JPS51123080A (en) * | 1975-04-21 | 1976-10-27 | Hitachi Ltd | Variable capacitance element |
| JPS5951141B2 (ja) * | 1977-03-10 | 1984-12-12 | 三洋電機株式会社 | 選局装置 |
| JPS55120173A (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-16 | Clarion Co Ltd | Schottky type variable capacitance diode with plural electrode structures |
| JPS55120174A (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-16 | Clarion Co Ltd | P-n junction variable capacitance diode with plural electrode structures |
| JPS55120178A (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-16 | Clarion Co Ltd | Mis variable capacitance diode with plural electrode structures |
| JPS55120177A (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-16 | Clarion Co Ltd | Variable capacitance diode with plural electrode structures |
-
1980
- 1980-12-18 JP JP55180059A patent/JPS57103366A/ja active Pending
-
1981
- 1981-12-17 DE DE19813150058 patent/DE3150058A1/de not_active Ceased
- 1981-12-17 FR FR8123596A patent/FR2496991A1/fr active Granted
- 1981-12-17 US US06/331,573 patent/US4456917A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-12-18 GB GB8138232A patent/GB2092374B/en not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3893147A (en) * | 1973-09-05 | 1975-07-01 | Westinghouse Electric Corp | Multistate varactor |
| US3890635A (en) * | 1973-12-26 | 1975-06-17 | Gen Electric | Variable capacitance semiconductor devices |
| FR2323216A1 (fr) * | 1975-09-08 | 1977-04-01 | Ncr Co | Condensateur mnos accordable electriquement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4456917A (en) | 1984-06-26 |
| FR2496991B1 (fr) | 1984-05-04 |
| GB2092374A (en) | 1982-08-11 |
| GB2092374B (en) | 1985-01-03 |
| DE3150058A1 (de) | 1982-08-05 |
| JPS57103366A (en) | 1982-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2496991A1 (fr) | Condensateur variable | |
| EP0543742B1 (fr) | Diode de protection monolithique basse tension à faible capacité | |
| FR2484124A1 (fr) | Cellule de memoire remanente a " gachette " flottante, modifiable electriquement | |
| EP0006474A1 (fr) | Procédé de correction du coefficient en tension de résistances semi-conductrices diffusées ou implantées | |
| EP0534872B1 (fr) | Résistance de précision et procédé de fabrication | |
| FR2781929A1 (fr) | Capteur d'image a reseau de photodiodes | |
| FR2691839A1 (fr) | Capteur à Effet Hall. | |
| FR2597262A1 (fr) | Circuit integre a semi-conducteur avec condensateur de derivation associe a son cablage | |
| EP3157067B1 (fr) | Fabrication d'une matrice de photodiodes multispectrale en cdhgte par diffusion de cadmium | |
| FR2496992A1 (fr) | Condensateur variable | |
| EP0780952B1 (fr) | Composant statique et monolithique limiteur de courant et disjoncteur | |
| FR3080948A1 (fr) | Circuit integre comprenant un element capacitif, et procede de fabrication | |
| FR2496342A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur du type metal-oxyde-semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| FR2484142A1 (fr) | Dispositif en circuit integre | |
| FR2693034A1 (fr) | Transistor à couche mince et son procédé de fabrication. | |
| EP0169122B1 (fr) | Elément à capacité variable, commandable par une tension continue | |
| FR2820875A1 (fr) | Structure d'inductance integree | |
| WO1998049734A1 (fr) | Detecteur infrarouge bicolore a coherence spatio-temporelle planaire | |
| EP2157608A1 (fr) | Stockage d'une image dans un circuit intégré | |
| EP0635886B1 (fr) | Composant monolithique comprenant une diode de protection en parallèle avec une pluralité de paires de diodes en série, et utilisations de ce composant | |
| FR2569056A1 (fr) | Transistor a induction statique du type a injection par effet tunnel et circuit integre comprenant un tel transistor | |
| FR2574594A1 (fr) | Structure integree de triac a commande par diac | |
| FR2496343A1 (fr) | Condensateur variable | |
| EP3570200B1 (fr) | Puce éléctronique | |
| WO2001086729A1 (fr) | Condensateur a capacite variable |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| DL | Decision of the director general to leave to make available licences of right | ||
| ST | Notification of lapse |