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FR1374096A - Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur - Google Patents

Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur

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Publication number
FR1374096A
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Authority
FR
France
Prior art keywords
manufacturing
semiconductor device
semiconductor
Prior art date
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Expired
Application number
FR953150A
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English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens and Halske AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens and Halske AG
Siemens Corp
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Publication date
Application filed by Siemens and Halske AG, Siemens Corp filed Critical Siemens and Halske AG
Priority to FR953150A priority Critical patent/FR1374096A/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR1374096A publication Critical patent/FR1374096A/fr
Expired legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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FR953150A 1962-11-15 1963-11-08 Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur Expired FR1374096A (fr)

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FR953150A FR1374096A (fr) 1962-11-15 1963-11-08 Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur

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FR1374096A true FR1374096A (fr) 1964-10-02

Family

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3341374A (en) * 1963-05-09 1967-09-12 Siemens Ag Process of pyrolytically growing epitaxial semiconductor layers upon heated semiconductor substrates
US3428500A (en) * 1964-04-25 1969-02-18 Fujitsu Ltd Process of epitaxial deposition on one side of a substrate with simultaneous vapor etching of the opposite side

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US3341374A (en) * 1963-05-09 1967-09-12 Siemens Ag Process of pyrolytically growing epitaxial semiconductor layers upon heated semiconductor substrates
US3428500A (en) * 1964-04-25 1969-02-18 Fujitsu Ltd Process of epitaxial deposition on one side of a substrate with simultaneous vapor etching of the opposite side

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