[go: up one dir, main page]

EP2047209A1 - Dispositif de caracterisation d'objets uniques - Google Patents

Dispositif de caracterisation d'objets uniques

Info

Publication number
EP2047209A1
EP2047209A1 EP07788125A EP07788125A EP2047209A1 EP 2047209 A1 EP2047209 A1 EP 2047209A1 EP 07788125 A EP07788125 A EP 07788125A EP 07788125 A EP07788125 A EP 07788125A EP 2047209 A1 EP2047209 A1 EP 2047209A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
image
fourier transform
focusing
substrate
optical fourier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP07788125A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Serge Gidon
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of EP2047209A1 publication Critical patent/EP2047209A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers

Definitions

  • the invention relates to the field of characterization - applied in particular to the need for microelectronics - which makes it possible to determine the shapes of patterns on the surface of a substrate. This technique allows a characterization on an isolated object called "unique".
  • Lithography combined with deposition and etching techniques, allows to "transfer”, optically, the image of a mask, on which patterns are represented, in a resin deposited on the surface of substrates.
  • the resin once insolated, is developed and generally serves as a mask for the etching processes and / or deposits that allow the realization of the manufacturing steps of the integrated circuits.
  • the quality of photogravure processes is controlled in the production line by means of various characterization methods listed as "Critical Dimension Metrology”. We seek to measure nanometric dimensions (up to 100 nm) with accuracies of the order of a few cents.
  • the scatterometric technique is put into practice in various ways.
  • One of the methods consists of a goniometric analysis of the diffraction of the gratings illuminated by a directive source [Spectroscopic Critical Dimension (SCD) Metrology for CD Control and Stepper Characterization, John Allgair, KLA-Tencor Corporation, hrtp: // www. kla -tencor. corn / company / magazine / fal101 / SCD. pdf].
  • SCD Critical Dimension
  • This technique is limited by the information acquisition time which imposes the mechanical movement of the detectors.
  • Another approach is to make this recording in an integrated way, by means of an optical system which forms, on an image detector, a cartography of the luminous intensity according to two angles of the space, azimuth and declination [http; // www. eldim. en / ezcontrast / semiconducior. htm. ].
  • the optical system makes the image of the "Fourier plane" of the characterization network on the detector.
  • the source used is "extended” and placed in the Fourier plane of the object network. Under these conditions, the object network is illuminated with light beams more or less parallel to each other.
  • the invention relates to a new technique of scaterometry, which makes it possible to measure on so - called "unique" objects.
  • These may be lines or pads that can be found anywhere on a surface of a substrate and that result from the implementation of a micro-technology process or microelectronics. These lines or pads do not need to have been specifically provided, unlike the characterization networks used in the known techniques.
  • the infinite diffraction pattern generated by such a single object is observed by means of an optical system.
  • An examination method according to the invention comprises:
  • a spatially coherent light beam preferably originating from a directional source optics, focused on the object with a strong numerical openness, - the formation of the image of the TF
  • the diffraction pattern obtained, and thus its optical TF, is highly dependent on the object.
  • This is for example a stud, rectangular or rounded, or a log, elongated, or a trench of rectangular or rounded section.
  • the present invention thus relates to the analysis of a "single" object on the surface of a substrate using a beam of a coherent source focused with focusing means with a high numerical aperture (between 0.5 and 1.8 or 3).
  • This opening depends on the index of the medium considered and the acceptance angle of the focusing means.
  • This association between a coherent source and focusing means with high numerical aperture makes it possible to simultaneously achieve all the effects on the object. With the maximum opening, or with a large opening, we work on a very small area of the object and the surrounding substrate. This avoids the use of selection means of a particular incidence.
  • the invention also relates to a device for measuring dimensional and / or structural characteristics of a single object, comprising:
  • the focusing means with a high numerical aperture, or a part of these means can be placed directly in contact with the object or in a position very close to the object.
  • the distance between the object and these focusing means is preferably less than a few tens of nm, for example less, in the air, at 10 nm or 30 nm or 50 nm or, in the presence of a fluid film, at 100 nm.
  • An interface liquid, or index matching may be disposed between the object and the lens. The distance between them is then about 30 nm to 100 nm.
  • the lens is for example a solid immersion lens, whose proximity to the object and the index will allow to work with a large numerical aperture.
  • the use of focusing means or of a lens close to the object makes it possible to work at an effective wavelength of analysis, at the level of the object, equal to a fraction of the wavelength from the source. This use of a smaller wavelength makes it easy to analyze objects of small characteristic dimensions.
  • the source is preferably a directional source, or of small geometrical extent (in the optical sense, that is to say at the same time of reduced surface and low divergence), for example a bright source such as a laser or an LED.
  • Polarization means make it possible to work with polarized incident light.
  • the focus of the source on the object defines the area illuminated thereon and on a portion of the surrounding substrate. The definition of this illuminated area does not require means such as a diaphragm disposed on the path towards the object.
  • the means of analysis, or to form the image of the TFO of the light diffracted or reflected by the object make it possible to establish the conjugation of the plan of the object and the plan of its Fourier transform. Detection of one or more polarization state (s) of the beam reflected or diffracted by the object can be realized.
  • means for polarizing such a beam may be provided, possibly allowing analysis of various polarizations.
  • a treatment can be performed at the detector output; the sight of only diffracted field figures allows a first characterization.
  • Numerical processing can also be used to determine a sketch of the shape of the single object. We can get rid of the phenomenon of
  • FIGS. 1A-1C represent various objects, each being unique on a substrate
  • FIG. 2 represents a device according to the invention
  • FIG. 3 represents details of a device according to the invention
  • FIGS. 4A and 5A represent objects.
  • FIGS. 4B-4D and 5B-5D are diffraction images, respectively of the patterns of FIG. 4A and FIG. 4B.
  • the object 1 and its support or substrate 5 come for example from a component production unit such as those used in microelectronics.
  • the object 1 rests, or is formed on, the upper surface 3 of the support or substrate 5.
  • it has a non-zero thickness or dimension, in a direction perpendicular to this surface 3, that this thickness is measured above above or below (case of trenches, figure IC) of this surface.
  • the support or substrate 5 is made of a semiconductor material, for example silicon or SiGe. It can also be a stack of layers such as an SOI.
  • This substrate 5 can be a "wafer” as used today in the field of semiconductor industry or microelectronics. Such a “wafer” usually has a size or diameter of 200 mm or 300 mm, and a thickness of a few tens or hundreds of microns, for example less than 50 microns or 100 microns or 200 microns or 500 microns.
  • the reference 6 designates the surface of this single object, on which an incident beam will be focused.
  • the single object is a strip 1 on the surface 3 of the substrate 5.
  • the object 1 is said to be unique in that there is no other object on the surface 3 of the substrate 5 at a distance of less than 2 times the area illuminated by the incident beam. For example, there is no other surface object 3 of the substrate 5 at a distance from the single object less than 2 times the maximum diameter or dimension, measured in the plane of the surface 3, of the illuminated area. by the incident beam. In fact we address a single object during lighting.
  • the unique object can have other forms. This may be for example a rectangular pad 60 (FIG. 1B) or of rounded shape, or a trench 61, 62 of shape or of rectangular or rounded section (FIG. 1C). For convenience, two trenches are shown in Figure 1C, but each is in principle unique on the substrate.
  • the smallest dimension of the object (this dimension is here measured perpendicularly to the substrate 5) is of the order of 300 nm for a wavelength close to 0.4 ⁇ m.
  • this minimum dimension is related to ⁇ . It can be said that both the maximum dimensions and the minimum dimensions of the object depend on the wavelength ⁇ , the numerical aperture and the signal-to-noise ratio of the measured signal.
  • the other dimensions are such that they define a surface of size greater than the size of the spot in the plane 6 of the incident beam 9.
  • the single object is a pad 60, for which each of the dimensions d, d
  • the surface 6 of the object 1 is illuminated by means of radiation or a beam 9 coming from a source 24.
  • the spot of this incident beam 9 coming from the source is focused on the surface of the pattern, included in planes parallel to plane 3.
  • a spot 90, 91, 92 is shown in each of Figures IA, IB and IC; this spot covers respectively the area delimited by the upper surface of the pad 60, or a zone or a portion of the trench 61, 62, but also a portion of the substrate 5 which provides a phase reference.
  • Means (for example a set of lenses) forming a measurement objective 2 make it possible to form the image of the Fourier transform of the surface 6 of the single object 1 in the image focal plane 8 of this objective.
  • the surface of the object and a portion or zone in the vicinity of the object that provides a phase reference are illuminated.
  • the surface of the object is illuminated as much as the neighboring surface.
  • the optical Fourier transform is an optical method for imaging the angular response of an object to a light excitation.
  • the invention thus makes it possible to visualize this angular response of the light reflected or diffracted by the object.
  • a transfer objective 10, 12 then forms the image of the Fourier transform of the surface 6 on a sensor 14 formed of detectors.
  • This transfer objective comprises for example a pair of lenses 10, 12.
  • the lens 10 may be a field lens.
  • the senor 14 it is for example a CCD camera.
  • a CCD camera as means 14 for forming an image makes it possible to acquire, in a single acquisition, as much data as illuminated pixels of the CCD camera.
  • the sensor 14 makes it possible to capture the intensity emitted by the surface 6, according to each transmission direction indicated by the torque ( ⁇ , ⁇ ) as illustrated in FIG.
  • the illumination can be done from a Fourier plane 18 offset from the optical axis AA 'of the device by a semi-transparent plane 20.
  • a lens system 22 is disposed on the path of the beam 9 emitted by the source 24 to form a parallel light beam in the Fourier plane 8.
  • This radiation source 24 is a coherent source that can be a bright point source such as a laser or a quasi-point source such as a super radiant LED. It is preferably placed at the focal point of an optical system 22 of sufficient focal length so that the diameter of the beam covers all or most of the Fourier plane.
  • the incident beam 9 of the source 24 is focused on the single object 1 by the focusing means of the system 2 arranged in the path of this beam.
  • a lens 4 is disposed in contact or object 1 or in quasi-contact with this object, very close to it, at a distance for example less than a few tens of nanometers, for example less than 10 nm or 50 nm or 100 nm.
  • the lens 4 is a ball lens, with a flat 7 (see Figure 3). It may have a diameter ⁇ of the order of about 1 mm. The object 1 is then almost in contact with the flat 7.
  • This lens can be rutile TiO2 (index 2.6) or diamond (index 2.4).
  • This lens is preferably of solid immersion type, or SIL, which allows to pass the tunnel barrier for large numerical apertures.
  • the source may be polarized by means 23 of polarization arranged in the path of the beam 9 from the source 24 towards the object 1.
  • a linear polarization, or circular or radial or torus, the incident beam 9 can be achieved.
  • Means 28 forming a polarization device may be arranged in the path of the analyzed beam, towards the means 14 for forming an image.
  • Each polarization means 23, 28 or each polarizer may comprise 2 blades A / 4, or quarter wave, arranged consecutively (possibly electrically controlled) to address all possible polarization states (including circular, torus .. .etc.).
  • Polarizers Linear can also be used. Radial states are more generally obtained by 1/4 wave blades behind the polarizers, generally in liquid crystals. The rays coming from the source 24 are then collinear (parallel) to the optical axis AA 'at the Fourier plane 8 of the optical system.
  • the infinite diffraction pattern which can be analyzed by the optical system described above, depends very substantially on the shape of the single object.
  • a method according to the invention makes it possible to analyze the shape of objects with an accuracy of a few nanometers.
  • the diffraction pattern can be analyzed in intensity and polarization.
  • the diffraction patterns at infinity are compared with 2 single object cases (log, or object of parallelepipedal shape, as in FIG. 1A) which differ from one another by their thickness.
  • one has a thickness el of 0.05 ⁇ m (measured along the z axis of FIG. 4A, perpendicular to the plane 3 of the substrate 5 on which the object is formed), the other has a thickness e 2 of 0 , 1 ⁇ m (measured along the same axis z, FIG. 5A).
  • the wavelength is 0.5 ⁇ m
  • the SIL lens index is 2
  • the object width is 100 nm.
  • Figures 4B (respectively 5B), 4C
  • 4D represent the magnitudes
  • for the object of FIG. 4A (respectively 5A), that is to say the norm of the amplitude of the field along the x axis (defined with respect to the direction of polarization of the wave incident), the intensity of the global field, and the intensity of the field along the y-axis (defined as the direction perpendicular to the polarization direction of the incident wave).
  • the state of polarization Ex used to illuminate the object, then also for detection, is particularly sensitive to the object used, so here to the thickness of each log.
  • the information relating to the polarization Ey is however interesting insofar as it can differ substantially in intensity depending on the shape of the object. If the shape of the log varies, the polarization figure also varies.
  • an object of another form for example a stud such as that of FIG. 1B, or a trench (as in FIG. 1C), another polarization figure is obtained.
  • Digital data processing means 26 make it possible to process the data coming from the detection means or the means making it possible to form the image of the optical TF of the diffracted light 19. For example, an image of a diffraction pattern, such as that of FIGS. 4B-4D, 5B-5D, can be displayed on display means 27. Given the very great sensitivity of the measurement to the shape of the object, an operator can, depending on the image that he perceives, deduce if this form is that expected.
  • the visualization means 27 make it possible to display the image of this form. As already indicated above, the sensitivity of the process is such that this approximation can be very good.
  • the focusing means 4 are in contact or in quasi-contact with the pattern 1. It is also possible to put an index matching fluid (for example ethylbenzene, index 1.49) between these means. 4 and the object 1.
  • the index layer has for example a thickness of about 100 nm.
  • a wavelength as short as possible to increase the influence of diffraction.
  • a wavelength close to 405 nm it is possible to use a wavelength close to 405 nm.
  • the shape of the beam is approximately circular with an intensity distribution which depends on the polarization states chosen by the polarization means 23.
  • the diameter or size of the spot is preferably less than 1 ⁇ m.
  • the FWHM (this is the total width at mid-height of the intensity curve of the beam in the plane near the surface 6 of the object) is less than 300 nm given the depth of field.
  • means for example a piezoelectric translation unit.
  • This displacement may be oscillating over a range that may be of the order of a fraction of a micrometer, for example less than or equal to 0.1 ⁇ m, or 0.5 ⁇ m or 1 ⁇ m.
  • a translation in the object plane induces a rotation of the Fourier plane.
  • the phase of the diffracted wave then undergoes a rotation which scrambles any stationary speckel figure. In fat it is enough that one of the elements moves, any combination is possible from there.
  • means such as for example described in the article by LPGhislain et al., Applied Physics Letters, Vol. 74, No. 4, 1999, allow a relative translation between the focusing means 4 and the object 1.
  • This translation allows to vary the distance between these two elements in the direction of the optical axis AA '.
  • the distance between the lens 4 and the object 1 can move during the acquisition. This allows to enrich the signature of the scaterometric signal and to break, and thus eliminate, the coherence.
  • the focusing means 4 are separated from the rest of the optical system so that the substrate assembly 5 (with the object 1) - focusing means 4 is displaced along the optical axis AA '. relative to the rest of the characterization device (the amplitude of this displacement is of the order of microns).
  • Means for carrying out this movement are, for example, piezelectic means.
  • the invention may be associated with a component manufacturing unit such as those made in microelectronics.
  • the object 1 comes from this production unit, passes a device such as that described above in connection with the figures, the data processing means 26 comprising for example a microcomputer specially programmed to implement a method treatment as described above.
  • the data processing means 26 comprising for example a microcomputer specially programmed to implement a method treatment as described above. An operator can thus have the result of the analysis at the place of production and modify it accordingly if the analysis indicates dimensional and / or structural characteristics different from those expected.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Holo Graphy (AREA)
  • Character Input (AREA)

Abstract

L'invention concerne un procédé d'examen d'un objet unique (1) comportant : - la formation d'un faisceau de rayonnement (9) cohérent à l'aide d'une source (24) cohérente, - l'illumination de l'objet par le faisceau (9) de rayonnement cohérent, focalisé à l'aide de moyens (4) de focalisation placés directement au contact de l'objet ou en position très proche de l'objet, - la formation, à l'aide de moyens (14) de détection, de l'image de la transformée de Fourier (TF) optique de la lumière diffractée par l'objet.

Description

DISPOSITIF DE CARACTERISATION D'OBJETS UNIQUES
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTERIEUR L' invention concerne le domaine de la caractérisation - appliquée notamment au besoin de la micro-électronique - qui permet de déterminer les formes de motifs en surface d'un substrat. Cette technique permet une caractérisation sur un objet isolé dit « unique ».
La lithographie, associée à des techniques de dépôts et gravure, permet de « transférer », par voie optique, l'image d'un masque, sur lequel sont représentés des motifs, dans une résine déposée à même la surface de substrats. La résine, une fois insolée, est développée et sert généralement de masque pour les processus de gravure et/ou de dépôts qui permettent la réalisation des étapes de fabrication des circuits intégrés . La qualité des procédés de photogravure est contrôlée, en ligne de production, au moyen de divers procédés de caractérisation répertoriés comme « Critical Dimension Metrology ». On cherche à mesurer des dimensions nanométriques (jusqu'à 100 nm) avec des précisions de l'ordre de quelques pour cents.
Une solution est d' observer au MEB
(microscope à balayage électronique) une section des motifs. Cette approche a l'inconvénient d'être destructive et pas très rapide. De même, la technique par AFM (microscope à force atomique) , même si elle s'avère non destructive, est consommatrice de temps. La technique dénommée « Scaterometry » consiste à observer la diffraction induite par des structures périodiques dessinées spécifiquement à ces fins de caractérisation sur le substrat. Ces motifs sont périodiques et se comportent comme des réseaux, dont on analyse l'intensité des divers ordres de diffraction en fonction des angles d'incidence. Cette analyse peut se faire par corrélation des mesures avec un catalogue de données de diffraction théoriques calculées. Une autre possibilité est de faire une régression inverse des données pour essayer de déduire les paramètres clefs d'un modèle de forme attendue.
La technique scatérométrique est mise en pratique de diverses façons. L'une des méthodes consiste en une analyse goniométrique de la diffraction des réseaux éclairés par une source directive [Spectroscopic Critical Dimension (SCD) Metrology for CD Control and Stepper Characterization, John Allgair, KLA-Tencor Corporation, hrtp://www. kla -tencor . corn/company/magazine/fal101 /SCD . pdf] . Cette technique est limitée par le temps d'acquisition des informations qui impose le mouvement mécanique des détecteurs .
Une autre approche consiste à faire cet enregistrement de manière intégrée, au moyen d'un système optique qui forme, sur un détecteur d'images, une cartographie de l'intensité lumineuse suivant deux angles de l'espace, azimut et déclinaison [http ; //www. eldim . fr /ezcontrast/semiconducior . htm . ] . En fait, le système optique fait, sur le détecteur, l'image du « plan de Fourier » du réseau de caractérisation.
Dans ce type d'appareil, la source utilisée est « étendue » et placée dans le plan de Fourier du réseau objet. Dans ces conditions, le réseau objet est éclairé avec des faisceaux lumineux plus ou moins parallèles entre eux.
Bien que la technique de scaterométrie ait fait ses preuves et soit utilisée de manière quotidienne, elle se heurte à la nécessité de réaliser des motifs spécifiques de caractérisation, formant des réseaux, qui, d'une part, occupent une certaine place sur les tranches ou les substrats et, d'autre part, ne peuvent être placés n'importe où.
Ceci est un problème dans la mesure où, en sens inverse, on cherche de plus en plus à accroître le taux d'occupation de la surface de chaque substrat. En outre, il se pose le problème de trouver un procédé pouvant être mis en œuvre dans toutes les zones ou toutes les parties d'un substrat.
Il se pose également le problème de pouvoir identifier la présence et la forme d'un motif quelconque en surface d'un substrat.
EXPOSÉ DE L'INVENTION
L' invention concerne une nouvelle technique de scaterométrie, qui permet de faire les mesures sur des objets dits « uniques ». Ceux-ci peuvent être des lignes ou des plots que l'on peut trouver à tout endroit sur une surface d'un substrat et qui résultent de la mise en œuvre d'un procédé de micro-technologie ou de micro- électronique. Ces lignes ou plots n'ont pas besoin d'avoir été prévus spécifiquement, à la différence des réseaux de caractérisation utilisés dans les techniques connues. Selon l'invention, on observe la figure de diffraction à l'infini générée par un tel objet unique au moyen d'un système optique. Un procédé d'examen selon l'invention comporte :
- l'illumination de l'objet, et d'une partie d'un substrat sur lequel il est formé, par un faisceau de lumière spatialement cohérente, provenant de préférence d'une optique à source directive, focalisée sur l'objet avec une forte ouverture numérique, - la formation de l'image de la TF
(transformée de Fourier) optique de la lumière diffractée par l'objet.
La figure de diffraction obtenue, et donc sa TF optique, est fortement dépendante de l'objet. Celui-ci est par exemple un plot, de forme rectangulaire ou arrondie, ou une bûchette, de forme allongée, ou une tranchée de section rectangulaire ou arrondie .
La présente invention concerne donc l'analyse d'un objet « unique » en surface d'un substrat à l'aide d'un faisceau d'une source cohérente focalisé avec des moyens de focalisation à forte ouverture numérique (comprise entre 0,5 et 1,8 ou 3) . Cette ouverture dépend de l'indice du milieu considéré et de l'angle d' acceptance des moyens de focalisation. Cette association entre une source cohérente et des moyens de focalisation à forte ouverture numérique permet de réaliser simultanément toutes les incidences sur l'objet. Avec le maximum d'ouverture, ou avec une forte ouverture, on travaille sur une toute petite zone de l'objet et du substrat environnant. On évite ainsi d'avoir recours à des moyens de sélection d'une incidence particulière.
L' invention concerne également un dispositif pour la mesure de caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles d'un objet unique, comportant :
- des moyens pour illuminer l'objet par un faisceau de lumière cohérente, - des moyens de focalisation à forte ouverture numérique, pour focaliser ce faisceau sur l'objet et une partie du substrat environnant,
- des moyens pour former l'image de la transformée de Fourier optique de la lumière diffractée par l'objet et par la partie du substrat qui est illuminée autour de l'objet ; on désignera par la suite l'ensemble illuminé par « objet ».
Les moyens de focalisation à forte ouverture numérique, ou une partie de ces moyens, peuvent être placés directement au contact de l'objet ou en position très proche de l'objet. La distance entre l'objet et ces moyens de focalisation est de préférence inférieure à quelques dizaines de nm, par exemple inférieure, dans l'air, à 10 nm ou 30 nm ou 50 nm ou, en présence d'un film fluide, à 100 nm. Un liquide d'interface, ou à adaptation d'indice, peut être disposé entre l'objet et la lentille. La distance entre eux est alors d'environ 30 nm à 100 nm. La lentille est par exemple une lentille à immersion solide, dont la proximité par rapport à l'objet et l'indice vont permettre de travailler avec une grande ouverture numérique.
En outre l'utilisation de moyens de focalisation ou d'une lentille proche de l'objet permet de travailler à une longueur d'onde effective d'analyse, au niveau de l'objet, égale à une fraction de la longueur d'onde de la source. Cette utilisation d'une longueur d'onde plus petite permet aisément d'analyser des objets de petites dimensions caractéristiques .
La source est de préférence une source directive, ou de faible étendue géométrique (au sens de l'optique, c'est-à-dire à la fois de surface réduite et de faible divergence) , par exemple une source brillante telle qu'un laser ou une LED. Des moyens de polarisation permettent de travailler en lumière incidente polarisée. La focalisation de la source sur l'objet définit la zone éclairée sur celui-ci et sur une partie du substrat qui l'entoure. La définition de cette zone éclairée ne nécessite donc pas de moyens tels qu'un diaphragme disposé sur le trajet en direction de l'objet.
Les moyens d'analyse, ou pour former l'image de la TFO de la lumière diffractée ou réfléchie par l'objet, permettent d'établir la conjugaison du plan de l'objet et du plan de sa transformée de Fourier. Une détection d'un ou plusieurs état (s) de polarisation du faisceau réfléchi ou diffracté par l'objet peut être réalisée. Ainsi, des moyens de polarisation d'un tel faisceau peuvent être prévus, permettant éventuellement une analyse de diverses polarisations .
Les figures de diffraction obtenues étant fortement caractéristiques de l'objet, un traitement peut être réalisé en sortie de détecteur ; la vue des seules figures de champ diffracté permet une première caractérisation . Un traitement numérique peut permettre, en outre, de déterminer une esquisse de la forme de l'objet unique. On peut s'affranchir du phénomène de
«speckle», inhérent à la lumière cohérente, en déplaçant l'objet en translation, le long de l'axe optique du dispositif, par rapport au système optique ou par rapport à la lentille proche de l'objet, ce qui induit une rotation de phase de la transformée de Fourier et un brouillage du speckle. On fait varier la distance entre l'objet et les moyens de focalisation ; ou bien la distance, entre l'objet et au moins une partie des moyens de focalisation, reste fixe, et on fait varier la distance entre, d'une part, l'ensemble objet et au moins une partie des moyens de focalisation et, d'autre part, au moins la source cohérente et les moyens de détection. Il est également possible de réaliser un déplacement de l'objet dans le plan objet, ce peut être un déplacement oscillant dans le plan objet, d'une amplitude inférieure au micromètre. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
Les figures IA - IC représentent divers objets, chacun étant unique sur un substrat, la figure 2 représente un dispositif selon l'invention, la figure 3 représente des détails d'un dispositif selon l'invention, les figures 4A et 5A représentent des objets utilisés lors de tests d'un procédé selon 1' invention, les figures 4B-4D et 5B-5D sont des images de diffraction, respectivement des motifs de la figure 4A et de la figure 4B.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION DE L'INVENTION
Un exemple d'un objet unique utilisé dans un procédé selon l'invention est illustré en figure IA. L'objet 1 et son support ou substrat 5 proviennent par exemple d'une unité de production de composants tels que ceux utilisés en microélectronique. L'objet 1 repose, ou est formé sur, la surface supérieure 3 du support ou substrat 5. Par exemple, il présente une épaisseur ou une dimension non nulle, suivant une direction perpendiculaire à cette surface 3, que cette épaisseur soit mesurée au-dessus ou au-dessous (cas des tranchées, figure IC) de cette surface .
Le support ou substrat 5 est en un matériau semi-conducteur, par exemple du silicium ou en SiGe. Ce peut aussi être un empilement de couches tel qu'un SOI. Ce substrat 5 peut être un « wafer » tel qu'utilisé aujourd'hui dans le domaine de l'industrie des semiconducteurs ou de la micro-électronique. Un tel « wafer » a habituellement une dimension ou diamètre de 200 mm ou 300 mm, et une épaisseur de quelques dizaines ou centaine de μm, par exemple inférieure à 50 μm ou 100 μm ou 200 μm ou 500 μm.
La référence 6 désigne la surface de cet objet unique, sur laquelle un faisceau incident va être focalisé . Dans l'exemple représenté, l'objet unique est une barrette 1 à la surface 3 du substrat 5.
L'objet 1 est dit unique, en ce sens qu'il n'y a pas d'autre objet en surface 3 du substrat 5 à une distance de moins de 2 fois la zone éclairée par le faisceau incident. Par exemple il n'y a pas d'autre objet en surface 3 du substrat 5 à une distance de l'objet unique inférieure à 2 fois le diamètre ou la dimension maximale, mesuré dans le plan de la surface 3, de la zone éclairée par le faisceau incident. En fait on adresse un seul objet lors de l'éclairage.
L'objet unique peut avoir d'autres formes. Ce peut être par exemple un plot 60 rectangulaire (figure IB) ou de forme arrondie, ou une tranchée 61, 62 de forme ou de section rectangulaire ou arrondie (figure IC) . Par commodité, deux tranchées sont représentées sur la figure IC, mais chacune est en principe unique sur le substrat.
A titre d'exemple la plus petite dimension de l'objet (cette dimension est ici mesurée perpendiculairement au substrat 5) est de l'ordre de 300 nm pour une longueur d'onde voisine de 0,4 μm. D'une manière générale, cette dimension minimum est liée à λ. On peut dire que tant les dimensions maximales que les dimensions minimales de l'objet dépendent de la longueur d'onde λ, de l'ouverture numérique et du rapport signal/bruit du signal mesuré.
Comme expliqué ci-dessous, les autres dimensions sont telles qu'elles définissent une surface de taille supérieure à la taille du spot dans le plan 6 du faisceau incident 9. Par exemple l'objet unique est un plot 60, pour lequel chacune des dimensions d, d'
(ici : les dimensions latérales de la surface de l'objet sur laquelle il y a focalisation) a une valeur minimale au moins égale à 5 nm. Un dispositif et d'un procédé sont expliqués de manière plus détaillée en liaison avec la figure 2.
La surface 6 de l'objet 1 est éclairée à l'aide d'un rayonnement ou d'un faisceau 9 provenant d'une source 24. Le spot de ce faisceau incident 9 issu de la source est focalisé sur la surface du motif, comprise dans des plans parallèles au plan 3. Par exemple, un spot 90, 91, 92 est représenté sur chacune des figures IA, IB et IC; ce spot recouvre respectivement la zone délimitée par la surface supérieure du plot 60, ou une zone ou une portion de la tranchée 61, 62, mais également une portion du substrat 5 qui fournit une référence de phase.
Des moyens (par exemple un ensemble de lentilles) formant un objectif de mesure 2 permettent de former l'image de la transformée de Fourier de la surface 6 de l'objet unique 1 dans le plan focal image 8 de cet objectif. On éclaire la surface de l'objet et une partie ou une zone au voisinage de l'objet qui fournit une référence de phase. De préférence on éclaire à peu près autant la surface de l'objet que la surface voisine.
La transformée de Fourier optique (TFO) est une méthode optique permettant d' imager la réponse angulaire d'un objet à une excitation lumineuse. L'invention permet donc de visualiser cette réponse angulaire de la lumière réfléchie ou diffractée par 1' objet.
Un objectif de transfert 10, 12 forme ensuite l'image de la transformée de Fourier de la surface 6 sur un capteur 14 formé de détecteurs.
Cet objectif de transfert comporte par exemple un couple de lentilles 10, 12. La lentille 10 peut être une lentille de champ.
Quant au capteur 14, c'est par exemple une caméra CCD. L'utilisation d'une caméra CCD comme moyens 14 pour former une image permet d'acquérir, en une seule acquisition, autant de données que de pixels illuminés de la caméra CCD.
Le capteur 14 permet de capter l'intensité émise par la surface 6, suivant chaque direction d'émission repérée par le couple (θ,φ) comme illustré sur la figure 3.
Celle-ci représente en détail une vue en coupe du substrat 5, de l'objet 1, des moyens 4 de focalisation, du rayonnement incident 9 incident, et du rayonnement 11 réfléchi ou diffracté par l'objet suivant un angle θ par rapport à l'axe optique AA' du système ; AA' est défini par l'axe optique de l'objectif de mesure 2 et l'objectif de transfert 10, 12. Dans le plan focal image 8 (figure 2) la distance entre l'axe optique AA' et la zone 17 où se concentrent les ondes planes émises depuis la zone de la surface 6 selon l'angle θ est sensiblement proportionnelle à θ . L'azimut φ correspond à la direction azimutale d'émission depuis cette même zone de la surface 6.
L'illumination peut se faire à partir d'un plan de Fourier 18 décalé de l'axe optique AA' du dispositif par un plan semi-transparent 20. Un système de lentilles 22 est disposée sur le trajet du faisceau 9 émis par la source 24 pour former un faisceau de lumière parallèle dans le plan de Fourier 8.
Cette source de rayonnement 24 est une source cohérente qui peut être une source ponctuelle brillante telle qu'un laser ou une source quasi ponctuelle comme une LED super radiante. Elle est de préférence placée au foyer d'un système optique 22 de focale suffisamment importante pour que le diamètre du faisceau couvre l'ensemble ou la plus grande partie du plan de Fourier.
Le faisceau incident 9 de la source 24 est focalisé sur l'objet unique 1 par les moyens de focalisation du système 2 disposés sur le trajet de ce faisceau . Une lentille 4 est disposée au contact ou de l'objet 1 ou en quasi - contact avec cet objet, de manière très proche de celui - ci, à une distance par exemple inférieure à quelques dizaines de nanomètres, par exemple inférieure à 10 nm ou 50 nm ou 100 nm.
Typiquement la lentille 4 est une lentille boulle, avec un méplat 7 (voir figure 3) . Elle peut avoir un diamètre Φ de l'ordre d'environ 1 mm. L'objet 1 est alors quasiment en contact avec le méplat 7.
L' indice du milieu constituant cette lentille 4 permet d'augmenter l'ouverture numérique en réduisant d'autant la taille de la zone éclairée. Cette lentille peut être en rutile TiO2 (d'indice 2,6) ou en diamant (d'indice 2,4).
Cette lentille est de préférence de type à immersion solide, ou SIL, ce qui permet de passer la barrière tunnel pour les fortes ouvertures numériques.
La source peut être polarisée à l'aide de moyens 23 de polarisation disposés sur le trajet du faisceau 9 issu de la source 24 en direction de l'objet 1. Une polarisation linéaire, ou circulaire ou radiale ou en tore, du faisceau incident 9 peut ainsi être réalisée .
Des moyens 28 formant un dispositif de polarisation peuvent être disposés sur le trajet du faisceau analysé, en direction des moyens 14 permettant de former une image.
Chacun des moyens 23, 28 de polarisation ou chaque polariseur peut comporter 2 lames À/4 , ou quart d'onde, disposées de manière consécutive (éventuellement commandées électriquement) pour adresser tous les états de polarisation possibles (y compris circulaire, tore...etc . ) . Des polariseurs linéaires peuvent aussi être utilisés. Les états radiaux sont plus généralement obtenus par des lames 1/4 d'onde derrière les polariseurs, généralement en cristaux liquides. Les rayons issus de la source 24 sont alors colinéaires (parallèles) à l'axe optique AA' au niveau du plan 8 de Fourier du système optique.
La figure de diffraction à l'infini, que permet d'analyser le système optique décrit ci-dessus, dépend très sensiblement de la forme de l'objet unique. Un procédé selon l'invention permet d'analyser la forme des objets avec une précision de quelques nanomètres. La figure de diffraction peut être analysée en intensité et en polarisation.
A titre d'exemple, on compare les figures de diffraction à l'infini de 2 cas d'objet unique (bûchette, ou objet de forme parallélépipédique, comme sur la figure IA) qui diffèrent l'un de l'autre par leur épaisseur : l'un a une épaisseur el de 0,05 μm (mesurée suivant l'axe z de la figure 4A, perpendiculairement au plan 3 du substrat 5 sur lequel l'objet est formé), l'autre a une épaisseur e2 de 0,1 μm (mesurée suivant le même axe z, figure 5A) . La longueur d'onde est de 0,5 μm, l'indice de la lentille SIL de 2 et la largeur de l'objet de 100 nm. Les figures 4B (respectivement 5B) , 4C
(respectivement 5C) , 4D (respectivement 5D) représentent les grandeurs | | Ex | | , | |E| |, | |Ey| |, pour l'objet de la figure 4A (respectivement 5A), c'est-à- dire la norme de l'amplitude du champ le long de l'axe x (défini par rapport à la direction de polarisation de l'onde incidente), de l'intensité du champ global, et de l'intensité du champ le long de l'axe y (défini comme la direction perpendiculaire à la direction de polarisation de l'onde incidente).
On note, entre ces deux objets, une différence sensible en intensité de la répartition du champ diffracté observé dans le plan de la pupille de l'imageur (correspondant aux figures présentées). L'état de polarisation Ex, utilisé pour éclairer l'objet, puis aussi pour la détection, est particulièrement sensible à l'objet utilisé, donc ici à l'épaisseur de chaque bûchette. L'information relative à la polarisation Ey est toutefois intéressante dans la mesure où elle peut différer sensiblement en intensité suivant la forme de l'objet. Si la forme de la bûchette varie, la figure de polarisation varie également.
Si on utilise un objet d'une autre forme, par exemple un plot tel que celui de la figure IB, ou une tranchée (comme sur la figure IC) on obtient encore une autre figure de polarisation.
Par des méthodes numériques analogues à celles de la scatérométrie « classique » (directes ou inverses), enrichie d'une analyse en polarisation inspirée de la spectroscopie de Muller [C. Brosseau, Fundamentals of Polarized Light, Willey, 1998], il est possible de déterminer une esquisse de la forme de l'objet unique. On peut mettre en oeuvre la méthode FDTD (« Finite Différence Time Domain ») et on peut reboucler. Par exemple, on fait un calcul direct - par une méthode FDTD - du signal diffracté par un modèle de géométrie d'objet et faire une comparaison avec le signal expérimental, puis faire varier un paramètre de la géométrie pour converger par itérations successives vers la géométrie la plus probable, par minimisation de fonction « de coût ». Des moyens 26 de traitement numérique des données, par exemple un micro-ordinateur, permettent de traiter les données provenant des moyens de détection ou des moyens permettant de former l'image de la TF optique de la lumière diffractée 19. Ces moyens 26 permettent par exemple de réaliser une image d'une figure de diffraction, telle que celle des figures 4B - 4D, 5B - 5D, pouvant être affichée sur des moyens 27 de visualisation. Compte tenu de la très grande sensibilité de la mesure à la forme de l'objet, un opérateur peut, en fonction de l'image qu'il perçoit, déduire si cette forme est celle attendue.
Il est également possible de mémoriser, par exemple dans des moyens de mémorisation des moyens 26, des images obtenues avec des objets déterminés ainsi que les formes des objets eux-mêmes, ou des données d'images de transformée de Fourier optique, et d'objets correspondants, cet ensemble de données constituant une base de données. Ensuite, pour chaque image obtenue, un programme de recherche permet d' identifier la forme d'objet la plus probable. Peuvent également être prévus des moyens de comparaison d'une image de transformée de Fourier optique, réalisée à partir d'un objet, avec des images mémorisées (dans les moyens de mémorisation de données d' images de transformée de Fourier optique et d'objets correspondants). Ainsi en faisant varier les paramètres (on regarde le paramètre qui ajuste la courbe au mieux) une telle comparaison permet d'obtenir une forme approchée de l'objet. Les moyens 27 de visualisation permettent d'afficher l'image de cette forme. Comme déjà indiqué ci-dessus, la sensibilité du procédé est telle que cette approximation peut être très bonne.
D' autres traitements des données peuvent être réalisés, tels que les méthodes numériques exposées ci-dessus. Les moyens 4 de focalisation sont en contact ou en quasi—contact avec le motif 1. Il est également possible de mettre un liquide d'adaptation d'indice (par exemple de l' éthylbenzène, d'indice 1,49) entre ces moyens 4 et l'objet 1. La couche d'indice a par exemple une épaisseur d'environ 100 nm.
D'une manière générale, il est souhaitable d'utiliser une longueur d'onde aussi courte que possible pour accroître l'influence de la diffraction. On peut par exemple utiliser une longueur d'onde voisine de 405 nm.
On peut aussi choisir comme source 24 une source de longueur d' onde adaptée pour résonner avec les objets observés (par effet plasmon, par exemple).
Dans le cas particulier des phénomènes plasmoniques, se produisant préférentiellement dans le rouge, il peut être avantageux d'utiliser une source fonctionnant à 650 nm, par exemple.
La forme du faisceau est approximativement circulaire avec une répartition d' intensité qui dépend des états de polarisation choisis à l'aide des moyens 23 de polarisation. Le diamètre ou la taille du spot est de préférence inférieure à 1 μm. Par exemple la FWHM (il s'agit de la largueur totale à mi - hauteur de la courbe d' intensité du faisceau dans le plan voisin de la surface 6 de l'objet) est inférieure à 300nm compte tenu de la profondeur de champ.
Afin d'éviter les structures de speckle liées à l'usage d'une source cohérente, en particulier dans le cas d'une source 24 laser, il est préconisé d'utiliser des moyens (par exemple une unité de translation piézo-électrique) permettant de réaliser un déplacement relatif de l'objet unique 1 (et, avec lui, du substrat 5) , par rapport au système optique, ce dernier comportant, dans l'exemple donné, les moyens 2, 10, 12 de mesure (et les moyens 4) . Ce déplacement peut être oscillant sur une plage qui peut être de l'ordre d'une fraction de micromètre, par exemple inférieure ou égale à 0,1 μm, ou à 0,5 μm ou à 1 μm. En effet, une translation dans le plan objet induit une rotation du plan de Fourier. La phase de l'onde diffractée subit alors une rotation qui brouille toute figure de speckel stationnaire . En fat il suffit qu'un des éléments se meuve, toute combinaison est possible à partir de là.
Selon un autre mode de réalisation, des moyens, tels que par exemple décrits dans l'article de L.P.Ghislain et al., Applied Physics Letters, Vol. 74, no 4, 1999, permettent de réaliser une translation relative entre les moyens 4 de focalisation et l'objet 1. Cette translation permet donc de faire varier la distance entre ces deux éléments dans la direction de l'axe optique AA'. La distance entre la lentille 4 et l'objet 1 peut bouger pendant l'acquisition. Ceci permet d'enrichir la signature du signal scaterométrique et de casser, et donc d'éliminer, la cohérence .
Un autre mode de réalisation permet d'éviter les problèmes de glissement des surfaces en contact (les surfaces de la lentille 4 et de l'objet 1) . Selon cet autre mode de réalisation, on désolidarise les moyens 4 de focalisation du reste du système optique pour que l'ensemble substrat 5 (avec l'objet 1) - moyens 4 de focalisation soit déplacé le long de l'axe optique AA', relativement au reste du dispositif de caractérisation (l'amplitude de ce déplacement est de l'ordre du μm) . Des moyens permettant de réaliser ce déplacement sont par exemple des moyens piézélectiques .
L' invention peut être associée à une unité de fabrication de composants tels que ceux réalisés en microélectronique. L'objet 1 provient de cette unité de production, passe devant un dispositif tel que celui décrit ci-dessus en liaison avec les figures, les moyens 26 de traitement de données comportant par exemple un micro-ordinateur spécialement programmé pour mettre en œuvre un procédé de traitement tel que décrit ci-dessus. Un opérateur peut ainsi avoir le résultat de l'analyse sur le lieu même de production et modifier cette dernière en conséquence si l'analyse indique des caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles différentes de celles prévues.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé d'examen d'un objet dit objet unique (1) sur un substrat (5) comportant : - la formation d'un faisceau de rayonnement
(9) cohérent à l'aide d'une source (24) cohérente,
- l'illumination de l'objet et d'une partie de la surface (3) du substrat (5) par le faisceau (9) de rayonnement cohérent, focalisé sur l'objet avec une forte ouverture numérique comprise entre 0,5 et 3, le substrat (5) ne comportant pas d'autre objet à une distance de moins de 2 fois la zone éclairée par le faisceau incident,
- la formation, à l'aide de moyens (14) de détection, de l'image de la transformée de Fourier (TF) optique de la lumière diffractée par l'objet,.
2. Procédé selon la revendication 1, les moyens (4) de focalisation étant placés à une distance de l'objet (1) inférieure à quelques dizaines de nm.
3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, au cours duquel on fait varier la distance entre l'objet (1) et les moyens (4) de focalisation.
4. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, au cours duquel : la distance, entre l'objet (1) et les moyens (4) de focalisation, reste fixe, - on fait varier la distance entre, d'une part, l'ensemble objet (1) - moyens (4) de focalisation et, d'autre part, au moins la source (24) cohérente et les moyens (14) de détection.
5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, au cours duquel on réalise un déplacement de l'objet dans le plan objet.
6. Procédé selon la revendication 5, le déplacement étant un déplacement oscillant dans le plan objet.
7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le déplacement a une amplitude inférieure au micromètre .
8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, la source de rayonnement (24) comportant un laser ou une LED.
9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, l'objet unique étant un plot (60), de forme rectangulaire ou arrondie, ou une bûchette, de forme allongée, ou une tranchée (61, 62), de section rectangulaire ou arrondie ou prisamtique.
10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, au cours duquel l'objet (1) et les moyens (4) de focalisation sont placés dans un liquide à adaptation d' indice .
11. Procédé selon l'une des revendications
1 à 10, le faisceau (9) de lumière cohérente ayant un spot (90, 91, 92) de taille, mesurée sur la surface (3) du substrat (1), inférieure au micromètre.
12. Procédé selon l'une des revendications l à 11, le faisceau (9) de lumière cohérente ayant un état de polarisation circulaire ou en tore ou linéaire ou radiale.
13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, comportant une détection d'un état de polarisation du faisceau réfléchi ou diffracté par 1' objet.
14. Procédé selon l'une des revendications l à 13, les moyens (4) de focalisation comportant une lentille de type à immersion solide.
15. Dispositif pour la mesure de caractéristiques dimensionnelles et/ou structurelles d'un objet dit objet unique (1) en surface (3) d'un substrat (5) , comportant :
- des moyens (24) pour illuminer l'objet par un faisceau (9) de lumière cohérente,
- des moyens (4) de focalisation à forte ouverture numérique, comprise entre 0,5 et 3, le substrat (5) ne comportant pas d'autre objet à une distance de moins de 2 fois la zone éclairée par le faisceau incident,
- des moyens (2, 10, 21, 14) pour former l'image de la transformée de Fourier optique de la lumière diffractée par l'objet.
16. Dispositif selon la revendication 15, les moyens (4) de focalisation comportant une lentille de type à immersion solide.
17. Dispositif selon l'une des revendications 15 ou 16, les moyens (24) pour illuminer l'objet comportant un laser ou une LED.
18. Dispositif selon l'une des revendications 15 à 17, comportant en outre des moyens pour faire varier la distance entre, d'une part, l'ensemble objet (1) - moyens (4) de focalisation et, d'autre part, les moyens pour illuminer l'objet et les moyens pour former l'image de la transformée de Fourier optique de la lumière diffractée par l'objet.
19. Dispositif selon l'une des revendications 15 à 18, comportant en outre des moyens pour faire varier la distance entre l'objet (1) et les moyens (4) de focalisation.
20. Dispositif selon l'une des revendications 15 à 19, comportant en outre des moyens pour réaliser un déplacement de l'objet dans le plan objet.
21. Dispositif selon l'une des revendications 15 à 20, le faisceau (9) de lumière cohérente ayant un spot de taille, mesurée à la surface de l'objet, inférieure au micromètre.
22. Dispositif selon l'une des revendications 15 à 21, comportant en outre des moyens (23) de polarisation du faisceau de lumière cohérente.
23. Dispositif selon l'une des revendications 15 à 22, comportant en outre des moyens (28) de polarisation d'un faisceau réfléchi ou diffracté par l'objet (1).
24. Dispositif selon l'une des revendications 15 à 23, comportant en outre des moyens
(26) de traitement numérique de données provenant des moyens (2, 10, 21, 14) pour former l'image de la transformée de Fourier optique de la lumière diffractée par l'objet.
25. Dispositif selon l'une des revendications 15 à 24, comportant en outre des moyens
(27) de visualisation de l'image de la transformée de Fourier optique de la lumière diffractée par l'objet.
26. Dispositif selon l'une des revendications 15 à 25, comportant en outre des moyens de mémorisation de données d' images de transformée de Fourier optique et d'objets correspondants.
27. Dispositif selon la revendication 26, comportant en outre des moyens de comparaison d'une image de transformée de Fourier optique, réalisée à partir d'un objet, avec des images mémorisées dans les moyens de mémorisation de données d' images de transformée de Fourier optique et d'objets correspondants .
28. Dispositif selon la revendication 27, comportant en outre des moyens (26, 27) pour afficher une image d'un objet dont l'image de la transformée de Fourier optique approche l'image de transformée de Fourier optique, réalisée à partir d'un objet donné.
EP07788125A 2006-08-02 2007-08-01 Dispositif de caracterisation d'objets uniques Withdrawn EP2047209A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0653248A FR2904690B1 (fr) 2006-08-02 2006-08-02 Dispositif de caracterisation d'objets uniques
PCT/EP2007/057956 WO2008015230A1 (fr) 2006-08-02 2007-08-01 Dispositif de caracterisation d'objets uniques

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2047209A1 true EP2047209A1 (fr) 2009-04-15

Family

ID=37635668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP07788125A Withdrawn EP2047209A1 (fr) 2006-08-02 2007-08-01 Dispositif de caracterisation d'objets uniques

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8306306B2 (fr)
EP (1) EP2047209A1 (fr)
JP (1) JP2009545734A (fr)
FR (1) FR2904690B1 (fr)
WO (1) WO2008015230A1 (fr)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1036886A1 (nl) 2008-05-12 2009-11-16 Asml Netherlands Bv A method of measuring a target, an inspection apparatus, a scatterometer, a lithographic apparatus and a data processor.
WO2016030227A1 (fr) 2014-08-29 2016-03-03 Asml Netherlands B.V. Procédé de contrôle d'une distance entre deux objets, appareil et procédé d'inspection
CN107430349B (zh) * 2015-03-05 2020-03-10 Asml荷兰有限公司 用于检查及量测的方法和设备
WO2016142214A2 (fr) * 2015-03-11 2016-09-15 Asml Netherlands B.V. Procédé et appareil d'inspection et de métrologie
JP6908693B2 (ja) 2016-09-12 2021-07-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 構造の特性を決定する方法、検査装置、及びデバイス、製造方法
US11243470B2 (en) 2016-09-12 2022-02-08 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for deriving corrections, method and apparatus for determining a property of a structure, device manufacturing method
US11092902B2 (en) 2017-06-21 2021-08-17 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for detecting substrate surface variations

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3782827A (en) * 1971-08-04 1974-01-01 Itek Corp Optical device for characterizing the surface or other properties of a sample
US4828392A (en) * 1985-03-13 1989-05-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exposure apparatus
US5463459A (en) * 1991-04-02 1995-10-31 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for analyzing the state of generation of foreign particles in semiconductor fabrication process
US5471066A (en) * 1993-08-26 1995-11-28 Nikon Corporation Defect inspection apparatus of rotary type
US5428442A (en) * 1993-09-30 1995-06-27 Optical Specialties, Inc. Inspection system with in-lens, off-axis illuminator
US5880838A (en) * 1996-06-05 1999-03-09 California Institute Of California System and method for optically measuring a structure
US6750968B2 (en) * 2000-10-03 2004-06-15 Accent Optical Technologies, Inc. Differential numerical aperture methods and device
US6934024B2 (en) * 2000-10-18 2005-08-23 Regents Of The University Of Minnesota Ellipsometry methods and apparatus using solid immersion tunneling
US7046376B2 (en) * 2002-07-05 2006-05-16 Therma-Wave, Inc. Overlay targets with isolated, critical-dimension features and apparatus to measure overlay
FR2859781B1 (fr) * 2003-09-17 2007-07-06 Commissariat Energie Atomique Utilisation de la transformee de fourier optique pour le controle dimensionnel en microelectronique
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
ATE459933T1 (de) * 2004-11-16 2010-03-15 Illumina Inc Verfahren und vorrichtung zum lesen von kodierten mikrokugeln

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2008015230A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2904690B1 (fr) 2009-04-03
FR2904690A1 (fr) 2008-02-08
WO2008015230A1 (fr) 2008-02-07
US8306306B2 (en) 2012-11-06
US20090316979A1 (en) 2009-12-24
JP2009545734A (ja) 2009-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3709431B2 (ja) 微細構造化表面での角度依存回折効果の高速測定装置
US8699027B2 (en) Multiple measurement techniques including focused beam scatterometry for characterization of samples
US8139232B2 (en) Multiple measurement techniques including focused beam scatterometry for characterization of samples
TWI448661B (zh) 使用極化掃描法之干涉儀
KR102198743B1 (ko) 동시 다중-각도 분광법
NL1032881C2 (nl) Optisch monsterkarakteriseringssysteem.
US20060285110A1 (en) Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry
US20070146685A1 (en) Dynamic wafer stress management system
WO2008015230A1 (fr) Dispositif de caracterisation d'objets uniques
KR20200071563A (ko) Hsi 기반 검사 장치
EP3069185B1 (fr) Dispositif et methode de mise au point tridimensionnelle pour microscope
US10054423B2 (en) Optical method and system for critical dimensions and thickness characterization
FR3014212A1 (fr) Dispositif et procede de positionnement de masque de photolithographie par methode optique sans contact
WO2002050513A1 (fr) Dispositif de visualisation bidimensionnelle ellipsometrique d'un echantillon, procede de visualisation et procede de mesure ellipsometrique avec resolution spatiale
Jung et al. Multi spectral holographic ellipsometry for a complex 3D nanostructure
Zhang et al. Dark-field structured illumination microscopy for highly sensitive detection of 3D defects in optical materials
EP3355118B1 (fr) Procédé de mesure du désalignement entre une première et une seconde zones de gravure
EP1682879B1 (fr) Utilisation de la transformee de fourier optique pour le controle dimensionnel en microelectronique
FR2873203A1 (fr) Procede pour determiner des resonances de plasmons de surface sur des surfaces de mesure bidimensionnelles
FR2880129A1 (fr) Caracterisation metrologique de circuits de microelectronique
KR20090054017A (ko) 라인스캔방식 고분해능 편광측정장치
CN113739919B (zh) 反射式近场光学偏振光谱仪
FR3144289A1 (fr) Procédé amélioré de mesure mettant en œuvre une technique par diffusion des rayons X aux petits angles en incidence rasante – GISAXS ; Système instrumental et produit programme d’ordinateur associés.
JP2007155480A (ja) 表面測定装置
FR3128779A1 (fr) Structure de metrologie

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20090202

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL PL PT RO SE SI SK TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL BA HR MK RS

17Q First examination report despatched

Effective date: 20090615

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20180301