[go: up one dir, main page]

EP1023735B1 - Heating element and method for producing the same - Google Patents

Heating element and method for producing the same Download PDF

Info

Publication number
EP1023735B1
EP1023735B1 EP98947223A EP98947223A EP1023735B1 EP 1023735 B1 EP1023735 B1 EP 1023735B1 EP 98947223 A EP98947223 A EP 98947223A EP 98947223 A EP98947223 A EP 98947223A EP 1023735 B1 EP1023735 B1 EP 1023735B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
paste
glass
resistance
heating element
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
EP98947223A
Other languages
German (de)
French (fr)
Other versions
EP1023735A1 (en
Inventor
Walter Smetana
Karl Ochsenhofer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schaffler and Co GmbH
Original Assignee
Schaffler and Co GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schaffler and Co GmbH filed Critical Schaffler and Co GmbH
Publication of EP1023735A1 publication Critical patent/EP1023735A1/en
Application granted granted Critical
Publication of EP1023735B1 publication Critical patent/EP1023735B1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F42AMMUNITION; BLASTING
    • F42BEXPLOSIVE CHARGES, e.g. FOR BLASTING, FIREWORKS, AMMUNITION
    • F42B3/00Blasting cartridges, i.e. case and explosive
    • F42B3/10Initiators therefor
    • F42B3/12Bridge initiators
    • F42B3/124Bridge initiators characterised by the configuration or material of the bridge
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F42AMMUNITION; BLASTING
    • F42BEXPLOSIVE CHARGES, e.g. FOR BLASTING, FIREWORKS, AMMUNITION
    • F42B3/00Blasting cartridges, i.e. case and explosive
    • F42B3/10Initiators therefor
    • F42B3/195Manufacture
    • F42B3/198Manufacture of electric initiator heads e.g., testing, machines
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/142Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • Y10T29/49099Coating resistive material on a base

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a heating element with a predetermined resistance value, which is characterized by a high heating rate, as is required, for example, to ignite propellants for airbag systems.
  • a heating element with a predetermined resistance value, which is characterized by a high heating rate, as is required, for example, to ignite propellants for airbag systems.
  • Such heating elements are currently manufactured with resistance wires, the diameter of which must be selected very small in order to achieve a high heating rate (approximately 10 ⁇ m). For a given wire length, the resistance value for a certain resistance wire can only be varied over the wire cross-section. If a wide range of resistance values is to be covered, the technical limits in terms of heating rate, handling and installation options for the wire will soon be reached.
  • From US 3,998,980 A is a thick-film resistor as a pixel element with a predetermined Resistance value known for thermal printer applications, which in several print layers a ceramic substrate coated with a crystallizing glass as a heat barrier is applied, the thickness of the resistor being in the range from 12.5 ⁇ m to 254 ⁇ m.
  • a bismuth thruthenate paste system is used as the resistance material.
  • the lapping process After each pressure or as the last Process step can be applied. The lapping process also serves to adjust the Resistance value and the resistance temperature coefficient.
  • a subsequent one Annealing process is said to contribute to the formation of microcracks in the Avoid resistance layer, which in the course of aging leads to an increase in resistance could lead.
  • a disadvantage of this embodiment of a heating element is that the Resistance is designed as a thick-film component and not as a thin-film structure, because of its heat capacity, it does not fall below a certain heating rate can be.
  • EP 0 471 138 A2 describes a method for producing an electrical Measuring resistance with a predetermined temperature coefficient is known, in which a Alumina ceramic substrate is provided with a platinum thin film on which then using a screen printing process a layer made of a preparation containing platinum and Rhodium resinate contains is applied, its rhodium content for the desired Temperature coefficient is decisive.
  • the coated carrier becomes one Heat treatment in the range of 1000 to 1400 ° C until the Rhodium evenly distributed in the resistance layer that forms.
  • the rhodium content of the layer is in the range from 0.1% to 12% based on the content of Platinum and rhodium.
  • the temperature coefficient of measuring resistors based on platinum alloys in Set the range from 1600 to 3850 ppm / K exactly. This procedure is not based on it aligned to set the specific surface resistance of the resistance layer exactly.
  • WO 96/01983 A1 describes a method for producing a sensor for detecting Temperature and / or flow described, the sensor being structured Resistance layer is formed on a carrier.
  • This is a platinum-rhodium layer that consists of a tempered platinum resinate / rhodium resinate mixture. So can for example, by mixing 99% platinum resinate paste and 1% rhodium paste Platinum-rhodium resistance layer with a temperature coefficient of 3500 ppm / ° C will be realized. This procedure is also not aimed at the specific Adjust the surface resistance of the resistance layer exactly.
  • EP 0 576 017 A2 describes a method for producing an inkjet print head known, wherein a thin film layer forms a heating element that in a period of a few microseconds to a temperature of 300 ° C and then on again Room temperature is cooled.
  • the contact areas for the thin film heating elements are with Au or Pt resinate pastes. These contact areas cannot be soldered.
  • the Thin film is formed from a resinate paste, such as metal alloys WNi, ZrCr, TaIr, TaFe or ZrNi contains. The focus is on compatibility with the ink, whereas possibilities of varying the specific sheet resistance be disregarded.
  • a metal layer ignition agent which is based on a Insulating body made of glass or ceramic.
  • screen printed two contact surfaces for example with palladium-palladium silver, Palladium-gold, platinum-silver, nickel or silver-aluminum thick-film conductor paste applied a sintering process at a temperature between 1000 ° C and 1100 ° C. be subjected.
  • a tantalum or tantalum nitride layer is evaporated, which is structured in a photolithographic process to form an ignition bridge, wherein this overlaps the edge zones of the two contact surfaces.
  • the length and width of the Ignition bridge preferably vary between 50 and 100 ⁇ m and the thickness between 0.2 ⁇ m and 1.5 ⁇ m.
  • the disadvantage of this process is the high technological effort involved through the use of two different technologies, namely thick-film technology (Screen printing process) and thin-film technology (vapor deposition technology).
  • the photolithographic process for structuring the ignition bridge is not easy to use because the applied thick-film contact surfaces ensure the flatness of the Surface affected. Because of these bumps, it can occur in the contact copying process Under-radiation occurs, which has an adverse effect on the structural fidelity of the ignition bridge element.
  • a heating element in which both the contact surfaces and the ignition bridge in the Screen printing processes are known from document EP-A-0 248 977.
  • the object of the invention is a method for producing a heating element specify after which an AuPd resinate resistance layer of a given layer thickness is treated by doping with Pd atoms so that a sheet resistance with Desired specific surface resistance adjustable in the range from 300m ⁇ to approx. 3 ⁇ is.
  • This object is achieved by the characterizing features of Claim 1 solved.
  • Fig. 1 shows a sectional view of a heating element with a high heating rate according to a preferred embodiment of the present invention.
  • Annealing is a targeted change and then a stabilization of the Resistance value reached.
  • a ferritic high-temperature-resistant steel can also be used as the base body (101) instead of the aluminum oxide ceramic.
  • the glass ceramic layer (102) can not only be applied using the screen printing method, but can also be laminated onto the base body in the form of a "green" (unfired) ceramic film and then sintered.
  • a glass / glass ceramic layer can be dispensed with if a glass ceramic or a ceramic with low thermal conductivity, such as zirconium oxide or magnesium oxide, is already used as the base body. However, the surface may need to be lapped and polished to achieve a surface roughness of ⁇ 0.1 ⁇ m.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Details Of Resistors (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Heizelements mit vorgegebenem Widerstandswert, das sich durch eine hohe Aufheizrate auszeichnet, wie es zum Beispiel zum Zünden von Treibsätzen für Airbagsysteme benötigt wird.
Derzeit werden solche Heizelemente mit Widerstandsdrähten hergestellt, wobei deren Durchmesser im Hinblick auf Erzielung einer hohen Aufheizrate sehr gering gewählt werden muß (etwa 10µm). Bei einer vorgegebenen Drahtlänge kann für einen bestimmten Widerstandsdraht der Widerstandswert nur über den Drahtquerschnitt variiert werden. Soll ein breites Widerstandswertespektrum abgedeckt werden, so stößt man sehr bald an die technischen Grenzen im Hinblick auf Aufheizrate, Handhabbarkeit und Montagemöglichkeit des Drahtes.
The invention relates to a method for producing a heating element with a predetermined resistance value, which is characterized by a high heating rate, as is required, for example, to ignite propellants for airbag systems.
Such heating elements are currently manufactured with resistance wires, the diameter of which must be selected very small in order to achieve a high heating rate (approximately 10 μm). For a given wire length, the resistance value for a certain resistance wire can only be varied over the wire cross-section. If a wide range of resistance values is to be covered, the technical limits in terms of heating rate, handling and installation options for the wire will soon be reached.

Aus der US 3,998,980 A ist ein Dickschichtwiderstand als Pixelelement mit vorgegebenem Widerstandswert für Thermodruckeranwendungen bekannt, der in mehreren Drucklagen auf ein mit einem kristallisierenden Glas als Wärmebarriere beschichteten Keramiksubstrat aufgebracht wird, wobei die Dicke des Widerstands im Bereich von 12,5µm bis 254µm liegt. Als Widerstandsmaterial wird ein Wismuthruthenat-Pastensystem verwendet. Um die für ein Druckerelement erforderliche plane Widerstandsoberfläche zu erhalten, wird der Widerstand geläppt, wobei der Läppprozeß nach jeder Drucklage oder aber auch als letzter Verfahrensschritt angewandt werden kann. Der Läppprozeß dient auch zum Einstellen des Widerstandswertes und des Widerstandstemperaturkoeffizienten. Ein nachfolgender Temperprozeß soll dazu beitragen, die Ausbildung von Mikrorissen in der Widerstandsschicht zu vermeiden, die im Zuge der Alterung zu einer Widerstandserhöhung führen könnte. Nachteilig bei dieser Ausführungsform eines Heizelementes ist es, daß der Widerstand als Dickschichtbauelement und nicht als Dünnschichtstruktur ausgeführt ist, wodurch aufgrund dessen Wärmekapazität eine bestimmte Aufheizrate nicht unterschritten werden kann.From US 3,998,980 A is a thick-film resistor as a pixel element with a predetermined Resistance value known for thermal printer applications, which in several print layers a ceramic substrate coated with a crystallizing glass as a heat barrier is applied, the thickness of the resistor being in the range from 12.5 μm to 254 μm. A bismuth thruthenate paste system is used as the resistance material. To the one To obtain the required plane resistance surface of the printer element, the resistance lapped, the lapping process after each pressure or as the last Process step can be applied. The lapping process also serves to adjust the Resistance value and the resistance temperature coefficient. A subsequent one Annealing process is said to contribute to the formation of microcracks in the Avoid resistance layer, which in the course of aging leads to an increase in resistance could lead. A disadvantage of this embodiment of a heating element is that the Resistance is designed as a thick-film component and not as a thin-film structure, because of its heat capacity, it does not fall below a certain heating rate can be.

Aus der EP 0 471 138 A2 ist ein Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Meßwiderstands mit einem vorgegebenen Temperaturkoeffizienten bekannt, bei dem ein Aluminiumoxid-Keramiksubstrat mit einem Platin-Dünnfilm versehen wird, auf den anschließend im Siebdruckverfahren eine Schicht aus einem Präparat, das Platin- und Rhodiumresinat enthält aufgebracht wird, wobei dessen Rhodiumgehalt für den angestrebten Temperaturkoeffizienten maßgeblich ist. Der beschichtete Träger wird einer Wärmebehandlung im Bereich von 1000 bis 1400°C so lange unterzogen, bis sich das Rhodium in der sich bildenden Widerstandsschicht gleichmäßig verteilt hat. Der Rhodiumgehalt der Schicht liegt im Bereich von 0,1% bis 12% bezogen auf den Gehalt von Platin und Rhodium. Durch Variation des Rhodiumgehalts der Widerstandsschicht läßt sich der Temperaturkoeffizient von Meßwiderständen auf der Basis von Platinlegierungen im Bereich von 1600 bis 3850 ppm/K exakt einstellen. Dieses Verfahren ist nicht darauf ausgerichtet, den spezifischen Flächenwiderstand der Widerstandsschicht exakt einzustellen.EP 0 471 138 A2 describes a method for producing an electrical Measuring resistance with a predetermined temperature coefficient is known, in which a Alumina ceramic substrate is provided with a platinum thin film on which then using a screen printing process a layer made of a preparation containing platinum and Rhodium resinate contains is applied, its rhodium content for the desired Temperature coefficient is decisive. The coated carrier becomes one Heat treatment in the range of 1000 to 1400 ° C until the Rhodium evenly distributed in the resistance layer that forms. The The rhodium content of the layer is in the range from 0.1% to 12% based on the content of Platinum and rhodium. By varying the rhodium content of the resistance layer the temperature coefficient of measuring resistors based on platinum alloys in Set the range from 1600 to 3850 ppm / K exactly. This procedure is not based on it aligned to set the specific surface resistance of the resistance layer exactly.

In der WO 96/01983 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Sensors zum Erfassen von Temperatur und /oder Strömung beschrieben, wobei der Sensor von einer strukturierten Widerstandsschicht auf einem Träger gebildet wird. Diese ist eine Platin-Rhodiumschicht, die aus einer getemperten Platinresinat/Rhodiumresinat-Mischung besteht. So kann beispielsweise durch eine Mischung von 99% Platinresinatpaste und 1% Rhodiumpaste eine Platin-Rhodiumwiderstandsschicht mit einem Temperaturkoeffizienten von 3500 ppm/°C realisiert werden. Auch dieses Verfahren ist nicht darauf ausgerichtet, den spezifischen Flächenwiderstand der Widerstandsschicht exakt einzustellen.WO 96/01983 A1 describes a method for producing a sensor for detecting Temperature and / or flow described, the sensor being structured Resistance layer is formed on a carrier. This is a platinum-rhodium layer that consists of a tempered platinum resinate / rhodium resinate mixture. So can for example, by mixing 99% platinum resinate paste and 1% rhodium paste Platinum-rhodium resistance layer with a temperature coefficient of 3500 ppm / ° C will be realized. This procedure is also not aimed at the specific Adjust the surface resistance of the resistance layer exactly.

Aus der EP 0 576 017 A2 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Tintenstrahldruckkopfes bekannt, wobei eine Dünnfilmschicht ein Heizelement bildet, das in einer Zeitspanne von einigen Mikrosekunden auf eine Temperatur von 300°C erhitzt und sodann wieder auf Raumtemperatur abgekühlt wird. Die Kontaktflächen für die Dünnfilmheizelemente werden mit Au- oder Pt-Resinatpasten, hergestellt. Diese Kontaktflächen sind nicht lötbar. Der Dünnfilm wird von einer Resinatpaste gebildet, die beispielsweise Metallegierungen wie WNi, ZrCr, TaIr, TaFe oder ZrNi enthält. Das Schwergewicht wird auf die Kompatibilität mit der Tinte gelegt, wogegen Möglichkeiten der Variation des spezifischen Flächenwiderstands außer acht gelassen werden.EP 0 576 017 A2 describes a method for producing an inkjet print head known, wherein a thin film layer forms a heating element that in a period of a few microseconds to a temperature of 300 ° C and then on again Room temperature is cooled. The contact areas for the thin film heating elements are with Au or Pt resinate pastes. These contact areas cannot be soldered. The Thin film is formed from a resinate paste, such as metal alloys WNi, ZrCr, TaIr, TaFe or ZrNi contains. The focus is on compatibility with the ink, whereas possibilities of varying the specific sheet resistance be disregarded.

Aus der DE-OS-2 020 016 ist ein Metallschichtzündmittel bekannt, das auf einem Isolierkörper aus Glas oder Kermaik aufgebaut wird. Auf diesem werden im Siebdruckverfahren zwei Kontaktierungsflächen beispielsweise mit Palladium-Palladiumsilber-, Palladium-Gold-, Platin-Silber-, Nickel- oder Silber-Aluminium-Dickschichtleiterpaste aufgebracht, die einem Sinterprozeß bei einer Temperatur zwischen 1000°C und 1100°C unterworfen werden. Anschließend wird eine Tantal- oder Tantalnitridschicht aufgedampft, die in einem photolithograhischen Verfahren zu einer Zündbrücke strukturiert wird, wobei diese die Randzonen der beiden Kontaktflächen überlappt. Die Länge und Breite der Zündbrücke variiern vorzugsweise zwischen 50 und 100µm und die Dicke zwischen 0,2µm und 1,5µm. Als Nachteil bei diesem Verfahren ist der hohe technologische Aufwand, der durch den Einsatz von zwei unterschiedlichen Technologien, nämlich der Dickschichttechnik (Siebdruckverfahren) und der Dünnschichttechnik (Aufdampftechnik) gegeben ist, zu nennen. Weiters ist der photolithographische Prozeß zur Strukturierung der Zündbrücke nicht problemlos anzuwenden, da die aufgebrachten Dickschichtkontaktflächen die Planität der Oberfläche beeinträchtigt. Aufgrund dieser Unebenheiten kann es beim Kontaktkopierverfahren zu Unterstrahlungen kommen, was nachteilige Auswirkungen auf die Strukturwiedergabetreue des Zündbrückenelements hat.From DE-OS-2 020 016 a metal layer ignition agent is known which is based on a Insulating body made of glass or ceramic. On this are screen printed two contact surfaces, for example with palladium-palladium silver, Palladium-gold, platinum-silver, nickel or silver-aluminum thick-film conductor paste applied a sintering process at a temperature between 1000 ° C and 1100 ° C. be subjected. Then a tantalum or tantalum nitride layer is evaporated, which is structured in a photolithographic process to form an ignition bridge, wherein this overlaps the edge zones of the two contact surfaces. The length and width of the Ignition bridge preferably vary between 50 and 100 µm and the thickness between 0.2 µm and 1.5µm. The disadvantage of this process is the high technological effort involved through the use of two different technologies, namely thick-film technology (Screen printing process) and thin-film technology (vapor deposition technology). Furthermore, the photolithographic process for structuring the ignition bridge is not easy to use because the applied thick-film contact surfaces ensure the flatness of the Surface affected. Because of these bumps, it can occur in the contact copying process Under-radiation occurs, which has an adverse effect on the structural fidelity of the ignition bridge element.

Für Zündelemente von Treibsätzen für Airbagsysteme ist aufgrund der Vorgaben für den Einbau in Gehäuse die Länge des Heizelements vorgegeben. Eine Erhöhung des Widerstandswertes der Widerstandsbahn ist bei vorgegebener Schichtdicke daher nur über eine Reduktion der Bahnbreite möglich. Der Verringerung der Bahnbreite sind dadurch Grenzen gesetzt, daß für ein zuverlässiges Zünden des Treibsatzes eine Mindestwiderstandsfläche für die Wärmeübertragung nicht unterschritten werden darf.For ignition elements of propellants for airbag systems is due to the specifications for the Installation in housing specifies the length of the heating element. An increase in The resistance value of the resistance track is therefore only above given layer thickness a reduction in the web width is possible. This reduces the web width Limits that a minimum resistance area for reliable ignition of the propellant for heat transfer must not be undercut.

Ein Heizelement bei dem sowohl die Kontaktierungsflächen als auch die Zündbrücke im Siebdruckverfahren aufgebracht sind ist aus dem Dokument EP-A-0 248 977 bekannt.A heating element in which both the contact surfaces and the ignition bridge in the Screen printing processes are known from document EP-A-0 248 977.

Aufgabe der Erfindung ist es ein Verfahren für die Herstellung eines Heizelements anzugeben, nach dem eine AuPd-Resinatwiderstandsschicht vorgegebener Schichtstärke durch Dotierung mit PdAtomen so behandelt wird, daß ein Schichtwiderstand mit gewünschtem spezifischem Flächenwiderstand im Bereich von 300mΩ bis ca. 3Ω einstellbar ist. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.The object of the invention is a method for producing a heating element specify after which an AuPd resinate resistance layer of a given layer thickness is treated by doping with Pd atoms so that a sheet resistance with Desired specific surface resistance adjustable in the range from 300mΩ to approx. 3Ω is. This object is achieved by the characterizing features of Claim 1 solved.

In einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird als Träger eine Aluminiumoxidkeramik verwendet; es ist auch möglich, einen Träger aus einem Stahlsubstrat zu verwenden. Als thermisch bzw. auch als elektrisch isolierende Zwischenschicht wird auf die genannten Träger eine Glas- oder Glaskeramikbeschichtung aufgebracht, wobei letztere aus SiO2, BaO, Al2O3 und einer anorganischen Farbstoffverbindung besteht, wie beispielsweise als Pastensystem unter der Bezeichnung IP 211 bzw. als ungebrannte Keramikfolie unter der Bezeichnung HERATAPE T5 oder T211 bei der W.C. Heraeus GmbH, Hanau, erhältlich. Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß im Hinblick auf eine gleichmäßige Schichtherstellung und reproduzierbare naßchemische Strukturierung der Resinatwiderstandsschicht die Glas- oder Glaskeramikbeschichtung, die als Wärmebarriere auf das Keramik- oder Stahlsubstrat aufgebracht wird, gegebenenfalls geläppt und poliert werden muß. Die getrocknete und gesinterte Glas- oder Glaskeramikschicht wird in diesem Fall daher so lange geläppt und poliert, bis eine spiegelnde Oberfläche erzielt wird. Die AuPd-Dünnfilmwiderstandsbeschichtung wird sodann im Siebdruckverfahren auf den Träger aufgebracht. Das aufzubringende Präparat ist vorzugsweise ein Resinatsystem, bestehend aus 22Masse% Au und 1Masse% Pd, die in einer Lösung von Kunstharz und organischen Bindemitteln verteilt sind, und das unter der Bezeichnung RP 26001/59 bei der W.C. Heraeus GmbH, Hanau erhältlich ist. Nach Auftragen der Resinatschicht im Siebdruckverfahren wird diese bei einer Temperatur im Bereich von 100 bis 150°C getrocknet und anschließend bei einer Temperatur im Bereich zwischen 850 und 900°C gebrannt, wobei die organischen Lösungsmittel verdampfen bzw. verbrennen. Die nach diesem Verfahren hergestellte Schicht weist eine Dicke im Bereich von 0,1 bis 1,5µm auf. In einem anschließenden Verfahrensschritt wird die Widerstandsschicht beispielsweise durch naßchemische Ätzverfahren oder Sputterätzen in Form eines Streifens, die eine Bahnverengung aufweist, strukturiert. Es liegt hiebei der Erfindung die Erkenntnis zugrunde, daß entsprechend Anordnung und Ausdehnung der Bahnverengung, die Temperaturverteilung auf der Widerstandsbahn dahingehend gezielt verändert werden kann, daß die Spitzentemperatur sich an gewünschten Stellen und Bereichen der Widerstandsbahn einstellt. An beiden Enden des Schichtwiderstands sind Kontaktfelder für die äußeren Anschlüsse vorgesehen. Die Kontaktfelder werden ebenfalls im Siebdruckverfahren aufgebracht, wobei hiefür AgPd-Leiterpasten mit unterschiedlichen Pd-Anteil verwendet werden (Ag:Pd-Verhältnis zwischen 1,7 :1 und 26:1). Es sind dies beispielsweise AgPd-Leiterpasten der Serie C1200 der W.C. Heraeus GmbH, Hanau. Über die AgPd-Kontaktierung erfolgt die Dotierung der Widerstandsbahn mit Pd. Es liegt hiebei der Erfindung die Erkenntnis zugrunde, daß der Widerstandswert einer Widerstandsbahn, aufgebaut mit einer AuPd-Resinatschicht durch Kontaktieren mit einer AgPd-Dickschichtleitermetalliserung mit unterschiedlichem Pd-Anteil gezielt modifiziert werden kann. In Abhängigkeit vom Palladium-Anteil in der AgPd-Leiterpaste kann nach einem Temperprozeß der spezifische Flächenwiderstand der Widerstandsbahn für eine Widerstandslänge 1mm im Bereich von 310mOhm bis 3Ohm eingestellt werden: es wird lediglich der Palladiumanteil der AuPd-Legierung des Dünnfilmwiderstands ohne Änderung der Schichtdicke variiert. Es ist aus technologischen Gründen nicht möglich, eine AuPd-Resinatpaste in ihrer Grundzusammensetzung bereits mit höherem Pd-Anteil herzustellen.
Die Erfindung schafft weiters ein Verfahren zum Herstellen eines Heizelements mit hoher Aufheizrate mit einem Grundkörper, einer thermischen Isolationslage und einer strukturierten Widerstandsschicht mit Kontaktierungen, die auf der Isolationslage angeordnet sind, gelöst durch folgende Verfahrensschritten:

  • Drucken einer Glas- oder Glaskeramikpaste (Sintertemperatur: 850°C bis 1100°C) mittels Siebdruckverfahrens zur Realisierung einer thermischen Isolationslage auf einem Aluminiumoxid- oder Stahlsubstrat;
  • Trocknen der aufgedruckten Paste (bei ca. 150°C);
  • Sintern der Paste;
  • Wiederholen der genannten Prozeßschritte auf dem gleichen Trägerkörper bis die gewünschte Gesamtschichtdicke erreicht ist;
  • Bei Bedarf (zu hohe Oberflächenrauhigkeit) Läppen und Polieren der gesinterten Glas- oder Glaskeramikbeschichtung bis eine spiegelnde Oberfläche erreicht ist;
  • Tempern des Substrats mit der geläppten und polierten Glas- oder Glaskeramikbeschichtung, um mechanische Spannungen abzubauen, die zu Mikrorissen führen könnten;
  • Drucken der Resinatpaste mittels Siebdruckverfahrens auf die Glas- oder Glaskeramikbeschichtung;
  • Trocknen der aufgedruckten Paste (bei zwischen 80°C und 150°C);
  • Sintern der Paste (850°C);
  • Strukturieren der Widerstandsbahnen durch naßätztechnische Verfahren oder Sputterätzen;
  • Drucken der Pd-hältigen Dickschichtleiterpasten zur Kontaktierung der Resinatwiderstandsbahnen mittels Siebdruckverfahrens auf die geläppte und polierte Glasbzw. Glaskeramikbeschichtung;
  • Trocknen der aufgedruckten Paste (bei ca. 150°C);
  • Sintern der Paste (zwischen 850°C und 950°C);
In a preferred embodiment of the method, an aluminum oxide ceramic is used as the carrier; it is also possible to use a carrier made of a steel substrate. A glass or glass-ceramic coating is applied as a thermal or also as an electrically insulating intermediate layer, the latter consisting of SiO 2 , BaO, Al 2 O 3 and an inorganic dye compound, for example as a paste system under the designation IP 211 or available as unfired ceramic film under the name HERATAPE T5 or T211 from WC Heraeus GmbH, Hanau. The invention is based on the knowledge that with a view to uniform layer production and reproducible wet-chemical structuring of the resinate resistance layer, the glass or glass ceramic coating, which is applied as a heat barrier to the ceramic or steel substrate, may have to be lapped and polished. In this case, the dried and sintered glass or glass ceramic layer is lapped and polished until a reflective surface is achieved. The AuPd thin film resistor coating is then screen printed onto the carrier. The preparation to be applied is preferably a resinate system consisting of 22% by mass Au and 1% by mass Pd, which are distributed in a solution of synthetic resin and organic binders, and which is available under the designation RP 26001/59 from WC Heraeus GmbH, Hanau. After the resinate layer has been applied by screen printing, it is dried at a temperature in the range from 100 to 150 ° C. and then fired at a temperature in the range between 850 and 900 ° C., the organic solvents evaporating or burning. The layer produced by this method has a thickness in the range from 0.1 to 1.5 μm. In a subsequent process step, the resistance layer is structured, for example, by wet chemical etching processes or sputter etching in the form of a strip which has a path constriction. The invention is based on the finding that, according to the arrangement and extent of the path narrowing, the temperature distribution on the resistance path can be changed in such a way that the peak temperature occurs at desired points and areas of the resistance path. Contact fields for the external connections are provided at both ends of the sheet resistance. The contact fields are also applied using the screen printing process, using AgPd conductor pastes with different Pd contents (Ag: Pd ratio between 1.7: 1 and 26: 1). These are, for example, AgPd conductor pastes of the C1200 series from WC Heraeus GmbH, Hanau. The resistance path is doped with Pd via the AgPd contact. The invention is based on the finding that the resistance value of a resistance track built up with an AuPd resinate layer can be modified in a targeted manner by contacting it with an AgPd thick-layer conductor metallization with a different Pd content. Depending on the palladium content in the AgPd conductor paste, the specific surface resistance of the resistance track can be set for a resistance length of 1mm in the range from 310mOhm to 3Ohm after an annealing process: only the palladium content of the AuPd alloy of the thin film resistor is varied without changing the layer thickness. For technological reasons, it is not possible to produce an AuPd resinate paste in its basic composition with a higher proportion of Pd.
The invention also provides a method for producing a heating element with a high heating rate with a base body, a thermal insulation layer and a structured resistance layer with contacts which are arranged on the insulation layer, solved by the following method steps:
  • Printing a glass or glass ceramic paste (sintering temperature: 850 ° C to 1100 ° C) using a screen printing process to create a thermal insulation layer on an aluminum oxide or steel substrate;
  • Drying the printed paste (at approx. 150 ° C);
  • Sintering the paste;
  • Repeating the above-mentioned process steps on the same carrier body until the desired total layer thickness is reached;
  • If necessary (surface roughness too high) lapping and polishing the sintered glass or glass ceramic coating until a reflective surface is reached;
  • Annealing the substrate with the lapped and polished glass or glass ceramic coating to relieve mechanical stresses that could lead to microcracks;
  • Printing the resinate paste on the glass or glass ceramic coating using a screen printing process;
  • Drying the printed paste (at between 80 ° C and 150 ° C);
  • Sintering the paste (850 ° C);
  • Structuring the resistance tracks by wet etching processes or sputter etching;
  • Printing the Pd-containing thick-film conductor pastes for contacting the resinate resistance tracks by means of screen printing on the lapped and polished glass or Ceramic coating;
  • Drying the printed paste (at approx. 150 ° C);
  • Sintering the paste (between 850 ° C and 950 ° C);

Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.A preferred embodiment of the present invention is described below Reference to the drawing explained in more detail.

Fig. 1 zeigt eine Schnittdarstellung von einem Heizelement mit hoher Aufheizrate gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.Fig. 1 shows a sectional view of a heating element with a high heating rate according to a preferred embodiment of the present invention.

Das Heizelement (100) umfaßt ein Substrat (101), das mit einer geläppten und polierten Glas- oder Glaskeramikbeschichtung (102) versehen sein kann, auf der eine Resinat-Widerstandsbahn (103) angeordnet ist, die mit einer Dickschichtleiterbahnmetallisierung (104, 104') mit aufsitzendem Lötstopdamm (105, 105') kontaktiert wird. Das Substrat (101) ist in einer Ausführungsform eine Aluminiumoxidkeramik mit einer Reinheit von 96 - 99%, wobei der Rest aus anderen Oxiden besteht. Auf das Substrat wird eine Glas- oder Glaskeramikbeschichtung (102) mit handelsüblichen Pastensystemen der Firmen HERAEUS oder ESL im Siebdruckverfahren aufgebracht. Es werden vorzugsweise Pasten verwendet, die bei einer Temperatur 850°C gesintert werden können. Durch einen nachfolgenden Läpp- und Poliervorgang wird bei Bedarf die Oberflächenrauhigkeit Ra der Beschichtung von >0,6µm auf <0,1µm reduziert, um auf ihr die Widerstandsbahn (103) porenfrei und in einheitlicher Schichtdicke aufbauen zu können. Mit dieser Glas- oder Glaskramikbeschichtung wird für das Heizelement eine Wärmebarriere aufgebaut, wobei folgende Prozeßschritte angewendet werden.

  • Drucken der Glas oder Glaskeramikpaste mittels eines Siebdruckverfahrens auf ein Aluminiumoxidkeramiksubstrat mit einer Schichtdicke von etwa 80µm.
  • Trocknen der aufgedruckten Paste bei 150°C über eine Zeitdauer von ca. 10Minuten.
  • Sintern der getrockneten Paste in einem Durchlaufofen bei einer Temperatur von 850°C, wodurch sich eine Schichtdicke der Glas- oder Glaskeramikbeschichtung nach dem ersten Brennzyklus von 15µm ergibt.
  • Wiederholen der ersten drei Prozeßschritte auf dem gleichen Substrat, bis eine Gesamtschichtdicke von ca. 45µm erzielt wird. Dies erfordert etwa drei Prozeßdurchläufe.
  • Bei Bedarf Läppen und Polieren der Glas- oder Glaskeramikbeschichtung bis eine Oberflächenrauhigkeit <0,1µm erzielt wird.
  • Tempern des Substrats bei einer hohen Temperatur, vorzugsweise bei 850°C über eine Zeitdauer von 1 Stunde.
The heating element (100) comprises a substrate (101), which can be provided with a lapped and polished glass or glass ceramic coating (102) on which a resinate resistance track (103) is arranged, which is coated with a thick-layer conductor track metallization (104, 104 ' ) is contacted with the solder stop dam (105, 105 '). In one embodiment, the substrate (101) is an aluminum oxide ceramic with a purity of 96-99%, the rest consisting of other oxides. A glass or glass ceramic coating (102) is applied to the substrate using commercially available paste systems from HERAEUS or ESL using the screen printing process. Pastes are preferably used which can be sintered at a temperature of 850 ° C. The surface roughness R a of the coating is reduced from> 0.6 µm to <0.1 µm by a subsequent lapping and polishing process so that the resistance path (103) can be built up on it without pores and in a uniform layer thickness. With this glass or glass goods coating, a heat barrier is built up for the heating element, the following process steps being used.
  • Printing the glass or glass ceramic paste by means of a screen printing process on an aluminum oxide ceramic substrate with a layer thickness of approximately 80 μm.
  • Drying the printed paste at 150 ° C for a period of about 10 minutes.
  • Sintering the dried paste in a continuous furnace at a temperature of 850 ° C, which results in a layer thickness of the glass or glass ceramic coating after the first firing cycle of 15 µm.
  • Repeat the first three process steps on the same substrate until a total layer thickness of approx. 45 µm is achieved. This requires approximately three process runs.
  • If necessary, lapping and polishing the glass or glass ceramic coating until a surface roughness of <0.1 µm is achieved.
  • Annealing the substrate at a high temperature, preferably at 850 ° C for a period of 1 hour.

Die Temperaturbehandlung bewirkt den Abbau der durch den Läpp- und Polierprozeß induzierten mechanischen Spannungen, die zur Ausbildung von Mikrorissen in der Glas- oder Glaskeramikbeschichtung und in der Folge auch in der Resinat-Widerstandsbahn führen könnte. Die Widerstandsbahn darf im Hinblick auf das schnelle Aufheizverhalten nur eine geringe Wärmekapazität besitzen. Dies wird einerseits durch Auswahl einer Metallisierungsschicht mit einer geringen spezifischen Wärmekapazität bzw. durch Miniaturisierung der Widerstandsbahn erreicht. Zur Herstellung der Widerstandsbahn (103) wird eine AuPd- oder Au-Resinatpaste verwendet, wobei folgende Verfahrensschritte eingehalten werden.

  • Drucken der Resinatpaste mittels Siebdruckverfahrens auf die unbearbeitete oder geläppte und polierte Glas- oder Glaskeramikbeschichtung mit einer Schichtdicke von etwa 10µm.
  • Trocknen der aufgedruckten Paste bei 150°C über einer Zeitdauer von 10 Minuten.
  • Brennen der Paste in einem Durchlaufofen bei 850°C, wobei sich nach dem Brennzyklus eine Metallisierungsschichtdicke von etwa 0,1µm ergibt.
  • Strukturieren der Widerstandsbahn durch naßchemische Ätzverfahren oder durch Sputterätzen.
The temperature treatment causes the mechanical stresses induced by the lapping and polishing process to be reduced, which could lead to the formation of microcracks in the glass or glass ceramic coating and subsequently also in the resinate resistance track. In view of the rapid heating behavior, the resistance track may only have a low heat capacity. This is achieved on the one hand by selecting a metallization layer with a low specific heat capacity or by miniaturizing the resistance track. An AuPd or Au resinate paste is used to produce the resistance track (103), the following process steps being followed.
  • Printing the resin paste using the screen printing process on the unprocessed or lapped and polished glass or glass ceramic coating with a layer thickness of about 10 µm.
  • Drying the printed paste at 150 ° C for a period of 10 minutes.
  • Firing the paste in a continuous furnace at 850 ° C, which results in a metallization layer thickness of about 0.1 µm after the firing cycle.
  • Structuring the resistance track by wet chemical etching processes or by sputter etching.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß der Widerstandswert der AuPd- oder Au-Resinatwiderstandsbahn durch Kontaktieren mit Dickschichtleiterpasten (104, 104') auf der Basis AgPd in Abhängigkeit des Pd-Gehalts gesteuert werden kann. Es sind hiebei folgende Prozeßschritte einzuhalten:

  • Drucken der AgPd- oder PdAu-Dickschichtleiterpaste mittels eines Siebdruckverfahrens überlappend die Widerstandsbahn mit einer Schichtdicke von etwa 30µm.
  • Trocknen der aufgedruckten Paste bei 150°C über eine Zeitdauer von ca. 10Minuten.
  • Sintern der getrockneten Paste in einem Durchlaufofen bei einer Temperatur von 850°C, wodurch sich für die Kontaktierung eine Schichtdicke von etwa 15µm ergibt.
  • Tempern des Substrats bei einer hohen Temperatur, bevorzugterweise 850°C über eine Zeitdauer von etwa 1 Stunde.
The present invention is based on the finding that the resistance value of the AuPd or Au resinate resistance track can be controlled as a function of the Pd content by contacting it with thick film conductor pastes (104, 104 ') based on AgPd. The following process steps must be followed:
  • Printing the AgPd or PdAu thick-film conductor paste by means of a screen printing process overlapping the resistance track with a layer thickness of about 30 µm.
  • Drying the printed paste at 150 ° C for a period of about 10 minutes.
  • Sintering the dried paste in a continuous furnace at a temperature of 850 ° C, which results in a layer thickness of about 15 µm for the contact.
  • Annealing the substrate at a high temperature, preferably 850 ° C for a period of about 1 hour.

Durch das Tempern wird eine gezielte Veränderung und danach eine Stabilisierung des Widerstandswertes erreicht.Annealing is a targeted change and then a stabilization of the Resistance value reached.

Auf die Dickschichtleiterbahnkontakte (104, 104') werden bei Bedarf Lötstopdämme (105, 105') mittels einer Glaspaste aufgebracht. Beim Anlöten von Drahtanschlüssen, sollen die Lötstopdämme ein Benetzen der Widerstandsbahn mit Lot und Flußmittel vermeiden, da dies zum Ablegieren bzw. zum Verschmutzen der Widerstandsbahn führen könnte. Für das Aufbringen des Lötstopdamms wird folgender Prozeßablauf eingehalten:

  • Drucken einer Glaspaste mittels eines Siebdruckverfahrens als Stegstruktur auf die Leiterbahnkontakte mit einer Schichtdicke von etwa 40µm.
  • Trocknen der aufgedruckten Paste bei 150°C über eine Zeitdauer von ca. 10Minuten.
  • Sintern der getrockneten Paste in einem Durchlaufofen bei einer Temperatur von etwa 500°C-600°C, wodurch sich für die Kontaktierung eine Schichtdicke von etwa 25µm einstellt.
If required, solder dams (105, 105 ') are applied to the thick-film conductor contacts (104, 104') by means of a glass paste. When soldering wire connections, the solder stop dams should avoid wetting the resistance path with solder and flux, as this could lead to the resistance path being stripped or contaminated. The following process sequence is followed for applying the solder stop dam:
  • Printing a glass paste using a screen printing process as a web structure onto the conductor track contacts with a layer thickness of approximately 40 µm.
  • Drying the printed paste at 150 ° C for a period of about 10 minutes.
  • Sintering the dried paste in a continuous furnace at a temperature of about 500 ° C-600 ° C, which results in a layer thickness of about 25 µm for the contact.

Die Erfindung ist nicht auf das oben genannte Ausführungsbeispiel beschränkt. Als Grundkörper (101) kann anstelle der Aluminiumoxidkeramik auch ein ferritischer hochtemperaturfester Stahl verwendet werden. Die Glaskeramikschicht (102) kann nicht nur im Siebdruckverfahren aufgebracht werden, sondern in Form einer "grünen" (ungebrannten) Keramikfolie auf den Grundkörper auflaminiert und anschließend gesintert werden.
Auf das Aufbringen einer Glas/Glaskeramikschicht kann verzichtet werden, wenn als Grundkörper bereits eine Glaskeramik bzw. eine Keramik mit geringer Wärmeleitfähigkeit, wie beispielsweise Zirkonoxid oder Magnesiumoxid eingesetzt wird. Die Oberfläche muß jedoch gegebenenfalls geläppt und poliert werden, um eine Oberflächenrauhigkeit <0,1µm zu erzielen.
The invention is not restricted to the exemplary embodiment mentioned above. A ferritic high-temperature-resistant steel can also be used as the base body (101) instead of the aluminum oxide ceramic. The glass ceramic layer (102) can not only be applied using the screen printing method, but can also be laminated onto the base body in the form of a "green" (unfired) ceramic film and then sintered.
A glass / glass ceramic layer can be dispensed with if a glass ceramic or a ceramic with low thermal conductivity, such as zirconium oxide or magnesium oxide, is already used as the base body. However, the surface may need to be lapped and polished to achieve a surface roughness of <0.1 µm.

Claims (10)

  1. Heating element (100) with a high heat up rate consisting of
    a base body (101)
    a structured resistance layer (103) which is arranged on a base body (101)
    contact fields (104, 104') which are arranged overlapping on both ends of the resistance track, characterised in that the heating element furthermore consists of
    bar-shaped solder stop dams (105, 105') which are applied on to the contact surfaces (104, 104'), that the resistance track (103) is an AuPd or Au resinate layer and that the contact surfaces (104, 104') overlapping the resistance track (103) consists of an AgPd or PdAu thick layer conductor path metallisation.
  2. Heating element (100) according to Claim 1, characterised in that the base body (101) consists of 96% to 99% aluminium oxide with a residual proportion of other oxides.
  3. Heating element (100) according to Claim 1, characterised in that the base body (101) consists of a high temperature resistant glass or a glass ceramic or a ceramic with low thermal conductivity such as, for example, zirconium oxide, the surface roughness of which is maintained if needed by lapping and polishing to <0.1µm.
  4. Heating element (100) according to Claim 1, characterised in that a heat barrier (102) is applied to the base body (101) consisting of a glass or glass ceramic layer, the surface roughness of which is, if necessary, by means of lapping and polishing, <0.1µm.
  5. Heating element (100) according to Claim 1 or Claim 4, characterised in that the base body (101) consists of a high temperature resistant carbon poor chromium-containing steel.
  6. Process for manufacturing a heating element (100) with high heat up rate for igniting propellants with a base body (101), a thermal barrier (102), a structured resistance layer with or without necking (103) which is arranged on the thermal barrier (102), contact surfaces (104, 104') which are arranged overlapping on both ends of the resistance track (103) and bar-shaped solder stop dams (105, 105') which are applied on to the contact surfaces (104, 104'), characterised by the following process steps:
    printing of the glass or glass ceramic case by means of a screen printing process on to an aluminium oxide ceramic substrate;
    drying of the applied paste;
    sintering of the dried paste;
    repeating the first three process steps on the same substrate until the desired overall layer thickness is achieved;
    preferably lapping and polishing the glass or glass ceramic layer until the permissible surface roughness is achieved;
    tempering the substrate in order to avoid the formation of microcracks;
    printing of the AuPd or Au resistance resinate paste by means of a screen printing process on to the preferably lapped and polished glass or glass ceramic layer;
    drying the applied paste;
    firing the resinate paste layer;
    structuring the resistance layer by wet chemical etching processes or sputter etching;
    printing the conductor paste by means of a screen printing process overlapping the resistance track;
    drying the applied paste;
    sintering the dried paste;
    tempering the substrate in order to alter the resistance value in targeted fashion and thereafter to stabilise it;
    printing the glass paste by means of a screen printing process as a bar structure on to the conductive track contacts;
    drying the applied paste;
    sintering the dried paste.
  7. Process for manufacturing a heating element (100) according to Claim 6, characterised in that in place of a glass or glass ceramic paste, a "green" (unfired) glass ceramic foil is used which is applied by lamination in place of a screen printing process on to the aluminium oxide or steel substrate.
  8. Process for manufacturing a heating element (100) according to Claim 6 or 7, characterised in that for the resistive track, an AuPd resinate paste is used which contains 22 weight percent Au and 1 weight percent Pd, wherein the remainder of the paste is constituted by organics.
  9. Process for manufacturing a heating element (100) according to Claim 6 or 7, characterised in that for the resistive track, an Au resinate paste is used which contains 12 weight percent Au wherein the remainder of the paste is constituted by organics.
  10. Process for manufacturing a heating element (100) according to Claim 8 or 9, characterised in that for contacting the resistance track, an AgPd or PdAu thick layer conductive paste with a Pd proportion between 0 and 100 weight % is used, wherein the remainder falls out from Ag or Au, an organics base, a glass phase and/or oxidic additions.
EP98947223A 1997-10-03 1998-10-02 Heating element and method for producing the same Expired - Lifetime EP1023735B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT0167797A AT405591B (en) 1997-10-03 1997-10-03 HEATING ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
AT167797 1997-10-03
PCT/AT1998/000233 WO1999018586A1 (en) 1997-10-03 1998-10-02 Heating element and method for producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP1023735A1 EP1023735A1 (en) 2000-08-02
EP1023735B1 true EP1023735B1 (en) 2002-08-07

Family

ID=3518608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP98947223A Expired - Lifetime EP1023735B1 (en) 1997-10-03 1998-10-02 Heating element and method for producing the same

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6316752B1 (en)
EP (1) EP1023735B1 (en)
JP (1) JP2001519595A (en)
KR (1) KR100525939B1 (en)
AT (1) AT405591B (en)
AU (1) AU9423698A (en)
BR (1) BR9814811A (en)
DE (1) DE59805128D1 (en)
ES (1) ES2179534T3 (en)
WO (1) WO1999018586A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005024622B4 (en) * 2005-05-30 2007-10-04 Beru Ag glow plug

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT405591B (en) 1997-10-03 1999-09-27 Schaffler & Co HEATING ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
AT408403B (en) 2000-02-23 2001-11-26 Walter Dr Smetana VACUM-TIGHT HOUSING SYSTEM FOR BIPOLAR COMPONENTS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
AT410316B (en) 2001-02-23 2003-03-25 Hirtenberger Automotive Safety PYROTECHNICAL IGNITER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
AT413150B (en) 2003-01-28 2005-11-15 Hirtenberger Schaffler Automot HEATING ELEMENT FOR IGNITION OF PYROTECHNICAL CHARGES
JP4600065B2 (en) 2005-02-03 2010-12-15 富士電機システムズ株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
DE102007018928A1 (en) * 2007-04-21 2008-10-23 Schaeffler Kg compensation device
KR101221689B1 (en) * 2009-12-29 2013-01-11 주식회사 엘지화학 Heating element and method for manufacturing the same
JP5278371B2 (en) * 2010-05-17 2013-09-04 富士電機株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
CN104185365B (en) * 2013-05-23 2018-06-26 比亚迪股份有限公司 A kind of wiring board and preparation method thereof
EA035749B1 (en) * 2015-01-26 2020-08-05 Сэн-Гобэн Гласс Франс Heatable laminated side pane

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2761945A (en) * 1953-07-06 1956-09-04 Libbey Owens Ford Glass Co Light transmissive electrically conducting article
DE2020016C3 (en) * 1970-04-24 1974-12-12 Dynamit Nobel Ag, 5210 Troisdorf Metal film igniter
US3998980A (en) 1972-05-05 1976-12-21 Hewlett-Packard Company Fabrication of thick film resistors
US4138605A (en) * 1976-09-13 1979-02-06 Tektronix, Inc. Thermal printing head
US4241103A (en) * 1977-05-31 1980-12-23 Nippon Electric Co., Ltd. Method of manufacturing an integrated thermal printing head
US4315128A (en) * 1978-04-07 1982-02-09 Kulicke And Soffa Industries Inc. Electrically heated bonding tool for the manufacture of semiconductor devices
NL183380C (en) * 1979-12-27 1988-10-03 Asahi Chemical Ind PATTERNED AND THICK LAYER CONTAINING CONDUCTOR CONSTRUCTION AND METHOD FOR MANUFACTURING THESE
DE3606364A1 (en) * 1986-02-27 1987-09-03 Dynamit Nobel Ag ELECTRIC IGNITION BRIDGE FOR THE APPLICATION OF APPLICATION SETS, DELAY SETS AND PYROTECHNICAL MIXTURES, AND FOR THE PRIMING OF PRIMARY IGNITION SUBSTANCES AND SETS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JPH01283809A (en) * 1988-05-10 1989-11-15 Nec Corp Chip type electronic parts
DE4026061C1 (en) 1990-08-17 1992-02-13 Heraeus Sensor Gmbh, 6450 Hanau, De
US5294586A (en) 1992-06-25 1994-03-15 General Motors Corporation Hydrogen-water vapor pretreatment of Fe-Cr-Al alloys
US6084208A (en) * 1993-02-26 2000-07-04 Canon Kabushiki Kaisha Image heating device which prevents temperature rise in non-paper feeding portion, and heater
JPH10508430A (en) * 1994-06-09 1998-08-18 チップスケール・インコーポレーテッド Manufacturing resistors
DE9411235U1 (en) 1994-07-12 1994-09-08 Murata Elektronik GmbH, 90441 Nürnberg Sensor for detecting a temperature and / or a flow
JP3545834B2 (en) * 1994-09-21 2004-07-21 株式会社リコー Thermal fixing device
JPH0896939A (en) * 1994-09-29 1996-04-12 Toshiba Lighting & Technol Corp Fixing heater, fixing device, and image forming apparatus
AT405591B (en) 1997-10-03 1999-09-27 Schaffler & Co HEATING ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005024622B4 (en) * 2005-05-30 2007-10-04 Beru Ag glow plug

Also Published As

Publication number Publication date
DE59805128D1 (en) 2002-09-12
AT405591B (en) 1999-09-27
ATA167797A (en) 1999-01-15
KR100525939B1 (en) 2005-11-08
US6316752B1 (en) 2001-11-13
JP2001519595A (en) 2001-10-23
KR20010030871A (en) 2001-04-16
BR9814811A (en) 2000-10-03
EP1023735A1 (en) 2000-08-02
WO1999018586A1 (en) 1999-04-15
AU9423698A (en) 1999-04-27
ES2179534T3 (en) 2003-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69822770T2 (en) Thick film Piezo-resistive sensor arrangement
DE69117374T2 (en) SiC thin film thermistor and method and manufacturing process.
DE69418615T2 (en) CATALYTIC GAS SENSOR
DE69737053T2 (en) Chip resistor and method for its manufacture
DE3724966C2 (en)
EP1023735B1 (en) Heating element and method for producing the same
DE3603757C2 (en) Sheet resistance for a flow sensor and method for its production
KR100306554B1 (en) Thick Film Resistor and the Manuring Method Thereof
EP0772031A1 (en) Resistance thermometer
DE4338539A1 (en) Method of making ceramic heating elements
DE102006053689A1 (en) sensor arrangement
DE3110580C2 (en) Thermal printhead and method for its manufacture
EP1756537B1 (en) Temperature sensor and method for the production thereof
WO2014072123A2 (en) Temperature probe and method for producing a temperature probe
DE3829765C2 (en) Platinum temperature sensor
DE4300084C2 (en) Resistance thermometer with a measuring resistor
DE3833289C2 (en)
DE19753642A1 (en) Temperature-dependent measurement resistance with fast reaction time
DE2811052A1 (en) THIN FILM RESISTOR AND MANUFACTURING PROCESS FOR THIN FILM RESISTORS WITH CONTROLLED RESISTANCE TEMPERATURE COEFFICIENTS
DE3901545C2 (en)
DE10020932C1 (en) Producing a temperature sensor used in thin film technology comprises forming a structured resistance layer on a surface of a substrate, oxidizing the resistance layer and applying a protective layer
DE3843863C2 (en)
EP0016263B1 (en) Thin film resistor having a high temperature coefficient and method of manufacturing the same
EP2043110B1 (en) Sheath wire and sheet resistance
DE19932411A1 (en) Precision electrical temperature sensor

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20000503

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): DE ES FR GB IT

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

17Q First examination report despatched

Effective date: 20011026

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE ES FR GB IT

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REF Corresponds to:

Ref document number: 59805128

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20020912

GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)

Effective date: 20021025

REG Reference to a national code

Ref country code: ES

Ref legal event code: FG2A

Ref document number: 2179534

Country of ref document: ES

Kind code of ref document: T3

ET Fr: translation filed
PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed

Effective date: 20030508

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20050916

Year of fee payment: 8

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20050926

Year of fee payment: 8

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: ES

Payment date: 20050930

Year of fee payment: 8

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20051229

Year of fee payment: 8

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Payment date: 20061031

Year of fee payment: 9

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20070501

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20061002

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

Effective date: 20070629

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20061002

REG Reference to a national code

Ref country code: ES

Ref legal event code: FD2A

Effective date: 20061003

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20061031

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20061003

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20071002