EP0647357A1 - Procede d'encapsulation de pastilles semi-conductrices, dispositif obtenu par ce procede et application a l'interconnexion de pastilles en trois dimensions - Google Patents
Procede d'encapsulation de pastilles semi-conductrices, dispositif obtenu par ce procede et application a l'interconnexion de pastilles en trois dimensionsInfo
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- EP0647357A1 EP0647357A1 EP94913654A EP94913654A EP0647357A1 EP 0647357 A1 EP0647357 A1 EP 0647357A1 EP 94913654 A EP94913654 A EP 94913654A EP 94913654 A EP94913654 A EP 94913654A EP 0647357 A1 EP0647357 A1 EP 0647357A1
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- H01L2924/301—Electrical effects
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Definitions
- the subject of the present invention is a method of encapsulating semiconductor wafers as well as the resulting device, each of the wafers containing for example an electronic component, an integrated circuit or a sensor. It also relates to the application of such encapsulation to the three-dimensional interconnection of these pellets.
- the pellets are stacked after having been provided with connection wires oriented towards the lateral faces of the stack, then they are made integral with one another, for example using a resin; the interconnections of the pellets are then made on the faces of the stack.
- the object of the present invention is to modify this process in particular to make it easier to integrate into a semiconductor factory and to reduce its cost.
- cables are conductors, wires for example, directly on a semiconductor washer carrying a large number of pads; the washer being glued on an elastic film, the washer is sawn to individualize the pellets and then the film is stretched so as to spread the pellets; we then join all the pellets and the wires in an insulating material, polymerizable resin for example, then, after polishing, metallic deposits are produced above the wires so as to connect the latter to the sides of the pellets; the assembly is then cut so as to separate the pellets: we then obtain pellets encapsulated in a coating forming a housing, provided with connections.
- FIG. 1 therefore represents an embodiment of the method according to the invention.
- the first step, marked 10 consists in fixing (for example gluing), on an elastic film, a washer of semiconductor material (also known by the English name of "wafer"), in which a large number of pads (usually in the order of several hundred), each containing an integrated circuit or discrete component; the film is for example a self-adhesive polymer type.
- the second step, marked 11, consists in wiring electrical conductors, wires or ribbons, on each of the connection pads of each of the pads contained in the washer.
- FIG. 2 The result of these operations is illustrated in FIG. 2.
- a semiconductor washer 1 has been shown in which a pad 21 has been identified.
- the washer 1 is mounted on the elastic film, marked 2.
- conductors 23, for example wires are connected vertically using the technique called "bail bonding" and consisting of melting the end of the wire 23 to obtain a small ball 24, facilitating its connection to the pad 22.
- Other techniques can be used, as illustrated for example below in FIG. 7.
- the wires 23 are each cut at a predetermined height, which can for example be 150 to 200 ⁇ m, for a wire diameter of about 25 to 30 ⁇ m, a thickness of washer of the order of 500 ⁇ m and of film 2 of the order of 200 ⁇ m, for example.
- the next step (12, Figure 1) consists in sawing the washer 2 preferably over its entire thickness, so as to individualize the pellets such as 21.
- the next step, marked 13, consists in uniformly stretching the elastic film (2); this has the effect of spreading the pellets (21) from each other and, this, regularly. It should be noted that the step 11 of wiring the wires on the washer (1) can, in an alternative embodiment, be carried out only after this step 13 of stretching the elastic film (2).
- the next step, marked 14 consists of joining the pellets and their connection wires and coating the whole in an electrically insulating material, for example an organic resin, epoxy or polyimide, by a casting or molding technique for example, the the material then being, where appropriate, polymerized.
- an electrically insulating material for example an organic resin, epoxy or polyimide
- the next step, marked 15, consists in polishing the upper face (27, FIG. 3) of the coating material 25, so as to obtain a flat surface on which the sections of the wires 23 are flush.
- the thickness of the coating material 25 depends on that of the washer 1 and of the materials concerned, in particular for thermo-mechanical reasons. For example, for a washer 400 to 500 ⁇ m thick, the material 25 can be approximately 150 ⁇ m.
- the next step (16, Figure 1) is to remove the elastic film 2.
- the rear face of the assembly, marked 28 in FIG. 3, is polished, that is to say the face opposite to face 27 to remove the film 2 and / or to thin the pellets 21 in order to reduce the thickness and size, which can be particularly advantageous in the application described below of stacking the pellets encapsulated in three dimensions.
- the elastic film 2 is not removed, which then makes it possible to isolate and / or protect the rear face 28 of the patch.
- the next step, marked 17, consists in making connections connecting each of the conductors 23 to what will become the lateral face of the pads after separation, these connections being made by metallizations on the upper face 27 above the inter-pad interval .
- FIGS 4a and 4b illustrate this step, seen respectively in section and from above.
- FIG. 4a represents the pellets 21 with their wires 23 embedded in the material 25.
- the upper face 27 of the assembly carries metallizations 30 above the wires 23, metallizations which connect each of the wires 23 to the gap 26 between pads.
- These metallizations can take different forms as illustrated in the top view of FIG. 4b: they can connect a wire 23 to the inter-pad area 26, connect two wires 23 of different pads together or further connect a wire 23 to an area 31, used later for testing the pellets for example.
- connections 30 can be made by any known means, for example depositing a metal layer and subsequent etching of this layer.
- the deposit can be a metallic deposit such as gold, nickel and gold, nickel-copper and gold, copper and gold, carried out for example under vacuum by cathodic sputtering, optionally recharged electrochemically.
- the subsequent engraving may for example be a photoengraving.
- a so-called reverse photoengraving that is to say leaving the metal everywhere except around the conductors, the latter making it possible in addition to produce electromagnetic shielding.
- the last step in the production of the encapsulated pellets (step 18, in FIG. 1) consists in the separation of the pellets. This separation is carried out by cutting the material 25 between the pellets, for example using a diamond saw. Semiconductor wafers are then obtained, each coated on five of their faces in an insulating material forming a housing, the latter being provided with connections (metallizations 30), which can be tested and manipulated.
- step 19, Figure 1 When we want to achieve with pellets thus encapsulated a three-dimensional stack (step 19, Figure 1), we have the boxes in a slide allowing to align two of the side faces of the boxes, thus simplifying the problems of relative positioning of the boxes . Between the housings are arranged layers of adhesive material, such as a polymerizable resin for example. Then the assembly is pressed and optionally it is polymerized, so as to secure it.
- adhesive material such as a polymerizable resin for example
- FIG. 5 where there are the pellets 21 and their coating material 25, separated from each other by an adhesive layer 32.
- the film is used elastic 2, an adhesive material - or made adhesive by an appropriate treatment - which is left in place, thus avoiding the interposition of the layers 32.
- On each of the end faces of the stack there is also a closing layer 42 non-adhesive, which is fixed by means of a layer 32.
- the closure layers 42 can be adhesive on one of their faces, thus avoiding the layer 32.
- the metallizations 30 connect each of the conductors 23 to the edge 35 of the stack.
- the next step (20, FIG. 1) consists in interconnecting the various pellets of the stack and in connecting them, if necessary, to pads, called stack pads, allowing their connection to external circuits. These interconnections are made on the faces of the stack, for example as described in the aforementioned French patent application.
- Figure 5 there is shown by way of example the different connections 30 all connected together using a metallization 33 disposed on the face of the stack and extending (34) for example on one or on both of the end faces of the stack. In the latter case, one of the faces can be used for the test while the other is used for mounting the stack on a printed circuit for example.
- the cooling of the pellets in operation can be improved by the insertion of thermal drains between the housings, possibly connected to a radiator.
- a heat sink 38 metallic layer for example, of copper or nitride aluminum, or even diamond, is placed between each pellet 21 by means of a layer of glue 36.
- the left lateral face of the stack is for example glued, by means of a layer of glue 39, preferably thermally conductive, to a radiator 37, which is thus in thermal contact with the drains 38.
- glue 39 preferably thermally conductive
- step 11 of Figure 1 shows, in sectional view, an alternative embodiment of step 11 of Figure 1, namely the wiring of conductors on the washer.
- the washer 1 mounted on its elastic film 2 and carrying pads 22, on which one wishes to wire conductors 23.
- the upper face of the washer 1 is provided with pieces of substrate of the circuit type printed 39, preferably at least one per patch, the printed circuit 39 being fixed on the washer using for example a layer of glue 40.
- the printed circuit 39 carries at least one metallization 41.
- the conductor 23 is no longer cut but it is curved so as to be moreover connected to the metallization 41 carried by the printed circuit 39.
- the conductor 23 can be connected vertically to the pad 22 as shown in the preceding figures or as shown in FIG. 7, connected horizontally as in metallization 41.
- the method described above, as well as the devices obtained, have a certain number of advantages among which the fact that it is possible to process a large number of pellets simultaneously (all those which belong to the same washer) and, this , with techniques known in the semiconductor industry, easily integrated into a production line for semiconductor circuits, which considerably reduces the cost of the encapsulated chip and which makes it possible, by the techniques used, to obtain very small dimensions, in particular by the coating material, which can typically represent an increase in the area (of the pellet) of less than 1%.
- the encapsulation mode is well suited to a "three-dimensional" stack, which can be carried out collectively and simply, with the cost advantages which result therefrom.
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Abstract
Selon le procédé de l'invention, on câble des fils conducteurs directement sur une rondelle semi-conductrice portant un grand nombre de pastilles, on colle la rondelle sur un film élastique, on scie la rondelle pour individualiser les pastilles puis on étire le film de sorte à écarter les pastilles; on solidarise ensuite l'ensemble des pastilles et des fils dans un matériau isolant, résine polymérisable par exemple, puis, après polissage, on réalise des dépôts métalliques au-dessus des fils de sorte à relier ceux-ci aux côtés des pastilles; on découpe ensuite l'ensemble de façon à séparer les pastilles.
Description
PROCEDE D'ENCAPSULATION DE PASTILLES SEMI-CONDUCTRICES, DISPOSITIF OBTENU PAR CE PROCEDE ET APPLICATION A L'INTERCONNEXION DE PASTILLES EN TROIS DIMENSIONS
La présente invention a pour objet un procédé d'encapsulation de pastilles semi-conductrices ainsi que le dispositif en résultant, chacune des pastilles contenant par exemple un composant électronique, un circuit intégré ou un capteur. Elle a également pour objet l'application d'une telle encapsulation à l'interconnexion en trois dimensions de ces pastilles.
La réalisation des systèmes électroniques actuels, tant civils que militaires, doit tenir compte d'exigences de plus en plus grandes de compacité, du fait du nombre de plus en plus élevé de circuits mis en oeuvre.
En ce sens, il a déjà été proposé de réaliser des empilements de circuits intégrés dits "trois dimensions", comme par exemple décrit dans la demande de brevet français n° 2.670.323 au nom de THOMSON-CSF. Selon cette réalisation, les pastilles sont empilées après avoir été munies de fils de connexion orientés vers les faces latérales de l'empilement, puis elles sont rendues solidaires les unes des autres, à l'aide par exemple d'une résine ; les interconnexions des pastilles sont ensuite réalisées sur les faces de l'empilement.
La présente invention a pour but de modifier ce processus notamment pour en rendre la réalisation plus facilement intégrable dans une usine de semi-conducteurs et en diminuer le coût.
Plus précisément, selon le procédé de l'invention, on câble des conducteurs, fils par exemple, directement sur une rondelle semi- conductrice portant un grand nombre de pastilles ; la rondelle étant collée sur un film élastique, on scie la rondelle pour individualiser les pastilles puis on étire le film de sorte à écarter les pastilles ; on solidarise ensuite
l'ensemble des pastilles et des fils dans un matériau isolant, résine polymérisable par exemple, puis, après polissage, on réalise des dépôts métalliques au-dessus des fils de sorte à relier ceux-ci aux côtés des pastilles ; on découpe ensuite l'ensemble de façon à séparer les pastilles : on obtient alors des pastilles encapsulées dans un enrobage formant boîtier, muni de connexions. Pour une application "trois dimensions", on procède à l'empilement des boîtiers précédents, ceux-ci étant simplement collés entre eux à l'aide d'un intercalaire disposé entre chaque pastille et la suivante, puis les interconnexions sont réalisées sur les faces latérales de l'empilement ainsi obtenu, par exemple comme décrit dans la demande de brevet précitée.
D'autres objets, particularités et résultats de l'invention ressortiront de la description suivante, donnée à titre d'exemple et illustrée par les dessins annexés, qui représentent :
- la figure 1 , un mode de réalisation du procédé selon l'invention ;
- les figures 2 à 4a et 5, différents schémas vus en coupe, illustrant différentes étapes du procédé selon l'invention ;
- la figure 4b, une vue de dessus du schéma de la figure 4a ; - les figures 6 et 7, des vues en coupe schématiques de variantes de l'invention.
Sur ces différentes figures, les mêmes références se rapportent aux mêmes éléments. D'autre part, pour la clarté des dessins, l'échelle réelle n'a pas été respectée.
La figure 1 représente donc un mode de réalisation du procédé selon l'invention.
La première étape, repérée 10, consiste à fixer (par exemple coller), sur un film élastique, une rondelle de matériau semi-conducteur (également connue sous le nom anglais de "wafer"), dans laquelle on a réalisé un grand nombre de pastilles (couramment de l'ordre de plusieurs centaines), contenant chacune un circuit intégré ou composant discret ; le film est par exemple un auto-adhésif de type polymère.
La deuxième étape, repérée 11 , consiste à câbler des conducteurs électriques, fils ou rubans, sur chacun des plots de connexion de chacune des pastilles contenues dans la rondelle.
Le résultat de ces opérations est illustré sur la figure 2. Sur cette dernière figure, on a représenté une rondelle semi- conductrice 1 dans laquelle on a identifié une pastille 21. La rondelle 1 est montée sur le film élastique , repéré 2. Sur chacun des plots, repérés 22, de la rondelle 1 sont connectés des conducteurs 23, par exemple des fils. Ceux-ci peuvent être connectés verticalement à l'aide de la technique dite "bail bonding" et consistant à faire fondre l'extrémité du fil 23 pour obtenir une petite boule 24, facilitant sa connexion sur le plot 22. D'autres techniques peuvent être employées, comme illustré par exemple ci-après figure 7. Après leur fixation, les fils 23 sont coupés chacun à une hauteur prédéterminée, qui peut être par exemple de 150 à 200 μm, pour un diamètre de fil d'environ 25 à 30 μm, une épaisseur de rondelle de l'ordre de 500 μm et de film 2 de l'ordre de 200 μm, par exemple.
L'étape suivante (12, figure 1 ) consiste à scier la rondelle 2 de préférence sur toute son épaisseur, de sorte à individualiser les pastilles telles que 21.
L'étape suivante, repérée 13, consiste à étirer uniformément le film élastique (2) ; cela a pour effet d'écarter les pastilles (21 ) les unes des autres et, ce, de façon régulière. II est à noter que l'étape 11 de câblage des fils sur la rondelle (1 ) peut être, dans une variante de réalisation, effectuée seulement après cette étape 13 d'étirement du film élastique (2).
L'étape suivante, repérée 14, consiste à solidariser les pastilles et leurs fils de connexion et enrober le tout dans un matériau électriquement isolant, par exemple une résine organique, époxy ou polyimide, par une technique de coulage ou de moulage par exemple, le matériau étant ensuite, le cas échéant, polymérisé.
Le résultat de cette étape est illustré sur la figure 3.
Sur cette figure, on retrouve le film 2 portant des pastilles 21 , maintenant individualisées et séparées les unes des autres. Les pastilles 21 et leurs conducteurs 23 sont noyés dans un matériau isolant 25, qui pénètre également dans les intervalles 26 entre pastilles.
L'étape suivante, repérée 15, consiste à polir la face supérieure (27, figure 3) du matériau d'enrobage 25, de sorte à obtenir une surface plane sur laquelle les sections des fils 23 affleurent.
L'épaisseur du matériau d'enrobage 25 dépend de celle de la rondelle 1 et des matériaux concernés, notamment pour des raisons thermo- mécaniques. A titre d'exemple, pour une rondelle de 400 à 500 μm d'épaisseur, le matériau 25 peut faire environ 150 μm.
L'étape suivante (16, figure 1 ) consiste à supprimer le film élastique 2.
Cette suppression peut être réalisée par exemple par décollage du film. Dans une variante de réalisation, on procède à un polissage de la face arrière de l'ensemble, repéré 28 sur la figure 3, c'est-à-dire la face opposée à la face 27 pour supprimer le film 2 et/ou amincir les pastilles 21 dans le but d'en réduire l'épaisseur et l'encombrement, ce qui peut être particulièrement avantageux dans l'application décrite ci-après d'empilement des pastilles encapsulées en trois dimensions.
Dans une variante de réalisation, on ne supprime pas le film élastique 2 qui permet alors d'isoler et/ou de protéger la face arrière 28 de la pastille.
L'étape suivante, repérée 17, consiste à réaliser des connexions reliant chacun des conducteurs 23 à ce qui deviendra la face latérale des pastilles après séparation, ces connexions étant réalisées par métallisations sur la face supérieure 27 au dessus de l'intervalle inter-pastilles.
Les figures 4a et 4b illustrent cette étape, vue respectivement en coupe et de dessus.
La figure 4a représente les pastilles 21 avec leurs fils 23 noyés dans le matériau 25. La face supérieure 27 de l'ensemble porte des métallisations
30 au-dessus des fils 23, métallisations qui relient chacun des fils 23 à l'intervalle 26 entre pastilles.
Ces métallisations peuvent affecter différentes formes comme illustré sur la vue de dessus de la figure 4b : elles peuvent relier un fil 23 à la zone inter-pastille 26, relier ensemble deux fils 23 de pastilles différentes ou relier en outre un fil 23 à une zone 31 , utilisée ultérieurement pour le test des pastilles par exemple.
La réalisation des connexions 30 peut être faite par tout moyen connu, par exemple dépôt d'une couche métallique et gravure ultérieure de cette couche. Le dépôt peut être un dépôt métallique tel que or, nickel et or, nickel-cuivre et or, cuivre et or, effectué par exemple sous vide par pulvérisation cathodique, éventuellement rechargé par voie électrochimique.
La gravure ultérieure peut être par exemple une photogravure. Dans une variante, on peut utiliser une photogravure dite inverse, c'est-à-dire laissant le métal partout sauf autour des conducteurs, celle-ci permettant de réaliser en outre un blindage électromagnétique.
La dernière étape de la réalisation des pastilles encapsulées (étape 18, sur la figure 1 ) consiste en la séparation des pastilles. Cette séparation est réalisée par découpe du matériau 25 entre les pastilles, par exemple à l'aide d'une scie diamantée. On obtient alors des pastilles semi-conductrices enrobées chacune sur cinq de leurs faces dans un matériau isolant formant boîtier, ce dernier étant muni de connexions (métallisations 30), testable et manipulable.
Lorsqu'on veut réaliser avec des pastilles ainsi encapsulées un empilement en trois dimensions (étape 19, figure 1 ), on dispose les boîtiers dans une glissière permettant d'aligner deux des faces latérales des boîtiers, simplifiant ainsi les problèmes de positionnement relatif des boîtiers. Entre les boîtiers sont disposées des couches de matériau adhésif, tel qu'une résine polymérisable par exemple. On presse ensuite l'ensemble et éventuellement on le polyméhse, de sorte à le solidariser.
Ceci est illustré sur la figure 5 où on retrouve les pastilles 21 et leur matériau d'enrobage 25, séparés les uns des autres par une couche adhésive 32. Dans une variante de réalisation, on utilise, pour le film
élastique 2, un matériau adhésif -ou rendu adhésif par un traitement approprié- qu'on laisse en place, évitant ainsi l'interposition des couches 32. Sur chacune des faces extrêmes de l'empilement, on dispose en outre une couche de fermeture 42 non adhésive, qui est fixée par l'intermédiaire d'une couche 32. Dans une variante de réalisation (non représentée), les couches de fermeture 42 peuvent être adhésives sur l'une de leurs faces, évitant ainsi la couche 32. Les métallisations 30 relient chacun des conducteurs 23 vers la tranche 35 de l'empilement.
L'étape suivante (20, figure 1 ) consiste à interconnecter entre elles les différentes pastilles de l'empilement et à les relier, le cas échéant, à des plots, dits plots d'empilement, permettant leur connexion à des circuits extérieurs. Ces interconnexions sont réalisées sur les faces de l'empilement, par exemple comme décrit dans la demande de brevet français précitée. Sur la figure 5, on a représenté à titre d'exemple les différentes connexions 30 toutes reliées entre elles à l'aide d'une métallisation 33 disposée sur la face de l'empilement et se prolongeant (34) par exemple sur l'une ou sur les deux des faces extrêmes de l'empilement. Dans ce dernier cas, l'une des faces peut être utilisée pour le test alors que l'autre est utilisée pour le montage de l'empilement sur un circuit imprimé par exemple.
Dans une autre variante de réalisation (non représentée), on peut réaliser en même temps plusieurs empilements, ceux-ci étant éventuellement séparés les uns des autres en outre par un intercalaire non adhésif. Les interconnexions des pastilles par les faces latérales de l'empilement peuvent alors être réalisées de façon collective, simultanément pour tous les empilements.
Dans une autre variante de réalisation, on peut améliorer le refroidissement des pastilles en fonctionnement par l'insertion de drains thermiques entre les boîtiers, reliés éventuellement à un radiateur.
Dans l'exemple représenté sur la figure 6, on retrouve les pastilles
21 , leurs conducteurs 23 et le matériau d'enrobage 25. Les connexions 30 liant les fils 23 à l'une des faces latérales de la pastille sont dirigées de sorte à dégager l'une de ces faces, par exemple la face gauche sur la figure. Un drain thermique 38, couche métallique par exemple, en cuivre ou nitrure
d'aluminium, ou encore en diamant, est disposé entre chaque pastille 21 par l'intermédiaire d'une couche de colle 36. La face latérale gauche de l'empilement est par exemple collée, par l'intermédiaire d'une couche de colle 39, de préférence thermiquement conductrice, à un radiateur 37, lequel se trouve ainsi en contact thermique avec les drains 38. Pour la clarté du schéma, les couches de colle 36 n'ont pas été hachurées bien que vues en coupe.
La figure 7 représente, vue en coupe, une variante de réalisation de l'étape 11 de la figure 1 , à savoir le câblage de conducteurs sur la rondelle.
Sur cette figure, on retrouve la rondelle 1 montée sur son film élastique 2 et portant des plots 22, sur lesquels on souhaite câbler des conducteurs 23. Selon cette variante, on munit la face supérieure de la rondelle 1 de morceaux de substrat du type circuit imprimé 39, de préférence au moins un par pastille, le circuit imprimé 39 étant fixé sur la rondelle à l'aide par exemple d'une couche de colle 40. Le circuit imprimé 39 porte au moins une métallisation 41. Selon cette variante, le conducteur 23 n'est plus coupé mais il est courbé de sorte à être connecté de plus à la métallisation 41 portée par le circuit imprimé 39. En outre, le conducteur 23 peut être connecté verticalement sur le plot 22 comme représenté sur les figures précédentes ou bien comme représenté sur la figure 7, connecté horizontalement comme sur la métallisation 41.
Toutes les opérations ultérieures du procédé selon l'invention se déroulent de la même manière, le conducteur 23 étant coupé lors du polissage du matériau d'enrobage (étape 15) de sorte à venir affleurer comme précédemment sur la face supérieure de la pastille.
Le procédé décrit ci-dessus, ainsi que les dispositifs obtenus, présentent un certain nombre d'avantages parmi lesquels le fait qu'il est possible de traiter un grand nombre de pastilles simultanément (toutes celles qui appartiennent à une même rondelle) et, ce, avec des techniques connues dans l'industrie des semi-conducteurs, facilement intégrables dans une chaîne de production de circuits semi-conducteurs, ce qui diminue considérablement le coût de la pastille encapsulée et qui permet, de par les techniques utilisées, d'obtenir des dimensions très réduites, notamment par
le matériau d'enrobage, qui peut représenter typiquement un accroissement de l'aire (de la pastille) de moins de 1 %. En outre, le mode d'encapsulation est bien adapté à un empilement "trois dimensions", réalisable collectivement et simplement, avec les avantages de coût qui en découlent.
Claims
1. Procédé d'encapsulation de pastilles semi-conductrices, caractérisé par le fait qu'il comporte les étapes suivantes : - câblage de conducteurs (23) sur les plots de connexion (22) des pastilles (21 ), celles-ci étant contenues dans une même rondelle (1 ) de matériau semi-conducteur ;
- sciage de la rondelle pour individualiser les pastilles, la rondelle étant fixée sur un film élastique (2) ; - étirement du film élastique de sorte à séparer les pastilles ;
- solidarisation et enrobage des conducteurs et pastilles à l'aide d'un matériau (25) électriquement isolant ;
- polissage du matériau d'enrobage de sorte à faire affleurer les conducteurs ; - réalisation sur le matériau d'enrobage de connexions (30) reliant les conducteurs aux côtés des pastilles ;
- séparation des pastilles.
2. Procédé selon la revendication 1 , caractérisé par le fait que le matériau d'enrobage (25) est une résine polymérisable.
3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait qu'il comporte en outre, après l'étape de polissage, une étape de suppression du film élastique (2).
4. Pastille semi-conductrice (21 ) comportant des plots de connexion (22), caractérisée par le fait qu'elle comporte des conducteurs (23) connectés sur ses plots, que la pastille et ses conducteurs sont enrobés d'un matériau isolant (25), de telle sorte que les conducteurs affleurent la surface (27) du matériau isolant, et qu'elle comporte en outre sur cette dernière surface des connexions électriques (30) reliant les conducteurs aux côtés de la pastille.
5. Pastille selon la revendication 4, caractérisée par le fait que chacun des conducteurs (23) est formé par un fil ou un ruban.
6. Procédé d'interconnexion de pastilles obtenues par le procédé selon la revendication 1 , caractérisé par le fait qu'il comporte en outre les étapes suivantes : - empilement des pastilles séparées et solidarisation de l'empilement ;
- réalisation de l'interconnexion des connexions des pastilles sur les faces de l'empilement.
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé par le fait que l'empilement des pastilles séparées est réalisé en disposant entre les pastilles une couche d'un matériau susceptible de les faire adhérer l'une à l'autre.
8. Dispositif comportant des pastilles selon la revendication 4, caractérisé par le fait que les pastilles (21 ) sont empilées et séparées par une couche (2, 32) d'un matériau assurant leur adhérence mutuelle et qu'il comporte en outre des interconnexions (33) portées par les faces de l'empilement, interconnectant les connexions (30) des pastilles.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9304962A FR2704690B1 (fr) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Procédé d'encapsulation de pastilles semi-conductrices, dispositif obtenu par ce procédé et application à l'interconnexion de pastilles en trois dimensions. |
FR9304962 | 1993-04-27 | ||
PCT/FR1994/000427 WO1994025987A1 (fr) | 1993-04-27 | 1994-04-15 | Procede d'encapsulation de pastilles semi-conductrices, dispositif obtenu par ce procede et application a l'interconnexion de pastilles en trois dimensions |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EP0647357A1 true EP0647357A1 (fr) | 1995-04-12 |
Family
ID=9446488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EP94913654A Withdrawn EP0647357A1 (fr) | 1993-04-27 | 1994-04-15 | Procede d'encapsulation de pastilles semi-conductrices, dispositif obtenu par ce procede et application a l'interconnexion de pastilles en trois dimensions |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0647357A1 (fr) |
JP (1) | JPH07509104A (fr) |
FR (1) | FR2704690B1 (fr) |
WO (1) | WO1994025987A1 (fr) |
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