EP0031095B1 - Verfahren zum Herstellen einer Doppelschicht mit Hetero-Übergang für die Speicherelektrode einer Bildaufnahmevorrichtung - Google Patents
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Definitions
- a transparent, conductive layer made of a tin oxide evaporate a layer of n-type cadmium selenide.
- the hetero-barrier layer does mean the transition from a further layer applied to one or two layers in turn applied to this layer.
- the present invention has for its object to provide a method with which the homogeneous structure of the photoconductor layer is achieved.
- the powdery evaporation material is first sintered together by the heat treatment, and gas inclusions are removed.
- the glass additive melts. Both have the effect that the tendency of the vaporization material to spray is greatly reduced.
- the evaporation material can be evaporated to form a homogeneous layer on the first layer.
- the metallic cadmium produced during the heat treatment by decomposition of the cadmium selenide or cadmium sulfoselenide must be kept away from the first layer, because this would reduce the blocking ability of the subsequent heterojunction. This can be done by setting the temperature during the heat treatment the upper limit of max. Does not exceed 850 ° C.
- the heat treatment can also be carried out in a separate system, although the vaporization material between the heat treatment and evaporation must not be exposed to a gas atmosphere.
- the heat treatment is preferably carried out at 800.degree. Sintering is thereby achieved without metallic cadmium being produced in an impermissible amount.
- the addition to the material to be evaporated is between 0.1 and 1 percent by weight.
- the evaporation rate is in the range between 0.1 and 1 nm / s, preferably 0.5 nm / s.
- the first layer preferably consists of a tin oxide (S n O x with x ⁇ 2) which is doped with antimony.
- the double layer produced by the method according to the invention is part of the barrier layer photoconductor target of an image pickup tube.
- the first layer preferably has a thickness in the range from 50 to 200 nm, in particular 100 nm; the second layer has a thickness range between 1.5 and 2.5 pm, in particular 2 pm.
- a double layer produced in accordance with the invention is not only applicable to an image pick-up tube, but is also generally applicable as part of the conversion system of an image pick-up device, e.g. an optical image converter, which consists of a photoconductor system and a liquid crystal layer as a light modulator.
- an optical image converter which consists of a photoconductor system and a liquid crystal layer as a light modulator.
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Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Doppelschicht mit Hetero-Übergang für die Speicherelektrode einer Bildaufnahmevorrichtung mit den Merkmalen:
- a) eine erste Schicht besteht aus einem transparenten Halbleitermaterial mit n+-Leitfähigkeit und dient als elektrisch leitende Signalelektrode;
- b) eine zweite Schicht besteht aus fotoleitendem Cadmiumselenid oder Cadmiumsulfoselenid mit n-Leitfähigkeit;
- c) die zweite Schicht entsteht durch Aufdampfen auf die erste Schicht.
- Beispielsweise zum Zweck der Herstellung eines sog. Hetero-Sperrschicht-Targets für eine Bildaufnahmeröhre ist aus der Zeitschrift «Fernseh- und Kinotechnik» 32. Jahrgang, Nr. 9/1978, S. 341 bis 348, insbesondere S. 348, bekannt, auf eine transparente, leitfähige Schicht aus einem Zinnoxid eine Schicht aus n-leitendem Cadmiumselenid aufzudampfen. Zwar ist mit der Hetero-Sperrschicht der Übergang von einer weiteren aufgebrachten Schicht zu einer oder zwei ihrerseits auf diese Schicht aufgebrachten Schichten gemeint. Es besteht aber zwischen einer n+- leitenden Zinnoxidschicht als Signalelektrode und einer darauf aufgedampften n-leitenden Halbleiterschicht aus anderem Material ebenfalls ein Hetero-Übergang. Ein solcher Übergang ist notwendig, um die Injektion von Defektelektronen aus der Signalelektrode in die Fotoleiterschicht oder, was gleichbedeutend ist, einen Elektronenstrom in der entgegengesetzten Richtung zu verhindern. Beides hätte einen unerwünschten temperaturabhängigen Dunkelstrom, d.h. ein elektrisches Signal ohne Lichteinfall zur Folge. Durch den Hetero-Übergang in Verbindung mit der genannten Hetero-Sperrschicht bei einem kompletten Target einer Bildaufnahmeröhre können der Dunkelstrom und seine Temperaturabhängigkeit sehr gering gehalten werden.
- Damit eine Bildaufnahmevorrichtung keine Bildfehler in Form weisser Flecke aufweist, ist eine homogene Struktur der Fotoleiterschicht erforderlich.
- Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem die homogene Struktur der Fotoleiterschicht erreicht wird.
- Zur Lösung dieser Aufgabe werden bei einem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäss folgende Merkmale vorgeschlagen:
- d) der Aufdampfprozess erfolgt bei einer Temperatur zwischen 700 und 750°C,
- e) das aufzudampfende Material für die zweite Schicht enthält mindestens einen Zusatz von im wesentlichen aus Boroxid bestehendem Glas,
- f) die aufgedampfte zweite Schicht wird durch Wärmebehandlung bei einer Temperatur zwischen 750 und 850°C im Vakuum gesintert.
- Bei einem solchen Verfahren sintert zunächst durch die Wärmebehandlung das pulverförmige Verdampfungsmaterial zusammen, und Gaseinschlüsse werden beseitigt. Der Glaszusatz schmilzt. Beides bewirkt, dass die Neigung des Verdampfungsmaterials zum Spritzen stark reduziert wird. Dadurch kann das Verdampfungsmaterial zu einer homogenen Schicht auf die erste Schicht aufgedampft werden. Das bei der Wärmebehandlung durch Zersetzung des Cadmiumselenids bzw. Cadmiumsulfoselenids entstehende metallische Cadmium muss von der ersten Schicht ferngehalten werden, weil dies die Sperrfähigkeit des späteren Hetero-Übergangs verringern würde. Das kann dadurch geschehen, dass man die Temperatur bei der Wärmebehandlung die Obergrenze von max. 850°C nicht überschreiten lässt. Man kann ferner die Wärmebehandlung in einem getrennten System vornehmen, wobei allerdings das Verdampfungsmaterial zwischen Wärmebehandlung und Verdampfung keiner Gasatmosphäre ausgesetzt werden darf.
- Vorzugsweise nimmt man die Wärmebehandlung bei 800°C vor. Man erreicht dadurch die Sinterung, ohne dass metallisches Cadmium in unzulässiger Menge entsteht.
- Weiter ist vorteilhaft, wenn der Zusatz zu dem zu verdampfenden Material zwischen 0,1 und 1 Gewichtsprozent beträgt.
- Nach einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird vorgeschlagen, dass dafür gesorgt wird, dass die zu bedampfende Oberfläche der ersten Schicht vor dem Aufdampfen frei ist von oxidierenden Stoffen. Damit wird verhindert, dass die Leitfähigkeit der ersten Schicht verändert und damit die Sperrfähigkeit des Hetero-Übergangs beeinträchtigt werden.
- Günstig ist für ein homogenes Aufdampfen, wenn sich beim Aufdampfen die erste Schicht und der Behälter mit dem zu verdampfenden Material insbesondere durch Umwege nicht direkt gegenüberstehen.
- Weiter ist vorteilhaft, wenn die Aufdampfrate im Bereich zwischen 0,1 und 1 nm/s, vorzugsweise bei 0,5 nm/s, liegt.
- Vorzugsweise besteht die erste Schicht aus einem Zinnoxid (SnOx mit x<2), das mit Antimon dotiert ist.
- Insbesondere ist die nach dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellte Doppelschicht Teil des Sperrschicht-Fotoleiter-Targets einer Bildaufnahmeröhre.
- Für eine solche Anwendung hat die erste Schicht vorzugsweise eine Dicke im Bereich von 50 bis 200 nm, insbesondere 100 nm; die zweite Schicht einen Dickenbereich zwischen 1,5 und 2,5 pm, insbesondere 2 pm.
- Eine erfindungsgemäss hergestellte Doppelschicht ist nicht nur für eine Bildaufnahmeröhre sondern allgemein anwendbar als Teil des Umsetzsystems einer Bildaufnahmevorrichtung z.B. eines optischen Bildwandlers, der aus einem Fotoleitersystem und einer Flüssigkristallschicht als Lichtmodulator besteht.
Claims (7)
1. Verfahren zum Herstellen einer Doppelschicht mit Hetero-Übergang für die Speicherelektrode einer Bildaufnahmevorrichtung mit den Merkmalen:
a) eine erste Schicht besteht aus einem transparenten Halbleitermaterial mit n+-Leitfähigkeit und dient als elektrisch leitende Signalelektrode;
b) eine zweite Schicht besteht aus fotoleitendem Cadmiumselenid oder Cadmiumsulfoselenid mit n-Leitfähigkeit;
c) die zweite Schicht entsteht durch Aufdampfen auf die erste Schicht;
gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
d) der Aufdampfprozess erfolgt bei einer Temperatur zwischen 700 und 750 °C,
e) das aufzudampfende Material für die zweite Schicht enthält mindestens einen Zusatz von im wesentlichen aus Boroxid bestehendem Glas,
f) die aufgedampfte zweite Schicht wird durch Wärmebehandlung bei einer Temperatur zwischen 750 und 850°C im Vakuum gesintert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 800°C erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zusatz zu dem zu verdampfenden Material zwischen 0,1 und 1 Gewichtsprozent beträgt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dafür gesorgt wird, dass die zu bedampfende Oberfläche der ersten Schicht vor dem Aufdampfen frei ist von oxidierenden Stoffen.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich beim Aufdampfen die erste Schicht und der Behälter mit dem zu verdampfenden Material insbesondere durch Umwege nicht direkt gegenüberstehen.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufdampfrate im Bereich zwischen 0,1 und 1 nm/s, vorzugsweise bei 0,5 nm/s, liegt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht aus einem Zinnoxid (SnOx mit x< 2) besteht, das mit Antimon dotiert ist.
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