EA026592B1

EA026592B1 - Способ получения основы с покрытием

Info

Publication number: EA026592B1
Application number: EA201491883A
Authority: EA
Inventors: Эмманюэль Мимун; Маттье Билен
Original assignee: Сэн-Гобэн Гласс Франс
Priority date: 2012-04-17
Filing date: 2013-04-15
Publication date: 2017-04-28
Also published as: JP6204454B2; EP2839054B1; WO2013156721A1; US20150072084A1; FR2989388B1; PL2839054T3; MX361118B; FR2989388A1; HUE034459T2; CN104204287B; MX2014012341A; CA2868453A1; US10597774B2; EP2839054A1; JP2015523459A; KR102108955B1; CA2868453C; AU2013250938A1; BR112014024247B1; IN2014DN08298A

Abstract

Объектом изобретения является способ получения основы, снабженной по меньшей мере на части по меньшей мере одной из ее сторон покрытием, включающий в себя этап осаждения упомянутого покрытия на упомянутую основу, затем этап термообработки упомянутого покрытия импульсным или непрерывным лазерным излучением, сфокусированным на упомянутом покрытии в виде по меньшей мере одной лазерной линии, при длине волны излучения в интервале от 400 до 1500 нм, причем упомянутая термообработка такова, что осуществляется относительное перемещение между основой и упомянутой одной или каждой лазерной линией со скоростью перемещения по меньшей мере 3 м/мин, причем упомянутая одна или каждая лазерная линия имеет параметр качества пучка (ВРР) не более 3 мм∙мрад и линейную мощность, измеренную в месте, где упомянутая одна или каждая лазерная линия сфокусирована на упомянутом покрытии, деленную на корень квадратный из коэффициента заполнения импульса, по меньшей мере 200 Вт/см, длину по меньшей мере 20 мм и распределение по ширине вдоль упомянутой одной или каждой линии так, что средняя ширина составляет по меньшей мере 30 мкм, и разница между наибольшей шириной и наименьшей шириной не превышает 15% от среднего значения ширины.

Description

Изобретение относится к термической обработке основ, снабженных покрытием, с помощью лазерного излучения.

Предшествующий уровень техники

В области микроэлектроники известна термообработка осажденных на основу покрытий (например, кремниевых) с помощью фокусированных лазерных лучей, обычно эксимерных лазеров, излучающих в ультрафиолете. Эти способы обычно применяются, чтобы получить поликристаллический кремний из аморфного кремния путем локального расплавления кремния и его рекристаллизации охлаждением. Традиционно, отличная плоскостность подложек, используемых в микроэлектронике, их малый размер и типичная производственная среда в промышленности этого типа позволяют очень точно позиционировать основу относительно фокуса лазера для однородной и оптимальной обработки всей подложки. Низкие скорости обработки позволяют использовать для перемещения подложек столообразные системы на воздушной подушке. При необходимости системы, позволяющие регулировать положение подложки относительно фокуса лазера, могут устранить возможные дефекты плоскостности или наличие низкочастотных колебаний. Системы регулирования совместимы с используемыми низкими скоростями обработки.

В настоящее время лазерная обработка применяется для термообработки покрытий на стекле или органической полимерной основе для различных промышленных применений, в качестве примеров можно назвать получение самоочищающихся оконных стекол, содержащих покрытия на основе ΤίΟ₂, получение низкоэмиссионных остеклений, содержащих основу, покрытую многослойной системой, включающей по меньшей мере один слой серебра, как описано в заявке ^02010/142926, или получение подложек большого размера для фотоэлементов, содержащих проводящие и прозрачные тонкие слои (ТСО), как описано в заявке ^02010/139908.

Промышленный и экономический контекст здесь совершенно другой. Типично, основы, которые требуется обработать, могут представлять собой стеклянные листы очень большого размера с площадью поверхности порядка 6-3 м², поэтому их плоскостность невозможно точно контролировать (например, с точностью менее ±1 мм), перемещаемые с большой скоростью (иногда порядка 10 м/мин или больше) на промышленных конвейерах на выходе устройств нанесения покрытий (например, катодным напылением), то есть в производственной среде, создающей колебания, которые могут быть значительными. Поэтому положение каждой точки обрабатываемого покрытия относительно фокальной плоскости лазера может сильно колебаться, что приводит к существенной неоднородности обработки. Высокие скорости перемещения основ могут сделать чрезвычайно сложным и даже невозможным размещение механических систем регулирования положения основы.

Таким образом, существует потребность в способе лазерной обработки, позволяющем проводить обработку в сложной производственной среде экономично, однородно и при высокой скорости основ, имеющих дефекты плоскостности.

Краткое изложение сущности изобретения

С этой целью объектом изобретения является способ получения основы, снабженной по меньшей мере на части по меньшей мере одной из ее сторон покрытием, включающий в себя этап осаждения упомянутого покрытия на упомянутую основу, затем этап термообработки упомянутого покрытия импульсным или непрерывным лазерным излучением, сфокусированным на упомянутом покрытии в виде по меньшей мере одной лазерной линии, при длине волны излучения в интервале от 400 до 1500 нм, причем упомянутая термообработка такова, что осуществляется относительное перемещение между основой и упомянутой одной или каждой лазерной линией со скоростью перемещения по меньшей мере 3 м/мин, причем упомянутая одна или каждая лазерная линия имеет параметр качества пучка (ВРР) не более 3 мм-мрад и линейную мощность, измеренную в месте, где упомянутая одна или каждая лазерная линия сфокусирована на упомянутом покрытии, деленную на корень квадратный коэффициента заполнения импульса, по меньшей мере 200 Вт/см, длину по меньшей мере 20 мм и распределение по ширине вдоль упомянутой одной или каждой линии так, что средняя ширина составляет по меньшей мере 30 мкм, разница между наибольшей шириной и наименьшей шириной не превышает 15% от среднего значения ширины.

Объектом изобретения является также устройство термообработки нанесенного на основу покрытия с помощью импульсного или непрерывного лазерного излучения, длина волны которого лежит в интервале от 400 до 1500 нм, сфокусированного на упомянутом покрытии в виде по меньшей мере одной линии, содержащее один или несколько лазерных источников, а также оптические схемы для формообразования и перенаправления, способные генерировать по меньшей мере одну лазерную линию, которая в режиме работы способна иметь параметр качества лазерного пучка (ВРР) не более 3 мм-мрад и линейную мощность, измеренную в месте, где упомянутая одна или каждая лазерная линия сфокусирована на упомянутом покрытии, деленную на корень квадратный из коэффициента заполнения импульса, по меньшей мере 200 Вт/см, длину по меньшей мере 20 мм и распределение по ширине вдоль упомянутой одной или каж- 1 026592 дой линии так, что средняя ширина составляет по меньшей мере 30 мкм, разница между наибольшей шириной и наименьшей шириной не превышает 15% от среднего значения ширины, и средства перемещения, способные создавать при работе относительное перемещение между основой и упомянутой одной или каждой лазерной линией со скоростью перемещения по меньшей мере 3 м/мин.

Авторам изобретения удалось установить, что надлежащий выбор сочетания длины волны, параметра качества лазерного пучка, линейной мощности и ширины лазерной линии позволяет обрабатывать основы однородно, допуская значительные изменения расстояния от фокуса лазера. Под однородной обработкой понимается такая обработка, при которой температура, достигаемая в каждой точке во время обработки, отклоняется не более чем на 15%, в частности 10%, даже не более чем на 5% от целевой температуры. Таким образом, полученные свойства (удельное сопротивление, коэффициент излучения, фотокаталитическая активность, внешний вид в отраженном или поглощенном свете, в зависимости от типа обрабатываемых слоев) являются поразительно однородными на всей поверхности основы. Благодаря вышеупомянутому выбору, ширина упомянутой одной или каждой лазерной линии и/или температура, достигаемая покрытием, меняются предпочтительно не более чем на 10%, когда расстояние от покрытия до фокальной плоскости лазера меняется на ±1 мм.

Предпочтительно основа, которая обычно расположена, по существу, горизонтально, перемещается на конвейере относительно упомянутой одной или каждой лазерной линии, причем упомянутая одна или каждая лазерная линия является неподвижной и расположена, по существу, перпендикулярно направлению перемещения. Упомянутая одна или каждая лазерная линия может располагаться выше и/или ниже основы.

Разумеется, возможны и другие варианты осуществления. Например, основа может быть неподвижной, а упомянутая одна или каждая лазерная линия перемещается относительно основы, в частности, с помощью подвижной рамы. Упомянутая одна или каждая лазерная линия может также располагаться не перпендикулярно направлению перемещения, а вкось, под любым возможным углом. Основа также может перемещаться не в горизонтальной, а в вертикальной плоскости или в любой другой возможной ориентации.

Лазерное излучение предпочтительно генерируется модулями, содержащими один или несколько лазерных источников, а также оптические схемы формообразования и перенаправления.

Лазерные источники обычно являются диодными лазерами или волоконными лазерами. Диодные лазеры позволяют без больших затрат достичь высоких плотностей мощности по сравнению с мощностью электропитания при низких габаритных размерах. Размеры волоконных лазеров еще меньше, и можно получить еще большую линейную мощность, однако при более высоких затратах.

Излучение, испускаемое лазерными источниками, может быть непрерывным или импульсным, предпочтительно непрерывным. Принято определять коэффициент заполнения импульса как отношение длительности лазерного импульса к интервалу времени между двумя последовательными импульсами. Если излучение является непрерывным, коэффициент заполнения равен 1, так что линейная мощность, деленная на корень квадратный из коэффициента заполнения, равна линейной мощности. Когда излучение является импульсным, частота повторений импульсов предпочтительно составляет по меньшей мере 10 кГц, в частности 15 и даже 20 кГц, чтобы быть совместимой с применяемыми высокими скоростями перемещения.

Длина волны излучения упомянутой одной или каждой лазерной линии предпочтительно лежит в интервале от 800 до 1100 нм, в частности от 800 до 1000 нм. Особенно хорошо подходящими показали себя мощные диодные лазеры, излучающие на длине волны, выбранной из 808, 880, 915, 940 или 980 нм.

Оптические схемы формообразования и перенаправления предпочтительно содержат линзы и зеркала, и применяются в качестве средств позиционирования, гомогенизации и фокусировки излучения.

Средства позиционирования имеют целью в случае необходимости направить излучение, испущенное лазерными источниками, вдоль одной линии. Они предпочтительно содержат зеркала. Целью средств гомогенизации является наложение пространственных профилей лазерных источников так, чтобы получить однородную линейную мощность по всей длине линии. Средства гомогенизации предпочтительно содержат линзы, позволяющие разделить падающие пучки на вторичные пучки и рекомбинировать эти вторичные пучки в одну гомогенную линию. Средства фокусировки излучения позволяют сфокусировать излучение на покрытии, которое требуется обработать, в форме линии желаемой длины и ширины. Средства фокусировки предпочтительно содержат собирательную линзу.

Под длиной линии понимается наибольший размер линии, измеренный на поверхности покрытия, а под шириной понимается размер в направлении, поперечном направлению наибольшего размера. Как принято в области лазеров, ширина ν линии соответствует расстоянию (в этом поперечном направлении) между осью пучка (где интенсивность излучения максимальна) и точкой, где интенсивность излучения в е² раз меньше максимальной интенсивности. Если продольную ось лазерной линии обозначить как х, можно определить распределение по ширине вдоль этой оси, обозначенное ν(χ).

Средняя ширина упомянутой одной или каждой лазерной линии предпочтительно составляет по меньшей мере 35 мкм, в частности лежит в интервале от 40 до 100 мкм или от 40 до 70 мкм. Во всем на- 2 026592 стоящем тексте под средним понимается среднее арифметическое. На всей длине линии распределение по ширине является узким, чтобы не допустить гетерогенности обработки. Так, разница между наибольшей шириной и наименьшей шириной предпочтительно составляет не более 10% от среднего значения ширины. Эта разница предпочтительно не превышает 5 и даже 3%.

Длина упомянутой одной или каждой лазерной линии предпочтительно составляет по меньшей мере 10 или 20 см, в частности лежит в интервале от 20 или 30 до 100 см, в частности от 20 или 30 до 75 см, и даже от 20 или 30 до 60 см.

Оптические схемы формообразования и перенаправления, в частности средства позиционирования, могут подстраиваться вручную или с помощью приводов, позволяющих регулировать их позиционирование дистанционно. Эти приводы (обычно моторы или пьезоэлектрические колодки) могут управляться вручную и/или регулироваться автоматически. В последнем случае приводы предпочтительно должны быть соединены с датчиками, а также с контуром обратной связи.

По меньшей мере часть лазерных модулей и даже все они предпочтительно находятся в герметичном кожухе, предпочтительно охлаждаемом, в частности вентилируемом, чтобы обеспечить тепловую стабильность.

Лазерные модули предпочтительно установлены на жесткую конструкцию, называемую мостом, на основе металлических элементов, обычно из алюминия. Эта конструкция предпочтительно не содержит плиток из мрамора. Мост предпочтительно позиционируют параллельно транспортирующим средствам, чтобы фокальная плоскость упомянутой одной или каждой лазерной линии оставалась параллельной поверхности основы, подлежащей обработке. Предпочтительно мост содержит по меньшей мере четыре ноги, высота которых может регулироваться индивидуально, чтобы обеспечить параллельное позиционирование при всех обстоятельствах. Регулировка может обеспечиваться моторами, находящимися на уровне каждой ноги, вручную или автоматически, в коммуникации с датчиком расстояния. Высота ноги может подстраиваться (вручную или автоматически), чтобы учесть толщину обрабатываемой основы и обеспечить, таким образом, совпадение плоскости основы с фокальной плоскостью упомянутой одной или каждой лазерной линии.

Линейная мощность, деленная на корень квадратный из коэффициента заполнения импульса, предпочтительно составляет по меньшей мере 300 Вт/см, благоприятно 350 или 400 Вт/см, в частности 450 Вт/см, даже 500 и даже 550 Вт/см. Линейная мощность, деленная на корень квадратный из коэффициента заполнения импульса, благоприятно составляет по меньшей мере 600 Вт/см, в частности 800 Вт/см и даже 1000 Вт/см. Когда лазерное излучение является непрерывным, коэффициент заполнения равен 1, так что это число соответствует линейной мощности. Линейную мощность измеряют в месте, где упомянутая одна или каждая лазерная линия сфокусирована на покрытии. Ее можно измерить, располагая датчик мощности вдоль линии, например калориметрический измеритель мощности, такой, в частности, как измеритель мощности Веат Ршбет δ/Ν 2000716 от компании СокегеШ 1пс. Мощность предпочтительно распределена однородно по всей длине упомянутой одной или каждой линии. Предпочтительно разница между наибольшей мощностью и наименьшей мощностью составляет менее 10% от средней мощности.

Плотность энергии, подаваемая к покрытию, деленная на корень квадратный из коэффициента заполнения импульса, предпочтительно составляет по меньшей мере 20, даже 30 Дж/см² Здесь также коэффициент заполнения равен 1, когда лазерное излучение является непрерывным.

Параметр качества лазерного пучка, называемый часто Ъеат ратате1ег ргобис!, или ВРР, соответствует произведению средней ширины пучка на его расходимость. Параметр качества лазерного пучка предпочтительно не превышает 2,6 мм-мрад, в частности 2 мм-мрад, даже 1,5 или 1 мм-мрад. Согласно некоторым вариантам осуществления параметр качества лазерного пучка составляет не более 0,7 мм-мрад, в частности не более 0,6 и даже 0,5 мм-мрад, даже не более 0,4 или же не более 0,3 мм-мрад.

Термообработка согласно изобретению особенно хорошо адаптирована для обработки покрытий, слабо поглощающих на длине волны лазера. Поглощение покрытия на длине волны лазера предпочтительно составляет по меньшей мере 5%, в частности по меньшей мере 10%. Предпочтительно оно не превышает 90%, в частности 80 или 70%, даже 60 или 50 и даже 40 или же не превышает 30%.

Температура, которой подвергается покрытие во время термообработки, предпочтительно составляет по меньшей мере 300°С, в частности 350°С, даже 400°С.

Предпочтительно температура основы на уровне стороны, противоположной покрытой поверхности, во время термообработки не превышает 100°С, в частности не выше 50 и даже не выше 30°С.

Когда используется несколько лазерных линий, предпочтительно, чтобы они располагались так, чтобы обрабатывалась вся поверхность многослойной системы. Одна или каждая линия предпочтительно расположена перпендикулярно направлению движения основы или расположена под углом к нему. Разные линии могут обрабатывать основу одновременно или со сдвигом во времени. Важно, чтобы была обработана все поверхность, требующая обработки.

Лазерное излучение частично отражается обрабатываемым покрытием, а частично проходит через основу. Из соображений безопасности предпочтительно иметь на пути этого отраженного и/или пропу- 3 026592 щенного излучения средства защиты от излучения. Они обычно представляют собой металлические камеры, охлаждаемые циркулирующим хладагентом, в частности водой. Чтобы предотвратить повреждение лазерных модулей отраженным излучением, направление распространения упомянутой одной или каждой лазерной линии образует предпочтительно ненулевой угол с нормалью к основе, обычно угол от 5 до 20°.

Для повышения эффективности обработки предпочтительно, чтобы по меньшей мере часть лазерного излучения (основная), прошедшая через основу и/или отраженная покрытием, перенаправлялась в направлении упомянутой основы, чтобы образовать по меньшей мере одно вторичное лазерное излучение, которое предпочтительно падает на основу в том же месте, что и основное лазерное излучение, предпочтительно с той же глубиной резкости и с тем же профилем. Образование упомянутого одного или каждого вторичного лазерного излучения предпочтительно реализуется с помощью оптической схемы, содержащей только оптические элементы, выбранные из зеркал, призм и линз, в частности, оптической схемы, состоящей из двух зеркал и одной линзы или из призмы и линзы. Собирая по меньшей мере часть потерянного основного излучения и перенаправляя его к основе, значительно улучшают термообработку. Выбор, использовать ли часть основного излучения, прошедшего через основу (режим пропускания), или часть основного излучения, отраженного покрытием (режим отражения), или, возможно, использовать то и другое, зависит от природы слоя и длины волны лазерного излучения.

Когда основа движется, в частности, поступательно, ее можно привести в движение с помощью любого механического средства транспортировки, например с помощью поступательно движущихся лент, роликов, поддонов. Транспортирующая система позволяет контролировать и регулировать скорость перемещения. Средство транспортировки предпочтительно содержит жесткую раму и множество роликов. Шаг роликов предпочтительно лежит в интервале от 50 до 300 мм. Ролики предпочтительно содержат металлические кольца, обычно из стали, покрытые пластмассовыми ободами. Ролики предпочтительно установлены на подшипники с уменьшенным зазором, обычно из расчета три ролика на подшипник. Чтобы обеспечить идеальную плоскостность поверхности транспортировки, положение каждого ролика предпочтительно можно регулировать. Ролики предпочтительно приводятся в движение с помощью зубчатых колес или цепей, предпочтительно цепей тангенциальной подачи, управляемых по меньшей мере одним мотором.

Транспортирующие средства предпочтительно таковы, чтобы на уровне упомянутой одной или каждой лазерной линии абсолютное значение расстояния между каждой точкой основы и фокальной плоскостью упомянутой одной или каждой лазерной линии было не больше 1 мм, в частности не больше 0,5, даже 0,3 и даже 0,1 мм.

Если основа выполнена из гибкого органического полимерного материала, ее перемещение можно реализовать с помощью системы подачи пленок в виде последовательности роликов. В этом случае плоскостность можно обеспечить надлежащим выбором расстояния между роликами, учитывая толщину основы (и, следовательно, ее гибкость) и влияние, какое может оказывать термообработка на возможное образование прогиба.

Когда перемешается лазерная линия, можно предусмотреть систему перемещения лазерных модулей (лазерные источники и оптические схемы формирования и перенаправления), находящихся выше или ниже основы. Продолжительность обработки регулируется скоростью перемещения лазерной линии. Лазерные модули можно перемещать, например, с помощью робота, в любом направлении, что при необходимости позволяет обработать искривленные основы, как, например, основы из моллированного стекла.

Скорость относительного перемещения между основой и упомянутой одной или каждой лазерной линией предпочтительно составляет по меньшей мере 4 м/мин, в частности 5 и даже 6 или 7 м/мин, или же по меньшей мере 8 и даже 9 или 10 м/мин. Согласно некоторым вариантам осуществления, в частности, когда поглощение покрытия на длине лазера высокое, или когда покрытие можно наносить с высокой скоростью осаждения, скорость относительного перемещения между основой и упомянутой одной или каждой лазерной линией составляет по меньшей мере 12 или 15 м/мин, в частности 20 и даже 25 или 30 м/мин. Чтобы обеспечить как можно более однородную обработку, скорость относительного перемещения между основой и упомянутой одной или каждой лазерной линией меняется во время обработки не более чем на 10%, в частности 2 и даже 1% от ее номинального значения.

Разумеется, возможны любые относительные расположения основы и лазера, если только поверхность основы можно должным образом облучить. Как общее правило, основа будет располагаться горизонтально или по существу горизонтально, но она может также располагаться вертикально или с любым возможным наклоном. Когда основа расположена горизонтально, лазерные источники обычно располагают так, чтобы облучать верхнюю сторону основы. Лазерные источники могут также облучать нижнюю сторону основы. В этом случае требуется, чтобы система поддержки основы, возможно система транспортировки основы, когда последняя перемещается, позволяли пропускать излучение в облучаемую зону. Это имеет место, например, когда используется роликовый конвейер: так как ролики разъединены, можно разместить лазерные источники в зоне, находящейся между двумя последовательными роликами.

Когда требуется обработать обе стороны основы, можно использовать несколько лазерных источ- 4 026592 ников, расположенных по обе стороны от основы, независимо от того, находится ли она в горизонтальном, вертикальном или наклонном положении. Эти лазерные источники могут быть одинаковыми или разными, в частности могут различаться их длины волн, в частности, будучи адаптированными к каждому из обрабатываемых покрытий. В качестве примера первое покрытие (например, низкоэмиссионное), находящееся на первой стороне основы, можно обработать первым лазерным излучением, излучающим, например, в видимой или ближней инфракрасной области спектра, тогда как второе покрытие (например, фотокаталитическое покрытие), находящееся на второй стороне упомянутой основы, можно обработать вторым лазерным излучением, излучающим, например, в инфракрасной области.

Устройство термообработки согласно изобретению может быть интегрировано в производственную линию осаждения покрытий, например линию магнетронного катодного напыления с поддержкой магнитным полем (магнетронный способ) или в линию химического осаждения в паровой фазе (СУЭ). в частности, с поддержкой плазмы (РЕСУЭ), в вакууме или при атмосферном давлении (ЛРРЕСУЭ). Линия обычно включает в себя устройства манипуляций с основами, установку осаждения, устройства оптического контроля, устройства штабелирования. Основы движутся, например, на роликовых конвейерах последовательно мимо каждого устройства или каждой установки.

Устройство термообработки согласно изобретению предпочтительно находится сразу после установки осаждения покрытия, например, на выходе установки осаждения. Таким образом, основу с покрытием можно обрабатывать в производственной линии после осаждения покрытия, на выходе с установки осаждения и перед устройствами оптического контроля, или после устройств оптического контроля и перед устройствами штабелирования основ.

Устройство термообработки может быть интегрировано также в установку осаждения. Например, лазер можно ввести в одну из камер установки осаждения катодным напылением, в частности в камеру, где атмосфера является разреженной, в частности, находящуюся под давлением от 10^-6 мбар до 10^-2 мбар. Устройство термообработки можно также разместить вне установки осаждения, но так, чтобы обрабатывать основу, находящуюся внутри упомянутой установки. Для этого достаточно предусмотреть окно, прозрачное на используемой длине волны излучения, через которое проходило бы лазерное излучение для обработки слоя. Таким образом, можно обрабатывать слой (например, слой серебра) перед последующим осаждением другого слоя в той же установке.

Независимо от того, находится ли устройство термообработки вне или встроено в установку осаждения, эти способы в линии предпочтительны способу с переустановкой, в котором потребовалось бы укладывать друг на друга стеклянные основы между этапом осаждения и термообработкой.

Однако способы с переустановкой могут быть выгодны в случаях, когда осуществление термообработки согласно изобретению проводится в другом месте, а не там, где проводилось осаждение, например в месте, где реализуют преобразование стекла. Таким образом, устройство термообработки может быть встроено в другие производственные линии, а не в линию осаждения покрытий. Оно может быть введено, например, в линию изготовления стеклопакетов (в частности, двухкамерных или трехкамерных стеклопакетов), в линию изготовления многослойных оконных стекол или же в линию изготовления моллированных и/или закаленных окон. Многослойное, моллированное или закаленное оконное стекло может также применяться в качестве остекления зданий или автомобилей. В этих разных случаях термообработку согласно изобретению предпочтительно реализуют до получения стеклопакета или многослойного стекла. Однако термообработку можно проводить после получения двухкамерного стеклопакета или многослойного оконного стекла.

Устройство термообработки предпочтительно располагают в закрытой камере, что позволяет обезопасить персонал, предотвращая любой контакт с лазерным излучением, и избежать любых загрязнений, в частности, основы, оптики или зоны обработки.

Осаждение многослойной системы на основу можно осуществить способом любого типа, в частности способами, создающими преимущественно аморфные или нанокристаллические слои, как способ катодного напыления, в частности, с поддержкой магнитным полем (магнетронный способ), способ плазмохимического осаждения из паровой (РЕСУЭ), способ вакуумного испарения или способ золь-гель.

Многослойную систему предпочтительно осаждают катодным напылением, в частности, с поддержкой магнитным полем (магнетронный способ).

Для простоты термообработку многослойной системы предпочтительно проводят на воздухе и/или при атмосферном давлении. Однако можно осуществить термообработку многослойной системы в той же камере вакуумного осаждения, например, перед следующим осаждением.

Основа предпочтительно состоит из стекла или органического полимерного материала. Она предпочтительно является прозрачной, бесцветной (в таком случае говорят о прозрачном или экстрапрозрачном стекле) или окрашенной, например синей, серой, зеленой или бронзовой. Стекло предпочтительно является натрий-кальций-силикатным стеклом, но это может быть также стекло боросиликатного или алюмо-боросиликатного типа. Предпочтительными органическими полимерными материалами являются поликарбонат, полиметилметакрилат, полиэтилентерефталат (РЕТ), полиэтиленнафталат (РЕЫ) или же фторполимеры, такие как этилентетрафторэтилен (ЕТРЕ). Основа предпочтительно имеет по меньшей мере один размер, больше или равный 1, даже 2 и даже 3 м. Толщина основы обычно меняется от 0,5 до

- 5 026592 мм, предпочтительно от 0,7 до 9 мм, в частности от 2 до 8 мм и даже от 4 до 6 мм. Основа может быть плоской или выпуклой и даже гибкой.

Стеклянная основа предпочтительно является стеклом типа флоат-стекла, т.к. которое может быть получено способом, состоящим в выливании расплавленного стекла на ванну расплавленного олова (флоат-ванна). В этом случае обрабатываемое покрытие может быть также осаждено как на оловянную сторону, так и на атмосферную сторону основы. Под атмосферной и оловянной сторонами понимаются стороны основы, которые были в контакте с атмосферой, царящей во флоат-ванне, и с расплавленным оловом соответственно. Оловянная сторона содержит небольшое количество олова у поверхности, продиффундировавшее в структуру стекла. Стеклянная основа может также быть получена путем каландрирования между двумя вальцами, этот метод позволяет, в частности, отпечатать узоры на поверхности стекла.

Термообработка предпочтительно предназначена для улучшения кристалличности покрытия, в частности, благодаря увеличению размеров кристаллов и/или содержания кристаллической фазы. Целью термообработки может также быть окисление слоя металла или металлического оксида, подстехиометрического по кислороду, возможно способствуя росту конкретной кристаллической фазы.

Предпочтительно этап термообработки не вызывает плавления, даже частичного, покрытия. В случае, когда обработка предназначена для улучшения кристалличности покрытия, термообработка позволяет внести достаточную энергию, чтобы облегчить кристаллизацию покрытия, остающегося в твердой фазе, посредством физико-химического механизма роста кристаллов вокруг зародышей, присутствующих в покрытии. Эта обработка не использует механизм кристаллизация путем охлаждения из расплава, так как, с одной стороны, это потребовало бы очень высоких температур, а с другой стороны, так как это могло бы изменить толщины или коэффициенты преломления покрытия и, следовательно, его свойства, изменяя, например, его внешний вид.

Обработанное покрытие предпочтительно содержит тонкий слой, выбранный из металлических слоев (в частности, имеющих в основе или состоящих из серебра или молибдена), слоев оксида титана и прозрачных электропроводящих слоев.

Прозрачные электропроводящие слои обычно имеют в основе смешанные оксиды олова и индия (называемые ΙΤΟ), смешанные оксиды индия и цинка (называемые ΙΖΟ), оксид цинка, легированный галлием или алюминием, оксид титана, легированный ниобием, станнат кадмия или цинка, оксид олова, легированный фтором и/или сурьмой. Эти разные слои отличаются тем, что они являются прозрачными и, тем не менее, проводниками или полупроводниками, они применяются в многочисленных системах, где эти два свойства необходимы: жидкокристаллические экраны (ЬСО), солнечные датчики или фотоэлектрические датчики, электрохромные или электролюминесцентные устройства (в частности, ЬЕЭ. ΟΕΕΌ) и т.д. Их толщина, обычно определяемая желаемым поверхностным сопротивлением, обычно составляет от 50 до 1000 нм, включая границы.

Тонкие металлические слои, например, на основе металлического серебра, а также на основе металлических молибдена или ниобия обладают электропроводностью и способны отражать инфракрасное излучение, поэтому они применяются в остеклениях с регулируемой инсоляцией, в частности, в солнцезащитном остеклении (с целью уменьшить количество поступающей солнечной энергии) или в низкоэмиссионном остеклении (с целью уменьшить количество энергии, рассеиваемой наружу здания или автомобиля). Их физическая толщина обычно составляет от 4 до 20 нм (включая границы). Низкоэмиссионные многослойные системы часто могут содержать несколько слоев серебра, обычно 2 или 3. Упомянутый один или каждый слой серебра обычно обрамлен диэлектрическим слоем, защищающим его от коррозии и позволяющим регулировать внешний вид покрытия в отражении. Молибден часто используют в качестве материала электродов для фотоэлементов на основе Си1и_хОа_1-х8е₂, где х меняется от 0 до 1. Обработка согласно изобретению позволяет уменьшить его удельное сопротивление. Согласно изобретению можно обрабатывать и другие металлы, как, например, титан, в частности, в целях его окисления и получения фотокаталитического слоя оксида титана.

Когда обрабатываемое покрытие является низкоэмиссионной многослойной системой, оно предпочтительно содержит, в направлении от основы, первое покрытие, содержащее по меньшей мере один первый диэлектрический слой, по меньшей мере один слой серебра, (факультативно) верхний блокирующий слой, и второе покрытие, содержащее по меньшей мере один второй диэлектрический слой.

Предпочтительно физическая толщина упомянутого одного или каждого слоя серебра составляет от 6 до 20 нм.

Верхний блокирующий слой предназначен для защиты слоя серебра во время осаждения следующего слоя (например, если последний осаждают в окислительной или нитрирующей атмосфере) и во время возможной термообработки типа закалки или моллирования.

Слой серебра можно также осадить на и в контакте с нижним блокирующим слоем. Таким образом, многослойная система может содержать верхний блокирующий слой и/или нижний блокирующий слой, обрамляющие упомянутый один или каждый слой серебра.

Блокирующие слои (нижний блокирующий и/или верхний блокирующий слой) обычно имеют в основе металл, выбранный из никеля, хрома, титана, ниобия или из сплава этих разных металлов. Можно

- 6 026592 назвать, в частности, сплавы никеля с титаном (в частности, содержащие около 50 вес.% каждого металла) или сплавы никеля с хромом (в частности, содержащие 80 вес.% никеля и 20 вес.% хрома). Верхний блокирующий слой может также состоять из нескольких уложенных друг на друга слоев, например, в направлении от основы: титан, затем сплав никеля (в частности, сплав никеля с хромом), или наоборот. Эти разные упомянутые металлы или сплавы могут также быть частично окисленными, в частности быть подстехиометрическими по кислороду (например, ΤίΘ_χ или №СтО_х).

Эти блокирующие слои (нижний блокирующий и/или верхний блокирующий слой) очень тонкие, обычно толщиной менее 1 нм, чтобы не повлиять на пропускание света многослойной системой, и способны частично окисляться во время термообработки согласно изобретению. Обычно блокирующие слои являются расходуемыми слоями, способными улавливать кислород из атмосферы или основы, предотвращая, таким образом, окисление слоя серебра.

Первый и/или второй диэлектрический слой обычно состоит из оксида (в частности, оксида олова) или предпочтительно из нитрида, в частности нитрида кремния (в частности, для второго диэлектрического слоя, наиболее удаленного от основы). Как правило, нитрид кремния может быть легирован, например, алюминием или бором, чтобы облегчить его осаждение методами катодного распыления. Степень легирования (соответствующая атомных процентам в расчете на количество кремния) обычно не превышает 2%. Функцией этих диэлектрических слоев является защита слоя серебра от неблагоприятных химических или механических воздействий, они влияют также на оптические свойства многослойной системы, в частности, в отраженном свете, благодаря явлениям интерференции.

Первое покрытие может содержать один или несколько диэлектрических слоев, обычно 2-4. Второе покрытие может содержать один диэлектрический слой или несколько диэлектрических слоев, обычно 23. Эти диэлектрические слои предпочтительно состоят из материала, выбранного из нитрида кремния, оксидов титана, олова или цинка, или из любой их смеси или твердых растворов, например оксида олова и цинка или оксида титана и цинка. Независимо от того, находятся ли они в первом или во втором покрытии, физическая толщина диэлектрического слоя или суммарная физическая толщина всех диэлектрических слоев предпочтительно составляет от 15 до 60 нм, в частности от 20 до 50 нм.

Первое покрытие предпочтительно содержит, сразу под слоем серебра или под возможным нижним блокирующим слоем, смачивающий слой, функцией которого является усилить смачивание и сцепление слоя серебра. В этом отношении особенно выгодным показал себя оксид цинка, в частности, легированный алюминием.

Первое покрытие может также содержать, непосредственно под смачивающим слоем, выравнивающий слой (то есть с очень низкой шероховатостью), представляющий собой смешанный оксид, частично или даже полностью аморфный, функцией которого является способствовать росту смачивающего слоя в предпочтительной кристаллографической ориентации, что благоприятствует кристаллизации серебра вследствие эпитаксиальных эффектов. Выравнивающий слой предпочтительно состоит из смешанного оксида по меньшей мере двух металлов, выбранных из δη, Ζη, Ιη, Оа, 8Ь. Предпочтительным оксидом является оксид олова и индия, легированный сурьмой.

В первом покрытии смачивающий слой или возможный выравнивающий слой предпочтительно нанесен непосредственно на первый диэлектрический слой. Первый диэлектрический слой предпочтительно нанесен прямо на основу. Чтобы как можно лучше согласовать оптические свойства многослойной системы (в частности, вид в отражении), первый диэлектрический слой можно альтернативно нанести на другой слой оксида или нитрида, например оксида титана.

Во втором покрытии второй диэлектрический слой можно разместить непосредственно на слое серебра или предпочтительно на верхнем блокирующем слое, или же на других слоях из оксида или нитрида, предназначенных для корректировки оптических свойств многослойной системы. Например, слой оксида цинка, в частности, легированного алюминием, или слой оксида олова можно поместить между верхним блокирующим слоем и вторым диэлектрическим слоем, который предпочтительно состоит из нитрида кремния. Оксид цинка, в частности, легированный алюминием, позволяет улучшить адгезию между серебром и верхними слоями.

Таким образом, многослойная система, обрабатываемая согласно изобретению, предпочтительно содержит по меньшей мере одну последовательность ΖηΟ/Α§/ΖηΟ. Оксид цинка может быть легирован алюминием. Между слоем серебра и нижележащим слоем можно расположить нижний блокирующий слой. Альтернативно или дополнительно, между слоем серебра и вышележащим слоем можно расположить верхний блокирующий слой.

Наконец, на втором покрытии можно разместить верхний слой, иногда называемый в технике оусгеоаГ (внешнее покрытие). Последний слой многослойной системы, то есть находящийся в контакте с окружающим воздухом, предназначен для защиты системы от любых неблагоприятных механических (царапины и т.п.) или химических воздействий. Этот верхний слой обычно очень тонкий, чтобы не испортить вид слоистой системы в отраженном свете (обычно его толщина составляет от 1 до 5 нм). Этот слой предпочтительно имеет в основе оксид титана или смешанный оксид олова и цинка, в частности, легированный сурьмой, осажденный в подстехиометрической форме.

Многослойная система может содержать один или несколько слоев серебра, в частности два или

- 7 026592 три слоя серебра. Когда присутствует несколько слоев серебра, представленная выше общая конфигурация может повторяться. В этом случае покрытие, второе по отношению к данному слою серебра (то есть находящееся выше этого слоя серебра), обычно совпадает с покрытием, первым по отношению к следующему слою серебра.

Тонкие слои на основе оксида титана отличаются способностью к самоочищению, облегчая разложение органических соединений под действием ультрафиолетового излучения и устранение минеральных загрязнений (пыль) под действием стекания воды. Их физическая толщина предпочтительно составляет от 2 до 50 нм, в частности от 5 до 20 нм, включая границы.

Упомянутые выше различные слои имеют общую особенность в том, что некоторые их свойства улучшаются, когда она находятся, по меньшей мере, в частично кристаллизованном состоянии. Обычно стремятся максимально повысить степень кристалличности этих слоев (массовую или объемную долю кристаллизованного материала) и размер кристаллических зерен (или размер когерентных областей дифракции, измеренный методами рентгеновской дифракции), а в некоторых случаях даже способствовать образованию особой кристаллографической формы.

Про оксид титана известно, что оксид титана, кристаллизованный в форме анатаза, намного более эффективен в отношении разложения органических соединений, чем аморфный оксид титана или оксид титана, кристаллизованный в форме рутила или брукита.

Известно также, что слои серебра, имеющие высокую степень кристалличности и, следовательно, низкое статочное содержание аморфного серебра, отличаются более низкой излучательной способностью и более низким удельным сопротивлением, чем слои преимущественно аморфного серебра. Таким образом, электропроводность и характеристики низкой излучательной способности этих слоев улучшены.

Равным образом, вышеупомянутые прозрачные проводящие слои, в частности слои на основе легированного оксида цинка, оксида олова, легированного фтором, или оксида индия, легированного оловом, имеют тем большую электропроводность, чем выше их степень кристалличности.

Предпочтительно, когда покрытие является проводником, в результате термообработки его поверхностное сопротивление уменьшается по меньшей мере на 10, даже на 15 или на 20%. Речь идет здесь об относительном уменьшении по сравнению со значением поверхностного сопротивления перед обработкой.

Согласно изобретению можно обрабатывать и другие покрытия. В частности, можно назвать, без ограничений, покрытия на основе (или состоящие из) СМТе или халькоперитов, например, типа Си1и_хОа_1-х8е₂, где х меняется от 0 до 1. Можно также назвать покрытия типа эмалей (например, нанесенное трафаретной печатью), красок или лаков (обычно содержащие органические смолы и пигменты).

Основы с покрытием, полученные согласно изобретению, могут применяться в простых остеклениях, стеклопакетах или многослойных стеклах, зеркалах, стеклянных стеновых покрытиях. Если покрытие представляет собой низкоэмиссионную многослойную систему, в случае стеклопакета, содержащего по меньшей мере два стеклянных листа, разделенных прослойкой газа, предпочтительно, чтобы многослойная система располагалась на стороне, контактирующей с упомянутой газовой прослойкой, в частности на стороне 2 относительно наружной среды (то есть на стороне основы, противоположной стороне, обращенной наружу и контактирующей со средой снаружи здания) или на стороне 3 (то есть на поверхности второй основы, считая снаружи здания, обращенной наружу). Если покрытие является фотокаталитическим слоем, предпочтительно помещать его на стороне 1, то есть в контакте со средой снаружи здания.

Основы с покрытием, полученные согласно изобретению, могут применяться также в фотоэлементах или фотоэлектрических модулях для остекления, или в солнечных панелях, при этом покрытие, обработанное согласно изобретению, является, например, электродом на основе ΖηΟ:Α1, или Оа (в многослойных системах на основе халькопиритов, в частности, типа С1О8-Си1п_хОа_1-х8е₂, где х меняется от 0 до 1), или на основе аморфного и/или поликристаллического кремния, или же на основе СбТе.

Основы с покрытием, полученные согласно изобретению, могут также применяться в экранах для визуального отображения информации типа ЬСИ (ЫдиЦ Сгу§1а1 И18р1ау, жидкокристаллический дисплей), ОЬЕИ (Огдаше ЫдЫ Етййпд Эюбех. органические светодиоды) или ΡΕΌ (ИеМ Ειηίδδίοη И18р1ау, дисплей с автоэлектронной эмиссией), при этом покрытие, обработанное согласно изобретению, является, например, электропроводящим слоем из 1ТО. Они могут применяться также в электрохромных стеклах, при этом тонкий слой, обработанный согласно изобретению, является, например, прозрачным электропроводящим слоем, как указывается в заявке ΡΚ-Α-2833107.

Изобретение иллюстрируется на следующих примерах осуществления, но не ограничено ими.

Пример 1.

Методом магнетронного катодного распыления на прозрачную стеклянную основу с площадью поверхности 600x3210 см² и толщиной 4 мм осаждают низкоэмиссионную многослойную систему, содержащую слой серебра.

- 8 026592

Ниже в табл. 1 указана физическая толщина каждого из слоев системы, выраженная в нм. Первая строка соответствует слою, наиболее удаленному от основы, находящемуся в контакте с атмосферным воздухом.

Таблица 1

2пЗпЗЬО_к	2
31₃Ы₄:А1	43
ΖηΟ:Α1	5
Τί	0, 5
Ад	15
ΖηΟ:Α1	5
ΤίΟ₂	11
5ί₃Ν₄:Α1	14

В табл. 2 ниже приведены параметры осаждения, использующиеся для разных слоев.

Таблица 2

Слой	Используемая мишень	Давление при осаждении	Газ
31₃Ы₄	3 ϊ :А1—95:н вес.%	1,5-10' мбар	Аг/ (Аг+Ы₂) = 45%

тю₂	ΤίΟχ с х порядка 1,9	1, 5-10“³ мбар	Аг/ (Аг+0₂) = 95%
Ζη3η5±ο_χ	3ηΖη:5Ъ=34:65:1 вес.%	2-10_³ мбар	Аг/ (Аг+0₂) = 58%
ΖηΟ:Α1	Ζη:Α1=98:2 вес.%	2-1СГ³ мбар	Аг/ (Аг+0₂) = 52%
Τί	Τί	2-1СГ³ мбар	Аг
Ад	Ад	2-1СГ³ мбар	Аг 100%

Затем основу подвергают термообработке с помощью одиннадцати лазерных линий длиной 30 см, расположенных так, чтобы обрабатывать всю ширину основы. Лазерными источниками служат лазерные диоды, испускающие непрерывное излучение длиной волны 915 или 980 нм, в виде линии, сфокусированной на покрытии.

Основу, покрытую своей системой слоев, помещают на роликовый конвейер на уровне фокальной плоскости каждой лазерной линии и перемещают под каждой лазерной линией со скоростью 5 м/мин, причем скорость меняется не более чем на 1%.

В режиме работы линейная мощность каждой лазерной линии составляет 400 Вт/см, средняя ширина каждой линии равна 53 мкм, и качество лазерного пучка (Ьеаш рагате!ег ргобис!) составляет 2,5 мм-мрад.

Таким образом, ширина каждой лазерной линии меняется не более чем на 10% при изменении расстояния от покрытия до фокальной плоскости лазера на ±0,5 мм.

Кроме того, ширина каждой линии однородна по длине каждой линии, так что для каждой линии разность между наибольшей шириной и наименьшей шириной составляет 3% от среднего значения (то есть 1,5 мкм).

Так как покрытие обрабатывается очень однородно, поверхностное сопротивление покрытия уменьшается на 18-21% во всех точках покрытия, без образования оптических дефектов.

Пример 2.

Этот пример отличается от примера 1 тем, что используется 15 лазерных линий длиной 22 см, расположенных рядом так, чтобы образовать единственную линию длиной 3,3 м. Линейная мощность каждой лазерной линии равна 500 Вт/см, средняя ширина каждой линии составляет 50 мкм, и качество лазерного пучка равно 1,1 мм-мрад. Таким образом, ширина каждой лазерной линии меняется не более чем на 10% при изменении расстояния от покрытия до фокальной плоскости лазера на ±1 мм. И в этом случае обработка является очень однородной, и покрытие не имеет никаких оптических дефектов.

Сравнительный пример 1.

Этот сравнительный пример отличается от примера 1 тем, что качество лазерного пучка составляет 6,2 мм-мрад.

В этом случае относительная ширина каждой лазерной линии меняется примерно на 50% при изменении расстояния от покрытия до фокальной плоскости лазера на ±0,5 мм.

- 9 026592

После обработки обнаружено, что падение поверхностного сопротивления не является однородным на всей поверхности основы. Если в некоторых местах оно достигает 20-21%, то в некоторых зонах основы оно составляет всего 3% из-за колебаний расстояния между основой и фокальной плоскостью, вызываемых дефектами плоскостности основы и ее проведением на конвейере с высокой скоростью.

Сравнительный пример 2.

Этот пример отличается от примера 2 тем, что качество лазерного пучка составляет 4 мм-мрад.

В этом случае ширина каждой лазерной линии меняется примерно на 90% при изменении расстояния от покрытия до фокальной плоскости лазера на ±1 мм.

Как и для сравнительного примера 1, снижение поверхностного сопротивления является неоднородным.

Сравнительный пример 3.

Этот пример отличается от примера 1 тем, что линейная мощность равна 180 Вт/см. В этом случае снижение поверхностного сопротивления вследствие обработки слишком низкое, так как покрытие не достигает надлежащих температур, позволяющих его кристаллизацию.

Чтобы можно было достичь желаемых температур, необходимо уменьшить среднюю ширину каждой линии до 11 мкм. Однако в этом случае ширина каждой лазерной линии меняется в 10 раз при изменении расстояние от покрытия от фокальной плоскости лазера на ±0,5 мм. Учитывая дефекты плоскостности основы большого размера, ее перемещение на конвейере и колебания, обработка в таком случае является неоднородной, причем снижение поверхностного сопротивления значительно колеблется в зависимости от зон на поверхности основы.

Сравнительный пример 4.

Этот пример отличается от примера 2 тем, что линейная мощность равна 180 Вт/см. И в этом случае снижение поверхностного сопротивления вследствие обработки слишком низкое, так как покрытие не достигает надлежащих температур, позволяющих его кристаллизацию.

Чтобы можно было достичь желаемых температур, необходимо уменьшить среднюю ширину каждой линии до 7 мкм. Однако в этом случае ширина каждой лазерной линии меняется в 22 раза при изменении расстояния от покрытия до фокальной плоскости лазера на ±1 мм. Учитывая дефекты плоскостности основы большого размера, ее перемещение на конвейере и колебания, обработка в таком случае является неоднородной, и снижение поверхностного сопротивления значительно меняется в зависимости от зон на поверхности основы.

Сравнительный пример 5.

Этот пример отличается от примера 1 тем, что каждая линия не является однородной по ширине. Если средняя ширина всегда равна 53 мкм, распределение по ширине таково, что разница между наибольшей шириной и наименьшей шириной равна 13 мкм, то есть составляет 25% от среднего значения. В таком случае обработка является гетерогенной: слой локально ухудшается из-за чрезмерной интенсивности лазерной обработки (в зонах, где ширина пучка меньше), что приводит одновременно к появлению визуально недопустимых точечных оптических дефектов и к суммарной потере поверхностного сопротивления всего 13-14%.

Claims

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Способ получения основы, снабженной по меньшей мере на части по меньшей мере одной из ее сторон покрытием, включающий в себя этап осаждения упомянутого покрытия на упомянутую основу, затем этап термообработки упомянутого покрытия импульсным или непрерывным лазерным излучением, сфокусированным на упомянутом покрытии в форме по меньшей мере одной лазерной линии, длина волны излучения которого находится в интервале от 400 до 1500 нм, причем упомянутая термообработка такова, что осуществляется относительное перемещение между основой и упомянутой одной или каждой лазерной линией со скоростью по меньшей мере 3 м/мин, причем упомянутая одна или каждая лазерная линия имеет параметр качества пучка (ВРР) не более 3 мм-мрад и линейную мощность, измеренную в месте, где упомянутая одна или каждая лазерная линия сфокусирована на упомянутом покрытии, деленную на корень квадратный из коэффициента заполнения импульса, по меньшей мере 200 Вт/см, длину по меньшей мере 20 мм и распределение по ширине вдоль упомянутой одной или каждой линии так, что средняя ширина составляет по меньшей мере 30 мкм, разница между наибольшей шириной и наименьшей шириной не превышает 15% от среднего значения ширины.

2. Способ по п.1, в котором основа расположена, по существу, горизонтально и перемещается на конвейере относительно упомянутой одной или каждой лазерной линии, причем упомянутая одна или каждая лазерная линия является неподвижной и расположена, по существу, перпендикулярно направлению перемещения.

3. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором длина волны излучения упомянутой одной или каждой лазерной линии лежит в интервале от 800 до 1100 нм.

4. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором лазерное излучение является непрерывным.

5. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором линейная мощность, деленная на корень квадратный из коэффициента заполнения, составляет по меньшей мере 400 Вт/см.

6. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором средняя ширина упомянутой одной или каждой лазерной линии равна по меньшей мере 35 мкм, в частности составляет от 40 до 70 мкм.

7. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором длина упомянутой одной или каждой лазерной линии больше или равна 20 см, в частности составляет от 30 до 60 см.

8. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором плотность энергии, подаваемой на покрытие, деленная на корень квадратный из коэффициента заполнения, составляет по меньшей мере 20 Дж/см².

9. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором основа состоит из стекла или полимерного органического материала.

10. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором основа имеет по меньшей мере один размер больше 1 м, предпочтительно больше 3 м.

- 10 026592

11. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором покрытие содержит по меньшей мере один тонкий слой, выбранный из металлических слоев, в частности, на основе серебра или молибдена, слоев оксида титана и прозрачных электропроводящих слоев.

12. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором температура, которой подвергается покрытие во время термообработки, составляет по меньшей мере 300°С, в частности 400°С.

13. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором температура стороны основы, противоположной стороне, обрабатываемой по меньшей мере одной лазерной линией, во время термообработки не превышает 100°С, предпочтительно не превышает 50°С, более предпочтительно не превышает 30°С.

14. Устройство термообработки осажденного на основу покрытия с помощью импульсного или непрерывного лазерного излучения, длина волны которого лежит в интервале от 400 до 1500 нм, сфокусированного на упомянутом покрытии в форме по меньшей мере одной линии, содержащее один или несколько лазерных источников, а также оптические схемы для формообразования и перенаправления по меньшей мере одного лазерного луча, способные генерировать по меньшей мере одну лазерную линию, которая в режиме работы способна иметь параметр качества лазерного пучка (ВРР) не более 3 мм-мрад и линейную мощность, измеренную в месте, где упомянутая одна или каждая лазерная линия сфокусирована на упомянутом покрытии, деленную на корень квадратный из коэффициента заполнения импульса, по меньшей мере 200 Вт/см, длину по меньшей мере 20 мм и распределение по ширине вдоль упомянутой одной или каждой линии так, что средняя ширина составляет по меньшей мере 30 мкм, разница между наибольшей шириной и наименьшей шириной не превышает 15% от среднего значения ширины, и средства перемещения для обеспечения относительного перемещения между основой и упомянутой одной или каждой лазерной линией со скоростью перемещения по меньшей мере 3 м/мин.

Евразийская патентная организация, ЕАПВ