CN105392591B - 用于获得提供有涂层的基材的方法 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 230
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 180
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 175
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 29
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 241001074085 Scophthalmus aquosus Species 0.000 claims description 5
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims description 4
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 3
- 230000010148 water-pollination Effects 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 44
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 23
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 20
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 8
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010016654 Fibrosis Diseases 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NCXOIRPOXSUZHL-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ca].[Na] Chemical compound [Si].[Ca].[Na] NCXOIRPOXSUZHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000004761 fibrosis Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 238000004616 Pyrometry Methods 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGUJWQZQKHUJMW-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[B] Chemical compound [AlH3].[B] FGUJWQZQKHUJMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N ethene;1,1,2,2-tetrafluoroethene Chemical group C=C.FC(F)=C(F)F QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- -1 glycol ester Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000009347 mechanical transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 125000005402 stannate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 230000002618 waking effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
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- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
- B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0626—Energy control of the laser beam
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
- C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
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- C03C2217/25—Metals
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- C03C2217/258—Ti, Zr, Hf
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Abstract
本发明涉及用于获得提供有涂层的基材的方法,其中该涂层包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案,该方法包括使用激光辐射对在该基材上沉积的连续涂层进行热处理的步骤。这种热处理步骤使得对该基材使用以至少一根激光线的形式被聚焦在涂层上的激光辐射进行照射,保持该涂层是连续的并且不熔化该涂层,并且使该基材和该聚焦在该涂层上的激光线在与该激光线的纵向方向(Y)横交的方向(X)中进行相对位移,在这种相对位移期间对该激光线的功率(Plas)作为该相对位移的速度(v)和该图案在相对位移方向(Y)中的尺寸的函数进行时间调制。
Description
本发明涉及用于获得一种基材的方法,该基材在它的至少一个面的至少一部分上被提供有涂层,该涂层包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案。本发明还涉及用于处理被提供有至少一个涂层的基材以产生该涂层的至少一种性质的空间调制图案的装置,和涉及一种基材,该基材在它的至少一个面的至少一部分上被提供有涂层,该涂层包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案。
通常的是,为基材,尤其由玻璃或者有机聚合物材料制成的基材提供为它们提供特定性质,尤其光学性质(例如在给定波长范围中的辐射的反射或者吸收)、导电性质或者与清洁容易醒相关或者与该基材的自清洁的可能性有关的性质的涂层。这些涂层,其可以是单层的或者多层的,通常基于无机化合物,尤其金属、氧化物、氮化物或者碳化物。这些涂层可以是薄层或者薄层堆叠体。对于本发明来说,该术语"薄层"表示其厚度低于微米并通常为数纳米至几百纳米的层,由此定性为"薄"。
作为为基材提供特定性质的涂层的实例,可以提到:
-改变该基材在可见光的波长范围中的反射性质的涂层,如反射金属涂层,尤其基于金属银,其用于形成反射镜,或者抗反射涂层,其目的在于减少在空气和基材之间的界面的辐射反射。抗反射涂层可以尤其由具有在空气的折光指数和基材的折光指数之间的折光指数的层,如溶胶-凝胶类型的薄层或者多孔层形成;或者由具有交替地较低和较高的折光指数的薄层堆叠体(充当在空气和基材之间的界面干涉滤波器)形成;或者由具有在空气的折光指数和基材的折光指数之间连续的或者分阶的折光指数梯度的薄层堆叠体形成;
-为基材提供红外辐射反射性质的涂层,如包含至少一个薄金属层(尤其基于银)的透明涂层。这些具有薄金属层的透明涂层用于形成日照控制窗玻璃,特别地抗日光窗玻璃,目的为减少进入的太阳能的量,或者低发射率窗玻璃,目的为减少从建筑物或者交通工具向外部消散的能量的量;
-为基材提供导电性质的涂层,如包含至少一个薄金属层,尤其基于银的薄金属层的涂层,或者基于透明导电氧化物(TCO)的薄层,例如基于铟和锡混合氧化物(ITO),基于铟锌混合氧化物(IZO),基于用镓或者用铝掺杂的氧化锌,基于用铌进行掺杂的氧化钛,基于锡酸镉或者锡酸锌,基于用氟和/或用锑掺杂的氧化锡的薄层。这些具有导电性质的涂层尤其用在加热窗玻璃中,其中使电流流通过该涂层中以便经由焦耳效应产生热量,或者用作为在层状电子装置中的电极,特别地用作为位于有机发光二极管装置(OLED),光电装置或者电致变色装置的正面上的透明电极;
-为该基材提供自清洁性质的涂层,如基于氧化钛的薄层,其促进有机化合物在紫外辐射作用下的退化并且在水流动的作用下除去无机污物。
对于某些应用,希望局部地,例如周期性地改变被沉积在基材上的涂层的性质,以便获得具有该涂层的性质(无论它是光学性质、导电性质等等)的空间调制图案。特别地,可以寻求该涂层的光学性质的调制以便改变该经涂覆基材的视觉外观,出于美学的或者功能的目的。例如,其涂层包含反射颜色梯度或者任何其它具有反射颜色的调制图案的窗玻璃可以用作为用于内部或者外部应用的装饰玻璃。类似地,使透明区域与反射和/或吸收区域交替的窗玻璃可以用作为装饰玻璃,或者作为隔板,尤其用于"开放空间"类型的开放办公室的隔板,允许在该窗玻璃的不透明区域的位置限定私人空间而同时维持在该透明区域位置的优良的光透射。
该涂层的光学性质的调制还可以允许调节经涂覆的基材对某些辐射的光学响应,并因此调节该基材的性能。例如,其涂层包含红外线辐射反射的镂空图案的日光控制窗玻璃允许控制太阳热量的增加。
除了光学性质的调制,可以寻求该涂层的导电性质的调制以便在基材上产生图案或者电导率特定制图。例如,在它的表面包含导电栅格的窗玻璃可以用作为用于层状电子装置的电极,尤其作为透明电极(当在该栅格的网眼之间的空间是透明的时),或者作为加热窗玻璃,或者可以充当法拉第筒类型的透明等位面。
在实践中,在涂层的沉积期间使图案与涂层的性质的调制结合是复杂的,尤其在工业方法的背景下。特别地,虽然目前在大的基材表面上沉积薄层是相对容易的(尤其通过磁场-增强的阴极溅射,亦被称为该"磁控管"方法),但是通过作用于沉积条件仍然难以在空间上调制这些薄层的性质。在经由磁控管方法在基材上沉积层期间掩模的使用产生问题,尤其对于维持该基材的清洁度,这限制它在工业规模上的实施。
而且存在各种用于在涂层上形成图案的技术,一旦该涂层已经被沉积在基材上后。第一种已知的技术是激光微加工("laser patterning"),其中通过使用点激光束的扫描实施至少一部分涂层的烧蚀或者蒸发。这种技术然而是局部的、缓慢的技术,其难以对大尺寸基材实施并且产生相对低生产速率。另一种已知的技术是丝网印刷,其允许通过穿过印刷屏沉积瓷釉或者通过数字印刷使该基材的一部分变得不透明。该丝网印刷技术然而在分辨率方面是受限制的并且要求在至少600℃的温度下热处理该基材以便保证瓷釉化产品的稳定性,这是不利的。在又一种已知的技术中,通过平版印刷术或者丝网印刷在要处理的涂层上设置树脂掩模,例如光敏树脂掩模,然后实施该未被树脂掩模保护的涂层部分的烧蚀或者氧化。这种技术具有是缓慢的并且昂贵的方法的缺点,它涉及数个步骤。
本发明更特别地通过提出用于获得被提供有涂层的基材的方法旨在解决这些缺点,该涂层包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案,该方法同时是经济的、简单的以及快速的,并且其允许实现高生产率,这种方法对于该涂层的性质的调制来说确保高分辨率水平并且甚至适用于大尺寸基材,这种方法还特别地是灵活的以便允许在生产线上(对于同一个基材或者从一个基材至另一个基材)该涂层的性质在空间结构中的快速改变。
为此,本发明主题是用于获得基材的方法,该基材在它的至少一个面的至少一部分上被提供有涂层,该涂层包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案,特征在于该方法包括使用激光辐射热处理在该基材上沉积的连续涂层的步骤,其中在热处理之前该涂层至少部分地吸收激光辐射,这种热处理步骤使得该基材使用以至少一根激光线的形式被聚焦在涂层上的激光辐射进行照射,保持该涂层是连续的并且不熔化该涂层,使该基材和该聚焦在该涂层上的激光线在与该激光线的纵向方向横交的方向中相对移动,同时在这种相对移动期间对该激光线的功率作为该相对移动的速度和该图案在相对移动方向中的尺寸的函数进行时间调制(modulation temporelle)。
在本发明的范围中,"激光线"是以具有比它的横向尺寸更大的纵向尺寸的线的形式进行聚焦的激光束,其通过一个或者数个激光源产生和其在该线的纵向中的所有点同时地通过一个或多个激光源进行照射。因此,激光线通过同时由一个或多个激光源照射该线的整个表面而获得。
对于本发明来说,一个方向(当它与另一个方向形成非零角度时)是相对于该另一个方向是横交的。此外,对于本发明来说,在基材的面的一部分上存在的涂层是连续的,当该涂层基本上覆盖整个该部分时。根据本发明,该涂层的这种连续性质在该热处理步骤期间得到保存。
当使用激光束照射沉积在基材上的涂层时,其中该涂层至少部分地吸收激光辐射,提供足以引起该涂层的晶体和/或化学性质改变的能量。特别地,经由在已经在该涂层中存在的晶核周围的晶体的物理化学生长机理,该提供的能量促进该涂层的结晶,同时保持为固相。该提供的能量还促进,当该涂层与氧化性或者非氧化性反应性气氛接触时,该涂层的化学组成的改变,例如在氧化性气氛存在时通过该涂层的氧化,或者在含氮气氛存在时通过该涂层的氮化。该涂层的晶体和/或化学性质的这种改变通常引起在该涂层的至少一种性质,尤其该涂层的电导率,发射率,辐射的透射(尤其在可见光和/或红外线范围中),辐射的反射(尤其在可见光和/或红外线范围中),辐射的吸收(尤其在可见光和/或红外线范围中),在透射中和/或在反射中的浊度,在反射中和/或在透射中的比色坐标,亲水性,或者光催化活性的改变。
本发明人已经利用激光辐照对该涂层的这些效果以形成该涂层的至少一种性质的调制图案。实际上,该图案根据本发明通过使至少一根在焦平面中具有调节强度的激光线聚焦在该涂层上并且通过随着时间调制这种激光线的功率(同时基材和激光线进行相对移动)而获得。由于激光线的功率随着时间而改变,该涂层的一种或多种性质在相对移动期间在空间上进行调制。
根据本发明的方法允许在涂层中产生任何类型的该涂层的至少一种性质的调制图案,其通过调节激光线的功率的时间调制(作为在基材和激光线之间的相对移动的速度的函数和作为所期望图案的空间结构的函数)来进行。有利地,这种方法可适用于任何尺寸的基材,包括大尺寸的基材,因为激光线的长度能够简单地进行调节以对应于期望图案所有的尺寸。该方法允许在该涂层中产生小尺寸的图案,大约数十微米的图案,其难以使用其它整体处理方法如丝网印刷来实现。激光线的功率的时间调整可以是特别快速的,由此允许实现高分辨率水平和高生产速率。由于本发明,可以快速获得该涂层的至少一种性质的调制图案,甚至对于大尺寸基材也如此,通过使用点激光束的扫描(如用于激光微加工)不是这种情况。而且,借助于快速地调制该激光线的功率的可能性,根据本发明的方法使得可以在生产线上引起在该涂层的性质的调制的空间结构中的快速改变,无论对于同一个基材或者对于在生产线上的一个基材至另一个基材。
应当注意的是,根据本发明的方法不涉及通过从熔融材料开始的冷却的结晶机理,因为这将将需要使涂层升至极其高温以熔化它。有利地,根据本发明的热处理步骤仅仅加热涂层,而不明显加热整个基材,这使得该方法适用于由有机聚合物材料制成的基材。此外,在玻璃基材的情况下,它因此不再需要在切割或者保存该玻璃之前实施该基材的缓慢、受控冷却。
该基材优选是玻璃片材、玻璃陶瓷片材或者有机聚合物材料片材。它优选地是透明的,无色的或者有色的。该玻璃优选地是硅钠钙类型,但是它还可以由硼硅酸盐或者铝硼硅酸盐类型玻璃制成。该优选的有机聚合物材料是聚碳酸酯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚对苯二酸乙二醇酯(PET),聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN),或含氟聚合物如乙烯四氟乙烯(ETFE)。该基材可以是平面的或弯曲的,甚至挠性的。
该基材有利地具有至少一个大于或等于1m,甚至2m,甚至3m的维度。优选地,该基材的主面的表面积大于或等于1m2,更优选地大于或等于1.4m2。在一种有利的实施方案中,经处理的基材是具有1.3m长度和1.1m宽度的平行六面体。在玻璃基材的情况下,该基材的厚度通常在0.5毫米和19毫米之间,优选地在0.7毫米和9毫米之间,尤其在2毫米和8毫米之间,甚至在4毫米和6毫米之间。由有机聚合物材料制成的基材可以具有显著更低的厚度,例如在25微米和100微米之间的厚度。
在玻璃基材的情况下,它优选地是浮法类型玻璃基材,即它可已经经由以下方法获得,该方法在于将该熔化玻璃倾倒在熔融锡浴("漂浮"浴)上。在这种情况下,被施用根据本发明的热处理的涂层可以被沉积或者在该基材的"锡"面上或者在"大气"面上。该术语"大气面"和"锡面"表示该基材分别地与在漂浮浴中上方的大气接触的面和与熔融锡接触的面。该锡面包含已经扩散在该玻璃的结构中的低表面含量的锡。该玻璃基材还可以通过在两个辊之间的辊轧获得,这种工艺特别地允许在该玻璃的表面上印刷图案。
对其施用根据本发明的热处理的涂层可以是单层或者多层,特别地由薄层堆叠体形成。当涂层是层堆叠体时,该涂层的至少一个组成层至少部分地吸收激光辐射。优选地,该涂层的至少一个组成层在激光辐射波长的吸收大于或等于20%,尤其30%。层的吸收被定义为等于从100%减去该层的透射和反射的值。在本发明的范围中,在该热处理期间,可以处理该涂层的仅仅一个层,或者可以处理该涂层的数个层。因此,根据本发明的方法允许产生该涂层的一个或多个组成层的性质的空间调制。
根据本发明的热处理步骤使得在该处理期间基材的与被处理涂层所在的面相反的面的温度不超过150℃。优选地,在该热处理期间,该基材的温度小于或等于100℃,尤其50℃,甚至30℃。它尤其是在该基材的与在其上沉积了该被处理涂层的面相反的面的温度。这种温度可以例如通过测高温术进行测量。
这种特征是由于使用激光辐射实施的热处理具有非常高的热交换系数(高于400W/(m2.s))的事实。优选地,该激光线的平均表面功率密度,当它使用脉冲式激光源产生时,大于或等于103W/cm2,尤其大于或等于103W/cm2,和当它使用以连续方式(连续波,或者CW)或者准连续方式(准连续波,或者QCW)运行的激光源所产生时,大于或等于104W/cm2。这种高能量密度使得可以非常快速地,通常在小于或等于一秒的时间中,尤其在大约毫秒或者数十毫秒的时间中在该处理的涂层处到达该所希望的温度,并因此可以更加限制该处理的持续时间,该产生的热量这时不具有时间扩散到该基材中。
该涂层的所述或者每个组成层优选地是基于至少一种金属、准金属、氧化物、氮化物、碳化物或者硫化物,或者它们的任一种混合物的薄层,尤其选自钛,锡,锆,钒,锌,钨,钽,铌,钼,钇,铬,锰,铁,钴,镍,硅,硼,铜,铟,金,银,铝,选自前述名单的金属的合金,氧化钛,铟和锌或者锡的混合氧化物,用铝或者用镓掺杂的氧化锌,氮化钛,氮化铝或者氮化锆,用铌进行掺杂的氧化钛,镉和/或锡的锡酸盐,用氟和/或用锑进行掺杂的氧化锡。优选地,该涂层的所述或者每个组成层是由金属,准金属,氧化物,氮化物,碳化物或者硫化物,或者其任何混合物组成的薄层。
对于上面列出的层的大部分,该激光辐照允许通过引起该层的结晶状态的改变而改变该层的至少一种性质。
更确切地说,该激光辐照允许局部地提高该层的结晶度,即晶体材料的质量比例或者体积比例,和该晶粒的尺寸(或者通过X-射线衍射法进行测量的该相干衍射区域的尺寸),甚至在某些情况下允许产生特定的结晶形式。
具有高结晶度和因此低残留含量的无定形银的银层具有比主要为无定形的银层更低的发射率(émissivité)和更低的电阻率。根据本发明的热处理,其施用于用至少一个银层涂覆的基材,与在基材和激光线之间的相对移动和该激光线的功率的适当的时间调制,因此允许产生具有该银层的电导率和/或发射率的空间调制图案。
类似地,基于透明导电氧化物(TCO)的层,当它们的结晶度高时,具有更高的电导率。根据本发明的热处理,其施用于用至少一个基于TCO的层涂覆的基材,使用在基材和激光线之间的相对移动和该激光线的功率的适当的时间调制,因此允许产生具有该TCO层的电导率的空间调制图案。
在日光控制或者低发射率窗玻璃的情况下,该涂层通常包含至少一个在两个基于氧化物或者氮化物的薄电介质层之间沉积的基于银的薄层。在该银层下方还可以设置用于促进银的润湿和成核的非常薄的层(例如由氧化锌ZnO制成),和在银层上方可以设置第二非常薄的牺牲层(例如由钛制成,其在其中在氧化性气氛下实施随后的层的沉积的情况下或者在引起氧在堆叠体中迁移的热处理情况下,用来保护银层)。该堆叠体还可以包含数个银层,这些层中每个通常受根据本发明的热处理的实施的影响。当该堆叠体包含氧化锌层时,银层的处理通常还伴随有氧化锌的结晶度的提高。
在氧化钛的情况下,众所周知以锐钛矿形式结晶的氧化钛在使有机化合物退化方面是比无定形氧化钛或者以金红石或者板钛矿形式结晶的氧化钛更有效的。基于氧化钛的涂层优选地是由任选掺杂的氧化钛制成的层。这种层的整个表面优选地与外部接触,使得氧化钛可以完全地发挥它的自清洁功能。为了进一步地改善结晶,该涂层可以包含(在基于氧化钛的层下方)下层,该下层具有促进氧化钛的晶体,尤其锐钛矿形式的氧化钛晶体生长的效果。
对于先前列举的层的大部分,激光辐照还可以允许,当该层与反应性气氛接触时,通过引起该层的化学组成的改变而改变该层的至少一种性质。
因此,当该处理的层是选自金属M、金属M的亚化学计量氧的氧化物、金属M的氮化物、金属M的碳化物、金属M的硫化物的材料的层时,这种层与氧化性气氛接触,该激光辐照允许局部地获得该层的部分氧化。该氧化性气氛优选地是空气,尤其在大气压下。如有必要,可以提高该气氛的氧含量以便进一步地促进该层的氧化。
在某些情况下,该金属或者氮化物层在可见光范围中比对应的氧化物层是更反射性的或者吸收性的。根据本发明的热处理,其施用于用至少一个金属层或者氮化物层涂覆的基材,同时使该层与氧化性气氛接触,其中使在基材和激光线之间相对移动和对激光线的功率进行时间调制,这时允许产生该层的光反射或者光吸收的空间调制图案。这允许获得交替的透明区域和反射性或者吸收性区域,它们按预定设计进行分布,具有产生光透射或者光反射梯度的可能性。
类似地,该金属层是导电的,而该氧化物层是绝缘的。根据本发明的热处理,其施用于用至少一个金属层涂覆的基材,同时使该层与氧化性气氛接触,其中使在基材和激光线之间相对移动和对激光线的功率进行适合的时间调制,因此允许产生具有该层的导电性的空间调制图案。这允许按预定设计,例如以带或者栅格的形式获得导电区域,并因此获得电极。因此可以产生透明的印刷电路,例如通过使由铝制成的导电层或者由硅制成的半导电层局部氧化。
而且,当该处理的层是选自金属M、金属M的氮化物、金属M的亚化学计量氮的氮化物、金属M的碳化物、金属M的硫化物的材料的层时,使这种层与非氧化性含氮气氛接触,该激光辐照允许局部地获得该层的部分氮化。为了实施这种部分氮化,反应性气体可以尤其选自N2,N2O,NH3或NOx。
更一般地,当该处理的层是选自金属M、金属M的氧化物、金属M的氮化物、金属M的碳化物、金属M的硫化物的材料的层时,使这种层与非氧化反应性气氛接触,可以经由不同于氧化或者氮化的反应而局部地改变该层的化学组成,例如经由该层的部分氢化,尤其使用SiH4作为反应性气体,或者经由在含碳气氛下该层的部分碳化,尤其使用乙烯C2H2或者甲烷CH4作为反应性气体。该术语"非氧化反应性气氛"在本文中表示该气氛由至少一种引起与该层的组成元素反应的反应性气体组成,该反应不是该层的氧化。这种气氛然而不是必须地不含氧,并且可以任选地存在微量氧。
优选地,在根据本发明的热处理步骤中使用的激光线通过包括一个或多个激光源以及用于成形和重定向的光学器件的组件产生。
该激光源通常是激光二极管或者纤维或者圆盘激光器。激光二极管允许经济地获得相对于电源功率的高功率密度(由于很小的体积)。纤维激光器的体积甚至是更小的,并且获得的线功率密度可以是更高的,然而具有更高的成本。
术语"纤维化激光器"表示其中产生激光的位置相对于释放激光的位置在空间上是偏移的激光器,其中激光借助于至少一种光学纤维进行释放。
在圆盘激光器的情况下,激光在谐振腔中产生,呈圆盘(例如薄的Yb:YAG圆盘(约0.1毫米厚度))形式的发射介质位于谐振腔中。由此产生的光被偶合至一个或多个被引导向处理位置的光学纤维中。
所述或者每根激光线的辐射波长有利地在100nm至2000nm,特别地100至350nm或者800至1000nm的范围内。根据被处理的涂层的吸收光谱,可以适合的是,使用在选自808nm、880nm、915nm、940nm或者980nm的波长发射功率的激光二极管,或在紫外线区域(在100nm和350nm之间,尤其在240nm和300nm之间)中发射辐射的受激准分子激光器。作为变型,所述或者每根激光线的辐射波长可以在5微米至15微米的范围中,这可使用CO2激光器得到(对于吸收这种辐射的涂层)。在圆盘激光器的情况下,波长是例如1030nm(对于Yb:YAG激光器的发射波长)。对于纤维激光器,波长是例如1070nm。
在非纤维化激光源的情况下,用于成形和重定向的光学器件优选地包含透镜和反射镜并且用作为用于使辐射定位、均匀化和聚焦的工具。定位工具具有将由激光源发射的辐射沿着线进行布置的功能。它们优选包含反射镜。均匀化工具具有使激光源的空间轮廓重叠以便获得沿着整个线均匀的线功率密度。均匀化工具优选地包含用于使入射光束分成次级光束和用于使次级光束重新结合为均匀线的透镜。辐射聚焦手段允许使辐射以具有希望长度和宽度的线的形式聚焦在待处理的涂层上。聚焦手段优选包含聚光透镜。
在纤维化激光源的情况下,用于成形的光学器件优选地以设置在所述或者每个光学纤维的出口处的光学头的形式进行分组。该以所述光学头形式的用于成形的光学器件优选包含透镜、反射镜和棱镜,并且用作为用于使辐射转化、均匀化和聚焦的工具。转化工具包含反射镜和/或棱镜并且用来使在光学纤维的出口获得的圆形光束转化为各向异性的线形状的非圆形光束。为此,该转化工具提高了在它的轴之一(激光线的快轴,或者宽度轴)中的光束的质量和减小在另一个轴(该激光线的慢轴,或者长度轴)中该光束的质量。均匀化工具具有使激光源的空间轮廓重叠以获得沿着整个线的均匀的线功率密度。均匀化工具优选地包含允许入射光束分成次级光束和使所述次级光束重新结合为均匀线的透镜。最后,用于使辐射聚焦的工具允许使辐射以具有希望长度和宽度的线的形式聚焦在工作平面位置,即在要处理的涂层的平面中。聚焦工具优选地包含聚焦反射镜或者聚光透镜。
该用于成形和重定向的光学器件,尤其定位工具,可以手动地或者借助于允许远距离地调节它们的位置的调节器进行调节。这些调节器,其通常是马达或者压电传感器,可以是手动地控制的和/或自动地调节的。在后者情况下,将优选使调节器与检测器以及与反馈回路连接。
至少一部分激光组件,甚至所有激光组件,优选被布置在密封盒子中,其有利地进行冷却,尤其进行通风,以便确保它们的热稳定性。
在本发明的范围中,该激光线的"长度"理解为该激光线的最大维度,即该激光线在它的纵向方向中的维度,和该激光线的"宽度"理解是该激光线在与它的纵向方向垂直的方向中的维度。如在激光领域中是通常的,该激光线的宽度w对应于在该光束的轴(在这里辐射辐射强度为最大的)和点(在这里辐射强度等于最大强度的1/e2倍)之间沿着这种垂直方向的距离。如果激光线的纵向轴被命名为x,可以定义沿着这种轴的宽度分布,其命名为w(x)。
根据一个特征,所述或者每根激光线的平均宽度在10微米和1000微米之间,优选地在30微米和200微米之间。在整个本说明书中,术语"平均"表示算术平均值。在该激光线的整个长度上,宽度分布是窄的以便确保当在涂层中产生该图案时沿着该激光线的均匀处理。因此,在最大宽度和最小宽度之间的差值优选为该平均宽度的值的不超过10%,更优选地不超过5%,甚至3%。
所述或者每根激光线的长度优选地为至少10厘米,优选地在从20cm或者30cm至3m的范围中。优选使用单一激光线以照射该基材的全部或者部分宽度。然而,还可以使用多个按它们纵向方向彼此平行进行排列的激光线,激光线任选地是分开的。
根据一个特征,该激光线使得该激光线的长度与该激光线的平均宽度的比率大于或等于10,优选地大于或等于30。根据一种优选特征,该激光线的长度与该激光线的平均宽度的比率在30和300000之间。
根据一种有利的特征,激光线的纵向方向是与在基材和激光线之间的相对移动的方向基本垂直的。然而激光线相对于相对移动的方向的其它定向也是可能的,并且通常激光线的纵向方向与相对移动的方向形成任何非零的角度。
在一个实施方案中,激光线是固定的并且基材在相对于该激光线的纵向方向的横交方向中平移地移动。有利地,该基材在面对激光线的基本水平面中进行移动。
其它实施方案也是可能的。例如,该基材可以是固定的,而该激光线相对于该基材进行移动,尤其使用移动台架。作为变型,基材和激光线都可以同时进行移动。在基材和激光线之间的相对移动还可以是不同于平移移动的移动,例如旋转移动,或者平移移动和旋转移动的组合。该基材还可以在非水平的平面(例如垂直面,或者在任何其它方向中)中进行移动。
当该基材进行移动时,尤其平移移动时,它可以使用任何机械传送工具,例如使用带、辊、平移托盘、空气垫进行移动。该传送系统允许控制和调整该移动的速度。该传送工具优选包括刚性机架和多个辊。在用柔性有机聚合物材料制成的基材的情况下,该基材的移动可以使用呈一系列辊形式的薄膜前进系统进行实施。在这种情况下,平面性可以通过适当选择在辊之间的距离进行确保,同时考虑基材的厚度并因此它的柔韧性,和该热处理可具有的对可能下垂的产生的影响。
还可以使激光器移动以便调节它与基材的距离,这特别地当基材是弯曲的时候可以是有用的,但不仅仅在这种情况下是有用的。特别地,对于所述或者每根激光线,对于在该激光线的焦平面和要处理的涂层之间的距离的绝对值优选地是小于或等于1毫米,尤其0.5毫米,甚至0.3毫米甚至0.1毫米。如果用于使基材移动的体系或者该激光器关于在焦平面和基材之间的距离不是足够精确的,优选地可以调节在激光器和基材之间的距离。这种调节可以是自动的,尤其借助于在热处理上游的距离测量进行调节。
根据本发明的方法可以在它的数个面上被提供有涂层(特别地在它的两个主面中每个上提供有涂层)的基材上进行实施。在这种情况下,所述面之一的或者每个面的至少一个涂层根据本发明进行处理。当在该基材的两个主面上沉积的涂层根据本发明方法进行处理时,可以通过相同的或不同的技术同时地或依次地处理在每个面上的涂层,特别地取决于该处理的涂层的层的期望改变是相同的或不同的。
在一个实施方案中,将该热处理步骤同时地施用于在该基材的两个对立面上沉积的两个涂层。这种实施方案可以使用两根分开的激光线进行实施,每根激光线聚焦在两个涂层之一上。作为变型,这种实施方案可以使用同时地处理该两个涂层的单一激光线进行实施,该基材在这种情况下优选地在该激光辐射的波长处是弱吸收性的或者非吸收性的。
该基材和该形成激光线的激光源的所有相对位置是可能的,只要它们允许令人满意地照射该涂层。当基材水平地进行布置时,所述或者每个激光源通常进行布置以便照射该基材的上部面和/或下部面。当该基材的两个主面要进行处理时,可以使用数个位于该基材的任一侧上的激光源,无论基材是在水平位置、垂直位置或者沿着任何倾斜度的位置。这些激光源可以是相同的或者不同的,特别地它们的波长可以是不同的。
在该基材和每根激光线之间的相对移动速度有利地为至少1m/min,尤其3m/min或者4m/min或者5m/min,甚至6m/min或者7m/min,或者8m/min甚至9m/min或者10m/min。为了限制在产生图案期间该基材相对于激光线的位置的不确定性,在基材和每根激光线之间的相对移动速度在该处理期间改变不超过10%(相对),尤其2%甚至1%,相对于它的额定值。
根据一种有利的特征,该激光线的功率的时间调整通过在时间上调制该形成激光线的一个或多个激光源的输入电信号而获得。对于本发明来说,术语"激光源的输入电信号"表示提供给该激光源的电流或者提供给该激光源的电功率。
从形成激光线的一个或多个激光源的输入电信号的时间调制开始,为了获得激光线的功率的时间调整的响应时间是或长或短的,并且取决于所述或者每个激光源的开启和中止时间。因此,使用根据本发明的方法可以获得的分辨率,即在相对移动的方向上能够获得的最小的图案维度由所述或者每个激光源的开启和中止时间、由在基材和激光线之间的相对移动速度和由该激光线的宽度确定。激光源的开启和中止时间被定义为从由该源发射的功率的额定值(在脉冲式激光源的情况下,功率的包迹)的10%变化至90%(或者相反地)所需要的时间。因此,用于其开启和中止时间为约100微秒的激光源来说,可以获得其在相对移动方向中的维度为约50微米的图案。对于其开启和中止时间为约2毫秒的激光源来说,可以获得其在相对移动方向的维度为约1毫米的图案。对于其开启和中止时间为约20毫秒的激光源,可以获得其在相对移动方向的维度为约1厘米的图案。可以通过调制由所述源发射的功率(而不完全地关掉它们)来限制激光源的开启和中止时间的影响。
在本发明的一个实施方案中,该涂层的至少一种性质的调制图案(其具有空间周期性)通过施加该激光源的输入电信号(其频率等于在基材和激光线之间的相对移动速度与图案的周期的比率)的时间调制而获得。
在本发明的另一个实施方案中,该涂层的至少一种性质的调制图案(无空间周期性)通过在该基材和该激光线的相对移动期间改变该激光源的输入电信号的时间调制而获得。
有利地,当激光线使用多个独立激光源形成时,该输入电信号的时间调制可以对于形成激光线的激光源彼此是不同的。因此可以沿着该激光线局部地调节功率,这允许在该激光线的纵向方向中调制该涂层的至少一种性质。这允许进一步提高在该涂层的性质的空间调制中的灵活性。
根据已经提到的优选特征,该激光线在该焦平面中的表面功率密度是大于或等于103W/cm2。这种功率可以使用以连续方式(连续波或者CW)或者准连续方式(准连续波或者QCW)运行的具有高的单位长度功率(尤其高于10W/mm)的激光源或者通过使用较低的平均功率(尤其低于100mW/mm)的脉冲式激光源产生。在脉冲式激光源的情况下,用于处理该基材的方法是更有效的,这是因为没有时间发生热扩散。激光线在焦平面中的功率必须考虑热扩散的影响进行调节。
在一个实施方案中,所述或者每个形成该激光线的激光源是连续源或者准连续源。
在另一个实施方案中,所述或者每个形成该激光线的激光源是脉冲源。在这种情况下,对该发射的脉冲的功率进行时间调制。当该辐射是脉冲式时,重复频率有利地是至少10kHz,尤其15kHz,甚至20kHz,以便与所使用的调制和移动速度是可相容的。
在一个实施方案中,该激光线是固定的和该基材具有至少一个第一维度和至少一个第二维度,该维度是相互横交的,该方法包括至少一个第一步和至少一个第二步骤,使得:
-在第一步骤中,使该基材与它的第一维度平行地并与该激光线的纵向方向横交地进行平移移动,和对该激光线的功率进行时间调制;
-在第二步骤中,使该基材与它的第二维度平行地并与该激光线的纵向方向横交地进行平移移动,和对该激光线的功率进行时间调制。
在这种实施方案中,该基材的涂层经历至少两个连续的热处理步骤,第一步骤在一个方向中和第二步骤在与第一热处理步骤的方向横交的方向中。根据本发明的方法因此允许使该涂层的一种或多种性质按照栅格进行结构化,具有至少两个产生该栅格的方向。
有利地,根据本发明的方法包含,在该涂层的热处理步骤之前,在该基材上沉积涂层的所述或者每个层的步骤。优选地,沉积该涂层的所述或者每个薄层的步骤通过磁场增强阴极溅射(磁控管方法),或者通过化学气相沉积(CVD),尤其等离子体-增强的化学气相沉积(PECVD),在真空下或者在大气压下,或者经由真空蒸发方法进行实施。
本发明的另一主题是用于被提供有至少一个涂层的基材的热处理装置,以在该涂层中产生具有该涂层的至少一种性质的空间调制图案,这种装置包含:
-一个或多个激光源以及能够产生至少一根激光线的用于成形以及重定向的光学器件;
-移动工具,其能够在运行期间施加该基材和该激光线在与该激光线的纵向方向横交的方向中的相对移动,以及使该激光线聚焦在涂层上,
-用于作为相对移动速度的函数和作为图案在相对移动的方向上的尺寸的函数对该激光线的功率进行时间调制的工具。
根据本发明的热处理装置可以被集成到层沉积线中,例如用于通过磁场增强的阴极溅射(磁控管方法)的沉积作业线,或化学气相沉积(CVD)作业线,尤其等离子体-增强的化学气相沉积(PECVD)作业线,在真空下或在大气压下。该作业线通常包含用于处理该基材的装置、沉积装置、光控制装置和堆叠装置。该基材例如在传送辊上依次在每个装置或者每个设备前面通过。
根据本发明的热处理设备优选刚好位于该涂层沉积装置后面,例如在该沉积装置的出口。该经涂覆的基材因此可以在涂层沉积之后,在该沉积装置的出口并在光学控制装置之前,或在该光学控制装置之后并且在该基材堆叠装置之前在线进行处理。
该热处理设备还可以被集成到该沉积装置中。例如,该激光可以被引入到该阴极溅射沉积装置的腔室之一中,特别地在其中大气被抽空的腔室中,尤其在10-6毫巴至10-2毫巴的压力下。该热处理装置还可以被设置于在该沉积装置的外部,但为了处理位于在所述设备内部的基材。为此目的,提供对所使用的辐射的波长是透明的舷窗是足够的,该激光辐射穿过该舷窗来处理该涂层。因此可以在相同的设备中在随后沉积另一个层之前处理涂层(例如银层)。
无论该热处理设备在沉积装置外面或被集成到在沉积装置中,这些"在线"方法是比"再启动(en reprise)"方法更优选的,在该"再启动"方法中将需要在沉积步骤和热处理步骤之间堆叠该玻璃基材。
在与其中实施沉积的地点不同的地点(例如在其中实施该玻璃转化的地点)实施根据本发明的热处理的情况下,该"再启动"方法然而可以是有益的。该热处理设备这时可以被集成到与该层沉积作业线不同的作业线中。例如,它可以被集成到用于生产多层窗玻璃,尤其双层或者三层窗玻璃的作业线中,或者集成到用于生产层压窗玻璃的作业线中,或者集成到用于生产弯曲和/或者淬火窗玻璃的作业线中。经层压或者弯曲或者淬火的窗玻璃可以用作为建筑物和汽车的窗玻璃。在这些不同的情况中,根据本发明的热处理优选地在制备多层窗玻璃或层压窗玻璃之前进行实施。然而,热处理还可以在制备多层窗玻璃或者层压窗玻璃之后进行实施。
本发明主题还是基材,尤其由非淬火玻璃或者有机聚合物材料制成的基材,其可以经由先前描述的方法获得,其在它的至少一个面的至少一部分上被提供有包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案的连续涂层。
根据一个特征,该基材,或者该基材的一部分(其有效地携带连续涂层,该涂层包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案)具有至少一个大于或者等于0.5m,尤其1m,甚至2m甚至3m的维度。优选地,该连续涂层(包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案)的表面积大于或等于1m2,更优选地大于或等于1.4m2。在一种有利的实施方案中,经处理的基材是具有1.3m长度和1.1m宽度的平行六面体。本发明的优点是可以快速地获得该涂层的至少一种性质的调制图案,甚至对于大尺寸基材也如此,该图案具有高分辨率水平。
根据本发明的一个方面,该基材的涂层的图案由一系列并列线或者线部分形成,其中该涂层的性质的值在不同线之间变化和对于该涂层的性质的值变化的特征尺寸(与该线的纵向方向横交地获得)是在10微米至1000微米,优选地10微米至200微米之间的公称尺寸的倍数。
在一个实施方案中,该基材的涂层的图案是该涂层的性质的连续变化的图案。
特别地,根据一种特征,该基材的涂层的图案由一系列并列的线或者线部分组成,该涂层的性质的值从一根线至另一根线连续地变化。这时,该涂层的至少一种性质的空间调制图形是具有该涂层的性质的(与该图案的并列线或者线部分的纵向方向垂直地)连续变化的图案。该涂层的性质的这种连续变化例如可以通过根据正弦类型信号或者三角类型信号的函数对激光线功率进行时间调制而获得。
在一个实施方案中,基材被提供有至少一个包含并列的具有不同方块电阻值的线状区域的连续薄层。在另一个实施方案中,该基材被提供有至少一个包含并列线状区域(具有不同的它们的光学和/或能量性质的值)的连续薄层。在本发明的范围中,该一般术语"光学和/或能量性质"表示包含辐射透射,辐射反射,辐射吸收,透射和/或反射浊度,在反射中和/或在透射中的比色坐标的性质类别。
最后,本发明主题是如上所述的基材在单层、多层或者层压窗玻璃,反射镜,室内家具元件,墙壁覆盖物中,尤其在汽车或者建筑领域中的用途。该涂层的图案可以用于装饰目的。作为变型,该涂层的图案可以用于功能目的,如以下情况,例如,用于加热窗玻璃,其中该图案可以允许改善该窗玻璃的均匀性的加热强度,用于不透明化窗玻璃,其中该图案可以允许控制穿过该窗玻璃的可见光的量,或者用于日照控制窗玻璃,其中图案可以允许调节太阳热的增加。如果该涂层是低辐射的堆叠体,和在包含至少两个通过气体腔分开的基材的多层窗玻璃的情况下,优选的是,该堆叠被布置在与该气体腔接触的面上,尤其在相对于外部的面2上,即在与建筑物的外部接触的基材的面上(与朝向外部的面相反),或者在面3上,即在从建筑物的外部开始的第二基材的面(朝向外部)上。如果该涂层是光催化层,它优选地被布置在面1上,因此与该建筑物外部接触。
本发明的有利应用,同时出于美学目的和功能目的,是使光透射或者另一种性质的调制周期图案位于在两个设置在窗玻璃的两个面上的涂层中,同时使该两个涂层的图案之间的错位(或者相移)。举例来说,通过使深色带和透明带在第一基材上设置为周期交替或者使深色带和透明带在第二基材上设置为另一种周期交替,可以通过彼此相对地设置两个基材获得其光透射性质可作为两个基材的带的相对定位的函数进行调节的窗玻璃。
本发明的另一种有利应用是制备由玻璃或者有机聚合物材料制成的透明基材,其外边缘具有零光透射。当需要隐藏设置在该基材的边缘处的技术零件时,这种具有不透明边缘的透明基材是尤其所寻求的,下面正是这种情况:例如对于电致变色装置,其中希望掩饰在该装置边缘上存在的"母线"。对于这种应用,根据本发明的方法构成丝网印刷的优良替换,特别地用于不经受高温的基材。
本发明主题还是如上所述的基材在层状电子装置中的用途,尤其作为携带根据预定设计所成形的电极的基材,例如呈带或者栅格形式,其可以有利地是透明电极。如上所述的基材可以特别地用于有机电致发光二极管(OLED)装置、光电装置或者电致变色装置。
本发明的特征和优点将在随后的根据本发明的方法和基材的数个实施例的描述中呈现,这种描述仅仅作为举例给出并且参考附图,其中:
- 附图1是根据本发明方法获得的在它的一个面上被提供有涂层的基材的俯视图,该涂层包含涂层的至少一种性质的空间调制图案,附图1的下部分显示了用作为激光源的输入所施用的方形波类型电功率(实施例1和2);
- 附图2是根据本发明方法获得在它的一个面被提供有涂层的基材的俯视图,该涂层包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案,附图2的下部分显示用作为激光源的输入的正弦波类型电功率(实施例3);
- 附图3和4是根据本发明方法获得的在它的一个面上被提供有涂层的基材的俯视图,该涂层包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案,该方法包含两个连续的在两个互相垂直方向中的热处理步骤以便产生栅格,附图3和4的下部分显示用作为用于每个热处理步骤的激光源的输入的方形波类型的电功率(实施例4和5)。
在实施例中,使用的变量是下列:
- 光透射,在标准NF EN 410的意义上,标记为TL并且用%表示,
- 光反射,在标准NF EN 410的意义上,标记为RL并且用%表示,
- 方块电阻,标记为Rc并且用欧姆表示,
- 在283K的温度下的标准发射率,使用5至50微米的光谱范围中的反射光谱根据标准EN 12898进行计算,标记为εn并且用%表示。
实施例1
通过磁控管方法使用钛靶在氩等离子体下将6nm厚的金属钛层沉积在由硅钠钙玻璃制成的基材的主面上,该玻璃经由漂浮方法获得然后切割为L=6m和宽度=3.3m的长方形。
对由此涂覆的基材在空气中使用由lnGaAs激光二极管类型的激光源形成的激光线进行处理,该激光源是在900nm至1000nm的波长发射的准连续源。该激光线具有3.3m的长度,其等于基材的宽度,和50µm的平均宽度。激光线的宽度在该线的长度上是均匀的,使得在最大宽度和最小宽度之间的差值为平均值的3%,即1.5µm。
将基材放置于辊式传送机上以便在与它的长度平行地在方向X上行进。该激光线是固定的并且设置在该基材的被涂覆面的上方,其中它的纵向方向Y与该基材的行进方向X垂直地(即沿着该基材的宽度)延伸,其在整个这种宽度上延伸。
调节该激光线的焦平面的位置以便当基材被放置在传送机上时在钛层的厚度中,该激光线的在该焦平面位置的平均表面功率密度为105W/cm2。
使基材在激光线下方以10m/min的速度行进,该速度改变不超过1%(相对)。在该基材在激光线下方的行进期间,作为激光二极管的输入施用方形波类型电功率Pelec,如在附图1的底部可见,该附图1显示Pelec作为时间t的函数的变化。方形波信号Pelec(t)的周期是1.2s和脉冲持续时间为300ms。
如在附图1中所示,获得这样的基材,其涂层包含具有等于5cm宽度(与该基材的长度平行)的经处理的氧化钛带(其产生自在将该激光线的100%功率(其对应于矩形波信号Pelec(t)的波峰)施用于该层时,与空气接触的金属钛层的氧化),这些氧化钛带与未经处理的具有等于15cm宽度(与基材的长度平行)的金属钛带进行交替。该经处理的氧化钛带具有83%的光透射TL和12%的光反射RL,而未经处理的金属钛带具有42%的光透射TL和23%的光反射RL。该经涂覆的基材因此具有条纹状外观。
实施例2
如同在实施例1中,对由硅钠钙玻璃制成的基材施用根据本发明的热处理,该基材经由漂浮方法获得然后切割为L=6m和宽度=3.3m的长方形,其在它的主面之一上已经通过磁控管方法使用钛靶在氩等离子体下涂敷了6nm厚的金属钛层。
在实施例2中,用于实施该热处理的激光线由被耦合在300微米纤心直径的光纤中的Yb:YAG圆盘激光器类型的激光源形成,其在1030nm波长发射。该激光线具有3.3m的长度,其等于基材的宽度,和50µm的平均宽度。激光线的宽度在该线的长度上是均匀的,使得在最大宽度和最小宽度之间的差值为平均值的3%,即1.5µm。
如同在实施例1中,将基材放置于辊式传送机上以便与它的长度平行地在方向X上行进。该激光线是固定的并且设置在该基材的被涂覆面的上方,其中它的纵向方向Y与该基材的行进方向X垂直地(即沿着该基材的宽度)延伸,在整个这种宽度上延伸。
调节该激光线的焦平面的位置以便当基材被放置在传送机上时在钛层的厚度中,该激光线的在该焦平面处的平均表面功率密度为105W/cm2。
使基材在激光线下方以10m/min的速度行进,该速度改变不超过1%(相对)。在该基材在激光线下方的行进期间,作为激光源的输入施用方波类型电功率Pelec的控制电压,如在附图1的底部可见,该附图1显示了Pelec作为时间t的函数的变化。方形波信号Pelec(t)的周期是1.2s和脉冲持续时间为300ms。
如此获得如在附图1中所示的基材,其涂层包含具有等于5cm宽度(与该基材的长度平行)的经处理的氧化钛带(其产生自在将该激光线的100%功率(其对应于矩形波信号Pelec(t)的波峰)施用于该层时,与空气接触的金属钛层的氧化),这些氧化钛带与未经处理的具有等于15cm宽度(与基材的长度平行)的金属钛带进行交替。该经处理的氧化钛带具有83%的光透射TL和12%的光反射RL,而未经处理的金属钛带具有42%的光透射TL和23%的光反射RL。
实施例3
如同在实施例1和2中,对由硅钠钙玻璃制成的基材施用根据本发明的热处理,该基材经由漂浮方法获得然后切割为L=6m和宽度=3.3m的长方形,其在它的主面之一上已经通过磁控管方法使用钛靶在氩等离子体下涂敷了6nm厚的金属钛层。
在实施例3中,用于实施该热处理的激光线由脉冲式激光源形成,具有400fs的脉冲持续时间和500kHz的重复速度并且在1040nm的波长发射。该激光线具有3.3m的长度(其等于基材的宽度),和50µm的平均宽度。激光线的宽度在该线的长度上是均匀的,使得在最大宽度和最小宽度之间的差值为平均值的3%,即1.5µm。
将基材放置于辊式传送机上以便与它的长度平行地在方向X上行进。该激光线是固定的并且设置在该基材的被涂覆面的上方,其中它的纵向方向Y与该基材的行进方向X垂直地(即沿着该基材的宽度)延伸,在整个这种宽度上延伸。
调节该激光线的焦平面的位置以便当基材被放置在传送机上时在钛层的厚度中,该激光线的在该焦平面位置的平均表面功率密度为103W/cm2。
使基材在激光线下方以10m/min的速度行进,该速度改变不超过1%(相对)。当该基材在激光线下方的行进期间,作为激光源的输入,施用正弦波类型的电功率Pelec,如在附图2的底部可见,该附图2显示了Pelec作为时间t的函数的变化。正弦信号Pelec(t)的周期为1.2s,其允许对该激光源的脉冲的功率如在附图2中示意显示地进行时间调制,其中仅仅几个脉冲已经显示在该正弦信号包迹中。
如附图2所示,获得其涂层包含它的光透射TL和的它的光反射RL的调制图案的基材,该图案具有15厘米的空间周期性,其中在该基材的长度方向中具有TL和RL交替地提高和降低的梯度。最高TL的区域,其具有等于83%的TL和等于12%的RL,是当该激光线的100%功率(其对应于正弦信号Pelec(t)的波峰)被施用于该层时由与空气接触的金属钛层的氧化产生的氧化钛带。最低TL的区域,其具有等于42%的TL和等于23%的RL,是未经处理的金属钛带,其对应于正弦信号Pelec(t)的波谷。
实施例4
在由硅-钠-钙玻璃制成的基材的主面上以已知方式经由磁控管方法沉积了包含银层的薄层堆叠体,所述银层为该玻璃提供低发射率性质,该玻璃经由漂浮方法获得然后切割成具有3.3m边长的正方形。
这种堆叠按顺序(从基材直至外表面)包含下列氧化物、金属或者氮化物层,几何厚度在括号中指出:玻璃/ SnO2(20nm) / ZnO(15nm) / Ag(8.5nm) / Ni-Cr / ZnO(15nm)/ Si3N4(25nm)。
在实施例4中,该方法包含两个连续热处理步骤,第一步是与在实施例1中施用于该经涂覆的基材的处理相同的,其中该基材与它的侧边之一C1平行地行进,和第二步骤也是与在实施例1中施用于该经涂覆的基材的处理相同的,但是基材这次与它的另一个侧边C2(其与侧边C1垂直)平行地行进。这种第二步骤在附图3中进行示意说明。
如在附图3中所示,获得其涂层包含呈栅格形式的该涂层的性质的调制图案的基材,该栅格的格条(brins)是宽度等于5cm的经处理的带,其在它们之间界定具有边长15cm的正方形的未经处理的区域。该经处理的带具有方块电阻4.5Ω的Rc和5.0%的标准发射率εn,而该未经处理的区域具有5.5Ω的方块电阻Rc和6.0%的标准发射率εn。获得的窗玻璃因此具有允许控制太阳热增加的反射红外辐射的开孔图案。
实施例5
在由硅钠钙玻璃制成的基材的主面上以已知方式经由磁控管方法使用钛靶在氩等离子体下沉积6nm厚的金属钛层,该玻璃经由漂浮方法获得然后切成3.3m边长的正方形状。
如在实施例4中,该方法包含两个连续的热处理步骤。第一步是和在实施例1中施用于经涂覆的基材的处理基本上相同的,其中基材与它的侧边之一C1平行地行进,不同在于作为激光二极管的输入施用方波电功率Pelec(t)(在附图4的底部可见的),其中信号的周期是3毫秒和脉冲持续时间是300微秒。第二步骤是与第一步相同的,但是该基材这次与它的另一个侧边C2平行地行进,C2与侧边C1垂直。这种第二步骤在附图4中进行举例说明。
如在附图4中所示,获得其涂层包含呈栅格形式的该涂层的导电性的调制图案的基材,该栅格的格条是宽度等于50微米的未处理的带,该带在它们之间界定具有边长500微米的正方形的经处理区域。该经处理区域具有2000Ω的方块电阻Rc,而未经处理的带具有400Ω的方块电阻Rc。获得的窗玻璃因此在它的表面上包含导电栅格。
Claims (27)
1.用于获得基材的方法,该基材在它的至少一个面的至少一部分上被提供有涂层,该涂层包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案,特征在于该方法包括使用激光辐射对在该基材上沉积的连续涂层进行热处理的步骤,其中在热处理之前该涂层至少部分地吸收该激光辐射,这种热处理步骤使得对该基材使用以至少一根激光线的形式被聚焦在涂层上的激光辐射进行照射,保持该涂层是连续的并且不熔化该涂层,使该基材和该聚焦在该涂层上的激光线在与该激光线的纵向方向(Y)横交的方向(X)中进行相对移动,同时在这种相对移动期间,作为该相对移动的速度(v)和该图案在相对移动方向(X)中的尺寸的函数对该激光线的功率(Plas)进行时间调制。
2.根据权利要求1的方法,特征在于该涂层在热处理之前是单层。
3.根据权利要求1的方法,特征在于该涂层在热处理之前是层堆叠体,其至少一个层至少部分地吸收激光辐射。
4.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于该涂层在热处理之前包含至少一个基于至少一种金属、准金属、氧化物、氮化物、碳化物或者硫化物,或者它们的任一种混合物的层。
5.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于激光线的纵向方向(Y)是与相对移动的方向(X)基本垂直的。
6.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于激光线是固定的并且使基材在相对于该激光线的纵向方向(Y)的横交方向(X)中平移地移动。
7.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于通过对每个形成激光线的激光源的输入电信号进行时间调制来对该激光线的功率(Plas)进行时间调制。
8.根据权利要求7的方法,特征在于该图案具有空间周期性并且该激光源的输入电信号的时间调制的频率等于在基材和激光线之间的相对移动速度与图案的周期的比率。
9.根据权利要求7的方法,特征在于该激光源的输入电信号的时间调制在该基材和该激光线的相对移动期间进行改变。
10.根据权利要求7的方法,特征在于当激光线使用多个独立激光源形成时,该输入电信号的时间调制对于形成激光线的激光源彼此是不同的。
11.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于所述激光线的平均宽度在10微米至1000微米之间。
12.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于该激光线在该焦平面中的平均表面功率密度是大于或等于103W/cm2。
13.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于每个形成该激光线的激光源是连续源或者准连续源。
14.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于每个形成该激光线的激光源是脉冲式源,并且对该发射的脉冲的功率进行时间调制。
15.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于该激光线是固定的和该基材具有至少一个第一维度(L; C1)和第二维度(; C2),所述维度是彼此横交的,该方法包括至少一个第一步骤和第二步骤,使得:
-在第一步骤中,使该基材与它的第一维度(L; C1)平行地并与该激光线的纵向方向(Y)横交地进行平移移动,并对该激光线的功率(Plas)进行时间调制;
-在第二步骤中,使该基材与它的第二维度(; C2)平行地并与该激光线的纵向方向(Y)横交地进行平移移动,和对该激光线的功率(Plas)进行时间调制。
16.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于在该相对移动的速度(v)为至少3m/min。
17.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于在该热处理期间,该基材的与被处理涂层相反的面的温度小于或等于100℃。
18.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于该涂层,一旦处理后,包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案,该性质选自电导率、发射率、辐射的透射率、辐射的反射率、辐射的吸收率、浊度、比色坐标、亲水性、光催化活性。
19.根据权利要求1-3任一项的方法,特征在于它,在热处理步骤之前,包含在基材上沉积该涂层的每个层的步骤。
20.用于处理被提供有至少一个涂层的基材的装置,以在该涂层中产生具有该涂层的至少一种性质的空间调制图案,特征在于这种装置包含:
-一个或多个激光源以及能够产生至少一根激光线的用于成形和重定向的光学器件;
-移动工具,其能够在运行期间施加该基材和该激光线在与该激光线的纵向方向(Y)横交的方向(X)中的相对移动,同时使该激光线聚焦在涂层上,
-用于作为相对移动速度(v)的函数和作为图案在相对移动的方向(X)上的尺寸的函数对该激光线的功率进行时间调制的工具。
21.基材,其经由根据权利要求1-19任一项的方法获得,这种基材在它的至少一个面的至少一部分上被提供有包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案的连续涂层。
22.根据权利要求21的基材,特征在于包含该涂层的至少一种性质的空间调制图案的连续涂层的表面积大于或等于1m2。
23.根据权利要求21或22任一项的基材,特征在于该涂层的图案由一系列并列线或者线部分形成,其中该涂层的性质的值在不同线之间改变。
24.根据权利要求21-22任一项的基材,特征在于该涂层的图案是具有该涂层的性质的连续变化的图案。
25.根据权利要求21-22任一项的基材,该基材被提供有至少一个包含并列的线状区域的连续薄层,该线状区域具有不同方块电阻值。
26.根据权利要求21-22任一项的基材,该基材被提供有至少一个包含并列的线状区域的连续薄层,该线状区域具有不同的它们的光学或能量性质的值。
27.根据权利要求21-22任一项的基材在单层、多层或者层压窗玻璃,反射镜,室内家具元件,墙壁覆盖物、层状电子设备中的用途。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1354730 | 2013-05-24 | ||
FR1354730A FR3005878B1 (fr) | 2013-05-24 | 2013-05-24 | Procede d'obtention d'un substrat muni d'un revetement |
PCT/FR2014/051193 WO2014188127A1 (fr) | 2013-05-24 | 2014-05-21 | Procede d'obtention d'un substrat muni d'un revetement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105392591A CN105392591A (zh) | 2016-03-09 |
CN105392591B true CN105392591B (zh) | 2018-01-26 |
Family
ID=48980061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480041925.9A Expired - Fee Related CN105392591B (zh) | 2013-05-24 | 2014-05-21 | 用于获得提供有涂层的基材的方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10301712B2 (zh) |
EP (1) | EP3003631B1 (zh) |
JP (1) | JP6553595B2 (zh) |
KR (1) | KR20160012179A (zh) |
CN (1) | CN105392591B (zh) |
CA (1) | CA2912805A1 (zh) |
EA (1) | EA201592240A1 (zh) |
FR (1) | FR3005878B1 (zh) |
TW (1) | TWI632973B (zh) |
WO (1) | WO2014188127A1 (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3006068B1 (fr) * | 2013-05-24 | 2015-04-24 | Saint Gobain | Procede d'obtention d'un substrat |
FR3040319B1 (fr) * | 2015-08-25 | 2017-11-24 | Saint Gobain | Appareil laser modulaire |
CN108118331A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 杭州巨星工具有限公司 | 一种螺丝批头及螺丝批头的制造方法 |
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JP7105639B2 (ja) | 2018-07-05 | 2022-07-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
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FR2950878B1 (fr) * | 2009-10-01 | 2011-10-21 | Saint Gobain | Procede de depot de couche mince |
US9010965B2 (en) * | 2011-01-21 | 2015-04-21 | Clear Align Llc | System and apparatuses providing laser illumination with reduced or zero speckle |
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JP2014021213A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Ohara Inc | 光学部品および光学部品の製造方法 |
-
2013
- 2013-05-24 FR FR1354730A patent/FR3005878B1/fr active Active
-
2014
- 2014-05-21 KR KR1020157036030A patent/KR20160012179A/ko not_active Ceased
- 2014-05-21 WO PCT/FR2014/051193 patent/WO2014188127A1/fr active Application Filing
- 2014-05-21 CA CA2912805A patent/CA2912805A1/fr not_active Abandoned
- 2014-05-21 JP JP2016514465A patent/JP6553595B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-21 EA EA201592240A patent/EA201592240A1/ru unknown
- 2014-05-21 CN CN201480041925.9A patent/CN105392591B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-21 US US14/893,421 patent/US10301712B2/en active Active
- 2014-05-21 EP EP14731698.8A patent/EP3003631B1/fr active Active
- 2014-05-22 TW TW103117905A patent/TWI632973B/zh not_active IP Right Cessation
-
2019
- 2019-05-08 US US16/406,747 patent/US20190330728A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160168679A1 (en) | 2016-06-16 |
EP3003631B1 (fr) | 2023-06-07 |
TWI632973B (zh) | 2018-08-21 |
WO2014188127A1 (fr) | 2014-11-27 |
JP2016531062A (ja) | 2016-10-06 |
CA2912805A1 (fr) | 2014-11-27 |
FR3005878A1 (fr) | 2014-11-28 |
US20190330728A1 (en) | 2019-10-31 |
EP3003631A1 (fr) | 2016-04-13 |
EA201592240A1 (ru) | 2016-05-31 |
TW201518023A (zh) | 2015-05-16 |
US10301712B2 (en) | 2019-05-28 |
CN105392591A (zh) | 2016-03-09 |
KR20160012179A (ko) | 2016-02-02 |
JP6553595B2 (ja) | 2019-07-31 |
FR3005878B1 (fr) | 2016-05-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180126 |