DES0036673MA

DES0036673MA -

Info

Publication number: DES0036673MA
Authority: DE

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

Tag der Anmeldung: 9. Dezember 1953 Bekanntgemacht am 12. Juli 1956Date of filing: December 9, 1953 Advertised on July 12, 1956

DEUTSCHES PATENTAMTGERMAN PATENT OFFICE

Es ist bekannt, Transistoranordnungen mit einem sogenannten Hook z<u versehen, dadurch, daß ein zusätzlicher p-n-Übergang dicht hinter bzw. vor einen an sich vorhandenen p-n-Übergang geschaltet wird. Es entsteht auf diese Weise eine n-p-n-p-Anordriling, wobei die beiden inneren Zörie'n' kleiner als die DifEusionslängen sind. Bei dieser Anordnung sind beispielsweise an die η-Zone eine Emitterelektrode, an die äußere p-Zone eine Kollektorelektrode und an die mittlere p-Zone eine Basiselektrode gelegt, so daß die innere η-Zone frei von Elektroden bleibt und ein Raumladungsgebiet erzeugt. Diese Zone wird als Hook bezeichnet. Derartige Anordnungen sind beispielsweise auch als Phototransistoren benutzt worden. Hierbei wird ein zusatzliebes Potentialgefälle für die unter Einwirkung des Lichtes hervorgebrachten Ladungsträger bewirkt und dadurch die Empfindlichkeit der Photozelle verstärkt. Der Phototransistor ist daher insgesamt' eine p-n-p- bzw. n-p-n-Anordnung, da die dritte Elektrode hier durch den Lichtstrahl ersetzt ist.It is known to provide transistor arrangements with a so-called hook z <u, in that a additional p-n junction connected close behind or in front of an existing p-n junction will. In this way an n-p-n-p arrangement is created, whereby the two inner Zörie'n 'are smaller than are the diffusion lengths. In this arrangement, for example, an emitter electrode is attached to the η zone, a collector electrode is placed on the outer p-zone and a base electrode is placed on the middle p-zone, so that the inner η-zone remains free of electrodes and creates a space charge area. This Zone is called a hook. Such arrangements are, for example, also as phototransistors been used. Here is an additional love Causes a potential gradient for the charge carriers produced under the influence of light and thereby increases the sensitivity of the photocell. The phototransistor is therefore as a whole ' a p-n-p or n-p-n arrangement, since the third electrode is replaced here by the light beam is.

Das Herstellen einfacher p-n- bzw. n-p-Übergänge ist bei der heute entwickelten Technik verhältnismäßig einfach. Insbesondere können solche Übergänge beim Kristallziehverfahren aus der Schmelze hergestellt werden, indem die Schmelze während des Ziehverfahrens durch Zusatz eines Ak-The production of simple p-n or n-p junctions is proportionate with the technology developed today simple. In particular, such transitions in the crystal pulling process from the Melt are produced by the melt during the drawing process by adding an ac-

fm 549/401 fm 549/401

S 36673 VIII c 121 g S 36673 VIII c 121 g

zeptors oder Donators umdotiert wird. Das Herstellen mehrerer derartiger aufeinanderfolgender p-n-Schichten ist jedoch verhältnismäßig schwierig, und die Schwierigkeit nimmt mit jeder zusätzlichen Übergangsschicht zu, weil jede neue Schicht entgegengesetzten Leitungstypus innerhalb des Kristalls eine neue Umdotierung der Schmelze notwendig macht und dadurch die Gesamtzahl von Donatoren und. Akzeptoren in dem weiterhin ankristallisierenden Rest des Kristalls stark erhöht wird.receptors or donors is redoped. The production of several such consecutive However, p-n layers are relatively difficult, and the difficulty increases with each additional one Transition layer too, because each new layer has the opposite conductivity type within the crystal makes a new redoping of the melt necessary and thus the total number of Donors and. Acceptors in the remainder of the crystal that continues to crystallize on are greatly increased will.

Es ist nun bereits bekanntgeworden, einen Transistor mit Hookwirkung dadurch herzustellen, daß zunächst ein Halbleiterkörper mit drei Zonen unterschiedliehen Leitungstypus hergestellt wird, insbesondere einer η-leitenden, p-leitenden und eigenleitenden Zone, von denen die η-leitende Zone als Basis und die eigenleitende Zone als Kollektor benutzt wird. Der Emitteranschluß wird anschließend durch einen Spitzkontakt hergestellt, welcher auf der Basiszone dicht neben dem Übergang zur mittleren p-leitenden Zone angeordnet wird. Die mittlere p-leitende Zone ohne Elektrodenanschluß erzeugt dann die Hookwirkung. Diese Anordnung hat jedoch den Nachteil eines unsymmetrischen Aufbaus.It has now become known to produce a transistor with a hook effect in that first a semiconductor body with three zones of different conductivity types is produced, in particular an η-conducting, p-conducting and intrinsic zone, of which the η-conducting zone as Base and the intrinsic zone is used as a collector. The emitter terminal is then produced by a pointed contact, which is on the base zone close to the transition to the middle p-type zone is arranged. The middle p-conductive zone is produced without an electrode connection then the hook effect. However, this arrangement has the disadvantage of being asymmetrical Construction.

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung, vorzugsweise Transistor, mit zwei oder mehr Übergängen zwischen Zonen von unterschiedlichem Leitungstypus und zusätzlichem Hook. Erfindungsgemä'ß wird der Nachteil der bekannten Halbleiteranordnungen dadurch vermieden, daß mindestens zwei solchen Übergängen je eine Spitzelektrode, vorzugsweise Emitter- oder Kollektorelektrode symmetrisch zueinander zugeordnet ist, so daß sich zwischen, beiden Spitzen mindestens eine schmale Leitungszone mit mindestens zwei Übergängen befindet. Durch diese Maßnahme erhält man einen symmetrisch aufgebauten Hooktransistor, welcher in beiden Richtungen betrieben werden kann.The invention relates to a semiconductor arrangement, preferably a transistor, with two or more transitions between zones of different line types and additional hooks. According to the invention the disadvantage of the known semiconductor arrangements is avoided in that at least two such transitions each have a pointed electrode, preferably an emitter or collector electrode is symmetrically assigned to each other, so that between the two tips at least there is a narrow line zone with at least two transitions. By this measure it gets a symmetrically constructed hook transistor, which operated in both directions can be.

Es sind zwar auch Spitzentransistoren bekannt, bei welchen zwischen den beiden Spitzen eine Leitungszone mit zwei Übergangszonen zwischen Zonen unterschiedlichen Leitungstypus angeordnet ist. Diese bekannte Transistoranordnung weist jedoch eine über sämtliche Zonen verschiedenen Leitungstypus sich erstreckende gemeinsame Basiselektrode auf, wodurch die gemäß der Erfindung erstrebte Hookwirkung nicht zustande kommen kann.Tip transistors are also known in which there is a conduction zone between the two tips arranged with two transition zones between zones of different conduction types is. This known transistor arrangement, however, has a different configuration across all zones Conduction type extending common base electrode, whereby the aspired according to the invention Hook effect can not come about.

Der Transistor nach der Erfindung eignet sichThe transistor according to the invention is suitable

besonders für Verstärkerzwecke, da die Stromverstärkung bei einer derartigen Anordnung erheblich größer ist als bei den bisher benutzten Transistoren.'especially for amplifier purposes, since the current gain in such an arrangement is considerable is larger than with the previously used transistors. '

In der Zeichnung ist eine Ausführungsform der Einrichtung nach der Erfindung beispielsweise dargestellt. In the drawing, an embodiment of the device according to the invention is shown for example.

Die Figur zeigt eine symmetrische Transistoranordnung, welche aus zwei η-leitenden Zonen η ■ und n' sowie einer dazwischenliegenden schmalen p-leitenden Zone besteht. Die η-leitende Zone wird als Basis B und diejenige, n', wird als Kollektor C benutzt. Erfindungsgemäß sind zwei als Spitzkontakte ausgebildete Emitterelektroden E₁ und E₂ auf den beiden Zonen w und n' dicht neben den Übergangen zur mittleren p-Zone angeordnet. Die mittlere Zone p ruft die gewünschte Hookwirkung hervor. The figure shows a symmetrical transistor arrangement which consists of two η-conductive zones η ■ and n ' and a narrow p-conductive zone in between. The η-conductive zone is used as base B and that 'n' is used as collector C. According to the invention, two emitter electrodes E ₁ and E _{2 designed} as pointed contacts are arranged on the two zones w and n ' close to the transitions to the middle p-zone. The middle zone p produces the desired hook effect.

In entsprechender Weise lassen sich gegebenenfalls derartige Hooks auch bei Spitzentransistoren durch zusätzliche Anordnungen geeigneter auf der Oberfläche orientierter Steuerspitzenelektroden erzeugen. Gegebenenfalls können auch eine, oder mehrere Zonen Intrinsicbereiche sein.In a corresponding manner, hooks of this type can also be used in the case of tip transistors generated by additional arrangements of suitable control tip electrodes oriented on the surface. If necessary, one or more zones can also be intrinsic areas.

Claims

75 claims:

1. Semiconductor arrangement, preferably transistor, with two or more junctions between Zones of different line types and additional hook, characterized in that that at least two such junctions each have a tip electrode, preferably an emitter or collector electrode, symmetrically is assigned to each other, so that there is at least one narrow line zone between the two tips with at least two transitions.

2. Semiconductor arrangement according to claim 1, characterized in that two or two to each other opposing and possibly symmetrical hooks are present.

3. Semiconductor arrangement according to claim 1 and 2, characterized in that one or multiple zones are intrinsic areas.

4. Semiconductor arrangement according to Claims 1 to 3, characterized in that at least a base electrode is placed on one of the conductivity zones.

Considered publications:
U.S. Patent Nos. 2623105, 2623103; German interpretation document M 15913 VIIIc / 2ig
(Patent 910,193). . '

1 sheet of drawings