DE977455C - Schaltungsanordnung mit Kristalltriode zur Ausloesung eines Relais - Google Patents
Schaltungsanordnung mit Kristalltriode zur Ausloesung eines RelaisInfo
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
Die Verwendung von Kristalltrioden, beispielsweise von Germaniumtrioden, zur Verstärkung
energiearmer elektrischer Signale ist bekannt. Beispielsweise können energiearme, elektrische Signale
so weit verstärkt werden, daß ein normales Relais zum Ansprechen gebracht wird. Wegen der ständigen
Betriebsbereitschaft und des geringen Energiebedarfs eignen sich besonders Germaniumtrioden
als Verstärkerelemente in Relaisanordnungen. Soll ein Relais auf geringe Wechselstromsignale hin ansprechen,
so bietet demnach die notwendige Verstärkung dieser Wechselstromsignale durch Germaniumtrioden
keine Schwierigkeiten. Häufig treten in der Technik jedoch nur geringfügige Gleichstromänderungen,
beispielsweise Photoströme, auf, die als in Widerstandsänderungen umgesetzte Signale zur Auslösung eines Relais herangezogen
werden sollen. Um eine Auslösung des Relais zu bewirken, müssen die geringfügigen Gleichstromänderungen
ebenfalls verstärkt werden. Für eine Verstärkung von Gleichströmen sind jedoch die
Germaniumtrioden weniger gut geeignet, da, um nennenswerte Verstärkungen zu erzielen, schwer
herstellbare Trioden mit sehr hohem Stromverstärkungsfaktor erforderlich sind. Überdies weisen die
Trioden bei niedrigeren Frequenzen einen frequenzabhängigen Rauschanteil, den sogenannten Funkeleffekt,
auf. Das mittlere Rauschspannungsquadrat einer Triode pro Hz Bandbreite nimmt umgekehrt
mit der Frequenz zu. Aus diesem Grunde ist die Übertragung der Frequenz Null durch den Funkeleffekt
begrenzt.
Zur Erzeugung von sinusförmigen Schwingungen ist bereits eine Schaltungsanordnung einer Kristalltriode
bekannt, bei welcher in der Basiszuleitung ein Schwingkreis und in der Emitter- und Kollektorzuführung
je ein Widerstand liegt.
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung mit Kristalltriode zur Auslösung eines Relais
durch in Widerstandsänderungen umgesetzte Signale mittels Verschiebung des ausgangsseitigen
ίο Gleichstromarbeitspunktes der Kristalltriode durch das Einsetzen oder Abreißen einer Schwingung im
instabilen Arbeitsbereich der Kristalltriode, bei welcher in der Basiszuleitung ein Rückkopplungsschwingkreis S, in der Emitterzuleitung ein Widerstand
Rß und in der Kollektorzuleitung ein Widerstand
Rc Hegt, und besteht darin, daß die Basiselektrode
B durch eine mit einer den Gleichstrom abblockenden Kapazität C in Reihe liegenden Impedanz
3t entweder mit der Emitterelektrode E oder mit der Kollektorelektrode K unmittelbar verbunden
ist und daß an der Emitterelektrode £ die Spannung Null oder eine kleine negative Vorspannung
gegenüber der Basiselektrode liegt, so daß eine geringe Änderung des in der Emitterzuleitung
liegenden Widerstandes RE und/oder eine geringe Änderung der in Reihe zur Kapazität C liegenden
Impedanz St einen Kollektorstrom bewirkt, der zur Auslösung eines Relais dient.
Mit der Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung gelingt es, die bei bekannten Anordnungen
auftretenden Schwierigkeiten zu vermeiden und außerdem eine Relaisauslösung besonders hoher
Empfindlichkeit zu erreichen. Die Schaltungsanordnung nach der Erfindung weist weiterhin den
Vorteil auf, daß das Einsetzen und Abreißen der durch die Verschiebung des eingangsseitigen
Gleichstromarbeitspunktes bewirkten Kristalltriodenschwingung völlig stabil erfolgt.
An Hand der Ausführungsbeispiele in den Fig. 1, 3 und 4 wird der schaltungstechnische Aufbau gemäß
der Erfindung dargestellt und unter Zuhilfenahme der in Fig. 2 gezeigten graphischen Darstellung
die Wirkungsweise der Erfindung erläutert. In den Ausführungsbeispielen tragen gleiche
Schaltungselemente, die auch dieselben Funktionen ausüben, gleiche Bezeichnungen.
Im Ausführungsbeispiel der Schaltungsanordnung nach der Erfindung in Fig. 1 ist eine Germaniumtriode
mit ihrer Emitterelektrode E, ihrer Kollektorelektrode K und ihrer Basiselektrode B
dargestellt. In der Emitterzuleitung liegt der Widerstand RE mit einem parallelgeschalteten Kondensator.
Der Widerstand Rc in der Kollektorzuleitung kann beispielsweise durch die Wicklung
eines zu betätigenden Relais gebildet sein. Der Widerstand in der Basiszuleitung wird durch einen
Schwingkreis 5" gebildet. Zwischen die Emitterelektrode
E und die Basiselektrode B ist eine Reihenschaltung aus einer Impedanz 3Ϊ und einer
Kapazität C geschaltet. Die Impedanz 9ΐ ist vorzugsweise
ein rein ohmscher Widerstand R. Die in Reihe dazu geschaltete Kapazität C verhindert
einen Gleichstromfluß über diese Impedanz 91. Die Emitterelektrode E weist bei einer Kristalltriode
vom η-Typ gegenüber der Basiselektrode B eine Spannung Null oder eine kleine negative Vorspannung
auf. Das charakteristische Verhalten von Kristalltrioden ist durch das ohmsche Verhalten
der Stromverstärkungstrioden in einzelnen unterschiedlichen Bereichen gekennzeichnet. Beispielsweise
zeigt eine Kristalltriode mit α > ι im Sperrbereich
einen hochohmigen differentiellen Widerstand
—T-r-
während im Durchlaßbereich ein nie-
derohmiger Widerstand auftritt und zwischen diesen beiden bevorzugten Bereichen ein instabiler
Übergangsbereich mit negativem Widerstandsverhalten vorliegt. Eine in diesem instabilen Bereich
betriebene Kristalltriode schwingt. Das Einsetzen oder Abreißen der Schwingung der Kristalltriode
im instabilen Arbeitsbereich läßt sich gemäß der Erfindung durch sehr kleine Änderungen des
Emitterstromes hervorrufen. Durch die erregte Schwingung wird der ausgangsseitige Gleichstromarbeitspunkt
des Kollektors, der durch den mittleren Strom- und Spannungswert des Kollektors gegeben
ist, beträchtlich verschoben. Mit dem Einsetzen der Schwingung wird die Spannung am Kollektor
erheblich herabgesetzt, während der Kollektorstrom um etwa 1 bis 2 mA zunimmt. Bei einem
Widerstand Rc in der Kollektorzuleitung von der Größe 2 kOhm entspricht das einer Leistungsabgabe
von 2 bis 8 mW, die zur Auslösung eines Relais vollkommen ausreicht. Die durch die Erregung
der Schwingung entstehende Wechselstromenergie ist im allgemeinen geringer. Sie beträgt
etwa den vierten Teil der Gleichstromenergie und kann gleichgerichtet zur weiteren Vermehrung der
Gleichstromenergie dienen. In besonderen Fällen kann die zur Relaisbetätigung verfügbare Ausgangsleistung
der Kristalltriode weiter erhöht werden, indem die Wechselstromenergie durch weitere
Stufen mit Kristalltrioden oder auch mit Röhren in bekannter Weise weiter verstärkt wird. Um ein
übliches Relais zum Ansprechen zu bringen, reicht jedoch die nach der Erfindung vorgenommene
Gleichstromarbeitspunktverschiebung auf der Ausgangsseite aus. Die im Emitterkreis aufzubringende
Stromänderung, die notwendig ist, um eine Triode, wie sie für die der Erfindung zugrunde liegende
Untersuchung verwendet wurde, aus dem Ruhezustand in den Schwingzustand zu versetzen, liegt
in der Größenordnung von 0,1 bis 0,2 mA. Die Anordnung hatte bei einem Widerstand des Emitterkreises
von etwa 400 Ohm eine Leistungsaufnahme von etwa 4 bis I6μW, was einem Leistungsgewinn
von etwa 30 db entspricht. Der Rauschpegel der Kristalltriode ist dabei vernachlässigbar klein. Ein
scharfes Einsetzen und Abreißen der Schwingung einer Kristalltriode vom η-Typ, beispielsweise
einer Germaniumtriode, wird dadurch erreicht, daß an der Emitterelektrode E gegenüber der Basiselektrode
die Spannung Null oder eine kleine negative Vorspannung liegt. Die Triode schwingt dann
nur in einer Halbwelle einer Sinusschwingung oder in einem Bruchteil davon, während der Emitter in
der anderen Halbwelle als Gleichrichter wirkt. Durch entsprechende Wahl der Widerstände in der
Basis-, Emitter- und in der Kollektorzuleitung können die gewünschten Potentialverhältnisse an der
Emitter- und Basiselektrode hergestellt werden. Um die Anordnung gemäß der Erfindung betriebsbereit
zu machen, ist es demnach notwendig, die Emitterelektrode gegenüber der Basiselektrode gering
negativ vorzuspannen oder zumindest auf ίο gleiches Potential zu legen. Dadurch bewirkt sowohl
eine Verkleinerung des in der Emitterzuleitung liegenden Widerstandes RE als auch eine Vergrößerung
der Impedanz 5R zwischen Emitter- und Basiselektrode ein Anheben des Emitterpotentials
gegenüber dem Potential der Basis. Ein noch so geringer positiver Potentialunterschied der Emitterelektrode
gegenüber der Basiselektrode verschiebt den Eingangsarbeitspunkt auf der Emitterstromspannungskennlinie
in den instabilen Bereich, in
ao welchem die Kristalltriode schwingt. Ein kleiner Emitterstrom, der Signalstrom, bewirkt demnach
den Einsatz einer Schwingung der Kristalltriode, die zur Verlagerung des Kollektorarbeitspunktes
führt und ein entsprechend zugeschaltetes Relais zum Ansprechen bringt. Als besonders empfindlich
erweist sich die Schaltungsanordnung nach der Fig. ι für kleine Änderungen des Widerstandes RE
in der Emitterzuleitung und insbesondere auch für kleine Änderungen der Impedanz 3Ϊ.
Die Darstellung in Fig. 2 erläutert den Zusammenhang zwischen dem Schwingungszustand der
Kristalltriode und Änderungen der beispielsweise einen ohmschen Widerstand R darstellenden Impedanz
JTi und des Widerstandes RE in der Emitterzuleitung.
Wird der Widerstand R bei konstantem Wert Rg vergrößert, so setzt bei einem bestimmten
Wert, z. B. R", die Schwingung ein. Verkleinert man schließlich den Widerstand R bei konstantem
Wert RI;, so reißt bei dem Wert R' die Schwingung
ab. Das gleiche gilt für die Änderung des Widerstandes Rn bei konstantem Wert R. So liegt beispielsweise
der Schwingungseinsatz bei dem Wert RE" und das Abreißen der Schwingung bei
dem Wert RE', wenn R bei dem Wert R" konstant
bleibt. Innerhalb des von den Grenzen G1 und G2
eingeschlossenen Streifens sind beide Zustände der Germaniumtriode, d. h. sowohl der Schwingungsais auch der Ruhezustand, möglich.
Gemäß dem in Fig. 2 dargestellten Zusammenhang können sehr kleine Änderungen des Widerstandes R genügen, um ein stabiles Abreißen oder
Einsetzen der Schwingung der Germaniumtriode zu bewirken. Die erforderliche geringe Änderung
des einzelnen Widerstandes kann noch weiter herabgesetzt werden, wenn gleichzeitig beide Widerstände,
nämlich der Widerstand in der Emitterzuleitung RE und der Widerstand R bzw. die Impedanz
5R entsprechend eines oder mehrerer Signale geändert werden. Allerdings müssen dabei, um ein
Ansprechen des Relais zu gewährleisten, die Widerstandsänderungen entgegengesetzt verlaufen. Die
in Fig. 2 wiedergegebenen Kurven sind in gewissen Grenzen von der benutzten Frequenz sowie von der
Art und der Güte der Germaniumtriode abhängig. Bei der Kristalltriode, die für die der Erfindung
zugrunde liegenden Untersuchungen verwendet wurde, hat sich eine Schwingungskreisfrequenz von
etwa 70 kHz als günstig erwiesen. Germaniumtrioden mit großem Stromverstärkungsfaktor
schwingen besonders stark, so daß es sich empfiehlt, einen kleinen Dämpfungswiderstand Rm (10 bis
100 Ohm), wie in Fig. 3 dargestellt, in die Basiszuführung zu legen und so weit zu vergrößern, bis
das Einsetzen und Abreißen der Schwingung stabil erfolgt. Eine gleiche Wirkung wird durch eine
kleine negative Vorspannung am Emitter erzielt. Das in Fig. 3 gezeigte Beispiel einer Schaltungsanordnung
nach der Erfindung weist einen solchen Widerstand i?ni in der Basiszuleitung auf.
Der Darstellung in Fig. 2 kann weiter entnommen werden, daß die Abnahme des Widerstandes R
das Aussetzen und die Verkleinerung des Widerstandes RE das Einsetzen der Schwingung der
Triode hervorruft. Soll durch Widerstandszunahme sowohl das Einsetzen als auch das Abreißen der
Schwingung der Kristalltriode hervorgerufen werden, so kann das Einsetzen der Schwingung durch
ein Vergrößern des Widerstandes R und das Aussetzen der Schwingung durch ein Vergrößern des
Widerstandes RE erreicht werden.
Mittels zweier Germaniumtrioden, die mit gleichen Widerständen ausgerüstet sind, kann eine Relaisauslösung
erfolgen, sobald ein gewisser Wider- Standsbereich nach oben oder nach unten überschritten
wird. Während eines Betriebszustandes des Relais befindet sich die eine Kristalltriode im
Schwingungszustand und die andere im Ruhezustand. Beide arbeiten dabei unabhängig voneinander
auf dasselbe Relais. Die Relaisbetätigung erfolgt durch eine gleichartige Änderung der Impedanz
5R oder des Widerstandes RE jeder der beiden
Kristalltrioden. Wird dagegen die Impedanz 9ΐ der
einen Kristalltriode und der Widerstand RE der anderen
Kristalltriode als jeweiliger Auslösungswiderstand verwendet, SO' werden sich während
eines bestimmten Betriebszustandes des Relais beide Kristalltrioden im gleichen Zustand, entweder
im Schwingzustand oder im Ruhezustand, befinden.
Die Impedanz kann als ohmscher, kapazitiver oder induktiver Widerstand ausgebildet sein, so
daß als Widerstandsänderung außer den ohmschen auch kleine Kapazitäts- oder Induktivitätsänderungen
auftreten können. Der Wert des Widerstandes R kann zweckmäßig im Bereich von 0,5 bis
2 kOhm liegen. Es steht somit ein weiter Bereich für die Wahl dieses auslösenden Widerstandes zur
Verfügung.
In Fig. 4 ist noch eine weitere Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung gezeigt, bei der die
Basiselektrode B durch den mit der Kapazität C in Reihe liegenden Widerstand R bzw. die Impedanz 5R
nicht mit der Emitterelektrode E, sondern mit der Kollektorelektrode K unmittelbar verbunden ist.
Zwischen der Änderung des Widerstandes R bzw. der Impedanz 3ΐ in dieser Anordnung und der An-
derung des Widerstandes RE besteht ein ähnlicher
Zusammenhang, wie er an Hand der Darstellung in Fig. 2 für die Änderung des Widerstandes RE und
eines Basis und Emitter verbindenden, mit einem Kondensator C in Reihe liegenden Widerstandes R
bzw. der Impedanz JR erläutert wurde. Der Wert eines zwischen Basis und Kollektor in Reihe zu
einem Kondensator C liegenden Widerstandes R bzw. Impedanz St kann zweckmäßig zwischen 2
ίο und 20 kOhm liegen.
Claims (5)
- PATENTANSPRÜCHE:i. Schaltungsanordnung mit Kristalltriode zur Auslösung eines Relais durch in Widerstandsänderungen umgesetzte Signale mittels Verschiebung des ausgangsseitigen Gleichstromarbeitspunktes der Kristalltriode durch das Einsetzen oder Abreißen einer Schwingung im instabilen Arbeitsbereich der Kristalltriode, bei welcher in der Basiszuleitung ein Rückkopplungsschwingkreis (S), in der Emitterzuleitungas ein Widerstand (Re) und in der Kollektorzuleitung ein Widerstand (Rc) liegt, dadurch gekenn zeichnet, daß die Basiselektrode (B) durch eine mit einer den Gleichstrom abblockenden Kapazität (C) in Reihe liegende Impedanz (iR) entweder mit der Emitterelektrode (E) oder mit der Kollektorelektrode (K) unmittelbar verbunden ist und daß an der Emitterelektrode (E) die Spannung Null oder eine kleine negative Vorspannung gegenüber der Basiselektrode liegt, so daß eine geringe Änderung des in der Emitterzuleitung liegenden Widerstandes (Re) und/oder eine geringe Änderung der in Reihe zur Kapazität (C) liegenden Impedanz (UR) einen Kollektorstrom bewirkt, der zur Auslösung eines Relais dient.
- 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß in der Basiszuleitung ein Dämpfungswiderstand (Rju) liegt.
- 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleich-Stromänderung auf der Kollektorseite durch Gleichrichtung der verstärkten Schwingung der Kristalltriode vergrößert wird.
- 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Kristalltrioden unabhängig voneinander so auf dasselbe Relais arbeiten, daß sich in einem bestimmten Betriebszustand des Relais die eine Kristalltriode im Schwingzustand und die andere im Ruhezustand befindet und daß die Relaisbetätigung durch eine gleichartige Änderung der Impedanz (£R) oder des Widerstandes (RE) in der Emitterzuleitung jeder der beiden Kristalltrioden bewirkt wird.
- 5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Kristalltrioden unabhängig voneinander so auf dasselbe Relais arbeiten, daß sich in einem bestimmten Betriebszustand des Relais beide Kristalltrioden im Schwingzustand oder im Ruhezustand befinden und daß die Relaisbetätigung durch gleichartige Änderung der Impedanz (JR) der einen Kristalltriode und des Widerstandes (RE) in der Emitterzuleitung der anderen Kristalltriode bewirkt wird.In Betracht gezogene Druckschriften:Britische Patentschrift Nr. 349 584; USA.-Patentschrift Nr. 2208455;Zeitschrift für Physik, Bd. 89, 1934, S. 826 bis 833;Zeitschrift »ETZ«, 71, Jahrgang 1950, S. 133 bis 137;Zeitschrift »RCA Review«, Bd. 10, März 1949, S. 14;Zeitschrift »Bell System Technical Journal«, Juli 1949, S. 394;Mitteilungen der deutschen Patentanwälte, 48, 1957, S. 81 bis 83;Geffcken und Richter, »Die Photozelle in der Technik«, 4. Auflage, 1942, S. 47 bis 53.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen0 609 612/18 6.66
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DEB15015A DE977455C (de) | 1951-05-17 | 1951-05-17 | Schaltungsanordnung mit Kristalltriode zur Ausloesung eines Relais |
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DE977455C true DE977455C (de) | 1966-06-23 |
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Citations (2)
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---|---|---|---|---|
GB349584A (en) * | 1928-11-27 | 1931-05-26 | Dubilier Condenser Co 1925 Ltd | A new or improved electric amplifier |
US2208455A (en) * | 1938-11-15 | 1940-07-16 | Gen Electric | Dry plate electrode system having a control electrode |
-
1951
- 1951-05-17 DE DEB15015A patent/DE977455C/de not_active Expired
Patent Citations (2)
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---|---|---|---|---|
GB349584A (en) * | 1928-11-27 | 1931-05-26 | Dubilier Condenser Co 1925 Ltd | A new or improved electric amplifier |
US2208455A (en) * | 1938-11-15 | 1940-07-16 | Gen Electric | Dry plate electrode system having a control electrode |
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