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DE97473T1 - Bestimmung der dicke einer schicht oder bestimmung der aenderung thermischer charakteristiken in der tiefe durch empfang thermischer wellen. - Google Patents

Bestimmung der dicke einer schicht oder bestimmung der aenderung thermischer charakteristiken in der tiefe durch empfang thermischer wellen.

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DE97473T1
DE97473T1 DE198383303411T DE83303411T DE97473T1 DE 97473 T1 DE97473 T1 DE 97473T1 DE 198383303411 T DE198383303411 T DE 198383303411T DE 83303411 T DE83303411 T DE 83303411T DE 97473 T1 DE97473 T1 DE 97473T1
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DE
Germany
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detector device
thermal
measured
substrate
oscillation signals
Prior art date
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Pending
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DE198383303411T
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English (en)
Inventor
Allan Danville California 94526 Rosencwaig
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Therma Wave Inc
Original Assignee
Therma Wave Inc
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Publication date
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Publication of DE97473T1 publication Critical patent/DE97473T1/de
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Claims (45)

OBERSETZUNG DER PATENTANSPRÜCHE DER EUROPÄISCHEN PATENTANMELDUNG 83 303 411.9 Anmelder: THERMA-WAVE, INC. ANSPRÜCHE T22 P2 D/EU '
1. Verfahren zur Bewertung der Dicke einer Materialschicht oder von Materialschichten auf einem Substrat durch Messung entweder der Phasen- oder Amplituden-Parameter von Wärmeschwingungssignalen, die durch eine fokussierte, periodische Wärmequelle erzeugt sind, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
Fokussieren der periodischen Wärmequelle auf die oberste Schicht, die auf dem Substrat niedergeschlagen ist;
Messen des Wertes eines der Parameter der Wärmeschwingungssignale, das in der Probe erzeugt ist, bei wenigstens einer ausgewählten Modulationsfrequenz der Quelle; und
Vergleichen des erhaltenen Wertes dieses einen Parameters mit einem vorgegebenen Wert dieses einen Parameters, der einer Bezugsprobe zugeordnet ist, so daß die Dicke der Schicht bewertet werden kann.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein halbleitendes Material ist, wie beispielsweise Silicium.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeschwingungssignale mit einer Einrichtung gemessen werden, die die schwingende Temperatur des beheizten Fleckens auf der Oberfläche des Substrats detektiert.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung eine Vorrichtung mit einer fotoakustischen Zelle aufweist.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung durch einen Laser definiert ist, der die periodische Erwärmung eines Mediums in Kontakt mit dem erwärmten Fleck auf der Oberfläche des Substrates abfühlt.
6. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung durch einen Infrarotdetektor definiert ist, der die periodischen Infrarotemissionen von dem beheizten Fleck auf der Oberfläche des Substrats abfühlt.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeschwingungssignale mit einer Einrichtung gemessen werden, die die schwingenden Wärmeverlagerungen der Oberfläche des Substrates am beheizten Fleck detektiert.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung eine Lasersonde aufweist.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung ein Laserinterferometer aufweist.
10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeschwingungssignale mit einer Einrichtung zum Detektieren der akustischen Signale gemessen werden, die durch die Wärmeschwingungen erzeugt werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung einen Ultraschallwandler aufweist.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung eine Lasersonde aufweist.
13. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung ein Laserinterferometer aufweist.
14. Verfahren zum Bestimmen der Dicke eines Materialschicht oder von Materialschichten, die auf einem Substrat niedergeschlagen ist bzw. sind, durch Messen entweder der Phasen- oder der Amplituden-Parameter von Wärmeschwingungssignalen, die durch eine fokussierte periodische Wärmequelle erzeugt sind, gekennzeichnet durch folgende Schritte: Fokussieren der periodischen Wärmequelle auf die oberste Schicht, die auf dem Substrat niedergeschlagen ist;
Messen des Wertes eines der Parameter des Wärmeschwingungssignals bei einer Vielzahl von ausgewählten Modulationsfrequenzen der Quelle, wobei die Anzahl der ausgewählten Modulationsfrequenzen größer ist als die Anzahl der Lagen, deren Dicke bestimmt werden soll; Normieren der gemessenen Werte des Parameters jeder gewählten Modulationsfrequenz relativ zum Wert des Parameters, der für eine Bezugsprobe bestimmt ist; und
Vergleichen der normierten Werte mit erwarteten normierten Werten, die von einem Modell abgeleitet sind, das den Wärmeprozeß in der Probe abbildet, so daß die Dicke der Schichten bestimmt werden kann.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeschwingungssignale mit einer Einrichtung gemessen werden, die die schwingende Temperatur des erwärmten Fleckens auf der Oberfläche der obersten auf dem Substrat niedergeschlagenen Schicht detektiert.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung eine Vorrichtung mit einer fotoakustischen Zelle aufweist.
17. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung durch einen Laser definiert ist, der die periodische Erwärmung eines Mediums in Kontakt mit dem erwärmten Flecken auf der Oberfläche der obersten auf dem Substrat niedergeschlagenen Schicht abfühlt.
18. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung durch einen Infrarotdetektor definiert ist, der die periodischen Infrarotemissionen von dem erwärmten Fleck auf der Oberfläche der obersten auf dem Substrat niedergeschlagenen Schicht abfühlt.
19. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzercnnet, daß die Wärmeschwingungssignale mit einer Einrichtung gemessen werden, die die schwingenden Wärmeverlagerungen der Oberfläche der obersten auf dem Substrat niedergeschlagenen Schicht am beheizten Fleck detektiert.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung eine Lasersonde aufweist.
21. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung ein Laserinterferometer aufweist.
22. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeschwingungssignale mit einer Einrichtung zum Detektieren der akustischen Signale gemessen werden, die durch die Wä'rmeschwingungen erzeugt werden.
23; Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung einen Ultraschallwandler aufweist.
24. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung eine Lasersonde aufweist.
25. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung ein Laserinterferometer aufweist.
26. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der gemessene Parameter die Phase der Wärmeschwingungssignale ist und die Werte dadurch normiert werden, daß der Wert der Phase der Bezugs probe von der Phase des mehrschichtigen Substrats subtrahiert wird.
27. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der gemessene Parameter die Amplitude der Wärmeschwingungssignale ist und daß die Werte dadurch normiert werden, daß ein Verhältnis des von der Bezugsprobe gewonnenen Wertes zum von dem Mehrschichtensubstrat gewonnenen Wert genommen wird.
28. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Vergleich der gemessenen normierten Werte mit den vom Modell abgeleiteten normierten Werten nach der Methode der kleinsten Quadrate durchgeführt wird.
29. Verfahren zum Bestimmen der Änderung der thermischen Charakteristiken in Abhängigkeit von der Tiefe in einer ungleichförmigen Probe, in der Verunreinigungen oder Defekte enthalten sind, durch Messen entweder des Phasen- oder Amplituden-Parameters von Wärmeschwingungssignalen, die durch eine fokussierte periodische Wärmequelle in der Probe erzeugt werden, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
Fokussieren der periodischen Wärmequelle auf die ungleichförmige Probe; Messen der Werte eines der Parameter des in der ungleichförmigen Probe erzeugten Wärmeschwingungssignals bei einer Vielzahl von ausgewählten Modulationsfrequenzen;
Normieren des gemessenen Wertes des Parameters bei jeder Modulationsfrequenz relativ zum Wert des Parameters, der für eine Bezugsprobe bestimmt wurde; und
Vergleichen der normierten Werte mit erwarteten normierten Werten, die von einem Modell abgeleitet sind, das den thermischen Prozeß in den Proben abbildet, wobei das Modell für die ungleichförmige Probe dadurch gekennzeichnet ist, daß es in eine Vielzahl von hypothetischen Schichten unterteilt ist, die jede die gleiche Dicke haben, wobei die Anzahl der Schichten kleiner ist als die Anzahl der ausgewählten Modulationsfrequenzen, so daß die thermischen Charakteristiken der hypothetischen Schichten und die Tiefenvariation dieser thermischen Charakteristiken in der ungleichförmigen Probe bestimmt werden können.
30. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die thermischen Charakteristiken die Wärmeleitfähigkeiten der hypothetischen Schichten sind und daß ferner der Schritt vorgesehen ist, die Konzentration der Verunreinigungen oder Defekte in der Probe mit Variationen in der thermischen Leitfähigkeit zu korrelieren, derart, daß ein Profil der Verunreinigungen oder Defekte in Abhängigkeit von der Tiefe erhalten werden kann.
31. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Messungen des einen Parameters bei einer Vielzahl von Modulationsfrequenzen genommen werden, so daß die Auflösung der Tiefenvariationen erhöht ist.
32. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeschwingungssignale mit einer Einrichtung gemessen werden, die die schwingende Temperatur des beheizten Fleckens auf der Oberfläche der ungleichförmigen Probe detektiert.
33. Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung eine Vorrichtung mit einer fotoakustischen Zelle aufweist.
34. Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung durch einen Laser definiert ist, der die periodische Erwärmung eines Mediums in Kontakt mit dem erwärmten Fleck auf der Oberfläche der ungleichförmigen Probe abfühlt.
35. Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung durch einen Infrarotdetektor definiert ist, der die periodischen Infrarotemissionen von dem beheizten Fleck auf der Oberfläche der ungleichförmigen Probe abfühlt.
36. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeschwingungssignale mit einer Einrichtung gemessen werden, die die schwingende Wärmeverlagerung der Oberfläche der ungleichförmigen Probe am beheizten Fleck detektiert.
37. Verfahren nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung eine Lasersonde aufweist.
38. Verfahren nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung ein Lasen nterferometer aufweist.
39. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeschwingungssignale mit einer Einrichtung gemessen werden, die die akustischen Signale detektiert, die von den Wärmeschwingungen erzeugt werden.
40. Verfahren nach Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung einen Ultraschallwandler aufweist.
41. Verfahren nach Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung eine Lasersonde aufweist.
42. Verfahren nach Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung ein Laserinterferometer aufweist.
43. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß der gemessene Parameter die Phase der Wärmeschwingungssignale ist und die Werte
dadurch normiert werden, daß der Wert der Phase der Bezugsprobe von der Phase der ungleichförmigen Probe subtrahiert wird.
44. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß der gemessene Parameter die Amplitude der Wärmeschwingungssignale ist und daß die
Werte dadurch normiert werden, daß ein Verhältnis des von der Bezugsprobe gewonnenen Wertes zum von der ungleichförmigen Probe gewonnenen Wert genommen wird.
45. Verfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß der Vergleich der gemessenen normierten Werte mit den vom Modell abgeleiteten
normierten Werten nach der Methode der kleinsten Quadrate durchgeführt wird.
DE198383303411T 1982-06-18 1983-06-13 Bestimmung der dicke einer schicht oder bestimmung der aenderung thermischer charakteristiken in der tiefe durch empfang thermischer wellen. Pending DE97473T1 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6019684A (en) 1994-10-12 2000-02-01 Hoyt, Iii; Raymond E. Compact flexible couplings with improved lock-on features

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI64465C (fi) * 1982-03-15 1983-11-10 Mauri Luukkala Foerfarande och apparat foer att maeta ytornas egenskaper av fasta tillstaondets materialer
US4522510A (en) * 1982-07-26 1985-06-11 Therma-Wave, Inc. Thin film thickness measurement with thermal waves
US4752140A (en) * 1983-12-02 1988-06-21 Canadian Patents And Development Limited/Societe Canadienne Des Brevets Et D'exploitation Limitee Pulsed dilatometric method and device for the detection of delaminations
US4679174A (en) * 1984-04-26 1987-07-07 Western Geophysical Company Of America Method for seismic lithologic modeling
US4679946A (en) * 1984-05-21 1987-07-14 Therma-Wave, Inc. Evaluating both thickness and compositional variables in a thin film sample
US4579463A (en) * 1984-05-21 1986-04-01 Therma-Wave Partners Detecting thermal waves to evaluate thermal parameters
JPS6138503A (ja) * 1984-07-31 1986-02-24 Ketsuto Kagaku Kenkyusho:Kk 膜厚計
JPS61102541A (ja) * 1984-10-25 1986-05-21 Hitachi Ltd 液体中の不純物分析方法および装置
US4634291A (en) * 1984-11-26 1987-01-06 General Electric Company Coating thickness measurement
US4818118A (en) * 1984-11-26 1989-04-04 General Electric Company Coating thickness measurement
EP0200301A1 (de) * 1985-03-01 1986-11-05 Therma-Wave Inc. Verfahren und Vorrichtung zum Auswerten von Eigenschaften der Oberfläche und des Inneren eines Halbleiters
US4632561A (en) * 1985-04-30 1986-12-30 Therma-Wave, Inc. Evaluation of surface and subsurface characteristics of a sample
GB8601176D0 (en) * 1986-01-17 1986-02-19 Infrared Eng Ltd Sensing
US4744084A (en) * 1986-02-27 1988-05-10 Mentor Graphics Corporation Hardware modeling system and method for simulating portions of electrical circuits
US4890245A (en) * 1986-09-22 1989-12-26 Nikon Corporation Method for measuring temperature of semiconductor substrate and apparatus therefor
JPH0827264B2 (ja) * 1988-09-21 1996-03-21 工業技術院長 マルチ変調周波数による光音響撮像方法
US4950897A (en) * 1989-01-04 1990-08-21 University Of Toronto Innovations Foundation Thermal wave sub-surface defect imaging and tomography apparatus
US4950990A (en) * 1989-07-21 1990-08-21 Iowa State University Research Foundation, Inc. Method and apparatus for photoinductive imaging
DD291157A5 (de) * 1989-12-28 1991-06-20 ����@�����@�����@����k�� Anordnung zur thermowellenanalyse von schichtsystemen
US5769540A (en) * 1990-04-10 1998-06-23 Luxtron Corporation Non-contact optical techniques for measuring surface conditions
US5154512A (en) * 1990-04-10 1992-10-13 Luxtron Corporation Non-contact techniques for measuring temperature or radiation-heated objects
EP0479918A4 (en) * 1990-04-17 1993-09-29 Iowa State University Research Foundation, Inc. Method and apparatus for photoinductive imaging
US5131758A (en) * 1990-05-16 1992-07-21 Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of remotely characterizing thermal properties of a sample
US5170666A (en) * 1991-03-29 1992-12-15 Larsen Lawrence E Nondestructive evaluation of composite materials using acoustic emissions stimulated by absorbed microwave/radiofrequency energy
DE4114672A1 (de) * 1991-05-06 1992-11-12 Hoechst Ag Verfahren und messanordnung zur beruehrungslosen on-line messung
US5553491A (en) * 1991-11-11 1996-09-10 Nippondenso Co., Ltd. Tire air pressure detecting device
US5497657A (en) * 1991-11-11 1996-03-12 Nippondenso Co., Ltd. Tire air pressure detecting device
US5344236A (en) * 1992-01-23 1994-09-06 Fishman Iiya M Method for evaluation of quality of the interface between layer and substrate
US5201841A (en) * 1992-02-20 1993-04-13 Motorola, Inc. Thermal delay non-destructive bond integrity inspection
US5527110A (en) * 1993-04-30 1996-06-18 International Business Machines Corporation Method and apparatus for detecting asperities on magnetic disks using thermal proximity imaging
US5810477A (en) * 1993-04-30 1998-09-22 International Business Machines Corporation System for identifying surface conditions of a moving medium
US5376793A (en) * 1993-09-15 1994-12-27 Stress Photonics, Inc. Forced-diffusion thermal imaging apparatus and method
US5745385A (en) * 1994-04-25 1998-04-28 International Business Machines Corproation Method for stochastic and deterministic timebase control in stochastic simulations
US5625579A (en) * 1994-05-10 1997-04-29 International Business Machines Corporation Stochastic simulation method for processes containing equilibrium steps
US5657754A (en) * 1995-07-10 1997-08-19 Rosencwaig; Allan Apparatus for non-invasive analyses of biological compounds
US5826065A (en) * 1997-01-13 1998-10-20 International Business Machines Corporation Software architecture for stochastic simulation of non-homogeneous systems
US6000844A (en) * 1997-03-04 1999-12-14 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method and apparatus for the portable identification of material thickness and defects using spatially controlled heat application
US5996415A (en) * 1997-04-30 1999-12-07 Sensys Instruments Corporation Apparatus and method for characterizing semiconductor wafers during processing
US5978074A (en) 1997-07-03 1999-11-02 Therma-Wave, Inc. Apparatus for evaluating metalized layers on semiconductors
US5882947A (en) * 1997-08-05 1999-03-16 United Microelectronics Corp. Method for probing the error of energy and dosage in the high-energy ion implantation
DE59706774D1 (de) * 1997-09-09 2002-05-02 Boschung Mecatronic Ag Granges Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines Signals in Abhängigkeit eines Flüssigkeitsfilmes auf einer Fläche
US5890805A (en) * 1997-09-26 1999-04-06 Usx Corporation Method for monitoring the wear and extending the life of blast furnace refractory lining
US6019000A (en) * 1997-11-20 2000-02-01 Sensys Instruments Corporation In-situ measurement of deposition on reactor chamber members
DE19837889C1 (de) * 1998-08-20 2000-12-21 Siemens Ag Thermowellen-Meßverfahren
US6595685B2 (en) * 1998-10-13 2003-07-22 National Research Laboratory Of Metrology Method and apparatus for measuring thermophysical properties
US6323951B1 (en) * 1999-03-22 2001-11-27 Boxer Cross Incorporated Apparatus and method for determining the active dopant profile in a semiconductor wafer
US6394646B1 (en) 1999-04-16 2002-05-28 General Electric Company Method and apparatus for quantitative nondestructive evaluation of metal airfoils using high resolution transient thermography
US6369888B1 (en) * 1999-11-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for article inspection including speckle reduction
DE10013173C2 (de) * 2000-03-17 2002-02-28 Wagner Internat Ag Altstaetten Verfahren und Vorrichtung zur photothermischen Analyse einer Materialschicht, insbesondere zur Schichtdickenmessung
DE10013172C2 (de) * 2000-03-17 2002-05-16 Wagner Internat Ag Altstaetten Verfahren und Vorrichtung zur photothermischen Analyse einer Materialschicht, insbesondere zur Schichtdickenmessung
JP3430258B2 (ja) * 2000-10-17 2003-07-28 独立行政法人産業技術総合研究所 熱拡散率と界面熱抵抗の測定方法
US6711954B2 (en) 2001-01-19 2004-03-30 Lockheed Martin Corporation Method and apparatus for improving the dynamic range of laser detected ultrasound in attenuative materials
US6911349B2 (en) * 2001-02-16 2005-06-28 Boxer Cross Inc. Evaluating sidewall coverage in a semiconductor wafer
US6812717B2 (en) * 2001-03-05 2004-11-02 Boxer Cross, Inc Use of a coefficient of a power curve to evaluate a semiconductor wafer
US6668654B2 (en) 2001-08-15 2003-12-30 Lockheed Martin Corporation Method and apparatus for generating specific frequency response for ultrasound testing
US6940592B2 (en) * 2001-10-09 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Calibration as well as measurement on the same workpiece during fabrication
US7031894B2 (en) * 2002-01-16 2006-04-18 Timbre Technologies, Inc. Generating a library of simulated-diffraction signals and hypothetical profiles of periodic gratings
US6958814B2 (en) * 2002-03-01 2005-10-25 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for measuring a property of a layer in a multilayered structure
JP2003342728A (ja) * 2002-05-24 2003-12-03 Alps Electric Co Ltd 光学薄膜の成膜装置及び成膜方法
US6825933B2 (en) 2002-06-07 2004-11-30 N&K Technology, Inc. Computer-implemented reflectance system and method for non-destructive low dose ion implantation monitoring
GB2393246A (en) * 2002-09-21 2004-03-24 Sonoptix Ltd Transducer sensor
US6963393B2 (en) * 2002-09-23 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Measurement of lateral diffusion of diffused layers
US6878559B2 (en) * 2002-09-23 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Measurement of lateral diffusion of diffused layers
US6756591B1 (en) * 2003-03-14 2004-06-29 Centre National De La Recherche Method and device for photothermal imaging tiny particles immersed in a given medium
US7204639B1 (en) * 2003-09-26 2007-04-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for thin metal film thickness measurement
US7379185B2 (en) 2004-11-01 2008-05-27 Applied Materials, Inc. Evaluation of openings in a dielectric layer
US7407324B2 (en) * 2005-08-10 2008-08-05 Tokyo Electron, Ltd. Method and apparatus for monitoring the thickness of a conductive coating
FR2895688B1 (fr) * 2005-12-30 2010-08-27 Pellenc Selective Technologies Procede et machine automatiques d'inspection et de tri d'objets non metalliques
US7716987B2 (en) 2006-07-31 2010-05-18 University Of Dayton Non-contact thermo-elastic property measurement and imaging system for quantitative nondestructive evaluation of materials
US20090000382A1 (en) * 2006-07-31 2009-01-01 University Of Dayton Non-contact acousto-thermal method and apparatus for detecting incipient damage in materials
US7993698B2 (en) * 2006-09-23 2011-08-09 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for temperature controlled ion implantation
US8794072B2 (en) * 2007-10-10 2014-08-05 Sonoscan, Inc. Scanning acoustic microscope with profilometer function
US7973547B2 (en) * 2008-08-13 2011-07-05 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for detecting a crack in a semiconductor wafer, and a wafer chuck
US9588041B2 (en) * 2009-10-13 2017-03-07 Picometrix, Llc System and method for detection and measurement of interfacial properties in single and multilayer objects
GB0919059D0 (en) * 2009-10-30 2009-12-16 Sencon Europ Ltd Application and inspection system
CN102466467B (zh) * 2010-11-19 2014-03-12 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 薄膜厚度的监控方法
CN102810455A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 无锡华润上华半导体有限公司 产品植入实时监测系统
KR101974580B1 (ko) * 2012-05-03 2019-05-02 삼성전자주식회사 레이저 유도 초음파 장치 및 이를 이용한 영상 생성 방법
KR101989155B1 (ko) * 2012-08-01 2019-06-17 삼성전자주식회사 초음파 변환기, 이를 포함하는 초음파 발생 장치 및 시스템
FR3007831B1 (fr) 2013-07-01 2015-06-19 Enovasense Procede de mesure de l'epaisseur d'une couche d'un materiau, procede de galvanisation et dispositif de mesure associes
US10054495B2 (en) * 2013-07-02 2018-08-21 Exergen Corporation Infrared contrasting color temperature measurement system
JP6218959B2 (ja) 2014-10-09 2017-10-25 浜松ホトニクス株式会社 解析装置及び解析方法
US10684128B2 (en) 2015-03-09 2020-06-16 Alliance For Sustainable Energy, Llc Batch and continuous methods for evaluating the physical and thermal properties of films
CN108355861A (zh) * 2018-05-21 2018-08-03 广州泽亨实业有限公司 一种基于热波的粉末厚度检测喷涂控制方法及装置
JP7209270B2 (ja) * 2019-02-06 2023-01-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 厚み計測方法及び厚み計測装置、並びに欠陥検出方法及び欠陥検出装置
CN110489718B (zh) * 2019-07-26 2023-01-03 浙江锋锂新能源科技有限公司 铝塑膜冲壳深度的检测方法
US11578971B2 (en) * 2021-02-12 2023-02-14 Holloway Ndt & Engineering Inc. Ultrasonic testing using a phased array
DE102021127596A1 (de) 2021-10-22 2023-04-27 Linseis Messgeräte Gesellschaft mit beschränkter Haftung Temperaturleitfähigkeitsmessgerät

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3803414A (en) * 1972-07-26 1974-04-09 Infra Systems Inc Standardization of infrared measuring system
US3804532A (en) * 1972-08-03 1974-04-16 Us Navy Transparent film uniformity gauge
JPS508554A (de) * 1973-05-19 1975-01-29
US3978713A (en) * 1975-05-27 1976-09-07 General Electric Company Laser generation of ultrasonic waves for nondestructive testing
FR2443113B1 (fr) * 1978-06-30 1985-12-06 Deutsch Pruef Messgeraete Procede et dispositif d'emission d'impulsions acoustiques, particulierement dans le domaine des ultra-sons, et application de ces impulsions notamment au controle non destructif de materiaux
US4255971A (en) * 1978-11-01 1981-03-17 Allan Rosencwaig Thermoacoustic microscopy
JPS55153054A (en) * 1979-05-15 1980-11-28 Hitachi Ltd Logic circuit simulation system
US4274288A (en) * 1979-07-23 1981-06-23 Rockwell International Corporation Method for measuring the depth of surface flaws
US4305294A (en) * 1980-01-10 1981-12-15 Rockwell International Corporation Ultrasonic apparatus and method for measuring wall thickness
DE3034944C2 (de) * 1980-09-01 1985-01-17 Gerhard Dr. 8029 Sauerlach Busse Verfahren und Einrichtung zur photothermischen Struktur-Untersuchung fester Körper
US4430897A (en) * 1981-05-14 1984-02-14 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford University Acoustic microscope and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6019684A (en) 1994-10-12 2000-02-01 Hoyt, Iii; Raymond E. Compact flexible couplings with improved lock-on features

Also Published As

Publication number Publication date
US4513384A (en) 1985-04-23
JPS5985908A (ja) 1984-05-18
EP0097473B1 (de) 1986-11-05
DE3367460D1 (en) 1986-12-11
JPH0358443B2 (de) 1991-09-05
EP0097473A1 (de) 1984-01-04

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