DE939771C - Schmelztiegel zum Schmelzen sehr reiner Metalle oder Halbleiter - Google Patents
Schmelztiegel zum Schmelzen sehr reiner Metalle oder HalbleiterInfo
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Description
- Schmelztiegel zum Schmelzen sehr reiner Metalle oder Halbleiter Beim Schmelzen sehr reiner Metalle und Halbleiter, insbesondere bei Germanium, ist die Verhinderung der Aufnahme von Verunreinigungen aus dem Tiegelmaterial für die Herstellung brauchbarer Produkte unerläßlich. Selbst geringfügige Verunreinigungen, die aus dem Tiegelmaterial in die Schmelze gelangen, machen diese für die weitere Verwendung oft unbrauchbar. Die Verwendung von Quarz als Tiegelmaterial ist in vielen Fällen, z. B. bei Germaniumschmelzen, wegen der Reaktionsfähigkeit von Quarz mit geschmolzenem Germanium unzweckmäßig. Andererseits stößt die Herstellung von Gefäßen aus geeigneten Materialien, z. B. aus Magnesium- oder Aluminiumoxyd, auf große Schwierigkeiten. Erfindungsgemäß wird deshalb vorgeschlagen, die Schmelztiegel mindestens an den mit der Schmelze in Berührung kommenden Stellen mit einer Schicht aus einem oder mehreren schwer reduzierbaren Oxyden zu überziehen. Für Schmelztiegel zum Schmelzen von Germanium hat sich hierbei reine Magnesia als besonders geeignet erwiesen.
- Die Herstellung solcher Überzüge kann z. B. dadurch erfolgen, daß man das oder die Oxyde mit einem Bindemittel zu einer insbesondere streichfähigen Paste vermengt und diese auf die Tiegelwandungen aufträgt. Danach wird das Bindemittel durch Erhitzen rückstandsfrei entfernt. Die Oxyde bilden dann eine die Tiegelwandung lückenlos überziehende Oxydschicht. Als Bindemittel zur Herstellung z. B. einer streichfähigen Paste kommen nur solche in Frage, die z. B. durch Erhitzen rückstandslos beseitigt werden können. Aus der Technik der Herstellung von Oxydkathoden ist die Verwendung von Nitrozelluloselacken für diese Zwecke bekannt. Es wird. deshalb vorgeschlagen, solche oder ähnliche organische Lacke, die die Eigenschaft haben, sich mit den Oxyden zu einer streichfähigen plastischen Paste anrühren und sich durch Erhitzen rückstandsfrei entfernen zu lassen, zu verwenden. Die Gefäßwandungen können außer' durch - Bestreichen mit der plastischen Masse auch durch Tauchen oder Spritzen überzogen werden.
- Die» Oxydschichten haften nach Abbrennen des Bindemittels an den Tiegelwandungen fest genug, um zahlreiche Schmelzen in einem so präparierten Tiegel durchführen zu können. Sie bieten bei Verwendung insbesondere sehr reiner Substanzen einen hervorragenden Schutz gegen den Einfluß .des Tiegelmaterials auf die Schmelze.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Schmelztiegel zum Schmelzen sehr reiner Metalle oder Halbleiter, insbesondere für Germanium, dadurch gekennzeichnet, daß er mindestens an den mit der Schmelze in Berührung kommenden Stellen mit einer Schicht aus einem oder mehreren durch die Schmelze und/oder das Tiegelmaterial schwer reduzierbaren Oxyden überzogen ist.
- 2. Schmelztiegel nach Anspruch t, gekennzeichnet durch die Verwendung von insbesondere reinster Magnesia als Überzugsmaterial.
- 3. Verfahren zur Herstellung eines Schmelztiegelüberzuges nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das oder die Oxyde mit einem Bindemittel zu einer insbesondere streichfähigen Paste vermengt auf die Tiegelwandungen aufgetragen werden und danach das Bindemittel durch Erhitzen rückstandsfrei entfernt wird. q.. Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die Verwendung von organischen, insbesondere Nitrozelluloselacken als Bindemittel.
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|---|---|---|---|
| DE1951S0025159 DE939771C (de) | 1951-10-13 | 1951-10-13 | Schmelztiegel zum Schmelzen sehr reiner Metalle oder Halbleiter |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE939771C true DE939771C (de) | 1956-03-01 |
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ID=7478212
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|---|---|---|---|
| DE1951S0025159 Expired DE939771C (de) | 1951-10-13 | 1951-10-13 | Schmelztiegel zum Schmelzen sehr reiner Metalle oder Halbleiter |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| DE (1) | DE939771C (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1138514B (de) * | 1956-06-13 | 1962-10-25 | Siemens Ag | Tiegel zum Schmelzen hochreiner Halbleiterstoffe |
| DE19806863A1 (de) * | 1998-02-19 | 1999-08-26 | Herbst Bremer Goldschlaegerei | Verfahren zum Schmelzen von Gußwerkstoffen und vorzugsweise zur Durchführung des Verfahrens dienender Schmelztiegel |
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1951
- 1951-10-13 DE DE1951S0025159 patent/DE939771C/de not_active Expired
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