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DE930215C - Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern

Info

Publication number
DE930215C
DE930215C DEF6518D DEF0006518D DE930215C DE 930215 C DE930215 C DE 930215C DE F6518 D DEF6518 D DE F6518D DE F0006518 D DEF0006518 D DE F0006518D DE 930215 C DE930215 C DE 930215C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crystal
contact tip
detector
pressure
detector according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEF6518D
Other languages
English (en)
Inventor
Wolfgang Dipl-Ing Buell
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FLUGFUNK FORSCHUNGSINSTITUT OB
Original Assignee
FLUGFUNK FORSCHUNGSINSTITUT OB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by FLUGFUNK FORSCHUNGSINSTITUT OB filed Critical FLUGFUNK FORSCHUNGSINSTITUT OB
Priority to DEF6518D priority Critical patent/DE930215C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE930215C publication Critical patent/DE930215C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern Nachfolgend beschriebene Erfindung betrifft die Herstellung von Kristallgleichrichtern (Spitzendetektoren), die insbesondere auf dem Gebiete kurzer und kürzester Wellen gegenüber anderen gleichrichtenden Organen unbestrittene Vorteile aufweisen. Ein solcher Detektor besteht in der heutigen Ausführung aus einem Röhrchen aus Glas oder anderem Isoliermaterial, innerhalb dessen der Kristall und die federnde Kontaktspitze untergebracht sind. An den Enden des Röhrchens befinden sich mit diesem festgekittete Kappen die gleichzeitig als Anschlußkontakte dienen.
  • Der Zusammenbau dieser Detektoren stößt auf nicht unbedeutende Schwierigkeiten, weil einerseits eine möglichst weitgehende Unempfindlichkeit gegen mechanische Erschütterungen und andere äußere Einflüsse gefordert wird, andererseits aber nach der heutigen Anschauung der Druck der federnden Kontaktspitze gegen den Kristall im Interesse einer hohen Empfindlichkeit möglichst klein :sein soll. Zu diesem Zweck sind in letzter Zeit besondere Ausführungen der Kontaktfeder und ihrer Lagerung (Kegelfeder) vorgeschlagen worden. Neuere Versuche haben jedoch zu der Erkenntnis geführt, daß der Druck, mit dem die Kontaktspitze den Kristall berührt, äußerst kritisch ist und einen außerordentlich großen Einfluß auf die Empfindlichkeit des Detektors ausübt. Die bis jetzt übliche Einstellung des Druckes mit Hilfe von Schablonen usw. muß daher als die Ursache der bisher ungeklärten und als unvermeidlich hingenommenen Unregelmäßigkeiten in der Empfindlichkeit der fertiggestellten Gleichrichter angesehen werden.
  • Erfindungsgemäß wird daher ein Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern (Spitzendetektoren) vorgeschlagen, 'das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Justierung des aus den Einzelteilen zusammengesetzten Detektors, insbesondere die Einstellung des Druckes zwischen Kristall und Kontaktspitze im hochfrequenten Feld unter gleichzeitiger Messung der Empfindlichkeit erfolgt.
  • Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens sind augenscheinlich. Da bei den bisherigen Verfahren die Druckeinstellung dem Zufall überlassen blieb, selbst dann, wenn sie mit Hilfe besonderer Schablonen erfolgte, und die fertiggestellten Detektoren nach ihrer Empfindlichkeit aussortiert werden mußten, war ein verhältnismäßig hoher Ausschuß unvermeidbar. Die vorgeschlagene Messung der Empfindlichkeit im hochfrequenten Prüfstand während des Zusammenbaues gestattet die Herstellung einer beliebigen Anzahl untereinander vollständig gleicher Exemplare. Einen weiteren Vorzug stellt die Möglichkeit dar, die Eigenschaften der herzustellenden Gleichrichter den späteren Betriebsbedingungen optimal anzupassen und im voraus zu bestimmen.
  • Auf Grund dieser Erkenntnisse durchgeführte weitere Untersuchungen haben zu der überraschenden Tatsache geführt, daß der für die Empfindlichkeit der verschiedenen Detektormaterialien optimale Druck zwischen Kristall und Kontaktspitze weit über der bisher als höchstzulässig betrachteten Grenze liegt und einen scharf ausgeprägten Maximalwert darstellt. Dieser liegt beispielsweise für Pyrit, dem besonders für Kurzwellen geeigneten und vorzugsweise angewendeten Kristall, bei etwa 70 g, während die bisherigen Detektoren einen Spitzendruck. von nur a bis 18 g aufweisen. Dieser verhältnismäßig hohe Druck bedingt eine kräftigere Gestaltung der federnden Kontaktspitze, und für diesen Zweck hat sich eine gebogene Feder gut bewährt, die gleichzeitig den Vorteil einer Temperaturkompensation bietet. Ein Abgleiten der Kontaktspitze von dem Kristall bei Erschütterungen oder auch während des Betriebes wird erfindungsgemäß dadurch vermieden, däß in den Kristall eine Vertiefung eingearbeitet ist, in der die Kontaktspitze sitzt. Da dies jedoch einen Eingriff in die gleichrichtenden Eigenschaften des Kristalls. bedeutet, ist eine Nachbehandlung des Kristalls erforderlich. Es empfiehlt sich daher, den Kristall erst nach dem Einarbeiten der Vertiefung chemisch zu behandeln.
  • Ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellter Spitzendetektor ist in der Abbildung dargestellt, wobei bei der Gestaltung der Einzelteile eine besonders einfache Justierung bzw. ein bequemes Einstellen des optimalen Kontaktdruckes während des Zusammenkittens der Einzelteile im hochfrequenten Feld (unter gleichzeitiger Messung der Empfindlichkeit) ins Auge gefaßt ist. An dem einen Ende des Isolierstoffröhrchens J ist der Metallstift A eingekittet, der den Kristall I( trägt.. Um einen einwandfreien festen Sitz innerhalb des Röhrchens zu gewährleisten, ist der Metallstift A an seinem Umfang aufgerauht und zusätzlich mit einer oder mehreren Rillen R versehen, in die der Kitt eingebracht wird. Entsprechendes gilt von dem am anderen Ende des Isolierröhrchens sitzenden Metallstift B. Bei dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel wird der Druck zwischen Kristall und Kontaktspitze durch eine besondere Feder F hergestellt, die in einer (vorzugsweise zylindrischen) Bohrung des Metallstiftes B sitzt und auf den innerhalb der Bohrung in Achsrichtung beweglichen Kolben K(o drückt. Der Kolben Ko trägt die aus geeignetem Material bestehende Spitze S. Die in den Kristall eingearbeitete Vertiefung, in der Kontaktspitze ruht, ist mit V bezeichnet.
  • Die erfindungsgemäß vorgeschlagenen Maßnahmen sind auch auf andere Ausführungen von Spitzendetektoren sinngemäß anwendbar. Die in der Abbildung als Beispiel gebrachte Form bietet neben der vollständigen Kapselung des Detektors (Schutz gegen äußere Einflüsse, wie Verschmutzung, Feuchtigkeit usw.) noch den Vorzug einer Verminderung der schädlichen Kapazitäten. Für die Kontaktspitze S kann unabhängig vom Federmetall und den Haltestiften ein Material günstigster Austrittsarbeit verwendet werden.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern (Spitzendetektoren), dadurch gekennzeichnet, daß die Justierung des aus den Einzelteilen zusammengesetzten Detektors vor dem Zusammenbau, insbesondere die Einstellung des Druckes zwischen Kristall und Kontaktspitze, im hochfrequenten Feld unter gleichzeitiger Messung der Empfindlichkeit erfolgt. z. Verfahren gemäß Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß das Zusammenkitten der Einzelteile, insbesondere das Einkitten der den Kristall und die Kontaktspitze tragenden Kappen oder Metallstifte bei Röhrchendetektoren im hochfrequenten Feld erfolgt. 3. Verfahren gemäß Anspruch i und z, dadurch gekennzeichnet, daß die Einstellung des optimalen Druckes zwischen Kristall und Kontaktspitze unter Berücksichtigung der beim späteren Betrieb des Detektors vorliegenden Anpassungsverhältnisse erfolgt. q.. Nach dem Verfahren gemäß Anspruch i bis 3 hergestellter Gleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck zwischen Kristall und Kontaktspitze größer als 40 g ist. 5. Detektor nach Anspruch i bis q., dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktspitze in einer in den Kristall eingearbeiteten Vertiefung ruht. 6. Detektor nach Anspruch i bis 5, dadurch. gekennzeichnet, daß die in den Kristall eingearbeitete Vertiefung chemisch nachbehandelt ist. 7. Verfahren zur Herstellung von - Spitzendetektoren gemäß Anspruch i bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kristall erst nach dem Einarbeiten der Vertiefung chemisch behandelt wird. 8. Detektor nach Anspruch I bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktspitze zum Zweck einer Temperaturkompensation als gebogene Feder ausgebildet ist. 9. Detektor nach Anspruch I bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die als zylindrische Metallstifte (A, B) ausgebildeten Träger für den Kristall und die. Kontaktspitze, die in das Isolierröhrchen (J) eingekittet sind, mit Rillen (R) zur Aufnahme des Kittes versehen sind. Io. Detektor nach Anspruch I bis 7 bzw. 9, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Metallstift (B) eine Bohrung aufweist, in der die den Kontaktdruck herstellende Feder (f) sitzt und auf einen in Achsrichtung der Bohrung verschiebbaren Kolben (Ko) drückt, der die Kontaktspitze (S) trägt. II. Detektor nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für die Metallstifte, Feder und Kontaktspitze unterschiedliche, ihrem Zweck günstigst angepaßte Materialien verwendet sind.
DEF6518D 1944-08-09 1944-08-10 Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern Expired DE930215C (de)

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DEF0006518 1944-08-09
DEF6518D DE930215C (de) 1944-08-09 1944-08-10 Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern

Publications (1)

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DE930215C true DE930215C (de) 1955-07-11

Family

ID=25973782

Family Applications (1)

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DEF6518D Expired DE930215C (de) 1944-08-09 1944-08-10 Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern

Country Status (1)

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DE (1) DE930215C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1278563B (de) * 1963-12-05 1968-09-26 Itt Ind Ges Mit Beschraenkter Gehaeuse fuer induktivitaetsarme Dioden

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1278563B (de) * 1963-12-05 1968-09-26 Itt Ind Ges Mit Beschraenkter Gehaeuse fuer induktivitaetsarme Dioden

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